JP2000353579A - 半導体装置用のソケット及び半導体装置と基板との接続方法 - Google Patents
半導体装置用のソケット及び半導体装置と基板との接続方法Info
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- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/0735—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card arranged on a flexible frame or film
Abstract
(57)【要約】
【課題】 超多ピン・大型化・高速ＢＧＡの電気測定
時、コプラナリティが大きい半導体装置においても、低
コンタクト荷重で全電極端子の良好な電気的接触を確保
し、これにより、ソケットの操作性を向上させると共
に、測定の信頼性を向上させることを可能にした半導体
装置用のソケットを実現する。 【解決手段】 基板５上に固定された半導体装置用のソ
ケットのベース部２と、このベース部２に設けられ、前
記半導体装置１を挿入する挿入部２ａと、前記挿入部２
ａ内にセットされた前記半導体装置１を加圧する押さえ
蓋３と、前記半導体装置１の電極端子４と前記基板５上
の電極パッド６間に設けられた異方性導電シ−ト７とか
らなる半導体装置用のソケットにおいて、前記基板５と
前記異方性導電シ−ト７との間に介装する薄膜フィルム
９を設け、この薄膜フィルム９の両面に金属突起８、８
を設けると共に、この金属突起８は、スルーホール１０
を介して接続され、且つ、前記金属突起８は、前記半導
体装置１の電極端子４と前記基板５上の電極パッド６と
に対応する部分に設けられていることを特徴とする。
時、コプラナリティが大きい半導体装置においても、低
コンタクト荷重で全電極端子の良好な電気的接触を確保
し、これにより、ソケットの操作性を向上させると共
に、測定の信頼性を向上させることを可能にした半導体
装置用のソケットを実現する。 【解決手段】 基板５上に固定された半導体装置用のソ
ケットのベース部２と、このベース部２に設けられ、前
記半導体装置１を挿入する挿入部２ａと、前記挿入部２
ａ内にセットされた前記半導体装置１を加圧する押さえ
蓋３と、前記半導体装置１の電極端子４と前記基板５上
の電極パッド６間に設けられた異方性導電シ−ト７とか
らなる半導体装置用のソケットにおいて、前記基板５と
前記異方性導電シ−ト７との間に介装する薄膜フィルム
９を設け、この薄膜フィルム９の両面に金属突起８、８
を設けると共に、この金属突起８は、スルーホール１０
を介して接続され、且つ、前記金属突起８は、前記半導
体装置１の電極端子４と前記基板５上の電極パッド６と
に対応する部分に設けられていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用のソ
ケット及び半導体装置と基板との接続方法に係わり、特
に、異方性導電シ−トを用いた半導体装置測定用ソケッ
トに好適な半導体装置用のソケット及び半導体装置と基
板との接続方法に関する。
ケット及び半導体装置と基板との接続方法に係わり、特
に、異方性導電シ−トを用いた半導体装置測定用ソケッ
トに好適な半導体装置用のソケット及び半導体装置と基
板との接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置測定用ソケットについ
て図４を参照して説明する。
て図４を参照して説明する。
【０００３】従来の半導体装置測定用ソケットは、半導
体装置２１を挿入する挿入枠２２ａを設けたベ−ス部２
２と、半導体装置２１を加圧する押さえ蓋２３と、半導
体装置２１の電極端子２４とテストボ−ド２５上の電極
パッド２６に対応する部分に金属粒子等を配列させた弾
性体からなる異方性導電シ−ト２７とで構成している。
実開平４−４３８８７号公報にて紹介されているよう
に、異方性導電シ−トを用いたコンタクタは、ピン数に
よらず、製造コストが抑えられ、またコンタクト長も短
いため高速デバイス測定用コンタクトとして使用されて
いる。
体装置２１を挿入する挿入枠２２ａを設けたベ−ス部２
２と、半導体装置２１を加圧する押さえ蓋２３と、半導
体装置２１の電極端子２４とテストボ−ド２５上の電極
パッド２６に対応する部分に金属粒子等を配列させた弾
性体からなる異方性導電シ−ト２７とで構成している。
実開平４−４３８８７号公報にて紹介されているよう
に、異方性導電シ−トを用いたコンタクタは、ピン数に
よらず、製造コストが抑えられ、またコンタクト長も短
いため高速デバイス測定用コンタクトとして使用されて
いる。
【０００４】図５（ａ）〜（ｃ）を用いて、従来の半導
体装置用ソケットでの電気測定について説明する。
体装置用ソケットでの電気測定について説明する。
【０００５】金属突起を電極端子２４としてもつ半導体
装置２１は、測定用ソケットの挿入枠２２ａ内に挿入さ
れる。そして、押さえ蓋２３で半導体装置２１の上面か
ら加圧することにより、異方性導電シ−ト２７を介して
半導体装置２１の電極端子２４とテストボ−ド２５の電
極パッド２６とが電気的に接続され、電気テストが行わ
れる。
装置２１は、測定用ソケットの挿入枠２２ａ内に挿入さ
れる。そして、押さえ蓋２３で半導体装置２１の上面か
ら加圧することにより、異方性導電シ−ト２７を介して
半導体装置２１の電極端子２４とテストボ−ド２５の電
極パッド２６とが電気的に接続され、電気テストが行わ
れる。
【０００６】図６に、従来の半導体装置用ソケットでの
押さえ蓋で加圧後の断面図の拡大図を示す。
押さえ蓋で加圧後の断面図の拡大図を示す。
【０００７】しかし、上記した従来のものは、以下のよ
うな問題点があった。
うな問題点があった。
【０００８】第１の問題点は、良好な接触抵抗を得るた
めに必要な異方性導電シ−トの縮み量は０．２ｍｍ程度
であり、対平面パッドの場合には必要な加圧力は２５ｇ
／ピンである。特に、外形４０ｍｍ角、電極間ピッチが
１．０ｍｍ、ピン数が１０００ピンを超え、半田からな
る直径が０．６０ｍｍの金属突起を電極端子としてもつ
超多ピン、大型化ＢＧＡのような半導体装置の場合は、
コンタクト荷重は、理論上２５ｋｇ以上となる。
めに必要な異方性導電シ−トの縮み量は０．２ｍｍ程度
であり、対平面パッドの場合には必要な加圧力は２５ｇ
／ピンである。特に、外形４０ｍｍ角、電極間ピッチが
１．０ｍｍ、ピン数が１０００ピンを超え、半田からな
る直径が０．６０ｍｍの金属突起を電極端子としてもつ
超多ピン、大型化ＢＧＡのような半導体装置の場合は、
コンタクト荷重は、理論上２５ｋｇ以上となる。
【０００９】このような半導体装置はコプラナリティが
大きいため、全てのピンについて良好な接触抵抗値を得
るためのコンタクト荷重が更に必要となり、ト−タル４
０ｋｇにも及ぶ場合があり、特に、マニュアル作業時で
の操作性に問題となる。
大きいため、全てのピンについて良好な接触抵抗値を得
るためのコンタクト荷重が更に必要となり、ト−タル４
０ｋｇにも及ぶ場合があり、特に、マニュアル作業時で
の操作性に問題となる。
【００１０】その理由は、全ての電極端子に対し、テス
トボ−ドの電極パッドとの確実な電気的接触を行うため
に、十分な押し込み量を得ている電極端子に対しても、
必要以上の荷重をかけなければならないからである。
トボ−ドの電極パッドとの確実な電気的接触を行うため
に、十分な押し込み量を得ている電極端子に対しても、
必要以上の荷重をかけなければならないからである。
【００１１】第２の問題点は、超多ピン・大型化ＢＧＡ
のような半導体装置はコプラナリティが大きく、半導体
装置の電極端子からテストボ−ド間の電気的接触にばら
つきが出てしまい、電気測定時でのオ−プン不良や特性
不良が発生する。
のような半導体装置はコプラナリティが大きく、半導体
装置の電極端子からテストボ−ド間の電気的接触にばら
つきが出てしまい、電気測定時でのオ−プン不良や特性
不良が発生する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、超多ピン・大型化
・高速ＢＧＡ等の半導体装置の電気測定時、コプラナリ
ティが大きい半導体装置においても、低コンタクト荷重
で全電極端子の良好な電気的接触を確保し、これによ
り、ソケットの操作性を向上させると共に、測定の信頼
性を向上させることを可能にした新規な半導体装置用の
ソケット及び半導体装置と基板との接続方法を提供する
ものである。
した従来技術の欠点を改良し、特に、超多ピン・大型化
・高速ＢＧＡ等の半導体装置の電気測定時、コプラナリ
ティが大きい半導体装置においても、低コンタクト荷重
で全電極端子の良好な電気的接触を確保し、これによ
り、ソケットの操作性を向上させると共に、測定の信頼
性を向上させることを可能にした新規な半導体装置用の
ソケット及び半導体装置と基板との接続方法を提供する
ものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。
【００１４】即ち、本発明に係わる半導体装置用のソケ
ットの第１態様は、基板上に固定された半導体装置用の
ソケットのベース部と、このベース部に設けられ、前記
半導体装置を挿入する挿入部と、前記挿入部内にセット
された前記半導体装置を加圧する押さえ蓋と、前記半導
体装置の電極端子と前記基板上の電極パッド間に設けら
れた異方性導電シ−トとからなる半導体装置用のソケッ
トにおいて、前記基板と前記異方性導電シ−トとの間に
介装する薄膜フィルムを設け、この薄膜フィルムの両面
に金属突起を設けると共に、この金属突起は、スルーホ
ールを介して接続され、且つ、前記金属突起は、前記半
導体装置の電極端子と前記基板上の電極パッドとに対応
する部分に設けられていることを特徴とするものであ
り、叉、第２態様は、前記金属突起は、前記薄膜フィル
ムの両面より突出するように形成されていることを特徴
とするものであり、叉、第３態様は、基板上に固定され
た半導体装置用のソケットのベース部と、このベース部
に設けられ、前記半導体装置を挿入する挿入部と、前記
挿入部内にセットされた前記半導体装置を加圧する押さ
え蓋と、前記半導体装置の電極端子と前記基板上の電極
パッド間に設けられた異方性導電シ−トとからなる半導
体装置用のソケットにおいて、前記基板と前記異方性導
電シ−トとの間に介装する薄膜フィルムを設け、この薄
膜フィルムの両面には、接続部が設けられると共に前記
接続部を接続するスルーホールが設けられ、前記薄膜フ
ィルムの一方の面の接続部は金属突起であり、前記金属
突起は、前記半導体装置の電極端子と前記基板上の電極
パッドとに対応する部分に設けられていることを特徴と
するものであり、叉、第４態様は、基板上に固定された
半導体装置用のソケットのベース部と、このベース部に
設けられ、前記半導体装置を挿入する挿入部と、前記挿
入部内にセットされた前記半導体装置を加圧する押さえ
蓋と、前記半導体装置の電極端子と前記基板上の電極パ
ッド間に設けられた異方性導電シ−トとからなる半導体
装置用のソケットにおいて、前記基板と前記異方性導電
シ−トとの間に介装する薄膜フィルムを設け、この薄膜
フィルムの両面には、接続部が設けられると共に前記接
続部を接続するスルーホールが設けられ、前記薄膜フィ
ルムの前記異方性導電シ−ト側の面の接続部は金属突起
であり、前記金属突起は、前記半導体装置の電極端子と
前記基板上の電極パッドとに対応する部分に設けられて
いることを特徴とするものであり、叉、第５態様は、前
記ベース部には、前記薄膜フィルムを位置決めするため
の位置決め部が設けられていることを特徴とするもので
ある。
ットの第１態様は、基板上に固定された半導体装置用の
ソケットのベース部と、このベース部に設けられ、前記
半導体装置を挿入する挿入部と、前記挿入部内にセット
された前記半導体装置を加圧する押さえ蓋と、前記半導
体装置の電極端子と前記基板上の電極パッド間に設けら
れた異方性導電シ−トとからなる半導体装置用のソケッ
トにおいて、前記基板と前記異方性導電シ−トとの間に
介装する薄膜フィルムを設け、この薄膜フィルムの両面
に金属突起を設けると共に、この金属突起は、スルーホ
ールを介して接続され、且つ、前記金属突起は、前記半
導体装置の電極端子と前記基板上の電極パッドとに対応
する部分に設けられていることを特徴とするものであ
り、叉、第２態様は、前記金属突起は、前記薄膜フィル
ムの両面より突出するように形成されていることを特徴
とするものであり、叉、第３態様は、基板上に固定され
た半導体装置用のソケットのベース部と、このベース部
に設けられ、前記半導体装置を挿入する挿入部と、前記
挿入部内にセットされた前記半導体装置を加圧する押さ
え蓋と、前記半導体装置の電極端子と前記基板上の電極
パッド間に設けられた異方性導電シ−トとからなる半導
体装置用のソケットにおいて、前記基板と前記異方性導
電シ−トとの間に介装する薄膜フィルムを設け、この薄
膜フィルムの両面には、接続部が設けられると共に前記
接続部を接続するスルーホールが設けられ、前記薄膜フ
ィルムの一方の面の接続部は金属突起であり、前記金属
突起は、前記半導体装置の電極端子と前記基板上の電極
パッドとに対応する部分に設けられていることを特徴と
するものであり、叉、第４態様は、基板上に固定された
半導体装置用のソケットのベース部と、このベース部に
設けられ、前記半導体装置を挿入する挿入部と、前記挿
入部内にセットされた前記半導体装置を加圧する押さえ
蓋と、前記半導体装置の電極端子と前記基板上の電極パ
ッド間に設けられた異方性導電シ−トとからなる半導体
装置用のソケットにおいて、前記基板と前記異方性導電
シ−トとの間に介装する薄膜フィルムを設け、この薄膜
フィルムの両面には、接続部が設けられると共に前記接
続部を接続するスルーホールが設けられ、前記薄膜フィ
ルムの前記異方性導電シ−ト側の面の接続部は金属突起
であり、前記金属突起は、前記半導体装置の電極端子と
前記基板上の電極パッドとに対応する部分に設けられて
いることを特徴とするものであり、叉、第５態様は、前
記ベース部には、前記薄膜フィルムを位置決めするため
の位置決め部が設けられていることを特徴とするもので
ある。
【００１５】叉、本発明に係わる半導体装置と基板との
接続方法の態様は、基板上に固定され、半導体装置用の
ソケットのベース部と、このベース部に設けられ、前記
半導体装置を挿入する挿入部と、前記挿入部内にセット
された前記半導体装置を加圧する押さえ蓋と、前記半導
体装置の電極端子と前記基板上の電極パッド間に設けら
れた異方性導電シ−トとからなる半導体装置用のソケッ
トの接続方法であって、前記半導体装置の電極端子と前
記基板の電極パッドとは、前記異方性導電シ−トと、前
記半導体装置の電極端子と前記基板の電極パッドとの間
に設けられ、且つ、薄膜フィルムに固定された金属突起
部材とを介して接続されることを特徴とするものであ
る。
接続方法の態様は、基板上に固定され、半導体装置用の
ソケットのベース部と、このベース部に設けられ、前記
半導体装置を挿入する挿入部と、前記挿入部内にセット
された前記半導体装置を加圧する押さえ蓋と、前記半導
体装置の電極端子と前記基板上の電極パッド間に設けら
れた異方性導電シ−トとからなる半導体装置用のソケッ
トの接続方法であって、前記半導体装置の電極端子と前
記基板の電極パッドとは、前記異方性導電シ−トと、前
記半導体装置の電極端子と前記基板の電極パッドとの間
に設けられ、且つ、薄膜フィルムに固定された金属突起
部材とを介して接続されることを特徴とするものであ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】図１を参照すると、本発明の半導体装置測
定用ソケットは、半導体装置１を挿入する挿入枠２ａを
設けたベ−ス部２と、半導体装置１を加圧する押さえ蓋
３と、半導体装置１の電極端子４及びテストボ−ド５上
の電極パッド６に対応する部分に金属粒子等を配列させ
た弾性体からなる異方性導電シ−ト７と、異方性導電シ
−ト７側の半導体装置の電極端子４及びテストボ−ド5
側の電極パッド６に対応する部分に夫々設けられた金属
突起８が、スル−ホ−ル１０を介して電気的に導通して
いる薄膜フィルム９を有している。
定用ソケットは、半導体装置１を挿入する挿入枠２ａを
設けたベ−ス部２と、半導体装置１を加圧する押さえ蓋
３と、半導体装置１の電極端子４及びテストボ−ド５上
の電極パッド６に対応する部分に金属粒子等を配列させ
た弾性体からなる異方性導電シ−ト７と、異方性導電シ
−ト７側の半導体装置の電極端子４及びテストボ−ド5
側の電極パッド６に対応する部分に夫々設けられた金属
突起８が、スル−ホ−ル１０を介して電気的に導通して
いる薄膜フィルム９を有している。
【００１８】異方性導電シ−ト７は、半導体装置の電極
端子４側に配置され、また、薄膜フィルム９は、テスト
ボ−ド５の電極パッド６側にそれぞれ配置され、異方性
導電シ−ト７と薄膜フィルム９とは、ベ−ス部２の位置
決め部２ｂによりテストボ−ド５に固定されている。
端子４側に配置され、また、薄膜フィルム９は、テスト
ボ−ド５の電極パッド６側にそれぞれ配置され、異方性
導電シ−ト７と薄膜フィルム９とは、ベ−ス部２の位置
決め部２ｂによりテストボ−ド５に固定されている。
【００１９】次に、本発明の動作について説明する。
【００２０】図２（ａ）〜（ｃ）を参照すると、金属突
起を電極端子４としてもつ半導体装置１は、測定用ソケ
ットの挿入枠２ａ内に挿入される。そして、押さえ蓋３
で加圧することにより、異方性導電シ−ト７及び金属突
起８を介して半導体装置１の電極端子４とテストボ−ド
５の電極パッド６とが電気的に接続され、電気テストが
行われる。
起を電極端子４としてもつ半導体装置１は、測定用ソケ
ットの挿入枠２ａ内に挿入される。そして、押さえ蓋３
で加圧することにより、異方性導電シ−ト７及び金属突
起８を介して半導体装置１の電極端子４とテストボ−ド
５の電極パッド６とが電気的に接続され、電気テストが
行われる。
【００２１】図３に、本発明の半導体装置用ソケットで
の押さえ蓋で加圧後の断面図の拡大図を示す。
の押さえ蓋で加圧後の断面図の拡大図を示す。
【００２２】本発明の半導体装置測定用ソケットでは、
異方性導電シ−ト７とテストボ−ド５の電極パッド６の
間に金属突起８を備えた薄膜フィルム９を介装している
ので、加圧時に薄膜フィルム９の金属突起８に押し込み
荷重が集中する。
異方性導電シ−ト７とテストボ−ド５の電極パッド６の
間に金属突起８を備えた薄膜フィルム９を介装している
ので、加圧時に薄膜フィルム９の金属突起８に押し込み
荷重が集中する。
【００２３】電極パッドの形状が平面であるテストボ−
ドの場合は、加圧を面で受けるため圧力が分散される
が、本発明の薄膜フィルムの金属突起８は、凸型をして
いるため、凸部に圧力が集中する。この為、同一荷重で
押し込んだ場合のシ−ト電極部分の縮み量は、従来のも
のに比べ大になる。
ドの場合は、加圧を面で受けるため圧力が分散される
が、本発明の薄膜フィルムの金属突起８は、凸型をして
いるため、凸部に圧力が集中する。この為、同一荷重で
押し込んだ場合のシ−ト電極部分の縮み量は、従来のも
のに比べ大になる。
【００２４】従って、良好な接触抵抗を得るのに必要な
異方性導電シ−トの縮み量にするための加圧力は、従来
のものに比べると、本発明の薄膜フィルムを介した方が
少なくできる。
異方性導電シ−トの縮み量にするための加圧力は、従来
のものに比べると、本発明の薄膜フィルムを介した方が
少なくできる。
【００２５】このように、本発明は、異方性導電シ−ト
とテストボ−ドとの間に、金属突起を備えた薄膜フィル
ムを介したことにより、超多ピン・大型化・高速ＢＧＡ
の半導体装置の電気測定時、コプラナリティが大きいパ
ッケ−ジにおいても、全電極端子で、良好な電気的接触
が得られ、このため、必要なコンタクト荷重を低減で
き、作業時におけるソケットの操作性の向上が可能とな
る。
とテストボ−ドとの間に、金属突起を備えた薄膜フィル
ムを介したことにより、超多ピン・大型化・高速ＢＧＡ
の半導体装置の電気測定時、コプラナリティが大きいパ
ッケ−ジにおいても、全電極端子で、良好な電気的接触
が得られ、このため、必要なコンタクト荷重を低減で
き、作業時におけるソケットの操作性の向上が可能とな
る。
【００２６】また、半導体装置の電極端子とソケットコ
ンタクト間及びソケットコンタクトとテストボ−ド電極
パッド間の安定した電気的接触を得ることが可能にな
り、測定でのオ−プン不良や特性不良発生を防止でき
る。
ンタクト間及びソケットコンタクトとテストボ−ド電極
パッド間の安定した電気的接触を得ることが可能にな
り、測定でのオ−プン不良や特性不良発生を防止でき
る。
【００２７】
【実施例】以下に、本発明に係わる半導体装置用のソケ
ット及び半導体装置と基板との接続方法の具体例を図面
を参照しながら詳細に説明する。
ット及び半導体装置と基板との接続方法の具体例を図面
を参照しながら詳細に説明する。
【００２８】図１は、本発明に係わる半導体装置用のソ
ケットの具体例の構造を示す図であって、これらの図に
は、基板５上に固定された半導体装置用のソケットのベ
ース部２と、このベース部２に設けられ、前記半導体装
置１を挿入する挿入部２ａと、前記挿入部２ａ内にセッ
トされた前記半導体装置１を加圧する押さえ蓋３と、前
記半導体装置１の電極端子４と前記基板５上の電極パッ
ド６間に設けられた異方性導電シ−ト７とからなる半導
体装置用のソケットにおいて、前記基板５と前記異方性
導電シ−ト７との間に介装する薄膜フィルム９を設け、
この薄膜フィルム９の両面に金属突起８、８を設けると
共に、この金属突起８は、スルーホール１０を介して接
続され、且つ、前記金属突起８は、前記半導体装置１の
電極端子４と前記基板５上の電極パッド６とに対応する
部分に設けられていることを特徴とする半導体装置用の
ソケットが示され、又、前記金属突起８は、前記薄膜フ
ィルム９の両面より突出するように形成されていること
を特徴とする導体装置用のソケットが示され、又、接続
部が設けられると共に前記接続部を接続するスルーホー
ル１０が設けられ、前記薄膜フィルム９の一方の面の接
続部は金属突起８であり、前記金属突起８は、前記半導
体装置１の電極端子４と前記基板５上の電極パッド６と
に対応する部分に設けられていることを特徴とする半導
体装置用のソケットが示されている。
ケットの具体例の構造を示す図であって、これらの図に
は、基板５上に固定された半導体装置用のソケットのベ
ース部２と、このベース部２に設けられ、前記半導体装
置１を挿入する挿入部２ａと、前記挿入部２ａ内にセッ
トされた前記半導体装置１を加圧する押さえ蓋３と、前
記半導体装置１の電極端子４と前記基板５上の電極パッ
ド６間に設けられた異方性導電シ−ト７とからなる半導
体装置用のソケットにおいて、前記基板５と前記異方性
導電シ−ト７との間に介装する薄膜フィルム９を設け、
この薄膜フィルム９の両面に金属突起８、８を設けると
共に、この金属突起８は、スルーホール１０を介して接
続され、且つ、前記金属突起８は、前記半導体装置１の
電極端子４と前記基板５上の電極パッド６とに対応する
部分に設けられていることを特徴とする半導体装置用の
ソケットが示され、又、前記金属突起８は、前記薄膜フ
ィルム９の両面より突出するように形成されていること
を特徴とする導体装置用のソケットが示され、又、接続
部が設けられると共に前記接続部を接続するスルーホー
ル１０が設けられ、前記薄膜フィルム９の一方の面の接
続部は金属突起８であり、前記金属突起８は、前記半導
体装置１の電極端子４と前記基板５上の電極パッド６と
に対応する部分に設けられていることを特徴とする半導
体装置用のソケットが示されている。
【００２９】又、前記基板５と前記異方性導電シ−ト７
との間に介装する薄膜フィルム９を設け、この薄膜フィ
ルム９の両面には、接続部が設けられると共に前記接続
部を接続するスルーホール１０が設けられ、前記薄膜フ
ィルム９の前記異方性導電シ−ト７側の面の接続部は金
属突起８であり、前記金属突起８は、前記半導体装置１
の電極端子４と前記基板５上の電極パッド６とに対応す
る部分に設けられていることを特徴とする半導体装置用
のソケットが示され、更に、前記ベース部２には、前記
薄膜フィルム９を位置決めするための位置決め部２ｂが
設けられている半導体装置用のソケットが示されてい
る。
との間に介装する薄膜フィルム９を設け、この薄膜フィ
ルム９の両面には、接続部が設けられると共に前記接続
部を接続するスルーホール１０が設けられ、前記薄膜フ
ィルム９の前記異方性導電シ−ト７側の面の接続部は金
属突起８であり、前記金属突起８は、前記半導体装置１
の電極端子４と前記基板５上の電極パッド６とに対応す
る部分に設けられていることを特徴とする半導体装置用
のソケットが示され、更に、前記ベース部２には、前記
薄膜フィルム９を位置決めするための位置決め部２ｂが
設けられている半導体装置用のソケットが示されてい
る。
【００３０】次に、本発明の具体例について更に詳細に
説明する。
説明する。
【００３１】図１を参照すると、本発明の半導体装置測
定用ソケットは、半導体装置１を挿入する挿入枠２ａを
設けたベ−ス部２と、半導体装置１を加圧する押さえ蓋
３と、半導体装置１の半田からなる電極端子４とテスト
ボ−ド５上の電極パッド６に対応する部分に、例えばニ
ッケルからなる金属粒子等を配列させたシリコンゴムか
らなる厚さ１ｍｍ程度の異方性導電シ−ト７と、半導体
装置１の電極端子４及びテストボ−ド５の電極パッド６
に対応する部分に設けられた、例えば銅に金メッキを施
した金属突起８がスル−ホ−ル１０を介して電気的に導
通しているように構成した厚さ０．１５ｍｍ程度のポリ
イミドからなる薄膜フィルム９とを有している。薄膜フ
ィルムの９に設けられた金属突起８の高さは、表裏面共
それぞれ５０μｍとなっている。
定用ソケットは、半導体装置１を挿入する挿入枠２ａを
設けたベ−ス部２と、半導体装置１を加圧する押さえ蓋
３と、半導体装置１の半田からなる電極端子４とテスト
ボ−ド５上の電極パッド６に対応する部分に、例えばニ
ッケルからなる金属粒子等を配列させたシリコンゴムか
らなる厚さ１ｍｍ程度の異方性導電シ−ト７と、半導体
装置１の電極端子４及びテストボ−ド５の電極パッド６
に対応する部分に設けられた、例えば銅に金メッキを施
した金属突起８がスル−ホ−ル１０を介して電気的に導
通しているように構成した厚さ０．１５ｍｍ程度のポリ
イミドからなる薄膜フィルム９とを有している。薄膜フ
ィルムの９に設けられた金属突起８の高さは、表裏面共
それぞれ５０μｍとなっている。
【００３２】異方性導電シ−ト７は、半導体装置１の電
極端子４側に、又、薄膜フィルム９は、テストボ−ド５
の電極パッド６側にそれぞれ配置され、異方性導電シ−
ト７と薄膜フィルム９とは、ベ−ス部２の位置決め部２
ｂに固定されている。
極端子４側に、又、薄膜フィルム９は、テストボ−ド５
の電極パッド６側にそれぞれ配置され、異方性導電シ−
ト７と薄膜フィルム９とは、ベ−ス部２の位置決め部２
ｂに固定されている。
【００３３】このように構成した半導体装置用のソケッ
トにおいて、外形４０ｍｍ角、電極間ピッチが１．０ｍ
ｍ、ピン数が１０００ピンを超え、半田からなる直径が
０．６０ｍｍの金属突起を電極端子４としてもつ半導体
装置１は、測定用ソケットの挿入枠２ａ内に挿入され
る。そして、押さえ蓋３で半導体装置１の上面から加圧
することにより、異方性導電シ−ト７及び金属突起８を
介して半導体装置１の電極端子４とテストボ−ド５の電
極パッド６とが電気的に接続され、電気テストが行われ
る。
トにおいて、外形４０ｍｍ角、電極間ピッチが１．０ｍ
ｍ、ピン数が１０００ピンを超え、半田からなる直径が
０．６０ｍｍの金属突起を電極端子４としてもつ半導体
装置１は、測定用ソケットの挿入枠２ａ内に挿入され
る。そして、押さえ蓋３で半導体装置１の上面から加圧
することにより、異方性導電シ−ト７及び金属突起８を
介して半導体装置１の電極端子４とテストボ−ド５の電
極パッド６とが電気的に接続され、電気テストが行われ
る。
【００３４】良好な接触抵抗を得るのに必要な異方性導
電シ−トの縮み量は、この具体例のシートでは、０．１
８ｍｍであり、対平面パッドの場合、２５ｇ／ピンであ
る。
電シ−トの縮み量は、この具体例のシートでは、０．１
８ｍｍであり、対平面パッドの場合、２５ｇ／ピンであ
る。
【００３５】１０００ピンを超える半導体装置の場合に
は、コンタクト荷重は２５ｋｇを超える。このような半
導体装置のコプラナリティは、最大０．１５ｍｍである
場合があり、全てのピンについて良好な接触抵抗値を得
るためのコンタクト荷重がト−タル４０ｋｇにも及ぶ場
合がある。
は、コンタクト荷重は２５ｋｇを超える。このような半
導体装置のコプラナリティは、最大０．１５ｍｍである
場合があり、全てのピンについて良好な接触抵抗値を得
るためのコンタクト荷重がト−タル４０ｋｇにも及ぶ場
合がある。
【００３６】本発明の半導体装置測定用ソケットには、
異方性導電シ−トとテストボ−ドの電極パッドの間に金
属突起８を備えた薄膜フィルムを介しているので、加圧
時に薄膜フィルム９の金属突起８に押し込み荷重が集中
する。この為、同一荷重で押し込んだ場合のシ−ト電極
部分の縮み量は、荷重が分散してしまう従来の場合と比
較し大になる。
異方性導電シ−トとテストボ−ドの電極パッドの間に金
属突起８を備えた薄膜フィルムを介しているので、加圧
時に薄膜フィルム９の金属突起８に押し込み荷重が集中
する。この為、同一荷重で押し込んだ場合のシ−ト電極
部分の縮み量は、荷重が分散してしまう従来の場合と比
較し大になる。
【００３７】従って、良好な接触抵抗を得るのに必要な
異方性導電シ−トの縮み量にするためのコンタクト荷重
は、本発明の薄膜フィルム９を介すことにより最大３０
ｋｇとなり、従来のものに比較し２５％程度小さくでき
る。
異方性導電シ−トの縮み量にするためのコンタクト荷重
は、本発明の薄膜フィルム９を介すことにより最大３０
ｋｇとなり、従来のものに比較し２５％程度小さくでき
る。
【００３８】
【発明の効果】本発明に係わる半導体装置用のソケット
及び半導体装置と基板との接続方法は、上述のように構
成したので、以下の効果を奏する。
及び半導体装置と基板との接続方法は、上述のように構
成したので、以下の効果を奏する。
【００３９】第１の効果は、全電極端子が良好な電気的
接触を得る為に必要なコンタクト荷重を低減することが
でき、これにより、作業時におけるソケットの操作性を
向上させることが出来る。
接触を得る為に必要なコンタクト荷重を低減することが
でき、これにより、作業時におけるソケットの操作性を
向上させることが出来る。
【００４０】その理由は、超多ピン・大型化・高速ＢＧ
Ａの半導体装置の電気測定時、コプラナリティが大きい
パッケ−ジにおいても、コンタクト時、薄膜フィルムの
金属突起の凸部に圧力が集中する為、良好な接触抵抗を
得るのに必要な加圧力は、電極パッドのみの場合に比べ
小さくできるからである。
Ａの半導体装置の電気測定時、コプラナリティが大きい
パッケ−ジにおいても、コンタクト時、薄膜フィルムの
金属突起の凸部に圧力が集中する為、良好な接触抵抗を
得るのに必要な加圧力は、電極パッドのみの場合に比べ
小さくできるからである。
【００４１】第２の効果は、パッケ−ジの電極端子−ソ
ケットコンタクト間及びソケットコンタクト−テストボ
−ド電極端子の安定した電気的接触が得ることが可能に
なり、測定でのオ−プン不良や特性不良の発生を防止で
きる。
ケットコンタクト間及びソケットコンタクト−テストボ
−ド電極端子の安定した電気的接触が得ることが可能に
なり、測定でのオ−プン不良や特性不良の発生を防止で
きる。
【００４２】その理由は、異方性導電シ−トとテストボ
−ドの間に金属突起を設けた薄膜フィルムを設けること
により、コンタクト時、薄膜フィルムの金属突起が異方
性導電シ−トに食い込む形となり、異方性導電シ−ト−
テストボ−ド間の電気的な接触が安定するためである。
−ドの間に金属突起を設けた薄膜フィルムを設けること
により、コンタクト時、薄膜フィルムの金属突起が異方
性導電シ−トに食い込む形となり、異方性導電シ−ト−
テストボ−ド間の電気的な接触が安定するためである。
【図１】本発明の半導体装置用のソケットを示す断面図
である。
である。
【図２】本発明のソケットを用いて半導体装置を搭載す
る工程を示す図であり、（ａ）は半導体装置を落とし込
む状態、（ｂ）は半導体装置を挿入枠に入れた状態、
（ｃ）は押さえ蓋により半導体装置を押し込んだ状態を
示す図である。
る工程を示す図であり、（ａ）は半導体装置を落とし込
む状態、（ｂ）は半導体装置を挿入枠に入れた状態、
（ｃ）は押さえ蓋により半導体装置を押し込んだ状態を
示す図である。
【図３】本発明の半導体用のソケットのコンタクト状態
を拡大した断面図である。
を拡大した断面図である。
【図４】従来の半導体装置用のソケットを示す断面図で
ある。
ある。
【図５】従来のソケットを用いて半導体装置を搭載する
工程を示す断面図であり、（ａ）は半導体装置を落とし
込む状態、（ｂ）は半導体装置を挿入枠に入れた状態、
（ｃ）は押さえ蓋により半導体装置を押し込んだ状態を
示す図である。
工程を示す断面図であり、（ａ）は半導体装置を落とし
込む状態、（ｂ）は半導体装置を挿入枠に入れた状態、
（ｃ）は押さえ蓋により半導体装置を押し込んだ状態を
示す図である。
【図６】従来の半導体用のソケットでのコンタクト状態
を拡大した断面図である。
を拡大した断面図である。
１、２１ 半導体装置 ２、２２ ベ−ス部 ３、２３ 押さえ蓋 ４、２４ 電極端子 ５、２５ テストボ−ド ６、２６ 電極パッド ７、２７ 異方性導電シ−ト ８ 金属突起 ９ 薄膜フィルム １０ スルーホール
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に固定された半導体装置用のソケ
ットのベース部と、このベース部に設けられ、前記半導
体装置を挿入する挿入部と、前記挿入部内にセットされ
た前記半導体装置を加圧する押さえ蓋と、前記半導体装
置の電極端子と前記基板上の電極パッド間に設けられた
異方性導電シ−トとからなる半導体装置用のソケットに
おいて、 前記基板と前記異方性導電シ−トとの間に介装する薄膜
フィルムを設け、この薄膜フィルムの両面に金属突起を
設けると共に、この金属突起は、スルーホールを介して
接続され、且つ、前記金属突起は、前記半導体装置の電
極端子と前記基板上の電極パッドとに対応する部分に設
けられていることを特徴とする半導体装置用のソケッ
ト。 - 【請求項２】 前記金属突起は、前記薄膜フィルムの両
面より突出するように形成されていることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置用のソケット。 - 【請求項３】 基板上に固定された半導体装置用のソケ
ットのベース部と、このベース部に設けられ、前記半導
体装置を挿入する挿入部と、前記挿入部内にセットされ
た前記半導体装置を加圧する押さえ蓋と、前記半導体装
置の電極端子と前記基板上の電極パッド間に設けられた
異方性導電シ−トとからなる半導体装置用のソケットに
おいて、 前記基板と前記異方性導電シ−トとの間に介装する薄膜
フィルムを設け、この薄膜フィルムの両面には、接続部
が設けられると共に前記接続部を接続するスルーホール
が設けられ、前記薄膜フィルムの一方の面の接続部は金
属突起であり、前記金属突起は、前記半導体装置の電極
端子と前記基板上の電極パッドとに対応する部分に設け
られていることを特徴とする半導体装置用のソケット。 - 【請求項４】 基板上に固定された半導体装置用のソケ
ットのベース部と、このベース部に設けられ、前記半導
体装置を挿入する挿入部と、前記挿入部内にセットされ
た前記半導体装置を加圧する押さえ蓋と、前記半導体装
置の電極端子と前記基板上の電極パッド間に設けられた
異方性導電シ−トとからなる半導体装置用のソケットに
おいて、 前記基板と前記異方性導電シ−トとの間に介装する薄膜
フィルムを設け、この薄膜フィルムの両面には、接続部
が設けられると共に前記接続部を接続するスルーホール
が設けられ、前記薄膜フィルムの前記異方性導電シ−ト
側の面の接続部は金属突起であり、前記金属突起は、前
記半導体装置の電極端子と前記基板上の電極パッドとに
対応する部分に設けられていることを特徴とする半導体
装置用のソケット。 - 【請求項５】 前記ベース部には、前記薄膜フィルムを
位置決めするための位置決め部が設けられていることを
特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の半導体装置
用のソケット。 - 【請求項６】 基板上に固定され、半導体装置用のソケ
ットのベース部と、このベース部に設けられ、前記半導
体装置を挿入する挿入部と、前記挿入部内にセットされ
た前記半導体装置を加圧する押さえ蓋と、前記半導体装
置の電極端子と前記基板上の電極パッド間に設けられた
異方性導電シ−トとからなる半導体装置用のソケットの
接続方法であって、 前記半導体装置の電極端子と前記基板の電極パッドと
は、前記異方性導電シ−トと、前記半導体装置の電極端
子と前記基板の電極パッドとの間に設けられ、且つ、薄
膜フィルムに固定された金属突起部材とを介して接続さ
れることを特徴とする半導体装置と基板との接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11161203A JP2000353579A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 半導体装置用のソケット及び半導体装置と基板との接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11161203A JP2000353579A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 半導体装置用のソケット及び半導体装置と基板との接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000353579A true JP2000353579A (ja) | 2000-12-19 |
Family
ID=15730565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11161203A Pending JP2000353579A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 半導体装置用のソケット及び半導体装置と基板との接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000353579A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1625409A2 (en) * | 2003-05-01 | 2006-02-15 | Celerity Research Inc. | Planarizing and testing of bga packages |
| JP2007309754A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体検査装置 |
| JP2010272757A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Yamaichi Electronics Co Ltd | 基板接続用コネクタ、それを備える半導体装置用ソケット、ケーブル用コネクタ、および、ボードツーボードコネクタ |
| JP2012255700A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Saunders & Associates Llc | 電子部品計測装置 |
| KR101392022B1 (ko) | 2012-09-15 | 2014-05-07 | 주식회사 오킨스전자 | 테스트 소켓 및 그 제조 방법 |
| KR101471116B1 (ko) | 2014-02-13 | 2014-12-12 | 주식회사 아이에스시 | 고밀도 도전부를 가지는 테스트용 소켓 |
| US11340291B2 (en) * | 2013-03-14 | 2022-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Testing holders for chip unit and die package |
| WO2023068708A1 (ko) * | 2021-10-18 | 2023-04-27 | 주식회사 아이에스시 | 검사용 소켓 |
-
1999
- 1999-06-08 JP JP11161203A patent/JP2000353579A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1625409A2 (en) * | 2003-05-01 | 2006-02-15 | Celerity Research Inc. | Planarizing and testing of bga packages |
| EP1625409A4 (en) * | 2003-05-01 | 2006-06-14 | Celerity Res Inc | PROCEDURE FOR PLANARIZING AND TESTING BGA HOUSINGS |
| JP2007309754A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体検査装置 |
| JP2010272757A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Yamaichi Electronics Co Ltd | 基板接続用コネクタ、それを備える半導体装置用ソケット、ケーブル用コネクタ、および、ボードツーボードコネクタ |
| JP2012255700A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Saunders & Associates Llc | 電子部品計測装置 |
| KR101392022B1 (ko) | 2012-09-15 | 2014-05-07 | 주식회사 오킨스전자 | 테스트 소켓 및 그 제조 방법 |
| US11340291B2 (en) * | 2013-03-14 | 2022-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Testing holders for chip unit and die package |
| US20220283221A1 (en) * | 2013-03-14 | 2022-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Testing holders for chip unit and die package |
| US11579190B2 (en) | 2013-03-14 | 2023-02-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Testing holders for chip unit and die package |
| KR101471116B1 (ko) | 2014-02-13 | 2014-12-12 | 주식회사 아이에스시 | 고밀도 도전부를 가지는 테스트용 소켓 |
| WO2023068708A1 (ko) * | 2021-10-18 | 2023-04-27 | 주식회사 아이에스시 | 검사용 소켓 |
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