JP2984638B2 - Ｉｃソケット - Google Patents
ＩｃソケットInfo
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- JP2984638B2 JP2984638B2 JP9305952A JP30595297A JP2984638B2 JP 2984638 B2 JP2984638 B2 JP 2984638B2 JP 9305952 A JP9305952 A JP 9305952A JP 30595297 A JP30595297 A JP 30595297A JP 2984638 B2 JP2984638 B2 JP 2984638B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多端子のＩＣパッケー
ジ或はシリコンのＩＣチップの実装或はバーン・イン試
験等に使用されるＩＣソケットに関するもので、通常パ
ッケージ状態・チップ状態のどちらでもエージングする
為のソケットである。
ジ或はシリコンのＩＣチップの実装或はバーン・イン試
験等に使用されるＩＣソケットに関するもので、通常パ
ッケージ状態・チップ状態のどちらでもエージングする
為のソケットである。
【０００２】
【従来の技術】現在、ＩＣソケットにおいてはＩＣリー
ドフレーム（材質４２合金又は、銅合金の表面に半田メ
ッキされている）と、ソケット内に組み込まれたプレス
で打ち抜かれたコンタクトピン（材質BeCuの表面にNiメ
ッキ２〜３μｍ、その上に金メッキを０．２〜０．３μ
ｍ）とが接触することにより電路を形成している。一
方、ＩＣパッケージ或はシリコンチップのリードは高密
度化の傾向にある。ＩＣパッケージ或はシリコンチップ
の実装或は試験等を行うためのＩＣソケットのコンタク
トピンも、これに合わせて高密度化をしなければならな
い。例えば図４に示すようにシリコンのＩＣチップ１ａ
の電極２ａはアルミニウムをベースとしてなり、そのピ
ッチは０．２ｍｍ以下のピッチとなり、ＩＣソケット側
の微細電極４のピッチもそれに合わせて縮少させなけれ
ばならない。ＩＣパッケージ１或はＩＣチップ１ａの微
細ピッチ化傾向に伴うＩＣソケットの微細化ピッチの為
各リード２，電極２ａと微細電極４との間の良好な電気
的接続は困難となる。特にＩＣチップ１ａの各リード
２，電極２ａと微細電極４がアルミニウムの場合、その
表面に酸化アルミニウムの被膜ができるので、接触不良
を起し易い。
ドフレーム（材質４２合金又は、銅合金の表面に半田メ
ッキされている）と、ソケット内に組み込まれたプレス
で打ち抜かれたコンタクトピン（材質BeCuの表面にNiメ
ッキ２〜３μｍ、その上に金メッキを０．２〜０．３μ
ｍ）とが接触することにより電路を形成している。一
方、ＩＣパッケージ或はシリコンチップのリードは高密
度化の傾向にある。ＩＣパッケージ或はシリコンチップ
の実装或は試験等を行うためのＩＣソケットのコンタク
トピンも、これに合わせて高密度化をしなければならな
い。例えば図４に示すようにシリコンのＩＣチップ１ａ
の電極２ａはアルミニウムをベースとしてなり、そのピ
ッチは０．２ｍｍ以下のピッチとなり、ＩＣソケット側
の微細電極４のピッチもそれに合わせて縮少させなけれ
ばならない。ＩＣパッケージ１或はＩＣチップ１ａの微
細ピッチ化傾向に伴うＩＣソケットの微細化ピッチの為
各リード２，電極２ａと微細電極４との間の良好な電気
的接続は困難となる。特にＩＣチップ１ａの各リード
２，電極２ａと微細電極４がアルミニウムの場合、その
表面に酸化アルミニウムの被膜ができるので、接触不良
を起し易い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このため、従来は表面
の酸化物被膜を破るためにダイヤモンド粉を用いるもの
が知られているが、そのダイヤモンド粉の粒径は２２μ
ｍ〜２７μｍと大きいため、接触抵抗値は大きく、また
抵抗値のバラツキが大きく、接触圧力も大きい欠点があ
る。
の酸化物被膜を破るためにダイヤモンド粉を用いるもの
が知られているが、そのダイヤモンド粉の粒径は２２μ
ｍ〜２７μｍと大きいため、接触抵抗値は大きく、また
抵抗値のバラツキが大きく、接触圧力も大きい欠点があ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる課題を解
決するもので、ＩＣパッケージ或いはＩＣチップを装填
するＩＣソケットのＩＣソケット本体１０において、Ｉ
Ｃパッケージ或いはＩＣチップを装填する部分の下方に
はＩＣパッケージ或いはＩＣチップのリード２或いは電
極２ａと外部回路６とを接続する弾性を有するコンタク
ト部材１６が配設され、このコンタクト部材１６の前記
リード２或いは電極２ａと接する電極４ｂは粒径１５μ
ｍ以下の高硬度粒子１４と共にニッケルを複合鍍金し、
その上に金鍍金１５を施してなるものである。また、Ｉ
Ｃパッケージ或はＩＣチップを装填するＩＣソケットの
ＩＣソケット本体１０において、ＩＣパッケージ１或は
ＩＣチップ１ａを装填する部分の下方には弾性体７があ
り、その上には絶縁性フィルム５があり、この絶縁性フ
ィルムの表面には上記ＩＣパッケージ１或はＩＣチップ
１ａのリード２或は電極２ａに接する微細電極４，４ａ
を有する回路６があり、この微細電極４，４ａは粒径１
５μｍ以下の高硬度粒子１４と共にニッケルを複合鍍金
し、その上に金鍍金１５を施してなるＩＣソケットであ
る。また、ＩＣパッケージ或はＩＣチップを装填するＩ
ＣソケットのＩＣソケット本体１０において、ＩＣパッ
ケージ１或はＩＣチップ１ａを装填する部分の下方には
弾性のあるコンタクトピン１６があり、このコンタクト
ピン１６には上記ＩＣパッケージ１或はＩＣチップ１ａ
のリード２或は電極２ａと接する電極４ｂを有し、この
電極４ｂは粒径１５μｍ以下の高硬度粒子１４と共にニ
ッケルを複合鍍金し、その上に金鍍金１５を施してなる
ＩＣソケットである。
決するもので、ＩＣパッケージ或いはＩＣチップを装填
するＩＣソケットのＩＣソケット本体１０において、Ｉ
Ｃパッケージ或いはＩＣチップを装填する部分の下方に
はＩＣパッケージ或いはＩＣチップのリード２或いは電
極２ａと外部回路６とを接続する弾性を有するコンタク
ト部材１６が配設され、このコンタクト部材１６の前記
リード２或いは電極２ａと接する電極４ｂは粒径１５μ
ｍ以下の高硬度粒子１４と共にニッケルを複合鍍金し、
その上に金鍍金１５を施してなるものである。また、Ｉ
Ｃパッケージ或はＩＣチップを装填するＩＣソケットの
ＩＣソケット本体１０において、ＩＣパッケージ１或は
ＩＣチップ１ａを装填する部分の下方には弾性体７があ
り、その上には絶縁性フィルム５があり、この絶縁性フ
ィルムの表面には上記ＩＣパッケージ１或はＩＣチップ
１ａのリード２或は電極２ａに接する微細電極４，４ａ
を有する回路６があり、この微細電極４，４ａは粒径１
５μｍ以下の高硬度粒子１４と共にニッケルを複合鍍金
し、その上に金鍍金１５を施してなるＩＣソケットであ
る。また、ＩＣパッケージ或はＩＣチップを装填するＩ
ＣソケットのＩＣソケット本体１０において、ＩＣパッ
ケージ１或はＩＣチップ１ａを装填する部分の下方には
弾性のあるコンタクトピン１６があり、このコンタクト
ピン１６には上記ＩＣパッケージ１或はＩＣチップ１ａ
のリード２或は電極２ａと接する電極４ｂを有し、この
電極４ｂは粒径１５μｍ以下の高硬度粒子１４と共にニ
ッケルを複合鍍金し、その上に金鍍金１５を施してなる
ＩＣソケットである。
【０００５】
【作 用】押圧部３がリード２或は電極２ａを押圧する
と高硬度粒子１４は金鍍金１５の金と共にリード２或は
電極２ａ内に喰い込み、リード２或は電極２ａを回路６
に確実に接続する。
と高硬度粒子１４は金鍍金１５の金と共にリード２或は
電極２ａ内に喰い込み、リード２或は電極２ａを回路６
に確実に接続する。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の一実施例の押圧型のＩＣソケ
ットの縦断面図を示すもので、ＩＣパッケージ１を用い
ているが、シリコンのＩＣチップ１ａを用いる場合にも
通用しうることは勿論である。この実施例が示すＩＣパ
ッケージ１はリードがガルウイン形状のＩＣパッケージ
で、そのリード２は４２鉄ニッケル合金又は銅合金にハ
ンダ鍍金をしたものである。ＩＣソケット本体１０は直
方体状でその上面中央にＩＣパッケージ１を入れる開口
を有する。このカバー１２にはＩＣパッケージ１のリー
ド２を下方に押圧する押圧部３を有する。ＩＣソケット
本体１０内において上記開口の下方の位置には１５０℃
以上の耐熱性シリコンゴム材料によって構成されている
弾性体７があり、その上にはポリイミド樹脂或はポリエ
ーテルサルフォン等よりなる柔軟な絶縁性フィルム５が
あり、この絶縁性フィルム５の表面には上記リード２に
接する高密度に形成された微細電極４を有する銅箔など
で作られた柔軟性の回路６が設けられている。この回路
６はＩＣソケット本体１０の底部に植設した端子１３，
１３・・・に接続される。
ットの縦断面図を示すもので、ＩＣパッケージ１を用い
ているが、シリコンのＩＣチップ１ａを用いる場合にも
通用しうることは勿論である。この実施例が示すＩＣパ
ッケージ１はリードがガルウイン形状のＩＣパッケージ
で、そのリード２は４２鉄ニッケル合金又は銅合金にハ
ンダ鍍金をしたものである。ＩＣソケット本体１０は直
方体状でその上面中央にＩＣパッケージ１を入れる開口
を有する。このカバー１２にはＩＣパッケージ１のリー
ド２を下方に押圧する押圧部３を有する。ＩＣソケット
本体１０内において上記開口の下方の位置には１５０℃
以上の耐熱性シリコンゴム材料によって構成されている
弾性体７があり、その上にはポリイミド樹脂或はポリエ
ーテルサルフォン等よりなる柔軟な絶縁性フィルム５が
あり、この絶縁性フィルム５の表面には上記リード２に
接する高密度に形成された微細電極４を有する銅箔など
で作られた柔軟性の回路６が設けられている。この回路
６はＩＣソケット本体１０の底部に植設した端子１３，
１３・・・に接続される。
【０００７】図２はその微細電極４の拡大図を示すもの
で、その微細電極４はダイヤモンド粒１４と共にニッケ
ルを複合鍍金し、その上に金鍍金１５をしたものであ
る。ダイヤモンド粒１４の粒径は１５μｍ以下のもので
ある。金鍍金１５の厚さはニッケルメッキが酸化しない
程度とする。次にこの装置の動作を説明する。ＩＣソケ
ット本体１０の上面中央の開口内にＩＣパッケージ１を
装填し、カバー１２を覆せて上方より下方に押圧すると
押圧部３は図２矢印のようにリード２を下方に押圧す
る。これによってダイヤモンド粒１４は金鍍金１５の金
と共にリード２内に喰い込み、リード２を微細電極４と
回路６、そして端子１３に接続する。ダイヤモンド粒子
が食い込む深さは約５ミクロンから１０ミクロン程度で
あると思われる。ＩＣチップ１ａを用いたときにはダイ
ヤモンド粒１４はその電極２ａの酸化アルミニウムの被
膜を割りながら内部のアルミニウムに突き刺さり、接続
が良好となる。
で、その微細電極４はダイヤモンド粒１４と共にニッケ
ルを複合鍍金し、その上に金鍍金１５をしたものであ
る。ダイヤモンド粒１４の粒径は１５μｍ以下のもので
ある。金鍍金１５の厚さはニッケルメッキが酸化しない
程度とする。次にこの装置の動作を説明する。ＩＣソケ
ット本体１０の上面中央の開口内にＩＣパッケージ１を
装填し、カバー１２を覆せて上方より下方に押圧すると
押圧部３は図２矢印のようにリード２を下方に押圧す
る。これによってダイヤモンド粒１４は金鍍金１５の金
と共にリード２内に喰い込み、リード２を微細電極４と
回路６、そして端子１３に接続する。ダイヤモンド粒子
が食い込む深さは約５ミクロンから１０ミクロン程度で
あると思われる。ＩＣチップ１ａを用いたときにはダイ
ヤモンド粒１４はその電極２ａの酸化アルミニウムの被
膜を割りながら内部のアルミニウムに突き刺さり、接続
が良好となる。
【０００８】図３は本発明の他の実施例の回転押圧型の
ＩＣソケットの縦断面図を示すもので、上記実施例と同
じ部分は同じ符号を用いて説明する。図において１はＩ
Ｃパッケージ本体、２はＩＣパッケージのリード、３は
リード２を押圧するための押圧部、４ａはリード２と接
続するための多数の接点が高密度に形成された微細電
極、５は微細電極４ａを表面に設けた柔軟性を有するポ
リイミドなどで作られた絶縁性フィルム、６は絶縁性フ
ィルム５の表面に設けられた微細電極４ａと電気的に接
続が可能な状態にある銅箔などで作られた柔軟性を有す
る回路、７は微細電極４ａの下方部分全体にわたって配
設されており、絶縁性フィルム５に下から接するゴム等
の弾性体、８は回転軸９によってＩＣソケット本体１０
に対して上下に揺動可能に取り付けられたブロック、１
１は一端をＩＣソケット本体１０に、他の一端をブロッ
ク８に取り付けられたばね、１２はＩＣソケットに回動
可能に取り付けられた押圧部３を有するカバー、１３は
回路６と接続状態にある、ＩＣパッケージの実装試験等
を行うための回路基板と接続するために、回路基板の接
続部分のピッチに合わせてＩＣソケット本体１０に取り
付けられた端子である。
ＩＣソケットの縦断面図を示すもので、上記実施例と同
じ部分は同じ符号を用いて説明する。図において１はＩ
Ｃパッケージ本体、２はＩＣパッケージのリード、３は
リード２を押圧するための押圧部、４ａはリード２と接
続するための多数の接点が高密度に形成された微細電
極、５は微細電極４ａを表面に設けた柔軟性を有するポ
リイミドなどで作られた絶縁性フィルム、６は絶縁性フ
ィルム５の表面に設けられた微細電極４ａと電気的に接
続が可能な状態にある銅箔などで作られた柔軟性を有す
る回路、７は微細電極４ａの下方部分全体にわたって配
設されており、絶縁性フィルム５に下から接するゴム等
の弾性体、８は回転軸９によってＩＣソケット本体１０
に対して上下に揺動可能に取り付けられたブロック、１
１は一端をＩＣソケット本体１０に、他の一端をブロッ
ク８に取り付けられたばね、１２はＩＣソケットに回動
可能に取り付けられた押圧部３を有するカバー、１３は
回路６と接続状態にある、ＩＣパッケージの実装試験等
を行うための回路基板と接続するために、回路基板の接
続部分のピッチに合わせてＩＣソケット本体１０に取り
付けられた端子である。
【０００９】かくして、ＩＣパッケージを装着するに際
しカバー１２を開け、ＩＣパッケージ１をＩＣソケット
本体１０に装填すると、リード２が微細電極４ａの上に
載る。微細電極４ａは、ＩＣパッケージのリード２のピ
ッチと同じピッチで、絶縁性フィルム５の表面に設けら
れている。ブロック８は、ばね１１の弾性力によって、
ＩＣソケット本体１０に対して上方向の力を受けてい
る。カバー１２を閉じると、押圧部３がリード２をＩＣ
ソケット本体１０に対して下方向へ押圧する。すると、
まず弾性体７が弾性変形しはじめ、次にブロック８が回
転軸９を中心に左旋し、ばね１１を変形させる。このと
き、微細電極４ａも回転軸９を中心に回転し、リード２
を擦り、ワイピング作用が行われる。そして、リード２
と回路６が確実に接続され、更に端子１３を通じて、図
示されていない回路基板と接続される。
しカバー１２を開け、ＩＣパッケージ１をＩＣソケット
本体１０に装填すると、リード２が微細電極４ａの上に
載る。微細電極４ａは、ＩＣパッケージのリード２のピ
ッチと同じピッチで、絶縁性フィルム５の表面に設けら
れている。ブロック８は、ばね１１の弾性力によって、
ＩＣソケット本体１０に対して上方向の力を受けてい
る。カバー１２を閉じると、押圧部３がリード２をＩＣ
ソケット本体１０に対して下方向へ押圧する。すると、
まず弾性体７が弾性変形しはじめ、次にブロック８が回
転軸９を中心に左旋し、ばね１１を変形させる。このと
き、微細電極４ａも回転軸９を中心に回転し、リード２
を擦り、ワイピング作用が行われる。そして、リード２
と回路６が確実に接続され、更に端子１３を通じて、図
示されていない回路基板と接続される。
【００１０】而して、リード２と微細電極４ａの擦れ合
う距離は、リード２を押圧部３によって押圧したときの
ブロック８の回転量によって決まることになる。従っ
て、回転量を多くすることによって、リード２と微細電
極４ａのワイピング効果はより確実に得られる。但し、
ブロック８の回転可能範囲は、リード２を曲げる危険性
のない範囲としなければならない。尚、上記実施例にお
いては、微細電極にダイヤモンド粒と共にニッケルを複
合鍍金した例を示したが、ダイヤモンド粒に代えて炭化
硅素、シリカ、チタンウイスカ、セラミックスなど酸化
金属被膜を破壊しうるような高硬度粒子であればよい。
う距離は、リード２を押圧部３によって押圧したときの
ブロック８の回転量によって決まることになる。従っ
て、回転量を多くすることによって、リード２と微細電
極４ａのワイピング効果はより確実に得られる。但し、
ブロック８の回転可能範囲は、リード２を曲げる危険性
のない範囲としなければならない。尚、上記実施例にお
いては、微細電極にダイヤモンド粒と共にニッケルを複
合鍍金した例を示したが、ダイヤモンド粒に代えて炭化
硅素、シリカ、チタンウイスカ、セラミックスなど酸化
金属被膜を破壊しうるような高硬度粒子であればよい。
【００１１】〔実験例〕 (測定の目的) アルミをベースとした蒸着膜と今後ソ
ケットに使用されるであろうと思われる様々な接触物質
と蒸着膜との接触特性がどうなのか、また、様々な接触
物質の中でどれが一番良い接触特性を得られるかの試
（実）験を行った。 (試験方法) 当社で設計・製作した接触特性試験治具
を使用し、Siチップ上のAlをベースとした蒸着膜に対
し、接触圧と接触抵抗との関係がどうなのか試験(実験)
する。図５のように、様々な接触物質２０とシリコン
チップ２１上に蒸着したアルミニウムをベースとした蒸
着膜２２と接触させ、接触物質裏面よりスプリング２３
を介した通称ポゴピンと呼ばれているピン２４で先端部
２５を押す。そして、その押す力を徐々に強く押してい
く。その力はロードセル２６（Ｐ／Ｅセンサ）で測定す
る。そして接触物質２のアルミニウムをベースとした蒸
着膜２２の各々の一端から四端子測定法に則ってその間
の抵抗値の変化を測定する（市販の「LowOhm Meter 」
を使用し、その測定電流は５０μＡである）。尚、ポゴ
ピン２４の先端部は丸・平２種類各々測定を行った。抵
抗値と圧力との関係は図６に示す。従来公知の２つの資
料と本発明の２つの資料の抵抗値を表１に示し、接触圧
力を表２に示し、総合評価を表３に示す。これによれ
ば、軽い接触圧で接触抵抗は小さくなり、総合的に良好
な結果が得られたことがわかる。これは軽い接触圧で、
酸化被膜への食い込み量が小さいため、逆に金鍍金とリ
ードとの接触面積が大きく保たれるためと考えられる。
ケットに使用されるであろうと思われる様々な接触物質
と蒸着膜との接触特性がどうなのか、また、様々な接触
物質の中でどれが一番良い接触特性を得られるかの試
（実）験を行った。 (試験方法) 当社で設計・製作した接触特性試験治具
を使用し、Siチップ上のAlをベースとした蒸着膜に対
し、接触圧と接触抵抗との関係がどうなのか試験(実験)
する。図５のように、様々な接触物質２０とシリコン
チップ２１上に蒸着したアルミニウムをベースとした蒸
着膜２２と接触させ、接触物質裏面よりスプリング２３
を介した通称ポゴピンと呼ばれているピン２４で先端部
２５を押す。そして、その押す力を徐々に強く押してい
く。その力はロードセル２６（Ｐ／Ｅセンサ）で測定す
る。そして接触物質２のアルミニウムをベースとした蒸
着膜２２の各々の一端から四端子測定法に則ってその間
の抵抗値の変化を測定する（市販の「LowOhm Meter 」
を使用し、その測定電流は５０μＡである）。尚、ポゴ
ピン２４の先端部は丸・平２種類各々測定を行った。抵
抗値と圧力との関係は図６に示す。従来公知の２つの資
料と本発明の２つの資料の抵抗値を表１に示し、接触圧
力を表２に示し、総合評価を表３に示す。これによれ
ば、軽い接触圧で接触抵抗は小さくなり、総合的に良好
な結果が得られたことがわかる。これは軽い接触圧で、
酸化被膜への食い込み量が小さいため、逆に金鍍金とリ
ードとの接触面積が大きく保たれるためと考えられる。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【表２】
【００１４】
【表３】
【００１５】（結果） 総合評価の結果、ニッケルメッ
キにダイヤモンドをまぶした「フリーカット」の接触特
性が良いことが判明した。その中でもその上に金メッキ
を施したものが良い。ダイヤモンド粒子の大きさはアル
ミ蒸着膜に対しては３〜１５μｍ程度の厚さの範囲がよ
いことが判明した。
キにダイヤモンドをまぶした「フリーカット」の接触特
性が良いことが判明した。その中でもその上に金メッキ
を施したものが良い。ダイヤモンド粒子の大きさはアル
ミ蒸着膜に対しては３〜１５μｍ程度の厚さの範囲がよ
いことが判明した。
【００１６】図７は本発明の更に他の実施例を示すもの
で、前述の実施例と同じ部分は同じ符号を用いて説明す
る。ＩＣパッケージ１或はＩＣチップ１ａを装填する部
分の下方には弾性のあるコンタクトピン１６があり、こ
のコンタクトピン１６には上記ＩＣパッケージ１或はＩ
Ｃチップ１ａのリード２或は電極２ａと接する電極４ｂ
を有し、この電極４ｂは粒径１５μｍ以下の高硬度粒子
１４と共にニッケルを複合鍍金し、その上に金鍍金１５
を施してなるものである。なお、図中１７はソケット本
体１０に設けたコンタクトピン１６間を離間する仕切
壁、１８はコンタクトピン１６を上下に撓み易いように
する湾曲部である。この装置において、リード２或いは
電極２ａを電極４ｂに向けて押圧すると、ダイヤモンド
粒１４は金鍍金１５の金と共にリード２或いは電極２ａ
内に喰い込み、リード２或いは電極２ａを回路に確実に
接続する。
で、前述の実施例と同じ部分は同じ符号を用いて説明す
る。ＩＣパッケージ１或はＩＣチップ１ａを装填する部
分の下方には弾性のあるコンタクトピン１６があり、こ
のコンタクトピン１６には上記ＩＣパッケージ１或はＩ
Ｃチップ１ａのリード２或は電極２ａと接する電極４ｂ
を有し、この電極４ｂは粒径１５μｍ以下の高硬度粒子
１４と共にニッケルを複合鍍金し、その上に金鍍金１５
を施してなるものである。なお、図中１７はソケット本
体１０に設けたコンタクトピン１６間を離間する仕切
壁、１８はコンタクトピン１６を上下に撓み易いように
する湾曲部である。この装置において、リード２或いは
電極２ａを電極４ｂに向けて押圧すると、ダイヤモンド
粒１４は金鍍金１５の金と共にリード２或いは電極２ａ
内に喰い込み、リード２或いは電極２ａを回路に確実に
接続する。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明ではこの微細電極
４，４ａ又は電極４ｂは高硬度粒子１４と共にニッケル
鍍金し、その上に金鍍金１５を施しているので、押圧部
３がリード２或は電極２ａを押圧すると高硬度粒子１４
は金鍍金１５の金と共にリード２或は電極２ａ内に喰い
込み、リード２或は電極２ａを回路６に確実に接続する
ものであるが、高硬度粒子１４の粒径は１５μｍ以下と
小さいので、接触抵抗値は小さく、その抵抗値のバラツ
キも小さく、接触圧も小さくてすむものである。
４，４ａ又は電極４ｂは高硬度粒子１４と共にニッケル
鍍金し、その上に金鍍金１５を施しているので、押圧部
３がリード２或は電極２ａを押圧すると高硬度粒子１４
は金鍍金１５の金と共にリード２或は電極２ａ内に喰い
込み、リード２或は電極２ａを回路６に確実に接続する
ものであるが、高硬度粒子１４の粒径は１５μｍ以下と
小さいので、接触抵抗値は小さく、その抵抗値のバラツ
キも小さく、接触圧も小さくてすむものである。
【図１】本発明の一実施例の概要を示す壁を押圧型のＩ
Ｃソケットの縦断面図である。
Ｃソケットの縦断面図である。
【図２】その要部の拡大図である。
【図３】本発明の他の実施例の回転押圧型のＩＣソケッ
トの縦断面図である。
トの縦断面図である。
【図４】シリコンチップのリードを示す裏面図である。
【図５】実験例の説明図である。
【図６】抵抗値と圧力の関係を示すグラフである。
【図７】本発明の更に他の実施例の要部の斜視図であ
る。
る。
１ ＩＣパッケージ １ａ ＩＣチップ ２ リード ２ａ 電極 ４ 微細電極 ４ａ 微細電極 ４ｂ 電極 ５ 絶縁性フィルム ６ 回路 ７ 弾性体 １０ ＩＣソケット本体 １４ 高硬度粒子 １５ 金鍍金 １６ コンタクトピン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−101919（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−174253（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−117780（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−45996（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−199796（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−126314（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−199381（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−177286（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−112373（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−48283（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−165866（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01R 33/76,13/03
Claims (4)
- 【請求項１】 ＩＣパッケージ或いはＩＣチップを装填
するＩＣソケットのＩＣソケット本体（１０）におい
て、ＩＣパッケージ或いはＩＣチップを装填する部分の
下方にはＩＣパッケージ或いはＩＣチップのリード
（２）或いは電極（２ａ）と外部回路（６）とを接続す
る弾性を有するコンタクト部材（１６）が配設され、こ
のコンタクト部材（１６）の前記リード（２）或いは電
極（２ａ）と接する電極（４ｂ）は粒径１５μｍ以下の
高硬度粒子（１４）と共にニッケルを複合鍍金し、その
上に金鍍金（１５）を施してなるＩＣソケット。 - 【請求項２】 ＩＣパッケージ或はＩＣチップを装填す
るＩＣソケットのＩＣソケット本体（１０）において、
ＩＣパッケージ（１）或はＩＣチップ（１ａ）を装填す
る部分の下方には弾性体（７）があり、その上には絶縁
性フィルム（５）があり、この絶縁性フィルムの表面に
は上記ＩＣパッケージ（１）或はＩＣチップ（１ａ）の
リード（２）或は電極（２ａ）と接する微細電極（４，
４ａ）を有する回路（６）があり、この微細電極（４，
４ａ）は粒径１５μｍ以下の高硬度粒子（１４）と共に
ニッケルを複合鍍金し、その上に金鍍金（１５）を施し
てなるＩＣソケット。 - 【請求項３】 ＩＣパッケージ或はＩＣチップを装填す
るＩＣソケットのＩＣソケット本体（１０）において、
ＩＣパッケージ（１）或はＩＣチップ（１ａ）を装填す
る部分の下方には弾性のあるコンタクトピン（１６）が
あり、このコンタクトピン（１６）には上記ＩＣパッケ
ージ（１）或はＩＣチップ（１ａ）のリード（２）或は
電極（２ａ）と接する電極（４ｂ）を有し、この電極
（４ｂ）は粒径１５μｍ以下の高硬度粒子（１４）と共
にニッケルを複合鍍金し、その上に金鍍金（１５）を施
してなるＩＣソケット。 - 【請求項４】 前記高硬度粒子（１４）は、ダイヤモン
ド、炭化硅素、シリカ、チタンウイスカ、セラミックス
のうちのいずれか、又はこれらのうちの複数種を含むも
のからなるものであることを特徴とする請求項１、２又
は３のいずれかに記載のＩＣソケット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9305952A JP2984638B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | Ｉｃソケット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9305952A JP2984638B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | Ｉｃソケット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10228969A JPH10228969A (ja) | 1998-08-25 |
| JP2984638B2 true JP2984638B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=17951280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9305952A Expired - Fee Related JP2984638B2 (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | Ｉｃソケット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2984638B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3425125B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2003-07-07 | タイコエレクトロニクスアンプ株式会社 | Ｂｇａパッケージ用ソケット |
| KR100953444B1 (ko) | 2008-01-10 | 2010-04-20 | 주식회사 아이에스시테크놀러지 | 스프링 접착형 테스트소켓 및 그 소켓의 제작방법 |
| US10978820B2 (en) | 2018-11-13 | 2021-04-13 | Tyco Electronics Japan G.K. | IC socket with contacts having a retained portion |
-
1997
- 1997-11-07 JP JP9305952A patent/JP2984638B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10228969A (ja) | 1998-08-25 |
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