JP2002104873A - フェライト材料およびこれを用いたフェライト基板並びに電磁波吸収部材 - Google Patents
フェライト材料およびこれを用いたフェライト基板並びに電磁波吸収部材Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】曲げ強度が１５０ＭＰａ以上、１ＭＨｚ付近で
の透磁率が１６００以上、且つ焼結性に優れたフェライ
ト材料を得る。 【解決手段】Ｆｅ2Ｏ3が６０〜７０重量％、ＮｉＯが７
〜１５重量％、ＺｎＯが１５〜２５重量％、ＣｕＯが０
〜５％重量％、ＭｎＯがで０〜３重量％からなる主成分
１００重量部に対して、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、
ＭｇＯおよびＣｒ2Ｏ3を各々０．０１〜１重量部、Ｚｒ
Ｏ2を０．００１〜１重量部含有するフェライト材料と
する。
の透磁率が１６００以上、且つ焼結性に優れたフェライ
ト材料を得る。 【解決手段】Ｆｅ2Ｏ3が６０〜７０重量％、ＮｉＯが７
〜１５重量％、ＺｎＯが１５〜２５重量％、ＣｕＯが０
〜５％重量％、ＭｎＯがで０〜３重量％からなる主成分
１００重量部に対して、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、
ＭｇＯおよびＣｒ2Ｏ3を各々０．０１〜１重量部、Ｚｒ
Ｏ2を０．００１〜１重量部含有するフェライト材料と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高透磁率、高強度の
フェライト材料およびこれを用いたフェライト基板並び
に電磁波吸収部材に関するものである。
フェライト材料およびこれを用いたフェライト基板並び
に電磁波吸収部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＮｉおよびＺｎを含有するＮｉ−Ｚｎ系
のフェライト材料は、インダクタ−・変圧器・電磁磁石
・ノイズ除去等のコアとして幅広く使用されている。
のフェライト材料は、インダクタ−・変圧器・電磁磁石
・ノイズ除去等のコアとして幅広く使用されている。
【０００３】特に、近年、携帯電話やノート型パソコン
等、携帯機器の小型・薄型化の進展と共に、これらの携
帯機器に使用される部品の小型・薄型化に伴い高強度の
フェライト材料が求められている。
等、携帯機器の小型・薄型化の進展と共に、これらの携
帯機器に使用される部品の小型・薄型化に伴い高強度の
フェライト材料が求められている。
【０００４】また、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト材料の新た
な用途として、分割溝を有する多数個取り用のフェライ
ト基板や、フロッピーディスクのヘッドを磁気シールド
する電磁波シールド部材が提案されている。
な用途として、分割溝を有する多数個取り用のフェライ
ト基板や、フロッピーディスクのヘッドを磁気シールド
する電磁波シールド部材が提案されている。
【０００５】そして、このＮｉ−Ｚｎ系フェライト材料
の強度を向上させるためにＦｅ2Ｏ3−ＮｉＯ−ＺｎＯ−
ＣｕＯ−ＭｎＯ−ＺｒＯ2系フェライトが提案されてい
る（特開平８−１５７２５３号公報参照）。
の強度を向上させるためにＦｅ2Ｏ3−ＮｉＯ−ＺｎＯ−
ＣｕＯ−ＭｎＯ−ＺｒＯ2系フェライトが提案されてい
る（特開平８−１５７２５３号公報参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のＮｉ
−Ｚｎ系フェライト材料は、透磁率が低く、また、ＪＩ
ＳＲ１６０１による３点曲げ強度が９８〜１４７ＭＰａ
と機械的な強度が低いものであった。
−Ｚｎ系フェライト材料は、透磁率が低く、また、ＪＩ
ＳＲ１６０１による３点曲げ強度が９８〜１４７ＭＰａ
と機械的な強度が低いものであった。
【０００７】そのため、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト材料を
上述したフェライト基板や電磁波シールド部材として用
いると、製造工程や使用中に他部材との接触、落下衝撃
等により欠けや割れが生じやすく、また、透磁率が低い
ため高周波での電磁波シールドの効果が十分得られない
という問題があった。
上述したフェライト基板や電磁波シールド部材として用
いると、製造工程や使用中に他部材との接触、落下衝撃
等により欠けや割れが生じやすく、また、透磁率が低い
ため高周波での電磁波シールドの効果が十分得られない
という問題があった。
【０００８】また、これに代わる材料としてＭｎ−Ｚｎ
系フェライト材料を用いる事も考えられていたが、コス
トが高いという問題点があった。
系フェライト材料を用いる事も考えられていたが、コス
トが高いという問題点があった。
【０００９】そこで、本発明は、上記フェライト基板や
電磁波シールド部材として好適に用いられる透磁率と強
度の高いＮｉ−Ｚｎ系フェライト材料を得ることを課題
とする。
電磁波シールド部材として好適に用いられる透磁率と強
度の高いＮｉ−Ｚｎ系フェライト材料を得ることを課題
とする。
【００１０】
【課題を解決する為の手段】本発明者らは研究を重ねた
結果、次の手段により上述の課題を解決できることを見
出した。
結果、次の手段により上述の課題を解決できることを見
出した。
【００１１】すなわち、本発明のフェライト材料はＦｅ
がＦｅ2Ｏ3換算で６０〜７０重量％、ＮｉがＮｉＯ換算
で７〜１５重量％、ＺｎがＺｎＯ換算で１５〜２５重量
％、ＣｕがＣｕＯ換算で０〜５％重量％、ＭｎがＭｎＯ
換算で０〜３重量％からなる主成分１００重量部に対し
て、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃａ、ＭｇおよびＣｒをそれぞれＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯおよびＣｒ2Ｏ3換算で
各々０．０１〜１重量％、ＺｒをＺｒＯ2換算で０．０
０１〜１重量％含有することを特徴とする。
がＦｅ2Ｏ3換算で６０〜７０重量％、ＮｉがＮｉＯ換算
で７〜１５重量％、ＺｎがＺｎＯ換算で１５〜２５重量
％、ＣｕがＣｕＯ換算で０〜５％重量％、ＭｎがＭｎＯ
換算で０〜３重量％からなる主成分１００重量部に対し
て、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃａ、ＭｇおよびＣｒをそれぞれＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯおよびＣｒ2Ｏ3換算で
各々０．０１〜１重量％、ＺｒをＺｒＯ2換算で０．０
０１〜１重量％含有することを特徴とする。
【００１２】また、本発明のフェライト材料はさらに気
孔率を１０体積％以下、平均気孔径を３．５μｍ以下、
最大気孔径を２５μｍ以下としたことを特徴とする。
孔率を１０体積％以下、平均気孔径を３．５μｍ以下、
最大気孔径を２５μｍ以下としたことを特徴とする。
【００１３】更に、本発明では上記のＮｉ−Ｚｎ系フェ
ライト材料をフェライト基板や電磁波吸収部材に用いる
ことを特徴とする。
ライト材料をフェライト基板や電磁波吸収部材に用いる
ことを特徴とする。
【００１４】なお電磁波吸収部材とは、電磁波を吸収し
て遮断するためのシールド部材や、あるいは電磁波を吸
収して発熱する部材である。
て遮断するためのシールド部材や、あるいは電磁波を吸
収して発熱する部材である。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明のフェライト材料は、Ｆｅ
がＦｅ2Ｏ3換算で６０〜７０重量％、ＮｉがＮｉＯ換算
で７〜１５重量％、ＺｎがＺｎＯ換算で１５〜２５重量
％、ＣｕがＣｕＯ換算で０〜５％重量％、ＭｎがＭｎＯ
換算で０〜３重量％からなる主成分１００重量部に対し
て、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃａ、ＭｇおよびＣｒをそれぞれＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯおよびＣｒ2Ｏ3換算で
各々０．０１〜１重量％、ＺｒをＺｒＯ2換算で０．０
０１〜１重量％含有したものである。
がＦｅ2Ｏ3換算で６０〜７０重量％、ＮｉがＮｉＯ換算
で７〜１５重量％、ＺｎがＺｎＯ換算で１５〜２５重量
％、ＣｕがＣｕＯ換算で０〜５％重量％、ＭｎがＭｎＯ
換算で０〜３重量％からなる主成分１００重量部に対し
て、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃａ、ＭｇおよびＣｒをそれぞれＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯおよびＣｒ2Ｏ3換算で
各々０．０１〜１重量％、ＺｒをＺｒＯ2換算で０．０
０１〜１重量％含有したものである。
【００１６】本発明において、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト
の主成分の組成比を上記範囲とした理由は以下の通りで
ある。
の主成分の組成比を上記範囲とした理由は以下の通りで
ある。
【００１７】ＦｅをＦｅ2Ｏ3換算で６０〜７０重量％と
したのは、６０重量％未満では透磁率が低くなり、７０
重量％を超えると焼結性が低下し透磁率が低くなるから
である。
したのは、６０重量％未満では透磁率が低くなり、７０
重量％を超えると焼結性が低下し透磁率が低くなるから
である。
【００１８】ＮｉをＮｉＯ換算でが７〜１５重量％とし
たのは、７重量％未満ではＱ値が低くなり、１５重量％
を超えると透磁率が低くなるからである。
たのは、７重量％未満ではＱ値が低くなり、１５重量％
を超えると透磁率が低くなるからである。
【００１９】また、ＺｎをＺｎＯ換算で１５〜２５重量
％としたのは、１５重量％未満では透磁率が低くなり、
２５重量％を超えると強度と透磁率が低くが低下Ｑ値と
キュリー点が低くなるからである。
％としたのは、１５重量％未満では透磁率が低くなり、
２５重量％を超えると強度と透磁率が低くが低下Ｑ値と
キュリー点が低くなるからである。
【００２０】また、ＣｕをＣｕＯ換算で０〜５重量％と
したのは、ＣｕＯが５重量％を超えると曲げ強度が低く
なるからである。
したのは、ＣｕＯが５重量％を超えると曲げ強度が低く
なるからである。
【００２１】また、ＭｎをＭｎＯ換算で０〜３重量％と
したのは、ＭｎＯが３重量％を超えると透磁率が低くな
るからである。
したのは、ＭｎＯが３重量％を超えると透磁率が低くな
るからである。
【００２２】また、本発明のフェライト材料においては
上記主成分に対し、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯ、Ｃｒ2Ｏ3を上述の範囲で含有する事によっ
て、これらが焼結助剤、気孔低減作用、結晶サイズの制
御作用をなし、透磁率と曲げ強度を高めることができ
る。
上記主成分に対し、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯ、Ｃｒ2Ｏ3を上述の範囲で含有する事によっ
て、これらが焼結助剤、気孔低減作用、結晶サイズの制
御作用をなし、透磁率と曲げ強度を高めることができ
る。
【００２３】そして、主成分１００重量部に対して、Ｓ
ｉ、Ａｌ、Ｃａ、ＭｇおよびＣｒをそれぞれＳｉＯ2、
Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯおよびＣｒ2Ｏ3換算で各々
０．０１〜１重量％、ＺｒをＺｒＯ2換算で０．００１
〜１重量％含有する理由は以下の通りである。
ｉ、Ａｌ、Ｃａ、ＭｇおよびＣｒをそれぞれＳｉＯ2、
Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯおよびＣｒ2Ｏ3換算で各々
０．０１〜１重量％、ＺｒをＺｒＯ2換算で０．００１
〜１重量％含有する理由は以下の通りである。
【００２４】ＳｉをＳｉＯ2換算で０．０１〜１重量％
含有するのは、０．０１重量％未満では強度が低下し、
１重量％を超えると透磁率が低下するためである。
含有するのは、０．０１重量％未満では強度が低下し、
１重量％を超えると透磁率が低下するためである。
【００２５】また、ＡｌをＡｌ2Ｏ3換算で０．０１〜１
重量％含有するのは０．０１重量％以下では強度が低下
し、１重量％を超えると透磁率が低下するためである。
重量％含有するのは０．０１重量％以下では強度が低下
し、１重量％を超えると透磁率が低下するためである。
【００２６】また、ＣａをＣａＯ換算で０．０１〜１重
量％含有するのは、ＣａＯが０．０１重量％未満では曲
げ強度が低下し、１重量％を超えると焼結性が低下し透
磁率が低くなるためである。
量％含有するのは、ＣａＯが０．０１重量％未満では曲
げ強度が低下し、１重量％を超えると焼結性が低下し透
磁率が低くなるためである。
【００２７】また、ＭｇをＭｇＯ換算で０．０１〜１重
量％含有するのは、ＭｇＯが０．０１重量％未満では曲
げ強度が低下し、１重量％を超えると焼結性が低下して
透磁率が低くなるためである。
量％含有するのは、ＭｇＯが０．０１重量％未満では曲
げ強度が低下し、１重量％を超えると焼結性が低下して
透磁率が低くなるためである。
【００２８】また、ＣｒをＣｒ2Ｏ3換算で０．０１〜１
重量％含有するのは、０．０１重量％未満では曲げ強度
が低下し、１重量％を超えると透磁率が低下するからで
ある。
重量％含有するのは、０．０１重量％未満では曲げ強度
が低下し、１重量％を超えると透磁率が低下するからで
ある。
【００２９】また、ＺｒＯ2を本発明の範囲内で含有す
ることにより極端な粒成長を抑制し焼結密度を高くし
て、強度を高くすることができる。ＺｒをＺｒＯ2換算
で０．００１〜１重量％含有するのは、０．００１重量
％未満では曲げ強度が低下し、１重量％を超えると透磁
率が低下するからである。
ることにより極端な粒成長を抑制し焼結密度を高くし
て、強度を高くすることができる。ＺｒをＺｒＯ2換算
で０．００１〜１重量％含有するのは、０．００１重量
％未満では曲げ強度が低下し、１重量％を超えると透磁
率が低下するからである。
【００３０】更に、透磁率と曲げ強度をさらに高めるた
め、本発明のフェライト材料は気孔率を１０％以下、平
均気孔径を３．５μｍ以下、最大気孔径を２５μｍ以下
に制御する事が好ましい。気孔率が１０％より多くなっ
たり、または平均気孔径が３．５μｍよりも大きく且つ
最大気孔径が２５μｍより大きくなると気孔が破壊源と
なるため曲げ強度の向上が著しくなく、また、気孔が多
くなることにより透磁率の向上が著しくないからであ
る。
め、本発明のフェライト材料は気孔率を１０％以下、平
均気孔径を３．５μｍ以下、最大気孔径を２５μｍ以下
に制御する事が好ましい。気孔率が１０％より多くなっ
たり、または平均気孔径が３．５μｍよりも大きく且つ
最大気孔径が２５μｍより大きくなると気孔が破壊源と
なるため曲げ強度の向上が著しくなく、また、気孔が多
くなることにより透磁率の向上が著しくないからであ
る。
【００３１】また、本発明のフェライト材料の気孔率は
アルキメデス法によって求める。
アルキメデス法によって求める。
【００３２】また、本発明のフェライト材料の平均気孔
径および最大気孔径は、例えば次の様に求める。フェラ
イト磁器を研磨し、鏡面を出した後、鏡面部のSEM写真
等を撮り、この写真中にある気孔の平均気孔径、最大気
孔径を求める。
径および最大気孔径は、例えば次の様に求める。フェラ
イト磁器を研磨し、鏡面を出した後、鏡面部のSEM写真
等を撮り、この写真中にある気孔の平均気孔径、最大気
孔径を求める。
【００３３】本発明のフェライト材料は組成、気孔率、
平均気孔径、最大気孔径を上述の範囲とする事によって
１ＭＨｚ付近での透磁率が１６００以上、ＪＩＳＲ１６
０１による３点曲げ強度が１５０ＭＰａ以上のフェライ
ト材料を得ることができる。
平均気孔径、最大気孔径を上述の範囲とする事によって
１ＭＨｚ付近での透磁率が１６００以上、ＪＩＳＲ１６
０１による３点曲げ強度が１５０ＭＰａ以上のフェライ
ト材料を得ることができる。
【００３４】本発明のフェライト材料の製造方法は以下
の通りである。
の通りである。
【００３５】高純度のＦｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯ、Ｃｕ
Ｏ、ＭｎＯをボールミルで混合した後、７５０〜１００
０℃で仮焼し、得られた仮焼粉体にＳｉＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯおよびＣｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2を添加
しボールミルにて粉砕した後、所定のバインダーを加え
て造粒し、周知の成型方法で成型する。この成形体を９
００〜１２５０℃で焼成し本発明のフェライト材料を製
造する。
Ｏ、ＭｎＯをボールミルで混合した後、７５０〜１００
０℃で仮焼し、得られた仮焼粉体にＳｉＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯおよびＣｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2を添加
しボールミルにて粉砕した後、所定のバインダーを加え
て造粒し、周知の成型方法で成型する。この成形体を９
００〜１２５０℃で焼成し本発明のフェライト材料を製
造する。
【００３６】また、本発明においてはＳｒＯ、Ｔｉ
Ｏ2、Ｙ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5、ＷＯ３、ＰｂＯ、Ｋ2Ｏ等を合計
で１重量％以下の範囲で含んでも良い。
Ｏ2、Ｙ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5、ＷＯ３、ＰｂＯ、Ｋ2Ｏ等を合計
で１重量％以下の範囲で含んでも良い。
【００３７】次に、本発明のフェライト材料を用いたフ
ェライト基板や電磁波吸収部材にについて説明する。
ェライト基板や電磁波吸収部材にについて説明する。
【００３８】図１に示したフェライト基板１０は、本発
明のフェライト材料からなる板状体であって、その表面
に縦横方向に複数の分割溝１１を形成したものである。
フェライト基板１０の表面に電気回路を厚膜印刷後焼付
けたり、薄膜蒸着等により電気回路を形成した後、分割
溝１１から切り離すことによって、各種素子用部品や、
面コイル等の電子部品を同時に多数個取りすることがで
きる。
明のフェライト材料からなる板状体であって、その表面
に縦横方向に複数の分割溝１１を形成したものである。
フェライト基板１０の表面に電気回路を厚膜印刷後焼付
けたり、薄膜蒸着等により電気回路を形成した後、分割
溝１１から切り離すことによって、各種素子用部品や、
面コイル等の電子部品を同時に多数個取りすることがで
きる。
【００３９】そして、上記フェライト基板１０の材質と
して本発明のフェライト材料を用いることにより、フェ
ライト基板１０の製造工程上、あるいは取扱い上におい
て欠けや割れを防止することができる。
して本発明のフェライト材料を用いることにより、フェ
ライト基板１０の製造工程上、あるいは取扱い上におい
て欠けや割れを防止することができる。
【００４０】なお、図１ではフェライト基板１０として
多数個取りのものを示したが、この他の一般的な回路基
板や各種基板にも適用することができる。
多数個取りのものを示したが、この他の一般的な回路基
板や各種基板にも適用することができる。
【００４１】次に、電磁波吸収部材としての実施形態を
図２に示す。図２において、フロピーディスクの磁気ヘ
ッド部において、アーム２２に固定した磁気ヘッド２１
の周囲に本発明のフェライト材料からなる電磁波シール
ド部材２０を配置してある。そして、該電磁波シールド
部材２０を備えることによって、フロッピーディスクド
ライブ内で、モーター等から発生するノイズが、磁気ヘ
ッド２１に入ることを防止することができる。
図２に示す。図２において、フロピーディスクの磁気ヘ
ッド部において、アーム２２に固定した磁気ヘッド２１
の周囲に本発明のフェライト材料からなる電磁波シール
ド部材２０を配置してある。そして、該電磁波シールド
部材２０を備えることによって、フロッピーディスクド
ライブ内で、モーター等から発生するノイズが、磁気ヘ
ッド２１に入ることを防止することができる。
【００４２】フロッピーディスクの磁気ヘッド部は、そ
の構造上、ショックに対して敏感で振動しやすい。その
ため、電磁波シールド部材２０も磁気ヘッド２１と共に
振動するため、何らかの強いショック（落下等）で周辺
部品と接触、あるいは衝突し破損する恐れがある。そこ
で、電磁波シールド部材２０を機械的強度の高い本発明
のフェライト材料とすることによって上記破損等の問題
を防止することができる。
の構造上、ショックに対して敏感で振動しやすい。その
ため、電磁波シールド部材２０も磁気ヘッド２１と共に
振動するため、何らかの強いショック（落下等）で周辺
部品と接触、あるいは衝突し破損する恐れがある。そこ
で、電磁波シールド部材２０を機械的強度の高い本発明
のフェライト材料とすることによって上記破損等の問題
を防止することができる。
【００４３】また、図２には電磁波吸収部材としてシー
ルド部材の例を示したが、この他に電磁波吸収により発
熱する性質を利用して、例えば電子レンジの調理等に用
いることもできる。
ルド部材の例を示したが、この他に電磁波吸収により発
熱する性質を利用して、例えば電子レンジの調理等に用
いることもできる。
【００４４】
【実施例】実施例１ 表１に示す主成分の組成をボールミルで混合した後、８
００〜９６０℃で仮焼した。得られた仮焼粉体にＳｉＯ
2、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｃｒ2Ｏ3、およびＺｒ
Ｏ2をそれぞれ０．３重量％添加、混合し、ボールミル
にて粉砕した後、所定のバインダーを加えて造粒し、圧
縮成型して図３に示すトロイダルコア１の形状に成形
し、この成形体を９５０〜１２００℃で焼成し、これに
よって試料Ｎｏ１〜１５を作製した。
００〜９６０℃で仮焼した。得られた仮焼粉体にＳｉＯ
2、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｃｒ2Ｏ3、およびＺｒ
Ｏ2をそれぞれ０．３重量％添加、混合し、ボールミル
にて粉砕した後、所定のバインダーを加えて造粒し、圧
縮成型して図３に示すトロイダルコア１の形状に成形
し、この成形体を９５０〜１２００℃で焼成し、これに
よって試料Ｎｏ１〜１５を作製した。
【００４５】この焼成において焼結性の良否について、
１２００℃以下でも焼結する場合を○とし、１２００℃
を超える温度にまで高める事で焼結する場合を×とし
た。得られた焼結体をトロイダルコア１とし、これに線
径０．２ｍｍの被膜銅線を７ターン巻き付け、１ＭＨｚ
での初透磁率をＬＣＲメータにて測定した。曲げ強度は
ＪＩＳＲ１６０１の規格に従って測定を行った。
１２００℃以下でも焼結する場合を○とし、１２００℃
を超える温度にまで高める事で焼結する場合を×とし
た。得られた焼結体をトロイダルコア１とし、これに線
径０．２ｍｍの被膜銅線を７ターン巻き付け、１ＭＨｚ
での初透磁率をＬＣＲメータにて測定した。曲げ強度は
ＪＩＳＲ１６０１の規格に従って測定を行った。
【００４６】結果は、表１に示す通りである。この結果
より、本発明の範囲外の試料Ｎｏ．１〜８は透磁率が低
かったり、曲げ強度が低かったり、あるいは焼結性が悪
いものであった。
より、本発明の範囲外の試料Ｎｏ．１〜８は透磁率が低
かったり、曲げ強度が低かったり、あるいは焼結性が悪
いものであった。
【００４７】これに対して本発明の範囲内の試料Ｎｏ．
９〜１５は、焼結性が良好で、透磁率が１６００以上と
高く、曲げ強度が１５０ＭＰａ以上と優れた特性が得ら
れた。
９〜１５は、焼結性が良好で、透磁率が１６００以上と
高く、曲げ強度が１５０ＭＰａ以上と優れた特性が得ら
れた。
【００４８】
【表１】
【００４９】実施例２ 次に、主成分であるＦｅ2Ｏ3を６６重量％、ＮｉＯ2を
８重量％、ＺｎＯを２２重量％に固定し、副成分を表２
に示すように幾通りにも変化させ、その他の条件は実施
例１と同様にしてトロイダルコア１の形状の試料Ｎｏ．
１６〜５０を得た。得られた焼結体に対して、実施例１
と同様にして１ＭＨｚの透磁率、曲げ強度、焼結性を評
価したところ、表２に示す様な結果が得られた。
８重量％、ＺｎＯを２２重量％に固定し、副成分を表２
に示すように幾通りにも変化させ、その他の条件は実施
例１と同様にしてトロイダルコア１の形状の試料Ｎｏ．
１６〜５０を得た。得られた焼結体に対して、実施例１
と同様にして１ＭＨｚの透磁率、曲げ強度、焼結性を評
価したところ、表２に示す様な結果が得られた。
【００５０】表２によれば、副成分が本発明の範囲外の
試料Ｎｏ．３７〜５０は透磁率が低かったり、強度が低
かったり、あるいは焼結性が悪いものであった。
試料Ｎｏ．３７〜５０は透磁率が低かったり、強度が低
かったり、あるいは焼結性が悪いものであった。
【００５１】これに対して本発明の範囲内の試料Ｎｏ．
１６〜３６は透磁率１６００以上、曲げ強度１５０ＭＰ
ａ以上が得られ、焼結性も良好であった。
１６〜３６は透磁率１６００以上、曲げ強度１５０ＭＰ
ａ以上が得られ、焼結性も良好であった。
【００５２】
【表２】
【００５３】実施例３ 次に、主成分であるＦｅ2Ｏ3を６６重量％、ＮｉＯを８
重量％、ＺｎＯを２２重量％に固定し、８００〜９６０
℃で仮焼し、得られた仮焼粉体にＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｃｒ2Ｏ3、およびＺｒＯ2をそれぞれ
０．４重量％添加、混合し、ボールミルにて粉砕した
後、所定のバインダーを加えて造粒し、圧縮成型して成
形し、この成形体を９５０〜１２００℃で焼成し、気孔
率を変化させた試料を作製し、各試料の曲げ強度を測定
した。
重量％、ＺｎＯを２２重量％に固定し、８００〜９６０
℃で仮焼し、得られた仮焼粉体にＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｃｒ2Ｏ3、およびＺｒＯ2をそれぞれ
０．４重量％添加、混合し、ボールミルにて粉砕した
後、所定のバインダーを加えて造粒し、圧縮成型して成
形し、この成形体を９５０〜１２００℃で焼成し、気孔
率を変化させた試料を作製し、各試料の曲げ強度を測定
した。
【００５４】その結果、表３に示す様に気孔率が１０％
以下の試料Ｎｏ．５１〜５６は２００ＭＰａ以上と特に
高い曲げ強度が得られた。また、各試料の透磁率は全て
１６００以上であった。
以下の試料Ｎｏ．５１〜５６は２００ＭＰａ以上と特に
高い曲げ強度が得られた。また、各試料の透磁率は全て
１６００以上であった。
【００５５】
【表３】
【００５６】実施例４ 次に、主成分であるＦｅ2Ｏ3を６６重量％、ＮｉＯを８
重量％、ＺｎＯを２２重量％に固定し、８００〜９６０
℃で仮焼し、得られた仮焼粉体にＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｃｒ2Ｏ3、およびＺｒＯ2をそれぞれ
０．１重量％添加、混合し、ボールミルにて粉砕した
後、所定のバインダーを加えて造粒、成形し、この成形
体を１０５０〜１２００℃の焼成温度範囲内でキープ時
間を０．５〜４時間の範囲内で変化させることにより、
平均気孔径と最大気孔径を変化させて本発明の範囲内の
試料を作製し、その曲げ強度を測定した。
重量％、ＺｎＯを２２重量％に固定し、８００〜９６０
℃で仮焼し、得られた仮焼粉体にＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｃｒ2Ｏ3、およびＺｒＯ2をそれぞれ
０．１重量％添加、混合し、ボールミルにて粉砕した
後、所定のバインダーを加えて造粒、成形し、この成形
体を１０５０〜１２００℃の焼成温度範囲内でキープ時
間を０．５〜４時間の範囲内で変化させることにより、
平均気孔径と最大気孔径を変化させて本発明の範囲内の
試料を作製し、その曲げ強度を測定した。
【００５７】その結果、表４に示す様に平均気孔径が
３．５μｍ以下、最大気孔径が２５μｍ以下の試料Ｎ
ｏ．６０〜６５は曲げ強度が２００ＭＰａ以上と特に高
い曲げ強度が得られた。また、各試料の透磁率は全て１
６００以上であった。
３．５μｍ以下、最大気孔径が２５μｍ以下の試料Ｎ
ｏ．６０〜６５は曲げ強度が２００ＭＰａ以上と特に高
い曲げ強度が得られた。また、各試料の透磁率は全て１
６００以上であった。
【００５８】
【表４】
【００５９】
【発明の効果】以上の様に、本発明によれば、ＦｅがＦ
ｅ2Ｏ3換算で６０〜７０重量％、ＮｉがＮｉＯ換算で７
〜１５重量％、ＺｎがＺｎＯ換算で１５〜２５重量％、
ＣｕがＣｕＯ換算で０〜５％重量％、ＭｎがＭｎＯ換算
で０〜３重量％からなる主成分１００重量部に対して、
Ｓｉ、Ａｌ、Ｃａ、ＭｇおよびＣｒをそれぞれＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯおよびＣｒ2Ｏ3換算で
各々０．０１〜１重量部、ＺｒをＺｒＯ2換算で０．０
０１〜１重量部含有するフェライト材料とすることによ
って、透磁率が高く、機械的強度が高い優れたフェライ
ト材料を製造することができる。このフェライト材料は
フェライト基板や電磁波吸収部材等へ適用することがで
き、高周波で使用される部品の電磁波ノイズ低減等に大
きく貢献することができる。
ｅ2Ｏ3換算で６０〜７０重量％、ＮｉがＮｉＯ換算で７
〜１５重量％、ＺｎがＺｎＯ換算で１５〜２５重量％、
ＣｕがＣｕＯ換算で０〜５％重量％、ＭｎがＭｎＯ換算
で０〜３重量％からなる主成分１００重量部に対して、
Ｓｉ、Ａｌ、Ｃａ、ＭｇおよびＣｒをそれぞれＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯおよびＣｒ2Ｏ3換算で
各々０．０１〜１重量部、ＺｒをＺｒＯ2換算で０．０
０１〜１重量部含有するフェライト材料とすることによ
って、透磁率が高く、機械的強度が高い優れたフェライ
ト材料を製造することができる。このフェライト材料は
フェライト基板や電磁波吸収部材等へ適用することがで
き、高周波で使用される部品の電磁波ノイズ低減等に大
きく貢献することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフェライト材料を用いたフェライト基
板を示す斜視図である。
板を示す斜視図である。
【図２】本発明のフェライト材料を用いた電磁波吸収部
材の一例である電磁波シールド部材を示す斜視図であ
る。
材の一例である電磁波シールド部材を示す斜視図であ
る。
【図３】本発明のフェライト材料を用いたフェライトコ
アを示す図である。
アを示す図である。
１０：フェライト基板 １１：分割溝 ２０：電磁波シールド部材 ２１：磁器ヘッド ２２：アーム １：トロイダルコア １ａ：巻き線部
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 1/34 Ｈ０１Ｆ 1/00 Ｃ
Claims (5)
- 【請求項１】ＦｅがＦｅ2Ｏ3換算で６０〜７０重量％、
ＮｉがＮｉＯ換算で７〜１５重量％、ＺｎがＺｎＯ換算
で１５〜２５重量％、ＣｕがＣｕＯ換算で０〜５％重量
％、ＭｎがＭｎＯ換算で０〜３重量％からなる主成分１
００重量部に対して、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃａ、ＭｇおよびＣ
ｒをそれぞれＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯおよ
びＣｒ2Ｏ3換算で各々０．０１〜１重量部、ＺｒをＺｒ
Ｏ2換算で０．００１〜１重量部含有することを特徴と
するフェライト材料。 - 【請求項２】気孔率が１０体積％以下であることを特徴
とする請求項１に記載のフェライト材料。 - 【請求項３】平均気孔径が３．５μｍ以下、最大気孔径
が２５μｍ以下であることを特徴とする請求項１または
２のいずれかに記載のフェライト材料。 - 【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載のフェライ
ト材料を用いたフェライト基板。 - 【請求項５】請求項１〜３のいずれかに記載のフェライ
ト材料を用いた電磁波吸収部材。
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| JP2006312564A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Doshisha | 高硬度を有するフェライト／二酸化珪素複合体の製造方法 |
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| CN114315335A (zh) * | 2020-09-29 | 2022-04-12 | 株式会社村田制作所 | 铁氧体烧结体和线圈部件 |
| CN114538807A (zh) * | 2022-03-08 | 2022-05-27 | 重庆大学 | 一种锰尾矿渣基免烧砖及其制备方法和用途 |
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|---|---|---|---|---|
| WO2012018052A1 (ja) | 2010-08-03 | 2012-02-09 | 京セラ株式会社 | フェライト焼結体およびこれを備えるノイズフィルタ |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2001151564A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-05 | Kyocera Corp | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア |
| JP2001176717A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Kyocera Corp | 低損失フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア |
-
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- 2000-09-27 JP JP2000294721A patent/JP4587542B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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| JP4557690B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2010-10-06 | 京セラ株式会社 | コイル内蔵基板 |
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| US10930418B2 (en) | 2015-09-30 | 2021-02-23 | Amosense Co., Ltd. | Magnetic shielding unit for magnetic security transmission, module comprising same, and portable device comprising same |
| CN108353524A (zh) * | 2015-11-16 | 2018-07-31 | 阿莫技术有限公司 | 无线电力传输用磁场屏蔽单元以及包括其的无线电力传输模块 |
| CN108353524B (zh) * | 2015-11-16 | 2020-05-01 | 阿莫技术有限公司 | 无线电力传输用磁场屏蔽单元以及包括其的无线电力传输模块 |
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| CN114315335B (zh) * | 2020-09-29 | 2023-02-28 | 株式会社村田制作所 | 铁氧体烧结体和线圈部件 |
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