JP2000504490A - 絶縁基板上に高周波バイポーラトランジスタを備える半導体装置 - Google Patents

絶縁基板上に高周波バイポーラトランジスタを備える半導体装置

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フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、絶縁基板（１）と導電性取付面（２）とを具備する半導体装置に関する。ここで絶縁基板（１）は導電性接地面（１８）上に設けられ、バイポーラトランジスタ（３）はこの取付面（２）と接触する第１主表面（４）で当該取付面（２）に供給され、トランジスタ（３）はエミッタ（５）、ベース（６）及びコレクタ（４，４０）用の接続パッドを備える。本発明に従って、この半導体装置はエミッタ、ベース及びコレクタの接続パッド（５，６，４０）は、トランジスタ（３）の第１主表面（４）とは反対側にあるトランジスタ（３）の第２主表面上に置かれ、導電性取付面（２）の横方向の大きさはトランジスタ（３）の第１主表面（４）の大きさと実質的に等しいことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】 絶縁基板上に高周波バイポーラトランジスタを備える半導体装置 技術分野 本発明は、絶縁基板と導電性取付面とを具備する半導体装置に関する。前記絶 縁基板は導電性接地面上に設けられる一方、バイポーラトランジスタは前記取付 面と接触する当該トランジスタの第１主表面をこの取付面上に具備し、このトラ ンジスタはエミッタ、ベース及びコレクタ用の接続パッドを備える。 上記装置は、とりわけ高周波のアプリケーション、特に送信機トランジスタを 備えるモジュールに適する。この様なモジュールは例えばセラミック材料からな る絶縁基板を有し、導電性取付面はその上にトランジスタ、ダイオード、抵抗、 コンデンサ等のような部品を備える。上記半導体装置は薄膜又は厚膜回路として も知られている。これら絶縁基板は導電性接地面、例えばヒートシンク、プリン ト回路基板、シールド(screening)又はハウジングに対して取り付けられている 。 背景技術 冒頭の段落で述べられた種類の装置は、平成６年特許願第２６０５６３号の英 文明細書から既知である。この既知の装置におけるトランジスタは、その第１主 表面で導電性取付面にはんだ付けされ、これは同時に前記コレクタに対する接続 面として役立ち、よって前記導電性取付面は前記トランジスタのコレクタ接続と して作用する。この導電性取付面は、この目的のためにボンディングワイヤを用 いて他の部品に接続される。このトランジスタが供給される間、前記導電性取付 面上のはんだの流出を防ぐために、この導電性取付面はトランジスタがはんだ付 けされる溝を備える。この導電性取付面は比較的小さくなるように選択されても よいので、このトランジスタの高周波特性は良好である。 述べられた既知の装置は、トランジスタの高周波特性が幾つかのアプリケーシ ョンに対しては不十分であるという欠点を持つ。加えて、この既知の装置は前記 取付面にある溝のために製造することが困難である。 発明の開示 本発明はとりわけ上記欠点を解消することを目的とする。 本発明に従い、この装置はエミッタ、ベース及びコレクタの接続パッドが、こ の目的のために第１主表面とは反対側にある第２主表面上に置かれ、この導電性 取付面の横方向の大きさが前記トランジスタの第１主表面の横方向の大きさとほ ぼ等しいことを特徴とする。 このコレクタ用の接続パッドは従ってトランジスタの第２主表面上にある。ト ランジスタがその第１主表面で当てられる導電性取付面は比較的小さくなるよう に選択してもよい。この取付面はコレクタの接続のためにボンディングワイヤを その上に供給するのには使用されない。この取付面は十分大きいので、トランジ スタがその上に容易に当てることができる、すなわち導電性取付面の横方向の大 きさは、トランジスタの第１主表面の大きさとほぼ等しい。この横方向の大きさ はここで（厚さに対し垂直な）前記面の平面における大きさだと理解される。ト ランジスタの高周波特性は、導電性取付面のサイズによって強く決定される。よ り小さな取付面を与える場合、エミッタ及びベースの接続パッド用のボンディン グワイヤはもはや比較的大きな導電性取付面を飛び越える必要がないので、これ らワイヤは短くしてもよい。これによってこれらワイヤの直列抵抗及び自己イン ダクタンスは減少される。この絶縁基板は導電性接地面上に取り付けられる。こ の導電性接地面は、絶縁基板及び導電性取付面と一緒にバイポーラトランジスタ に接続される寄生容量を形成する。より小さい取付面はより低い寄生容量となる 。この寄生容量は高周波アプリケーションに対し特に重要である。良好な高周波 特性を得るために基板に溝を掘る必要がないので、この半導体装置も既知の装置 よりも容易に製造される。 好ましくは、本発明による装置は基板が前記接地面へ降下しているくぼみを備 え、絶縁基体がこのくぼみに存在し、第１の側でこの接地面と接触する一方、第 １の側とは反対側にある前記基体の第２の側はトランジスタが配置される取付面 が設けられ、当該基体は１０Ｗ／ｍＫより大きい熱伝導度を持つ材料を有するこ とを特徴とする。前記導電性取付面は比較的良好な熱伝導度を持ち、前記基板の くぼみに存在する材料の基体に供給される。熱はトランジスタから前記基体を介 して接地面へと直ちに移ることができる。この基体は例えばアルミ、銅、ダイア モンド又は酸化アルミニウム(alumina)のような材料を有してもよい。好ましく は、この基体はＢｅＯからなる。ＢｅＯは約２５０Ｗ／ｍＫの熱伝導度を持つ。 この基体の横方向の大きさは例えばボンディングワイヤが延在しない方向にこ の導電性取付面の大きさよりも大きくなってもよい。 しかしながら、好ましくはこの基体の横方向の大きさが前記取付面の大きさと ほぼ等しく、このくぼみの横方向の大きさとなるので前記基体は正確にそれに固 定する。上記装置は、前記基板を横切るくぼみの大きさは前記基体を取り付ける のに必要なものよりも大きくないという利点を有する。基板の破損を含む問題は よって避けられる一方、加えてより小さい基体は高価にならない。 有利な実施例において、その横方向の大きさに垂直な基体の厚さは前記絶縁基 板の厚さよりも小さい。このような薄い基板は良好な熱除去を供給する。 ボンディングワイヤが当てられる大きな取付面を備える薄い基体の使用は、比 較的薄い基体の取付面が前記基板に凹んであるので、前記コレクタのボンディン グワイヤをこの取付面に接続する問題を生じる。コネクタ用のボンディングワイ ヤは、このくぼみの端部で接触するようになり、これは例えば製造中に問題とな り得る。ボンディングマシーンは簡単には前記くぼみの取付面に到達できないの で、問題も生じる。本発明による装置において、このボンディングワイヤは前記 トランジスタの第２主表面上の接続パッド上に供給される。この第２主表面は前 記取付面よりもかなり高く置かれるので、ボンディングワイヤの取り付けの問題 は解消される。 トランジスタのエミッタ及びコレクタの接続パッドは、ボンディングワイヤを 幾つか介して前記半導体装置の他の部品にそれぞれ接続される。現在のバイポー ラトランジスタにおける電流は強く、これは高い動作周波数との組合せで、エミ ッタのボンディングワイヤにおける自己インダクタンスで形成されるインピーダ ンスは、トランジスタ作用にかなりの影響を有することを意味する。この結果は 、例えば１つのボンディングワイヤの場合、負帰還効果をもたらし、このトラン ジスタの高周波利得は減少する。幾つかのエミッタのボンディングワイヤは、こ れ らボンディングワイヤの低いインピーダンス及び良好な高周波作用となる。コレ クタ接続用の幾つかのボンディングワイヤの使用は、トランジスタ性能が前記コ レクタを通る比較的強い電流の場合、コレクタ接続における過度の直列抵抗によ って逆に影響しないことを達成する。このようなボンディングワイヤはこれらボ ンディングワイヤを並列して走らせる上記やり方で当てられる。 図面の簡単な説明 本発明を図面を参照して実施例を通して以下により詳細に説明されるであろう。 第１図は、既知の半導体装置の平面図である。 第２図は、第１図におけるａ−ａ'線を通る既知の半導体装置の断面図である 。 第３図は、本発明による半導体装置の第１実施例の平面図である。 第４図は、本発明による半導体装置の第３図のａ−ａ'線を通る断面図である 。 第５図は、本発明による半導体装置の第２実施例の平面図である。 第６図は、本発明による半導体装置の第５図におけるａ−ａ'線を通る断面図 である。 これら図面は単に概念図であり、正確な縮尺で描かれていない。 対応する部分は一般的にこれら図面において同様の参照番号が与えられている。 発明を実施するための最良の形態 第１図は既知の半導体装置を平面図及びａ−ａ'線を取る断面図における第２ 図で示す。この半導体装置は、導電性取付面２を備える酸化アルミニウム(Al2O3 )の絶縁基板１を具備し、バイポーラトランジスタ３は導電性取付面２と接触す るトランジスタの第１主表面４をこの取付面上に具備する。この導電性取付面は 銅からなる。トランジスタ３は、エミッタ、ベース及びコレクタ用の各接続パッ ド５，６及び４を具備する。既知の半導体装置におけるこれら接続パッドは、ボ ンディングワイヤＥ１，Ｅ２，Ｂ１，Ｂ２及びＣを介して他の部品に接続される 。第１図は、エミッタの接続パッド５は４つの配列で供給される方法を示す。エ ミッタ接続パッド５は、ボンディングワイヤＥ１を介し導体トラック７に及びボ ンディングワイヤＥ２を介しコンデンサ８に接続される。本実施例におけ るこのコンデンサは、絶縁層１０を備えるシリコン基板９を有する。このコンデ ンサ８の第１電極１１は絶縁層１０上に設けられる。この電極１１はボンディン グワイヤＢ１及びＢ２に接続される。このシリコン基板９はコンデンサ８の第２ 電極として働く。シリコン基板９は導電性取付面１２に接続され、この面上にボ ンディングワイヤＥ２がいわゆる０Ω接触として供給される。このベースの接続 パッド６は２つの配列で供給され、ボンディングワイヤＢ１を介しコンデンサ８ の電極１１に接続され、さらにボンディングワイヤＢ２を介し導体トラック１５ に接続される。コレクタの接続パッド４はトランジスタ３の第１主表面４に存在 する。トランジスタ３ははんだ層１６を用いてそれの第１主表面４で導電性取付 面２に対してはんだ付けされる。はんだ１６がトランジスタ３のアプリケーショ ンの間に導電性取付面２上に流出し、このトランジスタ３で覆われた部分の外に ある導電性取付面２の部分１６'がはんだで被覆されるので、導電性取付面２は このトランジスタの第１主表面４の大きさよりも大幅に大きくなる。コレクタ用 のボンディングワイヤＣは、はんだで被覆されたこの部分１６'にはしっかりと 固定されない。導電性取付面２はトランジスタ３の第１主表面４の大きさよりも かなり大きいので、コレクタ用のボンディングワイヤはそれでもしっかりと固定 することができる。本実施例におけるボンディングワイヤＣは導体トラック１７ に接続される。代わりの既知の解決法は、はんだの流出を防ぐための溝を導電性 取付面２に設けることである。このはんだがこの溝に残り、このとき部分１６' は小さくなるか又は無くなる。半導体装置は特に大きな電流及び高い動作周波数 、例えば約１ＧＨｚ以上に対し設計される。幾つかのエミッタのボンディングワ イヤＥ１，Ｅ２は、このボンディングワイヤの低い自己インダクタンス及び良好 な高周波特性を供給する。コレクタ接続のための幾つかのボンディングワイヤＣ の使用は、トランジスタの性能がコレクタを通る比較的高い電流でこのコレクタ 接続における極めて高い抵抗によって逆に影響しないことを達成する。これらボ ンディングワイヤは実際に供給されるので、製造技術の理由のため及び最適な空 間の使用を達成するためにもこれらボンディングワイヤＢ１，Ｂ２，Ｅ１，Ｅ２ 及びＣは並行に走る。 第３図及び４図は本発明による半導体装置の一部を示し、ここでエミッタの接 続パッド５、ベースの接続パッド６及びコレクタの接続パッド４０は、第１主表 面４とは反対側にあるトランジスタ３の第２主表面１２上に置かれ、この導電性 取付面２の大きさはトランジスタ３の第１主表面４の大きさとほぼ等しい。本発 明に従い、コレクタ接続パッド４０はトランジスタ３の第２主表面１２上にある 。トランジスタ３の第１主表面４が当てられる導電性取付面２は、比較的小さく なるように選ぶことが可能である。これは前記コレクタを接続するためのボンデ ィングワイヤＣはこの取付面２上には供給されないからである。この取付面２が 大きいのでトランジスタ３がその上に容易に供給できる場合に十分となる、すな わち導電性取付面２の大きさがトランジスタ３の第１主表面４の大きさとほぼ等 しくなる。取付面２は、例えば製造過程におけるアライメント公差及び誤差を考 慮して第１主表面４よりも僅かに大きくなるようにしてもよい。既知の半導体装 置における導電性取付面２は、ボンディングワイヤＣが取付面２の上に設けられ るので、トランジスタ３の大きさと比較して比較的大きくなる。トランジスタ３ の高周波特性は導電性取付面２のサイズに強く依存する。絶縁基板１と組み合わ される導電性取付面２は、実際に絶縁基板１が取り付けられた導電性接地面１８ 、本実施例においてトランジスタ３で生成された熱を排出するためのヒートシン クで寄生容量を形成する。この寄生容量はできる限り小さくすべきであることが 特に高周波アプリケーションにとって非常に重要である。さらに、エミッタの接 続パッド用のボンディングワイヤＥ１は、これらワイヤがもはや比較的大きな導 電性取付面２を飛び越える必要がないので、短くてもよい。この短くなったエミ ッタのボンディングワイヤは、このエミッタのボンディングワイヤにおけるより 低い自己インダクタンス、よって良好な高周波特性を供給する。本発明の実施例 において、材料、ボンディングワイヤの接続、コンデンサ８及び導体トラックは 、他の箇所全てにおいて第１図及び２図で示される既知の実施例における箇所と 同じである。 第５図及び６図に示されるような本発明の第２実施例において、基板１は導電 性取付面２の範囲でくぼみ２０を備える。このくぼみにおいて、１０Ｗ／ｍＫよ り大きい熱伝導度を持つ基体２１が存在、いわゆる挿入される。トランジスタ３ ははんだ層１６を用いて基体２１上に固定される。この実施例におけるはんだ層 １６は同時に導電性取付面２を構成する。基体２１の大きさは導電性取付面２の 大きさと一致する。基体２１は第３図及び４図に示される基体２１持たない第１ 実施例よりも良好な熱の除去を達成するために供給される。本実施例において基 体１６はＢｅＯからなる。ＢｅＯは約２５０Ｗ／ｍＫの熱伝導度を持つ。代わり に、この基体はＡＩＮ又はＢＮからなってもよい。 本発明による高周波トランジスタ３は、ベース、エミッタ及びコレクタ領域が ＩＣ技術において既知な方法で供給される半導体基板を有する。これら領域は、 例えばフィンガ形式で供給される。このようなトランジスタに関する更なる詳細 は、ヨーロッパ特許第 96201822.2 号に見ることができる。 本発明は上述された実施例に限定されない。幾つかの接続パッド及びボンディ ングワイヤは、本実施例においてベース、エミッタ及びコレクタに対し使用され る。他の多くの接続パッド、例えば単一のパッド又は実に多くの接続パッドが本 発明の範囲内で可能であることが明らかとなる。接続パッドを大きく作ることも 可能であるので、幾つかのボンディングワイヤは一つのパッドに当てられる。本 実施例におけるトランジスタ３は、そのエミッタ及びベースによってコンデンサ に接続される。他の形態もまた本発明の範囲内で可能である。これらベース、エ ミッタ及びコレクタは、よって抵抗、コンデンサ、例えばダイオードのような半 導体装置の入力部又は出力部、トランジスタ又はＩＣに接続されてもよい。本実 施例における基板はＡｌ2Ｏ3からなるが、代わりに他の絶縁基板例えばＡＩＮか ら製造することも可能である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １．絶縁基板及び導電性取付面を具備する半導体装置であり、前記絶縁基板は導 電性接地面上に設けられる一方、バイポーラトランジスタは前記取付面と接触 する当該トランジスタの第１主表面を当該取付面上に具備し、前記トランジス タはエミッタ、ベース及びコレクタ用の接続パッドを具備する半導体装置にお いて、前記エミッタ、ベース及びコレクタの前記接続パッドが前記第１主表面 とは反対側にある第２主表面上に置かれ、前記導電性取付面の横方向の大きさ が、前記トランジスタの前記第１主表面の大きさとほぼ等しいことを特徴とす る半導体装置。 ２．請求項１に記載の半導体装置において、前記基板が前記接地面へ降下してい るくぼみを備え、絶縁基体が前記くぼみに存在し、第１の側で前記接地面と接 触する一方、前記第１の側とは反対側にある前記基体の第２の側には、前記ト ランジスタが配置される前記取付面が備えられ、前記基体が１０Ｗ／ｍＫより 大きい熱伝導度を持つ材料を有することを特徴とする半導体装置。 ３．請求項２に記載の半導体装置において、前記基体の横方向の大きさが前記取 付面の大きさとほぼ等しく、このくぼみの横方向の大きさが前記基体が当該く ぼみに正確に合うような大きさあることを特徴とする半導体装置。 ４．請求項２又は３に記載の半導体装置において、前記横方向の大きさに対し垂 直な前記基体の厚さが前記絶縁基板の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体 装置。
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