JP3419110B2 - プローブカード - Google Patents
プローブカードInfo
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- JP3419110B2 JP3419110B2 JP24950294A JP24950294A JP3419110B2 JP 3419110 B2 JP3419110 B2 JP 3419110B2 JP 24950294 A JP24950294 A JP 24950294A JP 24950294 A JP24950294 A JP 24950294A JP 3419110 B2 JP3419110 B2 JP 3419110B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe pin
- probe
- alloy
- probe card
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- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の電気的特
性の検査に用いられるプローブカードに関するものであ
る。
性の検査に用いられるプローブカードに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子のパッケージには、フラット
パッケージ（ＦＰ）やテープキャリアパッケージ（ＴＣ
Ｐ）など種々の方式があるが、いずれのパッケージにお
いても、リード部に設けられる電極パッドを介して内部
回路と外部回路が接続される。従って上記電極パッドに
は、内部および外部への配線［ＩＬＢ（inner lead bon
ding）およびＯＬＢ（outer lead bonding）］の際の接
合性を確保する為に、予めＳｎメッキ処理またはハンダ
付け処理が施されてＳｎ含有被覆層が形成されている。
パッケージ（ＦＰ）やテープキャリアパッケージ（ＴＣ
Ｐ）など種々の方式があるが、いずれのパッケージにお
いても、リード部に設けられる電極パッドを介して内部
回路と外部回路が接続される。従って上記電極パッドに
は、内部および外部への配線［ＩＬＢ（inner lead bon
ding）およびＯＬＢ（outer lead bonding）］の際の接
合性を確保する為に、予めＳｎメッキ処理またはハンダ
付け処理が施されてＳｎ含有被覆層が形成されている。
【０００３】前記半導体素子の電気的特性を検査するに
あたっては、複数のプローブピンが配設されたプローブ
カードが用いられており、上記プローブピンを前記電極
パッドに圧接することによって半導体素子とテスターの
導通が得られる様に構成されている。上記プローブカー
ドとして、例えば特開平１−１２８５３５には、図１の
（ａ），（ｂ）に示すようなプローブカードが開示され
ている。図１の（ａ）はプローブカードの平面図、
（ｂ）はプローブカードの側面図であり、１がプローブ
ピン、２がカード基板、３がプローブピン取付部を夫々
示す。尚、上記プローブピン取付部においてはハンダ付
け処理がなされており、プローブピン１はカード基板２
に固着されている。上記プローブピンの材質としては、
高温強度に優れたＷなどが用いられているが、Ｗに数％
のＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅなどの元素を加えた合金を用いるこ
とによってＷのハンダ濡れ性の向上を図ることも知られ
ている。
あたっては、複数のプローブピンが配設されたプローブ
カードが用いられており、上記プローブピンを前記電極
パッドに圧接することによって半導体素子とテスターの
導通が得られる様に構成されている。上記プローブカー
ドとして、例えば特開平１−１２８５３５には、図１の
（ａ），（ｂ）に示すようなプローブカードが開示され
ている。図１の（ａ）はプローブカードの平面図、
（ｂ）はプローブカードの側面図であり、１がプローブ
ピン、２がカード基板、３がプローブピン取付部を夫々
示す。尚、上記プローブピン取付部においてはハンダ付
け処理がなされており、プローブピン１はカード基板２
に固着されている。上記プローブピンの材質としては、
高温強度に優れたＷなどが用いられているが、Ｗに数％
のＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅなどの元素を加えた合金を用いるこ
とによってＷのハンダ濡れ性の向上を図ることも知られ
ている。
【０００４】しかしながら、上記のようなプローブピン
を用いて検査を行うと、テスト回数が増えるにつれて、
電極パッドのＳｎ含有被覆層に由来するＳｎがプローブ
ピンの先端に溶着してＳｎ酸化物を形成し、プローブピ
ンと電極パッド間の接触抵抗が大きくなり、やがては良
品も不良品と判定する疑似不良が発生し、安定した検査
結果が得られなくなるという問題を有していた。
を用いて検査を行うと、テスト回数が増えるにつれて、
電極パッドのＳｎ含有被覆層に由来するＳｎがプローブ
ピンの先端に溶着してＳｎ酸化物を形成し、プローブピ
ンと電極パッド間の接触抵抗が大きくなり、やがては良
品も不良品と判定する疑似不良が発生し、安定した検査
結果が得られなくなるという問題を有していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に着
目してなされたものであって、プローブピンへのＳｎの
溶着を防止して、疑似不良が発生することのないプロー
ブカードを提供しようとするものである。
目してなされたものであって、プローブピンへのＳｎの
溶着を防止して、疑似不良が発生することのないプロー
ブカードを提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成した本発
明のプローブカードとは、少なくともＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅ
のいずれかを含有するＷ合金を材質とするプローブピン
を有し、Ｓｎ含有被覆層が形成された電極パッド部を有
する半導体素子の該被覆層に前記プローブピンを圧接さ
せることにより、上記半導体素子の電気的特性を検査ま
たは測定するプローブカードであって、上記プローブピ
ンの先端部表面に、Ｃ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｉｒ，Ｎｐ，Ｏ
ｓ，Ｒｂ，Ｓｃ，Ｔａ，Ｔｃ，Ｔｍ，Ｗよりなる群から
選ばれる１種以上がコーティングされてなることを要旨
とするものである。尚、プローブピンの材質はＷ合金だ
けに限定されるものではなく、Ｐｄ合金またはＢｅ−Ｃ
ｕ合金であってもよい。
明のプローブカードとは、少なくともＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅ
のいずれかを含有するＷ合金を材質とするプローブピン
を有し、Ｓｎ含有被覆層が形成された電極パッド部を有
する半導体素子の該被覆層に前記プローブピンを圧接さ
せることにより、上記半導体素子の電気的特性を検査ま
たは測定するプローブカードであって、上記プローブピ
ンの先端部表面に、Ｃ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｉｒ，Ｎｐ，Ｏ
ｓ，Ｒｂ，Ｓｃ，Ｔａ，Ｔｃ，Ｔｍ，Ｗよりなる群から
選ばれる１種以上がコーティングされてなることを要旨
とするものである。尚、プローブピンの材質はＷ合金だ
けに限定されるものではなく、Ｐｄ合金またはＢｅ−Ｃ
ｕ合金であってもよい。
【０００７】
【作用】プローブピンへのＳｎ溶着を招く要因として
は、プローブピンの先端形状と先端部材質が挙げられ
る。即ちプローブピンの先端形状は、図２に示す通り、
先端面が平坦であると共に、側面とで形成される角度ａ
が９５°前後と鋭い形状を呈し、この部分が電極パッド
部上にコンタクトされるものであるから、例えばプロー
ブピン又は半導体素子の位置や角度が多少なりともずれ
ると、コンタクト時の接触面積が非常に小さくなる場合
が発生する。接触面積が小さいと検査時に通電される電
流密度が高くなることによって接触部分の温度が上昇
し、メッキ層中のＳｎが溶融してプローブピンの先端に
溶着する。一方先端部の成分元素として、Ｗの母材中に
Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅのいずれか１種以上を含有するか、或
いはＰｄ合金またはＢｅ−Ｃｕ合金であると、Ｓｎ溶着
が発生しやすいことが分かっている。
は、プローブピンの先端形状と先端部材質が挙げられ
る。即ちプローブピンの先端形状は、図２に示す通り、
先端面が平坦であると共に、側面とで形成される角度ａ
が９５°前後と鋭い形状を呈し、この部分が電極パッド
部上にコンタクトされるものであるから、例えばプロー
ブピン又は半導体素子の位置や角度が多少なりともずれ
ると、コンタクト時の接触面積が非常に小さくなる場合
が発生する。接触面積が小さいと検査時に通電される電
流密度が高くなることによって接触部分の温度が上昇
し、メッキ層中のＳｎが溶融してプローブピンの先端に
溶着する。一方先端部の成分元素として、Ｗの母材中に
Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅのいずれか１種以上を含有するか、或
いはＰｄ合金またはＢｅ−Ｃｕ合金であると、Ｓｎ溶着
が発生しやすいことが分かっている。
【０００８】そこで本発明者らは鋭意研究を重ねた結
果、プローブピンの先端に、Ｃ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｉｒ，Ｎ
ｐ，Ｏｓ，Ｒｂ，Ｓｃ，Ｔａ，Ｔｃ，Ｔｍ，Ｗよりなる
群から選ばれる１種以上の元素（以下、本発明に係るコ
ーティング元素ということがある）をコーティングすれ
ば、仮に電極パッド表面に形成されたＳｎ含有被覆層が
溶融したとしても、本発明に係るコーティング元素はＳ
ｎと化合物をつくりにくいことから、プローブピンへは
溶着し難いことを見出した。尚、上記Ｃ，Ｅｕ，Ｈｏ，
Ｉｒ，Ｎｐ，Ｏｓ，Ｒｂ，Ｓｃ，Ｔａ，Ｔｃ，Ｔｍ，Ｗ
の元素がＳｎと化合物をつくらないことは、例えば、
「Binary Phase Diagrams」(ASM INTERNATIONAL発行, Se
cond Edition ,Volume 3) に二元平衡状態図がないこと
や、中間相も存在しない旨記載されていることから明ら
かである。
果、プローブピンの先端に、Ｃ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｉｒ，Ｎ
ｐ，Ｏｓ，Ｒｂ，Ｓｃ，Ｔａ，Ｔｃ，Ｔｍ，Ｗよりなる
群から選ばれる１種以上の元素（以下、本発明に係るコ
ーティング元素ということがある）をコーティングすれ
ば、仮に電極パッド表面に形成されたＳｎ含有被覆層が
溶融したとしても、本発明に係るコーティング元素はＳ
ｎと化合物をつくりにくいことから、プローブピンへは
溶着し難いことを見出した。尚、上記Ｃ，Ｅｕ，Ｈｏ，
Ｉｒ，Ｎｐ，Ｏｓ，Ｒｂ，Ｓｃ，Ｔａ，Ｔｃ，Ｔｍ，Ｗ
の元素がＳｎと化合物をつくらないことは、例えば、
「Binary Phase Diagrams」(ASM INTERNATIONAL発行, Se
cond Edition ,Volume 3) に二元平衡状態図がないこと
や、中間相も存在しない旨記載されていることから明ら
かである。
【０００９】本発明は、上記コーティング元素のコーテ
ィング方法を限定するものではなく、スパッタリング
法，イオンプレーティング法，ＣＶＤ法，真空蒸着法な
どの公知の方法を用いてコーティングすればよい。
ィング方法を限定するものではなく、スパッタリング
法，イオンプレーティング法，ＣＶＤ法，真空蒸着法な
どの公知の方法を用いてコーティングすればよい。
【００１０】コーティング層の厚さとしては、Ｓｎの溶
着を防止する上で、３００Å以上が好ましく、厚過ぎて
も効果は飽和するので、５００〜２０００Åがより好ま
しい範囲である。
着を防止する上で、３００Å以上が好ましく、厚過ぎて
も効果は飽和するので、５００〜２０００Åがより好ま
しい範囲である。
【００１１】さらに本発明は、プローブピンの材質によ
っても限定されるものではなく、Ｗ合金，Ｐｄ合金，Ｂ
ｅ−Ｃｕ合金以外であってもよく、少なくともＳｎと化
合物を形成する成分を有する材料をプローブピンとして
用いるプローブカードには、本発明に係るコーティング
元素をコーティングすることが有効である。
っても限定されるものではなく、Ｗ合金，Ｐｄ合金，Ｂ
ｅ−Ｃｕ合金以外であってもよく、少なくともＳｎと化
合物を形成する成分を有する材料をプローブピンとして
用いるプローブカードには、本発明に係るコーティング
元素をコーティングすることが有効である。
【００１２】また、プローブピンの形状によっても制限
を受けず、図１に例示した湾曲形状プローブピンの他、
直線的に形成され途中で屈曲した形状のもの（例えば特
公平１−４５０２９号公報に記載）や、途中で二股にな
ったもの（例えば特開平５−１４４８９５号公報に記
載）など種々の形状のプローブピンに適用できる。
を受けず、図１に例示した湾曲形状プローブピンの他、
直線的に形成され途中で屈曲した形状のもの（例えば特
公平１−４５０２９号公報に記載）や、途中で二股にな
ったもの（例えば特開平５−１４４８９５号公報に記
載）など種々の形状のプローブピンに適用できる。
【００１３】
【実施例】Ｗ−3.2wt ％Ｎｉのプローブピンを用いて、
以下の条件によりＤＣマグネトロンスパッタリングを行
い、上記プローブピンの先端部にＷをコーティングし
た。 スパッタターゲット ４ＮのＷターゲット バックグラウンド圧力 １×１０-6Ｔｏｒｒ アルゴン導入量 １０ＳＣＣＭ スパッタガス圧 ２ｍＴｏｒｒ 投入電力 ７８Ｗ（３９０Ｖ，０．２Ａ） 基板温度 ２５℃ プリスパッタ時間 ５分 本スパッタ時間 ５分 上記の条件により形成されたコーティング層の厚さを、
同時にスパッタリングを行ったモニター部で測定したと
ころ１１６０Åであった。
以下の条件によりＤＣマグネトロンスパッタリングを行
い、上記プローブピンの先端部にＷをコーティングし
た。 スパッタターゲット ４ＮのＷターゲット バックグラウンド圧力 １×１０-6Ｔｏｒｒ アルゴン導入量 １０ＳＣＣＭ スパッタガス圧 ２ｍＴｏｒｒ 投入電力 ７８Ｗ（３９０Ｖ，０．２Ａ） 基板温度 ２５℃ プリスパッタ時間 ５分 本スパッタ時間 ５分 上記の条件により形成されたコーティング層の厚さを、
同時にスパッタリングを行ったモニター部で測定したと
ころ１１６０Åであった。
【００１４】この様にして得られた本発明に係るプロー
ブピン（以下、本発明例という）と、コーティングが施
されていないプローブピン（以下、比較例という）につ
いて、抵抗測定計と微少変位計を用いて以下の方法によ
り接触抵抗を測定した。
ブピン（以下、本発明例という）と、コーティングが施
されていないプローブピン（以下、比較例という）につ
いて、抵抗測定計と微少変位計を用いて以下の方法によ
り接触抵抗を測定した。
【００１５】即ち、プローブピンを半導体素子の電極パ
ッド部に向かって徐々に降ろしていき、導通がとれた位
置を０μｍとして、２５μｍずつ押し込みながら夫々の
位置における抵抗値を測定した。押し込み量が２００μ
ｍに達した後は、逆に２５μｍずつプローブピンを戻し
ていき、各位置における抵抗値を測定した。尚、前記電
極パッド部の表面にはＳｎがメッキされており、メッキ
層の厚さは、オージェ分析の結果、１μｍであった。ま
た実際のテスト時に流れる電流は通常３〜５ｍＡ程度で
あるが、本実施例では積極的にＳｎを溶融させるべく１
００ｍＡの電流を流して測定を行った。
ッド部に向かって徐々に降ろしていき、導通がとれた位
置を０μｍとして、２５μｍずつ押し込みながら夫々の
位置における抵抗値を測定した。押し込み量が２００μ
ｍに達した後は、逆に２５μｍずつプローブピンを戻し
ていき、各位置における抵抗値を測定した。尚、前記電
極パッド部の表面にはＳｎがメッキされており、メッキ
層の厚さは、オージェ分析の結果、１μｍであった。ま
た実際のテスト時に流れる電流は通常３〜５ｍＡ程度で
あるが、本実施例では積極的にＳｎを溶融させるべく１
００ｍＡの電流を流して測定を行った。
【００１６】以上の測定を本発明例および比較例の夫々
に対して２回ずつ行って、１回目と２回目の接触抵抗値
の比較を行った。図１に比較例の測定結果を示す。１回
目に比べて２回目の接触抵抗値は増大することが分か
る。図２に本発明例の測定結果を示す。１回目と２回目
の接触抵抗値にはほとんど変化がない。
に対して２回ずつ行って、１回目と２回目の接触抵抗値
の比較を行った。図１に比較例の測定結果を示す。１回
目に比べて２回目の接触抵抗値は増大することが分か
る。図２に本発明例の測定結果を示す。１回目と２回目
の接触抵抗値にはほとんど変化がない。
【００１７】更に、接触抵抗測定後のプローブピンの先
端部についてＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）観察及びＥＤ
Ｘ（エネルギー分散型Ｘ線分光法）分析を行った結果、
比較例ではプローブピンの先端にＳｎ酸化物の付着が見
られたが、本発明例の場合ではプローブピンの先端にＳ
ｎ酸化物の付着がほとんど認められなかった。
端部についてＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）観察及びＥＤ
Ｘ（エネルギー分散型Ｘ線分光法）分析を行った結果、
比較例ではプローブピンの先端にＳｎ酸化物の付着が見
られたが、本発明例の場合ではプローブピンの先端にＳ
ｎ酸化物の付着がほとんど認められなかった。
【００１８】
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されているの
で、プローブピンの先端にＳｎが溶着することを防止し
て疑似不良を起こすことのないプローブカードが提供で
きることとなった。
で、プローブピンの先端にＳｎが溶着することを防止し
て疑似不良を起こすことのないプローブカードが提供で
きることとなった。
【図１】プローブカードの概略説明図であって、（ａ）
は平面図、（ｂ）は側面図である。
は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図２】従来のプローブピンの先端部形状を示す図であ
る。
る。
【図３】比較例の接触抵抗の変化を示すグラフである。
【図４】本発明例の接触抵抗の変化を示すグラフであ
る。
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−41425（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−41745（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−223847（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−206765（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−122140（ＪＰ，Ａ)
実開 平５−11062（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭56−151981（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/66
G01R 1/073
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくともＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅのいずれか
を含有するＷ合金を材質とするプローブピンを有し、Ｓ
ｎ含有被覆層が形成された電極パッド部を有する半導体
素子の該被覆層に前記プローブピンを圧接させることに
より、上記半導体素子の電気的特性を検査または測定す
るプローブカードであって、 上記プローブピンの先端部表面に、Ｃ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｉ
ｒ，Ｎｐ，Ｏｓ，Ｒｂ，Ｓｃ，Ｔａ，Ｔｃ，Ｔｍ，Ｗよ
りなる群から選ばれる１種以上がコーティングされてな
ることを特徴とするプローブカード。 - 【請求項２】 Ｐｄ合金またはＢｅ−Ｃｕ合金を、上記
Ｗ合金に代えてプローブピンの材質とする請求項１に記
載のプローブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24950294A JP3419110B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | プローブカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24950294A JP3419110B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | プローブカード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08115955A JPH08115955A (ja) | 1996-05-07 |
| JP3419110B2 true JP3419110B2 (ja) | 2003-06-23 |
Family
ID=17193926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24950294A Expired - Lifetime JP3419110B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | プローブカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3419110B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3279294B2 (ja) | 1998-08-31 | 2002-04-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置のテスト方法、半導体装置のテスト用プローブ針とその製造方法およびそのプローブ針を備えたプローブカード |
| TWI243244B (en) * | 2000-06-28 | 2005-11-11 | Nhk Spring Co Ltd | Conductive contact member |
| JP4741949B2 (ja) | 2003-04-15 | 2011-08-10 | 日本電気株式会社 | 検査プローブ |
| JP2005098895A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Kiyota Seisakusho:Kk | プローブ針 |
| JP2013064678A (ja) | 2011-09-20 | 2013-04-11 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-10-14 JP JP24950294A patent/JP3419110B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08115955A (ja) | 1996-05-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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