JPH10143553A - 半導体装置の解析用パラメータ作成装置及び半導体装置の解析装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ＬＳＩ解析用パラメータの算出時間及びデータ
量を削減し、さらにパラメータ抽出精度の向上を図る。 【解決手段】パラメータ算出条件発生装置３５はトラン
ジスタレベルの回路情報（ネットリスト）４０を入力
し、入力変化真理値表４１及びパラメータ算出条件４２
を作成する。スタティック電流算出装置３７は回路情報
４０及びパラメータ算出条件４２を入力し、抵抗置換回
路４４を算出する。回路シミュレーション装置３６は回
路情報４０及びパラメータ算出条件４２を入力して回路
シミュレーションを実施し、シミュレーション結果４３
を得る。解析用パラメータ抽出装置３８はシミュレーシ
ョン結果４３を入力として種々のパラメータを抽出し、
解析用パラメータ２０として出力する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の消費
電流や消費電力、ピーク電流、内部の電圧変動さらには
ノイズを目的別に解析するために必要なパラメータを作
成する半導体装置の解析用パラメータ作成装置及び半導
体装置の解析装置に関する。以下、本明細書において
は、半導体装置を単にＬＳＩという。

【０００２】近年のＬＳＩの高集積化に伴い、ＬＳＩは
様々な機能搭載が行われ、様々なシステムへの適応が要
求されている。ＬＳＩが搭載されるシステムによって
は、消費エネルギーを状態毎にできる限り抑制すること
が要求されたり、発生するノイズを抑制したり、あるい
は外来ノイズに対する耐性の向上を要求されたり、また
は更なるＬＳＩ自身の縮小化などが要求される場合があ
る。これらの要求に対し高速にかつ精度良く解析を実施
し、設計精度の向上あるいは解析の効率向上を図るとと
もに、レイアウト自身の冗長性を削減する必要がある。

【０００３】

【従来の技術】ＬＳＩに構成される回路の電圧・電流特
性を解析するためのＬＳＩの解析装置としては、回路シ
ミュレータがその代表的なものとして挙げられる。一
方、大規模回路については、論理シミュレーション結果
を利用した消費電力を解析する装置や、消費電流を見積
もる装置あるいは電源配線に関する電圧・電流を解析す
るものなどが挙げられる。

【０００４】従来、このような解析装置において用いら
れるＬＳＩ解析用パラメータとしては、様々な形態が考
えられる。回路シミュレータでは、素子単体（トランジ
スタ）モデルの場合、電圧−電流特性モデルや容量モデ
ルを数式やテーブルで表現したり、あるいは電圧依存型
の抵抗素子と容量あるいは電流源で表現する、いわゆる
ＬＳＬ(Linear Switch Level）モデルなどが従来から用
いられている。

【０００５】論理シミュレータでは、主に素子や回路の
遅延時間を数式及びその変数あるいはテーブル（グラ
フ）で表現している。従来の論理シミュレータを用いて
回路の消費電力や消費電流を解析する方法では、回路の
消費電力自身をＬＳＩ解析用パラメータとしたり、ある
いは単に消費される電流値を三角波や一般式で近似した
りする方法が一般的であった。図２０は消費電流値の三
角波による近似を示し、電圧Ｖが変化したとき、電流Ｉ
が流れる。

【０００６】そのため、消費電力や消費電流をＡＣ成
分、ＤＣ成分よりもさらに細かな成分及び回路の状態別
に解析したり、それをすべての回路構成に対し精度高く
かつ高速に処理したり、または消費電力や消費電流以外
の解析項目を解析したりすることができなかった。

【０００７】解析精度を向上する方法としては、回路の
基本単位を可能な限り細かくし、その最小の回路単位
（プリミティブ）に対し一般式や三角波を適応する方法
が採られていた。この手法により、例えば、大きなブロ
ック回路や基本回路であっても、回路単位を細かくし、
その単位にＬＳＩ解析用パラメータを与えることによ
り、回路には出力変化がなくても、細かく定義した回路
単位では出力に変化が生じるため、入力信号の変化のみ
が発生している場合でも大まかに消費電流値を算出する
といった方法が採られていた。

【０００８】また、従来のＬＳＩ解析用パラメータは、
例えば、ディレイ算出などでは回路の出力が変化する条
件に限って解析するため、ＬＳＩ解析用パラメータもそ
の条件に対してのみ作成すればよかった。

【０００９】また、ＬＳＩの消費電力や消費電流を解析
する場合でも、特にＣＭＯＳ論理回路を対象とした場合
には、回路のスイッチング当たりの消費電力や消費電流
を単純な一般式や三角波で近似するのみであったため、
ＬＳＩ解析用パラメータの算出はこの場合も回路の出力
が変化する場合が基本となっていた。

【００１０】さらに、従来の解析方法は、例えば平均消
費電力を算出する場合、回路の動作率や動作周波数、電
圧、負荷容量といった情報とあるいは貫通電流や定常電
流成分を加えて非常に大雑把に算出する方法が一般的で
あった。この場合、いかに各要素データを正確に算出し
たとしても、各要素データに時間や状態といった情報が
含まれていなかったため、任意の時間、任意の状態にお
ける正確な消費電流を算出することはできない。

【００１１】また、三角波近似による電流シミュレーシ
ョンでは、各時間毎に各回路の電流を算出しそれを全回
路に対し加算し総電流を計算していた。これを簡略化し
高速に処理する方法として、図１９に示すようにある特
定期間ｔｓに限定し平均電流を算出したり、図２１に示
すように時間区間を細かく分割し平均電流を解析した
り、あるいは最大、最小電流値を算出し解析する方法が
用いられていた。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】低電力回路設計技術を
駆使してＬＳＩを設計する場合、消費電力の時間的分布
は非常に偏ったものになることが予想される。さらにＬ
ＳＩを様々なシステムに搭載することにより、様々な動
作状態における電流特性やさらにはノイズ特性まで解析
する必要がある。

【００１３】このような状況においては、従来の解析装
置は単に平均消費電力を求めたり、総消費電流を求めた
りするだけであり、任意の動作状態における消費電流や
ノイズを算出したりすることができないという問題が生
じていた。

【００１４】また、電流解析を高精度で実施する場合に
は、回路の出力が変化しないケースでも電流は消費され
るため、そのケースについても解析を行ったり、どのよ
うな回路であっても回路単位を細かく分けることなく、
同じような精度で解析を行う必要がある。

【００１５】従来の解析方法では既に記述したように、
例えば出力がまったく動作せず入力のみ変化した場合な
どの現象を精度良く解析するためには非常に複雑な式に
より表現するか、基本回路であってもさらに小さな回路
単位に分割しその回路動作を記述する必要があった。

【００１６】これにより一つの独立した回路でありなが
ら、それに等価な論理となるように小さな回路単位を用
いて論理を構成する必要があり、極端な場合、レイアウ
ト情報と異なる論理情報を持たざるを得なかったり、小
さな回路単位のみで単純に回路の動作を正確に記述でき
ない特殊回路などに対しては回路単位を細かく分割した
り、パラメータを正しい結果が得られるように振り分け
るのに多大な労力を必要としたり、あるいは適応できな
いという問題が発生していた。

【００１７】また、従来の論理シミュレーションなどを
用いる解析方法では、単に消費電力を算出したり、総消
費電流を算出する方式が採られており、半導体装置にて
消費される電流成分をＡＣ成分、ＤＣ成分という分割よ
りもさらに細かな成分へ分割し解析する手法は採られて
いなかった。

【００１８】従って、従来の解析方法は、回路単位に消
費電力を算出したり総消費電流を算出することはできて
も、例えば静止状態での電流を正確に算出することはで
きないという問題が生じていた。

【００１９】本発明の第１の目的は、どのような回路に
対してもまったく同様なパラメータを定義することが可
能であり、高精度でかつ成分、条件別に半導体装置の解
析を行うことができるパラメータ構造を提供することで
ある。

【００２０】また、従来の論理シミュレータ等を用いて
解析する方法では、特にディレイ算出などでは、出力が
変化する条件に限って解析を実施すればよかった。とこ
ろが、正確な電流解析まで応用範囲を広げるためには、
回路の出力が変化しないケースについても解析を行う必
要があり、膨大な解析条件を取り扱う必要がある。解析
に用いるパラメータをすべての成分に分割したり、すべ
ての条件に分けて確実に算出しようとすると、膨大な算
出時間と膨大なデータ量が必要になるという問題が生じ
る。

【００２１】本発明の第２の目的は、ＬＳＩ解析用パラ
メータの算出時間及びデータ量を削減し、さらにパラメ
ータ抽出精度の向上を図ることができる半導体装置の解
析用パラメータ作成装置を提供することにある。

【００２２】また、論理シミュレーションなどを用いて
電流を解析する場合、各時間毎に逐次電流を加算する
か、あるいはある特定時間内の平均電流を算出し、簡略
化する方法が採られていた。そのため、解析に多大な処
理時間を必要としたり、あるいは解析に必要な電流値を
平均化することにより精度を損なったりするという問題
が生じていた。

【００２３】本発明の第３の目的は、解析に用いるＬＳ
Ｉ解析用パラメータとして成分を分割したり条件別に電
荷や電流を取り扱ったものを採用し、半導体装置の消費
エネルギー（電流又は電荷）を成分毎、状態毎に正確に
算出することができる半導体装置の解析装置を提供する
ことにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、回路
情報をパラメータ算出条件発生装置に入力し、回路の内
部ノードも含む端子の信号値の組み合わせよりなる入力
変化真理値表及びパラメータ算出条件を出力し、回路情
報及びパラメータ算出条件を回路シミュレーション装置
に入力し、回路シミュレーションを実施してシミュレー
ション結果を得、シミュレーション結果及び入力変化真
理値表を解析用パラメータ抽出装置に入力し、解析用パ
ラメータを抽出するようにした。

【００２５】請求項２の発明は、パラメータ算出条件及
び回路情報及びデバイス特性を入力とし、オフしている
トランジスタを抵抗に置換した抵抗置換回路を作成する
スタティック電流算出装置を備え、回路シミュレーショ
ン装置は抵抗置換回路を入力して回路シミュレーション
を実施してシミュレーション結果を出力するようにし
た。

【００２６】請求項３の発明は、スタティック電流算出
装置は、パラメータ算出条件及び回路情報及びデバイス
特性を入力として一つの抵抗に変換し、全抵抗を作成
し、それに基づいてスタティック電流パラメータをパラ
メータ算出条件毎に算出するようにした。

【００２７】請求項４の発明は、パラメータ算出条件発
生装置は、回路情報を入力として、回路上安定する状態
を回路の内部ノードも含めてすべて抽出し、全回路安定
状態を出力し、その全回路安定状態の情報を入力として
回路上安定する状態から入力を変化させる状態を内部ノ
ードも含めてすべて作成して入力変化真理値表を作成
し、入力変化真理値表を入力として、回路の入力変化時
の消費電流が０の条件を削除し、同じく入力変化真理値
表を入力して回路の入力変化時の消費電流が等価な条件
を圧縮し、さらに全回路安定状態の情報を入力としてス
タティックな電流が等価な条件を圧縮するようにした。

【００２８】請求項５の発明は、解析用パラメータ抽出
装置は、シミュレーション結果及びスタティック電流パ
ラメータを入力としてＡＣ電流成分を算出し、入力変化
真理値表を入力として各条件の遷移確率を算出し、ＡＣ
電流成分及び遷移確率を入力として入出力端子成分への
ＡＣ電流分割を行い、入力端子電流パラメータ成分及び
出力端子電流パラメータ成分を得るようにした。

【００２９】請求項６の発明は、解析用パラメータ抽出
装置は、入力変化真理値表を入力とし、パラメータ算出
条件に対してそれぞれの遷移確率を求め、算出条件毎に
作成された入力端子電流パラメータ成分に対して遷移確
率を考慮して平均を取り、入力端子のデフォルトパラメ
ータとしてデフォルト電流パラメータとして出力すると
ともに、同じく入力変化真理値表を入力としてパラメー
タ算出条件に対してそれぞれの遷移確率を求め、算出条
件毎に作成された出力端子電流パラメータ成分と遷移確
率を入力として、算出条件毎に基準値における消費電流
を算出し、その算出した消費電流の平均値を遷移確率を
考慮して算出しその平均値を直接あるいは最も近い値を
出力端子のデフォルトパラメータとしてデフォルト電流
パラメータとして出力するようにした。

【００３０】請求項７の発明は、解析用パラメータは、
ＡＣ電流を電荷パラメータとして分割し、ＡＣ電荷量が
入力端子と出力端子とに割り振られたパラメータ構造
と、ＤＣ電流成分を静止状態でのＤＣ電流成分及び回路
外部の条件に基づいて変動する定常電流成分に分割され
たパラメータ構造と、ＡＣ電流成分及びＤＣ電流成分を
合わせたピーク電流成分、及びピーク電流成分の微分成
分に分割したパラメータ構造と、詳細な条件を統括した
デフォルトパラメータ成分を備えたパラメータ構造とを
備える。

【００３１】請求項８の発明は、解析対象回路の論理回
路情報とその論理に対する遅延時間情報とその論理の入
出力端子に関するイベント解析情報とをイベント解析・
発生装置に入力して解析対象回路のイベント情報を作成
し、そのイベント情報と入力スルーレートと配線情報と
解析用ネットリストと論理回路情報と解析用パラメータ
とを電流波形再生装置に入力して電流波形再生を行い、
得られた波形データと論理回路情報と解析用パラメータ
とに基づいて解析対象回路の解析を行い、解析データを
出力するようにした。

【００３２】（作用）請求項１〜６の発明によれば、解
析用パラメータの増加を抑制しつつ、解析用パラメータ
によって高精度な解析を行うことができる。

【００３３】請求項７の発明によれば、どのような回路
に対してもまったく同様なパラメータを定義することが
可能であり、高精度でかつ条件、成分別に半導体装置の
解析を行うことができる。

【００３４】請求項８の本発明によれば、半導体装置が
静止状態にある時の消費電流値や所望の動作における所
望の時間における電流値を、イベント解析・発生装置の
所望のイベント情報を得ることにより解析的に得ること
ができる。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した実施の
一形態を図１〜図１８に従って説明する。図１は、半導
体装置（ＬＳＩ）の消費電流や消費電力、ピーク電流、
電圧変動、さらにはノイズを目的別に解析するためのＬ
ＳＩ解析システム１０を示す。図２は、ＬＳＩ解析に必
要なパラメータを作成するためのＬＳＩ解析用パラメー
タ作成装置１１を示す。

【００３６】図１に示すように、ＬＳＩ解析システム１
０は解析用パラメータ作成装置１１、遅延時間解析装置
１２及びＬＳＩ解析装置１５を備える。また、ＬＳＩ解
析システム１０は、ＬＳＩの解析用パラメータ２０、論
理回路情報２１、配線容量等の配線情報２２、入出力ピ
ンの信号変化の情報であるイベント解析情報２３、遅延
時間情報２４、入力スルーレート情報２５、電源ライン
と回路との接続情報である解析用ネットリスト２６及び
ＬＳＩ全体のレイアウト情報２７を備える。

【００３７】遅延時間解析装置１２は、配線情報２２を
入力するとともに、論理回路情報２１を入力する。論理
回路情報２１は解析が必要な回路部分の接続情報のみで
あってもよい。遅延時間解析装置１２は配線情報（配線
容量情報）２２及び論理回路情報２１に基づいて配線の
遅延時間を解析し、解析結果として遅延時間情報２４を
得る。また、遅延時間解析装置１２は配線情報（配線容
量情報）２２に基づいて入力信号のレベル変化時の割合
を解析し、入力スルーレート２５を得る。

【００３８】解析用パラメータ作成装置１１はＬＳＩ解
析に必要な解析用パラメータ２０を作成する。図２は、
解析用パラメータ作成装置１１の詳細を示す。解析精度
及び内容は、解析用パラメータ２０の質及び内容に大き
く依存するため、解析用パラメータ２０はＬＳＩ解析装
置１５の重要な入力ファクターであり、本発明の骨格の
一部である。本形態の解析用パラメータ２０は、消費電
力や消費電流をパラメータとして取り扱う場合でも、Ｄ
Ｃ成分、（定常電流、リーク電流）及びＡＣ成分（スイ
ッチング電流、貫通電流）とに分割し処理するととも
に、さらに、以下のよう分類している。

【００３９】（１）ＡＣ電流成分を電荷パラメータとし
て分割し、それをさらに回路の入力端子と出力端子へ分
割し定義する。 （２）ＤＣ電流成分を成分別に分割する。

【００４０】・静止状態でのＤＣ電流成分 ・回路外部（入出力端子、コントロール端子など）の条
件により変動する定常電流成分 （３）ＡＣ電流成分、ＤＣ電流成分を合わせて定義す
る。

【００４１】・ピーク電流成分及びそのピーク時間、ｄ
ｉ／ｄｔ成分 （４）詳細な条件を統括したデフォルトパラメータ成分
を定義する。 解析用パラメータ作成装置１１はパラメータ算出条件発
生装置３５、回路シミュレーション装置３６、スタティ
ック電流算出装置３７及び解析用パラメータ抽出装置３
８を備えている。

【００４２】パラメータ算出条件発生装置３５はトラン
ジスタレベルの回路情報（ネットリスト）４０を入力
し、入力変化真理値表４１を作成するとともに、パラメ
ータ算出条件４２を作成する。スタティック電流算出装
置３７は回路情報４０及びパラメータ算出条件４２を入
力し、抵抗置換回路４４を算出する。回路シミュレーシ
ョン装置３６は回路情報４０及びパラメータ算出条件４
２を入力して回路シミュレーションを実施し、シミュレ
ーション結果４３を得る。この際、場合によっては、回
路シミュレーション装置３６はスタティック電流算出装
置３７によって作成された抵抗置換回路４４も入力とし
て解析することがある。解析用パラメータ抽出装置３８
はシミュレーション結果４３を入力として上記した各パ
ラメータを抽出し、解析用パラメータ２０として出力す
る。

【００４３】図２において、回路シミュレーション装置
３６は従来のものを用いるが、パラメータ算出条件発生
装置３５、スタティック電流算出装置３７及び解析用パ
ラメータ抽出装置３８は従来にない処理方法を採用する
ことにより解析用パラメータ２０を作成している。

【００４４】電流解析精度を向上させるためには、先に
説明したように回路の出力が変化した場合のみ解析する
だけでは不十分であり、入力のみ変化した場合などの条
件についてもパラメータを作成する必要がある。しかし
ながらすべての条件についてまともに処理していたので
は膨大な時間が必要となるため、本発明では、パラメー
タ算出条件発生装置３５にてパラメータ算出条件４２を
可能な限り削減し、精度を損なうことなく回路シミュレ
ーション装置３６におけるシミュレーション時間の短縮
を実現している。

【００４５】電流成分を精度を損なうことなく分割する
方法として、スタティック電流の算出をスタティック電
流算出装置３７により、通常トランジスタなどのデバイ
ス能動素子を含め記述される回路情報を、抵抗素子のみ
のネットリストに置換した抵抗置換回路４４を出力し、
それを回路シミュレーションにより解く場合と、直接ス
タティック電流算出装置３７によりスタティック電流パ
ラメータ６７を算出する場合がある。これにより回路シ
ミュレータの解析精度をスタティック電流が正確に解析
できるまで解析精度を上げて処理することを避けること
により、回路シミュレーション装置３６の回路シミュレ
ーション速度の向上を図っている。

【００４６】以下、パラメータ算出条件発生装置３５、
スタティック電流算出装置３７及び解析用パラメータ抽
出装置３８が実施する処理について詳細に説明する。図
３はパラメータ算出条件発生装置３５が実施する処理を
示す。

【００４７】まず、ステップ５０において、回路情報
（ネットリスト）４０を入力として、回路安定状態を、
回路の入出力端子及び内部ノードも含めてすべて抽出
し、抽出した全回路安定状態５５を出力する。

【００４８】次に、ステップ５１にて全回路安定状態５
５の情報を入力として回路上安定する状態から入力を変
化させる状態（入力変化状態）を内部ノードも含めてす
べて作成し、入力変化真理値表４１を作成する。

【００４９】ステップ５３では入力変化真理値表４１を
入力として、回路の入力変化時の消費電流が０の条件を
削除する。この際、回路のトランジスタ構成が１段の場
合、出力が変化しない入力変化状態を削除する。回路の
トランジスタ構成が多段の場合、トランジスタのゲート
と繋がる内部ノードが変化しない入力変化状態を削除す
る。そして、残った入力変化状態を入力変化時の消費電
流算出条件とする。

【００５０】ステップ５４では、同じく入力変化真理値
表４１を入力として回路の入力変化時の消費電流が等価
な条件を圧縮する。この処理では、以下のレベル１又は
レベル２の処理を行う。レベル１の処理としてトランジ
スタのゲートとつながる内部ノードの変化が一致する入
力変化状態同士をグループ化する。レベル２の処理とし
て（１）トランジスタのゲートとつながる内部ノードの
容量を計算する。（２）容量が同じ内部ノード同士をグ
ループ化する。（３）ノードグループの変化が一致する
入力変化状態同士をグループ化する。そして、レベル１
又はレベル２の処理の後、グループ化した中の一つを代
表の条件に決定し、この代表の条件を入力変化時の消費
電流算出条件とする。

【００５１】また、ステップ５２において、全回路安定
状態５５の情報を入力としてスタティックな電流が等価
な条件を圧縮する。ステップ５２，５３，５４の処理に
よってパラメータ算出条件４２を得る。この処理では、
（１）オフしているトランジスタを抵抗に置き換える。
（２）オンしているトランジスタを配線に置き換える。
（３）抵抗に置き換えた回路の形が一致する安定状態同
士をグループ化する。そして、グループ化しなかった安
定状態をスタティック電流算出条件とする。また、グル
ープ化した安定状態の中の一つを代表の条件に決定し、
この代表の条件をスタティック電流算出条件とする。

【００５２】以下に、パラメータ算出条件発生処理を図
１１に示される一般的なＤフリップフロップ（ＤＦＦ）
９０を例に具体的に説明する。図１１に示すＤＦＦ９０
は、マスタラッチＭ１及びスレーブラッチＭ２を備える
とともに、入力端子Ｄ，ＣＫ、出力端子Ｑ，ＸＱ、及び
内部ノードＰＡ１，ＰＡ２，ＰＣ１，ＰＣ２，Ｎ５，Ｎ
８を備えている。なお、マスターラッチＭ１内データを
ＰＣ１、スレーブラッチＭ２内データをＰＣ２とする。

【００５３】ステップ５０にて、ＤＦＦ９０について入
力端子Ｄ，ＣＫ、出力端子Ｑ，ＸＱ、及び内部ノードＰ
Ａ１，ＰＡ２，ＰＣ１，ＰＣ２，Ｎ５，Ｎ８を含めて全
回路安定状態が抽出され、図１２に示す真理値表９１が
作成される。

【００５４】ステップ５１にて真理値表９１（回路上安
定する状態）から入力を変化させる状態（入力変化状
態）が内部ノードも含めてすべて作成され、図１３に示
す入力変化真理値表９２が作成される。なお、入力変化
真理値表９２において、ｕｐ：０→１、ｄｎ：１→０を
示す。

【００５５】ステップ５３において、入力変化時の消費
電流が０の条件を削除する。この際、トランジスタ構成
が１段の場合（ゲート接続内部ノードがない場合）、出
力が変化しない入力変化状態を削除する。トランジスタ
構成が多段の場合（ゲート接続内部ノードがない場
合）、トランジスタのゲートとつながる内部ノードが変
化しない入力変化状態を削除する。入力変化真理値表９
２における（１１）（１２）（１５）（１６）の入力変
化状態は内部ノードが変化しないため削除され、図１４
に示す入力変化真理値表９３が生成される。

【００５６】ステップ５４において、入力変化時の消費
電流が等価な条件を圧縮する。レベル１の処理では、ト
ランジスタのゲートとつながる内部ノードの変化が一致
する入力変化状態同士をグループ化する。レベル２の処
理では（１）トランジスタのゲートとつながる内部ノー
ドの容量を計算する。（２）容量が同じ内部ノード同士
をグループ化する。（３）ノードグループの変化が一致
する入力変化状態同士をグループ化する。そして、グル
ープ化した中の一つを代表の条件に決定し、この代表の
条件を入力変化時の消費電流算出条件とする。レベル１
の処理を行った場合、入力変化真理値表９３における入
力変化状態（２）と（４）、（５）と（７）、（９）と
（１０）、（１３）と（１４）をそれぞれグループ化
し、いずれかを代表の条件とする。すると、図１５に示
す入力変化真理値表９４が生成される。すなわち、図１
３における１６個の条件が、図１５においては８個の条
件へと条件を半減することができる。

【００５７】図４はスタティック電流算出装置３７が実
施する処理を示す。まず、ステップ６０において、パラ
メータ算出条件４２及び回路情報（ネットリスト）４０
及びデバイス特性６５を入力とし、トランジスタを抵抗
に置換した抵抗置換回路４４を作成する。置換する抵抗
値はトランジスタ特性から算出する。抵抗置換回路４４
は、回路の入出力状態により変化するため、算出条件毎
に作成される。

【００５８】ステップ６１で同じくパラメータ算出条件
４２及び回路情報（ネットリスト）４０及びデバイス特
性６５を入力として一つの抵抗に変換し、全抵抗６６を
作成する。

【００５９】ステップ６２で全抵抗６６に基づいてスタ
ティック電流パラメータ６７を算出条件毎に算出する。
回路に印加される電源電圧と全抵抗６６とに基づいて電
流値を算出する。

【００６０】図１０に回路情報から全抵抗へ変換した場
合の例を示す。図１０（ａ）に示す回路情報９５におい
て、ｐＭＯＳトランジスタＴ１はＨ信号に基づいてオフ
し、ｎＭＯＳトランジスタＴ３はＨ信号に基づいてオン
する。ｐＭＯＳトランジスタＴ２はＬ信号に基づいてオ
ンし、ｎＭＯＳトランジスタＴ４はＬ信号に基づいてオ
フする。従って、ｐＭＯＳトランジスタＴ５はオフし、
ｎＭＯＳトランジスタＴ６はオンする。オフしているト
ランジスタＴ１，Ｔ４，Ｔ５はそれぞれ抵抗素子Ｒ１，
Ｒ２，Ｒ３に変換され、オンしているトランジスタＴ
２，Ｔ３，Ｔ６は抵抗０状態、さらにゲートノード部は
抵抗無限大（開放）に変換され、図１０（ｂ）に示す抵
抗置換回路９６に変換される。

【００６１】次に、図１０（ｂ）に示す抵抗Ｒ１，Ｒ
２，Ｒ３が１つの抵抗素子Ｒ４に変換され、図１０
（ｃ）に示す全抵抗９７に変換される。図５は解析用パ
ラメータ抽出装置３８が実施する処理のうち、ＡＣ電流
成分を回路の入出力端子へ割り振る処理を示す。

【００６２】まず、ステップ７０でシミュレーション結
果４３及びスタティック電流パラメータ６７を入力し、
シミュレーション結果４３からスタティック電流パラメ
ータ６７を引くことによりＡＣ電流成分７５を算出す
る。

【００６３】ステップ７１にて入力変化真理値表４１を
入力として各入力変化状態の遷移確率７６を算出する。
例えば、図１３に示す入力変化真理値表９２において、
入力変化状態（１）（２）（１５）はそれぞれ図１２に
示す真理値表９１の安定状態（ａ）（ｂ）（ｇ）から安
定状態（ｃ）に遷移したものとなる。入力変化真理値表
９２において安定状態（ｃ）になるのは１６条件のうち
３条件である。従って、安定状態（ｃ）になる遷移確率
は３／１６となる。

【００６４】ステップ７２において、ＡＣ電流成分７５
及び遷移確率７６を入力として入出力端子成分へのＡＣ
電流分割を行い、入端子電流パラメータ成分７７及び出
力端子電流パラメータ成分７８を得る。

【００６５】以下に、さらに具体的な入出力端子成分へ
のＡＣ電流分割方法の一例を述べる。 １）入力端子のＡＣ電荷量の求め方 ＜出力が変化しない算出条件に対して＞ ・同一入力条件の場合 （１）入力変化真理値表４１に基づいて算出条件につい
て、それぞれの遷移確率を求める。

【００６６】（２）算出条件毎のＡＣ電荷量を遷移確率
の重み（遷移確率の高いものは重みが高く、遷移確率の
低いものは重みが低い）を考慮して平均を入力端子のＡ
Ｃ電荷量とする。

【００６７】・同一入力条件以外の場合、すべて入力端
子のＡＣ電荷量とする。 ＜出力が変化する算出条件に対して＞ ・同一入力の出力が変化しない算出条件がある場合、同
一入力の出力が変化しない算出条件を入力端子のＡＣ電
荷量とする。

【００６８】・同一入力端子に着目して別の入力条件で
出力が変化しない算出条件がある場合、同一入力端子の
出力が変化しない算出条件値の平均を入力端子のＡＣ電
荷量とする。

【００６９】・すべての条件で出力が変化する算出条件
の場合、ＡＣ電流成分における入力スルーレート依存成
分のみを入力端子のＡＣ電荷量とする。 ２）出力端子のＡＣ電荷量の求め方 ＜出力が変化する算出条件に対して＞ ・出力が同時変化しない場合、（電荷量−入力端子電荷
量）を出力端子のＡＣ電荷量とする。

【００７０】・出力が同時変化する場合、（電荷量−入
力端子電荷量）を変化する複数の出力端子で均等に割
り、出力端子のＡＣ電荷量とする。図６は解析用パラメ
ータ抽出装置３８が実施する処理のうち、デフォルトパ
ラメータ作成処理を示す。

【００７１】入力端子のデフォルトパラメータを求める
には、ステップ７１で入力変化真理値表４１を入力とし
て図３と同一の処理により作成されたパラメータ算出条
件４２に対してそれぞれの遷移確率を求め、遷移確率７
６を作成する。

【００７２】ステップ８０において、算出条件毎に作成
された入力端子電流パラメータ成分７７と遷移確率７６
とを入力として、入力端子電流パラメータ成分に対して
遷移確率の重みを考慮して平均を取り、入力端子のデフ
ォルトパラメータとしてデフォルト電流パラメータ８５
を出力する。

【００７３】出力端子のデフォルトパラメータを求める
には、ステップ７１で入力変化真理値表４１を入力とし
て図３と同一の処理により作成されたパラメータ算出条
件４２に対してそれぞれの遷移確率を求め、遷移確率７
６を作成する。

【００７４】ステップ８１において、算出条件毎に作成
された出力端子電流パラメータ成分７８と遷移確率７６
とを入力として、算出条件毎に基準値における消費電流
を算出し、その算出した消費電流の平均値を遷移確率の
重みを考慮して算出する。そして、その平均値を直接、
あるいは最も近い値を出力端子のデフォルトパラメータ
としてデフォルト電流パラメータ８５を出力する。

【００７５】以上の電流成分は、回路の入力条件別に定
義することにより精度高い解析が実現できる。また、ど
のような回路であっても上記パラメータを入力条件別、
あるいは入出力端子に割り振るのみで対応できるため、
すべての回路に対し同じ方法で定義することができる。
そのため、従来のように回路を分割して小さな回路単位
を用いて論理を構成する必要がなくなる。

【００７６】図１に示すように、ＬＳＩ解析装置１５は
イベント解析・発生装置１６、電流波形再生装置１７、
解析部１８及びグラフィック表示部１９を備える。イベ
ント解析・発生装置１６は解析対象回路の論理回路情報
２１と、その論理回路に対するイベント解析情報（入出
力ピンの信号変化の情報）２３と、その論理回路に対す
る遅延時間情報２４とを基本入力とし、論理回路情報２
１、イベント解析情報２３及び遅延時間情報２４とに基
づいて解析対象の論理回路の内部のイベント情報２８
（信号変化情報）を作成する。電流波形再生装置１７は
イベント情報２８、入力スルーレート情報２５、配線情
報２２、解析用ネットリスト２６、論理回路情報２１及
び前記解析用パラメータ作成装置１１にて作成された解
析用パラメータ２０を入力し、電流波形再生装置１７は
これらの情報に基づいて電流波形の再生を行い、所望の
波形データ２９を得る。

【００７７】解析部１８は波形データ２９、論理回路情
報２１、解析用パラメータ２０、及び必要に応じてレイ
アウト情報２７を入力としてＬＳＩの解析を行い、解析
データ３０を出力する。グラフィック表示部１９はレイ
アウト情報２７及び解析データ３０に基づいてグラフィ
ック表示を行う。

【００７８】次に、ＬＳＩ解析装置１５が実行する解析
例について説明する。図７は、解析用パラメータ作成装
置１１によって作成された解析用パラメータによる電流
波形表現の例を示す。本発明による電流計算方法は、三
角波のみならず、様々な成分からなる矩形波が加わる波
形にて解析される。矩形波部分の電流量をＩｄｃと表現
すると、Ｉｄｃは回路の状態に応じて変化する。三角波
部分は、ピーク電流Ｉｐ及び電流がピークとなる時間ｔ
ｐにより表現される。また、三角波の始点パラメータｔ
ｓ、終点パラメータｔｅを予め算出するか、あるいは図
８に示す電流値の時間変化量ｄｉｔと、それに対応する
電荷量Ｑ（時間軸と波形とで囲まれる面積）に基づいて
以下のように算出する。

【００７９】 三角波の始点ｔｓ＝ｔｐ−（Ｉｐ／ｄｉｔ） 三角波の終点ｔｅ＝ｔｓ＋（２＊Ｑ／Ｉｐ） 図７に示すＬＳＩ解析用パラメータによる電流波形表現
と、ＬＳＩ解析装置１５によって様々な電流解析を行う
ことができる。

【００８０】図１６〜１８に、ＬＳＩ解析装置１５及び
解析用パラメータ２０を用いて解析した例を概念的に示
す。図１６に示すように、各電圧イベント（入力１，入
力２又は出力の変化）に関する電流を、図７に示す三角
波＋矩形波により表現することにより、従来の方式では
いくら詳細に時間区切りを細かくしても算出できなかっ
た静止ポイントについての静止電流が容易に解析でき
る。この際、静止電流の解析に必要な解析用パラメータ
を精度良く算出し、それを用いて解析することによって
静止電流を高精度に算出することができる。

【００８１】図１７，図１８は、本発明による高速な電
流解析方法の例を示す。図１７に示す簡略方式１は、例
えば、各電圧イベント（入力１，入力２又は出力の変
化）が発生した時刻を中心（あるいは始点）に、ある一
定時間幅を規定し平均電流値を算出したものである。

【００８２】図１８に示す簡略方式２は、計算ポイント
を予め指定し解析する方法である。例えば、解析用パラ
メータに対し、計算ポイントを可変に設定した場合、以
下のように取り扱うことができる。

【００８３】・１ポイント指定の場合、ピーク電流のポ
イントのみによる電流加算 ・２ポイント指定の場合、ピーク電流のポイント及びそ
れを基準とした任意の一点 ・３ポイント指定の場合、ピーク電流ポイント及びそれ
を基準とした任意の２点 以下、ポイント指定数が増えるに従い、ピーク電流ポイ
ントを基準に任意のポイントがｎ点指定される。尚、ｎ
＝（ポイント指定数）−１ 図１８の簡略方式２では、３ポイント指定した場合の例
を示している。この場合の任意のポイント２点として
は、始点ｔｓ及びｔｅポイントを加算対象としており、
計算負荷が最も少なくて済む。また、この場合が、最も
標準的な処理方法となり、電圧イベントの１イベントに
対し、電流計算ポイントが３ポイントということにな
る。

【００８４】図８は、ＬＳＩ解析装置１５を用いてノイ
ズ解析を行う場合に用いるＬＳＩ解析用パラメータを示
す。図７に示した三角波に加えて矩形波を取り入れた波
形近似に対して、さらに電流の時間変化を表すパラメー
タｄｉｔ（＝ｄｉ／ｄｔ）を採用することにより、ＬＳ
Ｉ解析装置１５を用いてより詳細なノイズ解析が可能に
なる。

【００８５】例えば、パッケージインダクタンスによる
電位の変動に対して簡便なノイズ解析が可能になる。こ
の場合、図８に示す解析用パラメータを用いる。基本的
には図１７，図１８に示した方法により算出される電流
波形を直接解析することによっても勿論解析は可能であ
るが、さらに簡便な方法として個々の回路におけるｄｉ
ｔを電源配線グループ毎に加算したり、あるいはグルー
プ間の結合状態により分割演算することにより、最終的
な電源ピンにおけるトータルのｄｉｔを所望の時間にお
いて算出することにより、その時間におけるパッケージ
インダクタンスによる逆起電力ノイズを定量化すること
ができる。また、図１７，図１８に示した方法により得
られた電流波形に基づいて、所望の回路部分（電源配線
部分）における電流波形解析を行うことにより、高調波
成分表を作成し、レポートすればよい。解析すべき回路
規模が大規模である場合、危険箇所の推定にはかなりの
労力が必要となることが予想される。この場合、役立つ
方法が図８に示すｄｉｔパラメータによる解析である。
ｄｉｔパラメータは、その性質上、マイナス値を示す場
合とプラス値を示す場合とがある。この性質を利用し危
険箇所の推定を行う。

【００８６】ｄｉｔの加算を行う場合は、必ずマイナス
値とプラス値とを分けて実施し、ｄｉｔの符号が変化す
る時間間隔をモニターする。この時間間隔がある規定値
以下となった場合を、危険箇所及び時間としてレポート
する。

【００８７】その場合、発生している輻射ノイズを定量
化することはむずかしいが、ある一定の電流変化が周期
的に発生していることにより、その危険性を検知するこ
とは、十分可能となる。

【００８８】さらに、図１７，図１８に示した方法によ
り得られた電流波形に基づいて、所望の回路部分（電源
配線部分）における電流波形が極端に集中し、ある一定
規定値を超えた点を検出しレポートすることにより、同
時スイッチングや過大電流消費による電源ドロップを解
析することができる。

【００８９】本形態はこのように構成されているので、
以下の効果がある。 （１）本形態の解析用パラメータ抽出装置３８は、ＡＣ
電流（電荷）成分を入力端子電流パラメータ成分７７及
び出力端子電流パラメータ成分７８に分割することによ
り、入力端子あるいは出力端子を独立に着目しても正確
な電流を見積もることができる。また、回路の出力が変
化せず、入力のみ変化するケースでも正確に電流を見積
もることができる。

【００９０】例えば、図９は３つの入力端子Ａ１，Ａ
２，Ａ３の及び出力端子Ｘを備えた多入力回路の入出力
電圧・電流波形を示している。図９（ａ）は入力端子Ａ
１，Ａ２，Ａ３の信号の変化タイミングのずれが非常に
小さい場合を示し、図９（ｂ）は入力端子Ａ１，Ａ２，
Ａ３の信号の変化タイミングのずれが大きい場合を示し
ている。この場合の消費電荷としては、出力端子Ｘの電
圧が変化する場合の入力端子（Ａ３）の電圧変化にさえ
着目すれば十分であることが予想される。図９（ｂ）に
おける消費電荷量の一例を以下の表１に示す。

【００９１】

【表１】

【００９２】この回路の場合、出力端子Ｘの電圧が変化
する場合の入力端子Ａ３の電圧変化における消費電荷量
Ｑ_A3に比べ、出力端子Ｘの電圧が変化しない場合の入力
端子Ａ１，Ａ２の電圧変化における消費電荷量Ｑ_A1，Ｑ
_A2は、１．３％〜６．８％である。出力端子Ｘの電圧が
変化する場合のトータルの総電荷量は、出力負荷に依存
するため、さらにこの誤差が小さく見えるため、従来は
無視されてきた成分である。しかし、低電力設計が進む
につれ、トータルの消費電荷量が低下するにつれて、こ
れらの電荷消費分は無視できなくなる。また、その比率
が低い回路であっても、動作上入力の変化のみ起きる確
率が高い場合など、消費電荷量の見積もり誤差はいよい
よ深刻となる。本発明は、消費電荷、消費電流の解析精
度を大幅に向上することができる。

【００９３】また、本形態では、回路内部での消費電荷
量と、回路出力の負荷に対する充放電電流による消費分
を分けるのみならず、入力端子及び出力端子にその電荷
量を分けて定義しているため、出力の動作とは無関係に
入力の動作のみで消費電荷、電流を正確にしかも高速に
計算することができる。

【００９４】（２）本形態の解析用パラメータ作成装置
１１は回路シミュレーション装置３６により解析する場
合でも、抵抗素子のみの抵抗置換回路４４による電流解
析を行うため、スタティック電流のような微少電流成分
を精度を損なうことなく高速に算出することができる。

【００９５】（３）本形態のパラメータ算出条件発生装
置３５はパラメータ算出条件１４を限定し、精度を損な
うことなく回路シミュレーション装置３６での処理時間
の短縮化を図ることができる。これにより、解析用パラ
メータ２０のデータ量削減を、解析精度を損なうことな
く実施することができる。

【００９６】（４）本形態の解析用パラメータ抽出装置
３８は、各端子についてデフォルトパラメータを作成し
ているため、端子に着目した解析を行うことができる。 （５）解析用パラメータ作成装置１１にて作成されたＬ
ＳＩの解析用パラメータ２０を用いてＬＳＩ解析装置１
５によってＬＳＩの電流解析を行うことにより、消費エ
ネルギー（電流、電荷）を成分毎、状態毎に正確に算出
することが可能となる。また、目的、用途に応じた電流
解析を実施できるため、詳細な解析や、または精度を損
なうことなく高速に解析することが可能となり、ＬＳＩ
の解析時間を短縮することができる。また、算出された
ＬＳＩの静止電流値は、ＬＳＩの試験における判定条件
へ適応することにより、より不良検出率の高い試験を実
施することができる。

【００９７】（６）解析用パラメータ作成装置１１にて
作成されたＬＳＩの解析用パラメータ２０を用いてＬＳ
Ｉ解析装置１５によってＬＳＩの電流解析を行うことに
より、ノイズが発生する危険性を予知することが可能と
なり、その結果をチップレイアウト（配置処理、配線処
理）にフィードバックすることにより、様々なノイズの
問題を回避することができる。

【００９８】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１〜６の発
明は、解析用パラメータの増加を抑制しつつ、解析用パ
ラメータによって高精度な解析を行うことができる。

【００９９】請求項７の発明は、どのような回路に対し
てもまったく同様なパラメータを定義することが可能で
あり、高精度でかつ条件、成分別に半導体装置の解析を
行うことができる。

【０１００】請求項８の本発明は、半導体装置が静止状
態にある時の消費電流値や所望の動作における所望の時
間における電流値を、イベント解析・発生装置の所望の
イベント情報を得ることにより解析的に得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態の半導体装置の解析システムを示す
構成図

【図２】解析用パラメータ作成装置を示す構成図

【図３】パラメータ算出条件発生装置の処理を示すフロ
ー図

【図４】スタティック電流算出装置の処理を示すフロー
図

【図５】解析用パラメータ抽出装置の処理を示すフロー
図

【図６】解析用パラメータ抽出装置の処理を示すフロー
図

【図７】実施の形態の解析用パラメータを示す説明図

【図８】実施の形態の解析用パラメータを示す説明図

【図９】多入力回路の入出力電圧・電流波形を示す説明
図

【図１０】抵抗置換回路の作成を示す説明図

【図１１】Ｄフリップフロップの論理等価回路図

【図１２】Ｄフリップフロップの真理値表を示す説明図

【図１３】Ｄフリップフロップの入力変化真理値表を示
す説明図

【図１４】パラメータ算出条件の作成を示す説明図

【図１５】パラメータ算出条件を示す説明図

【図１６】ＬＳＩ解析装置による解析例を示す説明図

【図１７】ＬＳＩ解析装置による解析例を示す説明図

【図１８】ＬＳＩ解析装置による解析例を示す説明図

【図１９】従来の平均電流算出を示す説明図

【図２０】従来の三角波近似による電流加算を示す説明
図

【図２１】従来の解析例を示す説明図

【符号の説明】

１６ イベント解析・発生装置 １７ 電流波形再生装置 ２０ 解析用パラメータ ２１ 論理回路情報 ２２ 配線情報 ２３ イベント解析情報 ２４ 遅延時間情報 ２５ 入力スルーレート ２６ 解析用ネットリスト ２８ イベント情報 ２９ 波形データ ３５ パラメータ算出条件発生装置 ３６ 回路シミュレーション装置 ３７ スタティック電流算出装置 ３８ 解析用パラメータ抽出装置 ４０ 回路情報 ４１ 入力変化真理値表 ４２ パラメータ算出条件 ４３ シミュレーション結果 ４４ 抵抗置換回路 ６５ デバイス特性 ６６ 全抵抗 ６７ スタティック電流パラメータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 脇田 誠 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (72)発明者 松澤 孝行 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 回路情報をパラメータ算出条件発生装置
   に入力し、回路の内部ノードも含む端子の信号値の組み
   合わせよりなる入力変化真理値表及びパラメータ算出条
   件を出力し、回路情報及びパラメータ算出条件を回路シ
   ミュレーション装置に入力し、回路シミュレーションを
   実施してシミュレーション結果を得、シミュレーション
   結果及び入力変化真理値表を解析用パラメータ抽出装置
   に入力し、解析用パラメータを抽出するようにした半導
   体装置の解析用パラメータ作成装置。
2. 【請求項２】 パラメータ算出条件及び回路情報及びデ
   バイス特性を入力とし、オフしているトランジスタを抵
   抗に置換した抵抗置換回路を作成するスタティック電流
   算出装置を備え、 前記回路シミュレーション装置は抵抗置換回路を入力し
   て回路シミュレーションを実施してシミュレーション結
   果を出力する請求項１に記載の半導体装置の解析用パラ
   メータ作成装置。
3. 【請求項３】 前記スタティック電流算出装置は、パラ
   メータ算出条件及び回路情報及びデバイス特性を入力と
   して一つの抵抗に変換し、全抵抗を作成し、それに基づ
   いてスタティック電流パラメータをパラメータ算出条件
   毎に算出する請求項２に記載の半導体装置の解析用パラ
   メータ作成装置。
4. 【請求項４】 前記パラメータ算出条件発生装置は、回
   路情報を入力として、回路上安定する状態を回路の内部
   ノードも含めてすべて抽出し、全回路安定状態を出力
   し、その全回路安定状態の情報を入力として回路上安定
   する状態から入力を変化させる状態を内部ノードも含め
   てすべて作成して入力変化真理値表を作成し、入力変化
   真理値表を入力として、回路の入力変化時の消費電流が
   ０の条件を削除し、同じく入力変化真理値表を入力して
   回路の入力変化時の消費電流が等価な条件を圧縮し、さ
   らに全回路安定状態の情報を入力としてスタティックな
   電流が等価な条件を圧縮する請求項１〜３のいずれか一
   項に記載の半導体装置の解析用パラメータ作成装置。
5. 【請求項５】 前記解析用パラメータ抽出装置は、シミ
   ュレーション結果及びスタティック電流パラメータを入
   力としてＡＣ電流成分を算出し、入力変化真理値表を入
   力として各条件の遷移確率を算出し、ＡＣ電流成分及び
   遷移確率を入力として入出力端子成分へのＡＣ電流分割
   を行い、入力端子電流パラメータ成分及び出力端子電流
   パラメータ成分を得るようにした請求項１〜４のいずれ
   か一項に記載の半導体装置の解析用パラメータ作成装
   置。
6. 【請求項６】 前記解析用パラメータ抽出装置は、入力
   変化真理値表を入力とし、前記パラメータ算出条件に対
   してそれぞれの遷移確率を求め、算出条件毎に作成され
   た入力端子電流パラメータ成分に対して遷移確率を考慮
   して平均を取り、入力端子のデフォルトパラメータとし
   てデフォルト電流パラメータとして出力するとともに、
   同じく入力変化真理値表を入力として前記パラメータ算
   出条件に対してそれぞれの遷移確率を求め、算出条件毎
   に作成された出力端子電流パラメータ成分と遷移確率を
   入力として、算出条件毎に基準値における消費電流を算
   出し、その算出した消費電流の平均値を遷移確率を考慮
   して算出しその平均値を直接あるいは最も近い値を出力
   端子のデフォルトパラメータとしてデフォルト電流パラ
   メータとして出力する請求項１〜５のいずれか一項に記
   載の半導体装置の解析用パラメータ作成装置。
7. 【請求項７】 前記解析用パラメータは、ＡＣ電流を電
   荷パラメータとして分割し、ＡＣ電荷量が入力端子と出
   力端子とに割り振られたパラメータ構造と、 ＤＣ電流成分を静止状態でのＤＣ電流成分及び回路外部
   の条件に基づいて変動する定常電流成分に分割されたパ
   ラメータ構造と、 ＡＣ電流成分及びＤＣ電流成分を合わせたピーク電流成
   分、及びピーク電流成分の微分成分に分割したパラメー
   タ構造と、 詳細な条件を統括したデフォルトパラメータ成分を備え
   たパラメータ構造とを備える請求項１〜６のいずれか一
   項に記載の半導体装置の解析用パラメータ作成装置。
8. 【請求項８】 解析対象回路の論理回路情報とその論理
   に対する遅延時間情報とその論理の入出力端子に関する
   イベント解析情報とをイベント解析・発生装置に入力し
   て解析対象回路のイベント情報を作成し、そのイベント
   情報と入力スルーレートと配線情報と解析用ネットリス
   トと論理回路情報と解析用パラメータとを電流波形再生
   装置に入力して電流波形再生を行い、得られた波形デー
   タと論理回路情報と解析用パラメータとに基づいて解析
   対象回路の解析を行い、解析データを出力するようにし
   た半導体装置の解析装置。