JP2000506415A - 冷却素子を伴う多アンテナのアブレーション装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 アブレーション装置(10)は、ハンドピース(11)と、ハンドピースの遠方端から延びる電極(12)と、プローブ(24,26)と、熱センサ(28,30,32)と、エネルギー源(34)とを備えている。電極(12)は、遠方端と、内腔と、冷却媒体導入コンジット(14)及び冷却媒体放出コンジット(16)とを含む。両コンジット(14,16)は、電極の内腔を通して電極の遠方端へと延びる。導入及び放出コンジット(14,16)に流れる冷却媒体から分離された側壁ポート(20,22)が電極(12)に形成される。プローブ(24,26)は、電極の内腔に少なくとも部分的に配置され、そして側壁孔(20,22)に送り込まれたり引っ込められたりするように構成される。熱センサ(28,30,32)は、プローブ(24,26)に支持される。電極(12)は、エネルギー源(34)に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】 冷却素子を伴う多アンテナのアブレーション装置及び方法関連出願 本発明は、参考としてここに援用する１９９５年８月１５日出願の「多アンテ ナアブレーション装置(Multiple Antenna Ablation Apparatus)」と題する米国 特許出願第０８／５１５，３７９号の一部継続出願である。発明の分野 本発明は、一般に、内部冷却電極を有するアブレーション(ablation)装置に係 り、より詳細には、電極内腔に配置された閉ループ冷却装置と、該閉ループ冷却 装置に流れる冷却媒体から分離された電極側壁ポートとを有する電極に係る。先行技術の説明 腫瘍を処置するための現在の切開術は、非常に破壊的なもので、健全な組織に 多大な損傷を与える。外科手術の間に、医師は、腫瘍の種を落として転移を生じ るように腫瘍を切除することのないよう注意を払わねばならない。近年、従来の 外科手術による外傷を最小限にすることを強調して製品が開発されている。 超高熱の分野では、腫瘍を処置するためのツールとして比較的多くの研究がな されている。腫瘍の温度を上昇することは、癌組織の処置及び測定に有用である ことが知られている。超高熱によって選択的に癌細胞を絶滅するメカニズムは、 完全に理解されていない。しかしながら、超高熱が癌組織の細胞に及ぼす４つの 作用が提案されている。即ち、（ｉ）細胞又は核膜の透過性又は流動性の変化、 （ii）消化酵素の放出を生じる細胞質溶解、（iii）細胞呼吸及びＤＮＡ又はＲ ＮＡの合成に影響を及ぼすタンパク質の熱的損傷、及び（iv）免疫系統の潜在的 な励起である。腫瘍に熱を付与する処置方法は、直接接触型の高周波（ＲＦ）ア プリケータ、マイクロ波放射、誘導結合のＲＦ磁界、超音波、及び種々の簡単な 熱伝導技術の使用を含む。 これら全ての手順に関連した問題の中で、とりわけ、皮膚の表面下数ｃｍの深 さに非常に局部的な熱を発生することが要求される。 間質性の局部的な超高熱を使用する試みは、あまりうまくいかないと分かって いる。その結果、腫瘍全体にわたり非均一な温度をしばしば生じさせる。超高温 により腫瘍のかたまりを減少することは、熱量に関係すると考えられる。熱量は ある所定の時間中に腫瘍のかたまり全体に付与される最小有効温度である。加熱 される腫瘍にとって熱損失となる主たるメカニズムは血液の流れであり、そして 血液の流れは腫瘍全体にわたって変化するので、有効な処置を確保するためには 腫瘍の組織を均一に加熱することが必要となる。 ＲＦエネルギーの使用によって腫瘍自体をアブレーションすることについても 同じことが言える。腫瘍のようなかたまりをＲＦアブレーションするのに異なる 方法が使用されている。腫瘍を加熱するのではなく、エネルギーの付与によって それをアブレーションする。このプロセスは、次のような種々の要因のために、 達成が困難である。（ｉ）全てのかたまりを効果的にアブレーションするための ＲＦアブレーション電極の配置、（ii）腫瘍場所へのＲＦアブレーション電極の 導入、及び(iii)腫瘍以外の組織へ損傷を与えることなく成功裡なアブレーショ ンを達成するためのＲＦエネルギーの制御された付与及び監視。 ＲＦアブレーション電極は、高い電力レベルで使用するときは妨げになる傾向 がある。電極表面に隣接する組織が焦げる傾向がある。多数の冷却式電極が設け られる。冷却式電極は、例えば、米国特許第４，２９０，４３５号；第４，１４ ０，１３０号；第４，８８１，５４３号；第５，３３４，１９３号；第５，３４ ２，３５７号；第５，３４８，５５４号；第５，４２３，８１１号；第５，４２ ３，８０７号；第５，４３７，６６２号；及び第５，４６２，５２１号に見るこ とができる。 そこで、電極内腔に配置された閉ループ冷却装置を含むアブレーション装置が 要望される。更に、電極内腔に配置された閉ループ冷却装置と、この閉ループ冷 却装置から分離され、選択された組織場所にプローブ及び／又は注入溶液を導入 するのに適した電極側壁ポートとを含むアブレーション装置が要望される。発明の要旨 従って、本発明の目的は、妨げとならないアブレーション電極を有するアブレ ーション装置及び方法を提供することである。 本発明の別の目的は、冷却式アブレーション電極を有するアブレーション装置 及び方法を提供することである。 本発明の更に別の目的は、閉ループの冷却式アブレーション電極を有するアブ レーション装置及び方法を提供することである。 本発明の更に別の目的は、閉ループの冷却式アブレーション電極と、このアブ レーション電極に流れる冷却媒体から分離された電極側壁ポートとを有するアブ レーション装置及び方法を提供することである。 本発明の更に別の目的は、閉ループの冷却式アブレーション電極と、このアブ レーション電極に流れる冷却媒体から分離された電極側壁ポートと、この側壁ポ ートに入れたり出したりされるセンサを伴うプローブとを有するアブレーション 装置及び方法を提供することである。 本発明の更に別の目的は、閉ループの冷却式アブレーション電極と、このアブ レーション電極に流れる冷却媒体から分離された電極側壁ポートと、この側壁ポ ートを通して選択された組織の場所に導入される注入媒体とを有するアブレーシ ョン装置及び方法を提供することである。 これら及び他の目的は、ハンドピースと、該ハンドピースの遠方端から延びる 電極と、プローブと、熱センサと、エネルギー源とを有するアブレーション装置 において達成される。電極は、遠方端と、内腔と、冷却媒体導入コンジットと、 冷却媒体放出コンジットとを有する。両コンジットは、電極の内腔を通して電極 の遠方端へと延びる。導入及び放出コンジットに流れる冷却媒体から分離された 側壁ポートが電極に形成される。プローブは、電極の内腔に少なくとも部分的に 配置され、そして側壁ポートへ挿入されたり引き出されたりするように構成され る。熱センサは、プローブに支持される。電極は、エネルギー源に接続される。 又、本発明は、選択された組織のかたまりにアブレーション体積部を形成する 方法にも係る。ハンドピースと、電極と、プローブと、プローブに支持された熱 センサとを含むアブレーション装置が提供される。電極は、遠方端と、内腔と、 冷却媒体導入コンジットと、これに接続された冷却媒体放出コンジットとを有し ていて、両コンジットは、電極の内腔を通して電極の遠方端へと延びる。電極の 側壁には側壁ポートが形成され、この側壁ポートは、電極に流れる冷却媒体から 分離される。電極は、選択された組織のかたまりに挿入される。プローブの遠方 端は、孔から選択された組織へと進められる。電極のアブレーション表面の少な くとも一部分が冷却される。電極から選択された組織のかたまりへ電磁エネルギ ーが付与される。選択された組織のかたまりの場所で温度が測定され、アブレー ション体積が形成される。 ＲＦを含むがこれに限定されない電磁エネルギーが、選択された組織の場所に 付与されると、電極に隣接する組織界面が焦げ始め、組織を通る導電率が減少す る。冷却媒体により、組織界面は、所望のアブレーション場所の周囲に電磁エネ ルギーを付与するのに適した温度に維持される。冷却媒体が電極に流れる間に、 １つ以上のプローブがその関連センサと伴に所望のアブレーション場所に展開さ れる。アブレーションが監視され、制御される。センサは、プローブの遠方端だ けではなく、中間位置にも配置することができる。これは、電極と、ターゲット とするアブレーション体積の周囲との間のアブレーションプロセスを監視できる ようにする。図面の簡単な説明 図１は、本発明のアブレーション装置の断面図で、内腔と、冷却媒体導入コン ジットと、冷却媒体放出コンジットと、内腔に形成された側壁ポートから延びる ２つのプローブとを有する電極を示す図である。 図２は、図１の２つの冷却媒体コンジットの閉ループ遠方端の断面図である。 図３は、２つの冷却媒体コンジットの閉ループ遠方端の別の形態を示す断面図 である。 図４は、図１の４−４線に沿った断面図である。 図５は、４ｃｍの球状アブレーション体積の形成を示す図で、１つのセンサが アブレーション体積の周囲に配置されそして第２のセンサが電極とプローブの遠 方端との中点でプローブに配置された状態を示す図である。 図６は、本発明のアブレーション装置の斜視図で、２つのプローブが電極の遠 方端から延びるところを示す図である。 図７は、本発明の電極の遠方端の斜視図で、プローブが絶縁スリーブの遠方端 から延びるところを示す図である。 図８は、本発明のアブレーション装置の斜視図で、電極から４つのプローブが 展開される状態を示す図である。 図９は、エネルギー供給電極の温度を制御するのに有効なフィードバックシス テムを示すブロック図である。 図１０は、図９のフィードバックシステムを実施するのに有用な回路を示す図 である。好ましい実施形態の詳細な説明 図１に示すように、アブレーション装置１０は、ハンドピース１１と、電極１ ２と、冷却媒体導入コンジット１４と、冷却媒体放出コンジット１６と、テーパ 付けされた遠方端を伴うキャップ１８とを含み、これは、閉ループ冷却系を形成 する。種々の異なる冷却媒体を使用することができ、これは、ガス、冷却空気、 冷蔵空気、圧縮空気、フレオン、水、アルコール、塩水等を含むが、これに限定 されるものではない。電極１２の側壁には、第１側壁ポート２０が形成される。 又、第２側壁ポート２２を含んでもよい。これら第１及び第２の側壁ポートは、 電極１２に形成された窓であり、電極１２の機械的に弱い点を形成する。第１の プローブ２４は、電極の内腔に配置され、そして第１側壁ポート２０に送り込ん だり引き出したりすることができる。又、任意の第２プローブ２６も電極の内腔 に配置され、第２側壁ポート２２を経て、選択された組織のアブレーション側へ 送り込んだり引き出したりすることができる。 電極１２は、選択された組織のアブレーションのかたまりへ電磁エネルギーを 供給する外部のアブレーションエネルギー付与面を有すると共に、テーパ付けさ れた即ち先鋭な遠方端を有してもよい。腫瘍をアブレーションするために、電極 １２は、外部のアブレーションエネルギー付与面の長さが０．２５インチ以下で あり、そして電極１２の外径は、約０．０７２インチ以下である。 各プローブ２４及び２６は、ステンレススチール、形状記憶合金等を含む種々 の材料で形成できるが、これに限定されるものではない。プローブ２４及び２６ のサイズは、医療用途に基づいて変化する。腫瘍を処置する場合には、プローブ ２４及び２６は、側壁ポートから組織へと延びる長さが３ｃｍ以下である。第１ センサ２８は、プローブ２４によりその内面又は外面に支持することができる。 第１センサ２８は、プローブ２４の遠方端に配置されるのが好ましい。第２セン サ３０は、電極１２の外面とプローブ２４の遠方端との間の中間のどこかでプロ ーブ２４に配置される。好ましくは、第２センサ３０は、選択された組織のアブ レーションのかたまりの中点における温度を感知できる位置に配置される。第２ センサ３０は、プローブ２４がアブレーションプロセスに対し血管のような障害 物に遭遇したかどうか決定するのに有用である。第１センサ２８が第２センサ３ ０より高い温度を測定する場合には、これは、第２センサ３０が循環器系の血管 に接近したことを示すことができる。これが生じると、アブレーションエネルギ ーが血管により運び去られる。同様に、第２プローブ２６も、１つ以上のセンサ を含むことができる。第２センサ３２は、電極１２の外面に配置することができ る。 センサ２８、３０及び３２は、組織の場所の温度を正確に測定し、（ｉ）アブ レーションの程度、（ii）アブレーションの量、（iii）更なるアブレーション が必要かどうか、そして（iv）アブレーションされるかたまりの境界又は周囲、 を決定することができる。更に、センサ２８、３０及び３２は、ターゲットでな い組織が破壊され又はアブレーションされるのを防止する。 センサ２８、３０及び３２は、従来設計のものであり、サーミスタ、サーモカ ップル、抵抗性ワイヤ等を含むが、これに限定されるものではない。適当な熱セ ンサ２４は、銅コンスタンタンのＴ型サーモカップル、Ｊ型、Ｅ型、Ｋ型、光フ ァイバ、抵抗性ワイヤ、サーモカップルＩＲ検出器、等を含む。センサ２８、３ ０及び３２は、熱センサでなくてもよい。 センサ２８、３０及び３２は、温度及び／又はインピーダンスを測定して監視 を行えるようにすると共に、著しく組織を破壊せずに所望のレベルのアブレーシ ョンを達成できるようにする。これは、アブレーションされるべきターゲットと するかたまりを取り巻く組織への損傷を減少する。選択された組織のかたまりの 内部の種々の点の温度を監視することにより、選択された組織のかたまりの周囲 を決定できると共に、いつアブレーションが完了したかも決定できる。任意の時 間に所望のアブレーション温度を越えたことをセンサ２８、３０又は３２が決定 した場合には、適当なフィードバック信号がエネルギー源３４に受け取られ、エ ネルギー源は、次いで、以下に詳細に述べるように、電極１２へ送られるエネル ギーの量を調整する。 電極１２は、配線、半田付け、共通カプレットへの接続等により電磁エネルギ ー源３４に接続される。電極１２は、プローブ２４及び２６から電磁エネルギー 源３４に独立して接続することができる。電極１２、並びにプローブ２４及び２ ６は、エネルギーが電極１２に供給されるときにそれがプローブ２４及び２６に 供給されないようにマルチプレクスされてもよい。電磁エネルギー源は、ＲＦソ ース、マイクロ波ソース、短波ソース等でよい。 電極１２は、挿入器具を伴わずに組織に経皮的に又は腹腔鏡式に導入できるに 充分なほど堅牢に構成される。電極１２の実際の長さは、アブレーションされる べき選択された組織のかたまりの位置、皮膚からそこまでの距離、その接近性、 及び医師が腹腔鏡技術を選択するか経皮的技術を選択するか又は他の手順を選択 するかによって左右される。適当な長さは、１７．５ｃｍ、２５．０ｃｍ及び３ ０．０ｃｍであるが、これに限定されるものではない。電極１２は、ガイドによ り選択された組織アブレーション場所に導入することができる。 絶縁スリーブ３８は、電極１２の外面に対して包囲関係で配置することができ る。絶縁スリーブ３８は、可変長さのアブレーションエネルギー付与面を形成す るように電極１２の外面に沿って移動することができる。 １つの実施形態では、絶縁スリーブ３８は、ポリイミド材料で構成できる。こ のポリイミド絶縁スリーブ３８の上にセンサを配置することができる。ポリイミ ド絶縁スリーブ３８は、半堅牢である。センサは、ポリイミド絶縁スリーブ３８ の実質的に全長に沿って敷設することができる。ハンドピース１１は、ハンドピ ースの機能を果たすことができ、そして絶縁スリーブ３８の長さと、電極１２の 露出されたアブレーションエネルギー付与面の長さとを示す表示を含む。 図２を参照すれば、キャップ１８は、閉ループの冷却媒体流チャンネルを形成 するものとして示されている。キャップ１８は、溶接、半田付け、エポキシ塗布 等を含むがこれに限定されない種々の手段により、コンジット１４及び１６の遠 方端に固定される。キャップ１８は、半田付け、溶接、圧入等により電極１２の 遠方端に固定される段を有する。キャップ１８ではなく、図３に示すように、コ ンジット１４及び１６の遠方端に「Ｕ」ジョイントを形成することもできる。 図４を参照すれば、電極の一部分のみが冷却媒体導入コンジット１４との界面 を有する。しかしながら、冷却媒体導入コンジット１４及び電極１２の直径は、 選択された組織アブレーション場所を経てその場所の周囲へエネルギーが伝達さ れるのを防止するために、電極１２の外面付近に形成される組織界面があまりに 乾燥して焦げることのないような大きさにされる。 図５には、４ｃｍ直径の球状アブレーションの形成が示されている。電極１２ の４ｃｍアブレーションエネルギー付与面が露出される。第１の側壁ポート２０ は、電極１２の遠方端から２ｃｍに配置される。第１のプローブ２４は、その遠 方端が球状アブレーション領域の周囲に配置されるように電極の内腔から進まさ せる。第１センサ２８は、第１プローブ２４の遠方端に配置され、そしてアブレ ーションが所望のアブレーション領域の周囲に達したときを決定する。第２セン サ３０は、第１プローブ２４の中点に配置され、所望のアブレーション領域を通 る電磁エネルギーの伝達を監視すると共に、その位置でのアブレーションプロセ スに障害物があるかどうかを決定する。アブレーションが完了すると、第１プロ ーブ２４は、電極１２の内腔へと引っ込められる。 電極１２により供給される電磁エネルギーは、電極のアブレーション付与面の 電極／組織界面を加熱させ、そして熱を電極１２へ戻す。更に多くの熱が付与さ れて戻されると、電極１２の焦がし作用が増大する。これは、選択された組織の 場所を通る電磁エネルギー伝導性のロスを招く。電極１２での冷却を含ませたこ とは、選択された組織のアブレーション場所への電磁エネルギーの効果的な供給 に影響しない。冷却は、選択された組織アブレーション場所全体をアブレーショ ンできるようにする一方、電極／組織界面の加熱を減少又は排除する。 図６において、プローブ２４及び２６は、各々、電極１２の遠方端から展開さ れ、選択された組織のかたまりに導入される。プローブ２４及び２６は、平面を 形成する。 図７に示すように、絶縁スリーブ３８は、二次的なプローブ２４、２６及び付 加的なプローブを受け入れるための１つ以上の内腔を含むことができ、これらプ ローブは、絶縁スリーブ３８の遠方端から展開される。図８は、電極１２の本体 に形成された異なる側壁ポートから導入される４つのプローブを示す。これらの プローブの幾つか又は全部がアンカー機能を発揮する。 図９は、電極１２を通る冷却媒体の流量を制御するのに使用できる温度／イン ピーダンスフィードバックシステムのブロック図である。電磁エネルギーは、エ ネルギー源３４により電極１２に供給され、そして組織に付与される。モニタ４ ２は、組織に付与されるエネルギーに基づいて組織のインピーダンスを探知し、 そしてその測定されたインピーダンス値を設定値と比較する。測定されたインピ ーダンスが設定値を越える場合には、ディスエイブル信号４４がエネルギー源３ ４に送られ、電極１２へのエネルギーの更なる供給を停止する。測定されたイン ピーダンスが許容範囲内にある場合には、エネルギーが組織に付与され続ける。 エネルギーが組織に付与される間に、センサ４６は、組織及び／又は電極１２の 温度を測定する。比較器４８は、測定された温度を表す信号を受け取り、そして この値を、所望温度を表すプリセット信号と比較する。比較器４８は、組織の温 度が高過ぎる場合には高い冷却媒体流量の必要性を表す信号を流量調整器５０へ 送り、又は温度が所望温度を越えない場合にはその流量を維持する。 温度比較器４８からの出力５２は、エネルギー源３４に入力され、電源３２に より供給される電力の量を調整することができる。インピーダンスモニタ１０６ からの出力５４は、流量調整器５０へ入力されて、流量を調整し、従って、組織 の温度を制御することができる。 図１０を参照すれば、エネルギー源３４は、電極１２に接続され、生物学的に 安全な電圧を選択された組織場所に印加する。図１０に示す実施形態では、アブ レーション装置１０は、エネルギー供給電極１２及び接地電極５６を有する２極 のアブレーション装置として示されている。両電極１２及び５６は、変圧器巻線 ５８及び６０の一次側に接続される。共通の一次巻線５８、６０は、変圧器のコ アで二次巻線５８’及び６０’に磁気的に結合される。 第１変圧器ｔ１の一次巻線５８は、アブレーション装置１０の出力電圧を二次 巻線５８’に接続する。第２変圧器ｔ２の一次巻線６０は、アブレーション装置 １０の出力電流を二次巻線６０’に接続する。 測定回路は、電流及び電圧の実効値（ＲＭＳ）又は大きさを決定する。電圧と して表されるこれらの値は、除算回路Ｄに入力され、ＲＭＳ電圧値をＲＭＳ電流 値で除算することにより、センサ４６における組織場所のインピーダンスを幾何 学的に計算する。 除算回路Ｄの出力電圧は、比較器Ａの正（＋）の入力端子に与えられる。電源 Ｖ₀は、可変抵抗Ｒｖ間に電圧を供給し、従って、比較器Ａの負の入力に与えら れる電圧を手動で調整することができる。この電圧は、これを越えると電極１２ に電力が供給されなくなるところの最大インピーダンス値を表す。特に、最大カ ットオフインピーダンスより大きなインピーダンス値に対応する温度に組織が加 熱されると、エネルギー源３４は、電極１２へのエネルギーの供給を停止する。 比較器Ａは、エネルギー源３４の振幅又はパルス巾変調を制御できるものであれ ば、市場で入手できるいかなる形式のものでもよい。 冷却媒体の流量は、信号６２で表された組織のインピーダンス、又は信号６４ で表された組織の温度に基づいて制御することができる。１つの実施形態では、 スイッチＳを操作して、インピーダンス信号６２を比較器Ａの正（＋）の入力端 子に入力することができる。この信号は、負（−）の入力端子に印加される基準 電圧と共に、比較器Ａを動作して、出力信号を発生させる。選択された組織アブ レーション場所が生物学的に損傷を生じる温度まで加熱された場合には、組織イ ンピーダンスが、負（−）の入力端子に見られる選択されたインピーダンス値を 越え、これにより、エネルギー源３４をディスエイブルするためのディスエイブ ル信号４４を発生し、電極１２へ供給される電力を停止する。 比較器Ａの出力信号は、ポンプ６６へ通信される。選択された組織アブレーシ ョン場所の温度が高過ぎる場合には、組織のインピーダンスが許容範囲内に入る にも関わらず、ポンプ６６は、電極１２へ付与される冷却媒体の流量を調整し、 電極１２の温度を低下させる。比較器Ａの出力信号は、インピーダンスによって 表される組織の温度に基づき、エネルギー源３４のエネルギー出力をディスエイ ブルするか、電極１２を冷却するが、又は両方の動作を同時に実行する。 本発明の好ましい実施形態の以上の説明は、例示の目的でなされたものに過ぎ ない。本発明は、この特定の形態に限定されるものではない。多数の変更や修正 が当業者に明らかであろう。本発明の範囲は、請求の範囲及びその等効物により 限定されるものとする。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，Ｓ Ｄ，ＳＺ，ＵＧ)，ＵＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ， ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，Ｇ Ｂ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ， ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，Ｎ Ｚ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ， ＵＺ，ＶＮ (72)発明者 スタイン アレン エイ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94038 モーザ ビーチ ランカスター ブールヴァード 649

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．ハンドピースと、 上記ハンドピースに接続された電極であって、組織に突き刺さるに充分なほど 先鋭な速方端と、内腔と、この内腔を通して少なくとも部分的に延びる冷却媒体 導入コンジット及び冷却媒体放出コンジットとを含むと共に、更に、これら導入 及び放出コンジットに流れる冷却媒体から分離されたポートも含み、そしてエネ ルギー源に接続されるように構成された電極と、 上記電極の内腔に少なくとも部分的に配置されたプローブであって、その遠方 部分が少なくとも１つの曲率半径で上記ポートから送り出されるように構成され たプローブと、 上記プローブに接続された熱センサと、 を備えたことを特徴とするアブレーション装置。 ２．再循環冷却装置が上記電極の遠方端に閉ループを形成する請求項１に記載 の装置。 ３．上記電極の内腔は、冷却媒体から分離されたままである注入媒体を受け入 れるように構成される請求項１に記載の装置。 ４．上記注入媒体は、電極の内腔の近方端を経て上記ポートを通り組織の場所 に導入される請求項３に記載の装置。 ５．上記プローブに接続された前進及び後退部材を更に含む請求項１に記載の 装置。 ６．上記プローブの少なくとも一部分は、エネルギー源に接続された電極であ る請求項１に記載の装置。 ７．２つの熱センサがプローブに接続される請求項１に記載の装置。 ８．第１の熱センサはプローブの遠方端に配置され、そして第２の熱センサは プローブの遠方端以外の位置に配置される請求項７に記載の装置。 ９．熱センサはプローブの遠方端に配置される請求項１に記載の装置。 １０．上記電極の外面の周りに配置された絶縁スリーブを更に含む請求項１に 記載の装置。 １１．上記絶縁スリーブは、電極の長手軸に沿って移動できる請求項１に記載 の装置。 １２．電極に形成された第２のポートを更に含む請求項１に記載の装置。 １３．上記電極の内腔に少なくとも部分的に配置された第２のプローブであっ て、その遠方部分が少なくとも１つの曲率半径で第２ポートから送り出されるよ うに構成された第２プローブと、 上記電極の内腔に少なくとも部分的に配置されたプローブであって、その遠方 部分が少なくとも１つの曲率半径で上記ポートから送り出されるように構成され たプローブと、 上記第２プローブに接続された第２の熱センサと、 を更に備えた請求項１２に記載の装置。 １４．上記第１及び第２のコンジットは、電極に対する構造的な支持を追加す るように構成される請求項１に記載の装置。 １５．上記プローブの遠方端は、プローブがポートから展開されるときに電極 を固定位置に保持するように幾何学的に構成される請求項１に記載の装置。 １６．上記第１及び第２のコンジットは、電極の内腔において互いに隣接して 配置される請求項１に記載の装置。 １７．組織の場所の測定された温度を所定の温度値と比較し、そして測定され た温度と所定の温度との差を表す信号を発生するための比較器を更に備えた請求 項１に記載の装置。 １８．温度差を表す上記比較器からの信号に応答して、測定温度を所定の温度 以下に維持するように、上記電極の内腔を通る冷却媒体の流量を調整するための 流量制御器を更に備えた請求項１７に記載の装置。 １９．上記エネルギー源に接続されたエネルギー出力制御器を更に備えた請求 項１に記載の装置。 ２０．上記エネルギー出力制御器は、 組織に付与されるエネルギーに基づいて組織のインピーダンス値を測定するた めのインピーダンス測定装置と、 測定された組織のインピーダンス値を所定の最大インピーダンス値と比較し、 測定されたインピーダンス値が所定の最大インピーダンス値を越える場合にディ スエイブル信号を発生するインピーダンス比較器と、 上記ディスエイブル信号をエネルギー源に通信して、エネルギー源から電極へ のエネルギーの更なる付与を停止するための通信装置と、 を含む請求項１９に記載の装置。 ２１．インピーダンスの差を表す上記インピーダンス比較器からの信号に応答 して、測定インピーダンス値を所定の最大インピーダンス値以下に維持するよう に、上記電極の内腔を通る冷却媒体の流量を調整するための冷却媒体制御器を更 に備えた請求項２０に記載の装置。 ２２．ハンドピースと、 上記ハンドピースの遠方端から延びる電極であって、遠方端と、内腔と、この 電極内腔を通して電極の遠方端へと延びる冷却媒体導入コンジット及び冷却媒体 放出コンジットとを含むと共に、更に、これら導入及び放出コンジットに流れる 冷却媒体から分離された側壁ポートも含む電極と、 上記導入コンジットに接続された冷却媒体源と、 上記電極に接続されたエネルギー源と、 上記電極及びエネルギー源に接続され、選択された組織のアブレーション場所 の温度を感知するための温度センサと、 選択された組織のアブレーション場所の温度を所定の温度値と比較し、そして その温度差を表す信号を発生するための比較器と、 温度差を表す上記比較器からの信号に応答して、選択された組織の場所の測定 温度を所定の温度値以下に維持するように、上記導入及び放出コンジットを通る 冷却媒体の流量を調整するための流体制御器と、 を備えたことを特徴とするアブレーション装置。 ２３．上記冷却媒体導入及び放出コンジットは、上記電極の遠方端に閉ループ を形成する請求項２２に記載の装置。 ２４．上記電極の外面の周りに配置された絶縁スリーブを更に含む請求項２２ に記載の装置。 ２５．上記絶縁スリーブは、電極の長手軸に沿って移動できる請求項２４に記 載の装置。 ２６．上記絶縁スリーブに配置されたプローブであって、絶縁スリーブのポー トを通して絶縁スリーブに送り込まれたり引っ込められたりするように構成され たプローブを更に含む請求項２２に記載の装置。 ２７．上記プローブに接続された前進及び後退部材を更に含む請求項２２に記 載の装置。 ２８．上記プローブの少なくとも一部分は、エネルギー源に接続された電極で ある請求項２６に記載の装置。 ２９．上記プローブによりセンサが支持される請求項２２に記載の装置。 ３０．上記プローブの遠方端には熱センサが配置される請求項２９に記載の装 置。 ３１．上記プローブにより２つの熱センサが支持される請求項２６に記載の装 置。 ３２．第１の熱センサはプローブの遠方端に配置され、そして第２の熱センサ はプローブの遠方端以外の位置に配置される請求項２６に記載の装置。 ３３．上記電極に形成された第２の側壁ポートを更に含む請求項２２に記載の 装置。 ３４．上記第１及び第２のコンジットは、電極に構造的な支持を追加するよう に構成される請求項２２に記載の装置。 ３５．上記プローブの遠方端は、プローブがポートから展開されるときに電極 を固定位置に保持するように幾何学的に構成される請求項２６に記載の装置。 ３６．上記第１及び第２のコンジットは、電極の内腔において互いに隣接して 配置される請求項２２に記載の装置。 ３７．選択された組織のかたまりにアブレーション体積部を形成する方法にお いて、 アブレーション装置を用意し、このアブレーション装置は、ハンドピースと、 電極であって、遠方端、内腔、及び電極に流れる冷却媒体から分離された側壁ポ ートを伴う電極と、ハンドピースの内腔に配置されそして側壁の孔に送り込んだ り引っ込めたりするように構成されたプローブと、このプローブに支持された熱 センサとを備え、 上記電極を選択された組織のかたまりへ挿入し、 電極の電磁エネルギー付与面の付近に組織界面を形成し、 プローブの遠方端を上記孔から選択された組織のかたまりへ送り込み、 上記電極の電磁エネルギー付与面の少なくとも一部分を冷却し、 上記電極の電磁エネルギー付与面から選択された組織のかたまりへ電磁エネル ギーを付与し、 選択された組織のかたまりの場所の温度を測定し、そして 選択された組織のかたまりにアブレーション体積部を形成する、 という段階を備えたことを特徴とする方法。 ３８．選択されたアブレーション体積部の周囲に熱センサを配置する請求項３ ７に記載の方法。 ３９．上記熱センサは、電極と、選択されたアブレーション体積部の周囲との 間に配置される請求項３７に記載の方法。 ４０．電極から電磁エネルギーが付与される間に上記選択されたアブレーショ ン体積部の２つ以上の位置で温度を測定する請求項３７に記載の方法。 ４１．電極から電磁エネルギーが付与される間に上記選択されたアブレーショ ン体積部において温度を調整可能に測定する請求項３７に記載の方法。 ４２．上記プローブに第２のセンサが支持される請求項３７に記載の方法。 ４３．上記プローブの遠方端にセンサが配置され、そして上記プローブの遠方 端と電極の外面との間で上記プローブに第２のセンサが配置される請求項３７に 記載の方法。 ４４．上記孔を通して注入媒体を導入する請求項３７に記載の方法。 ４５．上記注入媒体は、冷却媒体から分離される請求項４４に記載の方法。 ４６．選択された組織の場所に電磁エネルギーが付与されたときに組織界面が ５０℃を越える温度に加熱される請求項３７に記載の方法。 ４７．上記プローブの展開された遠方端は、選択された位置に電極を固定する 請求項３７に記載の方法。 ４８．選択された組織の場所の温度をセンサで測定し、 選択された組織の場所のセンサで測定した温度を所定の温度値と比較し、そし て測定された温度と所定の温度値との差を表す信号を発生し、そして 測定された温度が所定の温度値を越える場合に更なる電磁エネルギーの供給を 停止するための信号を、電極に接続された電磁エネルギー源に送信する、 という段階を更に含む請求項３７に記載の方法。 ４９．選択された組織の場所のインピーダンスをセンサで測定し、 選択された組織の場所のセンサで測定したインピーダンスを所定のインピーダ ンス値と比較し、そして測定されたインピーダンスと所定のインピーダンス値と の差を表す信号を発生し、そして 測定されたインピーダンスが所定のインピーダンス値を越える場合に更なる電 磁エネルギーの供給を停止するための信号を、電極に接続された電磁エネルギー 源に送信する、 という段階を更に含む請求項３７に記載の方法。 ５０．選択された組織の場所の温度をセンサで測定し、 選択された組織の場所のセンサで測定した温度を所定の温度値と比較し、そし て 測定された温度と所定の温度値との差に基づいて電極を通る冷却媒体の流量を 調整する、 という段階を更に含む請求項３７に記載の方法。 ５１．導入及び放出コンジットに流れる冷却媒体の流量は、１ないし５０ｍｌ ／分である請求項３７に記載の方法。