JP2000294381A - Ｅｌ素子 - Google Patents
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
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- Y10S428/917—Electroluminescent
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 低電圧駆動が可能で、長時間安定した発光が
得られるＥＬ素子を得る。 【解決手段】 第１絶縁体層１３及び第２絶縁体層１５
の少なくとも一方が、主成分としてチタン酸バリウム
を、副成分として酸化マグネシウムと、酸化マンガン
と、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カル
シウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素と
を含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ3に、酸化マ
グネシウムをＭｇＯに、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化
イットリウムをＹ2Ｏ3に、酸化バリウムをＢａＯに、酸
化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ2にそれ
ぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ3１００モルに対する比
率が、ＭｇＯ：０．１〜３モル、ＭｎＯ：０．０５〜
１．０モル、Ｙ2Ｏ3：１モル以下、ＢａＯ＋ＣａＯ：２
〜１２モル、ＳｉＯ2：２〜１２モルであるＥＬ素子と
した。
得られるＥＬ素子を得る。 【解決手段】 第１絶縁体層１３及び第２絶縁体層１５
の少なくとも一方が、主成分としてチタン酸バリウム
を、副成分として酸化マグネシウムと、酸化マンガン
と、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カル
シウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素と
を含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ3に、酸化マ
グネシウムをＭｇＯに、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化
イットリウムをＹ2Ｏ3に、酸化バリウムをＢａＯに、酸
化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ2にそれ
ぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ3１００モルに対する比
率が、ＭｇＯ：０．１〜３モル、ＭｎＯ：０．０５〜
１．０モル、Ｙ2Ｏ3：１モル以下、ＢａＯ＋ＣａＯ：２
〜１２モル、ＳｉＯ2：２〜１２モルであるＥＬ素子と
した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄型でかつ平板状
の表示手段として好適に用いられるＥＬ素子に関するも
のである。
の表示手段として好適に用いられるＥＬ素子に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】上下の絶縁体薄膜の間に無機化合物から
なる発光層を設けて交流で駆動するＥＬ素子は、輝度特
性、安定性に優れ、各種のディスプレーとして、全工程
を薄膜プロセスで製造されたものが実用化されている。
図２にこの種の発光素子の基本構造を示す。
なる発光層を設けて交流で駆動するＥＬ素子は、輝度特
性、安定性に優れ、各種のディスプレーとして、全工程
を薄膜プロセスで製造されたものが実用化されている。
図２にこの種の発光素子の基本構造を示す。
【０００３】ガラス基板２１上にＩＴＯ等の透明電極２
２、薄膜第１絶縁体層２３、ＺｎＳ：Ｍｎ等のエレクト
ロルミネセンスを生じる蛍光体物質からなる薄膜発光層
２４、更にその上に薄膜第２絶縁体層２５、Ａｌ薄膜等
の背面電極２６からなる多層薄膜構造を有しており、透
明なガラス基板側から発せられる光を利用するものであ
る。
２、薄膜第１絶縁体層２３、ＺｎＳ：Ｍｎ等のエレクト
ロルミネセンスを生じる蛍光体物質からなる薄膜発光層
２４、更にその上に薄膜第２絶縁体層２５、Ａｌ薄膜等
の背面電極２６からなる多層薄膜構造を有しており、透
明なガラス基板側から発せられる光を利用するものであ
る。
【０００４】薄膜第１及び第２絶縁体層はＹ2Ｏ3、Ｔａ
2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3
等の透明誘電体薄膜であり、スパッタリングや蒸着法に
より形成されている。
2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3
等の透明誘電体薄膜であり、スパッタリングや蒸着法に
より形成されている。
【０００５】これらの絶縁体層は発光層内を流れる電流
を制限し、薄膜ＥＬ素子の動作の安定性、発光特性の改
善に寄与すると共に湿気や有害なイオンの汚染から発光
層を保護し薄膜ＥＬ素子の信頼性を改善する重要な機能
を果たす。
を制限し、薄膜ＥＬ素子の動作の安定性、発光特性の改
善に寄与すると共に湿気や有害なイオンの汚染から発光
層を保護し薄膜ＥＬ素子の信頼性を改善する重要な機能
を果たす。
【０００６】しかし、このような素子においては、実用
上の問題点もある。すなわち、素子の絶縁破壊を広い面
積にわたって皆無にすることが困難であり歩留まりが低
いことや、絶縁体層に電圧が分割印加されるために発光
に必要な素子に印加する駆動電圧が高くなることであ
る。
上の問題点もある。すなわち、素子の絶縁破壊を広い面
積にわたって皆無にすることが困難であり歩留まりが低
いことや、絶縁体層に電圧が分割印加されるために発光
に必要な素子に印加する駆動電圧が高くなることであ
る。
【０００７】絶縁破壊の問題に関しては、絶縁耐圧特性
の良好な絶縁体材料を用いることが望ましい。また、発
光駆動電圧に関しては絶縁体層への印加電圧の分割分を
少なくするために絶縁体層の容量を大きくすることが好
ましい。またこのような交流駆動型薄膜ＥＬ素子の動作
原理上、発光に寄与する発光層内を流れる電流は絶縁体
層の容量にほぼ比例する。従って絶縁体層の容量を大き
くすることは駆動電圧を低下させると共に発光輝度を高
くする点でも重要である。
の良好な絶縁体材料を用いることが望ましい。また、発
光駆動電圧に関しては絶縁体層への印加電圧の分割分を
少なくするために絶縁体層の容量を大きくすることが好
ましい。またこのような交流駆動型薄膜ＥＬ素子の動作
原理上、発光に寄与する発光層内を流れる電流は絶縁体
層の容量にほぼ比例する。従って絶縁体層の容量を大き
くすることは駆動電圧を低下させると共に発光輝度を高
くする点でも重要である。
【０００８】このために、スパッタ法で形成した高誘電
率の強誘電体ＰｂＴｉＯ3膜を絶縁体層として採用する
ことにより低電圧駆動が試みられている。このＰｂＴｉ
Ｏ3スパッタ膜は最高１９０の比誘電率で０．５ＭＶ／c
mの絶縁耐圧を示すが、ＰｂＴｉＯ3膜の成膜時の基板温
度は６００℃程度の高温が必要であり、ガラス基板を使
った従来の薄膜ＥＬ素子では製造が難しい。このほか、
強誘電体膜としてスパッタ法によるＳｒＴｉＯ3膜も知
られている。ＳｒＴｉＯ3スパッタ膜の比誘電率は１４
０、絶縁破壊電圧は１．５〜２ＭＶ／cmである。この膜
は、成膜温度は４００℃であるが、またスパッタ成膜中
にＩＴＯ透明電極を還元して黒化させるので、ガラス基
板を使った薄膜型の薄膜ＥＬ素子での実用化には問題が
あった。
率の強誘電体ＰｂＴｉＯ3膜を絶縁体層として採用する
ことにより低電圧駆動が試みられている。このＰｂＴｉ
Ｏ3スパッタ膜は最高１９０の比誘電率で０．５ＭＶ／c
mの絶縁耐圧を示すが、ＰｂＴｉＯ3膜の成膜時の基板温
度は６００℃程度の高温が必要であり、ガラス基板を使
った従来の薄膜ＥＬ素子では製造が難しい。このほか、
強誘電体膜としてスパッタ法によるＳｒＴｉＯ3膜も知
られている。ＳｒＴｉＯ3スパッタ膜の比誘電率は１４
０、絶縁破壊電圧は１．５〜２ＭＶ／cmである。この膜
は、成膜温度は４００℃であるが、またスパッタ成膜中
にＩＴＯ透明電極を還元して黒化させるので、ガラス基
板を使った薄膜型の薄膜ＥＬ素子での実用化には問題が
あった。
【０００９】この問題を解決する一つの手段として、ガ
ラス基板に高い軟化点を有し、高温で処理できるものを
採用することも考えられるが、この場合、基板の価格が
高価になるとともに、この場合でも処理温度は６００℃
が上限であった。
ラス基板に高い軟化点を有し、高温で処理できるものを
採用することも考えられるが、この場合、基板の価格が
高価になるとともに、この場合でも処理温度は６００℃
が上限であった。
【００１０】また、別の解決手段として絶縁体層を薄く
して用いると、絶縁耐圧が十分でなかったので、ＩＴＯ
膜のエッジ部で絶縁破壊が生じやすくなり、大面積、大
表示容量のディスプレイの実現の阻害要因となってい
た。
して用いると、絶縁耐圧が十分でなかったので、ＩＴＯ
膜のエッジ部で絶縁破壊が生じやすくなり、大面積、大
表示容量のディスプレイの実現の阻害要因となってい
た。
【００１１】このように従来の薄膜ＥＬ素子では高い駆
動電圧が要求され、このため高耐電圧の高価な駆動回路
が必要であったし、表示装置として高価格なものになら
ざるを得ず、また大面積化も困難であった。
動電圧が要求され、このため高耐電圧の高価な駆動回路
が必要であったし、表示装置として高価格なものになら
ざるを得ず、また大面積化も困難であった。
【００１２】これらの問題に対し、図３に示すような、
セラミック基板３１と、厚膜第１電極３２と、高誘電率
セラミック第１絶縁体層３３からなる積層セラミック構
造体の上に、薄膜発光層３４と薄膜第２絶縁体層３５と
透明第２電極３６を設けたＥＬ素子が知られている。
セラミック基板３１と、厚膜第１電極３２と、高誘電率
セラミック第１絶縁体層３３からなる積層セラミック構
造体の上に、薄膜発光層３４と薄膜第２絶縁体層３５と
透明第２電極３６を設けたＥＬ素子が知られている。
【００１３】しかしながら、このＥＬ素子では、第１絶
縁体層に低温焼結用のＰｂ系ペロブスカイト系の材料を
用いており、絶縁耐圧が十分でないために層厚を厚くし
て用いる必要があった。このため、発光開始電圧を十分
低く押さえることはできなかった。
縁体層に低温焼結用のＰｂ系ペロブスカイト系の材料を
用いており、絶縁耐圧が十分でないために層厚を厚くし
て用いる必要があった。このため、発光開始電圧を十分
低く押さえることはできなかった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、絶縁
耐圧と、比誘電率が大きく、かつそれらの経時変化の小
さい絶縁体層を使って、発光開始電圧や発光駆動電圧が
低く、安定した発光が得られるＥＬ素子を提供すること
である。
耐圧と、比誘電率が大きく、かつそれらの経時変化の小
さい絶縁体層を使って、発光開始電圧や発光駆動電圧が
低く、安定した発光が得られるＥＬ素子を提供すること
である。
【００１５】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（４）の本発明によって達成される。 （１） 電気絶縁性基板と、所定のパターンに形成され
た第１電極と、第１絶縁体層と、エレクトロルミネセン
スを生じる発光層と、第２絶縁体層と、第２電極層が順
次積層された構造体のＥＬ素子において、前記第１絶縁
体層および前記第２絶縁体層の少なくとも一方が、主成
分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネ
シウムと、酸化マンガンと、酸化イットリウムと、酸化
バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくと
も１種と、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムを
ＢａＴｉＯ3に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化マ
ンガンをＭｎＯに、酸化イットリウムをＹ2Ｏ3に、酸化
バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化
ケイ素をＳｉＯ2にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ3
１００モルに対する比率が、 ＭｇＯ：０．１〜３モル、 ＭｎＯ：０．０５〜１．０モル、 Ｙ2Ｏ3：１モル以下、 ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、 ＳｉＯ2：２〜１２モル であるＥＬ素子。 （２） 前記電気絶縁性基板および前記第１絶縁体層
は、セラミック材で形成されている上記（１）のＥＬ素
子。 （３） ＢａＴｉＯ3、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＹ2Ｏ3の
合計に対し、ＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ2が（ＢａxＣ
ａ1-xＯ）y・ＳｉＯ2（ただし、０．３≦ｘ≦０．７、
０．９５≦ｙ≦１．０５である。）として１〜１０重量
％含有される上記（１）または（２）のＥＬ素子。 （４） 前記第１電極が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏのいず
れか１種またはこれらのいずれか１種以上を主成分とす
る合金である上記（２）または（３）のＥＬ素子。
（１）〜（４）の本発明によって達成される。 （１） 電気絶縁性基板と、所定のパターンに形成され
た第１電極と、第１絶縁体層と、エレクトロルミネセン
スを生じる発光層と、第２絶縁体層と、第２電極層が順
次積層された構造体のＥＬ素子において、前記第１絶縁
体層および前記第２絶縁体層の少なくとも一方が、主成
分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネ
シウムと、酸化マンガンと、酸化イットリウムと、酸化
バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくと
も１種と、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムを
ＢａＴｉＯ3に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化マ
ンガンをＭｎＯに、酸化イットリウムをＹ2Ｏ3に、酸化
バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化
ケイ素をＳｉＯ2にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ3
１００モルに対する比率が、 ＭｇＯ：０．１〜３モル、 ＭｎＯ：０．０５〜１．０モル、 Ｙ2Ｏ3：１モル以下、 ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、 ＳｉＯ2：２〜１２モル であるＥＬ素子。 （２） 前記電気絶縁性基板および前記第１絶縁体層
は、セラミック材で形成されている上記（１）のＥＬ素
子。 （３） ＢａＴｉＯ3、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＹ2Ｏ3の
合計に対し、ＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ2が（ＢａxＣ
ａ1-xＯ）y・ＳｉＯ2（ただし、０．３≦ｘ≦０．７、
０．９５≦ｙ≦１．０５である。）として１〜１０重量
％含有される上記（１）または（２）のＥＬ素子。 （４） 前記第１電極が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏのいず
れか１種またはこれらのいずれか１種以上を主成分とす
る合金である上記（２）または（３）のＥＬ素子。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て詳細に説明する。本発明のＥＬ素子の基本構成例を図
１に示す。本発明のＥＬ素子は、電気絶縁性基板１１と
所定のパターンに形成された第１電極１２と第１絶縁体
層１３とからなる構造体と、さらにその上に設けられた
真空蒸着、スパッタリング法、ＣＶＤ法等で形成される
エレクトロルミネセンスを生じる発光層１４と第２絶縁
体層１５と、好ましくは透明電極からなる第２電極層１
６とを有する基本構造を有し、第１絶縁体層１３および
第２絶縁体層１５の少なくとも一方の材質が、次ぎに詳
細に説明するような特定組成物であることを特徴として
いる。
て詳細に説明する。本発明のＥＬ素子の基本構成例を図
１に示す。本発明のＥＬ素子は、電気絶縁性基板１１と
所定のパターンに形成された第１電極１２と第１絶縁体
層１３とからなる構造体と、さらにその上に設けられた
真空蒸着、スパッタリング法、ＣＶＤ法等で形成される
エレクトロルミネセンスを生じる発光層１４と第２絶縁
体層１５と、好ましくは透明電極からなる第２電極層１
６とを有する基本構造を有し、第１絶縁体層１３および
第２絶縁体層１５の少なくとも一方の材質が、次ぎに詳
細に説明するような特定組成物であることを特徴として
いる。
【００１７】発光層１４は、通常のＥＬ素子と同様であ
り、第２電極１６は通常の薄膜プロセスを使って設けら
れるＩＴＯ膜等を用いる。
り、第２電極１６は通常の薄膜プロセスを使って設けら
れるＩＴＯ膜等を用いる。
【００１８】好ましい発光層の材料としては、例えば、
月刊ディスプレイ ’９８ ４月号最近のディスプレイ
の技術動向 田中省作 p1〜10に記載されているような
材料を挙げることができる。具体的には、赤色発光を得
る材料として、ＺｎＳ、Ｍｎ／ＣｄＳＳｅ等、緑色発光
を得る材料として、ＺｎＳ：ＴｂＯＦ、ＺｎＳ：Ｔｂ、
ＺｎＳ：Ｔｂ等、青色発光を得るための材料として、Ｓ
ｒＳ：Ｃｅ、（ＳｒＳ：Ｃｅ／ＺｎＳ）ｎ、ＣａＣａ2
Ｓ4：Ｃｅ、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ等を挙げることができ
る。
月刊ディスプレイ ’９８ ４月号最近のディスプレイ
の技術動向 田中省作 p1〜10に記載されているような
材料を挙げることができる。具体的には、赤色発光を得
る材料として、ＺｎＳ、Ｍｎ／ＣｄＳＳｅ等、緑色発光
を得る材料として、ＺｎＳ：ＴｂＯＦ、ＺｎＳ：Ｔｂ、
ＺｎＳ：Ｔｂ等、青色発光を得るための材料として、Ｓ
ｒＳ：Ｃｅ、（ＳｒＳ：Ｃｅ／ＺｎＳ）ｎ、ＣａＣａ2
Ｓ4：Ｃｅ、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ等を挙げることができ
る。
【００１９】また、白色発光を得るものとして、Ｓｒ
Ｓ：Ｃｅ／ＺｎＳ：Ｍｎ等が知られている。
Ｓ：Ｃｅ／ＺｎＳ：Ｍｎ等が知られている。
【００２０】これらのなかでも、上記ＩＤＷ(Internati
onal Display Workshop)’97 X.Wu"Multicolor Thin-Fi
lm Ceramic Hybrid EL Displays" p593 to 596 で検討
されている、ＳｒＳ：Ｃｅの青色発光層を有するＥＬに
本発明を適用することにより特に好ましい結果を得るこ
とができる。
onal Display Workshop)’97 X.Wu"Multicolor Thin-Fi
lm Ceramic Hybrid EL Displays" p593 to 596 で検討
されている、ＳｒＳ：Ｃｅの青色発光層を有するＥＬに
本発明を適用することにより特に好ましい結果を得るこ
とができる。
【００２１】発光層の膜厚としては、特に制限されるも
のではないが、厚すぎると駆動電圧が上昇し、薄すぎる
と発光効率が低下する。具体的には、蛍光材料にもよる
が、好ましくは１００〜１０００nm、特に１５０〜５０
０nm程度である。
のではないが、厚すぎると駆動電圧が上昇し、薄すぎる
と発光効率が低下する。具体的には、蛍光材料にもよる
が、好ましくは１００〜１０００nm、特に１５０〜５０
０nm程度である。
【００２２】発光層の形成方法は、気相堆積法を用いる
ことができる。気相堆積法としては、スパッタ法や蒸着
法等の物理的気相堆積法や、ＣＶＤ法等の化学的気相堆
積法を挙げることができる。これらのなかでもＣＶＤ法
等の化学的気相堆積法が好ましい。
ことができる。気相堆積法としては、スパッタ法や蒸着
法等の物理的気相堆積法や、ＣＶＤ法等の化学的気相堆
積法を挙げることができる。これらのなかでもＣＶＤ法
等の化学的気相堆積法が好ましい。
【００２３】また、特に上記ＩＤＷに記載されているよ
うに、ＳｒＳ：Ｃｅの発光層を形成する場合には、Ｈ2
Ｓ雰囲気下、エレクトロンビーム蒸着法により形成する
と、高純度の発光層を得ることができる。
うに、ＳｒＳ：Ｃｅの発光層を形成する場合には、Ｈ2
Ｓ雰囲気下、エレクトロンビーム蒸着法により形成する
と、高純度の発光層を得ることができる。
【００２４】発光層の形成後、好ましくは加熱処理を行
う。加熱処理は、基板側から電極層、絶縁層、発光層と
積層した後に行ってもよいし、基板側から電極層、絶縁
層、発光層、絶縁層、あるいはこれに電極層を形成した
後にキャップアニールしてもよい。通常、キャップアニ
ール法を用いることが好ましい。熱処理の温度は、好ま
しくは６００〜基板の焼結温度、より好ましくは６００
〜１３００℃、特に８００〜１２００℃程度、処理時間
は１０ 〜６００分、特に３０〜１８０分程度である。
アニール処理時の雰囲気としては、Ｎ2 、Ａｒ、Ｈｅま
たはＮ2 中にＯ 2 が０．１％以下の雰囲気が好ましい。
う。加熱処理は、基板側から電極層、絶縁層、発光層と
積層した後に行ってもよいし、基板側から電極層、絶縁
層、発光層、絶縁層、あるいはこれに電極層を形成した
後にキャップアニールしてもよい。通常、キャップアニ
ール法を用いることが好ましい。熱処理の温度は、好ま
しくは６００〜基板の焼結温度、より好ましくは６００
〜１３００℃、特に８００〜１２００℃程度、処理時間
は１０ 〜６００分、特に３０〜１８０分程度である。
アニール処理時の雰囲気としては、Ｎ2 、Ａｒ、Ｈｅま
たはＮ2 中にＯ 2 が０．１％以下の雰囲気が好ましい。
【００２５】透明電極材料は、電界を効率よく発生させ
るため、比較的低抵抗の物質が好ましい。具体的には、
錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化イ
ンジウム（ＩＺＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3 ）、
酸化スズ（ＳｎＯ2 ）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）のいず
れかを主組成としたものが好ましい。これらの酸化物は
その化学量論組成から多少偏倚していてもよい。Ｉｎ2
Ｏ3 に対するＳｎＯ2の混合比は、１〜２０wt％、さら
には５〜１２wt％が好ましい。また、ＩＺＯでのＩｎ2
Ｏ3 に対するＺｎＯの混合比は、通常、１２〜３２wt％
程度である。
るため、比較的低抵抗の物質が好ましい。具体的には、
錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化イ
ンジウム（ＩＺＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3 ）、
酸化スズ（ＳｎＯ2 ）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）のいず
れかを主組成としたものが好ましい。これらの酸化物は
その化学量論組成から多少偏倚していてもよい。Ｉｎ2
Ｏ3 に対するＳｎＯ2の混合比は、１〜２０wt％、さら
には５〜１２wt％が好ましい。また、ＩＺＯでのＩｎ2
Ｏ3 に対するＺｎＯの混合比は、通常、１２〜３２wt％
程度である。
【００２６】第１絶縁体層に以下に詳細に説明する特定
組成の強誘電体材料を用いる場合、基板、第１電極、第
１絶縁体層が積層セラミック構造体であることが好まし
い。この場合、第１絶縁体層と基板に同一の材料または
同一の材料系を用いることができる。
組成の強誘電体材料を用いる場合、基板、第１電極、第
１絶縁体層が積層セラミック構造体であることが好まし
い。この場合、第１絶縁体層と基板に同一の材料または
同一の材料系を用いることができる。
【００２７】第１絶縁体層は、チタン酸バリウム系の強
誘電体からなり、主成分としてチタン酸バリウム、副成
分として酸化マグネシウムと、酸化マンガンと、酸化バ
リウムおよび酸化カルシウムから選択されるすくなくと
も１種と、酸化ケイ素とを含有する。チタン酸バリウム
をＢａＴｉＯ3に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化
マンガンをＭｎＯに酸化バリウムをＢａＯに酸化カルシ
ウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ2 にそれぞれ換算
したとき、絶縁体層中における各化合物の比率は、Ｂａ
ＴｉＯ3１００モルに対しＭｇＯ：０．１〜３モル、好
ましくは０．５〜１．５モル、ＭｎＯ：０．０５〜１．
０モル、好ましくは０．２〜０．４モル、ＢａＯ＋Ｃａ
Ｏ：２〜１２モル、ＳｉＯ2：２〜１２モルである。
誘電体からなり、主成分としてチタン酸バリウム、副成
分として酸化マグネシウムと、酸化マンガンと、酸化バ
リウムおよび酸化カルシウムから選択されるすくなくと
も１種と、酸化ケイ素とを含有する。チタン酸バリウム
をＢａＴｉＯ3に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化
マンガンをＭｎＯに酸化バリウムをＢａＯに酸化カルシ
ウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ2 にそれぞれ換算
したとき、絶縁体層中における各化合物の比率は、Ｂａ
ＴｉＯ3１００モルに対しＭｇＯ：０．１〜３モル、好
ましくは０．５〜１．５モル、ＭｎＯ：０．０５〜１．
０モル、好ましくは０．２〜０．４モル、ＢａＯ＋Ｃａ
Ｏ：２〜１２モル、ＳｉＯ2：２〜１２モルである。
【００２８】（ＢａＯ＋ＣａＯ）／ＳｉＯ2は特に限定
されないが、通常、０．９〜１．１とすることが好まし
い。ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｉＯ2は、（ＢａxＣａ1-xＯ）y
・ＳｉＯ2として含まれていてもよい。この場合、緻密
な焼結体を得るためには、０．３≦ｘ≦０．７、０．９
５≦ｙ≦１．０５とすることが好ましい。
されないが、通常、０．９〜１．１とすることが好まし
い。ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｉＯ2は、（ＢａxＣａ1-xＯ）y
・ＳｉＯ2として含まれていてもよい。この場合、緻密
な焼結体を得るためには、０．３≦ｘ≦０．７、０．９
５≦ｙ≦１．０５とすることが好ましい。
【００２９】（ＢａxＣａ1-xＯ）y・ＳｉＯ2の含有量
は、ＢａＴｉＯ3、ＭｇＯおよびＭｎＯの合計に対し、
好ましくは、１〜１０重量％、より好ましくは４〜６重
量％である。
は、ＢａＴｉＯ3、ＭｇＯおよびＭｎＯの合計に対し、
好ましくは、１〜１０重量％、より好ましくは４〜６重
量％である。
【００３０】なお、各酸化物の酸化状態は特に限定され
ず、各酸化物を構成する金属元素の含有量が上記範囲で
あればよい。
ず、各酸化物を構成する金属元素の含有量が上記範囲で
あればよい。
【００３１】第１絶縁体層には、ＢａＴｉＯ3に換算し
たチタン酸バリウム１００モルに対し、Ｙ2Ｏ3に換算し
て１モル以下の酸化イットリウムが副成分として含まれ
ることが好ましい。Ｙ2Ｏ3含有量の下限は特にないが、
十分な効果を実現するためには、０．１モル以上含まれ
ることが好ましい。酸化イットリウムを含む場合、（Ｂ
ａxＣａ1-xＯ）y・ＳｉＯ2の含有量は、ＢａＴｉＯ3、
ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＹ2Ｏ3の合計に対し、好ましく
は、１〜１０重量％、より好ましくは４〜６重量％であ
る。
たチタン酸バリウム１００モルに対し、Ｙ2Ｏ3に換算し
て１モル以下の酸化イットリウムが副成分として含まれ
ることが好ましい。Ｙ2Ｏ3含有量の下限は特にないが、
十分な効果を実現するためには、０．１モル以上含まれ
ることが好ましい。酸化イットリウムを含む場合、（Ｂ
ａxＣａ1-xＯ）y・ＳｉＯ2の含有量は、ＢａＴｉＯ3、
ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＹ2Ｏ3の合計に対し、好ましく
は、１〜１０重量％、より好ましくは４〜６重量％であ
る。
【００３２】なお、第１絶縁体層には他の化合物が含ま
れてもよいが、酸化コバルトは容量変化を増大させるの
で実質的に含まれないことが好ましい。
れてもよいが、酸化コバルトは容量変化を増大させるの
で実質的に含まれないことが好ましい。
【００３３】上記各副成分の限定理由は下記のとおりで
ある。酸化マグネシウムの含有量が前記範囲未満である
と、容量の温度特性が劣化する。酸化マグネシウムの含
有量が前記範囲を越えると、焼結性が急激に悪化し、緻
密化が不十分となって絶縁耐圧の経時変化が大きくな
り、薄い膜厚で使うことが難しくなる。
ある。酸化マグネシウムの含有量が前記範囲未満である
と、容量の温度特性が劣化する。酸化マグネシウムの含
有量が前記範囲を越えると、焼結性が急激に悪化し、緻
密化が不十分となって絶縁耐圧の経時変化が大きくな
り、薄い膜厚で使うことが難しくなる。
【００３４】酸化マンガンの含有量が前記範囲未満であ
ると、良好な耐還元性が得られず、第１電極に酸化され
やすいＮｉを使ったときに、絶縁耐圧の経時変化が大き
くなり、薄い膜厚で使うことが難しくなる。酸化マンガ
ンの含有量が前記範囲を越えていると、容量の経時変化
が大きくなり、発光素子の発光輝度の経時変化が大きく
なる。
ると、良好な耐還元性が得られず、第１電極に酸化され
やすいＮｉを使ったときに、絶縁耐圧の経時変化が大き
くなり、薄い膜厚で使うことが難しくなる。酸化マンガ
ンの含有量が前記範囲を越えていると、容量の経時変化
が大きくなり、発光素子の発光輝度の経時変化が大きく
なる。
【００３５】ＢａＯ＋ＣａＯや、ＳｉＯ2、（ＢａxＣａ
1-xＯ）y・ＳｉＯ2の含有量が少なすぎると容量の経時
変化が大きくなり、発光素子の発光輝度の経時変化が大
きくなる。含有量が多すぎると誘電率が急激に低下し、
発光開始電圧が上昇し、また輝度が低下する。
1-xＯ）y・ＳｉＯ2の含有量が少なすぎると容量の経時
変化が大きくなり、発光素子の発光輝度の経時変化が大
きくなる。含有量が多すぎると誘電率が急激に低下し、
発光開始電圧が上昇し、また輝度が低下する。
【００３６】酸化イットリウムは、絶縁耐圧の耐久性を
向上させる。 酸化イットリウムの含有量が前記範囲を
越えると、容量が減少し、また、焼結性が低下して緻密
化が不十分となることがある。
向上させる。 酸化イットリウムの含有量が前記範囲を
越えると、容量が減少し、また、焼結性が低下して緻密
化が不十分となることがある。
【００３７】また、第１絶縁層中には、酸化アルミニウ
ムが含有されていてもよい。酸化アルミニウムの添加
は、焼結温度を低下させることができる。Ａｌ2Ｏ3に換
算したときの酸化アルミニウムの含有量は、第１絶縁体
層材料全体の１重量％以下が好ましい。酸化アルミニウ
ムの含有量が多すぎると、逆に第１絶縁体層の焼結を阻
害する。
ムが含有されていてもよい。酸化アルミニウムの添加
は、焼結温度を低下させることができる。Ａｌ2Ｏ3に換
算したときの酸化アルミニウムの含有量は、第１絶縁体
層材料全体の１重量％以下が好ましい。酸化アルミニウ
ムの含有量が多すぎると、逆に第１絶縁体層の焼結を阻
害する。
【００３８】第１絶縁体層の平均結晶粒径は、特に限定
されるものではないが、上記組成とすることにより、微
細な結晶が得られる。通常、平均結晶粒径は０．２〜
０．７μm 程度である。
されるものではないが、上記組成とすることにより、微
細な結晶が得られる。通常、平均結晶粒径は０．２〜
０．７μm 程度である。
【００３９】上記の積層セラミック構造体を用いる場合
の第１電極層の導電材料は、特に限定されないが、主成
分としてＡｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ等の金属の１種または２種以上や、これ
らの合金等を用いることができる。
の第１電極層の導電材料は、特に限定されないが、主成
分としてＡｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ等の金属の１種または２種以上や、これ
らの合金等を用いることができる。
【００４０】基板の材料は、上記の積層セラミック構造
体を用いる場合、特に限定されないが、Ａｌ2Ｏ3、及び
Ａｌ2Ｏ3に種々の目的、例えば焼成温度を調整する目的
等でＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＣａＯ等添加したものを等を用
いる。積層セラミック構造体を用いない場合には、通常
のＥＬ素子で使われているガラス基板を用いることがで
きるが、より高温での処理が可能な高融点ガラスが好ま
しい。
体を用いる場合、特に限定されないが、Ａｌ2Ｏ3、及び
Ａｌ2Ｏ3に種々の目的、例えば焼成温度を調整する目的
等でＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＣａＯ等添加したものを等を用
いる。積層セラミック構造体を用いない場合には、通常
のＥＬ素子で使われているガラス基板を用いることがで
きるが、より高温での処理が可能な高融点ガラスが好ま
しい。
【００４１】上記の積層セラミック構造体は、通常の記
載方法により製造される。即ち基板となるセラミック原
料粉末にバインダー混合してペーストを作り、キャステ
ィング成膜し、グリーンシートを製造する。セラミック
の内部電極となる第１電極は、グリーンシート上にスク
リーン印刷法等により印刷される。
載方法により製造される。即ち基板となるセラミック原
料粉末にバインダー混合してペーストを作り、キャステ
ィング成膜し、グリーンシートを製造する。セラミック
の内部電極となる第１電極は、グリーンシート上にスク
リーン印刷法等により印刷される。
【００４２】次いで、必要により、焼成を行ったのち、
そのうえに、高誘電体材料粉末にバインダーを混合して
作製されたペーストをスクリーン印刷法等で印刷して、
焼成し積層セラミック構造体が作製される。
そのうえに、高誘電体材料粉末にバインダーを混合して
作製されたペーストをスクリーン印刷法等で印刷して、
焼成し積層セラミック構造体が作製される。
【００４３】焼成は、脱バインダー処理を行ったのち、
１２００〜１４００℃、好ましくは１２５０〜１３００
℃で数十〜数時間行う。
１２００〜１４００℃、好ましくは１２５０〜１３００
℃で数十〜数時間行う。
【００４４】また、焼成では、酸素分圧を１０-8〜１０
-12気圧とすることが好ましい。この条件下では第１絶
縁体層が還元雰囲気であるため、電極に安価な卑金属、
例えばＮｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏのいずれか１種またはこれ
らのいずれか１種以上を主成分とする合金等を使用する
ことができる。この場合、必要に応じて、グリーンシー
トと第１電極のパターンの間に酸素の拡散防止層、例え
ば第１絶縁体層と同じ層を設けて焼成することができ
る。
-12気圧とすることが好ましい。この条件下では第１絶
縁体層が還元雰囲気であるため、電極に安価な卑金属、
例えばＮｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏのいずれか１種またはこれ
らのいずれか１種以上を主成分とする合金等を使用する
ことができる。この場合、必要に応じて、グリーンシー
トと第１電極のパターンの間に酸素の拡散防止層、例え
ば第１絶縁体層と同じ層を設けて焼成することができ
る。
【００４５】還元性雰囲気中で焼成した場合、複合基板
にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、第１
絶縁体層を再酸化するための処理であり、これにより絶
縁耐圧の経時変化を小さくすることができる。
にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、第１
絶縁体層を再酸化するための処理であり、これにより絶
縁耐圧の経時変化を小さくすることができる。
【００４６】アニール雰囲気中の酸素分圧は、１０-6気
圧以上、特に１０-5〜１０-4気圧とすることが好まし
い。酸素分圧が前記範囲未満であると絶縁体層または誘
電体層の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部
導体が酸化する傾向にある。
圧以上、特に１０-5〜１０-4気圧とすることが好まし
い。酸素分圧が前記範囲未満であると絶縁体層または誘
電体層の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部
導体が酸化する傾向にある。
【００４７】アニールの際の保持温度は、１１００℃以
下、特に５００〜１０００℃とすることが好ましい。保
持温度が前記範囲未満であると絶縁体層または誘電体層
の酸化が不十分となって寿命が短くなる傾向にあり、前
記範囲を超えると電極層が酸化し、容量が低下するだけ
でなく、絶縁体素地、誘電体素地と反応してしまい、寿
命も短くなる傾向にある。
下、特に５００〜１０００℃とすることが好ましい。保
持温度が前記範囲未満であると絶縁体層または誘電体層
の酸化が不十分となって寿命が短くなる傾向にあり、前
記範囲を超えると電極層が酸化し、容量が低下するだけ
でなく、絶縁体素地、誘電体素地と反応してしまい、寿
命も短くなる傾向にある。
【００４８】なお、アニール工程は昇温および降温だけ
から構成してもよい。この場合、温度保持時間は零であ
り、保持温度は最高温度と同義である。また、温度保持
時間は、０〜２０時間、特に２〜１０時間が好ましい。
雰囲気用ガスには、加湿したＮ2 ガス等を用いることが
好ましい。
から構成してもよい。この場合、温度保持時間は零であ
り、保持温度は最高温度と同義である。また、温度保持
時間は、０〜２０時間、特に２〜１０時間が好ましい。
雰囲気用ガスには、加湿したＮ2 ガス等を用いることが
好ましい。
【００４９】積層セラミック構造体の作製法は、この外
にも種々の方法を採用することができる。例えば、
にも種々の方法を採用することができる。例えば、
【００５０】（１）ＰＥＴ等のフィルムシートを用意
し、その上に第１絶縁体層用の所定の誘電体材料を含む
ペーストを印刷法等で全面に印刷し、その上に第１電極
用の導電材料を含むペーストのパターンをスクリーン印
刷法等で形成し、その上に基板用のアルミナその他の添
加物等含むペーストからなるグリーンシートを形成した
積層体を作り、フィルムシートからはずして、焼結す
る。この場合には、フィルムシートと接していた面に発
光層等を設けることになるが、この方法では、非常に平
坦な面が得られるのが特徴である。
し、その上に第１絶縁体層用の所定の誘電体材料を含む
ペーストを印刷法等で全面に印刷し、その上に第１電極
用の導電材料を含むペーストのパターンをスクリーン印
刷法等で形成し、その上に基板用のアルミナその他の添
加物等含むペーストからなるグリーンシートを形成した
積層体を作り、フィルムシートからはずして、焼結す
る。この場合には、フィルムシートと接していた面に発
光層等を設けることになるが、この方法では、非常に平
坦な面が得られるのが特徴である。
【００５１】（２）予め焼成されたアルミナ等のセラミ
ック基板を用意し、基板面に第１電極用の導電材料を含
むペーストのパターンを印刷法等で形成し、その上に第
１絶縁体層用の所定の誘電体材料を含むペーストをスク
リーン印刷等で全面に印刷し、基板ごと焼結する方法等
を採用することができる。
ック基板を用意し、基板面に第１電極用の導電材料を含
むペーストのパターンを印刷法等で形成し、その上に第
１絶縁体層用の所定の誘電体材料を含むペーストをスク
リーン印刷等で全面に印刷し、基板ごと焼結する方法等
を採用することができる。
【００５２】ＥＬ素子では、互いに直交する第１電極と
第２電極で画定された部分で発光表示を行うものであ
り、電極は電流供給の機能と画素表示の機能を兼ねるも
のであり、必要に応じて任意のパターンに形成される。
第２電極で画定された部分で発光表示を行うものであ
り、電極は電流供給の機能と画素表示の機能を兼ねるも
のであり、必要に応じて任意のパターンに形成される。
【００５３】基板、第１電極、第１絶縁体層を積層セラ
ミック構造体として作製する場合、第１電極のパターン
はスクリーン印刷法により容易に形成できる。通常、Ｅ
Ｌ素子のディスプレイにおいては極端に微細な電極パタ
ーンが要求されることはほとんどなく、スクリーン印刷
法で十分であり、大面積に低コストで電極形成できる利
点を有している。微細な電極パターンが要求される場合
にはフォトリソグラフ技術を用いることもできる。
ミック構造体として作製する場合、第１電極のパターン
はスクリーン印刷法により容易に形成できる。通常、Ｅ
Ｌ素子のディスプレイにおいては極端に微細な電極パタ
ーンが要求されることはほとんどなく、スクリーン印刷
法で十分であり、大面積に低コストで電極形成できる利
点を有している。微細な電極パターンが要求される場合
にはフォトリソグラフ技術を用いることもできる。
【００５４】以上述べたように、本発明のＥＬ素子は交
流型ＥＬ素子の重要な構成要素である第１絶縁体層およ
び第２絶縁体層の少なくとも一方に、特定組成のセラミ
ックを採用する。このセラミックは、比誘電率が２００
０以上で、絶縁耐圧が１５０ＭＶ／ｍであり、ＥＬ素子
の絶縁体層として好ましいものである。
流型ＥＬ素子の重要な構成要素である第１絶縁体層およ
び第２絶縁体層の少なくとも一方に、特定組成のセラミ
ックを採用する。このセラミックは、比誘電率が２００
０以上で、絶縁耐圧が１５０ＭＶ／ｍであり、ＥＬ素子
の絶縁体層として好ましいものである。
【００５５】この結果、従来セラミック構造体を用いた
ＥＬ素子では、第１絶縁体層の破壊を防ぐため、第１絶
縁体層として３０〜４０μmの厚さが必要であったが、
本発明では第１絶縁体層の厚みを１０μm以下、特に２
〜５μmまで下げることができ、ＥＬ素子の発光駆動電
圧を低くすることができる。このことは、同じ発光輝度
で用いる場合には、低い駆動電圧で駆動できることを現
しており、駆動回路の設計上極めて有効である。
ＥＬ素子では、第１絶縁体層の破壊を防ぐため、第１絶
縁体層として３０〜４０μmの厚さが必要であったが、
本発明では第１絶縁体層の厚みを１０μm以下、特に２
〜５μmまで下げることができ、ＥＬ素子の発光駆動電
圧を低くすることができる。このことは、同じ発光輝度
で用いる場合には、低い駆動電圧で駆動できることを現
しており、駆動回路の設計上極めて有効である。
【００５６】また、絶縁破壊電圧が大きく、一定の電圧
を印加したときの比誘電率の経時変化に優れるので、長
時間安定した発光が得られる。
を印加したときの比誘電率の経時変化に優れるので、長
時間安定した発光が得られる。
【００５７】以上説明した積層セラミック構造体の上
に、蒸着やスパッタ等の薄膜プロセスにより、発光層等
を形成し本発明のＥＬ素子が得られる。
に、蒸着やスパッタ等の薄膜プロセスにより、発光層等
を形成し本発明のＥＬ素子が得られる。
【００５８】
【実施例】Ａｌ2Ｏ3粉末と添加物としてＳｉＯ2、Ｍｇ
Ｏ、ＣａＯの各粉末とを混合したものにバインダーを加
えて混合し、ペーストとしたのちキャスティング成膜に
より厚さ１mmのセラミック基板となるグリーンシートを
作製した。このセラミック前駆体上にスクリーン印刷に
よりＮｉペーストを０．３ｍｍ幅、ピッチ：０．５ｍｍ
のストライプ状のパターンを、膜厚：１μm に形成し
た。第１絶縁体層用の材料として、表１の組成を有する
予焼粉末を含むペーストを作製し、これを電極パターン
の形成されたグリーンシートのうえに全面に印刷した。
この印刷の厚さは、焼成後に４μmになるようにした。
Ｏ、ＣａＯの各粉末とを混合したものにバインダーを加
えて混合し、ペーストとしたのちキャスティング成膜に
より厚さ１mmのセラミック基板となるグリーンシートを
作製した。このセラミック前駆体上にスクリーン印刷に
よりＮｉペーストを０．３ｍｍ幅、ピッチ：０．５ｍｍ
のストライプ状のパターンを、膜厚：１μm に形成し
た。第１絶縁体層用の材料として、表１の組成を有する
予焼粉末を含むペーストを作製し、これを電極パターン
の形成されたグリーンシートのうえに全面に印刷した。
この印刷の厚さは、焼成後に４μmになるようにした。
【００５９】
【表１】
【００６０】このグリーンシートを、所定の条件下脱バ
インダー処理を行った後、加湿したＮ2とＨ2の混合ガス
雰囲気（酸素分圧：１０-9）で１２５０℃に一定時間保
持して焼成し、上記の酸化処理を行い積層セラミック構
造体を作製した。
インダー処理を行った後、加湿したＮ2とＨ2の混合ガス
雰囲気（酸素分圧：１０-9）で１２５０℃に一定時間保
持して焼成し、上記の酸化処理を行い積層セラミック構
造体を作製した。
【００６１】次ぎにＺｎＳとＭｎの共蒸着法によりＺｎ
Ｓ：Ｍｎを０．３μmの厚さに真空蒸着した。特性の改
善のためにＡｒ中で６５０〜７５０℃、２時間のアニー
ルを行った。この後、Ｔａ2Ｏ3とＡｌ2Ｏ3の混合物から
なるターゲットを用いてスパッタ法でＴａＡｌＯ絶縁体
層を０．３μm形成し、第２絶縁体層とした。次ぎにス
パッタ法により、ＩＴＯ膜を０．４μm形成し、前記の
Ｎｉ厚膜ストライプ電極と直交する配置で０．３ｍｍ
幅、０．５ｍｍピッチにエッチングし、透明ストライプ
電極とした。
Ｓ：Ｍｎを０．３μmの厚さに真空蒸着した。特性の改
善のためにＡｒ中で６５０〜７５０℃、２時間のアニー
ルを行った。この後、Ｔａ2Ｏ3とＡｌ2Ｏ3の混合物から
なるターゲットを用いてスパッタ法でＴａＡｌＯ絶縁体
層を０．３μm形成し、第２絶縁体層とした。次ぎにス
パッタ法により、ＩＴＯ膜を０．４μm形成し、前記の
Ｎｉ厚膜ストライプ電極と直交する配置で０．３ｍｍ
幅、０．５ｍｍピッチにエッチングし、透明ストライプ
電極とした。
【００６２】得られたＥＬ素子の発光開始電圧、および
同様にして別途作製した第１絶縁体層の比誘電率と絶縁
破壊電圧を表１に示す。また、比較例として添加物（Ｍ
ｎＯ等）を添加しないＢａＴｉＯ3 厚膜を用いたときの
特性も示す。この場合、第１絶縁体層の絶縁破壊電圧が
低いため、膜厚を１００μm となるように形成した。
同様にして別途作製した第１絶縁体層の比誘電率と絶縁
破壊電圧を表１に示す。また、比較例として添加物（Ｍ
ｎＯ等）を添加しないＢａＴｉＯ3 厚膜を用いたときの
特性も示す。この場合、第１絶縁体層の絶縁破壊電圧が
低いため、膜厚を１００μm となるように形成した。
【００６３】従来の薄膜型のＥＬ素子の第１または第２
絶縁体層に本発明で用いる特定組成ＢａＴｉＯ3系強誘
電体膜を設ける場合には、分子線エピタキシーを用いた
共蒸着やイオンアシスト付のイオンビームスパッタ等を
用いることができ、この場合にも、耐熱性のある基板を
用いることにより、上述の積層セラミック構造体を使っ
たＥＬ素子と同様の効果が得られる。
絶縁体層に本発明で用いる特定組成ＢａＴｉＯ3系強誘
電体膜を設ける場合には、分子線エピタキシーを用いた
共蒸着やイオンアシスト付のイオンビームスパッタ等を
用いることができ、この場合にも、耐熱性のある基板を
用いることにより、上述の積層セラミック構造体を使っ
たＥＬ素子と同様の効果が得られる。
【００６４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板と第
１電極層と第１絶縁体層とを有する積層セラミック構造
体の、第１絶縁体層として、特定組成のＢａＴｉＯ3系
の誘電体材料を用いたことにより、低電圧駆動が可能
で、高電圧が印加されても絶縁破壊が生じ難く、長時間
安定した発光が得られるＥＬ素子を得ることができる。
１電極層と第１絶縁体層とを有する積層セラミック構造
体の、第１絶縁体層として、特定組成のＢａＴｉＯ3系
の誘電体材料を用いたことにより、低電圧駆動が可能
で、高電圧が印加されても絶縁破壊が生じ難く、長時間
安定した発光が得られるＥＬ素子を得ることができる。
【００６５】また、複合基板は、高温で焼成されている
ため、発光層を焼成温度以下の高温で熱処理することが
できるので、発光の安定化と輝度を高めることができ
る。
ため、発光層を焼成温度以下の高温で熱処理することが
できるので、発光の安定化と輝度を高めることができ
る。
【図１】本発明のＥＬ素子の断面を模式的に示したもの
である。
である。
【図２】従来の薄膜ＥＬ素子の断面を模式的に示したも
のである。
のである。
【図３】従来の積層セラミック構造体を使ったＥＬ素子
の断面を模式的に示したものである。
の断面を模式的に示したものである。
１１ 基板 １２ 第１電極層 １３ 第１絶縁体層 １４ 発光層 １５ 第２絶縁体層 １６ 第２電極層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高山 勝 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 野村 武史 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB01 AB02 AB06 CA01 CA02 CB01 DA05 DB01 DB02 DC02 DC04 EC01 EC02 FA01 FA03 4G031 AA03 AA04 AA06 AA08 AA11 AA19 AA30 AA39 BA01 BA09 BA16 CA03
Claims (4)
- 【請求項１】 電気絶縁性基板と、 所定のパターンに形成された第１電極と、 第１絶縁体層と、 エレクトロルミネセンスを生じる発光層と、 第２絶縁体層と、 第２電極層が順次積層された構造体のＥＬ素子におい
て、 前記第１絶縁体層および前記第２絶縁体層の少なくとも
一方が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分とし
て酸化マグネシウムと、酸化マンガンと、酸化イットリ
ウムと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択さ
れる少なくとも１種と、酸化ケイ素とを含有し、 チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ3に、酸化マグネシウム
をＭｇＯに、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化イットリウ
ムをＹ2Ｏ3に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウ
ムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ2にそれぞれ換算し
たとき、ＢａＴｉＯ3１００モルに対する比率が、 ＭｇＯ：０．１〜３モル、 ＭｎＯ：０．０５〜１．０モル、 Ｙ2Ｏ3：１モル以下、 ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、 ＳｉＯ2：２〜１２モル であるＥＬ素子。 - 【請求項２】 前記電気絶縁性基板および前記第１絶縁
体層は、セラミック材で形成されている請求項１のＥＬ
素子。 - 【請求項３】 ＢａＴｉＯ3、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＹ2
Ｏ3の合計に対し、ＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ2が（Ｂ
ａxＣａ1-xＯ）y・ＳｉＯ2（ただし、０．３≦ｘ≦０．
７、０．９５≦ｙ≦１．０５である。）として１〜１０
重量％含有される請求項１または２のＥＬ素子。 - 【請求項４】 前記第１電極が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ
のいずれか１種またはこれらのいずれか１種以上を主成
分とする合金である請求項２または３のＥＬ素子。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001060124A1 (fr) * | 2000-02-07 | 2001-08-16 | Tdk Corporation | Substrat composite et dispositif el comprenant ce dernier |
| JP2006202499A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子 |
| JP2008536969A (ja) * | 2005-04-15 | 2008-09-11 | アイファイアー・テクノロジー・コープ | 誘電厚膜エレクトロルミネッセンスディスプレイ用の酸化マグネシウム含有障壁層 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000353591A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-12-19 | Tdk Corp | 複合基板、これを用いた薄膜発光素子、およびその製造方法 |
| CN1252755C (zh) * | 2002-10-14 | 2006-04-19 | 清华大学 | 温度稳定型的贱金属内电极多层陶瓷电容器介电材料 |
| JP2004265740A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Tdk Corp | Ｅｌ機能膜及びｅｌ素子 |
| JP2005116193A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-28 | Toyota Industries Corp | 有機電界発光素子及び当該素子を備えた有機電界発光デバイス |
| KR100593932B1 (ko) * | 2005-02-28 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | 전계방출 소자 및 그 제조 방법 |
| KR101453082B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2014-10-28 | 삼성전자주식회사 | 교류 구동형 양자점 전계발광소자 |
| US20090135546A1 (en) | 2007-11-27 | 2009-05-28 | Tsinghua University | Nano complex oxide doped dielectric ceramic material, preparation method thereof and multilayer ceramic capacitors made from the same |
| CN101333105B (zh) * | 2008-07-01 | 2011-04-13 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 薄介质x7r mlcc介质瓷料 |
| US8194387B2 (en) * | 2009-03-20 | 2012-06-05 | Paratek Microwave, Inc. | Electrostrictive resonance suppression for tunable capacitors |
| US8373153B2 (en) * | 2009-05-26 | 2013-02-12 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Photodetectors |
| US8367925B2 (en) | 2009-06-29 | 2013-02-05 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Light-electricity conversion device |
| US8395141B2 (en) * | 2009-07-06 | 2013-03-12 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Compound semiconductors |
| US8809834B2 (en) * | 2009-07-06 | 2014-08-19 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Photodetector capable of detecting long wavelength radiation |
| US8748862B2 (en) * | 2009-07-06 | 2014-06-10 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Compound semiconductors |
| US8227793B2 (en) | 2009-07-06 | 2012-07-24 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Photodetector capable of detecting the visible light spectrum |
| US8368990B2 (en) * | 2009-08-21 | 2013-02-05 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Polariton mode optical switch with composite structure |
| US8368047B2 (en) * | 2009-10-27 | 2013-02-05 | University Of Seoul Industry Cooperation Foundation | Semiconductor device |
| US8058641B2 (en) | 2009-11-18 | 2011-11-15 | University of Seoul Industry Corporation Foundation | Copper blend I-VII compound semiconductor light-emitting devices |
| CN102695310B (zh) * | 2011-11-28 | 2013-04-17 | 上海科润光电技术有限公司 | 一种高亮度电致发光线的制备 |
| CN102769953B (zh) * | 2012-02-01 | 2014-09-17 | 上海洞舟实业有限公司 | 一种耐高电压的音频电致发光线 |
| US10448481B2 (en) * | 2017-08-15 | 2019-10-15 | Davorin Babic | Electrically conductive infrared emitter and back reflector in a solid state source apparatus and method of use thereof |
| CN110611034A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-12-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机电致发光器件和显示面板 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3560784A (en) * | 1968-07-26 | 1971-02-02 | Sigmatron Inc | Dark field, high contrast light emitting display |
| JPS60124396A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜発光素子 |
| US4794302A (en) * | 1986-01-08 | 1988-12-27 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Thin film el device and method of manufacturing the same |
| JPS62278792A (ja) | 1986-05-27 | 1987-12-03 | 古河電気工業株式会社 | エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法 |
| JPS62278791A (ja) | 1986-05-27 | 1987-12-03 | 古河電気工業株式会社 | エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法 |
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| JPS6463297A (en) | 1987-09-01 | 1989-03-09 | Nec Corp | El element |
| CA1325305C (en) * | 1987-12-04 | 1993-12-14 | Peter Andrew Kinneberg | Structural adhesives |
| JPH0750632B2 (ja) * | 1988-06-10 | 1995-05-31 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH0244691A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法 |
| JP2553696B2 (ja) * | 1989-03-24 | 1996-11-13 | 松下電器産業株式会社 | 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置 |
| JP3179121B2 (ja) * | 1991-01-18 | 2001-06-25 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPH0543399A (ja) * | 1991-03-08 | 1993-02-23 | Ricoh Co Ltd | 薄膜機能部材 |
| US5432015A (en) * | 1992-05-08 | 1995-07-11 | Westaim Technologies, Inc. | Electroluminescent laminate with thick film dielectric |
| JP2762427B2 (ja) * | 1992-07-13 | 1998-06-04 | ティーディーケイ株式会社 | 積層型セラミックチップコンデンサ |
| US5335139A (en) * | 1992-07-13 | 1994-08-02 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic chip capacitor |
| JP3578786B2 (ja) | 1992-12-24 | 2004-10-20 | アイファイアー テクノロジー インク | Ｅｌラミネート誘電層構造体および該誘電層構造体生成方法ならびにレーザパターン描画方法およびディスプレイパネル |
| FI92897C (fi) * | 1993-07-20 | 1995-01-10 | Planar International Oy Ltd | Menetelmä kerrosrakenteen valmistamiseksi elektroluminenssikomponentteja varten |
| JP3250879B2 (ja) | 1993-07-26 | 2002-01-28 | 株式会社リコー | 画像支持体の再生方法および該再生方法に使用する再生装置 |
| US5858561A (en) * | 1995-03-02 | 1999-01-12 | The Ohio State University | Bipolar electroluminescent device |
| US6098882A (en) * | 1996-03-01 | 2000-08-08 | Cobblestone Software, Inc. | Variable formatting of digital data into a pattern |
| JPH10308283A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Denso Corp | Ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JP3039426B2 (ja) * | 1997-03-04 | 2000-05-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| SG65086A1 (en) * | 1997-07-23 | 1999-05-25 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using same |
| JPH11195487A (ja) * | 1997-12-27 | 1999-07-21 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| US6008578A (en) * | 1998-02-20 | 1999-12-28 | Chen; Hsing | Full-color organic electroluminescent device with spaced apart fluorescent areas |
| JP2000353591A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-12-19 | Tdk Corp | 複合基板、これを用いた薄膜発光素子、およびその製造方法 |
| US6185087B1 (en) * | 1999-04-08 | 2001-02-06 | Kemet Electronics Corp. | Multilayer ceramic chip capacitor with high reliability compatible with nickel electrodes |
| JP3704068B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2005-10-05 | ザ ウエステイム コーポレイション | Ｅｌパネル |
-
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001060124A1 (fr) * | 2000-02-07 | 2001-08-16 | Tdk Corporation | Substrat composite et dispositif el comprenant ce dernier |
| US6797413B2 (en) | 2000-02-07 | 2004-09-28 | Tdk Corporation | Composite substrate and EL device using the same |
| JP2006202499A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネセンス素子 |
| JP4508882B2 (ja) * | 2005-01-18 | 2010-07-21 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネセンス素子 |
| JP2008536969A (ja) * | 2005-04-15 | 2008-09-11 | アイファイアー・テクノロジー・コープ | 誘電厚膜エレクトロルミネッセンスディスプレイ用の酸化マグネシウム含有障壁層 |
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