JP2001022813A - 不要輻射解析方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】トランジスタレベルのシミュレーションにおけ
るＥＭＩ解析では処理時間が遅いため、ＬＳＩ全体を解
析することは非現実的であった。また、ゲートレベルの
論理シミュレーションでは正確に電流変化を再現するこ
とができないため、ＥＭＩ解析には用いることができな
かった。 【解決手段】ゲートレベルの論理シミュレーションにお
いて、論理シミュレータ４からのイベント情報５から電
流波形算出処理部７を用いて電流の変化を算出し、その
電流変化をＦＦＴ処理部９を用いてＦＦＴすることによ
り、ＥＭＩの周波数特性を算出し、ＥＭＩ解析を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、不要輻射（ＥＭ
Ｉ：Electromagnetic Interference）解析方法に係り、
特に、大規模でかつ高速駆動のＬＳＩ(大規模半導体集
積回路)に対して高速かつ高精度の論理シミュレーショ
ンを行い、電磁輻射を解析する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩは、コンピュータはもちろんのこ
と、携帯電話等の通信機器、一般家庭製品や玩具、自動
車まで利用範囲が拡大している。しかし、その一方で、
これらの製品から生じる不要輻射がテレビ・ラジオ等の
受信装置の電波障害や他システムの誤動作の原因として
問題になっている。これらの問題に対して、フィルタリ
ングやシールディングといった製品全体としての対策も
施されているが、部品点数増大・コスト増大・製品上対
策の難しさ等の観点より、ＬＳＩ単体としてのノイズ抑
制が強く要請されている。

【０００３】このような状況下、各製品においてＬＳＩ
はキーデバイスとして位置付けられおり、製品の競争力
確保のために、ＬＳＩの大規模化・高速化が要求されて
いる。製品サイクルが短くなる中で、これらの要求に答
えるためにはＬＳＩ設計の自動化が必須であり、現状の
設計自動化技術導入の条件として同期設計を採用する必
要が高まっている。基準クロックに同期して全回路が動
作し、大規模かつ高速駆動のＬＳＩの場合には、その瞬
時電流は非常に大きくなってしまうことになり、不要輻
射の増大を引起すことになる。

【０００４】本発明は、ＬＳＩの大規模化・高速化を維
持しつつも不要輻射を低減するために不可欠であるＥＭ
Ｉ評価が可能なシミュレーション手法に関するものであ
る。

【０００５】ＬＳＩが他へ被害を与えるノイズを大別す
ると、放射ノイズと伝導ノイズがある。ＬＳＩからの直
接的な放射ノイズとしてＬＳＩの内部配線から放射され
るノイズもあるが、内部配線はアンテナとしては大きく
ない。もちろん、ＬＳＩの動作周波数向上に伴い、ＬＳ
Ｉから直接的に放射されるノイズが将来的に問題となる
とは思われるが、現時点においてはＬＳＩ内部の放射ノ
イズは問題になるレベルではない。

【０００６】これに対して、伝導のノイズは、ＬＳＩ内
のワイヤ、リードフレームやプリント基板上配線など直
接的な接続を通じてプリント基板上の他のデバイスへ影
響を与えるとともに、これらの接続経路を発信源すなわ
ちアンテナとしてノイズを放射する。この接続経路より
なるアンテナはＬＳＩ内部の配線と比べると非常に大き
く、不要輻射を考える上で支配的な要素である。

【０００７】ＬＳＩからの伝導ノイズの経路として、電
源と信号があるが、近傍の電磁界を考える場合、電源の
電流の変化が電源線をアンテナとして輻射されるノイズ
が支配的であると考えられる。また、信号においては信
号の変化時に生じるリンギング・オーバーシュートが問
題となる場合もあるが、ＬＳＩ内部電源レベルの変動が
信号波形として伝導することが問題となる場合が多い。
電源・信号どちらの経路を伝導し放射されるノイズも、
電源電流の変化と強く相関があると考えられる。

【０００８】簡単なインバータ回路を用いてＣＭＯＳ回
路の電源電流を説明する。インバータ回路への入力電圧
が変化する場合に、ＣＭＯＳ回路の主な電源電流である
負荷容量充放電電流が流れる。そして、これに加え貫通
電流が加算して流れることになる。このようなＣＭＯＳ
回路を設計するにあたり、自動設計ツールを用いる上で
の制約により同期化しているが、同期化したことにより
ＬＳＩ全体の回路が同時に動作するため、基準クロック
に同期して電源のピーク電流が発生する。しかも、高速
化、すなわち周期を短縮するためには、短時間に充放電
できるようにトランジスタを大きくするが、その結果と
してピーク電流が増大する。当然、ＬＳＩが大規模化す
ることによってもＬＳＩ全体の電源電流は増大する。こ
のようにして、電源のピーク電流が増大し、電源電流が
急峻な変化をするようになってきているが、この急峻な
変化が高調波成分を増大させてしまい、不要輻射の増大
を招いている。

【０００９】不要輻射の主要因とも言える電源電流の変
化について高精度のシミュレーションを行うことが、Ｌ
ＳＩにおける不要輻射の評価として有効であると考えら
れる。

【００１０】ところで従来は、以下に示すようにトラン
ジスタレベルで電流解析を行う電流シミュレーション手
法が用いられていた。

【００１１】図１１６は、従来のＥＭＩ解析方法の処理
フローを示したブロック図である。この方法では、トラ
ンジスタレベルの電流解析手法を用いた解析対象となる
ＬＳＩのレイアウト情報から、レイアウトパラメータ抽
出（以下、ＬＰＥとする）処理Ｏ３を行い、スイッチレ
ベルネットリストについて回路シミュレーションＯ６、
電流源モデリング処理Ｏ８、電源配線ＬＰＥ処理Ｏ１
０、過渡解析シミュレーションＯ１２、ＦＦＴ処理Ｏ１
４の各ステップを行うように構成されている。

【００１２】以下、各ステップについて図１１６を参照
しながら説明する。

【００１３】ステップＯ３ではＥＭＩ解析対象となる半
導体集積回路のレイアウトデータＯ１と、トランジスタ
素子や各種配線寄生素子（抵抗、容量等）、各素子のパ
ラメータ値、及びそれら抽出結果の出力形式を定義した
ＬＰＥルールＯ２が入力され、そのＬＰＥルールＯ２に
基づきレイアウトデータＯ１における各素子のパラメー
タを算出し、ネットリストＯ４が生成される。尚、本ス
テップでは電源（及びグランド）配線の寄生素子につい
ては、抽出対象にしない。

【００１４】ステップＯ６では前記ステップＯ３より生
成されたネットリストＯ４と解析対象回路において所望
の論理的動作を再現させるためのテストパターンＯ５が
入力され、内部回路の動作状態に応じた負荷容量充放電
電流や貫通電流等を算出し、各トランジスタ毎の電流波
形情報Ｏ７が生成される。尚、本ステップの最初の処理
では電源（及びグランド）電位を変動の無い理想電位と
仮定して処理を行う。

【００１５】ステップＯ８では前記ステップＯ６より生
成されたトランジスタ毎の電流波形情報Ｏ７が入力さ
れ、それぞれを以降のステップＯ１２で適用できる形式
にモデリングし、電流源素子モデル情報Ｏ９が生成され
る。尚、以降のステップＯ１２の処理負荷軽減のために
も、複数個のトランジスタで構成される機能回路ブロッ
ク毎に電流源素子としてモデリングする手法が一般的で
ある。

【００１６】ステップＯ１０は前記ステップＯ３に対し
て、抽出対象がＥＭＩ解析対象となるトランジスタ素子
や各種配線寄生素子から、電源及びグランド配線の寄生
素子（抵抗、デカップリング容量等）に代わる点が異な
るのみであるため説明を省略する。尚、本ステップによ
り電源（及びグランド）配線ネットリストＯ１１が生成
される。

【００１７】ステップＯ１２では前記ステップＯ８より
生成された電流源素子モデル情報Ｏ９と前記ステップＯ
１０より生成された電源（及びグランド）配線ネットリ
ストＯ１１とワイヤやリードフレームのインピーダンス
（抵抗、容量、インダクタンス）Ｏ１６が入力され、Ｓ
ＰＩＣＥに代表される過渡解析シミュレータを使用した
解析により、解析対象回路の電源電圧変動を算出した電
源電圧降下結果Ｏ１６が生成される。

【００１８】この後、前記ステップＯ６の再処理を行
う。その際に、前記ステップＯ６の最初の処理では電源
（及びグランド）電位を変動の無い理想電位と仮定した
のに対して、ここでは前記ステップＯ１２より生成され
た電源電圧降下結果Ｏ１６が入力され、電源電圧変動を
考慮に入れた各トランジスタ毎の電流波形情報Ｏ７が再
度生成される。同様に前記ステップＯ８、Ｏ１２の再処
理が行われる。

【００１９】この前記ステップＯ６、Ｏ８、Ｏ１２のル
ープ処理を複数回繰り返すことで、電源電圧変動をより
高精度に再現させた電流波形結果Ｏ１３が生成される。

【００２０】ステップＯ１４では前記ステップＯ１２よ
り生成された電流波形結果Ｏ１３が入力され、高速フー
リエ変換（以下、ＦＦＴとする）を施すことにより、周
波数スペクトラム解析を行なうことが可能となり、ＥＭ
Ｉ解析結果Ｏ１５を得ることが出来る。

【００２１】この従来例では、ＬＰＥ処理Ｏ３、電源配
線ＬＰＥ処理Ｏ１０及び電流源モデリング処理Ｏ８の合
わせ込みによって検証精度は大きく左右するものの、一
定レベルの解析精度が期待できる。しかし、このような
トランジスタレベルの電流解析にはＳＰＩＣＥに代表さ
れる過渡解析シミュレータを使用するため、解析対象回
路規模に制限があり処理時間も長大となる。半導体集積
回路の大規模化が進んでいる近年、トランジスタレベル
よりも抽象度が高く、高速解析が可能なＥＭＩ解析方法
の確立が望まれている。

【００２２】従来、高速化の可能な電流解析方法とし
て、ゲートレベルの電流解析方法が提案されている。こ
のゲートレベルの電流解析方法は、消費電力の解析など
に用いられている。

【００２３】ゲートレベルの消費電力を見積もるこのゲ
ートレベル消費電力解析方法は、回路素子の出力ポート
の論理信号が０から１に変化あるいは１から０に変化す
る際の１変化当りの総電流量をあらかじめライブラリ化
し、一般の論理シミュレーション手段で消費電力推定対
象の回路中のインスタンスの出力ポートが０から１に変
化、あるいは１から０に変化した際に前述の１変化当り
総電流量を前記回路全体の各時刻の総電流量に加算して
いくことで回路全体の消費電力（総電流量に外部電圧値
を掛けた値）を推定する方法を用いている。図１０９に
従来の一般的な従来のゲートレベルの消費電力解析方法
を実行するための装置の一例についてその構成を示す。
同図に示すゲートレベル消費電力解析装置は、回路接続
情報記憶手段１００１と、信号変化パターン記憶手段１
００２と、素子電流量記憶手段１００３と、総電流量記
憶手段１００４と、総電流量算出手段１００５とからな
る電流量解析装置を用いて実行される。

【００２４】次に、これらの図１０９のゲートレベル電
流解析装置を構成する個々の要素について説明するとと
もに、図１１０に示すゲートレベルの回路接続情報と、
図１１１に示す各端子における信号変化パターンと、図
１１２に示す素子電流量とを用いて図１１３に示す電流
量を算出する手順を説明する。

【００２５】回路接続情報記憶手段１００１は、対象と
なる回路の接続情報である回路接続情報を記憶するもの
であり、あらかじめ図１１０に示すような回路接続情報
を記憶している。この回路接続情報は一般的にはネット
リストと呼ばれるものである。

【００２６】この回路接続情報は、外部入力ポートＤ
と、外部クロック入力ポートＣＬＫと、外部出力ポート
Ｑと、フリップフロップＦＦ１、ＦＦ２と、バッファ素
子ＢＵＦ１と、素子間を接続する配線Ｄ１、Ｑ１とから
構成されている。フリップフロップＦＦ１、ＦＦ２は、
データ入力ピンＤと、クロック入力ピンＣＫと、データ
出力ピンＱとを持ち、クロック入力ピンＣＬＫに入力さ
れるクロック信号変化の立ち上がりエッジでデータ入力
ピンＤの直前の論理値をデータ出力ピンＱに伝播する。

【００２７】バッファ素子ＢＵＦ１は、データ入力ピン
Ａとデータ出力ピンＹとを持ち、データ入力ピンＡの論
理値をデータ出力ピンＹに出力する。

【００２８】以上の各素子は素子内遅延等の遅延を有し
信号伝播を行う際には遅延１ｎｓをもって伝播されるも
のとする。外部入力ポートＤは直接フリップフロップＦ
Ｆ１の入力ピンＤに接続されている。外部クロック入力
ポートＣＬＫは外部からのクロック信号変化を入力する
端子であり、直接フリップフロップＦＦ１とＦＦ２の入
力ピンＣＫに接続されている。外部出力ポートＱは直接
フリップフロップＦＦ２の出力ピンＱに接続され、この
信号値を出力する。配線Ｄ１はバッファＢＵＦ１の出力
ピンＹとフリップフロップＦＦ２の入力ピンＤを接続し
ている。配線Ｑ１はフリップフロップＦＦ１の出力ピン
ＱとバッファＢＵＦ１の入力ピンＡを接続している。

【００２９】信号変化パターン記憶手段１００２は、対
象回路接続情報に印加する信号変化パターンを記憶する
ものであり、図１１１に示すように図１１０の入力ポー
トＣＬＫ、Ｄに入力される信号変化パターンをあらかじ
め記憶している。横軸は信号変化パターンの変化時刻を
示し、信号変化パターンは各時刻に論理０と論理１のい
ずれかに変化する。

【００３０】素子電流量記憶手段１００３は、各素子の
外部端子が１度変化した際に流れる総電流量の情報であ
る素子電流量情報を記憶するものであり、あらかじめ図
１１２に示すような素子電流量情報を記憶している。１
３０１はフリップフロップＦＦのクロック入力端子ＣＫ
の信号が変化する時の電流量をあらわしている。１３０
２はフリップフロップＦＦの出力端子Ｑの信号が変化す
る時の電流量をあらわしている。１３０３はバッファＢ
ＵＦの出力端子Ｙの信号が変化した時の電流量をあらわ
している。

【００３１】総電流量算出手段１００５は、図１１４に
示すようなフローチャートを有する。

【００３２】まず、ステップ１５０１で回路接続情報記
憶手段１００１に記憶された図１１０の回路接続情報を
読み込む。そして、ステップ１５０２で信号変化パター
ン記憶手段１００２に記憶された図１１１の信号変化パ
ターンを読み込む。ステップ１５０３で素子電流量記憶
手段１００３に記憶された図１１２の素子電流量情報を
読み込む。

【００３３】次にステップ１５０４で図１１１の信号変
化パターンを図１１０の回路接続情報に与え、信号伝播
を行うとともに、素子電流量情報内に記載された回路素
子の外部端子が信号変化を起こした際に、端子に対応す
る電流量を各時刻における総電流量情報に加算する。こ
こで用いる信号伝播方法としては、タイミングシミュレ
ータで用いられる信号伝播方法と同一の手法を用いる。
これは与えた信号変化パターンに応じて現実の回路内部
で発生する信号変化を与えたパターンが影響する回路部
分を追いながら時系列で計算し求めていく方法である。
このタイミングシミュレータによる信号伝播手法は、既
に市販ツールの中で多数実現化され一般的であるため、
詳細な説明は割愛する。信号変化パターンの各ステップ
の信号伝播の結果、各ピンの論理値の変化を図１１２に
示す。

【００３４】図１１２では、図１１１の信号変化パター
ンの形式と同様の形式で示されている。信号伝播完了
後、ステップ１５０５で、算出された図１１３に示す各
時刻における総電流量情報を総電流量記憶手段１００４
に記憶する。総電流量記憶手段１００４は、以上の手順
で検出された各時刻における総電流量情報を図１１３に
示す形式で記憶する。

【００３５】なお、より詳細に計算する場合には、素子
電流量記憶部に出力負荷容量に依存する（チャージ電流
に依存する）電流の負荷依存係数と依存しない（貫通電
流に依存する）電流の総量を記憶し、別途各配線の容量
情報を読み込み、その容量情報と負荷依存係数の積と負
荷非依存電流の和を電流総量として扱う方法がある。以
上説明したように、図１１０の従来のゲートレベル消費
電力算出方法では、電流量は１回の入力ピンまたは出力
ピンの信号変化を単位として扱われ電流は一瞬で流れる
ものとして扱われていた。すなわち、電流の総量のみを
求めるものであった。これは消費電力という観点で見れ
ば十分な精度であるが、ＥＭＩ解析の観点では時間的な
電流の変化の情報が必要となるため不十分であった。

【００３６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、トラン
ジスタレベルの電流解析手法を用いた従来例では、一定
レベルの解析精度が期待できるものの、トランジスタレ
ベルの電流解析にはＳＰＩＣＥに代表される過渡解析シ
ミュレータを使用するため、解析対象回路規模に制限が
あり処理時間も長大となる。半導体集積回路の大規模化
が進んでいる近年、トランジスタレベルよりも抽象度が
高く、高速解析が可能であるゲートレベルの電流解析手
法を利用したＥＭＩ解析方法の確立が望まれる。

【００３７】一方、ゲートレベルの電流解析手法を用い
た従来例では、高速解析は可能であるが、電流の総量の
みを求めるものである。従って、消費電力という観点で
は十分であっても、ＥＭＩ解析の観点では不十分である
という問題があった。

【００３８】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、高速解析しつつも、電源電流を高精度に解析するこ
とで、シミュレーション上においてＬＳＩの不要輻射を
現実的な時間で評価できる方法を提供することを目的と
するものである。

【００３９】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明のＥＭＩ解析手法は、高速なゲートレベルシ
ミュレーションに対して、電源電流変化の高精度な解析
機能を付加したことを特徴とする。

【００４０】本発明の第１によれば、論理シミュレーシ
ョンの実行によってＬＳＩの不要輻射量を解析する方法
において、信号変化の発生時に生成され、発生対象であ
る各セルのインスタンス名、その信号名、発生時刻、遷
移情報を含む各イベント情報から瞬間的な電流量を算出
する工程と、前記瞬間的な電流量をあらかじめ決定され
た規則に従ってモデル化する工程と、前記モデル化する
工程によって算出された電流変化情報を高速フーリエ変
換（以下、ＦＦＴとする）処理する工程とを有すること
を特徴とする。ここで瞬間的な電流量とは、イベントが
発生したときに、そのイベントに起因して発生する電流
量のことをいい、イベントとしてセルの出力が変化した
際などに、セルに流れる電流量をそのイベントの発生し
た時刻に瞬時に消費されるものとして扱ったものを瞬間
的な電流量とする。

【００４１】本発明の第2によれば、請求項1に記載の不
要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、前
記瞬間的な電流量を一定離散幅にて平均化する工程を有
し、前記ＦＦＴ処理する工程は、前記一定離散幅にて平
均化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ
処理する工程であることを特徴とする。

【００４２】本発明の第3によれば、請求項1に記載の不
要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、前
記瞬間的な電流量を矩形波の面積が各イベントの電流量
になるように各イベント情報毎に矩形波の高さを算出し
た一定幅の矩形波状にモデル化する工程を有し、前記Ｆ
ＦＴ処理する工程は、前記矩形波状にモデル化する工程
によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程
であることを特徴とする。

【００４３】本発明の第４によれば、請求項1に記載の
不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、
前記瞬間的な電流量を矩形波の面積が各イベントの電流
量になるように矩形波の幅と高さを算出した相似型の矩
形波状にモデル化する工程を有し、前記ＦＦＴ処理する
工程は、前記矩形波状にモデル化する工程によって算出
された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを
特徴とする。

【００４４】本発明の第５によれば、請求項1に記載の
不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、
各イベント情報毎の前記瞬間的な電流量算出する工程
と、前記電流量と矩形波の幅と高さの関係を示すテーブ
ルを用いて矩形波状にモデル化する工程とを有し、前記
矩形波状にモデル化する工程によって算出された電流変
化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする。

【００４５】本発明の第６によれば、請求項1に記載の
不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、
各イベント情報毎の前記瞬間的な電流量を算出する工程
と、前記入力波形鈍りと矩形波の幅と高さの関係を示す
テーブルを用いて矩形波状にモデル化する工程とを有
し、前記矩形波状にモデル化する工程によって算出され
た電流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴
とする。

【００４６】本発明の第７によれば、請求項1に記載の
不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程は、
各イベント情報毎の前記瞬間的な電流量を算出する工程
と、前記出力負荷容量と矩形波の幅と高さの関係を示す
テーブルを用いて矩形波状にモデル化する工程を有し、
前記矩形波状にモデル化する工程によって算出された電
流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とす
る。

【００４７】本発明の第８によれば、請求項1乃至7のい
ずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記モデル
化する工程がさらに各セルの電流量と電源抵抗成分から
電圧降下成分を算出し、グローバルな電圧降下成分と瞬
間電流量の関係から、各セルのイベントごとの瞬間的な
電流量を補正する工程を含むことを特徴とする。

【００４８】本発明の第９によれば、請求項1乃至7のい
ずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記モデル
化する工程は、さらに各セルの電流量と電源抵抗成分と
オンチップバイパスコンデンサ成分から電圧降下成分を
算出し、グローバルな電圧降下成分と瞬間電流量の関係
から、各セルのイベントごとの瞬間的な電流量を補正す
る工程を含むことを特徴とする。

【００４９】本発明の第１０によれば、請求項1乃至7の
いずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記モデ
ル化する工程は、さらに各セルの電源ＲＣとセル電流源
を過渡解析し、正確に電圧降下成分を算出し、グローバ
ルな電圧降下成分と瞬間電流量の関係から、各セルのイ
ベントごとの瞬間的な電流量を補正する工程を含むこと
を特徴とする本発明の第１１によれば、請求項1に記載
の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程
は、前記瞬間的な電流量を三角波の面積が各イベントの
電流量になるように各イベント情報毎に高さを算出した
一定幅の三角波状にモデル化する工程を有し、前記ＦＦ
Ｔ処理する工程は、前記三角波状にモデル化する工程に
よって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程で
あることを特徴とする。

【００５０】本発明の第１２によれば、請求項1に記載
の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程
は、前記瞬間的な電流量を複数次の関数状にモデル化す
る工程を有し、前記ＦＦＴ処理する工程は、前記複数次
の関数状にモデル化する工程によって算出された電流変
化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする。

【００５１】本発明の第１３によれば、請求項1に記載
の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程
は、前記瞬間的な電流量を指数関数状にモデル化する工
程を有し、前記ＦＦＴ処理する工程は、前記指数関数状
にモデル化する工程によって算出された電流変化情報を
ＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする。

【００５２】本発明の第１４によれば、請求項1乃至13
のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前記モ
デル化する工程はさらに、瞬間的な電流量を貫通電流成
分とチャージ電流成分に分けて別々にモデリングする工
程を含むことを特徴とする。

【００５３】本発明の第１５によれば、請求項1に記載
の不要輻射解析方法において、前記モデル化する工程
は、各セルの種類ごとにそのセルのピーク電流値をキャ
ラクタライズしたライブラリを用て矩形波の高さを算出
する工程と、前記瞬間的な電流量を前記矩形波の高さを
算出する工程から算出したピーク電流値とし、面積が各
イベントの電流量になるように矩形波状にモデル化する
工程とを有し、前記ＦＦＴ処理する工程は、前記矩形波
状にモデル化する工程によって算出された電流変化情報
をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする。

【００５４】本発明の第１６によれば、請求項1５に記
載の不要輻射解析方法において、前記矩形波の高さを算
出する工程は、入力波形鈍りとピーク電流の関係を各セ
ルの種類ごとにテーブル化し、キャラクタライズしたラ
イブラリを用いて各セルごとにそのセルの波形鈍り情報
からピーク電流値を算出する工程を含むことを特徴とす
る。

【００５５】本発明の第１７によれば、請求項1５に記
載の不要輻射解析方法において、前記矩形波の高さを算
出する工程は、負荷容量とピーク電流の関係を各セルの
種類ごとにテーブル化し、キャラクタライズしたライブ
ラリを用いて各セルごとにそのセルの負荷容量情報から
ピーク電流値を算出する工程を含むことを特徴とする。

【００５６】本発明の第１８によれば、請求項1５乃至
１７のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前
記矩形波の高さを算出する工程は、複合セルについては
ピーク電流値を複数もたせ、キャラクタライズしたライ
ブラリを用いて複数の矩形波の高さを算出する工程を含
み、矩形波状にモデル化する工程は複数の矩形波にモデ
ル化する工程であることを特徴とする。

【００５７】本発明の第１９によれば、請求項１５乃至
１７のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前
記矩形波の高さを算出する工程は、ＦＦセルのライズ／
フォールそれぞれにピーク電流値をもたせ、キャラクタ
ライズしたライブラリを用いて複数の矩形波の高さを算
出する工程を含み、矩形波状にモデル化する工程は複数
の矩形波にモデル化する工程であることを特徴とする。

【００５８】本発明の第２０によれば、請求項１５乃至
１９のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前
記矩形波の高さを算出する工程が、各セルの状態毎に入
力信号状態を考慮し、ピーク電流値をキャラクタライズ
したライブラリを用いて矩形波の高さを算出する工程を
含むことを特徴とする。

【００５９】本発明の第２１によれば、請求項１５乃至
２０のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前
記モデル化する工程はさらに、各セルの電流量と電源抵
抗成分から電圧降下成分を算出し、各セル毎に電圧降下
成分と瞬間電流量の関係をテーブル化し、キャラクタラ
イズすることにより、各セルのイベントごとの瞬間的な
電流量を補正する工程を含むことを特徴とする。

【００６０】本発明の第２２によれば、請求項１５乃至
２０のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前
記モデル化する工程は、各セルの電流量と電源抵抗成分
とオンチップバイパスコンデンサ成分から電圧降下成分
を算出し、各セル毎に電圧降下成分と瞬間電流量の関係
をテーブル化し、キャラクタライズすることにより、各
セルのイベントごとの瞬間的な電流量を補正する工程を
含むことを特徴とする。

【００６１】本発明の第２３によれば、請求項８乃至１
０、２１、２２のいずれかに記載の不要輻射解析方法に
おいて、前記補正する工程は、電圧降下成分の算出及び
電流波形の補正処理を複数回繰り返し実施しする工程を
含むことを特徴とする。

【００６２】本発明の第２４によれば、請求項１５乃至
２３のいずれかに記載の不要輻射解析方法において、前
記瞬間的な電流量を算出する工程において、さらに瞬間
的な電流量を貫通電流成分とチャージ電流成分に分けて
別々にモデリングする工程を含むことを特徴とする。本
発明の第２５によれば、請求項１に記載の不要輻射解析
方法において、前記モデル化する工程は、前記瞬間的な
電流量を三角波の面積が各イベントの電流量になるよう
に、各イベント情報毎にセルの出力端子におけるスリュ
ー情報を考慮して幅を算出するとともに、この幅に基づ
いて高さを算出した三角波状にモデル化する工程を有
し、前記ＦＦＴ処理する工程は、前記三角波状にモデル
化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処
理する工程であることを特徴とする。本発明の第２６に
よれば、請求項２５に記載の不要輻射解析方法におい
て、前記モデル化する工程は、さらに前記瞬間的な電流
量を当該セルのイベントが立ち上がりもしくは立ち下り
（ライズ／フォール）状態であるかを考慮して、それぞ
れの状態に応じた係数を乗じて算出し、三角波の面積が
各イベントの電流量になるように、前記三角波の高さを
算出する工程を含むことを特徴とする。本発明の第２７
によれば、請求項1に記載の不要輻射解析方法におい
て、前記モデル化する工程は、複合セルについては各イ
ベント情報毎の前記瞬間的な電流量を算出する工程と、
前記出力負荷容量と入力および出力スリュー情報に基づ
いて三角波の幅と高さの関係を示すテーブルを用いて、
複合セル内部の段数分に等しい複数個の三角形波状にモ
デル化する工程を有し、前記三角波状にモデル化する工
程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工
程であることを特徴とする。本発明の第２８の不要輻射
解析装置によれば、論理シミュレーション装置と、前記
論理シミュレーション装置に接続され、信号変化の発生
時に生成され、発生対象である各セルのインスタンス
名、その信号名、発生時刻、遷移情報を含む各イベント
情報から瞬間的な電流量を算出する算出手段と、前記瞬
間的な電流量をあらかじめ決定された規則に従ってモデ
ル化するモデル化手段と、前記モデル化する工程によっ
て算出された電流変化情報を高速フーリエ変換処理手段
とを有し、前記ＦＦＴ処理手段の出力に基づいて、ＬＳ
Ｉの不要輻射量を解析するようにしたことを特徴とす
る。

【００６３】

【発明の実施の形態】（実施形態１）以下に本発明の第
１の実施形態について説明する。この方法は、電流波形
算出処理に特徴を有するもので、論理シミュレータから
各セル毎にイベント情報を抽出し、これらのイベント情
報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間電
流を一定の時間幅で平均化することにより、より現実に
近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果を高速フ
ーリエ変換（ＦＦＴ）することにより、対象回路の不要
輻射（ＥＭＩ）成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する
ようにしたことを特徴とするものである。

【００６４】図１は本実施形態の全体フローを説明する
ブロック図である。ＥＭＩ解析対象となる回路の回路デ
ータを表したネットリスト１、ネットリスト１を動作さ
せるためのテストベクタ２、ネットリスト１構成する各
セルの情報が記述されているライブラリ３からの情報に
基づいてシミュレーションを行う論理シミュレータ４
と、この論理シミュレータで算出された各セル毎のイベ
ント情報５から電流波形を算出する電流波形算出処理部
７と、この電流波形算出処理部７で算出された電流波形
算出結果８に基づいてＦＦＴ処理部９でＦＦＴ処理を行
い、ＥＭＩ成分を算出することにより、解析対象回路の
ＥＭＩ解析結果１０を得るようにしたもので、この電流
波形算出処理部７に特徴を有するものである。ここでラ
イブラリ３には各セルの種類毎にそのセルの論理、遅延
情報、瞬間電流値情報が記述されている。論理シミュレ
ータ４は何らかのイベントが発生する度にイベント情報
５を出力する。ここで言うイベントとは、論理シミュレ
ータ４内で何らかの信号変化が発生したことを指す。イ
ベント情報５にはそのイベント情報を出力する原因とな
った処理対象のインスタンス名とその信号名、その時
刻、信号の遷移情報が含まれている。インスタンス名と
はネットリスト１を構成する各セル毎に付けられている
固有名である。６は論理シミュレータ４から出力される
シミュレーション結果である。

【００６５】この電流波形算出処理部７は、図２に詳細
なブロック図を示すように、瞬間電流算出処理部１１
と、この瞬間電流算出処理部１１で得られた処理対象と
なるインスタンスの瞬間電流情報から瞬間電流を算出
し、この瞬間電流算出結果１２に基づいて電流波形を一
定時間幅で平均化するように構成されている。この瞬間
電流算出処理部１１は、論理シミュレータ４からの各セ
ルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算
出するもので、技術的には従来の論理シミュレーション
における消費電力算出の技術と同様である。すなわち、
瞬間電流算出処理部１１は論理シミュレータ４からのイ
ベント情報５を受け、その処理対象となるインスタンス
の瞬間電流情報をライブラリ３から抽出し、瞬間電流を
算出する。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した
瞬間電流算出結果である。図３は瞬間電流算出結果１２
の例を示すイメージ図である。この図において、縦軸は
電流量ｉｔ（As），横軸は時刻ｔである。Ｔは一定時間
幅で平均化するための時間幅であり、前もって決定され
た定数である。Δｔは解析における最小時間単位であ
り、論理シミュレータ４の最小時間単位とは異なる。ｔ
は現在処理時刻であり、論理シミュレータ４のシミュレ
ーション時刻と一致する。ｉｔは瞬間電流値を表す。こ
の図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数に
なるため、ＦＦＴ処理によりＥＭＩ成分を解析すること
ができない。そこで電流波形平均化処理部１３において
瞬間電流算出結果１２を一定時間幅で平均化するように
したものである。

【００６６】図４に電流波形平均化処理の処理フロー図
を示す。以下の処理は平均化処理が終了するまで、すな
わちtがシミュレーションの終了時刻を超えるまで繰り
返す（ステップ：１０１０）。まず平均化処理用の電流
バッファであるＩｂを０にする（１０１１）。次に現在
時刻ｔがｔ＋ＴになるまでＩｂにｉ（ｔ）を加える（１
０１２）（１０１３）。ｉ（ｔ）とは時刻ｔにおける瞬
間電流値を示す。次にＩｂ／Ｔにより時間幅Ｔにおける
平均電流値Ｉ_aveを算出する（１０１４）。次に変数ｘ
がｔ−ＴからｔになるまでＩ（ｘ）にＩ_aveを代入し、
ｘにΔｔ加える（１０１５）（１０１６）。Ｉ（ｘ）と
は時刻ｘにおける電流値を示す。

【００６７】上記電流波形平均化処理の処理フローによ
り電流波形算出結果８を得ることができる。図５に図３
の瞬間電流算出結果におけるＴ＝５の時の電流波形算出
結果８を示す。この波形をＦＦＴ処理部９においてＦＦ
Ｔ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特性を得るこ
とができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事ができる。ＥＭ
Ｉ解析結果１０のサンプルを図６に示す。この結果によ
り、対象回路のＥＭＩの周波数特性を得ることができ、
設計者はそのＥＭＩの対処方法を検討することができ
る。

【００６８】この方法によれば、電流波形を平均化処理
によりモデル化し、これにＦＦＴ処理を行うようにして
いるため、高精度の解析が可能であり、またトランジス
タレベルでの解析に比べ、短時間で処理を行うことがで
きる。

【００６９】（実施形態２）次に本発明の第２の実施形
態について説明する。この方法では、論理シミュレータ
４からの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な
変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流を瞬間電流値
が面積となるように波高値を算出した一定の時間幅の矩
形波にモデル化することにより、より現実に近い電流変
化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることに
より、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ
解析する。

【００７０】図７に本実施の形態における瞬間電流値と
モデル化した矩形波を示す。ｉは瞬間電流値であり、ｔ
は現在処理時刻である。Ｗはモデル化する矩形波の時間
幅である。この値は前もって決定された定数である。ｈ
は矩形波の高さであり、ｉとＷから算出する。

【００７１】本実施形態の全体フローのブロック図は実
施形態１と同様である。（図１） 図８に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳細
なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４からの
各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化
を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シミ
ュレーションにおける消費電力算出の技術と同様であ
る。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電
流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を
示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形が
δ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析する
ことができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出
処理と同じである。そしてモデル化に際し、この方法で
はモデル化する矩形波の面積が瞬間電流値になるように
矩形波の高さを算出する第１の矩形波高算出処理部２０
と、瞬間電流算出結果１２を一定時間幅の矩形波にモデ
ル化する第１の矩形波整形処理部２１とによって電流波
形を算出するように構成されている。

【００７２】図９に矩形波高算出処理を含めた矩形波整
形処理フローを示す。以下の処理は電流波形算出処理が
終了するまで各イベント毎に繰り返す（ステップ：１０
２０）。矩形波の面積はＷ×ｈであり、その値はｉであ
る。そこでｉ／Ｗにより矩形波の高さｈを算出する（１
０２１）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電
流値である。この処理が第１の矩形波高算出処理部２０
に相当する。次に変数ｘが−Ｗ／２からＷ／２までＩ
（ｔ＋ｘ）にｈを加算し、ｘにΔｔ加える（１０２２）
（１０２３）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全て
のセルの電流値である。この処理が第１の矩形波整形処
理部２１に相当する。

【００７３】上記、矩形波高算出処理と矩形波整形処理
フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。
図１０に図３の瞬間電流算出結果におけるＷ＝５の時の
電流波形算出結果８の例を示す。この波形をＦＦＴ処理
部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特
性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事がで
きる。

【００７４】この方法によれば、電流波形を矩形波処理
によりモデル化し、これにＦＦＴ処理を行うようにして
いるため、より高精度の解析が可能であり、またトラン
ジスタレベルでの解析に比べ、短時間で処理を行うこと
ができる。

【００７５】（実施形態３）次に本発明の第３の実施形
態について説明する。この方法では、論理シミュレータ
からの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化
電流を算出し、その瞬間的な変化電流を瞬間電流値が面
積となるように時間幅と波高値の比を一定とした矩形波
にモデル化することにより、現実に近い電流変化を算出
し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対
象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する
方法を説明する。

【００７６】図１１に本実施の形態における瞬間電流値
とモデル化した矩形波を示す。ｉは瞬間電流値であり、
ｔは現在処理時刻である。Ｋは矩形波の波高値と時間幅
の比であり、今回の例では波高値／時間幅とする。この
比は一定であり、この値は前もって適当な値を決定して
おく。ｈは矩形波の高さであり、ｉとＫの値から算出す
る。ｗは矩形波の時間幅であり、ｉと先に算出したｈを
用いて算出する。

【００７７】本実施形態の全体フローのブロック図は実
施形態１と同様である。（図１） 図１２に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳
細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４から
の各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変
化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シ
ミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様であ
る。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電
流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を
示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形が
δ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析する
ことができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出
処理と同じである。

【００７８】３０はモデル化する矩形波の波高値と時間
幅の比が一定であり、矩形波の面積が瞬間電流値になる
ように矩形波の高さを算出する第２の矩形波高算出処理
部である。３１は矩形波の波高値と時間幅の比が一定で
あり、矩形波の面積が瞬間電流値になるように矩形波の
時間幅を算出する第２の矩形波幅算出処理部である。３
２は瞬間電流算出結果１２を波高値と時間幅の比が一定
である矩形波にモデル化する第２の矩形波整形処理部で
ある。

【００７９】図１３に第２の矩形波高算出処理及び第２
の矩形波幅算出処理を含めた第２の矩形波整形処フロー
を示す。以下の処理は電流波形算出処理が終了するまで
各イベント毎に繰り返す（１０３０）。ｉは矩形波の面
積の関係とＫ＝ｈ／ｗの関係から矩形波の波高は次式１

【数１】 で表される。この式を用いて矩形波の高さｈを算出する
（１０３１）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬
間電流値である。Ｋは矩形波の波高値と時間幅の比であ
り、前もって決定しておいた定数である。この処理が第
２の矩形波高算出処理部３０に相当する。次に矩形波の
面積はｗ×ｈであるので、ｗ＝ｉ／ｈの関係から矩形波
の時間幅ｗを算出する（３２）。ｉは処理対象イベント
のセルに関する瞬間電流値であり、ｈは処理（１０３
１）によって算出した矩形波の高さである。この処理が
第２の矩形波幅算出処理部３１に相当する。次に変数ｘ
が−Ｗ／２からＷ／２に変化するまでＩ（ｔ＋ｘ）にｈ
を加算し、ｘにΔｔ加える（１０３３）（１０３４）。
Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値
である。この処理が第２の矩形波整形処理部３２に相当
する。

【００８０】上記、矩形波高算出処理、矩形波幅算出処
理と矩形波整形処理フローにより電流波形算出結果８を
得ることができる。図１４に図３の瞬間電流算出結果に
おける電流波形算出結果８の例を示す。この波形をＦＦ
Ｔ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周
波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る
事ができる。

【００８１】この方法によれば、電流波形を時間幅と波
高値の比を一定とした矩形波処理によりモデル化し、こ
れにＦＦＴ処理を行うようにしているため、より高精度
の解析が可能である。特に電流量が大きいＬＳＩでは、
電流の流れる時間も大であるため、この方法によれば、
より現実に近いモデルを得ることができるため、より高
精度の処理が可能となる。またトランジスタレベルでの
解析に比べ、短時間で処理を行うことができる。 （実施形態４）次に本発明の第４の実施形態について説
明する。この方法では論理シミュレータからの各セルの
イベント情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、
その瞬間的な電流を、瞬間電流値と矩形波の高さの関係
を示すグローバルなテーブルを用いて瞬間電流値が面積
である矩形波にモデル化することにより、現実に近い電
流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴするこ
とにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、Ｅ
ＭＩ解析する方法を説明する。ここではグローバルなテ
ーブルとはセルの種類に関係なく一般的に作成したテー
ブルを意味する。

【００８２】図１５に本実施の形態における瞬間電流値
とモデル化した矩形波を示す。ｉは瞬間電流値であり、
ｔは現在処理時刻である。ｈはモデル化する矩形波の高
さであり、グローバルな瞬間電流値と矩形波の高さの関
係を示したテーブルを用いて算出する。ｗは矩形波の時
間幅であり、ｉと先に算出したｈを用いて算出する。

【００８３】図１６にグローバルな瞬間電流値と矩形波
の高さの関係を示したｉ−ｈテーブルの例とそのテーブ
ルをグラフ化した図を示す。このテーブルはあるｉのポ
イントにおけるｈの値を示した物で、このテーブルの場
合、ｉ＝０の時、ｈ＝０、ｉ＝５０の時、ｈ＝５、ｉ＝
１００の時、ｈ＝２０という意味である。実際にはｉの
値は連続的に変化するため、このテーブルはテーブル内
の各ポイントを結んだグラフで表される。あるｉの値に
おけるｈの値（ｈ（ｉ））はｉ−ｈテーブル内のｉに一
番近い小さい値（ｉ１，ｈ１）と大きい値（ｉ２，ｈ
２）の２ポイントを用いて次式２

【数２】 で表される。

【００８４】本実施形態の全体フローのブロック図は実
施形態１と同様である。（図１） 図１７に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳
細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４から
の各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変
化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シ
ミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様であ
る。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電
流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を
示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形が
δ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析する
ことができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出
処理と同じである。

【００８５】本実施形態では、ｉ−ｈテーブル４０に、
上記で説明したグローバルな瞬間電流値と矩形波の高さ
の関係がテーブル化されており（図１６）、第３の矩形
波高算出処理部４１では、瞬間電流値とｉ−ｈテーブル
４０からモデル化する矩形波の波高値を算出する。そし
て第３の矩形波幅算出処理部４２では、矩形波の面積が
瞬間電流値になるように第３の矩形波高算出処理部４１
から算出された矩形波の波高値と瞬間電流値を用いて矩
形波の矩形波幅を算出する。そして第３の矩形波整形処
理部４３で、瞬間電流算出結果１２を高さが第３の矩形
波高算出処理部４１から算出された矩形波の波高値であ
り、幅が第３の矩形波幅算出処理部４２から算出された
矩形波幅である矩形波にモデル化する。

【００８６】図１８に矩形波高算出処理及び矩形波幅算
出処理を含めた第３の矩形波整形処理のフローを示す。
まずｉ−ｈテーブル４０を読み込む（１０４０）。次か
らの処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント
毎に繰り返す（１０４１）。まず、ｉ−ｈテーブル４０
内からｉに一番近い小さい値と大きい値の２点（ｉ１，
ｈ１）、（ｉ２，ｈ２）を抽出する。ｉは処理対象イベ
ントのセルに関する瞬間電流値である。図１６のテーブ
ルではｉ＝７０の場合、（ｉ１，ｈ１）＝（５０，
５）、（ｉ２，ｈ２）＝（１００，２０）がその値であ
る（１０４２）。

【００８７】次に前述の式２により矩形波の高さｈを算
出する（１０４３）。図１６のテーブルではｉ＝７０の
場合、ｈ（７０）＝１１となる。これらの処理（１０４
２）（１０４３）が第３の矩形波高算出処理部４１に相
当する。次に矩形波の面積はｗ×ｈであるので、ｗ＝ｉ
／ｈの関係から矩形波の時間幅ｗを算出する（１０４
４）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値
であり、ｈは第３の矩形波高算出処理部４１によって算
出した矩形波の高さである。図１６のテーブルではｉ＝
７０の場合、ｗ＝６．３である。この処理が第３の矩形
波幅算出処理部４２に相当する。次に変数ｘが−Ｗ／２
からＷ／２に変化するまでＩ（ｔ＋ｘ）にｈを加算し、
ｘにΔｔ加える（１０４５）（１０４６）。Ｉ（ｔ＋
ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値である。
この処理が第３の矩形波整形処理部４３に相当する。

【００８８】上記、矩形波高算出処理、矩形波幅算出処
理と矩形波整形処理フローにより電流波形算出結果８を
得ることができる。図１９に４０ｉ−ｈテーブルが図１
６のテーブルであり、瞬間電流値が７０であった場合の
電流波形算出結果８の例を示す。この波形をＦＦＴ処理
部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特
性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事がで
きる。

【００８９】（実施形態５）次に本発明の第５の実施形
態について説明する。この方法では、論理シミュレータ
からの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化
電流を算出し、その瞬間的な変化電流をグローバルな入
力波形鈍りと瞬間電流値と矩形波の高さの関係を示すテ
ーブルを用いて瞬間電流値が面積である矩形波にモデル
化することにより、現実に近い入力波形鈍りを考慮した
電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴする
ことにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、
ＥＭＩ解析する方法を説明する。

【００９０】本実施の形態における瞬間電流値とモデル
化した矩形波の関係は実施形態４の矩形波モデル（図１
５）と同じであるが、ｗ，ｈの算出に入力波形鈍りの影
響を考慮している点が異なる。図２０にグローバルな瞬
間電流値と入力波形鈍りと矩形波の高さの関係を示した
ｉ−ｓ−ｈテーブルの例とそのテーブルをグラフ化した
図を示す。このテーブルはあるｉとｓのポイントにおけ
るｈの値を示した物である。ｓは入力波形鈍り（Ｓｌｅ
ｗ）を意味する。このテーブルの場合、ｉ＝０，ｓ＝０
の時、ｈ＝０、ｉ＝５０，ｓ＝０の時、ｈ＝５、ｉ＝１
００，ｓ＝０の時、ｈ＝１４、ｉ＝０，ｓ＝２の時、ｈ
＝０、ｉ＝５０，ｓ＝２の時、ｈ＝６、ｉ＝１００，ｓ
＝２の時、ｈ＝２０、という意味である。実際にはｉ，
ｓの値は連続的に変化するため、このテーブルはテーブ
ル内の各ポイントを結んだ３次元のグラフで表される。
あるｓ，ｉの値におけるｈの値（ｈ（ｓ，ｉ））はｉ−
ｓ−ｈテーブル内のｉに一番近い小さい値（ｉ１）と大
きい値（ｉ２）、ｓに一番近い小さい値（ｓ１）と大き
い値（ｓ２）の組み合わせであるｈ（ｓ１，ｉ１），ｈ
（ｓ１，ｉ２），ｈ（ｓ２，ｉ１），ｈ（ｓ２，ｉ２）
の４ポイントの値を用いて前述の式３

【数３】 で表される。

【００９１】本実施形態の全体フローのブロック図は実
施形態１と同様である。（図１） 図２１に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳
細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４から
の各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変
化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シ
ミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様であ
る。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電
流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を
示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形が
δ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析する
ことができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出
処理と同じである。

【００９２】ｉ−ｓ−ｈテーブル５０が用いられている
が、これは上記で説明したグローバルな瞬間電流値と入
力波形鈍りと矩形波の高さの関係を示したテーブルであ
る（図２０）。そして第４の矩形波高算出処理部５２に
おいて、ネットリスト１内の各インスタンス毎の入力波
形鈍り情報を記述したＳｌｅｗデータ５１から読み出さ
れた処理対象インスタンスの瞬間電流値および入力波形
鈍りと、ｉ−ｓ−ｈテーブル５０とからモデル化する矩
形波の波高値が算出される。５３は矩形波の面積が瞬間
電流値になるように第４の矩形波高算出処理部５２から
算出された矩形波の波高値と瞬間電流値を用いて矩形波
の矩形波幅を算出する第４の矩形波幅算出処理部であ
る。５４は瞬間電流算出結果１２を高さが第４の矩形波
高算出処理部５２から算出された矩形波の波高値であ
り、幅が第４の矩形波幅算出処理部５３から算出された
矩形波幅である矩形波にモデル化する第４の矩形波整形
処理部である。

【００９３】図２２に矩形波高算出処理及び矩形波幅算
出処理を含めた第４の矩形波整形処理のフローを示す。
まずｉ−ｓ−ｈテーブル５０を読み込む（１０５０）。
次にＳｌｅｗデータ５１を読み込む（１０５１）。次か
らの処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント
毎に繰り返す（１０５２）。まず、ｉ−ｓ−ｈテーブル
５０内からｉに一番近い小さい値と大きい値とｓに一番
近い小さい値と大きい値の組み合わせである４点ｈ（ｓ
１，ｉ１），ｈ（ｓ１，ｉ２），ｈ（ｓ２，ｉ１），ｈ
（ｓ２，ｉ２）を抽出する。ｉは処理対象イベントのセ
ルに関する瞬間電流値である。ｓは処理対象イベントの
セルに関する入力波形鈍りであり、処理対象インスタン
ス名とＳｌｅｗデータ５１から抽出する。

【００９４】図２０のテーブルではｉ＝７０，ｓ＝１の
場合、ｈ（０，５０）＝５，ｈ（０，１００）＝１４，
ｈ（２，５０）＝６，ｈ（２，１００）＝２０がその値
である（１０５３）。次に前述の式３により矩形波の高
さｈを算出する（１０５４）。図２０のテーブルではｉ
＝７０，ｓ＝１の場合、ｈ（１，７０）＝１０．１とな
る。これらの処理（１０５３）（１０５４）が第４の矩
形波高算出処理部５２に相当する。

【００９５】次に矩形波の面積はｗ×ｈであるので、ｗ
＝ｉ／ｈの関係から矩形波の時間幅ｗを算出する（１０
５５）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流
値であり、ｈは第４の矩形波高算出処理部５２によって
算出した矩形波の高さである。

【００９６】図２０のテーブルではｉ＝７０，ｓ＝１の
場合、ｗ＝６．９である。この処理が第４の矩形波幅算
出処理部５３に相当する。次に変数ｘが−Ｗ／２からＷ
／２に変化するまでＩ（ｔ＋ｘ）にｈを加算し、ｘにΔ
ｔ加える（１０５６）（１０５７）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時
刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値である。この処理
が第４の矩形波整形処理部５４に相当する。

【００９７】上記、矩形波高算出処理、矩形波幅算出処
理と矩形波整形処理フローにより電流波形算出結果８を
得ることができる。図２３にｉ−ｓ−ｈテーブル５０が
図２０のテーブルであり、瞬間電流値が７０、入力波形
鈍りが１であった場合の電流波形算出結果８の例を示
す。この波形をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することに
よりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ
解析結果１０を得る事ができる。

【００９８】（実施形態６）次に本発明の第６の実施形
態について説明する。この方法では、論理シミュレータ
からの各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化
電流を算出し、その瞬間的な変化電流をグローバルな出
力負荷容量と瞬間電流値と矩形波の高さの関係を示すテ
ーブルを用いて瞬間電流値が面積である矩形波にモデル
化することにより、現実に近い出力負荷容量を考慮した
電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴする
ことにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、
ＥＭＩ解析する方法を説明する。

【００９９】本実施の形態における瞬間電流値とモデル
化した矩形波の関係は実施形態４の矩形波モデル（図１
５）と同じであるが、ｗ，ｈの算出に出力負荷容量の影
響を考慮している点が異なる。図２４にグローバルな瞬
間電流値と出力負荷容量と矩形波の高さの関係を示した
ｉ−ｃ−ｈテーブルの例とそのテーブルをグラフ化した
図を示す。このテーブルはあるｉとｃのポイントにおけ
るｈの値を示した物である。ｃは出力負荷容量を意味す
る。このテーブルの場合、ｉ＝０，ｃ＝０の時、ｈ＝
０、ｉ＝５０，ｃ＝０の時、ｈ＝５、ｉ＝１００，ｃ＝
０の時、ｈ＝２０、ｉ＝０，ｃ＝２０の時、ｈ＝０、ｉ
＝５０，ｃ＝２０の時、ｈ＝８、ｉ＝１００，ｃ＝２０
の時、ｈ＝２５、という意味である。実際にはｉ，ｃの
値は連続的に変化するため、このテーブルはテーブル内
の各ポイントを結んだ３次元のグラフで表される。ある
ｃ，ｉの値におけるｈの値（ｈ（ｃ，ｉ））はｉ−ｃ−
ｈテーブル内のｉに一番近い小さい値（ｉ１）と大きい
値（ｉ２）、ｃに一番近い小さい値（ｃ１）と大きい値
（ｃ２）の組み合わせであるｈ（ｃ１，ｉ１），ｈ（ｃ
１，ｉ２），ｈ（ｃ２，ｉ１），ｈ（ｃ２，ｉ２）の４
ポイントの値を用いて式４

【数４】 で表される。

【０１００】本実施形態の全体フローのブロック図は実
施形態１と同様である。（図１） 図２５に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳
細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４から
の各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変
化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シ
ミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様であ
る。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電
流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を
示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形が
δ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析する
ことができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出
処理と同じである。

【０１０１】６０はｉ−ｃ−ｈテーブルであり、上記で
説明したグローバルな瞬間電流値と出力負荷容量と矩形
波の高さの関係を示したテーブルである（図２４）。６
１はネットリスト１内の各インスタンス毎の出力負荷容
量情報を記述した容量データである。６２は処理対象イ
ンスタンスの瞬間電流値と出力負荷容量とｉ−ｃ−ｈテ
ーブル６０からモデル化する矩形波の波高値を算出する
第５の矩形波高算出処理部である。６３は矩形波の面積
が瞬間電流値になるように第５の矩形波高算出処理部６
２から算出された矩形波の波高値と瞬間電流値を用いて
矩形波の矩形波幅を算出する第５の矩形波幅算出処理部
である。６４は瞬間電流算出結果１２を高さが第５の矩
形波高算出処理部６２から算出された矩形波の波高値で
あり、幅が第５の矩形波幅算出処理部６３から算出され
た矩形波幅である矩形波にモデル化する第５の矩形波整
形処理部である。

【０１０２】図２６に矩形波高算出処理及び矩形波幅算
出処理を含めた第５の矩形波整形処理のフローを示す。
まずｉ−ｃ−ｈテーブル６０を読み込む（１０６０）。
次に容量データ６１を読み込む（１０６１）。次からの
処理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に
繰り返す（１０６２）。まず、ｉ−ｃ−ｈテーブル６０
内からｉに一番近い小さい値と大きい値とｃに一番近い
小さい値と大きい値の組み合わせである４点ｈ（ｃ１，
ｉ１），ｈ（ｃ１，ｉ２），ｈ（ｃ２，ｉ１），ｈ（ｃ
２，ｉ２）を抽出する。ｉは処理対象イベントのセルに
関する瞬間電流値である。ｃは処理対象イベントのセル
に関する出力負荷容量であり、処理対象インスタンス名
と容量データ６１から抽出する。

【０１０３】図２４のテーブルではｉ＝７０，ｃ＝１０
の場合、ｈ（０，５０）＝５，ｈ（０，１００）＝２
０，ｈ（２０，５０）＝８，ｈ（２０，１００）＝２５
がその値である（１０６３）。次に前述の式４により矩
形波の高さｈを算出する（１０６４）。図２４のテーブ
ルではｉ＝７０，ｃ＝１０の場合、ｈ（１０，７０）＝
１２．９となる。これらの処理（１０６３）（１０６
４）が第５の矩形波高算出処理部６２に相当する。次に
矩形波の面積はｗ×ｈであるので、ｗ＝ｉ／ｈの関係か
ら矩形波の時間幅ｗを算出する（１０６５）。ｉは処理
対象イベントのセルに関する瞬間電流値であり、ｈは第
５の矩形波高算出処理部６２によって算出した矩形波の
高さである。

【０１０４】図２４のテーブルではｉ＝７０，ｃ＝１０
の場合、ｗ＝５．４である。この処理が第５の矩形波幅
算出処理部６３に相当する。次に変数ｘが−Ｗ／２から
Ｗ／２に変化するまでＩ（ｔ＋ｘ）にｈを加算し、ｘに
Δｔ加える（１０６６）（１０６７）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は
時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値である。この処
理が第５の矩形波整形処理部６４に相当する。

【０１０５】上記、矩形波高算出処理、矩形波幅算出処
理と矩形波整形処理フローにより電流波形算出結果８を
得ることができる。図２７にｉ−ｃ−ｈテーブル６０が
図２４のテーブルであり、瞬間電流値が７０、出力負荷
容量が１０であった場合の電流波形算出結果８の例を示
す。この波形をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することに
よりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ
解析結果１０を得る事ができる。

【０１０６】この方法によれば、グローバルな出力負荷
容量と瞬間電流値と矩形波の高さの関係から矩形波モデ
ルを形成しているため、より現実に近いモデルを得るこ
とができ、より高精度の処理が可能となる。

【０１０７】（実施形態７）次に本発明の第７の実施形
態について説明する。図２８は本発明の第７の実施の形
態に係る不要輻射解析手法の全体フローを示したブロッ
ク図であり、第１の実施の形態において図１を用いて説
明した不要輻射解析手法に対し、データＡ９、Ａ１０と
ステップＡ１１及びステップＡ１１の出力データＡ６を
追加した構成となっている。 第１の実施の形態で説明
した不要輻射解析手法と同一部分については同一符号を
付して説明を省略する。Ａ９はＥＭＩ解析対象となる半
導体集積回路のレイアウトデータである。Ａ１０は電流
量と電源電圧降下量の関係を示したＩ−Ｖテーブルファ
イル（もしくはＩ−Ｖ関数）である。Ａ１１は電源電圧
降下量を算出し、ステップ１１から算出された瞬間電流
算出結果に対して補正を行う電源電圧降下算出／瞬間電
流補正処理部である。Ａ６は、前記ステップＡ１１の出
力結果であり電源電圧降下を考慮した瞬間電流算出結果
である。

【０１０８】図２９は本発明の第７の実施の形態におけ
る電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部Ａ１１の処理
フローを示したブロック図であり、本図を参照しながら
ステップＡ１１の機能を説明する。尚、データ１２は第
１の実施の形態で詳細を説明しているため、同一符号を
付して説明を省略する。ステップＡ１１は、電源ネット
抽出処理部Ｂ２、各セグメント毎の抵抗値算出処理部Ｂ
６、各セグメントに流れる電流値算出処理部Ｂ３、各セ
グメント毎の電圧降下値算出処理部Ｂ７、インスタンス
毎の電圧降下値算出処理部Ｂ１０、電流値補正処理部Ｂ
１２の各ステップで構成されている。

【０１０９】以下、各ステップについて説明する。ステ
ップＢ２ではレイアウトデータＡ９が入力され、電気的
接続情報を認識した上で電源配線形状を判別する。判別
した電源配線形状に対して、配線の分岐、配線幅の変
化、折れ曲がり及び別配線層への乗り換え等を識別し、
それぞれにおいて電源配線を分割させることにより、電
源配線の各セグメント情報Ｂ４が生成される。この生成
データベースＢ４には各セグメント毎の配線長及び配線
幅の情報が含まれる。

【０１１０】図３０は本ステップにおける入力データＡ
９の模式図である。図３１は本ステップにおける生成デ
ータベースＢ４の模式図であり、この図では特に電源・
グランド配線それぞれについて、分岐により分割された
各セグメント１〜１２をＳｇ１〜１２として示してい
る。ステップＢ６では前記ステップＢ２より生成された
電源配線の各セグメント情報Ｂ４が入力され、各セグメ
ント毎の配線長及び配線幅の情報と各配線層毎に予め決
まっている抵抗値パラメータにより、各セグメント毎の
抵抗値情報Ｂ８が生成される。

【０１１１】図３２は本ステップにおける生成データベ
ースＢ８の模式図であり、この図では電源（ＶＤＤ）配
線における各セグメントＳｇ１〜６のそれぞれの抵抗値
をＲ１〜６として示している。ステップＢ３では瞬間電
流算出結果１２に基づいたインスタンス毎の瞬間電流情
報Ｂ１と前記ステップＢ２より生成された電源配線の各
セグメント情報Ｂ４が入力され、各インスタンス毎の電
流値を電源配線の各セグメントに流れるそれぞれの電流
成分に分配し、各セグメント毎に分配されたインスタン
ス毎の電流成分を合算することにより、各セグメント毎
の電流値情報Ｂ５が生成される。

【０１１２】図３３は本ステップにおける生成データベ
ースＢ５の模式図であり、この図ではインスタンス１〜
３のそれぞれの電流値をＩ１〜３とし、各セグメントＳ
ｇ１〜６に流れるそれぞれの電流値をＩｓ１〜６として
示している。この場合、Ｉｓ１＝Ｉ１＋Ｉ２＋Ｉ３、Ｉ
ｓ２＝Ｉ２＋Ｉ３、Ｉｓ３＝Ｉ３、Ｉｓ４＝Ｉ１、Ｉｓ
５＝Ｉ２、Ｉｓ６＝Ｉ３となる。 ステップＢ７では前
記ステップＢ３より生成された各セグメント毎の電流値
情報Ｂ５と前記ステップＢ６より生成された各セグメン
ト毎の抵抗値情報Ｂ８が入力され、オームの法則によ
り、各セグメント毎の電圧降下値情報Ｂ９が生成され
る。

【０１１３】図３４は本ステップにおける生成データベ
ースＢ９の模式図であり、この図では各セグメントＳｇ
１〜６のそれぞれの電圧降下値をΔＶｓ１〜６として示
している。この場合、ΔＶｓ１＝Ｒ１＊Ｉｓ１、ΔＶｓ
２＝Ｒ２＊Ｉｓ２、ΔＶｓ３＝Ｒ３＊Ｉｓ３、ΔＶｓ４
＝Ｒ４＊Ｉｓ４、ΔＶｓ５＝Ｒ５＊Ｉｓ５、ΔＶｓ６＝
Ｒ６＊Ｉｓ６となる。ステップＢ１０では前記ステップ
Ｂ７より生成された各セグメント毎の電圧降下値情報Ｂ
９が入力され、各インスタンス毎の電流経路に則した各
セグメントの電圧降下値を合算することにより、インス
タンス毎の電圧降下値情報Ｂ１１が生成される。

【０１１４】図３５は本ステップにおける生成データベ
ースＢ１１の模式図であり、この図ではインスタンス１
〜３のそれぞれの電圧降下値をΔＶ１〜３とし示してい
る。この場合、ΔＶ１＝ΔＶｓ１＋ΔＶｓ４、ΔＶ２＝
ΔＶｓ１＋ΔＶｓ２＋ΔＶｓ５、ΔＶ３＝ΔＶｓ１＋Δ
Ｖｓ２＋ΔＶｓ３＋ΔＶｓ６となり、ΔＶ１〜３のそれ
ぞれを各セグメントの抵抗値Ｒ１〜６と各インスタンス
の電流値Ｉ１〜３で表すと、ΔＶ１＝Ｒ１＊（Ｉ１＋Ｉ
２＋Ｉ３）＋Ｒ４＊Ｉ１、ΔＶ２＝Ｒ１＊（Ｉ１＋Ｉ２
＋Ｉ３）＋Ｒ２＊（Ｉ２＋Ｉ３）＋Ｒ５＊Ｉ２、ΔＶ３
＝Ｒ１＊（Ｉ１＋Ｉ２＋Ｉ３）＋Ｒ２＊（Ｉ２＋Ｉ３）
＋Ｒ３＊Ｉ３＋Ｒ６＊Ｉ３となる。

【０１１５】ステップＢ１２では前記ステップＢ１０よ
り生成されたインスタンス毎の電圧降下値情報Ｂ１１と
電流量と電源電圧降下量の関係を示したＩ−Ｖテーブル
ファイル（もしくはＩ−Ｖ関数）Ａ１０が入力され、瞬
間電流算出結果１２に対して補正処理が施されることに
より、各インスタンス毎に電源配線抵抗成分に依存する
電源電圧降下を考慮した瞬間電流算出結果Ａ６が生成さ
れる。

【０１１６】以上のように、本発明の第７の実施の形態
の不要輻射解析方法によれば、電源配線抵抗成分による
電圧降下分を考慮に入れることにより、前記第１の実施
の形態によって得られた瞬間電流算出結果１２に対し
て、実際の半導体集積回路における電源電圧変動の物理
現象を考慮させることが出来るため、より正確な電流波
形のモデリングが実現でき、電流波形をＦＦＴ処理する
ことで得られる解析対象回路の周波数特性において、不
要な高調波成分の低減が可能となる。

【０１１７】また、本実施の形態7では第1の実施の形態
において説明したが、第２〜６の実施の形態のそれぞれ
においても同様の効果が得られる。 （実施形態８）次に本発明の第８の実施形態について説
明する。 図３６は本発明の第８の実施の形態に係る不
要輻射解析手法の全体フローを示したブロック図であ
り、第７の実施の形態において図２８を用いて説明した
不要輻射解析手法に対し、データＣ１を追加しステップ
Ａ１１をステップＣ２に変更した構成となっている。第
１の実施の形態で説明した不要輻射解析手法と同一部分
については同一符号を付して説明を省略する。

【０１１８】Ｃ１は電源・グランド間デカップリング容
量値と電源電圧降下量の関係を示したＣ−Ｖテーブルフ
ァイル（もしくはＣ−Ｖ関数）である。Ｃ２は電源電圧
降下量を算出し、前記ステップ１１より生成された瞬間
電流算出結果１２の補正を行う電源電圧降下算出／瞬間
電流補正処理部である。図３７は本発明の第８の実施の
形態における電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部Ｃ
２の処理フローを示したブロック図であり、本図を参照
しながらステップＣ２の機能を説明する。尚、第７の実
施の形態で説明した不要輻射解析手法と同一部分につい
ては同一符号を付して説明を省略する。また、データ１
２は第１の実施の形態で詳細を説明しているため、同一
符号を付して説明を省略する。

【０１１９】ステップＣ２は、第７の実施の形態におけ
るステップＡ１１に対し、電源・グランド配線における
各セグメント間の容量値算出処理部Ｄ１を追加し、各セ
グメント毎の電圧降下値算出処理部Ｂ７をＤ３に変更し
た構成となっている。以下、各ステップについて説明す
る。ステップＤ１では第７の実施の形態におけるステッ
プＢ２より生成された電源配線の各セグメント情報Ｂ４
が入力され、ここでのデータベースＢ４に含まれている
電源・グランド配線における各セグメント同士の重なり
面積の情報と各配線層間毎に予め決まっている容量値パ
ラメータにより、電源・グランド配線における各セグメ
ント間の容量値情報Ｄ２が生成される。

【０１２０】図３８は本ステップにおける生成データベ
ースＤ２の模式図であり、この図ではセグメントＳｇ１
とＳｇ７、Ｓｇ２とＳｇ８、Ｓｇ３とＳｇ９のそれぞれ
の容量値をＣ１〜Ｃ３として示している。ステップＤ３
では第７の実施の形態におけるステップＢ３より生成さ
れた各セグメント毎の電流値情報Ｂ５と第７の実施の形
態におけるステップＢ６より生成された各セグメント毎
の抵抗値情報Ｂ８と電源・グランド間デカップリング容
量値と電源電圧降下量の関係を示したＣ−Ｖテーブルフ
ァイル（もしくはＣ−Ｖ関数）Ｃ１と前記ステップＤ１
より生成された電源・グランド配線における各セグメン
ト間の容量値情報Ｄ２が入力され、オームの法則及びＣ
−Ｖテーブルに則した補正処理が施されることにより、
抵抗成分に加えてデカップリング容量成分の効果を反映
した各セグメント毎の電圧降下値情報Ｂ９が生成され
る。

【０１２１】図３９は本ステップにおける生成データベ
ースＢ９の模式図であり、この図では各セグメントＳｇ
１〜６のそれぞれの電圧降下値をΔＶｓ１１〜６１とし
て示している。この場合、ΔＶｓ１１＝ｆ（Ｃ１、ΔＶ
ｓ１）、ΔＶｓ２１＝ｆ（Ｃ２、ΔＶｓ２）、ΔＶｓ３
１＝ｆ（Ｃ３、ΔＶｓ３）、ΔＶｓ４１＝ΔＶｓ４、Δ
Ｖｓ５１＝ΔＶｓ５、ΔＶｓ６１＝ΔＶｓ６となる。

【０１２２】以上のように、本発明の第８の実施の形態
の不要輻射解析方法によれば、電源配線抵抗成分による
電源電圧降下分に加えて電源・グランド間デカップリン
グ容量効果分の電源電圧変動に対する電流値補正を新た
に組み入れたことにより、前記第１の実施の形態によっ
て得られた各インスタンスの瞬間電流算出結果１２に対
して、実際の半導体集積回路における電源電圧変動の物
理現象を考慮させることが出来るため、より一層正確な
電流波形のモデリングが実現でき、電流波形をＦＦＴ処
理することで得られる解析対象回路の周波数特性におい
て、不要な高調波成分の低減がさらに可能となる。

【０１２３】また、本実施の形態８では第1の実施の形
態において説明したが、第２〜６の実施の形態のそれぞ
れにおいても同様の効果が得られる。 （実施形態９）次に本発明の第９の実施形態について説
明する。図４０は本発明の第９の実施の形態に係る不要
輻射解析手法の全体フローを示したブロック図であり、
第７の実施の形態において図２８を用いて説明した不要
輻射解析手法に対し、ステップＡ１１をステップＥ１に
変更した構成となっている。第１の実施の形態で説明し
た不要輻射解析手法と同一部分については同一符号を付
して説明を省略する。Ｅ１は電源電圧降下量を算出し、
ステップ１１から算出された瞬間電流の補正を行う電源
電圧降下算出／瞬間電流補正処理部である。

【０１２４】図４１は本発明の第９の実施の形態におけ
る電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部Ｅ１の処理フ
ローを示したブロック図であり、本図を参照しながらス
テップＥ１の機能を説明する。尚、第７及び第８の実施
の形態で説明した不要輻射解析手法と同一部分について
は同一符号を付して説明を省略する。

【０１２５】また、データ１２についても第１の実施の
形態で詳細を説明しているため、同一符号を付して説明
を省略する。ステップＥ１は、第８の実施の形態におけ
るステップＣ２に対し、各セグメントに流れる電流値算
出処理部Ｂ３、各セグメント毎の電圧降下算出処理部Ｄ
３及びインスタンス毎の電圧降下算出処理部Ｂ１０を削
除し、新たに過渡解析処理部Ｆ１を追加した構成となっ
ている。

【０１２６】以下、各ステップについて説明する。ステ
ップＦ１では前記ステップ１１より生成された瞬間電流
算出結果１２に基づいたインスタンス毎の瞬間電流情報
Ｂ１と第８の実施の形態におけるステップＢ６より生成
された各セグメント毎の抵抗値情報Ｂ８と第８の実施の
形態におけるステップＤ１より生成された各セグメント
間の容量値情報Ｄ２が入力され、ＳＰＩＣＥに代表され
る過渡解析シミュレータを使用した解析により、インス
タンス毎の電圧降下値情報Ｂ１１が生成される。

【０１２７】以上のように、本発明の第９の実施の形態
の不要輻射解析方法によれば、電源配線抵抗及び電源・
グランド間デカップリング容量効果分の電源電圧変動を
過渡解析シミュレータにて求めることにより、前記第１
の実施の形態によって得られた瞬間電流算出結果１２に
対して、実際の半導体集積回路における電源電圧変動の
物理現象を忠実に反映させることが出来るため、従来例
で示した高精度な不要輻射解析を実現しつつ、大規模回
路にも適用し得る高速な不要輻射解析が可能となる。

【０１２８】また、本実施の形態９では第1の実施の形
態において説明したが、第２〜６の実施の形態のそれぞ
れにおいても同様の効果が得られる。

【０１２９】（実施形態１０）次に本発明の第１０の実
施形態について説明する。 実施形態２〜９では論理シ
ミュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬
間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流を矩形
波にモデル化することにより、電流変化を得たが、その
瞬間的な電流波形を三角波にモデル化することにより、
より現実に近い電流変化を得ることができる。以下にそ
の例として、瞬間的な変化電流を瞬間電流値が面積とな
るように波高値を算出した一定の時間幅の三角波にモデ
ル化することにより、より現実に近い電流変化を算出
し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対
象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する
方法を説明する。

【０１３０】図４２に本実施の形態における瞬間電流値
とモデル化した三角波を示す。ｉは瞬間電流値であり、
ｔは現在処理時刻である。Ｗはモデル化する三角波の時
間幅であり、定数である。この値は前もって適当な値を
決定しておく。ｈは三角波の高さであり、ｉとＷから算
出する。時刻ｔ＋ｘにおける電流値は次式５

【数５】 で表される。また時刻ｔ−ｘにおける電流値も同式５で
表される。

【０１３１】本実施形態の全体フローのブロック図は実
施形態１と同様である。（図１） 図４３に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳
細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４から
の各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変
化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シ
ミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様であ
る。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電
流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を
示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形が
δ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析する
ことができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出
処理と同じである。１００はモデル化する三角波の面積
が瞬間電流値になるように三角波の高さを算出する三角
波高算出処理部である。１０１は瞬間電流算出結果１２
を一定時間幅の三角波にモデル化する三角波整形処理部
である。

【０１３２】図４４に三角波高算出処理を含めた三角波
整形処理フローを示す。以下の処理は電流波形算出処理
が終了するまで各イベント毎に繰り返す（１１００）。
三角波の面積はＷ×ｈ／２であり、その値はｉである。
そこで２×ｉ／Ｗにより三角波の高さｈを算出する（１
１０１）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電
流値である。この処理が三角波高算出処理部１００に相
当する。次に変数ｘが０からＷ／２までＩ（ｔ＋ｘ）と
Ｉ（ｔ−ｘ）に前述の式５を加算し、ｘにΔｔ加える
（１１０２）（１１０３）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘ
における全てのセルの電流値であり、Ｉ（ｔ−ｘ）は時
刻ｔ−ｘにおける全てのセルの電流値である。この処理
が三角波整形処理部１０１に相当する。

【０１３３】上記、三角波高算出処理と三角波整形処理
フローにより電流波形算出結果８を得ることができる。
図４５に図３の瞬間電流算出結果におけるＷ＝５の時の
電流波形算出結果８の例を示す。この波形をＦＦＴ処理
部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数特
性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事がで
きる。

【０１３４】（実施形態１１）次に本発明の第１１の実
施形態について説明する。実施形態２〜９では論理シミ
ュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬間
的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流を矩形波
にモデル化することにより、電流変化を得たが、この方
法では、その瞬間的な電流波形を複数次の関数にモデル
化することにより、より現実に近い電流変化を得ること
ができる。以下にその例として、瞬間的な変化電流を瞬
間電流値が面積となるように波高値を算出した一定の時
間幅の複数次関数にモデル化することにより、より現実
に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦ
Ｔすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性
を得、ＥＭＩ解析する方法を説明する。

【０１３５】図４６に本実施の形態における瞬間電流値
とモデル化した複数次関数を示す。ｉは瞬間電流値であ
り、ｔは現在処理時刻である。Ｗはモデル化する複数次
関数の時間幅であり、定数である。この値は前もって適
当な値を決定しておく。ｈはモデル化する複数次関数の
高さであり、ｉとＷから算出する。今回の例ではモデル
化する複数次関数の式を次式６

【数６】 とする。複数次関数モデルの幅は２×Ｗとする。

【０１３６】複数次関数の高さｈは前述の式６において
ｘ＝０のときであるので、次式７

【数７】 で表される。

【０１３７】この複数次関数モデルの面積は式８

【数８】 で表される。この面積は瞬間電流値ｉに等しいことか
ら、ａはＷとｉを用いて式９

【数９】 で表される。

【０１３８】前述の式９を用いてａを算出することによ
り、モデル化する複数次関数モデルの高さが決定する。
Ｗ＝２．５，ｉ＝１００の時前述の式９よりａ＝０．９
６、前述の式７よりｈ＝３７．５、ｉ＝５０の時前述の
式９よりａ＝０．４８、前述の式７よりｈ＝１８．７５
と複数次関数モデルの高さを算出することができる。

【０１３９】本実施形態の全体フローのブロック図は実
施形態１と同様である。（図１） 図４７に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳
細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４から
の各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変
化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シ
ミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様であ
る。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電
流算出結果である。

【０１４０】図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。
この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数
になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することが
できない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と
同じである。

【０１４１】１１０はモデル化する複数次関数の面積が
瞬間電流値になるように複数次関数の高さを算出する複
数次関数波高算出処理部である。１１１は瞬間電流算出
結果１２を一定時間幅の複数次関数にモデル化する複数
次関数波整形処理部である。

【０１４２】図４８に複数次関数波高算出処理を含めた
複数次関数波整形処理フローを示す。以下の処理は電流
波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す
（１１１０）。まず、前述の式９を用いて複数次関数の
波高依存係数ａを算出する（１１１１）。ｉは処理対象
イベントのセルに関する瞬間電流値である。Ｗは波幅に
依存する定数である。この処理が１１０複数次関数波高
算出処理部に相当する。

【０１４３】次に変数ｘが−ＷからＷまでＩ（ｔ＋ｘ）
に前述の式６を加算し、ｘにΔｔ加える（１１１２）
（１１１３）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全て
のセルの電流値でありる。この処理が１１１複数次関数
波整形処理部に相当する。

【０１４４】上記、複数次関数波高算出処理と複数次関
数波整形処理フローにより電流波形算出結果８を得るこ
とができる。図４９に図３の瞬間電流算出結果における
Ｗ＝２．５の時の電流波形算出結果８の例を示す。この
波形をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭ
Ｉ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果
１０を得る事ができる。 （実施形態１２）次に本発明の第１２の実施形態につい
て説明する。実施形態２〜９では論理シミュレータから
の各セルのイベント情報から各セルの瞬間的な変化電流
を算出し、その瞬間的な変化電流を矩形波にモデル化す
ることにより、電流変化を得たが、この方法では、その
瞬間的な電流波形を複素関数にモデル化することによ
り、より現実に近い電流変化を得ることができる。

【０１４５】以下にその例として、グローバルな瞬間的
な変化電流とモデル化する複素関数の高さの関係を表し
たテーブルと瞬間的な変化電流とモデル化する複素関数
の時間幅の関係を表したテーブルを用いて複素関数の高
さ、幅を算出し、複数次関数にモデル化することによ
り、より現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算
出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分
の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する方法を説明する。

【０１４６】図５０に本実施の形態における瞬間電流値
とモデル化した複素関数を示す。ｉは瞬間電流値であ
り、ｔは現在処理時刻である。ｈはモデル化する関数の
高さであり、グローバルな瞬間的な変化電流とモデル化
する複素関数の高さの関係を表したテーブルを用いて算
出する。

【０１４７】図５１にグローバルな瞬間電流値と矩形波
の高さの関係を示したｉ−ｈテーブルの例とそのテーブ
ルをグラフ化した図を示す。このテーブルはあるｉのポ
イントにおけるｈの値を示した物で、このテーブルの場
合、ｉ＝０の時、ｈ＝０、ｉ＝５０の時、ｈ＝１０、ｉ
＝１００の時、ｈ＝４０という意味である。実際にはｉ
の値は連続的に変化するため、このテーブルはテーブル
内の各ポイントを結んだグラフで表される。あるｉの値
におけるｈの値（ｈ（ｉ））はｉ−ｈテーブル内のｉに
一番近い小さい値（ｉ１，ｈ１）と大きい値（ｉ２，ｈ
２）の２ポイントを用いて前述の式２で表される。ｗは
モデル化する関数の時間幅であり、グローバル瞬間的な
変化電流とモデル化する複素関数の時間幅の関係を表し
たテーブルを用いて算出する。

【０１４８】図５２にグローバルな瞬間電流値と矩形波
の幅の関係を示したｉ−ｗテーブルの例とそのテーブル
をグラフ化した図を示す。このテーブルはあるｉのポイ
ントにおけるｗの値を示した物で、このテーブルの場
合、ｉ＝０の時、ｗ＝０、ｉ＝２０の時、ｗ＝１、ｉ＝
１００の時、ｗ＝１．５という意味である。実際にはｉ
の値は連続的に変化するため、このテーブルはテーブル
内の各ポイントを結んだグラフで表される。

【０１４９】あるｉの値におけるｈの値（ｗ（ｉ））は
ｉ−ｗテーブル内のｉに一番近い小さい値（ｉ１，ｗ
１）と大きい値（ｉ２，ｗ２）の２ポイントを用いて式
１０

【数１０】 で表される。

【０１５０】今回の例ではモデル化する複素関数の式を
前述の式１１とする。この関数はガウス関数と呼ばれて
いる。この式においてｘ＝０のとき、この式の値はｈと
なるため、ｈはガウス関数の高さを表している。この式
においてｘ＝３×ｗの時、この式の値は０．０００１×
ｈとなり、高さの０．０１％となる。そこでこの値をモ
デル化する関数の時間幅の限界とし、関数の時間幅を６
×ｗとした。

【０１５１】本実施形態の全体フローのブロック図は実
施形態１と同様である。（図１） 図５３に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳
細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４から
の各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変
化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シ
ミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様であ
る。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電
流算出結果である。

【０１５２】図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。
この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数
になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することが
できない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と
同じである。４０はｉ−ｈテーブルであり、上記で説明
したグローバルな瞬間電流値とガウス関数の高さの関係
を示したテーブルである（図５１）。１２０は瞬間電流
値と４０ｉ−ｈテーブルからモデル化するガウス関数の
波高値を算出するガウス関数波高算出処理部である。

【０１５３】１２１はｉ−ｗテーブルであり、上記で説
明したグローバルな瞬間電流値とガウス関数の幅の関係
を示したテーブルである（図５２）。１２２は瞬間電流
値と１２１ｉ−ｗテーブルからモデル化するガウス関数
の幅を算出するガウス関数波幅算出処理部である。１２
３は瞬間電流算出結果１２を高さが１２０ガウス関数波
高算出処理部から算出されたガウス関数の波高値であ
り、幅が１２２ガウス関数波幅算出処理部から算出され
たガウス関数の幅であるガウス関数にモデル化するガウ
ス関数波整形処理部である。

【０１５４】図５４にガウス関数波高算出処理及びガウ
ス関数波幅算出処理を含めたガウス関数波整形処理フロ
ーを示す。まず４０ｉ−ｈテーブルを読み込む（１１２
０）。次に１２１ｉ−ｗテーブルを読み込む（１１２
１）。次からの処理は電流波形算出処理が終了するまで
各イベント毎に繰り返す（１１２２）。まず、４０ｉ−
ｈテーブル内からｉに一番近い小さい値と大きい値の２
点（ｉ１，ｈ１）、（ｉ２，ｈ２）を抽出する（１１２
３）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値
である。

【０１５５】図５１のテーブルではｉ＝５０の場合、
（ｉ１，ｈ１）＝（０，０）、（ｉ２，ｈ２）＝（５
０，５）がその値である。ｉ＝１００の場合、（ｉ１，
ｈ１）＝（５０，５）、（ｉ２，ｈ２）＝（１００，２
０）がその値である。次に前述の式２によりガウス関数
の高さｈを算出する（１１２４）。図５１のテーブルで
はｉ＝５０の場合、ｈ（５０）＝１０、ｉ＝１００の場
合、ｈ（１００）＝４０となる。これらの処理（１１２
３）（１１２４）がガウス関数波高算出処理部１２０に
相当する。

【０１５６】次にｉ−ｗテーブル１２１内からｉに一番
近い小さい値と大きい値の２点（ｉ１，ｗ１）、（ｉ
２，ｗ２）を抽出する（１１２５）。ｉは処理対象イベ
ントのセルに関する瞬間電流値である。図５２のテーブ
ルではｉ＝５０の場合、（ｉ１，ｗ１）＝（０，０）、
（ｉ２，ｗ２）＝（２０，１）がその値である。ｉ＝１
００の場合、（ｉ１，ｗ１）＝（２０，１）、（ｉ２，
ｗ２）＝（１００，１．５）がその値である。

【０１５７】次に前述の式１０によりガウス関数の幅ｗ
を算出する（１１２６）。図５２のテーブルではｉ＝５
０の場合、ｗ（５０）＝１．３、ｉ＝１００の場合、ｗ
（１００）＝１．５となる。これらの処理（１１２５）
（１１２６）が１２２ガウス関数波幅算出処理部に相当
する。

【０１５８】次に変数ｘが−３×ｗから３×ｗに変化す
るまでＩ（ｔ＋ｘ）に、式１１

【数１１】 を加算し、ｘにΔｔ加える（１１２７）（１１２８）。
Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値
である。この処理が１２３ガウス関数波整形処理部に相
当する。

【０１５９】上記、ガウス関数波高算出処理、ガウス関
数波幅算出処理とガウス関数波整形処理フローにより電
流波形算出結果８を得ることができる。図５５にｉ−ｈ
テーブル４０が図５１のテーブルであり、ｉ−ｗテーブ
ル１２１が図５２であった場合の図３の瞬間電流算出結
果における電流波形算出結果８の例を示す。この波形を
ＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分
の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を
得る事ができる。

【０１６０】（実施形態１３）次に本発明の第１３の実
施形態（請求項１４）の不要輻射解析方法について説明
する。実施形態１３は、請求項２乃至１０における電流
波形推定情報を、貫通電流に依存する要素と、チャージ
電流に依存する要素に分けてモデル化することを特徴と
する。ここで貫通電流とは、回路素子を構成するＣＭＯ
Ｓトランジスタ構造において、トランジスタのゲート端
子側に信号変化が発生した時に、ＰチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ（以下ＰＭＯＳと示す）、ＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ（以下ＮＭＯＳと示す）が瞬時同時に駆動状
態となるがために、ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳそれぞれのソー
ス端子・ドレイン端子間を貫いて流れる電流を示してい
る。チャージ電流とは、回路素子の出力負荷容量に電荷
を貯える、あるいは放出する際に流れる電流を示してい
る。貫通電流は、入力信号変化とほぼ同時に発生し、チ
ャージ電流は入力信号変化からやや遅れて出力信号変化
とともに流れる。従って、電流波形推定情報のうち貫通
電流に依存する要素とチャージ電流に依存する要素を分
けて扱うことにより、より正確な電流波形を推定するこ
とが可能となる。図５６に請求項２の一定幅で離散化す
る手法を用いた請求項１４の不要輻射解析方法の実施例
についてその構成を示す。

【０１６１】同図に示す不要輻射解析方法に用いられる
装置は、回路接続情報記憶手段７３０１と、信号変化パ
ターン記憶手段７３０２と、素子電流量記憶手段７３０
３と、電流推定基礎情報記憶手段７３０６と、総電流量
記憶手段７３０４と、総電流量算出手段７３０５とから
なる電流量解析手段を備えている。

【０１６２】次に、これらの図５６の不要輻射解析方法
を構成する個々の要素について説明するとともに、図１
１０に示す回路接続情報と、図１１１に示す信号変化パ
ターンと、図５７に示す素子電流量と、図５９に示す電
流推定基礎情報とを用いて図５８に示す総電流量を算出
する手順を説明する。回路接続情報記憶手段７３０１、
信号変化パターン記憶手段７３０２については、従来例
の回路接続情報記憶手段１００１、信号変化パターン記
憶手段１００２と同一であるため説明を割愛する。

【０１６３】素子電流量記憶手段７３０３は、各素子の
外部端子が１度変化した際に流れる総電流量の情報であ
る素子電流量情報を貫通電流成分およびチャージ電流成
分それぞれに分けて記憶するものであり、あらかじめ図
５７に示すような素子電流量情報を記憶している。７４
０１はフリップフロップＦＦのクロック入力端子ＣＫの
信号が変化する時の貫通電流成分電流量をあらわしてい
る。７４０２はフリップフロップＦＦのクロック入力端
子ＣＫの信号が変化する時のチャージ電流成分電流量を
あらわしている。７４０３はフリップフロップＦＦの出
力端子Ｑの信号が変化する時の貫通電流成分電流量をあ
らわしている。７４０４はフリップフロップＦＦの出力
端子Ｑの信号が変化する時のチャージ電流成分電流量を
あらわしている。７４０５はバッファＢＵＦの出力端子
Ｙの信号が変化した時の貫通電流成分電流量をあらわし
ている。７４０６はバッファＢＵＦの出力端子Ｙの信号
が変化した時のチャージ電流成分電流量をあらわしてい
る。電流推定基礎情報記憶手段７３０６は、貫通電流に
対する離散幅と、チャージ電流に対する離散幅を図５９
に示す形式で記憶する。この電流推定基礎情報は、実施
形態１（請求項２）と同じく、各信号変化に対して流れ
る電流の総量を平均化する離散幅を持つものであるが、
請求項２と異なり貫通電流成分離散幅７６０１とチャー
ジ電流成分離散幅７６０２の２つの情報を有している。
７６０１は貫通電流成分電流量に対する離散幅をあらわ
している。７６０２はチャージ電流成分電流量に対する
離散幅をあらわしている。

【０１６４】総電流量算出手段７３０５は、図６０に示
すようなフローチャートを有する。図６０に示すフロー
チャートでは、従来方法に対して電流計算において計算
された貫通電流とチャージ電流それぞれに対して個々の
離散幅で平均化し、それらの電流波形を加算する処理
（ステップ７７０６）が加わっている。ステップ７７０
１で回路接続情報記憶手段７３０１に記憶された図１１
０の回路接続情報を読み込む。ステップ７７０２で信号
変化パターン記憶手段７３０２に記憶された図１１１の
信号変化パターンを読み込む。ステップ７７０３で素子
電流情報記憶手段７３０３に記憶された図５７の素子電
流量情報を読み込む。

【０１６５】ステップ７７０４で電流量推定基礎情報記
憶手段７３０６に記憶された図５９の電流推定基礎情報
を読み込む。次にステップ７７０５で図１１１の信号変
化パターンを図１１０の回路接続情報に与え、信号伝播
を行うとともに、素子電流量情報内に記載された回路素
子の外部端子が信号変化を起こした際に、端子に対応す
る電流量の貫通電流成分とチャージ電流成分を各時刻に
おける総電流量情報の貫通電流成分とチャージ電流成分
にそれぞれ加算する。

【０１６６】次にステップ７７０６で総電流量情報の貫
通電流成分とチャージ電流成分それぞれを図５９に示す
電流推定基礎情報に記憶された離散幅で離散化した結果
を加算し図５８に示す各時刻の総電流量として算出す
る。信号伝播完了後、ステップ７７０７で、算出された
図５８に示す各時刻における総電流量情報を総電流量記
憶手段７３０４に記憶する。 これにより、図１４に示
す従来方式の電流に対して、図５８に示すような実際に
近い電流波形が得られる。

【０１６７】（実施形態１４）次に本発明の第１４の実
施形態について説明する。この方法では、 以下に各セ
ルの種類毎にそのセルのピーク電流値とイベント毎の瞬
間的な変化電流量をキャラクタライズすることにより、
論理シミュレータからの各セルのイベント情報から各セ
ルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な電流を波
高値をそのセルのピーク電流値とし、瞬間電流値が面積
となるように時間幅を算出した矩形波にモデル化するこ
とにより、現実に近い電流変化を算出し、その電流波形
算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成
分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する。

【０１６８】図１５に本実施の形態における瞬間電流値
とモデル化した矩形波を示す。ｉは瞬間電流値であり、
ｔは現在処理時刻である。

【０１６９】本実施形態の全体フローのブロック図は実
施形態１と同様である。（図１） 図６１に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳
細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４から
の各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変
化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シ
ミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様であ
る。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電
流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を
示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形が
δ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析する
ことができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出
処理と同じである。

【０１７０】１３０はピーク電流ライブラリであり、各
セルの種類毎にそのセルのピーク電流値をキャラクタラ
イズした値が含まれている。１３１はピーク電流ライブ
ラリ１３０からモデル化する矩形波の波高値を抽出する
第６の矩形波高算出処理部である。１３２は矩形波の面
積が瞬間電流値になるように、第６の矩形波高算出処理
部１３１から算出された矩形波の波高値と瞬間電流値を
用いて矩形波の矩形波幅を算出する第６の矩形波幅算出
処理部である。１３３は瞬間電流算出結果１２を高さが
第６の矩形波高算出処理部１３１から抽出された矩形波
の波高値であり、幅が第６の矩形波幅算出処理部１３２
から算出された矩形波幅である矩形波にモデル化する第
６の矩形波整形処理部である。

【０１７１】図６２に矩形波高算出処理及び矩形波幅算
出処理を含めた第６の矩形波整形処理のフローを示す。
まずピーク電流ライブラリ１３０を読み込む（１１３
０）。次からの処理は電流波形算出処理が終了するまで
各イベント毎に繰り返す（１１３１）。まず、ピーク電
流ライブラリ１３０から処理対象インスタンスのピーク
電流値を抽出し、それを矩形波の波高ｈとする（１１３
２）。この処理が第６の矩形波高算出処理部１３１に相
当する。

【０１７２】次に矩形波の面積はｗ×ｈであるので、ｗ
＝ｉ／ｈの関係から矩形波の時間幅ｗを算出する（１１
３３）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流
値であり、ｈは第６の矩形波高算出処理部１３１によっ
て算出した矩形波の高さである。この処理が第６の矩形
波幅算出処理部１３２に相当する。次に変数ｘが−Ｗ／
２からＷ／２に変化するまでＩ（ｔ＋ｘ）にｈを加算
し、ｘにΔｔ加える（１１３４）（１１３５）。Ｉ（ｔ
＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値であ
る。この処理が第６の矩形波整形処理部１３３に相当す
る。

【０１７３】上記、矩形波高算出処理、矩形波幅算出処
理と矩形波整形処理フローにより電流波形算出結果８を
得ることができる。この電流波形算出結果８をＦＦＴ処
理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数
特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事が
できる。

【０１７４】（実施形態１５）次に本発明の第１５の実
施形態について説明する。この方法では、 各セルの種
類毎にそのセルの入力波形鈍りとピーク電流値の関係と
イベント毎の瞬間的な変化電流量をキャラクタライズす
ることにより、論理シミュレータからの各セルのイベン
ト情報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬
間的な変化電流をそのセルの入力波形鈍りを考慮したピ
ーク電流値を波高値とし、瞬間電流値が面積となるよう
に時間幅を算出した矩形波にモデル化することにより、
現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果を
ＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数
特性を得、ＥＭＩ解析する。

【０１７５】図１５に本実施の形態における瞬間電流値
とモデル化した矩形波を示す。ｉは瞬間電流値であり、
ｔは現在処理時刻である。ｈはモデル化する矩形波の高
さであり、各セル毎の入力波形鈍りと矩形波の高さの関
係をキャラクタライズしたライブラリを用いて算出す
る。ｗは矩形波の時間幅であり、ｉと先に算出したｈを
用いて算出する。入力波形鈍りと矩形波の高さの関係を
キャラクタライズしたライブラリは各セルの種類毎にｓ
−ｈテーブルで構成されている。

【０１７６】図６３にｓ−ｈテーブルの例とそのテーブ
ルをグラフ化した図を示す。ｓは処理対象インスタンス
の入力波形鈍りを示す。このテーブルはあるｓのポイン
トにおけるｈの値を示した物で、このテーブルの場合、
ｓ＝０の時、ｈ＝０、ｓ＝１の時、ｈ＝５、ｓ＝２の
時、ｈ＝２０という意味である。実際にはｓの値は連続
的に変化するため、このテーブルはテーブル内の各ポイ
ントを結んだグラフで表される。あるｓの値におけるｈ
の値（ｈ（ｓ））はｓ−ｈテーブル内のｓに一番近い小
さい値（ｓ１，ｈ１）と大きい値（ｓ２，ｈ２）の２ポ
イントを用いて式１２

【数１２】 で表される。

【０１７７】本実施形態の全体フローのブロック図は実
施形態１と同様である。（図１） 図６４に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳
細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４から
の各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変
化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シ
ミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様であ
る。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電
流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を
示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形が
δ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析する
ことができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出
処理と同じである。

【０１７８】ｓ−ｈテーブルライブラリ１４０は、上記
で説明した各セル毎の入力波形鈍りと矩形波の高さの関
係をキャラクタライズしたものである（図６３）。５１
は各インスタンス毎の入力波形鈍りを記述したＳｌｅｗ
データである。１４１はＳｌｅｗデータ５１から処理対
象インスタンスの入力波形鈍りを抽出し、ｓ−ｈデーブ
ルライブラリ１４０とその入力波形鈍りからモデル化す
る矩形波の波高値を算出する第７の矩形波高算出処理部
である。１４２は矩形波の面積が瞬間電流値になるよう
に第７の矩形波高算出処理部１４１から算出された矩形
波の波高値と瞬間電流値を用いて矩形波の矩形波幅を算
出する第７の矩形波幅算出処理部である。１４３は瞬間
電流算出結果１２を高さが第７の矩形波高算出処理部１
４１から算出された矩形波の波高値であり、幅が第７の
矩形波幅算出処理部１４２から算出された矩形波幅であ
る矩形波にモデル化する第７の矩形波整形処理部であ
る。

【０１７９】図６５に矩形波高算出処理及び矩形波幅算
出処理を含めた第７の矩形波整形処理フローを示す。ま
ずｓ−ｈテーブルライブラリ１４０を読み込む（１１４
０）。次にＳｌｅｗデータ５１を読み込む（１１４
１）。次からの処理は電流波形算出処理が終了するまで
各イベント毎に繰り返す（１１４２）。まず、ｓ−ｈテ
ーブルライブラリ１４０の処理対象のセルの種類のｓ−
ｈテーブルからｓに一番近い小さい値と大きい値の２点
（ｓ１，ｈ１）、（ｓ２，ｈ２）を抽出する。ｓは処理
対象インスタンスのＳｌｅｗデータ５１から抽出した入
力波形鈍りである。

【０１８０】図６３のテーブルではｓ＝１．２の場合、
（ｓ１，ｈ１）＝（１，５）、（ｓ２，ｈ２）＝（２，
２０）がその値である（１１４３）。次に前述の式１１
により矩形波の高さｈを算出する（１１４４）。図６３
のテーブルではｓ＝１．２の場合、ｈ（１．２）＝８と
なる。これらの処理（１１４３）（１１４４）が第７の
矩形波高算出処理部１４１に相当する。

【０１８１】次に矩形波の面積はｗ×ｈであるので、ｗ
＝ｉ／ｈの関係から矩形波の時間幅ｗを算出する（１１
４５）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流
値であり、ｈは第７の矩形波高算出処理部１４１によっ
て算出した矩形波の高さである。この処理が第７の矩形
波幅算出処理部１４２に相当する。次に変数ｘが−Ｗ／
２からＷ／２に変化するまでＩ（ｔ＋ｘ）にｈを加算
し、ｘにΔｔ加える（１１４６）（１１４７）。Ｉ（ｔ
＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値であ
る。この処理が第７の矩形波整形処理部１４３に相当す
る。

【０１８２】上記、矩形波高算出処理、矩形波幅算出処
理と矩形波整形処理フローにより電流波形算出結果８を
得ることができる。この電流波形算出結果８をＦＦＴ処
理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数
特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事が
できる。 （実施形態１６）次に本発明の第１６の実施形態につい
て説明する。この方法では、 各セルの種類毎にそのセ
ルの出力負荷容量とピーク電流値の関係とイベント毎の
瞬間的な変化電流量をキャラクタライズすることによ
り、論理シミュレータからの各セルのイベント情報から
各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化
電流をそのセルの出力負荷容量を考慮したピーク電流値
を波高値とし、瞬間電流値が面積となるように時間幅を
算出した矩形波にモデル化することにより、現実に近い
電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴする
ことにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、
ＥＭＩ解析する。

【０１８３】図１５に本実施の形態における瞬間電流値
とモデル化した矩形波を示す。ｉは瞬間電流値であり、
ｔは現在処理時刻である。ｈはモデル化する矩形波の高
さであり、各セル毎の出力負荷容量と矩形波の高さの関
係をキャラクタライズしたライブラリを用いて算出す
る。ｗは矩形波の時間幅であり、ｉと先に算出したｈを
用いて算出する。出力負荷容量と矩形波の高さの関係を
キャラクタライズしたライブラリは各セルの種類毎にｃ
−ｈテーブルで構成されている。

【０１８４】図６６にｃ−ｈテーブルの例とそのテーブ
ルをグラフ化した図を示す。ｃは処理対象インスタンス
の出力負荷容量を示す。このテーブルはあるｃのポイン
トにおけるｈの値を示した物で、このテーブルの場合、
ｃ＝０の時、ｈ＝０、ｃ＝１０の時、ｈ＝５、ｃ＝２０
の時、ｈ＝２０という意味である。実際にはｃの値は連
続的に変化するため、このテーブルはテーブル内の各ポ
イントを結んだグラフで表される。あるｃの値における
ｈの値（ｈ（ｃ））はｃ−ｈテーブル内のｃに一番近い
小さい値（ｃ１，ｈ１）と大きい値（ｃ２，ｈ２）の２
ポイントを用いて、式１３

【数１３】 で表される。

【０１８５】本実施形態の全体フローのブロック図は実
施形態１と同様である。（図１） 図６７に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳
細なブロック図を示す。ここで、瞬間電流算出処理部１
１は、従来の論理シミュレーションにおける消費電力算
出の技術と同様に、論理シミュレータ４からの各セルの
イベント情報５から各セルの瞬間的な電流変化を算出
し、瞬間電流算出結果１２を得るようにしたものであ
る。

【０１８６】図３に瞬間電流算出結果１２の例を示す。
この図のように瞬間電流算出結果では電流波形がδ関数
になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析することが
できない。ここまでは実施形態１の電流波形算出処理と
同じである。１５０はｃ−ｈテーブルライブラリであ
り、上記で説明した各セル毎の出力負荷容量と矩形波の
高さの関係をキャラクタライズしたｃ−ｈテーブル（図
６６）で構成されている。６１は各インスタンス毎の出
力負荷容量を記述した容量データである。１５１は容量
データ６１から処理対象インスタンスの出力負荷容量を
抽出し、ｃ−ｈデーブルライブラリ１５０とその出力負
荷容量からモデル化する矩形波の波高値を算出する第８
の矩形波高算出処理部である。１５２は矩形波の面積が
瞬間電流値になるように第８の矩形波高算出処理部１５
１から算出された矩形波の波高値と瞬間電流値を用いて
矩形波の矩形波幅を算出する第８の矩形波幅算出処理部
である。１５３は瞬間電流算出結果１２を高さが第８の
矩形波高算出処理部１５１から算出された矩形波の波高
値であり、幅が第８の矩形波幅算出処理部１５２から算
出された矩形波幅である矩形波にモデル化する第８の矩
形波整形処理部である。

【０１８７】図６８に矩形波高算出処理及び矩形波幅算
出処理を含めた第８の矩形波整形処理フローを示す。ま
ずｃ−ｈテーブルライブラリ１５０を読み込む（１１５
０）。次に容量データ６１を読み込む（１１５１）。

【０１８８】次からの処理は電流波形算出処理が終了す
るまで各イベント毎に繰り返す（１１５２）。まず、ｃ
−ｈテーブルライブラリ１５０の処理対象のセルの種類
のｃ−ｈテーブルからｃに一番近い小さい値と大きい値
の２点（ｃ１，ｈ１）、（ｃ２，ｈ２）を抽出する。ｃ
は処理対象インスタンスの６１容量データから抽出した
出力負荷容量である。

【０１８９】図６６のテーブルではｃ＝１２の場合、
（ｃ１，ｈ１）＝（１，５）、（ｃ２，ｈ２）＝（２
０，２０）がその値である（１１５３）。次に前述の式
１２により矩形波の高さｈを算出する（１１５４）。図
６６のテーブルではｃ＝１２の場合、ｈ（１２）＝８と
なる。これらの処理（１１５３）（１１５４）が第８の
矩形波高算出処理部１５１に相当する。次に矩形波の面
積はｗ×ｈであるので、ｗ＝ｉ／ｈの関係から矩形波の
時間幅ｗを算出する（１１５５）。ｉは処理対象イベン
トのセルに関する瞬間電流値であり、ｈは第８の矩形波
高算出処理部１５１によって算出した矩形波の高さであ
る。

【０１９０】この処理が第８の矩形波幅算出処理部１５
２に相当する。次に変数ｘが−Ｗ／２からＷ／２に変化
するまでＩ（ｔ＋ｘ）にｈを加算し、ｘにΔｔ加える
（１１５６）（１１５７）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘ
における全てのセルの電流値である。この処理が第８の
矩形波整形処理部１５３に相当する。

【０１９１】上記、矩形波高算出処理、矩形波幅算出処
理と矩形波整形処理フローにより電流波形算出結果８を
得ることができる。この電流波形算出結果８をＦＦＴ処
理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数
特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事が
できる。

【０１９２】（実施形態１７）次に第１７の実施形態
（請求項１８）の不要輻射解析方法の実施例について説
明する。本実施例は、不要輻射解析のうち、特に回路素
子が複数の論理素子の組み合わせで構成される複合セル
である場合の特性抽出および電流量計算を行う場合を示
している。複合セルにおいては、電流は前記回路素子を
構成する各論理素子が活性化するごとに流れる。この活
性化は、それぞれの回路素子内の論理素子の持つ遅延を
もって生ずる。

【０１９３】すなわち、回路素子の入力変化が起こって
から、回路素子内で複数回電流が流れる。例えば図１０
８のような組み合わせ回路素子では、端子Ａ、Ｂの変化
からセル内ゲートＰ１の遅延（１ｎｓであるものとす
る）をもって１Ｎ１が変化し、さらにセル内ゲートＰ２
の遅延（１ｎｓであるものとする）をもってＹが変化す
るため、図６９の信号変化パターンを与えると図７０に
示すような電流波形が発生する。

【０１９４】しかしながら、従来のゲートレベルの解析
技術では各回路素子の出力ピンにおける遅延を持ってそ
の回路素子の総電流量を消費するものとして扱ってい
た。例えば、図１０８の回路素子を用いた図７３の回路
に対して図６９の信号変化パターンを与えると、図７１
のような電流情報が出力される。それに対し、本実施例
では、対象となる複合セルの入力ピンが信号変化した際
に生じる複数回の電流をその電流のピーク値と入力信号
変化を基準とした遅延値でライブラリ化し、論理シミュ
レータにおける複合セルの入力ピンの信号変化に応じて
前記遅延値の遅れを持って各電流のピーク値があるもの
と想定して電流を推定することを特徴としている。

【０１９５】図７２に実施形態１４（請求項１５）のピ
ーク電流値と電流量を用いる手法を用いた実施形態１４
（請求項１８）の不要輻射解析方法の実施例についてそ
の構成を示す。

【０１９６】同図に示す不要輻射解析方法に用いられる
装置は、回路接続情報記憶手段９００１と、信号変化パ
ターン記憶手段９００２と、素子電流量記憶手段９００
３と、総電流量記憶手段９００４と、総電流量算出手段
９００５とからなる電流量解析手段を備えている。

【０１９７】次に、これらの図７２の不要輻射解析方法
を構成する個々の要素について説明するとともに、図７
３に示す回路接続情報と、図６９に示す信号変化パター
ンと、図７５に示す素子電流量とを用いて図７４に示す
総電流量を算出する手順を説明する。

【０１９８】回路接続情報記憶手段９００１は、従来例
と同様に対象となる回路の接続情報である回路接続情報
を記憶するものであり、あらかじめ図７３に示すような
回路接続情報を記憶している。信号変化パターン記憶手
段９００２は、従来例の信号変化パターンと同様に対象
回路接続情報に印加する信号変化パターンを記憶するも
のであり、あらかじめ図６９に示すような図７３の入力
ポートＡ、Ｂ、Ｃに入力される信号変化パターンを記憶
している。素子電流量記憶手段９００３は、図７５で示
すような形式で各素子ごとに各素子の外部入力端子が変
化した後に素子内で発生する電流に関する変化ピン９３
０１と時間間隔（外部端子が変化してから電流の発生す
るまでの時間）９３０２と電流の総量９３０３とピーク
値９３０４の情報を有する。９３０５は、図１０８で示
すＡＮＤＯＲの回路素子について、入力Ａが変化してか
ら１ｎｓ後にピークを０．５ｍＡとする総量１ｍＡの電
流が流れ、入力Ａが変化してから２ｎｓ後にピークを
１．５ｍＡとする総量３ｍＡの電流が流れることを示し
ている。９３０６は、図１０８で示す回路素子につい
て、入力Ｂが変化してから１ｎｓ後にピークを０．５ｍ
Ａとする総量１ｍＡの電流が流れ、入力Ｂが変化してか
ら２ｎｓ後にピークを１．５ｍＡとする総量３ｍＡの電
流が流れることを示している。９３０７は、図１０８で
示す回路素子について、入力Ｃが変化してから２ｎｓ後
にピークを１．５ｍＡとする総量３ｍＡの電流が流れる
ことを示している。

【０１９９】総電流量算出手段９００５は、図７６に示
すようなフローチャートを有する。図７６に示す電流計
算方法のフローチャートでは、従来方法の電流計算方法
のステップ１５０４に対して、入力の変化に伴って素子
電流量記憶手段に記憶された素子電流量情報の時間間隔
を持って電流の総量とピーク値から電流の波形を矩形波
形を想定して計算する処理（ステップ９４０４）に変更
となる。ステップ９４０１で回路接続情報記憶手段９０
０１に記憶された図７３の回路接続情報を読み込む。ス
テップ９４０２で信号変化パターン記憶手段９００２に
記憶された図６９の信号変化パターンを読み込む。ステ
ップ９４０３で素子電流情報記憶手段９００３に記憶さ
れた図７５の素子電流量情報を読み込む。

【０２００】次にステップ９４０４で図６９の信号変化
パターンを図７３の回路接続情報に与え、信号伝播を行
うとともに、素子電流量情報内に記載された回路素子の
外部入力端子が信号変化を起こした際に、端子に対応す
る電流量をピーク値で平均化（矩形化）した電流波形を
外部入力端子の変化から時間間隔分だけ遅らせた時刻の
総電流量情報に加算する。信号伝播完了後、ステップ９
４０５で、算出された図７４に示す各時刻における総電
流量情報を総電流量記憶手段９００４に記憶する。これ
により、図７１に示す従来方式の電流に対して、図７４
に示すような実際に近い電流波形が得られる。

【０２０１】（実施形態１８）次に本発明の第１８の実
施形態（請求項１９）の不要輻射解析方法の実施例につ
いて説明する。本実施例は、不要輻射解析のうち、特に
回路素子がクロックに同期したレジスタ（信号保持）素
子である場合の特性抽出および電流量計算を行う場合を
示している。フリップフロップ等のレジスタ素子におい
ては、電流はクロックピンの信号変化の立ち上がりある
いは立ち下がりごとに生じる。例えば、図７７の回路に
対して図７８の信号変化パターンを与えると、図７９の
ような電流が流れる。前述の実施例同様、前記回路素子
を構成する各論理素子が活性化するごとに流れるが、従
来のゲートレベル消費電力解析ツールでは、これをフリ
ップフロップのデータ取り込み時、例えばクロックピン
の立ち上がり時のみで表していた。例えば、図７７の回
路に対して図７８の信号変化パターンを与えると、図８
０のような電流情報が出力される。

【０２０２】本実施例では、フリップフロップの場合電
流の流れるタイミングは主としてフリップフロップのク
ロックピンの立ち上がりと立ち下がりを基準として発生
することに着目して、クロックピンの立ち上がりおよび
立ち下がりを基準として電流を見積もる。図７２に実施
形態１４（請求項１５）のピーク電流値と電流量を用い
る手法を用いた請求項１９の不要輻射解析方法の実施例
についてその構成を示す。同図に示す不要輻射解析方法
に用いられる装置は、回路接続情報記憶手段９００１
と、信号変化パターン記憶手段９００２と、素子電流量
記憶手段９００３と、総電流量記憶手段９００４と、総
電流量算出手段９００５とからなる電流量解析手段を備
えている。

【０２０３】次に、これらの図７２の不要輻射解析方法
を構成する個々の要素について説明するとともに、図７
７に示す回路接続情報と、図７８に示す信号変化パター
ンと、図８１に示す素子電流量とを用いて図８２に示す
総電流量を算出する手順を説明する。

【０２０４】回路接続情報記憶手段９００１は、従来例
と同様に対象となる回路の接続情報である回路接続情報
を記憶するものであり、あらかじめ図７７に示すような
回路接続情報を記憶している。

【０２０５】信号変化パターン記憶手段９００２は、従
来例の信号変化パターンと同様に対象回路接続情報に印
加する信号変化パターンを記憶するものであり、あらか
じめ図７８に示すような図７７の入力ポートＣＫ、Ｄに
入力される信号変化パターンを記憶している。

【０２０６】素子電流量記憶手段９００３は、図８１に
示ような形式で各素子ごとにクロックの立ち上がりおよ
び立ち下がりそれぞれにおける回路素子の電流の総量９
９０１とピーク値９９０２を有する。

【０２０７】総電流量算出手段９００５は、図８３に示
すようなフローチャートを有する。図８３に示す電流計
算方法のフローチャートでは、従来方法の電流計算方法
のステップ１５０４に対して、クロックの立ち上がりお
よび立ち下がりそれぞれについて電流の総量とピーク値
から電流の波形を矩形波形で計算する処理（ステップ１
０１０４）に変更となる。

【０２０８】ステップ１０１０１で回路接続情報記憶手
段９００１に記憶された図７７の回路接続情報を読み込
む。ステップ１０１０２で信号変化パターン記憶手段９
００２に記憶された図７８の信号変化パターンを読み込
む。

【０２０９】ステップ１０１０３で素子電流情報記憶手
段９００３に記憶された図１１４の素子電流量情報を読
み込む。次にステップ１０１０４で図７８の信号変化パ
ターンを図７７の回路接続情報に与え、信号伝播を行う
とともに、素子電流量情報内に記載された回路素子の外
部入力端子が信号変化を起こした際に、立ち上がり、立
ち下がりそれぞれについて、端子に対応する電流量をピ
ーク値で平均化（矩形化）した電流波形を端子が変化し
た時刻の総電流量情報に加算する。

【０２１０】信号伝播完了後、ステップ１０１０５で、
算出された図８２に示す各時刻における総電流量情報を
総電流量記憶手段９００４に記憶する。これにより、図
８０に示す従来方式の電流に対して、図８２に示すよう
な実際に近い電流波形が得られる。

【０２１１】（実施形態１９）次に本発明の第１９の実
施形態（請求項２０）の不要輻射解析方法の実施例につ
いて説明する。従来のゲートレベル消費電力解析手段で
は、論理素子の入力信号値に応じて電流総量を変化させ
る、いわゆる状態依存の消費電力計算を行うことは出来
たが、電流の時間的変化やピーク値を含めた状態依存ま
では扱うことは出来なかった。

【０２１２】また、ある信号変化が発生した時の別の信
号の定常値を見るものはあったが、別の信号の信号変化
まで見るものはなかった。例えば、図８４に示す回路接
続情報と、図８５に示す信号変化パターンとにより図８
６で示す電流（Ａ、Ｂ端子が同時変化の場合とＡ端子の
み変化の場合に電流量が異なる）が流れるが、このよう
な場合に従来は図８７のような波形しか出すことが出来
なかった。

【０２１３】それに対して、本実施例は、電流の時間的
変化やピーク値を2つ以上の信号変化を考慮した状態依
存で持つことを特徴とする。図７２に実施形態１４（請
求項１５）のピーク電流値と電流量を用いる手法を用い
た請求項２０の不要輻射解析方法の実施例についてその
構成を示す。

【０２１４】同図に示す不要輻射解析方法に用いられる
装置は、回路接続情報記憶手段９００１と、信号変化パ
ターン記憶手段９００２と、素子電流量記憶手段９００
３と、総電流量記憶手段９００４と、総電流量算出手段
９００５とからなる電流量解析手段を備えている。

【０２１５】次に、これらの図７２の不要輻射解析方法
を構成する個々の要素について説明するとともに、図８
４に示す回路接続情報と、図８５に示す信号変化パター
ンと、図８８に示す素子電流量とを用いて図９０に示す
総電流量を算出する手順を説明する。

【０２１６】回路接続情報記憶手段９００１は、従来例
と同様に対象となる回路の接続情報である回路接続情報
を記憶するものであり、あらかじめ図８４に示すような
回路接続情報を記憶している。

【０２１７】信号変化パターン記憶手段９００２は、従
来例の信号変化パターンと同様に対象回路接続情報に印
加する信号変化パターンを記憶するものであり、あらか
じめ図８５に示すような図８４の入力ポートＡ、Ｂに入
力される信号変化パターンを記憶している。

【０２１８】素子電流量記憶手段９００３は、図８８で
示すような形式で各素子ごとに各素子の外部端子が変化
した時に素子内で発生する電流に関する変化ピンと、そ
の変化に影響を及ぼした他の外部ピンの論理変化状態
と、電流の総量と、ピーク値の情報を有する。

【０２１９】例えば、１０６０１は、図８４で示すＮＡ
ＮＤの回路素子について、出力Ｙが変化した時に入力Ａ
が論理値１であり、入力Ｂが論理値０から１に変化する
場合ピークを１ｍＡとする総量３ｍＡの電流が流れるこ
とを示している。

【０２２０】総電流量算出手段９００５は、図８９に示
すようなフローチャートを有する。図８９に示す電流計
算方法のフローチャートでは、従来方法の電流計算方法
のステップ１５０４に対して、信号変化が発生した時、
その変化に影響した他の端子の状態を判断して信号変化
が発生した時刻に電流の総量とピーク値から電流の波形
を矩形波形を想定して計算する処理（ステップ１０７０
４）に変更となる。

【０２２１】ステップ１０７０１で回路接続情報記憶手
段９００１に記憶された図８４の回路接続情報を読み込
む。ステップ１０７０２で信号変化パターン記憶手段９
００２に記憶された図８５の信号変化パターンを読み込
む。ステップ１０７０３で素子電流情報記憶手段９００
３に記憶された図８８の素子電流量情報を読み込む。

【０２２２】次にステップ１０７０４で図８５の信号変
化パターンを図８４の回路接続情報に与え、信号伝播を
行うとともに、素子電流量情報内に記載された回路素子
の外部端子が信号変化を起こした際に、他の端子の状態
に応じて端子に対応する電流量をピーク値で平均化（矩
形化）した電流波形を信号時刻の総電流量情報に加算す
る。

【０２２３】信号伝播完了後、ステップ１０７０５で、
算出された図９０に示す各時刻における総電流量情報を
総電流量記憶手段９００４に記憶する。これにより、図
δに示す従来方式の電流に対して、図ｄに示すような実
際に近い電流波形が得られる。

【０２２４】（実施形態２０）図９１は本発明の第２０
の実施の形態に係る不要輻射解析手法の全体フローを示
したブロック図であり、第７の実施の形態において図２
８を用いて説明した不要輻射解析手法に対し、ステップ
Ｇ２を追加し、データＡ１０をデータＧ３に、またステ
ップＡ１１をステップＧ４に変更した構成となってい
る。第１の実施の形態で説明した不要輻射解析手法と同
一部分については同一符号を付して説明を省略する。

【０２２５】Ｇ２は各々セル固有の各種情報を作り込む
セルキャラクタライズ部である。Ｇ３は電流量と電源電
圧降下量の関係を示した各セル毎のＩ−Ｖテーブルファ
イル（もしくはＩ−Ｖ関数）である。Ｇ４は電源電圧降
下量を算出し、ステップ１１から算出された瞬間電流の
補正を行う電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部であ
る。

【０２２６】以下、ステップＧ２について説明する。ス
テップＧ２ではライブラリ３が入力され、各々セル単体
において電源電圧を変動させた時の電流量を予め算出す
ることにより、各セル毎のＩ−Ｖテーブルファイル（も
しくはＩ−Ｖ関数）Ｇ３が生成される。

【０２２７】図９２は本発明の第２０の実施の形態にお
ける電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部Ｇ４の処理
フローを示したブロック図であり、本図を参照しながら
ステップＧ４の機能を説明する。

【０２２８】尚、第７の実施の形態で説明した不要輻射
解析手法と同一部分については同一符号を付して説明を
省略する。また、データ１２は第１の実施の形態で詳細
を説明しているため、同一符号を付して説明を省略す
る。ステップＧ４は、第７の実施の形態におけるステッ
プＡ１１に対し、電流値補正処理部Ｂ１２をＨ１に変更
した構成となっている。

【０２２９】以下、ステップＨ１について説明する。ス
テップＨ１では第７の実施の形態におけるステップＢ１
０より生成されたインスタンス毎の電圧降下値情報Ｂ１
１と前記ステップＧ２より生成された電流量と電源電圧
降下量の関係を示した各セル毎のＩ−Ｖテーブルファイ
ル（もしくはＩ−Ｖ関数）Ｇ３が入力され、前記ステッ
プ１１より生成された瞬間電流算出結果１２に基づいた
インスタンス毎の瞬間電流情報Ｂ１に対して、各セル毎
の異なるテーブルファイルに基づいた補正処理が施され
ることにより、各インスタンス毎に電源配線抵抗成分に
依存する電源電圧降下を考慮した瞬間電流算出結果Ａ６
が生成される。

【０２３０】以上のように、本発明の第２０の実施の形
態の不要輻射解析方法によれば、各セル毎に予め電流量
と電源電圧降下量の関係をキャラクタライズし適用する
ことにより、本発明の第７の実施の形態におけるＩ−Ｖ
テーブルファイル（もしくはＩ−Ｖ関数）Ａ１０を使用
した全セル一律の電流量と電源電圧降下量の関係で解析
を行うのに対して、セル（レイアウト）構成依存性を反
映させることが出来るため、より正確な電流波形のモデ
リングが実現でき、電流波形をＦＦＴ処理することで得
られる解析対象回路の周波数特性において、不要な高調
波成分の低減が可能となる。また、本実施の形態２０で
は第1の実施の形態において説明したが、第１４〜１９
の実施の形態のそれぞれにおいても同様の効果が得られ
る。

【０２３１】（実施形態２１）図９３は本発明の第２１
の実施の形態に係る不要輻射解析手法の全体フローを示
したブロック図であり、第８の実施の形態において図３
６を用いて説明した不要輻射解析手法に対し、ステップ
Ｉ１を追加し、データＣ１を削除し、データＡ１０をデ
ータＩ２に、またステップＣ２をステップＩ３に変更し
た構成となっている。

【０２３２】第１の実施の形態で説明した不要輻射解析
手法と同一部分については同一符号を付して説明を省略
する。Ｉ１は各々セル固有の各種情報を作り込むセルキ
ャラクタライズ部である。Ｉ２は電流量と電源電圧降下
量及び近接電源・グランド間デカップリング容量の関係
を示した各セル毎のＩ、Ｃ−Ｖテーブルファイル（もし
くはＩ、Ｃ−Ｖ関数）である。Ｉ３は電源電圧降下量を
算出し、ステップ１１より生成された瞬間電流算出結果
１２の補正を行う電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理
部である。

【０２３３】以下、ステップＩ１について説明する。ス
テップＩ１ではライブラリ３が入力され、各々セル単体
において電源電圧を変動させることに加えて、電源・グ
ランド間デカップリング容量も考慮に入れて同様に変動
させた時の電流量を予め算出することにより、各セル毎
のＩ、Ｃ−Ｖテーブルファイル（もしくはＩ、Ｃ−Ｖ関
数）Ｉ２が生成される。

【０２３４】図９４は本発明の第２１の実施の形態にお
ける電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部Ｉ３の処理
フローを示したブロック図であり、本図を参照しながら
ステップＩ３の機能を説明する。尚、第８の実施の形態
で説明した不要輻射解析手法と同一部分については同一
符号を付して説明を省略する。また、データ１２は第１
の実施の形態で詳細を説明しているため、同一符号を付
して説明を省略する。

【０２３５】ステップＩ３は、第８の実施の形態におけ
るステップＣ２に対し、電流値補正処理部Ｂ１２をＪ１
に変更した構成となっている。

【０２３６】以下、ステップＪ１について説明する。ス
テップＪ１では第８の実施の形態におけるステップＢ１
０より生成されたインスタンス毎の電圧降下値情報Ｂ１
１と前記ステップＩ１より生成された電流量と電源電圧
降下量及び近接電源・グランド間デカップリング容量の
関係を示した各セル毎のＩ、Ｃ−Ｖテーブルファイル
（もしくはＩ、Ｃ−Ｖ関数）Ｉ２と第８の実施の形態に
おけるステップＤ１より生成された電源・グランド配線
における各セグメント間の容量値情報Ｄ２が入力され、
前記ステップ１１より生成された瞬間電流算出結果１２
に基づいたインスタンス毎の瞬間電流情報Ｂ１に対し
て、各セル毎の異なるテーブルファイルに基づいた補正
処理が施されることにより、各インスタンス毎に電源配
線抵抗成分に加えてデカップリング容量成分に依存する
電源電圧変動を考慮した瞬間電流算出結果Ａ６が生成さ
れる。

【０２３７】以上のように、本発明の第２１の実施の形
態の不要輻射解析方法によれば、各セル毎に予め電流量
と電源電圧降下量及び電源・グランド間デカップリング
容量の関係をキャラクタライズし適用することにより、
本発明の第８の実施の形態におけるＩ−Ｖテーブルファ
イル（もしくはＩ−Ｖ関数）Ａ１０及びＣ−Ｖテーブル
ファイル（もしくはＣ−Ｖ関数）Ｃ１を使用した全セル
一律の電流量と電源電圧降下量及び電源・グランド間デ
カップリング容量の関係で解析を行うのに対して、セル
（レイアウト）構成依存性を反映させることが出来るた
め、より一層正確な電流波形のモデリングが実現でき、
電流波形をＦＦＴ処理することで得られる解析対象回路
の周波数特性において、不要な高調波成分の低減がさら
に可能となる。

【０２３８】また、本実施の形態２１では第1の実施の
形態において説明したが、第１４〜１９の実施の形態の
それぞれにおいても同様の効果が得られる。

【０２３９】（実施形態２２）図９５は本発明の第２２
の実施の形態に係る不要輻射解析手法の全体フローを示
したブロック図であり、第７の実施の形態において図２
８を用いて説明した不要輻射解析手法に対し、判定ステ
ップＫ１を追加した構成となっている。 第１の実施の
形態で説明した不要輻射解析手法と同一部分については
同一符号を付して説明を省略する。Ｋ１は電源電圧降下
算出／瞬間電流補正処理部Ａ１１より生成される電源電
圧降下を考慮した瞬間電流算出結果Ａ６を次ステップの
入力とするかの比較判定処理部である。以下、ステップ
Ｋ１について説明する。本発明の第２２の実施の形態の
特徴は、電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理部Ａ１１
より生成される電源電圧降下を考慮した瞬間電流算出結
果Ａ６を再度、前記ステップＡ１１の入力にし、再度新
たに電源電圧降下を考慮した瞬間電流算出結果Ａ６が生
成されることを繰り返し処理することにある。

【０２４０】ステップＫ１では、その繰り返し処理回数
が予め設定した回数に達したかの比較判定を行い、その
比較判定結果が真になれば繰り返し処理を終了し、次の
ステップであるＦＦＴ処理部９を実施する。

【０２４１】以上のように、本発明の第２２の実施の形
態の不要輻射解析方法によれば、電源電圧変動の影響を
考慮して補正・算出した瞬間電流結果を、更にフィード
バックして電源電圧降下算出／瞬間電流補正処理を繰り
返すことにより、電源電圧降下による電流量変化を安定
させることが出来るため、より正確な電流波形のモデリ
ングが実現でき、電流波形をＦＦＴ処理することで得ら
れる解析対象回路の周波数特性において、不要な高調波
成分の低減が可能となる。

【０２４２】尚、前記ステップＫ１では予め設定する回
数により繰り返し処理を制御したが、前記ステップＡ１
１より生成された電源電圧降下を考慮した瞬間電流算出
結果Ａ６を一旦記憶しておく記憶装置を設け、前記ステ
ップＡ１１にその記憶装置に格納された瞬間電流算出結
果Ａ６を再入力して、新たに生成された瞬間電流算出結
果Ａ６と元々記憶装置に格納されている瞬間電流算出結
果Ａ６との比較判定を行い、予め設定した許容誤差範囲
内に収まるまで繰り返し処理を行う制御方法で代用する
ことも可能である。

【０２４３】また、本実施の形態２２では第７の実施の
形態において説明したが、第８、９、２０、２１の実施
の形態のそれぞれについても同様の効果が得られる。

【０２４４】（実施形態２３）次に本発明の第２３の実
施形態について説明する。実施形態１４〜２２では各セ
ルの種類毎にそのセルのピーク電流値とイベント毎の瞬
間的な変化電流量をキャラクタライズすることにより、
論理シミュレータからの各セルのイベント情報から各セ
ルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化電流
を波高値をそのセルのピーク電流値とした矩形波にモデ
ル化することにより、電流変化を得たが、この方法で
は、その瞬間的な電流波形を三角波にモデル化すること
により、より現実に近い電流変化を得ることができる。

【０２４５】以下にその例として、瞬間的な変化電流を
高さをキャラクタライズしたピーク電流値とし、時間幅
を瞬間電流値が面積となるように算出した三角波にモデ
ル化することにより、より現実に近い電流変化を算出
し、その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対
象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する
方法を説明する。

【０２４６】図９６に本実施の形態における瞬間電流値
とモデル化した三角波を示す。ｉは瞬間電流値であり、
ｔは現在処理時刻である。ｈはモデル化する三角波の高
さであり、各セル毎に三角波の高さをキャラクタライズ
したライブラリを用いて抽出する。ｗは三角波の時間幅
であり、ｉと先に抽出したｈを用いて算出する。時刻ｔ
＋ｘにおける電流値は前述の式５で表される。また時刻
ｔ−ｘにおける電流値も式５で表される。

【０２４７】本実施形態の全体フローのブロック図は実
施形態１と同様である。（図１） 図９７に本実施形態における電流波形算出処理部７の詳
細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４から
の各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流変
化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理シ
ミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様であ
る。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間電
流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例を
示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形が
δ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析する
ことができない。ここまでは実施形態１の電流波形算出
処理と同じである。１３０はピーク電流ライブラリであ
り、各セルの種類毎にそのセルのピーク電流値をキャラ
クタライズした値が含まれている。１６０はピーク電流
ライブラリ１３０からモデル化する三角波の波高値を抽
出する三角波高算出処理部である。１６１は三角波の面
積が瞬間電流値になるように、三角波高算出処理部１６
０から抽出された三角波の波高値と瞬間電流値を用いて
三角波の波幅を算出する三角波幅算出処理部である。１
６２は瞬間電流算出結果１２を高さが三角波高算出処理
部１６０から抽出された三角波の波高値であり、幅が三
角波幅算出処理部１６１から算出された波幅である三角
波にモデル化する三角波整形処理部である。

【０２４８】図９８に三角波高算出処理、三角波幅算出
処理を含めた三角波整形処理フローを示す。まずピーク
電流ライブラリ１３０を読み込む（１１６０）以下の処
理は電流波形算出処理が終了するまで各イベント毎に繰
り返す（１１６１）。まず、ピーク電流ライブラリ１３
０から処理対象インスタンスのピーク電流値を抽出し、
それを三角波の波高ｈとする（１１６２）。この処理が
三角波高算出処理１６０に相当する。次に三角波の面積
はｗを三角波の幅とするとｗ×ｈ／２であり、処理対象
イベントのセルに関する瞬間電流値と等しい。そこで２
×ｉ／ｈにより三角波の幅ｗを算出する（１１６３）。
ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値であ
る。この処理が三角波幅算出処理部１６１に相当する。
次に変数ｘが０からｗ／２までＩ（ｔ＋ｘ）とＩ（ｔ−
ｘ）に式５を加算し、ｘにΔｔ加える（１１６４）（１
１６５）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全てのセ
ルの電流値であり、Ｉ（ｔ−ｘ）は時刻ｔ−ｘにおける
全てのセルの電流値である。この処理が三角波整形処理
部１６２に相当する。

【０２４９】上記、三角波高算出処理と三角波幅算出処
理と三角波整形処理フローにより電流波形算出結果８を
得ることができる。この電流波形算出結果８をＦＦＴ処
理部９がＦＦＴ処理することによりＥＭＩ成分の周波数
特性を得ることができ、ＥＭＩ解析結果１０を得る事が
できる。

【０２５０】（実施形態２４）次に本発明の第２４の実
施形態について説明する。 実施形態１４〜２２では各
セルの種類毎にそのセルのピーク電流値とイベント毎の
瞬間的な変化電流量をキャラクタライズすることによ
り、論理シミュレータからの各セルのイベント情報から
各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化
電流を波高値をそのセルのピーク電流値とした矩形波に
モデル化することにより、電流変化を得たが、この方法
では、その瞬間的な電流波形を複数次関数にモデル化す
ることにより、より現実に近い電流変化を得ることがで
きる。以下にその例として、瞬間的な変化電流を高さを
キャラクタライズしたピーク電流値とし、時間幅を瞬間
電流値が面積となるように算出した複数次関数にモデル
化することにより、より現実に近い電流変化を算出し、
その電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回
路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する方法
を説明する。

【０２５１】図９９に本実施の形態における瞬間電流値
とモデル化した複数次関数を示す。ｉは瞬間電流値であ
り、ｔは現在処理時刻である。ｈはモデル化する複数次
関数の高さであり、各セル毎に複数次関数の高さをキャ
ラクタライズしたライブラリを用いて抽出する。ｗは複
数次関数の時間幅に関する値であり、ｉと先に抽出した
ｈを用いて算出する。複数次関数の時間幅を２×ｗとす
ると時刻ｔ＋ｘにおける電流値は前述の式６で表され
る。この複数次関数の面積は前述の式８で表される。こ
の値はｉと等しいため、ａは前述の式９で表される。複
数次関数の高さｈは前述の式６においてｘ＝０のときで
あるので、前述の式７で表される。式７、９の関係から
ｗは式１４

【数１４】 で表される。

【０２５２】本実施形態の全体フローのブロック図は実
施形態１と同様である。（図１） 図１００に本実施形態における電流波形算出処理部７の
詳細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４か
らの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流
変化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理
シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様で
ある。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間
電流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例
を示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形
がδ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析す
ることができない。ここまでは実施形態１の電流波形算
出処理と同じである。

【０２５３】１３０はピーク電流ライブラリであり、各
セルの種類毎にそのセルのピーク電流値をキャラクタラ
イズした値が含まれている。１７０はピーク電流ライブ
ラリ１３０からモデル化する複数次関数の波高値を抽出
する複数次関数波高算出処理部である。１７１は複数次
関数の面積が瞬間電流値になるように、複数次関数波高
算出処理部１７０から抽出された複数次関数の波高値と
瞬間電流値を用いて複数次関数の波幅を算出する複数次
関数波幅算出処理部である。１７２は瞬間電流算出結果
１２を高さが複数次関数波高算出処理部１７０から抽出
された複数次関数の波高値であり、幅が複数次関数波幅
算出処理部１７１から算出された波幅である複数次関数
にモデル化する複数次関数波整形処理部である。

【０２５４】図１０１に複数次関数波高算出処理、複数
次関数波幅算出処理を含めた複数次関数波整形処理フロ
ーを示す。まずピーク電流ライブラリ１３０を読み込む
（１１７０）。以下の処理は電流波形算出処理が終了す
るまで各イベント毎に繰り返す（１１７１）。まず、ピ
ーク電流ライブラリ１３０から処理対象インスタンスの
ピーク電流値を抽出し、それを複数次関数の波高ｈとす
る（１１７２）。この処理が複数次関数波高算出処理１
７０）に相当する。次に前述の式１４によりｗを算出す
る（１１７３）。ｉは処理対象イベントのセルに関する
瞬間電流値である。この処理が複数次関数波幅算出処理
部１７１に相当する。次に変数ｘが−ｗからｗまでＩ
（ｔ＋ｘ）に前述の式６を加算し、ｘにΔｔ加える（１
１７４）（１１７５）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにお
ける全てのセルの電流値である。この処理が複数次関数
波整形処理部１７２に相当する。

【０２５５】上記、複数次関数波高算出処理と複数次関
数波幅算出処理と複数次関数波整形処理フローにより電
流波形算出結果８を得ることができる。この電流波形算
出結果８をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することにより
ＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析
結果１０を得る事ができる。

【０２５６】（実施形態２５）次に本発明の第２５の実
施形態について説明する。 実施形態１４〜２２では各
セルの種類毎にそのセルのピーク電流値とイベント毎の
瞬間的な変化電流量をキャラクタライズすることによ
り、論理シミュレータからの各セルのイベント情報から
各セルの瞬間的な変化電流を算出し、その瞬間的な変化
電流を波高値をそのセルのピーク電流値とした矩形波に
モデル化することにより、電流変化を得たが、この方法
では、その瞬間的な電流波形を複素関数にモデル化する
ことにより、より現実に近い電流変化を得ることができ
る。

【０２５７】以下にその例として、瞬間的な変化電流を
各セルの種類毎に高さと時間幅をキャラクタライズした
複数次関数にモデル化することにより、より現実に近い
電流変化を算出し、その電流波形算出結果をＦＦＴする
ことにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数特性を得、
ＥＭＩ解析する方法を説明する。

【０２５８】図５０に本実施の形態における瞬間電流値
とモデル化した複素関数を示す。ｉは瞬間電流値であ
り、ｔは現在処理時刻である。ｈはモデル化する関数の
高さであり、各セルの種類毎にキャラクタライズされた
ピーク電流値と同じである。ｗはモデル化する関数の時
間幅であり、各セルの種類毎にキャラクタライズされた
値である。今回の例ではモデル化する複素関数の式を前
述の式１１とする。この関数はガウス関数と呼ばれてい
る。この式においてｘ＝０のとき、この式の値はｈとな
るため、ｈはガウス関数の高さを表している。この式に
おいてｘ＝３×ｗの時、この式の値は０．０００１×ｈ
となり、高さの０．０１％となる。そこでこの値をモデ
ル化する関数の時間幅の限界とし、関数の時間幅を６×
ｗとした。

【０２５９】本実施形態の全体フローのブロック図は実
施形態１と同様である。（図１） 図１０２に本実施形態における電流波形算出処理部７の
詳細なブロック図を示す。１１は論理シミュレータ４か
らの各セルのイベント情報５から各セルの瞬間的な電流
変化を算出する瞬間電流算出処理部であり、従来の論理
シミュレーションにおける消費電力算出の技術と同様で
ある。１２は瞬間電流算出処理部１１から算出した瞬間
電流算出結果である。図３に瞬間電流算出結果１２の例
を示す。この図のように瞬間電流算出結果では電流波形
がδ関数になるため、ＦＦＴによりＥＭＩ成分を解析す
ることができない。ここまでは実施形態１の電流波形算
出処理と同じである。そして、ガウス関数波高算出処理
部１８０で、各セルの種類毎にそのセルのピーク電流値
をキャラクタライズした値を含んだピーク電流ライブラ
リ１３０からモデル化するガウス関数の波高値が抽出さ
れる。１８１は波幅ライブラリであり、各セルの種類毎
にそのセルの波幅をキャラクタライズした値が含まれて
いる。１８２は波幅ライブラリ１８１からモデル化する
ガウス関数の波幅値を抽出するガウス関数波幅算出処理
部である。

【０２６０】１８３は瞬間電流算出結果１２を高さがガ
ウス関数波高算出処理部１８０から抽出されたガウス関
数の波高値であり、幅がガウス関数波幅算出処理部１８
２から算出された波幅であるガウス関数にモデル化する
ガウス関数波整形処理部である。

【０２６１】図１０３にガウス関数波高算出処理、ガウ
ス関数波幅算出処理を含めたガウス関数波整形処理フロ
ーを示す。まずピーク電流ライブラリ１３０を読み込む
（１１８０）。次に波幅ライブラリ１８１を読み込む
（１１８１）。

【０２６２】以下の処理は電流波形算出処理が終了する
まで各イベント毎に繰り返す（１１８２）。まず、ピー
ク電流ライブラリ１３０から処理対象インスタンスのピ
ーク電流値を抽出し、それをガウス関数の波高ｈとする
（１１８３）。この処理がガウス関数波高算出処理１８
０に相当する。次に波幅ライブラリ１８１から処理対象
インスタンスの波幅値を抽出し、それをガウス関数の波
幅ｗとする（１１８４）。この処理がガウス関数波幅算
出処理１８２に相当する。次に変数ｘが−３×ｗから３
×ｗまでＩ（ｔ＋ｘ）に前述の式１１を加算し、ｘにΔ
ｔ加える（１１８５）（１１８６）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時
刻ｔ＋ｘにおける全てのセルの電流値でありである。こ
の処理がガウス関数波整形処理部１８３に相当する。

【０２６３】上記、複数次関数波高算出処理と複数次関
数波幅算出処理と複数次関数波整形処理フローにより電
流波形算出結果８を得ることができる。この電流波形算
出結果８をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理することにより
ＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭＩ解析
結果１０を得る事ができる。

【０２６４】（実施形態２６）次に第２６の実施形態の
不要輻射解析方法について説明する。実施形態２６は、
実施形態１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、
２１、２２における個々の回路素子（セル）における電
流波形情報を、貫通電流に依存する要素と、チャージ電
流に依存する要素に分けてモデル化することを特徴とす
る。実施形態２６の場合、実施形態１３と異なり、個々
の回路素子（セル）についてのモデル化を行うため、よ
り正確な電流のモデル化が可能となる。

【０２６５】例えば、図１１０に示す回路接続情報と、
図１２に示す信号変化パターンとにより図１０４で示す
電流が流れるが、このような場合に従来は図１４のよう
な波形しか出すことが出来なかった。また、実施形態１
３でも図５８に示すような波形であった。本実施例では
これに対してより正確に電流を表すことが出来る。図７
２に実施形態１４のピーク電流値と電流量を用いる手法
を用いた実施形態２６の不要輻射解析方法の実施例につ
いてその構成を示す。

【０２６６】同図に示す不要輻射解析方法に用いられる
装置は、回路接続情報記憶手段９００１と、信号変化パ
ターン記憶手段９００２と、素子電流量記憶手段９００
３と、総電流量記憶手段９００４と、総電流量算出手段
９００５とからなる電流量解析手段を備えている。

【０２６７】次に、これらの図７２の不要輻射解析方法
を構成する個々の要素について説明するとともに、図１
１０に示す回路接続情報と、図１２に示す信号変化パタ
ーンと、図１０５に示す素子電流量とを用いて図１０６
に示す総電流量を算出する手順を説明する。

【０２６８】回路接続情報記憶手段９００１は、従来例
と同様に対象となる回路の接続情報である回路接続情報
を記憶するものであり、あらかじめ図１１０に示すよう
な回路接続情報を記憶している。

【０２６９】信号変化パターン記憶手段９００２は、従
来例の信号変化パターンと同様に対象回路接続情報に印
加する信号変化パターンを記憶するものであり、あらか
じめ図１１１に示すような図１１０の入力ポートＣＫ、
Ｄに入力される信号変化パターンを記憶している。

【０２７０】素子電流量記憶手段９００３は、図１０５
に示ような形式で各素子ごとに個々の回路素子（セル）
の貫通電流の総量とピーク値、チャージ電流の総量とピ
ーク値をそれぞれ有する。

【０２７１】総電流量算出手段９００５は、図１０７に
示すようなフローチャートを有する。図１０７に示す電
流計算方法のフローチャートでは、従来方法のステップ
１５０４に対して電流計算において計算された貫通電流
とチャージ電流それぞれに対してピーク値と総量から定
まる矩形電流波形を計算しそれらの電流波形をマージす
る処理（ステップ１２５０４）に変更となる。ステップ
１２５０１で回路接続情報記憶手段９００１に記憶され
た図１１０の回路接続情報を読み込む。

【０２７２】ステップ１２５０２で信号変化パターン記
憶手段９００２に記憶された図１１１の信号変化パター
ンを読み込む。ステップ１２５０３で素子電流情報記憶
手段９００３に記憶された図１０５の素子電流量情報を
読み込む。次にステップ１２５０４で図１１１の信号変
化パターンを図１１０の回路接続情報に与え、信号伝播
を行うとともに、素子電流量情報内に記載された回路素
子の外部端子が信号変化を起こした際に、端子に対応す
る電流量の貫通電流成分とチャージ電流成分それぞれを
それぞれのピーク値で平均化（矩形化）した電流波形を
端子が変化した時刻の総電流量情報に加算する。信号伝
播完了後、ステップ１２５０５で、算出された図１０６
に示す各時刻における総電流量情報を総電流量記憶手段
９００４に記憶する。これにより、図１４に示す従来方
式の電流に対して、図１０６に示すような実際に近い電
流波形が得られる。

【０２７３】（実施形態２７）次に本発明の第２７の実
施形態について説明する。 実施形態１０では論理シミ
ュレータからの各セルのイベント情報から各セルの瞬間
的な変化電流を算出し、その瞬間的な電流波形を三角波
にモデル化することにより、より現実に近い電流変化を
得ることができることを説明したが、この実施形態２７
では、さらに出力スリュー情報すなわちセルの出力端子
における信号の変化開始から終了までの時間を考慮して
電流波形を算出するようにしたことを特徴とする。以下
にその例として、瞬間的な変化電流を三角波の面積が各
イベントの電流量になるように、各イベント情報毎にセ
ルの出力端子におけるスリュー情報を考慮して幅を算出
するとともに、この幅に基づいて高さを算出することに
より三角波状にモデル化し、現存のライブラリをそのま
ま使用してさらにより現実に近い電流変化を算出し、そ
の電流波形算出結果をＦＦＴすることにより、対象回路
のＥＭＩ成分の周波数特性を得、ＥＭＩ解析する方法を
説明する。

【０２７４】図１１７に本実施の形態における不要輻射
解析方法を実行するための論理値（図１１７（ａ））と
モデル化した三角波（図１１７（ｂ））を示す。ｔは現
在処理時刻である。Ｗはモデル化する三角波の時間幅で
あり、出力スリュー情報を考慮して各セルのイベント情
報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、決定される
幅である。ｈは三角波の高さであり、ｉとＷから算出す
る。ｈ＝２×Ｉ/Ｗ本実施形態の全体フローのブロック
図は実施形態１と同様である。（図１）図１１８に本実
施形態における不要輻射解析方法を実行するための装置
構成を示す。同図に示す不要輻射解析方法に用いられる
装置は、信号変化パターン記憶手段１１７１と、素子電
流量記憶手段１１７２と、出力スリュー情報記憶手段１
１７３と、これら信号変化パターン記憶手段１１７１、
素子電流量記憶手段１１７２、および出力スリュー情報
記憶手段１１７３と、回路接続情報記憶手段１１７４に
もとづいて、電流波形を算出する電流波形算出手段１１
７５とから構成されており、電流波形算出結果１１７６
を出力するようになっている。

【０２７５】図１１９に三角波の幅および高さ算出処理
を含めた三角波整形処理フローを示す。以下の処理は、
出力スリューの読み込み（１１９０）後、電流波形算出
処理が終了するまで各イベント毎に繰り返す（１１９
１）。イベント変化点を中心とし、底辺を出力スリュー
として抽出し（１１９２）、その面積を電流量とする２
等辺三角形をそのイベントによる電流波形とする。三角
波の面積はＷ×ｈ／２であり、その値はｉである。そこ
で２×ｉ／Ｗにより三角波の高さｈを算出する（１１９
３）。ｉは処理対象イベントのセルに関する瞬間電流値
である。この処理が実施形態１０における三角波高算出
処理部１００に相当する。次に変数ｘが０からＷ／２ま
でＩ（ｔ＋ｘ）とＩ（ｔ−ｘ）に（２×ｈ/Ｗ）・ｘ＋
ｈを加算し、ｘにΔｔ加える（１１９４）（１１９５）
（１１９６）。Ｉ（ｔ＋ｘ）は時刻ｔ＋ｘにおける全て
のセルの電流値であり、Ｉ（ｔ−ｘ）は時刻ｔ−ｘにお
ける全てのセルの電流値である。この処理が三角波整形
処理部１０１に相当する。

【０２７６】上記、三角波高算出処理と三角波整形処理
フローにより電流波形算出結果１１７６を得ることがで
きる。この波形をＦＦＴ処理部９がＦＦＴ処理すること
によりＥＭＩ成分の周波数特性を得ることができ、ＥＭ
Ｉ解析結果１０を得る事ができる。

【０２７７】この方法によれば、現在使用している消費
電力解析ツール・遅延検証で使用している情報のみによ
り、電流の推定を十分に精度よく行うことができる。

【０２７８】（実施形態２８）次に本発明の第２８の実
施形態について説明する。 この方法では実施形態２７
に加えて、各イベントが立ち上がりか立ち下がりかの条
件を考慮して電流波形の算出を行うようにしたことを特
徴とする。 図１２０に本実施の形態における不要輻射
解析方法を実行するための論理値（図１２０（ａ））と
モデル化した三角波（図１２０（ｂ））を示す。ｔは現
在処理時刻である。Ｗはモデル化する三角波の時間幅で
あり、出力スリュー情報を考慮して各セルのイベント情
報から各セルの瞬間的な変化電流を算出し、決定される
幅である。すなわち、ライズ/フォール依存係数記憶手
段１２０７を導入することにより、電流波形算出手段１
２０５では、各イベントのライズ/フォールに応じて電
流波形を算出する。

【０２７９】本実施形態の全体フローのブロック図は実
施形態１と同様である。（図１） 図１２１に本実施形態における不要輻射解析方法を実行
するための装置構成を示す。同図に示す不要輻射解析方
法に用いられる装置は、信号変化パターン記憶手段１２
０１と、素子電流量記憶手段１２０２と、出力スリュー
情報記憶手段１２０３と、これら信号変化パターン記憶
手段１２０１、素子電流量記憶手段１２０２、および出
力スリュー情報記憶手段１２０３と、回路接続情報記憶
手段１２０４にもとづいて、電流波形を算出する電流波
形算出手段１２０５とから構成されており、電流波形算
出結果１２０６を出力するようになっている。

【０２８０】この実施形態２８では、実施形態２７の方
法に加えてさらにライズ/フォール依存係数記憶手段１
２０７を参照して各イベントが立ち上がりか立ち下がり
かを考慮して電流波形を算出するようにしたことを特徴
とするもので、現存のライブラリをそのまま利用してさ
らにより現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算
出結果をＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分
の周波数特性を得、ＥＭＩ解析を行うことが可能とな
る。

【０２８１】（実施形態２９）次に本発明の第２９の実
施形態について説明する。この方法では複合セルとして
解析するもので、イベント情報と、セル内部のスパイス
ネットリストから決定されるセルの段数と、出力負荷容
量と、入力スリュー情報と、入力スリューと電流量との
関係と、入力変化時刻あるいは遅延時間とに基づいて、
電流量を推定する。ここでは出力負荷容量と、入力スリ
ューと電流量との関係を示すテーブルを用いて、１回の
イベントで流れる電流量情報を計算する。 図１２２に
本実施の形態における不要輻射解析方法を実行するため
の論理値（図１２２（ａ））とモデル化した三角波（図
１２２（ｂ））を示す。ｔ_dは遅延時間、ｔは現在処理
時刻である。Ｗはモデル化する三角波の時間幅であり、
多段による遅延時間ｔ_dを考慮した出力スリュー情報に
基づいて各セルとしてのイベント情報から各セルの瞬間
的な変化電流を算出し、決定される幅である。ここでは
あらかじめ出力負荷に依存しない電流量（非依存電流
量）を算出し、記憶しておき、出力の変化点を中心と
し、底辺を出力スリューとし、出力負荷にこの非依存電
流量すなわちを電流量―容量０のときの電流量を面積と
する三角波と、この遅延時間内にセルの段数に分割され
た三角波とを用いるようにしたことを特徴とする。この
方法では図１２３に示すように、実施形態２７に加え
て、負荷容量・スリュー依存素子電流量情報テーブル１
２２６と、これにもとづいて素子電流量を算出する素子
電流量算出手段１２２７と、この算出された無負荷素子
電流量を記憶する無負荷素子電流量記憶手段１２２８と
を付加し、電流波形の算出を行うようにしたことを特徴
とする。同図に示す不要輻射解析方法に用いられる装置
は、負荷容量・スリュー依存素子電流量情報テーブル１
２２６と、これにもとづいて素子電流量を算出する素子
電流量算出手段１２２７と、この算出された無負荷素子
電流量を記憶する無負荷素子電流量記憶手段１２２８
と、信号変化パターン記憶手段１２２１と、素子電流量
算出手段１２２７によって算出されたイベント時の素子
電流量を記憶する素子電流量記憶手段１２２２と、出力
スリュー情報記憶手段１２２３と、これら信号変化パタ
ーン記憶手段１２２１、素子電流量記憶手段１２２２、
および出力スリュー情報記憶手段１２２３と、回路接続
情報記憶手段１２２４と、当該複合セルの接続段数を記
憶する段数記憶手段１２２９と、前記無負荷素子電流量
記憶手段１２２８の出力とにもとづいて、電流波形を算
出する電流波形算出手段１２２５とから構成されてお
り、電流波形算出結果１２２６を出力するようになって
いる。

【０２８２】この実施形態２９では、イベント変化点か
ら過去にさかのぼって入力変化時刻までの間に、総面積
が容量０のときの電流量となるようにセルの段数分だけ
の複数の三角波が収まるようにしたことを特徴とするも
ので、現存のライブラリをそのまま利用してさらにより
現実に近い電流変化を算出し、その電流波形算出結果を
ＦＦＴすることにより、対象回路のＥＭＩ成分の周波数
特性を得、ＥＭＩ解析を行うことが可能となる。

【０２８３】

【発明の効果】本発明は、不要輻射の主要因とも言える
電源電流の変化を高精度に解析することで、シミュレー
ションにおけるＬＳＩの不要輻射評価を実現している。
しかも、課題解決を実現する上において、ゲートレベ
ルシミュレーションをベースに高精度電源電流解析機能
を追加することで、トランジスタレベル電流解析を用い
た従来手法で生じていた処理時間長大化を抑制してい
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】全体ブロック図

【図２】電流波形算出処理ブロック図（実施形態１）

【図３】瞬間電流算出結果

【図４】電流波形平均化処理フロー図

【図５】電流波形算出結果（実施形態１）

【図６】ＦＦＴ解析結果

【図７】矩形波モデル（実施形態２）

【図８】電流波形算出処理ブロック図（実施形態２）

【図９】第１の矩形波整形処理フロー図

【図１０】電流波形算出結果（実施形態２）

【図１１】矩形波モデル（実施形態３）

【図１２】電流波形算出処理ブロック図（実施形態３）

【図１３】第２の矩形波整形処理フロー図

【図１４】電流波形算出結果（実施形態３）

【図１５】矩形波モデル（実施形態４，５，６）

【図１６】ｉ−ｈテーブル

【図１７】電流波形算出処理ブロック図（実施形態４）

【図１８】第３の矩形波整形処理フロー図

【図１９】電流波形算出結果（実施形態４）

【図２０】ｉ−ｓ−ｈテーブル

【図２１】電流波形算出処理ブロック図（実施形態５）

【図２２】第４の矩形波整形処理のフロー図

【図２３】電流波形算出結果（実施形態５）

【図２４】ｉ−ｃ−ｈテーブル

【図２５】電流波形算出処理ブロック図（実施形態６）

【図２６】第５の矩形波整形処理のフロー図

【図２７】電流波形算出結果（実施形態６）

【図２８】本発明の第７の実施の形態に係る不要輻射解
析方法を説明するフロー図である。

【図２９】本発明の第７の実施の形態における電源電圧
降下算出／瞬間電流補正処理部の処理の流れを説明する
フロー図である。

【図３０】本発明の第７の実施の形態における電源電圧
降下算出／瞬間電流補正処理部での入力データとなるレ
イアウトデータを示す模式図である。

【図３１】本発明の第７の実施の形態における電源電圧
降下算出／瞬間電流補正処理部で生成される電源配線の
各セグメント情報を示す模式図である。

【図３２】本発明の第７の実施の形態における電源電圧
降下算出／瞬間電流補正処理部で生成される各セグメン
ト毎の抵抗値情報を示す模式図である。

【図３３】本発明の第７の実施の形態における電源電圧
降下算出／瞬間電流補正処理部で生成される各セグメン
ト毎の電流値情報を示す模式図である。

【図３４】本発明の第７の実施の形態における電源電圧
降下算出／瞬間電流補正処理部で生成される各セグメン
ト毎の電圧降下値情報を示す模式図である。

【図３５】本発明の第７の実施の形態における電源電圧
降下算出／瞬間電流補正処理部で生成されるインスタン
ス毎の電圧降下値情報を示す模式図である。

【図３６】本発明の第８の実施の形態に係る不要輻射解
析方法を説明するフロー図である。

【図３７】本発明の第８の実施の形態における電源電圧
降下算出／瞬間電流補正処理部の処理の流れを説明する
フロー図である。

【図３８】本発明の第８の実施の形態における電源電圧
降下算出／瞬間電流補正処理部で生成される各セグメン
ト間の容量値情報を示す模式図である。

【図３９】本発明の第８の実施の形態における電源電圧
降下算出／瞬間電流補正処理部で生成される各セグメン
ト毎の電圧降下値情報を示す模式図である。

【図４０】本発明の第９の実施の形態に係る不要輻射解
析方法を説明するフロー図である。

【図４１】本発明の第９の実施の形態における電源電圧
降下算出／瞬間電流補正処理部の処理の流れを説明する
フロー図である。

【図４２】三角波モデル（実施形態１０）

【図４３】電流波形算出処理ブロック図（実施形態１
０）

【図４４】三角波整形処理フロー図

【図４５】電流波形算出結果（実施形態１０）

【図４６】複数次関数モデル（実施形態１１）

【図４７】電流波形算出処理ブロック図（実施形態１
１）

【図４８】複数次関数整形処理フロー図

【図４９】電流波形算出結果（実施形態１１）

【図５０】ガウス関数モデル（実施形態１２，２５）

【図５１】ｉ−ｈテーブル

【図５２】ｉ−ｗテーブル

【図５３】電流波形算出処理ブロック図（実施形態１
２）

【図５４】ガウス関数波形整形処理フロー図

【図５５】電流波形算出結果（実施形態１２）

【図５６】実施形態１３におけるゲートレベル電流解析
方法を実現するための構成を示すブロック図

【図５７】実施形態１３における電流推定基礎情報記憶
手段のデータ例を示す図

【図５８】実施形態１３における総電流量記憶手段のデ
ータ例を示す図

【図５９】実施形態１３における素子電流量記憶手段の
データ例を示す図

【図６０】実施形態１３における総電流量算出手段のフ
ローチャート

【図６１】電流波形算出処理ブロック図（実施形態１
４）

【図６２】第６の矩形波整形処理フロー図

【図６３】ｓ−ｈテーブル

【図６４】電流波形算出処理ブロック図（実施形態１
５）

【図６５】第７の矩形波整形処理フロー図

【図６６】ｃ−ｈテーブル

【図６７】電流波形算出処理ブロック図（実施形態１
６）

【図６８】第８の矩形波整形処理フロー図

【図６９】実施形態１７における信号変化パターン記憶
手段のデータ例を示す図

【図７０】実施形態１７における実回路での電流波形の
例を示す図

【図７１】実施形態１７に対応する従来例の総電流量記
憶手段のデータ例

【図７２】実施形態１７、実施形態１８におけるゲート
レベル電流解析方法を実現するための構成を示すブロッ
ク図

【図７３】実施形態１７における回路接続情報記憶手段
のデータ例を示す図

【図７４】実施形態１７における総電流量記憶手段のデ
ータ例を示す図

【図７５】実施形態１７における素子電流量記憶手段の
データ例を示す図

【図７６】実施形態１７における総電流量算出手段のフ
ローチャート

【図７７】実施形態１８における回路接続情報記憶手段
のデータ例を示す図

【図７８】実施形態１８における信号変化パターン記憶
手段のデータ例を示す図

【図７９】実施形態１８における実回路での電流波形の
例を示す図

【図８０】実施形態１８に対応する従来例の総電流量記
憶手段のデータ例

【図８１】実施形態１８における素子電流量記憶手段の
データ例を示す図

【図８２】実施形態１８における総電流量記憶手段のデ
ータ例を示す図

【図８３】実施形態１８における総電流量算出手段のフ
ローチャート

【図８４】実施形態１９における回路接続情報記憶手段
のデータ例を示す図

【図８５】実施形態１９における信号変化パターン記憶
手段のデータ例を示す図

【図８６】実施形態１９における実回路での電流波形の
例を示す図

【図８７】実施形態１９に対応する従来例の総電流量記
憶手段のデータ例

【図８８】実施形態１９における素子電流量記憶手段の
データ例を示す図

【図８９】実施形態１９における総電流量算出手段のフ
ローチャート

【図９０】実施形態１９における総電流量記憶手段のデ
ータ例を示す図

【図９１】本発明の第２０の実施の形態に係る不要輻射
解析方法を説明するフロー図である。

【図９２】本発明の第２０の実施の形態における電源電
圧降下算出／瞬間電流補正処理部の処理の流れを説明す
るフロー図である。

【図９３】本発明の第２１の実施の形態に係る不要輻射
解析方法を説明するフロー図である。

【図９４】本発明の第２１の実施の形態における電源電
圧降下算出／瞬間電流補正処理部の処理の流れを説明す
るフロー図である。

【図９５】本発明の第２２の実施の形態に係る不要輻射
解析方法を説明するフロー図である。

【図９６】三角波モデル（実施形態２３）

【図９７】電流波形算出処理ブロック図（実施形態２
３）

【図９８】三角波整形処理フロー図

【図９９】複数次関数モデル（実施形態２４）

【図１００】電流波形算出処理ブロック図（実施形態２
４）

【図１０１】複数次関数波整形処理フロー図

【図１０２】電流波形算出処理ブロック図（実施形態２
５）

【図１０３】ガウス関数波整形処理フロー図

【図１０４】実施形態２６における実回路での電流波形
の例を示す図

【図１０５】実施形態２６における素子電流量記憶手段
のデータ例を示す図

【図１０６】実施形態２６に対応する従来例の総電流量
記憶手段のデータ例

【図１０７】実施形態２６における総電流量算出手段の
フローチャート

【図１０８】図７３に示す実施形態１７における回路接
続情報記憶手段のデータ例の内部接続情報を示す図

【図１０９】従来例におけるゲートレベル電流解析方法
を実現するための構成を示すブロック図

【図１１０】従来例、実施形態２６における回路接続情
報記憶手段のデータ例を示す図

【図１１１】従来例、実施形態２６における信号変化パ
ターン記憶手段のデータ例を示す図

【図１１２】従来例における素子電流量記憶手段のデー
タ例を示す図

【図１１３】従来例における総電流量記憶手段のデータ
例を示す図

【図１１４】従来例における総電流量算出手段のフロー
チャート

【図１１５】従来例における回路内部のネットの信号変
化を示す図

【図１１６】従来の不要輻射解析方法を説明するフロー
図である。

【図１１７】本発明実施例の三角波モデル（実施形態２
７）

【図１１８】電流波形算出処理ブロック図（実施形態２
７）

【図１１９】三角波整形処理フロー図（実施形態２７）

【図１２０】本発明実施例の三角波モデル（実施形態２
８）

【図１２１】電流波形算出処理ブロック図（実施形態２
８）

【図１２２】本発明実施例の三角波モデル（実施形態２
９）

【図１２３】電流波形算出処理ブロック図（実施形態２
９）

【符号の説明】

１ ネットリスト ２ テストベクタ ３ ライブラリ ４ 論理シミュレータ ５ イベント情報 ６ シミュレーション結果 ７ 電流波形算出処理部 ８ 電流波形算出結果 ９ ＦＦＴ処理部 １０ ＥＭＩ解析結果 １１ 瞬間電流算出処理部 １２ 瞬間電流算出結果 １３ 電流波形平均化処理部 ２０ 第１の矩形波高算出処理部 ２１ 第１の矩形波整形処理部 ３０ 第２の矩形波高算出処理部 ３１ 第２の矩形波幅算出処理部 ３２ 第２の矩形波整形処理部 ４０ ｉ−ｈテーブル ４１ 第３の矩形波高算出処理部 ４２ 第３の矩形波幅算出処理部 ４３ 第３の矩形波整形処理部 ５０ ｉ−ｓ−ｈテーブル ５１ Ｓｌｅｗデータ ５２ 第４の矩形波高算出処理部 ５３ 第４の矩形波幅算出処理部 ５４ 第４の矩形波整形処理部 ６０ ｉ−ｃ−ｈテーブル ６１ 容量データ ６２ 第５の矩形波高算出処理部 ６３ 第５の矩形波幅算出処理部 ６４ 第５の矩形波整形処理部 １００三角波高算出処理部 １０１三角波整形処理部 １２０ガウス関数波高算出処理部 １２１ｉ−ｗテーブル １２２ガウス関数波幅算出処理部 １２２ガウス関数波整形処理部 １３０ピーク電流ライブラリ １３１第６の矩形波高算出処理部 １３２第６の矩形波幅算出処理部 １３３第６の矩形波整形処理部 １４０ｓ−ｈテーブル １４１第７の矩形波高算出処理部 １４２第７の矩形波幅算出処理部 １４３第７の矩形波整形処理部 １５０ｃ−ｈテーブル １５１第８の矩形波高算出処理部 １５２第８の矩形波幅算出処理部 １５３第８の矩形波整形処理部 １６０三角波高算出処理部 １６１三角波幅算出処理部 １６２三角波整形処理部 １７０複数次関数波高算出処理部 １７１複数次関数波幅算出処理部 １７２複数次波整形処理部 １８０ガウス関数波高算出処理部 １８１波幅ライブラリ １８２ガウス関数波幅算出処理部 １８３ガウス波整形処理部

フロントページの続き (72)発明者 辻川 洋行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 島崎 健二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 浜口 加寿美 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5B046 AA08 BA04 JA05 5B056 AA00 BB13 HH00 9A001 BB05 HH32 KK15 LL08

Claims (28)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】論理シミュレーションの実行によってＬＳ
   Ｉの不要輻射量を解析する方法であって、信号変化の発
   生時に生成され、発生対象である各セルのインスタンス
   名、その信号名、発生時刻、遷移情報を含む各イベント
   情報から瞬間的な電流量を算出する工程と、前記瞬間的
   な電流量をあらかじめ決定された規則に従ってモデル化
   する工程と、前記モデル化する工程によって算出された
   電流変化情報を高速フーリエ変換（以下、ＦＦＴとす
   る）処理する工程とを有する不要輻射解析方法。
2. 【請求項２】前記モデル化する工程は、前記瞬間的な電
   流量を一定離散幅にて平均化する工程を有し、前記ＦＦ
   Ｔ処理する工程は、前記一定離散幅にて平均化する工程
   によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程
   であることを特徴とする請求項1に記載の不要輻射解析
   方法。
3. 【請求項３】前記モデル化する工程は、前記瞬間的な電
   流量を矩形波の面積が各イベントの電流量になるように
   各イベント情報毎に矩形波の高さを算出した一定幅の矩
   形波状にモデル化する工程を有し、前記ＦＦＴ処理する
   工程は、前記矩形波状にモデル化する工程によって算出
   された電流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを
   特徴とする請求項1に記載の不要輻射解析方法。
4. 【請求項４】前記モデル化する工程は、前記瞬間的な電
   流量を矩形波の面積が各イベントの電流量になるように
   矩形波の幅と高さを算出した相似型の矩形波状にモデル
   化する工程を有し、前記ＦＦＴ処理する工程は、前記矩
   形波状にモデル化する工程によって算出された電流変化
   情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする請求
   項1に記載の不要輻射解析方法。
5. 【請求項５】前記モデル化する工程は、各イベント情報
   毎の前記瞬間的な電流量を算出する工程と、前記電流量
   と矩形波の幅と高さの関係を示すテーブルを用いて矩形
   波状にモデル化する工程とを有し、前記矩形波状にモデ
   ル化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ
   処理する工程であることを特徴とする請求項1に記載の
   不要輻射解析方法。
6. 【請求項６】前記モデル化する工程は、各イベント情報
   毎の前記瞬間的な電流量を算出する工程と、前記入力波
   形鈍りと矩形波の幅と高さの関係を示すテーブルを用い
   て矩形波状にモデル化する工程とを有し、前記矩形波状
   にモデル化する工程によって算出された電流変化情報を
   ＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする請求項1に
   記載の不要輻射解析方法。
7. 【請求項７】前記モデル化する工程は、各イベント情報
   毎の前記瞬間的な電流量を算出する工程と、前記出力負
   荷容量と矩形波の幅と高さの関係を示すテーブルを用い
   て矩形波状にモデル化する工程を有し、前記矩形波状に
   モデル化する工程によって算出された電流変化情報をＦ
   ＦＴ処理する工程であることを特徴とする請求項1に記
   載の不要輻射解析方法。
8. 【請求項８】請求項１乃至7のいずれかにおいて、前記
   モデル化する工程がさらに各セルの電流量と電源抵抗成
   分から電圧降下成分を算出し、電圧降下成分と瞬間電流
   量の関係から、各セルのイベントごとの瞬間的な電流量
   を補正する工程を含むことを特徴とする不要輻射解析方
   法。
9. 【請求項９】請求項１乃至7のいずれかにおいて、前記
   モデル化する工程は、さらに各セルの電流量と電源抵抗
   成分とオンチップバイパスコンデンサ成分から電圧降下
   成分を算出し、電圧降下成分と瞬間電流量の関係から、
   各セルのイベントごとの瞬間的な電流量を補正する工程
   を含むことを特徴とする不要輻射解析方法。
10. 【請求項１０】請求項１乃至7のいずれかにおいて、前
    記モデル化する工程は、さらに各セルの電源ＲＣとセル
    電流源を過渡解析し、正確に電圧降下成分を算出し、電
    圧降下成分と瞬間電流量の関係から、各セルのイベント
    ごとの瞬間的な電流量を補正する工程を含むことを特徴
    とする不要輻射解析方法。
11. 【請求項１１】前記モデル化する工程は、前記瞬間的な
    電流量を三角波の面積が各イベントの電流量になるよう
    に各イベント情報毎に高さを算出した一定幅の三角波状
    にモデル化する工程を有し、前記ＦＦＴ処理する工程
    は、前記三角波状にモデル化する工程によって算出され
    た電流変化情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴
    とする請求項1に記載の不要輻射解析方法。
12. 【請求項１２】前記モデル化する工程は、前記瞬間的な
    電流量を複数次の関数状にモデル化する工程を有し、前
    記ＦＦＴ処理する工程は、前記複数次の関数状にモデル
    化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処
    理する工程であることを特徴とする請求項1に記載の不
    要輻射解析方法。
13. 【請求項１３】前記モデル化する工程は、前記瞬間的な
    電流量を指数関数状にモデル化する工程を有し、前記Ｆ
    ＦＴ処理する工程は、前記指数関数状にモデル化する工
    程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理する工
    程であることを特徴とする請求項1に記載の不要輻射解
    析方法。
14. 【請求項１４】前記モデル化する工程はさらに、瞬間的
    な電流量を貫通電流成分とチャージ電流成分に分けて別
    々にモデリングする工程を含むことを特徴とする請求項
    １乃至１３のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
15. 【請求項１５】前記モデル化する工程は、各セルの種類
    ごとにそのセルのピーク電流値をキャラクタライズした
    ライブラリを用いて矩形波の高さを算出する工程と、前
    記瞬間的な電流量を前記矩形波の高さを算出する工程か
    ら算出したピーク電流値とし、面積が各イベントの電流
    量になるように矩形波状にモデル化する工程とを有し、
    前記ＦＦＴ処理する工程は、前記矩形波状にモデル化す
    る工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処理す
    る工程であることを特徴とする請求項1に記載の不要輻
    射解析方法。
16. 【請求項１６】前記矩形波の高さを算出する工程は、入
    力波形鈍りとピーク電流の関係を各セルの種類ごとにテ
    ーブル化しキャラクタライズしたライブラリを用いて各
    セルごとにそのセルの波形鈍り情報からピーク電流値を
    算出する工程を含むことを特徴とする請求項１５記載の
    不要輻射解析方法。
17. 【請求項１７】前記矩形波の高さを算出する工程は、負
    荷容量とピーク電流の関係を各セルの種類ごとにテーブ
    ル化しキャラクタライズしたライブラリを用いて各セル
    ごとにそのセルの負荷容量情報からピーク電流値を算出
    する工程を含むことを特徴とする請求項１５に記載の不
    要輻射解析方法。
18. 【請求項１８】前記矩形波の高さを算出する工程は、複
    合セルについてはピーク電流値を複数もたせ、キャラク
    タライズしたライブラリを用いて複数の矩形波の高さを
    算出する工程を含み、矩形波状にモデル化する工程は複
    数の矩形波にモデル化する工程であることを特徴とする
    請求項１５乃至１７のいずれかに記載の不要輻射解析方
    法。
19. 【請求項１９】前記矩形波の高さを算出する工程は、フ
    リップフロップ（ＦＦ）セルのライズ／フォールそれぞ
    れにピーク電流値をもたせ、キャラクタライズしたライ
    ブラリを用いて複数の矩形波の高さを算出する工程を含
    み、矩形波状にモデル化する工程は複数の矩形波にモデ
    ル化する工程であることを特徴とする請求項１５乃至１
    ７のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
20. 【請求項２０】前記矩形波の高さを算出する工程が、各
    セルの状態毎に入力信号状態を考慮し、ピーク電流値を
    キャラクタライズしたライブラリを用いて矩形波の高さ
    を算出する工程を含むことを特徴とする請求項１５乃至
    １９のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
21. 【請求項２１】前記モデル化する工程はさらに、各セル
    の種類ごとの電流量と電源抵抗成分から電圧降下成分を
    算出し、各セル毎に電圧降下成分と瞬間電流量の関係を
    テーブル化し、キャラクタライズすることにより、各セ
    ルのイベントごとの瞬間的な電流量を補正する工程を含
    むことを特徴とする請求項１５乃至２０のいずれかに記
    載の不要輻射解析方法。
22. 【請求項２２】前記モデル化する工程は、各セルの種類
    ごとの電流量と電源抵抗成分とオンチップバイパスコン
    デンサ成分から電圧降下成分を算出し、各セル毎に電圧
    降下成分と瞬間電流量の関係をテーブル化し、キャラク
    タライズすることにより、各セルのイベントごとの瞬間
    的な電流量を補正する工程を含むことを特徴とする請求
    項１５乃至２０のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
23. 【請求項２３】前記補正する工程は、電圧降下成分の算
    出及び電流波形の補正処理を複数回繰り返し実施する工
    程を含むことを特徴とする請求項８乃至１０、２１、２
    ２のいずれかに記載の不要輻射解析方法。
24. 【請求項２４】前記瞬間的な電流量を算出する工程にお
    いて、さらに瞬間的な電流量を貫通電流成分とチャージ
    電流成分に分けて別々にモデリングする工程を含むこと
    を特徴とする請求項１５乃至２３のいずれかに記載の不
    要輻射解析方法。
25. 【請求項２５】前記モデル化する工程は、前記瞬間的な
    電流量を三角波の面積が各イベントの電流量になるよう
    に、各イベント情報毎にセルの出力端子におけるスリュ
    ー情報（出力スリュー）を考慮して幅を算出するととも
    に、この幅に基づいて高さを算出した三角波状にモデル
    化する工程を有し、前記ＦＦＴ処理する工程は、前記三
    角波状にモデル化する工程によって算出された電流変化
    情報をＦＦＴ処理する工程であることを特徴とする請求
    項１に記載の不要輻射解析方法。
26. 【請求項２６】前記モデル化する工程は、さらに前記瞬
    間的な電流量を当該セルのイベントが立ち上がりもしく
    は立ち下り（ライズ／フォール）状態であるかを考慮し
    て、それぞれの状態に応じた係数を乗じて算出し、三角
    波の面積が各イベントの電流量になるように、前記三角
    波の高さを算出する工程を含むことを特徴とする請求項
    ２５に記載の不要輻射解析方法。
27. 【請求項２７】前記モデル化する工程は、複合セルにつ
    いては各イベント情報毎の前記瞬間的な電流量を算出す
    る工程と、前記出力負荷容量と出力及び入力スリュー情
    報に基づいて三角波の幅と高さの関係を示すテーブルを
    用いて、複合セル内部の段数分に等しい複数個の三角形
    波状にモデル化する工程を有し、前記三角波状にモデル
    化する工程によって算出された電流変化情報をＦＦＴ処
    理する工程であることを特徴とする請求項1に記載の不
    要輻射解析方法。
28. 【請求項２８】論理シミュレーション装置と、 前記論理シミュレーション装置に接続され、信号変化の
    発生時に生成され、発生対象である各セルのインスタン
    ス名、その信号名、発生時刻、遷移情報を含む各イベン
    ト情報から瞬間的な電流量を算出する算出手段と、 前記瞬間的な電流量をあらかじめ決定された規則に従っ
    てモデル化するモデル化手段と、 前記モデル化する工程によって算出された電流変化情報
    を高速フーリエ変換処理手段とを有し、 前記ＦＦＴ処理手段の出力に基づいて、ＬＳＩの不要輻
    射量を解析するようにしたことを特徴とする不要輻射解
    析装置。