JP2007309754A - 半導体検査装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】テスト回路を有する基板と半導体パッケージとの間で両者間の十分な電気的コンタクトを取ることができ、半導体パッケージの高周波検査を可能にする半導体検査装置を提供する。
【解決手段】テスト回路を有する基板2と、上記基板上に設けられ、上記テスト回路に対する信号の入出力端子を構成する配線1と、上記基板と被検査半導体パッケージ3との間に設けられ、上記被検査半導体パッケージの入出力端子を構成するパッド4と上記配線とを電気的に接続する弾力性を有するコンタクトシート5とを備え、上記配線の上記被検査半導体パッケージ側の面に複数個の突起部1Aを形成した構成とする。
【選択図】図1
【解決手段】テスト回路を有する基板2と、上記基板上に設けられ、上記テスト回路に対する信号の入出力端子を構成する配線1と、上記基板と被検査半導体パッケージ3との間に設けられ、上記被検査半導体パッケージの入出力端子を構成するパッド4と上記配線とを電気的に接続する弾力性を有するコンタクトシート5とを備え、上記配線の上記被検査半導体パッケージ側の面に複数個の突起部1Aを形成した構成とする。
【選択図】図1
Description
この発明は半導体検査装置、特に半導体パッケージの調整や電気特性確認のテストを行なうための検査装置に関するものである。
近年の携帯電話やパソコンでのインターネット通話の普及に伴い、情報通信量が高密度化・大容量化され、高速の処理が必要になってきている。これら情報通信の高速処理化に伴い、通信を制御するための半導体パッケージにおいても高速化が要求され、より高周波の半導体パッケージが開発され、生産されている。
このような半導体パッケージの出荷に際しては、半導体パッケージの動作テストが実施されるが、この場合、動作テストを行なうテスタ(コンピュータ)と半導体パッケージとの間で電気信号のやり取りをするために、半導体パッケージのパッドを検査用基板の端子に接触させる必要がある。
しかしながら、検査用基板が平坦であるのに対して、半導体パッケージのパッド側の面は、反り・うねりが生じることが多く、また量産においては、反りやうねりの状況が多岐にわたることがあるため、検査用基板の配線と半導体パッケージのパッドとのコンタクト性を良くするために、それらの間に弾力性のある異方導電性シートを介在させている。
しかし、異方導電性シートは、コンタクトの方向に弾力性が少なく、十分な効果が期待できないため、複数の異方導電性シートを重ねて使用すると共に、各シートに相互のコンタクトを図りやすくするためのバンプを設けることにより、十分な弾力性を確保していた。(例えば特許文献1参照)。
従来の半導体検査装置は上記のように構成されていたが、異方導電性シートは通電経路が長くなるため、特に高速応答が要求される高周波の検査では、所望の電気的特性が得られなくなるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、テスト回路を有する基板と半導体パッケージとの間で両者間の十分な電気的コンタクトをとることができ、半導体パッケージの高周波検査を可能にする半導体検査装置を提供することを目的とする。
この発明に係る半導体検査装置は、テスト回路を有する基板と、上記基板上に設けられ、上記テスト回路に対する信号の入出力端子を構成する配線と、上記基板と被検査半導体パッケージとの間に設けられ、上記被検査半導体パッケージの入出力端子を構成するパッドと上記配線とを電気的に接続する弾力性を有するコンタクトシートとを備え、上記配線の上記被検査半導体パッケージ側の面に複数個の突起部を形成したものである。
この発明に係る半導体検査装置は上記のように構成されているため、テスト回路を有する基板と被検査半導体パッケージとの間で十分な電気的コンタクトをとることができ、被検査半導体パッケージの高周波検査を実施することができるものである。
実施の形態1.
以下、この発明の実施の形態1を図にもとづいて説明する。図1は、実施の形態1による検査装置により半導体パッケージの検査を実施する状態を示す側面図、図2は、実施の形態1における基板の配線の構成を拡大して示す斜視図で、コンタクトシートを取り除いた状態を示している。
以下、この発明の実施の形態1を図にもとづいて説明する。図1は、実施の形態1による検査装置により半導体パッケージの検査を実施する状態を示す側面図、図2は、実施の形態1における基板の配線の構成を拡大して示す斜視図で、コンタクトシートを取り除いた状態を示している。
半導体パッケージの検査は、図1に示すように、テスト回路(図示せず)を有すると共に、上記テスト回路に対する信号の入出力端子を構成する配線1を備えた基板2と、被検査半導体パッケージ3の裏面に設けられ、被検査半導体パッケージの入出力端子を構成するパッド4とを、弾力性と導電性を有するコンタクトシート5を介して当接させ、図1に矢印6で示すように外力を加えることによって上記基板2の配線1と被検査半導体パッケージ3のパッド4とをコンタクトシート5を介して電気的に接続した状態で行なわれる。
詳しく説明すると、上記基板2は、基体となる誘電体層2Aと、その裏面に設けられたグランド層2Bと、上記誘電体層2Aの表面に設けられ、テスト回路を形成する配線パターン(図示せず)を有する配線層2Cと、上記配線層2Cに設けられ、上記テスト回路に対する信号の入出力端子を構成すると共に、検査用の計測器と接続された配線1とから構成されている。
また、コンタクトシート5は、弾性を有する樹脂ベース内に金属針金からなる複数個のコンタクトピンを傾斜させて埋め込んだものがよく用いられ、その厚みの1割程度の段差を吸収して上記パッド4と配線1との信号のやり取りができるようにされている。即ち、コンタクトシート5は、その厚みが厚いほど被検査半導体パッケージ3の反りやパッド4の高さのばらつきに対応しやすい特性を有している。
一方、高周波応答が要求される機種においては、コンタクトシート5の厚みが厚いと計測速度が遅くなるため、検査項目によっては測定できないことがある。
そのため、パッド4と配線1との電気接続の安定性と高周波特性への対応がトレードオフとなっている。
そのため、パッド4と配線1との電気接続の安定性と高周波特性への対応がトレードオフとなっている。
実施の形態1は、このような観点からコンタクトシート5の厚みを厚くすることなく、基板2の配線1と被検査半導体パッケージ3のパッド4とのコンタクトを十分に確保することができる構成を提供する。
具体的には、図2に拡大した構成を示すように、基板2の配線1上に複数個の凹凸を形成する金属の突起部1Aを形成するものである。この突起部1Aはパッド4の全面に対応するように配線1に設けられるものではなく、パッド4の外縁部から内方に向けてコンタクトシート5の厚みに相当する寸法を除外した内側の領域に対応するように配線1に設けられている。
被検査半導体パッケージ3のパッド4は図2に示すように、被検査半導体パッケージの裏面から少し内面側に入り込んだ状態で設けられているが、上記のような構成の突起部1Aによってコンタクトシート5をパッド4に押圧することにより、コンタクトシート5は被検査半導体パッケージの裏面からパッド4の面に至る凹部の周壁面に沿う形でパッド4に押圧されるため、パッド4とコンタクトシート5と配線1の突起部1Aとを支障なくコンタクトさせることができる。
特に配線1の上面に金属の突起部1Aを設けたため、金属の突起部1Aとコンタクトシート5とのコンタクト性が向上し、配線1とパッド4との電気的接続を確実に行うことができる。
次に、配線1の上面に形成する突起部1Aについて図3を用いて詳細に説明する。
突起部1Aは金、銀、銅、ニッケル、パラジウムや、これらの合金からなる大小の複数の金属粉末1AAを配線1上に配設し、配線1の金属粉末の周囲をマスキングした後、例えばニッケル−リン無電解めっきにより形成した金、銀、銅、ニッケル、パラジウムや、これらの合金からなる金属層1ABで覆い、上記各金属粉末を配線1に付着させるようにしている。
突起部1Aは金、銀、銅、ニッケル、パラジウムや、これらの合金からなる大小の複数の金属粉末1AAを配線1上に配設し、配線1の金属粉末の周囲をマスキングした後、例えばニッケル−リン無電解めっきにより形成した金、銀、銅、ニッケル、パラジウムや、これらの合金からなる金属層1ABで覆い、上記各金属粉末を配線1に付着させるようにしている。
めっきによって形成される金属層1ABは約5mm以上の厚さとすることにより、配線1への十分な付着力が得られることは実験的に確認ずみである。また、金属層1ABの表面に金めっきを施せば防錆効果と、表面効果により高い周波数の測定が可能となるものである。
なお、図3では突起部1Aを複数の金属粉末1AAの集合体として形成したが、複数の金属粉末1AAの部分を1個の金属粒によって形成してもよい。
なお、図3では突起部1Aを複数の金属粉末1AAの集合体として形成したが、複数の金属粉末1AAの部分を1個の金属粒によって形成してもよい。
例えばワイヤボンディングなどによりボール状の核として1個の金属粒(図示せず)を形成し、圧着や超音波接合などの方法によって配線1に固定した後、めっき法により金、銀、銅、ニッケル、パラジウムや、これらの合金からなる金属層で図3と同様に覆い、配線1と金属粒との付着力を強固にする。
金属層の上に更に低抵抗金属層をめっき法によって形成してもよい。高周波信号は表皮効果で金属の表面を流れるため、低抵抗金属層を形成することによって高周波特性を改善することが可能となる。
この場合においても、めっきによる金属層の厚さを約5mm以上とすれば、図3の場合と同様に、十分な付着力が得られることは実験的に確認ずみである。
実施の形態2.
次に、この発明の実施の形態2を図にもとづいて説明する。図4は、実施の形態2による半導体検査装置の概略構成を示す斜視図である。この図において、図1、図2と同一または相当部分には同一符号を付している。
次に、この発明の実施の形態2を図にもとづいて説明する。図4は、実施の形態2による半導体検査装置の概略構成を示す斜視図である。この図において、図1、図2と同一または相当部分には同一符号を付している。
実施の形態2は、配線1に突起部を形成するものではなく、コンタクトシート5全体に複数個のコンタクトピン5Aを傾斜させて埋め込むと共に、コンタクトシート5のパッド4及び配線1に対応する部分に埋め込まれたコンタクトピンの上下端に突起部を形成したものである。
具体的に説明すると、コンタクトシート5はシリコーンやウレタンゴムなどの弾性を有する樹脂ベース5A内に、ベリリウム銅、銅、リン青銅、真鍮などからなるコンタクトピン5Bをピンの上下端がそれぞれ樹脂ベース5Aの上面、下面に位置するように、所定の間隔で複数個、傾斜させた状態で埋め込んだものである。
コンタクトピン5Bのうち、半導体パッケージ3のパッド4及び配線1に対応しているものの上端及び下端には、それぞれ金属製の突起部5Cが形成されている。
図5は、コンタクトシート5の樹脂ベース5Aに埋め込まれたコンタクトピン5Bの上端と突起部5Cとを拡大して示す概略図である。
図5は、コンタクトシート5の樹脂ベース5Aに埋め込まれたコンタクトピン5Bの上端と突起部5Cとを拡大して示す概略図である。
また、突起部5Cは図6に示すように、コンタクトピン5Bの一端に固着された大小の複数個の金属粉末5BAと、めっき法によって図3と同様に形成され、上記金属粉末5BAを覆うと共に、コンタクトピン5Bに付着させる金属層5BBとから構成されている。
突起部5Cをこのような構成とすることにより、半導体パッケージ3に反りが生じていたり、パッド4の高さにばらつきがあって大きな段差があったとしても、これらを十分に吸収して確実なコンタクトを取ることができ、また、パッド4の外周部がガラスコーティングされているような場合でも安定したコンタクトを得ることができる。
実施の形態3.
次に、この発明の実施の形態3を図にもとづいて説明する。図7は、実施の形態3による半導体検査装置のうち、コンタクトシートの概略構成を示す斜視図である。この図において、図4と同一または相当部分には同一符号を付している。なお、コンタクトシート以外の構成は図4と同様であるため、図示及び説明を省略する。
次に、この発明の実施の形態3を図にもとづいて説明する。図7は、実施の形態3による半導体検査装置のうち、コンタクトシートの概略構成を示す斜視図である。この図において、図4と同一または相当部分には同一符号を付している。なお、コンタクトシート以外の構成は図4と同様であるため、図示及び説明を省略する。
実施の形態3におけるコンタクトシート5は、半導体パッケージ3のパッド4及び配線1に対応する領域(図7で破線で囲った領域)にのみ、実施の形態2で説明したコンタクトピン5Bを傾斜させて埋め込み、各コンタクトピン5Bの上端及び下端に金属の突起部5Cを形成すると共に、パッド4及び配線1に対応しない領域(図7で破線で囲った領域以外の領域)については、図4でコンタクトピン5Bを埋め込んでいた位置にコンタクトピン挿入用の孔だけを空洞部5Dとして形成し、この空洞部5Dにはコンタクトピン5Bを埋め込まないようにしている。
このような構成とすることにより、空洞部5Dを形成した領域は、コンタクトピン5Bを埋め込んだ領域に比べて剛性が小さくなるため、従来、十分に吸収することができなかった半導体パッケージ3の反りやパッド4の高さのばらつきを十分に吸収することができるようになり、より安定したコンタクトを得ることができるようになる。
図8は、この実施の形態の別の実施例を示すもので、空洞部5Dを形成した領域(図7で破線で囲った領域以外の領域)を切削・研磨などによる機械加工あるいはエッチングなどによる化学研磨によって表面から所定の寸法を除去して厚さを薄くし、パッド4及び配線1に対応する領域は図7に示す厚さをそのまま保持させるようにしたものである。
このような構成とすることにより、パッド4及び配線1に対応するコンタクトピン5Bを埋め込んだ領域は、パッド4の高さのばらつきによる大きな段差や半導体パッケージに大きな反りが生じていても、これらを吸収して十分なコンタクトができるようになる。
図9は、この実施の形態の更に別の実施例を示すもので、図8における空洞部5Dの全てにコンタクトピン5Bを埋め込んだものである。この場合は、図8の空洞部を形成した領域に比して剛性が少し大きくなるが、図8の場合と同様な効果を期待することができる。
実施の形態4.
次に、この発明の実施の形態4を図にもとづいて説明する。図10は、実施の形態4による半導体検査装置により半導体パッケージの検査を実施する状態を示す側面図である。この図において、図1と同一または相当部分には同一符号を付している。図1と異なる点は、基板2がフレキシブル性を有するフレキシブル基板として構成され、弾性体7上に配設されている点である。その他の構成は図1と同様であるため説明を省略する。
次に、この発明の実施の形態4を図にもとづいて説明する。図10は、実施の形態4による半導体検査装置により半導体パッケージの検査を実施する状態を示す側面図である。この図において、図1と同一または相当部分には同一符号を付している。図1と異なる点は、基板2がフレキシブル性を有するフレキシブル基板として構成され、弾性体7上に配設されている点である。その他の構成は図1と同様であるため説明を省略する。
実施の形態4は上記のように構成されているため、検査の実施時には、半導体パッケージ3に対して矢印6のように外力を加えると、基板2はその下部に設置されている弾性体7を圧縮して半導体パッケージ3の形状に沿って変形する。そのため、コンタクトシート5を薄くすることができ、高周波特性の測定時には、より高い周波数の測定が可能となるものである。
1 配線、 1A 突起部、 1AA 金属粉末、 1AB 金属層、 2 基板、
2A 誘電体層、 2B グランド層、 2C 配線層、 3 半導体パッケージ、
4 パッド、 5 コンタクトシート、 5A 樹脂ベース、 5B コンタクトピン、
5C 突起部、 5D 空洞部、 6 外力。
2A 誘電体層、 2B グランド層、 2C 配線層、 3 半導体パッケージ、
4 パッド、 5 コンタクトシート、 5A 樹脂ベース、 5B コンタクトピン、
5C 突起部、 5D 空洞部、 6 外力。
Claims (7)
- テスト回路を有する基板と、上記基板上に設けられ、上記テスト回路に対する信号の入出力端子を構成する配線と、上記基板と被検査半導体パッケージとの間に設けられ、上記被検査半導体パッケージの入出力端子を構成するパッドと上記配線とを電気的に接続する弾力性を有するコンタクトシートとを備え、上記配線の上記被検査半導体パッケージ側の面に複数個の突起部を形成したことを特徴とする半導体検査装置。
- 上記突起部は、金属または金属の合金からなり、上記配線に固定された粉末または粒と、上記粉末または粒を覆う金属膜とから構成されたことを特徴とする請求項1記載の半導体検査装置。
- テスト回路を有する基板と、上記基板上に設けられ、上記テスト回路に対する信号の入出力端子を構成する配線と、上記基板と被検査半導体パッケージとの間に設けられ、上記被検査半導体パッケージの入出力端子を構成するパッドと上記配線とを電気的に接続する弾力性を有するコンタクトシートとを備え、上記コンタクトシートは、弾性絶縁材と、上記弾性絶縁材に、上記基板と上記被検査半導体パッケージとを結ぶ方向に複数個埋め込まれたコンタクトピンとから構成され、上記各コンタクトピンのうち上記パッドと上記配線に対応する位置に設けられたコンタクトピンの両端に突起部を形成したことを特徴とする半導体検査装置。
- 上記弾性絶縁材のうち、上記パッドに対応する部分以外の部分の厚さを、上記パッドに対応する部分の厚さより薄くしたことを特徴とする請求項3記載の半導体検査装置。
- テスト回路を有する基板と、上記基板上に設けられ、上記テスト回路に対する信号の入出力端子を構成する配線と、上記基板と被検査半導体パッケージとの間に設けられ、上記被検査半導体パッケージの入出力端子を構成するパッドと上記配線とを電気的に接続する弾力性を有するコンタクトシートとを備え、上記コンタクトシートは、弾性絶縁材と、上記弾性絶縁材に、上記基板と上記被検査半導体パッケージとを結ぶ方向に複数個形成された空洞部とから構成され、上記各空洞部のうち、上記パッドと上記配線に対応する位置に設けられた空洞部にコンタクトピンを埋め込んだことを特徴とする半導体検査装置。
- 上記弾性絶縁材のうち、上記コンタクトピンが埋め込まれていない部分の厚さを、上記コンタクトピンが埋め込まれた部分の厚さより薄くしたことを特徴とする請求項5記載の半導体検査装置。
- 上記基板をフレキシブル基板としたことを特徴とする請求項1または請求項3あるいは請求項5記載の半導体検査装置。
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2006
- 2006-05-17 JP JP2006138084A patent/JP2007309754A/ja active Pending
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