JP2001004698A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 電子機器あるいは半導体パッケージの外部接続端子と電気的接触をする接触端子を備えたテスト用ソケットであって、上記接触端子には上記外部接続端子に接触する部分に、曲率半径が２〜１５ミクロンの概略球面で構成した複数の凸部と、上記凸部に隣接して広がる滑らかな曲面で構成した複数の凹部とを形成したことを特徴とする電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケット。
【請求項２】 上記接触端子の上記複数の凸部と上記複数の凹部の表面にダイヤモンドライクカーボン被膜、もしくは、金属イオンをドーピングしたダイヤモンドライクカーボン被膜を形成したことを特徴とする請求項１に記載の電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケット。
【請求項３】 上記接触端子の上記複数の凸部と上記複数の凹部の表面に導電性の硬質皮膜を形成したことを特徴とする請求項１に記載の電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソッケト。
【請求項４】 電子機器あるいは半導体パッケージの外部接触端子と電気的接触をする接触端子を備えたテスト用ソケットであって、上記接触端子には、先端が曲率半径０.０３〜０.３ｍｍの概略球面あるいは円筒面で構成され上記電子機器あるいは半導体パッケージの外部接続端子に接触する接触用突起部を１個以上備え、かつ、上記接触用突起部の上記外部接続端子に接触する部分に、滑らかな曲面で構成した複数の凸部と、上記凸部に隣接して広がる滑らかな曲面で構成した複数の凹部とを形成したことを特徴とする電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケット。
【請求項５】 上記接触端子には、上記接触端子の上記接触用突起部よりさらに先端側で上記接触用突起部と所定距離離れ、上記接触用突起部と同じ方向に上記接触用突起部より長く伸長した上記外部接続端子のガイド用突起部を形成したことを特徴とする請求項４に記載の電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケット。
【請求項６】 上記接触端子には、上記接触用突起部の前後に上記接触用突起部先端と段差のある平面受け部あるいは上記接触用突起部先端から徐々に下降して伸びる傾斜面を形成したことを特徴とする請求項４に記載の電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケット。
【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケットの接触端子の製造において、上記接触端子の上記電子機器あるいは半導体パッケージの外部接続端子が接触する部分を放電加工で所期の面粗さに加工した後、電解ニッケルメッキを施し、さらに金メッキを施すことを特徴とする接触端子の製造方法。
【請求項８】 請求項１〜６のいずれかに記載の電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケットを用いて電気的特性テストをしたことを特徴とする電子機器あるいは半導体パッケージ。
【請求項９】 最表層が、半田層と、上記半田層表面に形成された酸化被膜によって構成される外部接続端子を有する半導体パッケージを準備する工程と、 表面に硬質皮膜が形成され、かつ、曲率半径０．０３〜０．３ｍｍの曲面で構成される先端部を有する接触用突起部を備えるテスト用ソケットを準備する工程と、
上記接触用突起部の先端部を、上記外部接続端子に押圧し、上記酸化被膜を破壊し、上記接触用突起部の先端部と、上記外部接続端子とを電気的に接続した状態で、上記半導体パッケージの電気的特性テストをする工程とを有することを特徴とする、半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】 上記硬質皮膜は、ダイヤモンドライクカーボン被膜、もしくは、金属イオンをドーピングしたダイヤモンドライクカーボン被膜であることを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１１】 上記硬質皮膜は、タングステンイオンをドーピングしたダイヤモンドライクカーボン被膜であることを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１２】 上記硬質皮膜は、タングステンイオンをドーピングしたグラファイト系被膜であることを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１３】 上記接触用突起部の先端部を、上記外部接触端子に押圧することで、上記先端部と上記外部接続端子の界面の酸化被膜を排斥し、上記外部接続端子の半田層と、上記先端部の硬質皮膜とを接触させることを特徴とする請求項９〜１２の何れかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１４】 上記接触端子は、ベリリウム銅、もしくはリン青銅からなる板材料を用いていることを特徴とする請求項９〜１３の何れかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１５】 上記接触端子は、板材料と、上記板材料上に形成されたニッケルメッキ層と、上記ニッケルメッキ上に形成された上記硬質皮膜とを有することを特徴とする請求項９〜１４の何れかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１６】 上記接触端子には上記外部接続端子に接触する部分に、曲率半径が２〜１５ミクロンの概略球面で構成した複数の凸部と、上記凸部に隣接して広がる滑らかな曲面で構成した複数の凹部とが形成されていることを特徴とする、請求項９〜１５の何れかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１】 電子機器あるいは半導体パッケージの外部接続端子と電気的接触をする接触端子を備えたテスト用ソケットであって、上記接触端子には上記外部接続端子に接触する部分に、曲率半径が２〜１５ミクロンの概略球面で構成した複数の凸部と、上記凸部に隣接して広がる滑らかな曲面で構成した複数の凹部とを形成したことを特徴とする電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケット。
【請求項２】 上記接触端子の上記複数の凸部と上記複数の凹部の表面にダイヤモンドライクカーボン被膜、もしくは、金属イオンをドーピングしたダイヤモンドライクカーボン被膜を形成したことを特徴とする請求項１に記載の電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケット。
【請求項３】 上記接触端子の上記複数の凸部と上記複数の凹部の表面に導電性の硬質皮膜を形成したことを特徴とする請求項１に記載の電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソッケト。
【請求項４】 電子機器あるいは半導体パッケージの外部接触端子と電気的接触をする接触端子を備えたテスト用ソケットであって、上記接触端子には、先端が曲率半径０.０３〜０.３ｍｍの概略球面あるいは円筒面で構成され上記電子機器あるいは半導体パッケージの外部接続端子に接触する接触用突起部を１個以上備え、かつ、上記接触用突起部の上記外部接続端子に接触する部分に、滑らかな曲面で構成した複数の凸部と、上記凸部に隣接して広がる滑らかな曲面で構成した複数の凹部とを形成したことを特徴とする電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケット。
【請求項５】 上記接触端子には、上記接触端子の上記接触用突起部よりさらに先端側で上記接触用突起部と所定距離離れ、上記接触用突起部と同じ方向に上記接触用突起部より長く伸長した上記外部接続端子のガイド用突起部を形成したことを特徴とする請求項４に記載の電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケット。
【請求項６】 上記接触端子には、上記接触用突起部の前後に上記接触用突起部先端と段差のある平面受け部あるいは上記接触用突起部先端から徐々に下降して伸びる傾斜面を形成したことを特徴とする請求項４に記載の電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケット。
【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケットの接触端子の製造において、上記接触端子の上記電子機器あるいは半導体パッケージの外部接続端子が接触する部分を放電加工で所期の面粗さに加工した後、電解ニッケルメッキを施し、さらに金メッキを施すことを特徴とする接触端子の製造方法。
【請求項８】 請求項１〜６のいずれかに記載の電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケットを用いて電気的特性テストをしたことを特徴とする電子機器あるいは半導体パッケージ。
【請求項９】 最表層が、半田層と、上記半田層表面に形成された酸化被膜によって構成される外部接続端子を有する半導体パッケージを準備する工程と、 表面に硬質皮膜が形成され、かつ、曲率半径０．０３〜０．３ｍｍの曲面で構成される先端部を有する接触用突起部を備えるテスト用ソケットを準備する工程と、
上記接触用突起部の先端部を、上記外部接続端子に押圧し、上記酸化被膜を破壊し、上記接触用突起部の先端部と、上記外部接続端子とを電気的に接続した状態で、上記半導体パッケージの電気的特性テストをする工程とを有することを特徴とする、半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】 上記硬質皮膜は、ダイヤモンドライクカーボン被膜、もしくは、金属イオンをドーピングしたダイヤモンドライクカーボン被膜であることを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１１】 上記硬質皮膜は、タングステンイオンをドーピングしたダイヤモンドライクカーボン被膜であることを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１２】 上記硬質皮膜は、タングステンイオンをドーピングしたグラファイト系被膜であることを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１３】 上記接触用突起部の先端部を、上記外部接触端子に押圧することで、上記先端部と上記外部接続端子の界面の酸化被膜を排斥し、上記外部接続端子の半田層と、上記先端部の硬質皮膜とを接触させることを特徴とする請求項９〜１２の何れかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１４】 上記接触端子は、ベリリウム銅、もしくはリン青銅からなる板材料を用いていることを特徴とする請求項９〜１３の何れかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１５】 上記接触端子は、板材料と、上記板材料上に形成されたニッケルメッキ層と、上記ニッケルメッキ上に形成された上記硬質皮膜とを有することを特徴とする請求項９〜１４の何れかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１６】 上記接触端子には上記外部接続端子に接触する部分に、曲率半径が２〜１５ミクロンの概略球面で構成した複数の凸部と、上記凸部に隣接して広がる滑らかな曲面で構成した複数の凹部とが形成されていることを特徴とする、請求項９〜１５の何れかに記載の半導体パッケージの製造方法。
本発明の請求項８にかかる電子機器あるいは半導体パッケージは、請求項１〜６のいずれかに記載の電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケットを用いて電気的特性テストをしたことを特徴とするものである。
本発明の請求項９にかかる半導体パッケージの製造方法は、最表層が、半田層と、上記半田層表面に形成された酸化被膜によって構成される外部接続端子を有する半導体パッケージを準備する工程と、表面に硬質皮膜が形成され、かつ、曲率半径０．０３〜０．３ｍｍの曲面で構成される先端部を有する接触用突起部を備えるテスト用ソケットを準備する工程と、上記接触用突起部の先端部を、上記外部接続端子に押圧し、上記酸化被膜を破壊し、上記接触用突起部の先端部と、上記外部接続端子とを電気的に接続した状態で、上記半導体パッケージの電気的特性テストをする工程とを有することを特徴とするものである。
本発明の請求項９にかかる半導体パッケージの製造方法は、最表層が、半田層と、上記半田層表面に形成された酸化被膜によって構成される外部接続端子を有する半導体パッケージを準備する工程と、表面に硬質皮膜が形成され、かつ、曲率半径０．０３〜０．３ｍｍの曲面で構成される先端部を有する接触用突起部を備えるテスト用ソケットを準備する工程と、上記接触用突起部の先端部を、上記外部接続端子に押圧し、上記酸化被膜を破壊し、上記接触用突起部の先端部と、上記外部接続端子とを電気的に接続した状態で、上記半導体パッケージの電気的特性テストをする工程とを有することを特徴とするものである。
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| US7759949B2 (en) * | 2004-05-21 | 2010-07-20 | Microprobe, Inc. | Probes with self-cleaning blunt skates for contacting conductive pads |
| US7733101B2 (en) * | 2004-05-21 | 2010-06-08 | Microprobe, Inc. | Knee probe having increased scrub motion |
| US9097740B2 (en) * | 2004-05-21 | 2015-08-04 | Formfactor, Inc. | Layered probes with core |
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| US7659739B2 (en) * | 2006-09-14 | 2010-02-09 | Micro Porbe, Inc. | Knee probe having reduced thickness section for control of scrub motion |
| TWI263856B (en) * | 2004-11-22 | 2006-10-11 | Au Optronics Corp | IC chip, IC assembly and flat display |
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| US7639026B2 (en) * | 2006-02-24 | 2009-12-29 | Johnstech International Corporation | Electronic device test set and contact used therein |
| US7312617B2 (en) | 2006-03-20 | 2007-12-25 | Microprobe, Inc. | Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts |
| US8907689B2 (en) | 2006-10-11 | 2014-12-09 | Microprobe, Inc. | Probe retention arrangement |
| US7786740B2 (en) * | 2006-10-11 | 2010-08-31 | Astria Semiconductor Holdings, Inc. | Probe cards employing probes having retaining portions for potting in a potting region |
| DE102006052112A1 (de) * | 2006-11-06 | 2008-05-08 | Robert Bosch Gmbh | Elektrische Kontaktanordnung |
| US7514948B2 (en) | 2007-04-10 | 2009-04-07 | Microprobe, Inc. | Vertical probe array arranged to provide space transformation |
| US7671610B2 (en) * | 2007-10-19 | 2010-03-02 | Microprobe, Inc. | Vertical guided probe array providing sideways scrub motion |
| US8723546B2 (en) * | 2007-10-19 | 2014-05-13 | Microprobe, Inc. | Vertical guided layered probe |
| US8230593B2 (en) * | 2008-05-29 | 2012-07-31 | Microprobe, Inc. | Probe bonding method having improved control of bonding material |
| US8073019B2 (en) * | 2009-03-02 | 2011-12-06 | Jian Liu | 810 nm ultra-short pulsed fiber laser |
| JP2012520461A (ja) * | 2009-03-10 | 2012-09-06 | ジョンステック インターナショナル コーポレーション | マイクロ回路テスタ用の導電ピン |
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| JP2013101043A (ja) * | 2011-11-08 | 2013-05-23 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US9761501B2 (en) * | 2013-04-11 | 2017-09-12 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device and inspecting an electrical characteristic thereof using socket terminals |
| US20160233188A1 (en) * | 2013-12-02 | 2016-08-11 | Smartrac Technology Gmbh | Contact bumps methods of making contact bumps |
| JP6881972B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2021-06-02 | 株式会社エンプラス | 電気接触子及び電気部品用ソケット |
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Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5170117A (en) * | 1992-03-26 | 1992-12-08 | Chio Chuy Nan | Socket for testing a plug-in type semiconductor |
| JP2739031B2 (ja) * | 1992-12-08 | 1998-04-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置用ソケット |
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| JP2796070B2 (ja) | 1995-04-28 | 1998-09-10 | 松下電器産業株式会社 | プローブカードの製造方法 |
| US6208155B1 (en) * | 1998-01-27 | 2001-03-27 | Cerprobe Corporation | Probe tip and method for making electrical contact with a solder ball contact of an integrated circuit device |
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