JP2001004698A - テスト用ソケット、及びその接触端子の製造方法、並びに電子機器あるいは半導体パッケージ - Google Patents
テスト用ソケット、及びその接触端子の製造方法、並びに電子機器あるいは半導体パッケージInfo
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- G01R1/06738—Geometry aspects related to tip portion
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣなどの外部接続用端子に対する接触端子
の安定な接触を確保する。 【解決手段】 接触端子２０が、ＩＣなどの外部接続端
子５０と接触する領域に、規定範囲の曲率半径の接触用
突起部２４を１個以上形成する。また、外部接続端子５
０と接触する領域に、凸部２２及び凹部２３を多数形成
し、凸部頂部を曲率半径が２〜１５ミクロンの概略球面
で構成した。
の安定な接触を確保する。 【解決手段】 接触端子２０が、ＩＣなどの外部接続端
子５０と接触する領域に、規定範囲の曲率半径の接触用
突起部２４を１個以上形成する。また、外部接続端子５
０と接触する領域に、凸部２２及び凹部２３を多数形成
し、凸部頂部を曲率半径が２〜１５ミクロンの概略球面
で構成した。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は電子機器あるいは
半導体パッケージの電気的諸特性の測定を安定して継続
的に行うことのできるテスト用ソケットに関するととも
に、その接触端子（測定用コンタクトあるいはコンタク
トピン）の製造方法に関するものである。
半導体パッケージの電気的諸特性の測定を安定して継続
的に行うことのできるテスト用ソケットに関するととも
に、その接触端子（測定用コンタクトあるいはコンタク
トピン）の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のテスト用ソケット（測定用ソケッ
ト）における接触端子（コンタクト）とＩＣ（半導体パ
ッケージ）の外部接続端子との電気的接触方法を、表面
実装ＩＣ（ＱＦＰ）を例に挙げて示す。図１０は、被測
定ＩＣ１０と、接触端子２０（コンタクト）を複数装備
したテスト用ソケット６０の斜視図を示す。テスト用ソ
ケット６０の接触端子２０は、絶縁性部材のハウジング
３０に埋め込まれており、接触端子２０の接触面２１と
被測定ＩＣ１０の外部接続端子５０の上面を押圧するこ
とにより接触させている。
ト）における接触端子（コンタクト）とＩＣ（半導体パ
ッケージ）の外部接続端子との電気的接触方法を、表面
実装ＩＣ（ＱＦＰ）を例に挙げて示す。図１０は、被測
定ＩＣ１０と、接触端子２０（コンタクト）を複数装備
したテスト用ソケット６０の斜視図を示す。テスト用ソ
ケット６０の接触端子２０は、絶縁性部材のハウジング
３０に埋め込まれており、接触端子２０の接触面２１と
被測定ＩＣ１０の外部接続端子５０の上面を押圧するこ
とにより接触させている。
【０００３】図１１は、その接触部の拡大断面図を示
す。（ａ）図は、接触端子２０の接触面２１と被測定Ｉ
Ｃ１０の外部接続端子５０の接触面５１との拡大図、
（ｂ）図は、加圧接触時の接触面の状態を示す図であ
る。被測定ＩＣ１０のＩＣ外部接続端子５０の表面には
酸化性絶縁皮膜５２（以下、適宜、酸化皮膜と称する）
が存在し、その電気抵抗は高い。したがって良好な電気
的接触を得るためにはこの酸化皮膜５２を破壊し、電気
的導通を得られるべき接触面５１を接触させなければな
らない。そのため接触端子２０と外部接続端子５０を接
触させた状態からさらに一定量押し込み、接触端子２０
をたわませ、接触端子２０の接触面２１とＩＣ外部接続
端子５０の接触面５１間とで相対滑りを起こさせて、酸
化皮膜５２を破壊し、接触面５１と接触することで電気
的接触が得られる。
す。（ａ）図は、接触端子２０の接触面２１と被測定Ｉ
Ｃ１０の外部接続端子５０の接触面５１との拡大図、
（ｂ）図は、加圧接触時の接触面の状態を示す図であ
る。被測定ＩＣ１０のＩＣ外部接続端子５０の表面には
酸化性絶縁皮膜５２（以下、適宜、酸化皮膜と称する）
が存在し、その電気抵抗は高い。したがって良好な電気
的接触を得るためにはこの酸化皮膜５２を破壊し、電気
的導通を得られるべき接触面５１を接触させなければな
らない。そのため接触端子２０と外部接続端子５０を接
触させた状態からさらに一定量押し込み、接触端子２０
をたわませ、接触端子２０の接触面２１とＩＣ外部接続
端子５０の接触面５１間とで相対滑りを起こさせて、酸
化皮膜５２を破壊し、接触面５１と接触することで電気
的接触が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の接触端
子（コンタクト）による接触においては以下のような課
題が存在する。第一に、上記接触方法において、接触端
子２０とＩＣ外部接続端子５０の接触面同志が相対すべ
りを起こすことによる、ＩＣ外部接続端子５０の酸化皮
膜５２の破壊に伴い、ＩＣ外部接続端子５０を構成する
部材５４、この場合ハンダメッキ、が接触端子２０の接
触面２１に凝着する。相対滑りを大きくすれば酸化皮膜
５２の破壊および接触面の拡大に寄与し、良好な電気的
接触のためには有効となるが、上記接触面２１へのハン
ダの凝着量も多くなってしまう。この凝着物は一般的に
上記のハンダのように酸化する金属であることが多く、
表面酸化と堆積を繰り返すことで、接触抵抗が増大し、
良好な電気的接触の妨げとなる。すなわち、比較的新し
い状態の接触端子２０は良好な電気的接触を得ている
が、接触回数すなわち測定回数を重ねるうちに次第に接
触抵抗が増大して良好な電気的接触が得られなくなると
いうコンタクトの寿命の問題がある。
子（コンタクト）による接触においては以下のような課
題が存在する。第一に、上記接触方法において、接触端
子２０とＩＣ外部接続端子５０の接触面同志が相対すべ
りを起こすことによる、ＩＣ外部接続端子５０の酸化皮
膜５２の破壊に伴い、ＩＣ外部接続端子５０を構成する
部材５４、この場合ハンダメッキ、が接触端子２０の接
触面２１に凝着する。相対滑りを大きくすれば酸化皮膜
５２の破壊および接触面の拡大に寄与し、良好な電気的
接触のためには有効となるが、上記接触面２１へのハン
ダの凝着量も多くなってしまう。この凝着物は一般的に
上記のハンダのように酸化する金属であることが多く、
表面酸化と堆積を繰り返すことで、接触抵抗が増大し、
良好な電気的接触の妨げとなる。すなわち、比較的新し
い状態の接触端子２０は良好な電気的接触を得ている
が、接触回数すなわち測定回数を重ねるうちに次第に接
触抵抗が増大して良好な電気的接触が得られなくなると
いうコンタクトの寿命の問題がある。
【０００５】第二に、良好な電気的接触が得られない
と、ICが真の良品であるにもかかわらず、不良品と誤判
定され、真の良品を破棄するケースがある。第三に、誤
判定にて不良品となったICの発生率がある規定値を超え
た場合は、誤判定による不良品IC群を再度測定しなおす
ことなり、これには不要な時間や費用を費やすことにな
り好ましくない。
と、ICが真の良品であるにもかかわらず、不良品と誤判
定され、真の良品を破棄するケースがある。第三に、誤
判定にて不良品となったICの発生率がある規定値を超え
た場合は、誤判定による不良品IC群を再度測定しなおす
ことなり、これには不要な時間や費用を費やすことにな
り好ましくない。
【０００６】第四に、現状ICのIC外部接続端子は微細
化、狭ピッチ化される傾向にあり、これに伴って、電気
的諸特性の測定を行う際に、ICより発生した異物、例え
ば樹脂の小片(バリ)や樹脂に含まれるガラスフィラーな
どが接触端子とIC外部接続端子間に介在するために起こ
る接触不良も問題となっている。この問題に対する手段
としては、特開昭５８-１９９５４５号公報では接触端
子の先端に先鋭な突起体を複数形成して異物が介在して
もこれを避けて接触することを可能としている。しか
し、上記突起体先端部が先鋭な形状であるため、IC外部
接続端子を傷つけることによる外観不良や、実装不良を
引き起こすこともあるといった問題を有している。
化、狭ピッチ化される傾向にあり、これに伴って、電気
的諸特性の測定を行う際に、ICより発生した異物、例え
ば樹脂の小片(バリ)や樹脂に含まれるガラスフィラーな
どが接触端子とIC外部接続端子間に介在するために起こ
る接触不良も問題となっている。この問題に対する手段
としては、特開昭５８-１９９５４５号公報では接触端
子の先端に先鋭な突起体を複数形成して異物が介在して
もこれを避けて接触することを可能としている。しか
し、上記突起体先端部が先鋭な形状であるため、IC外部
接続端子を傷つけることによる外観不良や、実装不良を
引き起こすこともあるといった問題を有している。
【０００７】本発明は、このような従来の課題を解決す
るためになされたもので、電子機器の外部接続端子と、
テスト用ソケットの接触端子との安定な接触を確保し、
継続的に安定した接触が得られるようにすることを目的
とする。
るためになされたもので、電子機器の外部接続端子と、
テスト用ソケットの接触端子との安定な接触を確保し、
継続的に安定した接触が得られるようにすることを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１にかか
る電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケッ
トは、電子機器あるいは半導体パッケージの外部接続端
子と電気的接触をする接触端子を備えたテスト用ソケッ
トであって、上記接触端子には上記外部接続端子に接触
する部分に、滑らかな曲面で構成した複数の凸部と、上
記凸部に隣接して広がる滑らかな曲面で構成した複数の
凹部とを形成したことを特徴とするものである。
る電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケッ
トは、電子機器あるいは半導体パッケージの外部接続端
子と電気的接触をする接触端子を備えたテスト用ソケッ
トであって、上記接触端子には上記外部接続端子に接触
する部分に、滑らかな曲面で構成した複数の凸部と、上
記凸部に隣接して広がる滑らかな曲面で構成した複数の
凹部とを形成したことを特徴とするものである。
【０００９】本発明の請求項２にかかる電子機器あるい
は半導体パッケージのテスト用ソケットは、請求項１に
記載のものにおいて、上記接触端子の上記複数の凸部の
形状を曲率半径が２〜１５ミクロンの概略球面で構成し
たことを特徴とするものである。
は半導体パッケージのテスト用ソケットは、請求項１に
記載のものにおいて、上記接触端子の上記複数の凸部の
形状を曲率半径が２〜１５ミクロンの概略球面で構成し
たことを特徴とするものである。
【００１０】本発明の請求項３にかかる電子機器あるい
は半導体パッケージのテスト用ソケットは、請求項１に
記載のものにおいて、上記接触端子の上記複数の凸部と
上記複数の凹部の表面に導電性の硬質皮膜を形成したこ
とを特徴とするものである。
は半導体パッケージのテスト用ソケットは、請求項１に
記載のものにおいて、上記接触端子の上記複数の凸部と
上記複数の凹部の表面に導電性の硬質皮膜を形成したこ
とを特徴とするものである。
【００１１】本発明の請求項４にかかる電子機器あるい
は半導体パッケージのテスト用ソケットは、電子機器あ
るいは半導体パッケージの外部接触端子と電気的接触を
する接触端子を備えたテスト用ソケットであって、上記
接触端子には、先端が曲率半径０.０３〜０.３ｍｍの概
略球面あるいは円筒面で構成され上記電子機器あるいは
半導体パッケージの外部接続端子に接触する接触用突起
部を１個以上備え、かつ、上記接触用突起部の上記外部
接続端子に接触する部分に、滑らかな曲面で構成した複
数の凸部と、上記凸部に隣接して広がる滑らかな曲面で
構成した複数の凹部とを形成したことを特徴とするもの
である。
は半導体パッケージのテスト用ソケットは、電子機器あ
るいは半導体パッケージの外部接触端子と電気的接触を
する接触端子を備えたテスト用ソケットであって、上記
接触端子には、先端が曲率半径０.０３〜０.３ｍｍの概
略球面あるいは円筒面で構成され上記電子機器あるいは
半導体パッケージの外部接続端子に接触する接触用突起
部を１個以上備え、かつ、上記接触用突起部の上記外部
接続端子に接触する部分に、滑らかな曲面で構成した複
数の凸部と、上記凸部に隣接して広がる滑らかな曲面で
構成した複数の凹部とを形成したことを特徴とするもの
である。
【００１２】本発明の請求項５にかかる電子機器あるい
は半導体パッケージのテスト用ソケットは、請求項４に
記載のものにおいて、上記接触端子には、上記接触端子
の上記接触用突起部よりさらに先端側で上記接触用突起
部と所定距離離れ、上記接触用突起部と同じ方向に上記
接触用突起部より長く伸長した上記外部接続端子のガイ
ド用突起部を形成したことを特徴とするものである。
は半導体パッケージのテスト用ソケットは、請求項４に
記載のものにおいて、上記接触端子には、上記接触端子
の上記接触用突起部よりさらに先端側で上記接触用突起
部と所定距離離れ、上記接触用突起部と同じ方向に上記
接触用突起部より長く伸長した上記外部接続端子のガイ
ド用突起部を形成したことを特徴とするものである。
【００１３】本発明の請求項６にかかる電子機器あるい
は半導体パッケージのテスト用ソケットは、請求項４に
記載のものにおいて、上記接触端子には、上記接触用突
起部の前後に上記接触用突起部先端と段差のある平面受
け部あるいは上記接触用突起部先端から徐々に下降して
伸びる傾斜面を形成したことを特徴とするものである。
は半導体パッケージのテスト用ソケットは、請求項４に
記載のものにおいて、上記接触端子には、上記接触用突
起部の前後に上記接触用突起部先端と段差のある平面受
け部あるいは上記接触用突起部先端から徐々に下降して
伸びる傾斜面を形成したことを特徴とするものである。
【００１４】本発明の請求項７にかかる接触端子の製造
方法は、請求項１〜６のいずれかに記載の電子機器ある
いは半導体パッケージのテスト用ソケットの接触端子の
製造において、上記接触端子の上記電子機器あるいは半
導体パッケージの外部接続端子が接触する部分を放電加
工で所期の面粗さに加工した後、電解ニッケルメッキを
施し、さらに金メッキを施すことを特徴とするものであ
る。
方法は、請求項１〜６のいずれかに記載の電子機器ある
いは半導体パッケージのテスト用ソケットの接触端子の
製造において、上記接触端子の上記電子機器あるいは半
導体パッケージの外部接続端子が接触する部分を放電加
工で所期の面粗さに加工した後、電解ニッケルメッキを
施し、さらに金メッキを施すことを特徴とするものであ
る。
【００１５】本発明の請求項８にかかる電子機器あるい
は半導体パッケージは、請求項１〜６のいずれかに記載
の電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケッ
トを用いて電気的特性テストをしたことを特徴とするも
のである。
は半導体パッケージは、請求項１〜６のいずれかに記載
の電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケッ
トを用いて電気的特性テストをしたことを特徴とするも
のである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。図中、同一の符号は同
一または相当する部分を表すので、重複した説明は省略
する。 実施の形態１.図１〜３は、この発明の実施の形態１に
よるコンタクト構造を説明するための図である。図１は
ＩＣのＩＣ外部接続端子に対して接近するテスト用ソケ
ットの接触端子（コンタクト）の斜視図、図２は接触端
子とＩＣ外部接続端子が接触する部分の拡大側面図、図
３はこの接触端子を用いてＩＣをテスト測定するときの
動作を説明する側面からの断面図である。
て図面を参照しながら説明する。図中、同一の符号は同
一または相当する部分を表すので、重複した説明は省略
する。 実施の形態１.図１〜３は、この発明の実施の形態１に
よるコンタクト構造を説明するための図である。図１は
ＩＣのＩＣ外部接続端子に対して接近するテスト用ソケ
ットの接触端子（コンタクト）の斜視図、図２は接触端
子とＩＣ外部接続端子が接触する部分の拡大側面図、図
３はこの接触端子を用いてＩＣをテスト測定するときの
動作を説明する側面からの断面図である。
【００１７】図１において、１０は被測定ＩＣ、５０は
被測定ＩＣ１０のＩＣ外部接続端子、２０は接触端子
（コンタクトあるいはコンタクトピン）、２４は接触端
子２０の先端付近に設けられた接触用突起部を示す。な
お、接触端子２０は、図１０で示したのと同様に、テス
ト用ソケット６０に所定の配列で収容されている。次
に、図２および図３において、２２は接触用突起部２４
の表面に形成された凸部、２３は接触用突起部２４の表
面に形成された凹部を示す。また、５５はＩＣ外部接続
端子５０の最表層を示し、本実施の形態の場合にはハン
ダメッキ皮膜を表している。５６はＩＣ外部接続端子５
０が接触端子２０と接する面において、最表層（ハンダ
メッキ層）５５の表面にできた酸化皮膜を示している。
被測定ＩＣ１０のＩＣ外部接続端子、２０は接触端子
（コンタクトあるいはコンタクトピン）、２４は接触端
子２０の先端付近に設けられた接触用突起部を示す。な
お、接触端子２０は、図１０で示したのと同様に、テス
ト用ソケット６０に所定の配列で収容されている。次
に、図２および図３において、２２は接触用突起部２４
の表面に形成された凸部、２３は接触用突起部２４の表
面に形成された凹部を示す。また、５５はＩＣ外部接続
端子５０の最表層を示し、本実施の形態の場合にはハン
ダメッキ皮膜を表している。５６はＩＣ外部接続端子５
０が接触端子２０と接する面において、最表層（ハンダ
メッキ層）５５の表面にできた酸化皮膜を示している。
【００１８】本実施の形態では、図２に示すように、接
触端子２０のＩＣ外部接続端子５０との接触部分におい
て、接触端子２０のベース部分から突起させた接触用突
起部２４を形成し、かつその接触用突起部２４の先端を
曲率半径０.０３〜０.３ｍｍの概略球面あるいは円筒面
で構成した。特に半導体パッケージのテスト工程におい
ては、パッケージ自体から発生する異物の発生、例えば
パッケージのモールド樹脂の破片（バリ）やモールド樹
脂中に含まれるガラスビーズなどのフィラーがある。こ
れら異物が、接触端子２０と外部接続端子５０の間に挟
まることで、電気接触不良が発生して、真の良品が不良
と判定されてしまう。
触端子２０のＩＣ外部接続端子５０との接触部分におい
て、接触端子２０のベース部分から突起させた接触用突
起部２４を形成し、かつその接触用突起部２４の先端を
曲率半径０.０３〜０.３ｍｍの概略球面あるいは円筒面
で構成した。特に半導体パッケージのテスト工程におい
ては、パッケージ自体から発生する異物の発生、例えば
パッケージのモールド樹脂の破片（バリ）やモールド樹
脂中に含まれるガラスビーズなどのフィラーがある。こ
れら異物が、接触端子２０と外部接続端子５０の間に挟
まることで、電気接触不良が発生して、真の良品が不良
と判定されてしまう。
【００１９】別に実施した上記異物の大きさの分布調査
の結果、１０〜１００ミクロン程度の大きさがあること
がわかり、本実施の形態では、接触端子２０の先端を尖
らせることで、上記異物が載らないような手段を講じ
た。接触用突起部２４の形状（先端の曲率半径）を変え
て実験した結果、突起部先端の形状をＲ形状で０.３ｍ
ｍの曲率半径以下とすることで接触用突起部２４の先端
部分に異物が載る確率が非常に小さくなることがわかっ
た。また、この接触用突起部２４を有する接触端子２０
の試作をワイヤカット放電加工とプレス打ち抜きで実施
したが、接触用突起部２４の先端Ｒ形状で実用的に試作
できるのはＲ０.０３ｍｍ程度が最小限界であることが
わかった。
の結果、１０〜１００ミクロン程度の大きさがあること
がわかり、本実施の形態では、接触端子２０の先端を尖
らせることで、上記異物が載らないような手段を講じ
た。接触用突起部２４の形状（先端の曲率半径）を変え
て実験した結果、突起部先端の形状をＲ形状で０.３ｍ
ｍの曲率半径以下とすることで接触用突起部２４の先端
部分に異物が載る確率が非常に小さくなることがわかっ
た。また、この接触用突起部２４を有する接触端子２０
の試作をワイヤカット放電加工とプレス打ち抜きで実施
したが、接触用突起部２４の先端Ｒ形状で実用的に試作
できるのはＲ０.０３ｍｍ程度が最小限界であることが
わかった。
【００２０】さらに、本実施の形態では上述した接触用
突起部２４の先端、すなわち、少なくともＩＣの外部接
続端子５０と接触する領域に、滑らかな曲面で構成され
る凸部２２および、凹部２３を多数形成し、凹部２３は
凸部２２から下方に広がる空間を有するように構成し
た。また、凸部２２頂部の曲率半径をＩＣ外部接続端子
５０の表面に施された最表層（ハンダメッキ層）５５の
厚さ、およそ１０ミクロン程度となるように構成した。
さらに凹部２３の深さをＩＣ外部接続端子５０の最表層
（ハンダメッキ）厚さ１０ミクロン以上になるように構
成した。この凹部の深さは深いほどよい。この微小突起
は凸部２２と凹部２３を構成する曲面がほぼ連続してい
るため、人体の胃や腸の内壁の柔突起形状に似ている。
突起部２４の先端、すなわち、少なくともＩＣの外部接
続端子５０と接触する領域に、滑らかな曲面で構成され
る凸部２２および、凹部２３を多数形成し、凹部２３は
凸部２２から下方に広がる空間を有するように構成し
た。また、凸部２２頂部の曲率半径をＩＣ外部接続端子
５０の表面に施された最表層（ハンダメッキ層）５５の
厚さ、およそ１０ミクロン程度となるように構成した。
さらに凹部２３の深さをＩＣ外部接続端子５０の最表層
（ハンダメッキ）厚さ１０ミクロン以上になるように構
成した。この凹部の深さは深いほどよい。この微小突起
は凸部２２と凹部２３を構成する曲面がほぼ連続してい
るため、人体の胃や腸の内壁の柔突起形状に似ている。
【００２１】この凹凸面形状の具体的な作り方として、
まず、ベリリウム銅やリン青銅など弾性を有する板材料
をプレス加工で接触用突起部を有する接触端子形状に加
工し、接触用突起部分を局所的に放電加工して表面粗さ
を荒らしたのち、ニッケルメッキを施し、このニッケル
メッキを成長させることで、所期の凹凸面を作った。
まず、ベリリウム銅やリン青銅など弾性を有する板材料
をプレス加工で接触用突起部を有する接触端子形状に加
工し、接触用突起部分を局所的に放電加工して表面粗さ
を荒らしたのち、ニッケルメッキを施し、このニッケル
メッキを成長させることで、所期の凹凸面を作った。
【００２２】放電加工条件には特に制約は無いが、放電
加工の際に上記コンタクトの材料となる金属が放電で溶
融し、数ミクロン程度の直径の金属粒子となって被加工
材料表面に再付着することで、上記凸部の核となること
が分かり、さらに放電加工の際に電極（ワイヤあるいは
型彫り電極）の周りを冷却する水あるいは灯油等の流れ
る流速をワイヤが切れたり型彫り電極がダメージを受け
ない範囲で可能な限り落したほうが核生成に有利である
ことが分かった。すなわち本実施の形態では放電加工で
コンタクト表面を意図的に荒らしておいて、メッキを成
長させて凹凸を形成していることになる。本実施の形態
では放電加工をワイヤカット式あるいは型彫り式放電加
工で接触端子の一部を加工したが、放電加工、例えばワ
イヤカット式で接触端子全体を加工しても問題は無い。
加工の際に上記コンタクトの材料となる金属が放電で溶
融し、数ミクロン程度の直径の金属粒子となって被加工
材料表面に再付着することで、上記凸部の核となること
が分かり、さらに放電加工の際に電極（ワイヤあるいは
型彫り電極）の周りを冷却する水あるいは灯油等の流れ
る流速をワイヤが切れたり型彫り電極がダメージを受け
ない範囲で可能な限り落したほうが核生成に有利である
ことが分かった。すなわち本実施の形態では放電加工で
コンタクト表面を意図的に荒らしておいて、メッキを成
長させて凹凸を形成していることになる。本実施の形態
では放電加工をワイヤカット式あるいは型彫り式放電加
工で接触端子の一部を加工したが、放電加工、例えばワ
イヤカット式で接触端子全体を加工しても問題は無い。
【００２３】さらにメッキはニッケルメッキを電解メッ
キ法で施した。メッキ液としては無光沢のメッキ液を選
択して、３Ａ／cｍ2で２０分メッキすることで、先端の
曲率半径が、平均値でおよそ１０ミクロン（５〜１５ミ
クロンでばらつく）の凸部分が形成される。微小突起の
凸部の曲率半径については、上記メッキの時間を制御す
ることで先端の曲率を変えることが可能である。
キ法で施した。メッキ液としては無光沢のメッキ液を選
択して、３Ａ／cｍ2で２０分メッキすることで、先端の
曲率半径が、平均値でおよそ１０ミクロン（５〜１５ミ
クロンでばらつく）の凸部分が形成される。微小突起の
凸部の曲率半径については、上記メッキの時間を制御す
ることで先端の曲率を変えることが可能である。
【００２４】また、図２では、接触端子２０のベース部
分から突起させた接触用突起部２４は１箇所のみを示し
ているが、複数個あってもよい。また、接触用突起部２
４の表面に形成する凸部２２は概略球面の一部でなくと
も、例えば円筒面形状のようなものでも効果はある。
分から突起させた接触用突起部２４は１箇所のみを示し
ているが、複数個あってもよい。また、接触用突起部２
４の表面に形成する凸部２２は概略球面の一部でなくと
も、例えば円筒面形状のようなものでも効果はある。
【００２５】ＩＣ外部接続端子５０の最表層５５を形成
する部材は上述したようにハンダであり、その厚さはお
よそ１０ミクロンである。接触端子２０のＩＣ外部接続
端子５０と接触する部分に形成した微小凹凸を構成する
曲面の表面粗さはおおむね０.１〜０.５ミクロン以下と
なっている。本実施の形態では凸部２２頂部の曲率半径
としておよそ１０ミクロンを狙った結果、凹部２３の深
さは約２０ミクロンとなった。ここで、凹部２３の深さ
の定義は図３（ｂ）に示すように、山頂線Ｌｐと谷底線
Ｌｖとの間隔で定義する。
する部材は上述したようにハンダであり、その厚さはお
よそ１０ミクロンである。接触端子２０のＩＣ外部接続
端子５０と接触する部分に形成した微小凹凸を構成する
曲面の表面粗さはおおむね０.１〜０.５ミクロン以下と
なっている。本実施の形態では凸部２２頂部の曲率半径
としておよそ１０ミクロンを狙った結果、凹部２３の深
さは約２０ミクロンとなった。ここで、凹部２３の深さ
の定義は図３（ｂ）に示すように、山頂線Ｌｐと谷底線
Ｌｖとの間隔で定義する。
【００２６】なお、一般的にはＩＣ外部接続端子５０の
最表層５５（ハンダメッキ）の厚さに相当する大きさと
して採用する凸部２２頂部の曲率半径は５〜１５ミクロ
ン程度とするのがよい。本実施の形態ではハンダメッキ
層へのコンタクトを例に挙げたが、塑性変形する軟質金
属材料であれば、金や銀等の電極に対しても使用でき
る。また半導体パッケージの外部接続端子としてリード
端子を例に挙げたが、例えばＢＧＡやＣＳＰなどのハン
ダボール電極に対しても上記の微小凹凸は有効であり、
ハンダボール用コンタクトの先端に微小凹凸を形成すれ
ばよい。
最表層５５（ハンダメッキ）の厚さに相当する大きさと
して採用する凸部２２頂部の曲率半径は５〜１５ミクロ
ン程度とするのがよい。本実施の形態ではハンダメッキ
層へのコンタクトを例に挙げたが、塑性変形する軟質金
属材料であれば、金や銀等の電極に対しても使用でき
る。また半導体パッケージの外部接続端子としてリード
端子を例に挙げたが、例えばＢＧＡやＣＳＰなどのハン
ダボール電極に対しても上記の微小凹凸は有効であり、
ハンダボール用コンタクトの先端に微小凹凸を形成すれ
ばよい。
【００２７】次に測定の際における上記微小凹凸部の作
用について説明する。図１を参照して、前述したよう
に、被測定ＩＣ１０は接触端子２０に対向して置かれ、
押し具７０によりＩＣ外部接続端子５０が接触端子２０
に接触する位置まで押圧される。
用について説明する。図１を参照して、前述したよう
に、被測定ＩＣ１０は接触端子２０に対向して置かれ、
押し具７０によりＩＣ外部接続端子５０が接触端子２０
に接触する位置まで押圧される。
【００２８】次に、図２および図３を参照する。図２
は、接触端子２０の先端付近の接触用突起部２４がＩＣ
外部接続端子５０に近接する状態、図３（ａ）は接触用
突起部２４の凸部２２がＩＣ外部接続端子５０の酸化皮
膜５６に接した状態、図３（ｂ）は凸部２２が酸化皮膜
５６に食い込んだ状態、図３（ｃ）は接触後の状態を示
している。図３（ａ）の位置より若干量被測定ＩＣ１０
を押圧すると、図３（ｂ）に示すように、接触端子２０
の接触用突起部２４に設けた凸部２３が、ＩＣ外部接続
端子５０の酸化皮膜５６を破壊し、さらに最表層（ハン
ダメッキ皮膜）５５に食い込む。
は、接触端子２０の先端付近の接触用突起部２４がＩＣ
外部接続端子５０に近接する状態、図３（ａ）は接触用
突起部２４の凸部２２がＩＣ外部接続端子５０の酸化皮
膜５６に接した状態、図３（ｂ）は凸部２２が酸化皮膜
５６に食い込んだ状態、図３（ｃ）は接触後の状態を示
している。図３（ａ）の位置より若干量被測定ＩＣ１０
を押圧すると、図３（ｂ）に示すように、接触端子２０
の接触用突起部２４に設けた凸部２３が、ＩＣ外部接続
端子５０の酸化皮膜５６を破壊し、さらに最表層（ハン
ダメッキ皮膜）５５に食い込む。
【００２９】ここで、凸部２２の頂部の曲率半径は、こ
の最表層５５の厚さと同一である場合もっとも接触面積
を拡大できる。そこで上記曲率半径を最表層５５の厚さ
と同一以下にして、良好な電気的接触を可能としてい
る。さらに従来のように接触端子２０と外部接触端子５
０との間で十分な相対滑りを起こす必要が無いため、ハ
ンダの凝着、堆積を抑制できる点でも良好な電気的接触
を継続的に得ることができる。
の最表層５５の厚さと同一である場合もっとも接触面積
を拡大できる。そこで上記曲率半径を最表層５５の厚さ
と同一以下にして、良好な電気的接触を可能としてい
る。さらに従来のように接触端子２０と外部接触端子５
０との間で十分な相対滑りを起こす必要が無いため、ハ
ンダの凝着、堆積を抑制できる点でも良好な電気的接触
を継続的に得ることができる。
【００３０】しかも凸部２２がハンダ最表層５５に食い
込むと、図３（ｃ）に示すように、食い込んだ部分のハ
ンダおよび酸化皮膜５６はその周囲に排斥されるが、こ
れは凸部２２周辺の凹部２３へ押しやられ、削り屑５６
ａのように凹部２３にたまる。従来のような凹部を形成
していない接触端子ならば、コンタクト部表面全域に上
記排斥されたハンダが凝着し、その表面が酸化し、テス
ト回数を重ねるにつれて酸化皮膜の堆積が起こり、良好
な電気接触が得られなくなるのに対し、本実施の形態で
は、この凹部２３が多数存在するため、付着したハンダ
や酸化皮膜が凹部２３に容易に流れ込み表面に堆積しに
くくなる。しかも凸部２２も多数個存在し、接触を得や
すく、その表面粗さも０.１〜０.５ミクロンＲｙ程度以
下のため、ハンダが凝着しにくい上、凝着しても除去し
やすくなる。
込むと、図３（ｃ）に示すように、食い込んだ部分のハ
ンダおよび酸化皮膜５６はその周囲に排斥されるが、こ
れは凸部２２周辺の凹部２３へ押しやられ、削り屑５６
ａのように凹部２３にたまる。従来のような凹部を形成
していない接触端子ならば、コンタクト部表面全域に上
記排斥されたハンダが凝着し、その表面が酸化し、テス
ト回数を重ねるにつれて酸化皮膜の堆積が起こり、良好
な電気接触が得られなくなるのに対し、本実施の形態で
は、この凹部２３が多数存在するため、付着したハンダ
や酸化皮膜が凹部２３に容易に流れ込み表面に堆積しに
くくなる。しかも凸部２２も多数個存在し、接触を得や
すく、その表面粗さも０.１〜０.５ミクロンＲｙ程度以
下のため、ハンダが凝着しにくい上、凝着しても除去し
やすくなる。
【００３１】なお凹凸部の形成方法として、放電加工、
サンドブラスト、液体ホーニング、エッチング、等で表
面粗さを５〜３０ミクロンＲｙ程度にした上で、その表
面をメッキすることにより、面粗さの凸部分に優先的に
メッキが成長して凸部と凹部が強調されて所期の微小凹
凸ができる。本実施の形態ではメッキ材料としてニッケ
ルを例に挙げたが、金あるいはクロムなど別のメッキ材
料でもかまわない。
サンドブラスト、液体ホーニング、エッチング、等で表
面粗さを５〜３０ミクロンＲｙ程度にした上で、その表
面をメッキすることにより、面粗さの凸部分に優先的に
メッキが成長して凸部と凹部が強調されて所期の微小凹
凸ができる。本実施の形態ではメッキ材料としてニッケ
ルを例に挙げたが、金あるいはクロムなど別のメッキ材
料でもかまわない。
【００３２】本実施の形態の接触端子２０としては、ベ
ースの材質はベリリウム銅あるいはリン青銅など弾性変
形能力の高い金属材料であれば何でもよく、これら金属
材料をプレス加工にて所定の形状に打ち抜き、被測定Ｉ
Ｃ１０と接触する可能性のある部分のみを放電加工し、
その上に厚さ２〜２０ミクロンのニッケルメッキを行
う。この部分放電加工により加工コストを削減できる。
ースの材質はベリリウム銅あるいはリン青銅など弾性変
形能力の高い金属材料であれば何でもよく、これら金属
材料をプレス加工にて所定の形状に打ち抜き、被測定Ｉ
Ｃ１０と接触する可能性のある部分のみを放電加工し、
その上に厚さ２〜２０ミクロンのニッケルメッキを行
う。この部分放電加工により加工コストを削減できる。
【００３３】なお、本文中で述べている被測定ＩＣと
は、半導体製品、ベアチップ等を示す。またＩＣ外部接
続端子とは、ＩＣを基板に接続するためにＩＣに形成さ
れたリード、ランド、パッド、バンプ等を指す。接触端
子（コンタクト）はバネ性を有する板状、面状、線状、
針状部材を指す。また、本実施の形態は、上記ＩＣ以外
の電子機器、あるいは電子部品、例えばプリント基板や
ＬＣＤに形成されたＩＣ外部接続端子等にコンタクトを
接触させて行うテストにも適用可能である。さらに、上
記微小凹凸を有するコンタクト面は、ＣＳＰ，ＢＧＡパ
ッケージのテストに使用されるポゴピン先端部分あるい
はいわゆる挟み込みコンタクトの接点に用いても効果が
あることはいうまでも無い。
は、半導体製品、ベアチップ等を示す。またＩＣ外部接
続端子とは、ＩＣを基板に接続するためにＩＣに形成さ
れたリード、ランド、パッド、バンプ等を指す。接触端
子（コンタクト）はバネ性を有する板状、面状、線状、
針状部材を指す。また、本実施の形態は、上記ＩＣ以外
の電子機器、あるいは電子部品、例えばプリント基板や
ＬＣＤに形成されたＩＣ外部接続端子等にコンタクトを
接触させて行うテストにも適用可能である。さらに、上
記微小凹凸を有するコンタクト面は、ＣＳＰ，ＢＧＡパ
ッケージのテストに使用されるポゴピン先端部分あるい
はいわゆる挟み込みコンタクトの接点に用いても効果が
あることはいうまでも無い。
【００３４】以上のように、本実施の形態によれば、コ
ンタクト動作において、被接触物／接触端子のメッキ材
および酸化皮膜が排斥され凹部にたまり、接触部分であ
る凸部に堆積することが抑制される。さらに凹部が上記
メッキ材質で埋まっても隣接する凹部に接触圧力の伝播
でハンダが流れ出すため接触端子の表面にはニッケルメ
ッキの凸部の先端が常に顔を出す状態を維持できるた
め、その結果として長期間安定した接触が可能となる。
また、従来のようなコンタクト面の相対滑り（５０〜１
５０ミクロン）が必要無く、最小限の相対滑り（５０ミ
クロン以下）で安定した接触が得られるため、ハンダメ
ッキ材料の凝着・堆積を抑制して長期間安定した接触が
可能となった。
ンタクト動作において、被接触物／接触端子のメッキ材
および酸化皮膜が排斥され凹部にたまり、接触部分であ
る凸部に堆積することが抑制される。さらに凹部が上記
メッキ材質で埋まっても隣接する凹部に接触圧力の伝播
でハンダが流れ出すため接触端子の表面にはニッケルメ
ッキの凸部の先端が常に顔を出す状態を維持できるた
め、その結果として長期間安定した接触が可能となる。
また、従来のようなコンタクト面の相対滑り（５０〜１
５０ミクロン）が必要無く、最小限の相対滑り（５０ミ
クロン以下）で安定した接触が得られるため、ハンダメ
ッキ材料の凝着・堆積を抑制して長期間安定した接触が
可能となった。
【００３５】さらに必要最低限の相対滑りあるいは相対
滑り無しで安定したコンタクトが取れるため、被測定対
象の外部接続端子に付く傷も従来コンタクトに比べて飛
躍的に小さくなり、直径２０ミクロン程度の数カ所の点
になる。従来のいわゆる引っ掻き傷によるはんだメッキ
のダメージはほぼ皆無となる。これにより安定した接触
による信頼性の高いテストを実施し、さらにテスト後の
半導体パッケージの実装歩留まりを落とすことがなくな
る。
滑り無しで安定したコンタクトが取れるため、被測定対
象の外部接続端子に付く傷も従来コンタクトに比べて飛
躍的に小さくなり、直径２０ミクロン程度の数カ所の点
になる。従来のいわゆる引っ掻き傷によるはんだメッキ
のダメージはほぼ皆無となる。これにより安定した接触
による信頼性の高いテストを実施し、さらにテスト後の
半導体パッケージの実装歩留まりを落とすことがなくな
る。
【００３６】実施の形態２．図４は、本発明の実施の形
態２によるコンタクト構造を説明するための図である。
本実施の形態では、実施の形態１で説明した接触端子２
０と同様に、接触端子２０のベース部から接触用突起部
２４を突起させ、その先端部分表面に微小凹凸部２２，
２３を形成する。
態２によるコンタクト構造を説明するための図である。
本実施の形態では、実施の形態１で説明した接触端子２
０と同様に、接触端子２０のベース部から接触用突起部
２４を突起させ、その先端部分表面に微小凹凸部２２，
２３を形成する。
【００３７】本実施の形態では、さらに、この凹凸接触
面において、図４（ａ）に示すように、凹凸表面に導電
性の硬質皮膜５７を形成する。導電性の硬質皮膜５７と
しては、グラファイト系あるいはセラミック系なんでも
よいが、例えばＤＬＣ皮膜でグラファイト成分の多いも
のあるいは、ＤＬＣ皮膜に金属イオン例えばタングステ
ン金属イオンをドーピングして、導電性を持たせたもの
がよい。ＴｉＮ，ＣｒＮ，ＴｉＣＮ等もともと導電性の
ある硬質膜でもよい。
面において、図４（ａ）に示すように、凹凸表面に導電
性の硬質皮膜５７を形成する。導電性の硬質皮膜５７と
しては、グラファイト系あるいはセラミック系なんでも
よいが、例えばＤＬＣ皮膜でグラファイト成分の多いも
のあるいは、ＤＬＣ皮膜に金属イオン例えばタングステ
ン金属イオンをドーピングして、導電性を持たせたもの
がよい。ＴｉＮ，ＣｒＮ，ＴｉＣＮ等もともと導電性の
ある硬質膜でもよい。
【００３８】このようにすれば、凸部２２がＩＣ外部接
続端子５０の最表層５５を構成する部材と接触をなし得
た後でも、この最表層の部材は凸部２２に付着しにく
い。グラファイト系、セラミックス系硬質皮膜５７はこ
の最表層５５の部材、特にハンダメッキとは親和性が低
いため図４に示すように、最表層５５の部材の削り屑あ
るいは酸化皮膜の削り屑５６ａが凸部２２に付着するこ
となく、凸部２２の下部に広がる凹部２３の空間に容易
に流れ込むようになり、実際に接触をする凸部２２は新
生面を長期間保つことが可能となる。本実施の形態の場
合、微小凹凸表面にはグラファイト系硬質皮膜のＤＬＣ
（ダイヤモンドライクカーボン）を成膜し、成膜過程で
タングステン金属イオンをイオン注入して導電性を持た
せて使用している。なおドーピングしたタングステンイ
オンは体積比率で５０％程度である。
続端子５０の最表層５５を構成する部材と接触をなし得
た後でも、この最表層の部材は凸部２２に付着しにく
い。グラファイト系、セラミックス系硬質皮膜５７はこ
の最表層５５の部材、特にハンダメッキとは親和性が低
いため図４に示すように、最表層５５の部材の削り屑あ
るいは酸化皮膜の削り屑５６ａが凸部２２に付着するこ
となく、凸部２２の下部に広がる凹部２３の空間に容易
に流れ込むようになり、実際に接触をする凸部２２は新
生面を長期間保つことが可能となる。本実施の形態の場
合、微小凹凸表面にはグラファイト系硬質皮膜のＤＬＣ
（ダイヤモンドライクカーボン）を成膜し、成膜過程で
タングステン金属イオンをイオン注入して導電性を持た
せて使用している。なおドーピングしたタングステンイ
オンは体積比率で５０％程度である。
【００３９】また、図４（ｂ）に示すように、微小凹凸
表面によりハンダが凝着しにくい絶縁皮膜５７ａを形成
しておき凸部先端の電気的接触領域だけ上記絶縁皮膜５
７ａを取り除いた構成もある。図４（ｂ）の場合は、ニ
ッケルの微小凹凸表面にＤＬＣ膜を成膜したのち、凹凸
表面を酸素プラズマ中において、凸部先端部分のＤＬＣ
膜を除去したものである。
表面によりハンダが凝着しにくい絶縁皮膜５７ａを形成
しておき凸部先端の電気的接触領域だけ上記絶縁皮膜５
７ａを取り除いた構成もある。図４（ｂ）の場合は、ニ
ッケルの微小凹凸表面にＤＬＣ膜を成膜したのち、凹凸
表面を酸素プラズマ中において、凸部先端部分のＤＬＣ
膜を除去したものである。
【００４０】以上のように、この実施の形態によれば、
実施の形態１と同様の効果がある上、凸部接触面にメッ
キ材料がさらに堆積しにくくなるためさらに接触端子の
寿命が長くできる。
実施の形態１と同様の効果がある上、凸部接触面にメッ
キ材料がさらに堆積しにくくなるためさらに接触端子の
寿命が長くできる。
【００４１】実施の形態３．図５は、本発明の実施の形
態３によるコンタクト構造を説明するための図である。
図５において、２５は接触端子２０の最先端、すなわ
ち、接触用突起部２４より更に先端に、接触用突起部２
４と同じ方向でそれより長く突起したガイド用突起部で
ある。一方、被測定用ＩＣ１０のＩＣ外部接続端子５０
は、接触端子２０の接触用突起部２４あるいはガイド用
突起部２５とほぼ平行方向に延伸している脚部５７と、
その先端でほぼ直角に屈曲し、接触用突起部２４に対し
て垂直方向に伸びた接触部５８を有し、接触部５８の下
面が接触面５１（長さＡ）を形成している。接触端子２
０の接触用突起部２４の中心と係止用コンタクト２５の
内面２５ａとの距離Ｂは、ほぼ接触面５１の長さＡの１
／２またはそれよりわずかに大きくとられている。
態３によるコンタクト構造を説明するための図である。
図５において、２５は接触端子２０の最先端、すなわ
ち、接触用突起部２４より更に先端に、接触用突起部２
４と同じ方向でそれより長く突起したガイド用突起部で
ある。一方、被測定用ＩＣ１０のＩＣ外部接続端子５０
は、接触端子２０の接触用突起部２４あるいはガイド用
突起部２５とほぼ平行方向に延伸している脚部５７と、
その先端でほぼ直角に屈曲し、接触用突起部２４に対し
て垂直方向に伸びた接触部５８を有し、接触部５８の下
面が接触面５１（長さＡ）を形成している。接触端子２
０の接触用突起部２４の中心と係止用コンタクト２５の
内面２５ａとの距離Ｂは、ほぼ接触面５１の長さＡの１
／２またはそれよりわずかに大きくとられている。
【００４２】正常な接触動作の場合、接触端子２０の接
触用突起部２４の先端は、接触面５１の長さ方向のほぼ
中央付近で接触面５１に接触する。このとき、ガイド用
突起部２５はＩＣ外部接続端子５０とわずかに間隙（ク
リアランス）Ｃを有し、ＩＣ外部接続端子５０に接触す
ることはない。いま、被測定ＩＣ１０と接触端子２０と
の相対的位置がずれ、被測定ＩＣ１０が図示左方向へず
れたときは、ＩＣ外部接続端子５０の脚部５７がガイド
用突起部２５と接触し、相対的な位置のずれは抑止され
る。これによって、接触面５１が接触用突起部２４から
ずれ落ちることがない。
触用突起部２４の先端は、接触面５１の長さ方向のほぼ
中央付近で接触面５１に接触する。このとき、ガイド用
突起部２５はＩＣ外部接続端子５０とわずかに間隙（ク
リアランス）Ｃを有し、ＩＣ外部接続端子５０に接触す
ることはない。いま、被測定ＩＣ１０と接触端子２０と
の相対的位置がずれ、被測定ＩＣ１０が図示左方向へず
れたときは、ＩＣ外部接続端子５０の脚部５７がガイド
用突起部２５と接触し、相対的な位置のずれは抑止され
る。これによって、接触面５１が接触用突起部２４から
ずれ落ちることがない。
【００４３】また、被測定ＩＣ１０と接触端子２０との
相対的位置がずれ、被測定ＩＣ１０が図示右方向へずれ
たときは、ＩＣ外部接続端子５０の脚部５７とガイド用
突起部２５との間隔Ｃが広がるが、この間隔が接触面５
１の長さＡの１／２以下となるように、ＩＣ１０と接触
端子２０との相互位置を規定する。これによって、接触
面５１が接触用突起部２４からずれ落ちることがない。
相対的位置がずれ、被測定ＩＣ１０が図示右方向へずれ
たときは、ＩＣ外部接続端子５０の脚部５７とガイド用
突起部２５との間隔Ｃが広がるが、この間隔が接触面５
１の長さＡの１／２以下となるように、ＩＣ１０と接触
端子２０との相互位置を規定する。これによって、接触
面５１が接触用突起部２４からずれ落ちることがない。
【００４４】以上のように、この実施の形態では、被測
定ＩＣ１０のＩＣ外部接続端子５０に、接触端子２０の
接触用突起部２４（Ｒ ０．０３〜０．１）が接触し、
ＩＣ外部接続端子５０の背後に、接触端子２０と一体と
なったガイド用突起部２５を介在させ、ＩＣ外部接続端
子５０の脚部５８とガイド用突起部２５との間隙（クリ
アランス）Ｃを概略接触面５１の幅Ａの１／２以下に
し、接触用突起部２４の接触ポイントが接触面５１から
脱落しないようにする。これにより、被測定ＩＣ１０の
ＩＣ外部接続端子５０と、接触端子２０の接触用突起部
２４との安定した接触を維持することができる。
定ＩＣ１０のＩＣ外部接続端子５０に、接触端子２０の
接触用突起部２４（Ｒ ０．０３〜０．１）が接触し、
ＩＣ外部接続端子５０の背後に、接触端子２０と一体と
なったガイド用突起部２５を介在させ、ＩＣ外部接続端
子５０の脚部５８とガイド用突起部２５との間隙（クリ
アランス）Ｃを概略接触面５１の幅Ａの１／２以下に
し、接触用突起部２４の接触ポイントが接触面５１から
脱落しないようにする。これにより、被測定ＩＣ１０の
ＩＣ外部接続端子５０と、接触端子２０の接触用突起部
２４との安定した接触を維持することができる。
【００４５】実施の形態４．図６は、本発明の実施の形
態４によるコンタクト構造の一例を説明するための図で
ある。図６において、２６および２７は、接触端子２０
の先端付近において、接触用突起部２４の両側に形成し
た平面受け部である。すなわち、この実施の形態では、
接触端子２０が、被測定ＩＣ１０と離れる、あるいは、
接近する方向において、接触用突起部２４の前後に平面
受け部２６，２７を形成する。
態４によるコンタクト構造の一例を説明するための図で
ある。図６において、２６および２７は、接触端子２０
の先端付近において、接触用突起部２４の両側に形成し
た平面受け部である。すなわち、この実施の形態では、
接触端子２０が、被測定ＩＣ１０と離れる、あるいは、
接近する方向において、接触用突起部２４の前後に平面
受け部２６，２７を形成する。
【００４６】いま、被測定ＩＣ１０と接触端子２０と
が、位置決め誤差などにより、相対的に接近する方向に
ずれると、ＩＣ外部接続端子５０は、図６の破線５０ａ
に示すように、接触用突起部２４からずれ落ちる可能性
があるが、この場合でも平面受け部２６により両者の接
触が維持される。また、被測定ＩＣ１０と接触端子２０
とが、相対的に離れる方向にずれると、ＩＣ外部接続端
子５０は、図６の破線５０ｂに示すように、接触用突起
部２４からずれ落ちる可能性があるが、この場合でも平
面受け部２７により両者の接触が維持される。
が、位置決め誤差などにより、相対的に接近する方向に
ずれると、ＩＣ外部接続端子５０は、図６の破線５０ａ
に示すように、接触用突起部２４からずれ落ちる可能性
があるが、この場合でも平面受け部２６により両者の接
触が維持される。また、被測定ＩＣ１０と接触端子２０
とが、相対的に離れる方向にずれると、ＩＣ外部接続端
子５０は、図６の破線５０ｂに示すように、接触用突起
部２４からずれ落ちる可能性があるが、この場合でも平
面受け部２７により両者の接触が維持される。
【００４７】以上のように、この実施の形態では、接触
端子２０の接触用突起部２４（Ｒ０．０３〜０．１）を
有するとともに、その下方に平面受け部２６，２７を形
成させ、万一被測定ＩＣ１０の精度、位置決めガタ、接
触位置の精度により、ＩＣ外部接続端子５０の接触面５
１が接触用突起部２４より脱落した場合においても、平
面部受け２６または２７が脱落したＩＣ外部接続端子５
０を受け止めるので、被測定ＩＣ１０が下方に落下する
ようなことはなく、また、平面受け部２６、２７で接触
し導通を得ることができる。
端子２０の接触用突起部２４（Ｒ０．０３〜０．１）を
有するとともに、その下方に平面受け部２６，２７を形
成させ、万一被測定ＩＣ１０の精度、位置決めガタ、接
触位置の精度により、ＩＣ外部接続端子５０の接触面５
１が接触用突起部２４より脱落した場合においても、平
面部受け２６または２７が脱落したＩＣ外部接続端子５
０を受け止めるので、被測定ＩＣ１０が下方に落下する
ようなことはなく、また、平面受け部２６、２７で接触
し導通を得ることができる。
【００４８】なお、場合によっては、図６の破線５０ｂ
のように、ＩＣ外部接続端子５０が平面部２７に脱落し
た場合において、平面受け部２７と接触用突起部２４に
て形成される段差部分にＩＣ外部接続端子５０が嵌まり
込み、ＩＣ１０自身が取り出し難くなる可能性がある。
のように、ＩＣ外部接続端子５０が平面部２７に脱落し
た場合において、平面受け部２７と接触用突起部２４に
て形成される段差部分にＩＣ外部接続端子５０が嵌まり
込み、ＩＣ１０自身が取り出し難くなる可能性がある。
【００４９】図７は、このような課題を解決するため
の、本発明の実施の形態４によるコンタクト構造の他の
例を説明するための図である。図７において、２８は接
触端子２０の先端側に接触用突起部２４の先端から傾斜
して下降するように形成された傾斜受け部である。
の、本発明の実施の形態４によるコンタクト構造の他の
例を説明するための図である。図７において、２８は接
触端子２０の先端側に接触用突起部２４の先端から傾斜
して下降するように形成された傾斜受け部である。
【００５０】このように傾斜受け部２８を形成すると、
被測定ＩＣ１０と接触端子２０とが、相対的に離れる方
向にずれた場合、ＩＣ外部接続端子５０は、図７の破線
５０ｂに示すように、接触用突起部２４から徐々に傾斜
受け部２８に接触しながらずれ落ちる。これにより、図
６で説明した場合のような、ＩＣ外部接続端子５０の嵌
まり込みを防止することができる。また、この場合でも
傾斜受け部２８により両者の接触が維持される。
被測定ＩＣ１０と接触端子２０とが、相対的に離れる方
向にずれた場合、ＩＣ外部接続端子５０は、図７の破線
５０ｂに示すように、接触用突起部２４から徐々に傾斜
受け部２８に接触しながらずれ落ちる。これにより、図
６で説明した場合のような、ＩＣ外部接続端子５０の嵌
まり込みを防止することができる。また、この場合でも
傾斜受け部２８により両者の接触が維持される。
【００５１】図８および図９は、以上の各実施の形態で
示したような、本発明の効果を説明するための図であ
る。図８は、本発明によるテスト用ソケットの接触端子
（コンタクト）の接触の安定性を裏付けたデータであ
る。図８に示すように従来のコンタクトでは安定した接
触を得るためにある一定以上の接触力（図８で３００以
上）が必要なのに対し、本発明のコンタクトではその数
分の１の接触力（図８で１００以上）を与えるだけで安
定した接触を得ることができる。
示したような、本発明の効果を説明するための図であ
る。図８は、本発明によるテスト用ソケットの接触端子
（コンタクト）の接触の安定性を裏付けたデータであ
る。図８に示すように従来のコンタクトでは安定した接
触を得るためにある一定以上の接触力（図８で３００以
上）が必要なのに対し、本発明のコンタクトではその数
分の１の接触力（図８で１００以上）を与えるだけで安
定した接触を得ることができる。
【００５２】また、図９は、本発明のテスト用ソケット
の接触端子（コンタクト）の安定した接触の継続性を裏
付けたデータである。図９に示すように、従来のコンタ
クトでは約８０，０００回以上の測定を実施した後は、
その接触抵抗は上昇を始め、安定した接触が損なわれて
いくのに対し、本発明のコンタクトは１００，０００回
以上の測定を実施しても接触抵抗の上昇傾向はみられ
ず、安定した接触を継続している。
の接触端子（コンタクト）の安定した接触の継続性を裏
付けたデータである。図９に示すように、従来のコンタ
クトでは約８０，０００回以上の測定を実施した後は、
その接触抵抗は上昇を始め、安定した接触が損なわれて
いくのに対し、本発明のコンタクトは１００，０００回
以上の測定を実施しても接触抵抗の上昇傾向はみられ
ず、安定した接触を継続している。
【００５３】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されており、
以下のような効果を奏する。本発明の請求項１にかかわ
る電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケッ
トは、電子機器あるいは半導体パッケージの外部接続端
子と電気的接触するテスト用ソケットに設けられた接触
端子において、上記接触端子の上記外部接続端子が接触
する部分に、滑らかな曲面で構成した複数の凸部と、上
記凸部に隣接して広がる滑らかな曲面で構成した複数の
凹部とを形成したので、この凸部と凹部の交互に配設さ
れた柔突起状の接触面で上記外部接触端子表面に接触す
ることにより、上記外部接続端子との接点において微小
な塑性変形による面積拡大効果を利用して安定した電気
接触を得られるようになる。
以下のような効果を奏する。本発明の請求項１にかかわ
る電子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケッ
トは、電子機器あるいは半導体パッケージの外部接続端
子と電気的接触するテスト用ソケットに設けられた接触
端子において、上記接触端子の上記外部接続端子が接触
する部分に、滑らかな曲面で構成した複数の凸部と、上
記凸部に隣接して広がる滑らかな曲面で構成した複数の
凹部とを形成したので、この凸部と凹部の交互に配設さ
れた柔突起状の接触面で上記外部接触端子表面に接触す
ることにより、上記外部接続端子との接点において微小
な塑性変形による面積拡大効果を利用して安定した電気
接触を得られるようになる。
【００５４】本発明の請求項２にかかわる電子機器ある
いは半導体パッケージのテスト用ソケットは、上記接触
端子の上記外部接続端子が接触する部分に設けた滑らか
な曲面で構成した複数の凸部の形状を曲率半径が２〜１
５ミクロンの概略球面で構成したので、上記外部接続端
子の表層金属（例えばハンダメッキ層）に上記凸部が接
触しさらに表層金属を変形させる際に、上記凸部の曲率
半径を２〜１５ミクロンと上記表層金属の厚さに近づけ
ることで、変形部分での面積拡大率を最大近くにできる
ようになる。
いは半導体パッケージのテスト用ソケットは、上記接触
端子の上記外部接続端子が接触する部分に設けた滑らか
な曲面で構成した複数の凸部の形状を曲率半径が２〜１
５ミクロンの概略球面で構成したので、上記外部接続端
子の表層金属（例えばハンダメッキ層）に上記凸部が接
触しさらに表層金属を変形させる際に、上記凸部の曲率
半径を２〜１５ミクロンと上記表層金属の厚さに近づけ
ることで、変形部分での面積拡大率を最大近くにできる
ようになる。
【００５５】本発明の請求項３にかかわる電子機器ある
いは半導体パッケージのテスト用ソケットは、上記接触
端子の上記外部接続端子が接触する部分に設けた滑らか
な曲面で構成した複数の凸部と、上記凸部に隣接して広
がる滑らかな曲面で構成した複数の凹部の表面に、導電
性の硬質皮膜を形成したので、上記外部接続端子が上記
接触端子表面に接触する際に発生する凝着現象を抑制で
きるようになる。
いは半導体パッケージのテスト用ソケットは、上記接触
端子の上記外部接続端子が接触する部分に設けた滑らか
な曲面で構成した複数の凸部と、上記凸部に隣接して広
がる滑らかな曲面で構成した複数の凹部の表面に、導電
性の硬質皮膜を形成したので、上記外部接続端子が上記
接触端子表面に接触する際に発生する凝着現象を抑制で
きるようになる。
【００５６】本発明の請求項４にかかわる電子機器ある
いは半導体パッケージのテスト用ソケットは、上記接触
端子表面に上記電子機器あるいは半導体パッケージの外
部接続端子に接触する接触用突起部を１個以上設け、上
記接触用突起部の先端を曲率半径が０.０３〜０.３ｍｍ
の概略球面あるいは円筒面で構成し、かつ上記接触用突
起部の表面に請求項１ないし３のいずれかに記載の複数
の凸部と凹部を形成したので、上記外部接続端子と上記
接触端子表面の間に異物が挟まる確率を下げることがで
きるようになる。
いは半導体パッケージのテスト用ソケットは、上記接触
端子表面に上記電子機器あるいは半導体パッケージの外
部接続端子に接触する接触用突起部を１個以上設け、上
記接触用突起部の先端を曲率半径が０.０３〜０.３ｍｍ
の概略球面あるいは円筒面で構成し、かつ上記接触用突
起部の表面に請求項１ないし３のいずれかに記載の複数
の凸部と凹部を形成したので、上記外部接続端子と上記
接触端子表面の間に異物が挟まる確率を下げることがで
きるようになる。
【００５７】本発明の請求項５にかかわる電子機器ある
いは半導体パッケージのテスト用ソケットは、上記電子
機器あるいは半導体パッケージの外部接続端子と接触す
る接触用突起部と、上記接触用突起部のさらに上記接触
端子の先端側で上記接触用突起部と所定距離離れ、上記
接触用突起部と同じ方向に上記接触用突起部より長く伸
長した上記外部接続端子のガイド用突起部を形成したの
で、上記外部接続端子と上記接触端子の相対位置ずれを
抑制できるようになる。
いは半導体パッケージのテスト用ソケットは、上記電子
機器あるいは半導体パッケージの外部接続端子と接触す
る接触用突起部と、上記接触用突起部のさらに上記接触
端子の先端側で上記接触用突起部と所定距離離れ、上記
接触用突起部と同じ方向に上記接触用突起部より長く伸
長した上記外部接続端子のガイド用突起部を形成したの
で、上記外部接続端子と上記接触端子の相対位置ずれを
抑制できるようになる。
【００５８】本発明の請求項６にかかわる電子機器ある
いは半導体パッケージのテスト用ソケットは、上記電子
機器あるいは半導体パッケージの外部接続端子と接触す
る接触用突起部の前後に平面受け部あるいは上記突起部
先端から徐々に加工して伸びる傾斜面を形成したので、
上記外部接続端子と接触する上記接触端子が位置ずれし
てもコンタクトがとれるようになる。
いは半導体パッケージのテスト用ソケットは、上記電子
機器あるいは半導体パッケージの外部接続端子と接触す
る接触用突起部の前後に平面受け部あるいは上記突起部
先端から徐々に加工して伸びる傾斜面を形成したので、
上記外部接続端子と接触する上記接触端子が位置ずれし
てもコンタクトがとれるようになる。
【００５９】本発明の請求項７にかかわる電子機器ある
いは半導体パッケージのテスト用ソケットは、上記接触
端子の上記電子機器あるいは半導体パッケージの外部接
続端子が接触する部分を放電加工で所期の面粗さに加工
した後、電解ニッケルメッキを施し、さらに金メッキを
施してなる上記接触端子の製造方法をとったため効率よ
く上記接触端子表面に請求項１に示した凹凸を形成する
ができるようになる。
いは半導体パッケージのテスト用ソケットは、上記接触
端子の上記電子機器あるいは半導体パッケージの外部接
続端子が接触する部分を放電加工で所期の面粗さに加工
した後、電解ニッケルメッキを施し、さらに金メッキを
施してなる上記接触端子の製造方法をとったため効率よ
く上記接触端子表面に請求項１に示した凹凸を形成する
ができるようになる。
【００６０】本発明の請求項８にかかわる電子機器ある
いは半導体パッケージは、請求項１〜６記載の電子機器
あるいは半導体パッケージのテスト用ソケットでテスト
した電子機器あるいは半導体パッケージであり、接触端
子と外部接続端子の接触で生じる上記外部接続端子表面
の傷を小さくできるようになる。
いは半導体パッケージは、請求項１〜６記載の電子機器
あるいは半導体パッケージのテスト用ソケットでテスト
した電子機器あるいは半導体パッケージであり、接触端
子と外部接続端子の接触で生じる上記外部接続端子表面
の傷を小さくできるようになる。
【００６１】以上のように、本発明によれば、外部接続
端子と接触端子との安定な接触を確保し、継続的に安定
した接触が得られるようになる。
端子と接触端子との安定な接触を確保し、継続的に安定
した接触が得られるようになる。
【図１】 本発明の実施の形態１における、被測定ＩＣ
のＩＣ外部接続端子と接触端子との斜視図である。
のＩＣ外部接続端子と接触端子との斜視図である。
【図２】 本発明実施の形態１における、接触端子とＩ
Ｃ外部接続端子との接触面の概略拡大断面図である。
Ｃ外部接続端子との接触面の概略拡大断面図である。
【図３】 本発明実施の形態１における、接触端子とＩ
Ｃ外部接続端子との接触状態を示す概略拡大断面図であ
る。
Ｃ外部接続端子との接触状態を示す概略拡大断面図であ
る。
【図４】 本発明の実施の形態２における、被測定ＩＣ
のＩＣ外部接続端子と接触端子との接触時の動作を説明
するための拡大断面図である。
のＩＣ外部接続端子と接触端子との接触時の動作を説明
するための拡大断面図である。
【図５】 本発明の実施の形態３における、被測定ＩＣ
のＩＣ外部接続端子と接触端子との接触動作を説明する
ための側面図である。
のＩＣ外部接続端子と接触端子との接触動作を説明する
ための側面図である。
【図６】 本発明の実施の形態４における、被測定ＩＣ
のＩＣ外部接続端子と接触端子との接触動作を説明する
ための側面図である。
のＩＣ外部接続端子と接触端子との接触動作を説明する
ための側面図である。
【図７】 本発明の実施の形態４における、被測定ＩＣ
のＩＣ外部接続端子と他の接触端子との接触動作を説明
するための側面図である。
のＩＣ外部接続端子と他の接触端子との接触動作を説明
するための側面図である。
【図８】 本発明によるテスト用ソケットの接触端子の
接触の安定性を示す図である。
接触の安定性を示す図である。
【図９】 本発明のテスト用ソケットの接触端子の安定
した接触の継続性を示す図である。
した接触の継続性を示す図である。
【図１０】 被測定ＩＣと接触端子の概略斜視図であ
る。
る。
【図１１】 ＩＣ外部接続端子と従来の接触端子とが接
触する際の動作を説明するめの概略拡大断面図である。
触する際の動作を説明するめの概略拡大断面図である。
１０ 被測定ＩＣ、 ２０ 接触端子（コンタクト）、
２１ 接触端子の接触面、 ２２ 凸部、 ２３ 凹
部、 ２４ 接触用突起部、 ２５ ガイド用突起部、
２６ 平面受け部、 ２７ 平面受け面部、 ２８
傾斜受け部、３０ ハウジング、 ５０ ＩＣ外部接続
端子、 ５１ ＩＣ外部接続端子の接触面、 ５２ Ｉ
Ｃ外部接続端子表面の酸化性絶縁被膜（酸化皮膜）、
５４ＩＣ外部接続端子を構成する部材、 ５５ 最表層
（半田メッキ層）、 ５６酸化被膜、 ５７ 硬質被
膜、 ５７ａ 絶縁皮膜、 ６０ テスト用ソケット、
７０ 押し具。
２１ 接触端子の接触面、 ２２ 凸部、 ２３ 凹
部、 ２４ 接触用突起部、 ２５ ガイド用突起部、
２６ 平面受け部、 ２７ 平面受け面部、 ２８
傾斜受け部、３０ ハウジング、 ５０ ＩＣ外部接続
端子、 ５１ ＩＣ外部接続端子の接触面、 ５２ Ｉ
Ｃ外部接続端子表面の酸化性絶縁被膜（酸化皮膜）、
５４ＩＣ外部接続端子を構成する部材、 ５５ 最表層
（半田メッキ層）、 ５６酸化被膜、 ５７ 硬質被
膜、 ５７ａ 絶縁皮膜、 ６０ テスト用ソケット、
７０ 押し具。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前川 滋樹 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 金子 佳子 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地10号 三菱電機株熊本セミコンダクタ 株式会社内 Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AG01 AG12 2G011 AA04 AA15 AB01 AC13 AC14 AE02 5E024 CA01 CB04
Claims (8)
- 【請求項１】 電子機器あるいは半導体パッケージの外
部接続端子と電気的接触をする接触端子を備えたテスト
用ソケットであって、上記接触端子には上記外部接続端
子に接触する部分に、滑らかな曲面で構成した複数の凸
部と、上記凸部に隣接して広がる滑らかな曲面で構成し
た複数の凹部とを形成したことを特徴とする電子機器あ
るいは半導体パッケージのテスト用ソケット。 - 【請求項２】 上記接触端子の上記複数の凸部の形状を
曲率半径が２〜１５ミクロンの概略球面で構成したこと
を特徴とする請求項１に記載の電子機器あるいは半導体
パッケージのテスト用ソケット。 - 【請求項３】 上記接触端子の上記複数の凸部と上記複
数の凹部の表面に導電性の硬質皮膜を形成したことを特
徴とする請求項１に記載の電子機器あるいは半導体パッ
ケージのテスト用ソッケト。 - 【請求項４】 電子機器あるいは半導体パッケージの外
部接触端子と電気的接触をする接触端子を備えたテスト
用ソケットであって、上記接触端子には、先端が曲率半
径０.０３〜０.３ｍｍの概略球面あるいは円筒面で構成
され上記電子機器あるいは半導体パッケージの外部接続
端子に接触する接触用突起部を１個以上備え、かつ、上
記接触用突起部の上記外部接続端子に接触する部分に、
滑らかな曲面で構成した複数の凸部と、上記凸部に隣接
して広がる滑らかな曲面で構成した複数の凹部とを形成
したことを特徴とする電子機器あるいは半導体パッケー
ジのテスト用ソケット。 - 【請求項５】 上記接触端子には、上記接触端子の上記
接触用突起部よりさらに先端側で上記接触用突起部と所
定距離離れ、上記接触用突起部と同じ方向に上記接触用
突起部より長く伸長した上記外部接続端子のガイド用突
起部を形成したことを特徴とする請求項４に記載の電子
機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケット。 - 【請求項６】 上記接触端子には、上記接触用突起部の
前後に上記接触用突起部先端と段差のある平面受け部あ
るいは上記接触用突起部先端から徐々に下降して伸びる
傾斜面を形成したことを特徴とする請求項４に記載の電
子機器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケット。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の電子機
器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケットの接触
端子の製造において、上記接触端子の上記電子機器ある
いは半導体パッケージの外部接続端子が接触する部分を
放電加工で所期の面粗さに加工した後、電解ニッケルメ
ッキを施し、さらに金メッキを施すことを特徴とする接
触端子の製造方法。 - 【請求項８】 請求項１〜６のいずれかに記載の電子機
器あるいは半導体パッケージのテスト用ソケットを用い
て電気的特性テストをしたことを特徴とする電子機器あ
るいは半導体パッケージ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11173421A JP2001004698A (ja) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | テスト用ソケット、及びその接触端子の製造方法、並びに電子機器あるいは半導体パッケージ |
| US09/480,945 US6344753B1 (en) | 1999-06-18 | 2000-01-11 | Test socket having improved contact terminals, and method of forming contact terminals of the test socket |
| KR10-2000-0026972A KR100380540B1 (ko) | 1999-06-18 | 2000-05-19 | 테스트용 소켓 |
| DE10025211A DE10025211A1 (de) | 1999-06-18 | 2000-05-22 | Testfassung und Verfahren des Bildens von Kontaktanschlüssen davon |
| GB0012407A GB2351190B (en) | 1999-06-18 | 2000-05-22 | Test socket having improved contact terminals, and method of forming contact terminals of the test socket |
| TW089109822A TW471085B (en) | 1999-06-18 | 2000-05-22 | Test socket having improved contact terminals, and method of forming contact terminals of the test socket |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11173421A JP2001004698A (ja) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | テスト用ソケット、及びその接触端子の製造方法、並びに電子機器あるいは半導体パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001004698A true JP2001004698A (ja) | 2001-01-12 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11173421A Pending JP2001004698A (ja) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | テスト用ソケット、及びその接触端子の製造方法、並びに電子機器あるいは半導体パッケージ |
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|---|---|
| US (1) | US6344753B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001004698A (ja) |
| KR (1) | KR100380540B1 (ja) |
| DE (1) | DE10025211A1 (ja) |
| GB (1) | GB2351190B (ja) |
| TW (1) | TW471085B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007024613A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Genesis Technology Inc | 接触端子およびこれを用いた半導体デバイスの検査用接続装置 |
| JP2007248460A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-27 | Johnstech Internatl Corp | 電子装置のテストセット及びそれに用いられる端子 |
| JP2008214759A (ja) * | 2001-08-21 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | 炭素膜被覆部材の製造方法 |
| KR20190101974A (ko) * | 2016-12-27 | 2019-09-02 | 가부시키가이샤 엔프라스 | 전기 접촉자 및 전기 부품용 소켓 |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW508440B (en) * | 1999-12-27 | 2002-11-01 | Hoya Co Ltd | Probe structure and manufacturing method thereof |
| JP2002026198A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2002373748A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Yamaichi Electronics Co Ltd | 半導体装置用ソケット |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10025211A1 (de) | 2001-01-11 |
| KR20010007091A (ko) | 2001-01-26 |
| GB2351190B (en) | 2002-09-04 |
| GB2351190A (en) | 2000-12-20 |
| GB0012407D0 (en) | 2000-07-12 |
| KR100380540B1 (ko) | 2003-04-18 |
| TW471085B (en) | 2002-01-01 |
| US6344753B1 (en) | 2002-02-05 |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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|
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