JP2000341099A - 遅延回路 - Google Patents

遅延回路

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JP2000341099A JP11148439A JP14843999A JP2000341099A JP 2000341099 A JP2000341099 A JP 2000341099A JP 11148439 A JP11148439 A JP 11148439A JP 14843999 A JP14843999 A JP 14843999A JP 2000341099 A JP2000341099 A JP 2000341099A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】製品ごとあるいは半導体回路ごとの製造プロセ
スに影響されずに、また、環境変化等の外部要因に影響
されにくく、入力信号に対して微少な遅延時間を高精度
に設定することができる遅延回路を提供することにあ
る。 【解決手段】共通の電力受給ラインに接続された複数の
第1の回路素子を多段従属接続した発振回路を有し、基
準周波数のクロックと位相比較してこの位相比較結果に
応じて電力需給ラインの電圧を制御するPLLループを
形成して基準クロックの周波数にロックされた所定の周
波数で発振するPLLループ発振回路と、第1の回路素
子と等価の、共通の電力受給ラインに接続された複数の
第2の回路素子を多段従属接続してその初段に入力信号
を受けてこれを遅延させた出力を発生する遅延素子回路
とを備えるものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、遅延回路に関
し、詳しくは、製品ごとあるいは半導体回路ごとの製造
プロセスに影響されずに、また、環境変化等の外部要因
に影響されにくく、入力信号に対して微少な遅延時間を
高精度に設定することができるような遅延回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】最近のCD−R/RWでは、データの書
込み速度が2倍、4倍、8倍、…とその速度が高速化さ
れてきている。このCD−R/RWでは、通常、ホスト
コンピュータからSCSIやATPIのインタフェース
を通して転送された書込みデータがEFM変調されてレ
ーザコントローラに加えられ、レーザコントローラによ
り書込用に制御されたレーザ光がEFM変調されたデー
タによってON/OFFされてCDの所定のトラックに
照射されることでデータの書込みが行われる。このよう
なCD−R/RWのほか、CD−R、DVD−RAM等
の光ディスクにあっては、特にそのデータ書き込みの際
にpsec〜数十nsec程度の微少な遅延時間を高精度に設
定する回路が必要になる。また、CPU等のクロック速
度の高速化に伴い、一般的なロジック回路にあってもp
sec〜数十nsec程度の微少な遅延時間を高精度に設定す
ることが必要になる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】微少な遅延時間を精度
よく設定する従来の遅延回路においては、製品ごとある
いは半導体回路ごとの製造プロセスにその遅延時間が影
響される関係から製造工程で外部から電圧を調整して遅
延時間を設定し、そのばらつきを吸収したり、例えば、
特開平7−86888号に開示されているように、遅延
回路に遅延時間を制御する制御端子を設けて実際の遅延
量を計測手段により計測した上で、計測結果に基づいて
適正な遅延時間になるように制御端子に制御信号を加え
ることが行われる。さらに、A/D、D/A、CPU等
のマクロセルを形成してプロセッサ処理等により遅延時
間を計測して補正することも行われている。
【0004】いずれにしても入力信号に対して微少な遅
延時間を高精度に設定するためには製品ごとに調整する
か、あるいは実際の遅延時間を計測してフィードバック
制御により補正することなどが必要になる。しかも、前
者の遅延時間を補正する場合には温度変化や経年変化、
そして電源電圧の変化等、遅延回路が外部環境の影響を
受けやすく、精度上の問題が残る。この発明の目的は、
このような従来技術の問題点を解決するものであって、
製品ごとあるいは半導体回路ごとの製造プロセスに影響
されずに、また、環境変化等の外部要因に影響されにく
く、入力信号に対して微少な遅延時間を高精度に設定す
ることができる遅延回路を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るこの発明の遅延回路の特徴は、共通の電力受給ライン
に接続された複数の第1の回路素子を多段従属接続した
発振回路を有し、基準周波数のクロックと位相比較して
この位相比較結果に応じて電力需給ラインの電圧を制御
するPLLループを形成して基準クロックの周波数にロ
ックされた所定の周波数で発振するPLLループ発振回
路と、第1の回路素子と等価の、共通の電力受給ライン
に接続された複数の第2の回路素子を多段従属接続して
その初段に入力信号を受けてこれを遅延させた出力を発
生する遅延素子回路とを備えるものである。
【0006】
【発明の実施の形態】このように、PLLループ発振回
路の第1の回路素子と等価の第2の回路素子で遅延素子
回路を形成し、PLLループ発振回路の発振周波数を基
準クロックの周波数にロックさせることにより第1の回
路素子と第2の回路素子の動作遅延時間を基準クロック
の周波数に従って決定される一定値になるように制御す
ることができる。通常、基準クロックの周波数は、製品
毎のばらつきが吸収され、温度変化や経年変化、そして
電源電圧の変化等の外部環境の影響を受けにくいような
クロック発生回路としてIC等の内部に形成されている
ので、これを利用することでこの遅延回路も同様に外部
環境に影響されにくく、製品ごとのばらつきが吸収され
た遅延回路として実現することができる。特に、基準ク
ロックを発生するクロック発生回路をクリスタル発振器
等を利用することにより、無調整化された遅延回路を実
現することができる。
【0007】
【実施例】図1は、この発明の遅延回路を適用した一実
施例の回路図、図2は、この発明の遅延回路を適用した
他の実施例の回路図、図3は、遅延素子部とVCOにお
ける各段の素子のレイアウトその接続についての説明図
である。遅延回路10は、PLL発振回路1と、遅延素
子回路11、基準クロック発生回路12、そしてコント
ローラ13とからなる。なお、ここでの基準クロック発
生回路12は、クリスタル発振器等で構成され、その発
振周波数は外部環境の変化にほとんど影響されないもの
である。PLL発振回路1は、基準クロック発生回路1
2からの基準クロックCLK(以下クロックCLK)を
受けてこれの周波数にロックされ発振する発振回路であ
って、遅延素子回路11の各インバータ素子の動作遅延
時間を設定する電源電圧信号を出力する回路である。こ
の回路には、VCO2と、1/n分周器3、位相比較回
路4、チャージポンプ5、ローパスフィルタ(LPF)
6、ボルテージフォロア7、1/m分周器8が設けれて
いる。そして、遅延素子回路11に加えられる前記の電
圧信号は、VCO2に加えられる制御電圧Vsが当てら
れる。
【0008】ここで、VCO2は、インバータ2a,2
a,2a…を奇数段従属接続して出力を入力に帰還した
リング発振器で構成され、遅延素子回路11は、インバ
ータ2aと同時に同じICの中の回路として集積化され
た等価のインバータ2bを複数段、インバータ2b,2
b,2b…として同様に従属接続して構成される。イン
バータ2a、2bは、ここではそれぞれに加えられる電
源電圧が制御電圧Vsになっていて、電源電圧の値に応
じて1個のインバータ動作の遅延時間が変化するので、
これらに加えられる電源電圧が等しいときには1個当た
りのインバータの動作遅延時間は等しいものになる。両
者のインバータ2a、2bの電源電圧となる制御電圧V
sは、PLL発振回路1において、基準クロック発生回
路12のクロックCLKの周波数にあるいはこれに所定
の係数値をかけた周波数に一致するように制御されてい
る。すなわち、PLL発振回路1において、VCO2の
出力は、1/n分周器により1/nに分周されて位相比
較回路4の一方に入力され、その他方に入力される1/
m分周器8を経て供給されたクロックCLKと位相比較
される。
【0009】位相比較回路4は、クロックCLKの立ち
上がりからVCO2側の入力信号の立ち上がりまでの位
相差に対応する期間“H”となるチャージアップ信号C
Uをインバータ4aを介してチャージポンプ5に送出し
てその電流吐き出し側のPチャネルのMOSトランジス
タQ1をONにする。このとき電流シンク側のNチャネ
ルのMOSトランジスタQ2はチャージダウン信号CD
が“L”となってOFFになる。また、位相比較回路4
は、VCO2側の入力信号の立ち上がりからクロックC
LKの立ち上がりまでの位相差に対応する期間“H”と
なるチャージダウン信号CDをチャージポンプ5に送出
してその電流シンク側のMOSトランジスタQ2をON
にする。このときMOSトランジスタQ1はチャージア
ップ信号が“L”となってOFFになる。このようなチ
ャージポンプ5の出力信号は、LPF6に加えられ、平
滑化されてボルテージフォロア7に入力される。そこ
で、ボルテージフォロア7からは、VCO2の発振周波
数をクロックCLKの周波数にロックあるいは所定の周
波数比率で一致させるように制御する制御電圧Vsが発
生する。
【0010】このように、インバータの動作電圧を決定
する電力受給ラインをボルテージフォロア7の出力にし
て発振回路を駆動し、ボルテージフォロア7の入力側に
周波数を制御する制御電圧信号をLPF6を介して入力
することにより、入力側の制御電圧と等しい電圧Vsの
電力供給をVCO2(リング発振器)に与えてその発振
周波数をクロックCLKの周波数にロックすることがで
きる。その結果、PLL発振回路1の発振周波数は、温
度やデバイスの電源電圧等の外部環境の変化にほとんど
影響されない基準クロック発生回路12の周波数にそれ
ぞれの分周率1/n,1/mに対応する形で所定の比率
で一致するように制御され、ロックされる。このときの
制御電圧Vsは、1個のインバータ2aの動作の遅延時
間が基準クロック発生回路12の周波数に応じて決定さ
れ、一定値となる。このことは、同じ制御電圧Vsを受
けて動作するインバータ2bにも適用される。インバー
タ2bは、インバータ2aと同時にICの中の回路とし
て集積化された等価の遅延素子回路11の素子であるか
らである。そこで、遅延素子回路11の遅延時間は、温
度やデバイスの電源電圧等の外部環境の変化にほとんど
影響されないで決定され、その入力端子9の入力信号D
inに対する遅延時間は、インバータ2bの1個当たりの
遅延時間τに対してその接続段数をP個とすればτ×P
により決定され、最終段のインバータ2bの出力に接続
された出力端子15aに高精度に設定された遅延量の遅
延信号が出力される。
【0011】ところで、インバータ1個当たりの遅延時
間τは、ここではプログラマブルになっている。それ
は、コントローラ13により1/n分周器3と1/m分
周器8の分周率の値を変更すればよい。1/n分周器3
と1/m分周器8は、それぞれn進、m進のカウンタで
構成され、その最大カウント値、すなわち、n、mの進
数がコントローラ13からのデータ設定により変更でき
る回路である。
【0012】図2は、他の実施例であって、PLL発振
回路1aと遅延素子回路11aとを有している。その遅
延素子回路11aは、図1の遅延素子回路11の各イン
バータ2bの出力に負荷として奇数段にスリーステート
バッファアンプ(バッファ)2cを設け、初段入力と偶
数段とにスリーステートバッファアンプ(バッファ)2
dを設けて、偶数の各段のバッファ2dを介して遅延出
力を取り出せるようにしてものである。各段に負荷とし
て交互に接続されたバッファ2c,2dもその電源電圧
として制御電圧Vsを受けて動作する。ここで、バッフ
ァ2cは、各インバータのダミー負荷となっていて各段
で等しい遅延動作時間を確保する役割を果たす。偶数各
段の出力となるバッファ2dは、コントローラ13から
の選択信号SELを受けてグランドGND端子側が接地
されることで所定のレベルの出力をレベルシフタ14に
供給する。レベルシフタ14は、偶数各段のバッファ2
dからの出力を受けて、“H”、“L”のデータの出力
レベルを整合させて出力端子15bに出力する回路であ
る。なお、最終段のインバータ2bからの出力は、前記
の図1の実施例で説明したように出力端子15aに出力
されてもよい。
【0013】このような遅延素子回路11aの回路構成
に対応して、図2のPLL発振回路1aでは、VCO2
に換えてVCO20が設けられている。VCO20は、
図1のVCO2の各インバータ2aの出力に負荷として
スリーステートバッファアンプ(バッファ)2eをダミ
ー回路として設けたリング発振器である。各段の出力に
接続されたバッファ2eは,バッファ2c,2dに対応
するダミー負荷回路であって、これらは、それぞれにそ
の電源電圧として制御電圧Vsを受けて動作し、それぞ
れのグランドGND端子側は接地されている。また、V
CO20の出力は、レベルシフタ14と等価のレベルシ
フタ14aを介して1/n分周器3に入力される。これ
により遅延素子回路11aのインバータ2bと実質的に
等価の回路としてVCO20のインバータ2aが形成さ
れる。その結果、それぞれのインバータの動作遅延時間
が実質的に等しくなる。
【0014】図3は、遅延素子回路11aとVCO20
における各段の素子のレイアウトについての説明図であ
る。(a)は、VCO20のレイアウトであって、イン
バータ2aとバッファ2eを1つのセル16として初段
のセル16aの除いてセル16を2段のセル配置として
最終段のセル16nのインバータ2aの出力から初段の
セル16aのインバータ2aの入力に配線17aで接続
し、配線17bにより反対側の上段のインバータと下段
のインバータの出力と入出とを接続してリングになるよ
うにする。なお、配線17a、17bの配線長は、イン
バータ2a間あるいはインバータ2b間の接続配線長に
できるだけ近い配線長とする。遅延素子回路11aは、
これと同じ配置であり、配線17aを削除したものであ
り、図のセル16の構成においてインバータ2aがイン
バータ2bとなり、バッファ2eがバッファ2cあるい
はバッファ2dに入れ替わる。
【0015】このようにすることで、各段からの出力を
得ても入力信号に設定される各段からの遅延時間出力の
誤差を最小限にすることができる。また、電源ラインあ
るいはグランドGNDの配線については、図3(b)に
示すように、○と○,×と×,//と//,/と/として示
すように対称となる配線長を等しく採ったトーナメント
パス配線18によりすべてのセル16に対して電源ある
いはグランドGNDまでの配線長が等しくなるようにす
るとよい。このようなトーナメントパス配線18は、偶
数各段のバッファ2dから出力を取り出すときにも適用
するとよく、入力信号に設定される各段からの遅延時間
出力の誤差を最小限に抑えることができる。最後に、ボ
ルテージフォロア7の制御電圧Vsを遅延素子回路11
aあるいは遅延素子回路11とVCO20あるいはVC
O2の電源ラインに接続する配線レイアウトについても
図3(c)に示すように、等距離配線になるように、ボ
ルテージフォロア7の出力から対称的な配線19a,1
9bによりそれぞれ行い、それぞれのグランドGND配
線も対称的な配線19c,19dを介してグランドGN
Dラインに接続するようにするとよい。
【0016】以上説明したきたが、実施例では遅延素子
としてインバータの例を上げているが、この発明の遅延
素子回路の遅延素子としては、フリップフロップ等、所
定の動作遅延時間をもって動作する回路素子を遅延回路
として使用してもよいことはもちろんである。
【0017】
【発明の効果】以上説明してきたが、この発明にあって
は、PLLループ発振回路の第1の回路素子と等価の第
2の回路素子で遅延素子回路を形成し、PLLループ発
振回路の発振周波数を基準クロックの周波数にロックさ
せることにより第1の回路素子と第2の回路素子の動作
遅延時間を基準クロックの周波数に従って決定される一
定値になるように制御することができる。通常、基準ク
ロックの周波数は、製品毎のばらつきが吸収され、温度
変化や経年変化、そして電源電圧の変化等の外部環境の
影響を受けにくいようなクロック発生回路としてIC等
の内部に形成されているので、これを利用することでこ
の遅延回路も同様に外部環境に影響されにくく、製品ご
とのばらつきが吸収された遅延回路として実現すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、この発明の遅延回路を適用した一実施
例の回路図である。
【図2】図2は、この発明の遅延回路を適用した他の実
施例の回路図である。
【図3】図3は、遅延素子部とVCOにおける各段の素
子のレイアウトその接続についての説明図であって、
(a)は、そのVCOおよび遅延素子回路のセルレイア
ウトの説明図、(b)は、その電源配線ラインあるいは
グランド配線ラインの説明図、(c)は、VCOと遅延
素子回路との配線ラインの説明図である。
【符号の説明】
1,1a…PLL発振回路、2,20…VCO、2a,
2b…インバータ、2c,2d,2e…スリーステート
バッファ、3…1/n分周器、4…位相比較回路、5…
チャージポンプ、6…ローパスフィルタ(LPF)、7
…ボルテージフォロア、8…1/m分周器、9…入力端
子、10…遅延回路、11,11a…遅延素子回路、1
2…基準クロック発生回路、13…コントローラ、1
4,14a…レベルシフタ、15a,15b…出力端
子、16…セル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 栗原 直樹 京都市右京区西院溝崎町21番地ローム株式 会社内 (72)発明者 根本 崇史 京都市右京区西院溝崎町21番地ローム株式 会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】共通の電力受給ラインに接続された複数の
    第1の回路素子を多段従属接続した発振回路を有し、基
    準周波数のクロックと位相比較してこの位相比較結果に
    応じて前記電力需給ラインの電圧を制御するPLLルー
    プを形成して前記基準クロックの周波数にロックされた
    所定の周波数で発振するPLLループ発振回路と、前記
    第1の回路素子と等価の、前記共通の電力受給ラインに
    接続された複数の第2の回路素子を多段従属接続してそ
    の初段に入力信号を受けてこれを遅延させた出力を発生
    する遅延素子回路とを備えることを特徴とする遅延回
    路。
  2. 【請求項2】さらにクリスタル発振器と分周器とを有
    し、前記基準クロックは、前記クリスタル発振器による
    信号であり、前記第1および第2の回路素子は、インバ
    ータであり、前記発振回路は、前記インバータを接続し
    たリング発振器であり、前記分周器は、前記リング発振
    器の出力あるいは前記基準クロックの少なくとも一方を
    分周するものであって、その分周率が外部から設定でき
    る請求項1記載の遅延回路。
  3. 【請求項3】多段従属接続された前記複数の第2のイン
    バータの各段の出力側にはそれぞれに前記共通の電力受
    給ラインに接続されたバッファアンプが負荷として接続
    され、偶数段の前記バッファアンプから前記入力信号の
    遅延された出力が取り出される請求項2記載の遅延回
    路。
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Cited By (7)

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