JP3419110B2 - プローブカード - Google Patents
プローブカードInfo
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- JP3419110B2 JP3419110B2 JP24950294A JP24950294A JP3419110B2 JP 3419110 B2 JP3419110 B2 JP 3419110B2 JP 24950294 A JP24950294 A JP 24950294A JP 24950294 A JP24950294 A JP 24950294A JP 3419110 B2 JP3419110 B2 JP 3419110B2
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- Japan
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- probe pin
- probe
- alloy
- probe card
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- Expired - Lifetime
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
性の検査に用いられるプローブカードに関するものであ
る。
パッケージ(FP)やテープキャリアパッケージ(TC
P)など種々の方式があるが、いずれのパッケージにお
いても、リード部に設けられる電極パッドを介して内部
回路と外部回路が接続される。従って上記電極パッドに
は、内部および外部への配線[ILB(inner lead bon
ding)およびOLB(outer lead bonding)]の際の接
合性を確保する為に、予めSnメッキ処理またはハンダ
付け処理が施されてSn含有被覆層が形成されている。
あたっては、複数のプローブピンが配設されたプローブ
カードが用いられており、上記プローブピンを前記電極
パッドに圧接することによって半導体素子とテスターの
導通が得られる様に構成されている。上記プローブカー
ドとして、例えば特開平1−128535には、図1の
(a),(b)に示すようなプローブカードが開示され
ている。図1の(a)はプローブカードの平面図、
(b)はプローブカードの側面図であり、1がプローブ
ピン、2がカード基板、3がプローブピン取付部を夫々
示す。尚、上記プローブピン取付部においてはハンダ付
け処理がなされており、プローブピン1はカード基板2
に固着されている。上記プローブピンの材質としては、
高温強度に優れたWなどが用いられているが、Wに数%
のNi,Co,Feなどの元素を加えた合金を用いるこ
とによってWのハンダ濡れ性の向上を図ることも知られ
ている。
を用いて検査を行うと、テスト回数が増えるにつれて、
電極パッドのSn含有被覆層に由来するSnがプローブ
ピンの先端に溶着してSn酸化物を形成し、プローブピ
ンと電極パッド間の接触抵抗が大きくなり、やがては良
品も不良品と判定する疑似不良が発生し、安定した検査
結果が得られなくなるという問題を有していた。
目してなされたものであって、プローブピンへのSnの
溶着を防止して、疑似不良が発生することのないプロー
ブカードを提供しようとするものである。
明のプローブカードとは、少なくともNi,Co,Fe
のいずれかを含有するW合金を材質とするプローブピン
を有し、Sn含有被覆層が形成された電極パッド部を有
する半導体素子の該被覆層に前記プローブピンを圧接さ
せることにより、上記半導体素子の電気的特性を検査ま
たは測定するプローブカードであって、上記プローブピ
ンの先端部表面に、C,Eu,Ho,Ir,Np,O
s,Rb,Sc,Ta,Tc,Tm,Wよりなる群から
選ばれる1種以上がコーティングされてなることを要旨
とするものである。尚、プローブピンの材質はW合金だ
けに限定されるものではなく、Pd合金またはBe−C
u合金であってもよい。
は、プローブピンの先端形状と先端部材質が挙げられ
る。即ちプローブピンの先端形状は、図2に示す通り、
先端面が平坦であると共に、側面とで形成される角度a
が95°前後と鋭い形状を呈し、この部分が電極パッド
部上にコンタクトされるものであるから、例えばプロー
ブピン又は半導体素子の位置や角度が多少なりともずれ
ると、コンタクト時の接触面積が非常に小さくなる場合
が発生する。接触面積が小さいと検査時に通電される電
流密度が高くなることによって接触部分の温度が上昇
し、メッキ層中のSnが溶融してプローブピンの先端に
溶着する。一方先端部の成分元素として、Wの母材中に
Ni,Co,Feのいずれか1種以上を含有するか、或
いはPd合金またはBe−Cu合金であると、Sn溶着
が発生しやすいことが分かっている。
果、プローブピンの先端に、C,Eu,Ho,Ir,N
p,Os,Rb,Sc,Ta,Tc,Tm,Wよりなる
群から選ばれる1種以上の元素(以下、本発明に係るコ
ーティング元素ということがある)をコーティングすれ
ば、仮に電極パッド表面に形成されたSn含有被覆層が
溶融したとしても、本発明に係るコーティング元素はS
nと化合物をつくりにくいことから、プローブピンへは
溶着し難いことを見出した。尚、上記C,Eu,Ho,
Ir,Np,Os,Rb,Sc,Ta,Tc,Tm,W
の元素がSnと化合物をつくらないことは、例えば、
「Binary Phase Diagrams」(ASM INTERNATIONAL発行, Se
cond Edition ,Volume 3) に二元平衡状態図がないこと
や、中間相も存在しない旨記載されていることから明ら
かである。
ィング方法を限定するものではなく、スパッタリング
法,イオンプレーティング法,CVD法,真空蒸着法な
どの公知の方法を用いてコーティングすればよい。
着を防止する上で、300Å以上が好ましく、厚過ぎて
も効果は飽和するので、500〜2000Åがより好ま
しい範囲である。
っても限定されるものではなく、W合金,Pd合金,B
e−Cu合金以外であってもよく、少なくともSnと化
合物を形成する成分を有する材料をプローブピンとして
用いるプローブカードには、本発明に係るコーティング
元素をコーティングすることが有効である。
を受けず、図1に例示した湾曲形状プローブピンの他、
直線的に形成され途中で屈曲した形状のもの(例えば特
公平1−45029号公報に記載)や、途中で二股にな
ったもの(例えば特開平5−144895号公報に記
載)など種々の形状のプローブピンに適用できる。
以下の条件によりDCマグネトロンスパッタリングを行
い、上記プローブピンの先端部にWをコーティングし
た。 スパッタターゲット 4NのWターゲット バックグラウンド圧力 1×10-6Torr アルゴン導入量 10SCCM スパッタガス圧 2mTorr 投入電力 78W(390V,0.2A) 基板温度 25℃ プリスパッタ時間 5分 本スパッタ時間 5分 上記の条件により形成されたコーティング層の厚さを、
同時にスパッタリングを行ったモニター部で測定したと
ころ1160Åであった。
ブピン(以下、本発明例という)と、コーティングが施
されていないプローブピン(以下、比較例という)につ
いて、抵抗測定計と微少変位計を用いて以下の方法によ
り接触抵抗を測定した。
ッド部に向かって徐々に降ろしていき、導通がとれた位
置を0μmとして、25μmずつ押し込みながら夫々の
位置における抵抗値を測定した。押し込み量が200μ
mに達した後は、逆に25μmずつプローブピンを戻し
ていき、各位置における抵抗値を測定した。尚、前記電
極パッド部の表面にはSnがメッキされており、メッキ
層の厚さは、オージェ分析の結果、1μmであった。ま
た実際のテスト時に流れる電流は通常3〜5mA程度で
あるが、本実施例では積極的にSnを溶融させるべく1
00mAの電流を流して測定を行った。
に対して2回ずつ行って、1回目と2回目の接触抵抗値
の比較を行った。図1に比較例の測定結果を示す。1回
目に比べて2回目の接触抵抗値は増大することが分か
る。図2に本発明例の測定結果を示す。1回目と2回目
の接触抵抗値にはほとんど変化がない。
端部についてSEM(走査型電子顕微鏡)観察及びED
X(エネルギー分散型X線分光法)分析を行った結果、
比較例ではプローブピンの先端にSn酸化物の付着が見
られたが、本発明例の場合ではプローブピンの先端にS
n酸化物の付着がほとんど認められなかった。
で、プローブピンの先端にSnが溶着することを防止し
て疑似不良を起こすことのないプローブカードが提供で
きることとなった。
は平面図、(b)は側面図である。
る。
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 少なくともNi,Co,Feのいずれか
を含有するW合金を材質とするプローブピンを有し、S
n含有被覆層が形成された電極パッド部を有する半導体
素子の該被覆層に前記プローブピンを圧接させることに
より、上記半導体素子の電気的特性を検査または測定す
るプローブカードであって、 上記プローブピンの先端部表面に、C,Eu,Ho,I
r,Np,Os,Rb,Sc,Ta,Tc,Tm,Wよ
りなる群から選ばれる1種以上がコーティングされてな
ることを特徴とするプローブカード。 - 【請求項2】 Pd合金またはBe−Cu合金を、上記
W合金に代えてプローブピンの材質とする請求項1に記
載のプローブカード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24950294A JP3419110B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | プローブカード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24950294A JP3419110B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | プローブカード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08115955A JPH08115955A (ja) | 1996-05-07 |
JP3419110B2 true JP3419110B2 (ja) | 2003-06-23 |
Family
ID=17193926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24950294A Expired - Lifetime JP3419110B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | プローブカード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3419110B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3279294B2 (ja) | 1998-08-31 | 2002-04-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置のテスト方法、半導体装置のテスト用プローブ針とその製造方法およびそのプローブ針を備えたプローブカード |
TWI243244B (en) * | 2000-06-28 | 2005-11-11 | Nhk Spring Co Ltd | Conductive contact member |
JP4741949B2 (ja) | 2003-04-15 | 2011-08-10 | 日本電気株式会社 | 検査プローブ |
JP2005098895A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Kiyota Seisakusho:Kk | プローブ針 |
JP2013064678A (ja) | 2011-09-20 | 2013-04-11 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-10-14 JP JP24950294A patent/JP3419110B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08115955A (ja) | 1996-05-07 |
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