JP2000277373A - 端子電極を持つ電子部品の製造方法 - Google Patents
端子電極を持つ電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JP2000277373A JP2000277373A JP11220121A JP22012199A JP2000277373A JP 2000277373 A JP2000277373 A JP 2000277373A JP 11220121 A JP11220121 A JP 11220121A JP 22012199 A JP22012199 A JP 22012199A JP 2000277373 A JP2000277373 A JP 2000277373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic component
- paste
- element body
- manufacturing
- drying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 50
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 38
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 claims description 70
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 57
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 abstract description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 11
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000003021 water soluble solvent Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003232 water-soluble binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001024616 Homo sapiens Neuroblastoma breakpoint family member 9 Proteins 0.000 description 1
- 102100037013 Neuroblastoma breakpoint family member 9 Human genes 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 108700041286 delta Proteins 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
- H01G13/006—Apparatus or processes for applying terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
持つ電子部品の製造方法であって、端子電極のエッジ形
状の寸法バラツキを小さくし、信頼性および耐久性を向
上させた電子部品を、高生産効率で製造することができ
る電子部品の製造方法を提供すること。 【解決手段】 第1および第2端子電極6,8を形成す
べき電子部品用素体4をゴム部材で保持した状態で熱処
理した後、最初の第1端子電極用ペースト32を塗布す
る。このため、最初の電極用ペースト32の塗布工程で
はあっても、素体表面の電極用ペーストに対する濡れ性
が改善される。その結果、電極用ペースト32の塗布エ
ッジ60が、従来のように素体4との表面張力により波
形となったり丸みを帯びることなく、直線状になり、ペ
ースト32の塗布部分を乾燥させて形成される端子電極
6,8のエッジも直線状になる。また、端子電極6,8
を形成すべき電子部品用素体4を、シリコーン油を含む
溶液に浸漬させて乾燥させた後、電極用ペースト32を
塗布しても良い。
Description
子部品の製造方法に関する。
ものに積層セラミックコンデンサがある。この積層セラ
ミックコンデンサの端子電極を形成するには、内部電極
が積層されたコンデンサ素体を製造した後、このコンデ
ンサ素体の両端に電極用ペーストを塗布して乾燥させ
る。
ストを塗布することは困難であることから、通常は、コ
ンデンサ素体の一端に電極用ペーストを塗布して乾燥さ
せて第1端部電極を形成し、その後、素体の他端に電極
用ペーストを塗布して乾燥させて第2端部電極を形成し
ている。
体の一端に最初に形成された第1端部電極の形状と、二
回目に形成された第2端部電極の形状とに差異が生じ、
外観上のアンバランスが生じる傾向にあった。近年、積
層セラミックコンデンサは、一辺が1mm以下と、ます
ます小型化の傾向にあり、両端子電極の形状にアンバラ
ンスが生じると、両端子電極間の距離が狭まり、試験電
圧印加時にスパークなどが生じ、内部欠陥がないのに不
良品として廃棄処分にしなければならず、製造歩留まり
が低下する。また、両端子電極の形状にアンバランスが
生じると、積層セラミックコンデンサの基板への実装時
に、電極の短絡や装着不良を生じやすいという課題もあ
る。
エッジ形状は、比較的真っ直ぐであるのに対し、最初に
形成された第1端部電極のエッジ形状が波打ったり、丸
みを帯び、エッジ形状の寸法バラツキが大きい傾向にあ
り、このことが、両端子電極形状のアンバランスを発生
させる原因となっていた。
スの発生原因に対する正確な認識が得られず、様々な工
夫が成されているが、十分な効果が得られるものではな
かった。
セラミックコンデンサなどの端子電極を持つ電子部品の
製造方法であって、端子電極のエッジ形状の寸法バラツ
キを小さくし、信頼性および耐久性を向上させた電子部
品を、高生産効率で製造することができる電子部品の製
造方法を提供することである。
を達成するために鋭意検討した結果、二回目に形成され
た第2端部電極のエッジ形状が、比較的真っ直ぐである
ことに着目し、この原因が、端子電極を形成すべき素体
が、二回目の電極用ペーストの塗布工程の前に、素体を
保持するシリコーンゴムと共に乾燥工程により熱処理さ
れることにあることを見出し、本発明を完成させるに至
った。
電極を持つ電子部品の製造方法は、端子電極を形成すべ
き電子部品用素体をゴム部材で保持した状態で熱処理す
る熱処理工程と、熱処理された前記素体に電極用ペース
トを塗布する塗布工程と、電極用ペーストが塗布された
前記素体を乾燥させる乾燥工程とを有する。
電子部品の製造方法は、第1および第2端子電極を形成
すべき電子部品用素体をゴム部材で保持した状態で熱処
理する熱処理工程と、熱処理された前記素体の第1端部
に第1端子電極用ペーストを塗布する第1塗布工程と、
第1端子電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥さ
せる第1乾燥工程と、前記素体の第2端部に第2端子電
極用ペーストを塗布する第2塗布工程と、前記第2端部
に第2端子電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥
させる第2乾燥工程とを有する。
ゴムを主成分とする部材で構成してあることが好まし
い。ゴム部材としては、特に限定されず、平板形状、ブ
ロック形状など、どのような形状でも良いが、好ましく
は、素体を保持するための貫通孔が多数形成してある平
板形状のゴム部材が好ましい。素体の端部に電極用ペー
ストを塗布する際には、素材の端部が貫通孔から露出す
るように、素体を貫通孔に装着することが好ましい。熱
処理工程では、素体を貫通孔の内部に完全に埋め込んで
熱処理しても良いが、素体の端部に電極用ペーストを塗
布する際と同様に、素材の端部が貫通孔から露出するよ
うに、素体を貫通孔に装着した状態で、熱処理しても良
い。
電子部品の製造方法は、端子電極を形成すべき電子部品
用素体を、シリコーンゴムと共に熱処理する熱処理工程
と、熱処理された前記素体に電極用ペーストを塗布する
塗布工程と、電極用ペーストが塗布された前記素体を乾
燥させる乾燥工程とを有する。本発明の第3の観点に係
る製造方法では、素体とシリコーンゴムとは、必ずしも
接触していなくても良いが、接触していることが好まし
い。
電子部品の製造方法は、端子電極を形成すべき電子部品
用素体を、シリコーン油を含む溶液に浸漬させる浸漬工
程と、その後、前記素体に電極用ペーストを塗布する塗
布工程と、電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥
させる乾燥工程とを有する。本発明の第4の観点に係る
製造方法では、前記浸漬工程の後に、前記素体を乾燥さ
せ、その後、前記塗布工程を行うことが好ましい。
において、前記熱処理工程における加熱温度が、好まし
くは80°C〜300°C、さらに好ましくは150〜
300°C、特に好ましくは180〜250°Cであ
る。また、熱処理時間が、好ましくは2分以上、さらに
好ましくは5.0〜10.0分である。熱処理工程にお
ける熱処理温度は、乾燥工程における乾燥温度と略同程
度であっても良い。
少なくなり、温度が高すぎても、本発明の効果の増大が
小さく、作業効率も悪くなる。また、熱処理時間が短す
ぎると、本発明の効果が少なく、熱処理時間が長すぎる
と、生産効率が低下する傾向にある。なお、熱処理工程
は、バッチ式に行っても良いし、連続的に行っても良
い。素体を保持するゴム部材を搬送する手段としては、
特に限定されず、ベルトコンベヤ、搬送ローラなどが用
いられる。
たとえば内部電極層と誘電体層とが交互に積層してある
コンデンサ素体である。
端子電極を形成すべき電子部品用素体をゴム部材で保持
した状態で熱処理した後、電極用ペーストを塗布するた
め、素体表面の電極用ペーストに対する濡れ性が改善さ
れる。その結果、電極用ペーストの塗布エッジが、従来
のように素体との表面張力により波形となったり丸みを
帯びることなく、直線状になり、ペーストの塗布部分を
乾燥させて形成される端子電極のエッジも直線状にな
る。このため、本発明の製造方法によれば、端子電極の
エッジ形状の寸法バラツキを小さくし、信頼性および耐
久性を向上させた電子部品を、高生産効率で製造するこ
とができる。
第1および第2端子電極を形成すべき電子部品用素体を
ゴム部材で保持した状態で熱処理した後、最初の第1端
子電極用ペーストを塗布する。このため、最初の電極用
ペーストの塗布工程ではあっても、素体表面の電極用ペ
ーストに対する濡れ性が改善される。その結果、電極用
ペーストの塗布エッジが、従来のように素体との表面張
力により波形となったり丸みを帯びることなく、直線状
になり、ペーストの塗布部分を乾燥させて形成される端
子電極のエッジも直線状になる。このため、本発明の製
造方法によれば、第1端子電極のエッジ形状の寸法バラ
ツキを小さくすることができる。なお、第2端子電極の
エッジ形状の寸法バラツキは、その前工程で行われる熱
処理または第1乾燥工程での熱処理により、第1端子電
極のエッジ形状の寸法バラツキと同様に抑制されてい
る。したがって、本発明の第2の観点に係る製造方法に
よれば、信頼性および耐久性を向上させた電子部品を、
高生産効率で製造することができる。
端子電極を形成すべき電子部品用素体を、シリコーンゴ
ムと共に熱処理した後、電極用ペーストを塗布する。端
子電極を形成すべき電子部品用素体を、シリコーンゴム
に対して直接には接触させない状態で熱処理することで
も、本発明の第1の観点に係る製造方法と同様な作用効
果が期待できる。
端子電極を形成すべき電子部品用素体を、シリコーン油
を含む溶液に浸漬させた後、電極用ペーストを塗布す
る。端子電極を形成すべき電子部品用素体を、シリコー
ン油を含む溶液に浸漬させることでも、本発明の第1の
観点に係る製造方法と同様な作用効果を有する。
び特徴を、添付図面を参照して詳細に説明する。ここに
おいて、図1は本発明の1実施形態に係る積層セラミッ
クコンデンサの一部切り欠き斜視図、図2は積層セラミ
ックコンデンサの平面図、図3は積層セラミックコンデ
ンサの製造過程で用いる素体保持具の斜視図、図4は素
体保持具に保持されたコンデンサ素体の端部に電極用ペ
ーストを塗布する工程を示す要部断面図、図5は図4に
示すV−V線に沿う要部断面図、図6は図4に示す工程の
続きの工程を示す要部断面図、図7は図6に示す工程の
続きの工程を示す要部断面図、図8は本発明の他の実施
形態に係る積層セラミックコンデンサの製造工程を示す
概略図である。
極を持つ電子部品として、図1および図2に示す積層セ
ラミックコンデンサ2を例示し、その製造方法について
説明する。
サ2は、コンデンサ素体4と、第1端子電極6と第2端
子電極8とを有する。コンデンサ素体4は、誘電体層1
0と、第1内部電極層12と、第2内部電極層14とを
有し、誘電体層10の間に、第1内部電極層12と第2
内部電極層14とが交互に積層してある多層構造を持
つ。各第1内部電極層12の一端は、コンデンサ素体4
の第1端部4aの外側に形成してある第1端子電極6の
内側に対して電気的に接続してある。また、各第2内部
電極層14の一端は、コンデンサ素体4の第2端部4b
の外側に形成してある第2端子電極8の内側に対して電
気的に接続してある。
4は、たとえばニッケルまたはニッケル合金などの金属
層で構成してある。ニッケル合金としては、特に限定さ
れないが、95重量%以上のニッケルと、マンガン、ク
ロム、コバルト、アルミニウムなどの一種以上の合金で
あることが好ましい。また、ニッケルまたはニッケル合
金中には微量成分として0.1重量%以下のリンなどが
含有されていても良い。内部電極層12および14の厚
みは、特に限定されないが、好ましくは1〜5μm、さ
らに好ましくは2〜3μmである。
たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム
および/またはチタン酸バリウムなどの誘電体材料で構
成される。誘電体層10の厚みは、特に限定されない
が、数μm〜数百μmのものが一般的である。
ないが、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金な
どが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使
用することができる。端子電極6および8の厚みも特に
限定されないが、通常10〜50μm程度である。
の形状やサイズは目的や用途に応じて適宜決定すればよ
い。積層セラミックコンデンサ2が直方体形状の場合
は、通常、0.6〜3.2mm×0.3〜1.6mm×
0.1〜1.2mm程度である。
ようにして製造することができる。
ースト、端子電極用ペーストをそれぞれ製造する。
ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペースト、ま
たは水溶性溶剤系ペーストで構成される。誘電体原料と
しては、複合酸化物や酸化物となる各種化合物、たとえ
ば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから
適宜選択され、混合して用いることができる。
に溶解したものであり、有機ビヒクルに用いられるバイ
ンダとしては、特に限定されず、エチルセルロース、ポ
リビニルブチラール、ターピネオールなどの通常の各種
バインダが用いられる。また、有機溶剤も特に限定され
ず、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、
トルエンなどの有機溶剤が用いられる。
水溶性溶剤としては、水に水溶性バインダ、分散剤など
を溶解させた溶剤が用いられる。水溶系バインダとして
は特に限定されず、ポリビニルアルコール、セルロー
ス、水溶性アクリル樹脂、エマルジョンなどが用いられ
る。
性金属や合金からなる導電材料、あるいは焼成後に上述
した導電材料となる各種酸化物、有機金属化合物、レジ
ネートなどと上述した有機ビヒクルとを混練して調製さ
れる。また、端子電極用ペーストも、この内部電極用ペ
ーストと同様にして調製される。
量は特に限定されず、通常の含有量、たとえばバインダ
は1〜5重量%程度、溶剤は10〜50重量%程度とす
ればよい。また、各ペースト中には必要に応じて各種分
散剤、可塑剤、ガラスフリット、誘電体、絶縁体などか
ら選択される添加物が含有されても良い。
まず、図1に示すコンデンサ素体4を製作する。コンデ
ンサ素体4を製作するには、誘電体用ペーストと内部電
極用ペーストとを用いて、印刷法、転写法、グリーンシ
ート法などの方法により、誘電体層10と内部電極層1
2および14とを交互に積層させた積層構造を得る。
誘電体用ペーストおよび内部電極用ペーストをポリエチ
レンテレフタレートなどの支持体に積層印刷し、所定形
状に切断した後、支持体から剥離することで、まず焼成
前グリーンチップを得る。また、グリーンシート法を用
いる場合は、誘電体用ペーストからドクターブレード法
などによりグリーンシートを形成し、この上に内部電極
ペーストを印刷した後、これらを積層し、切断すること
で焼成前グリーンチップを得る。
理および焼成処理を行う。脱バインダ処理は焼成前に行
われ、通常の条件で行えばよいが、特に内部電極層の導
電材としてニッケルやニッケル合金などの卑金属を用い
る場合には、空気雰囲気において、昇温速度を5〜30
0℃/時間、より好ましくは10〜100℃/時間、保
持温度を180〜400℃、より好ましくは200〜3
00℃、温度保持時間を0.5〜24時間、より好まし
くは5〜20時間とする。
層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定すれば
よいが、導電材としてニッケルやニッケル合金などの卑
金属を用いる場合には、焼成雰囲気の酸素分圧を1×1
0−8〜1×10−12 気圧とすることが好ましい。
酸素分圧が低すぎると内部電極の導電材が異常焼結を起
こして途切れてしまい、酸素分圧が高すぎると内部電極
が酸化される傾向にある。また、焼成時の保持温度は1
100〜1400℃、より好ましくは1200〜138
0℃である。この保持温度が低すぎると緻密化が不充分
となり、保持温度が高すぎると内部電極の異常焼結によ
る電極の途切れまたは内部電極材質の拡散により容量温
度特性が悪化する傾向にある。
50〜500℃/時間、より好ましくは200〜300
℃/時間、温度保持時間を0.5〜8時間、より好まし
くは1〜3時間、冷却速度を50〜500℃/時間、よ
り好ましくは200〜300℃/時間とし、焼成雰囲気
は還元性雰囲気とすることが望ましく、雰囲気ガスとし
てはたとえば窒素ガスと水素ガスとの混合ガスを加湿し
て用いることが望ましい。
サチップの焼結体にアニールを施すことが望ましい。上
述した脱バインダ処理、焼成およびアニール工程におい
て、窒素ガスや混合ガスを加湿するためには、たとえば
ウェッターなどを用いることができる。この場合の水温
は5〜75℃とすることが望ましい。
コンデンサ素体4が得られる。この得られたコンデンサ
素体4に、たとえばバレル研磨やサンドブラストにより
端面研磨を施し、次に、以下に示す方法を用いて、端子
電極6および8を形成する。
ンデンサ素体4は、図3に示す素体保持具20により保
持される。素体保持具20は、多数の保持用貫通孔26
が形成してあるゴム板22と、ゴム板22の周囲を支持
する枠24とを有する。枠24は、たとえばステンレス
などの金属で構成してある。
するゴム部材で構成してある。このゴム板22の平坦性
を保持するために、図4に示すように、ゴム板22の内
部には、貫通孔26を避けるように、補強板28が内蔵
してあっても良い。補強板28は、ゴム板22の貫通孔
26よりも大きな内径の貫通孔が多数形成してある金属
板などで構成してある。補強板28は、図3に示す枠2
4と一体に形成しても良いが、別部品であっても良い。
補強板28の厚みは、ゴム板22の厚みよりも小さい。
ゴム板22の厚みは、素体4の大きさなどに応じて決定
され、特に限定されない。また、ゴム板22に形成して
ある貫通孔26の断面形状は、図5に示すように、本実
施形態では円形であるが、円形に限らず、楕円形、矩
形、その他の多角形など、種々の形状を採り得る。この
貫通孔26の断面形状は、端子電極を形成すべき素体4
の断面形状に応じて種々に変更することができる。
22の各貫通孔26の内部に保持させる。各素体4は、
貫通孔26の内部に深く埋まるまで挿入しても良いが、
図4に示すように、各素体4の第1端部4aが貫通孔2
6から飛び出す程度に貫通孔26の内部に挿入しても良
い。
20を、バッチ式乾燥炉の内部に投入して熱処理を行
う。熱処理温度は、たとえば100〜300°Cであ
り、熱処理時間は好ましくは2分以上である。この熱処
理により、各素体4の表面における端部電極用ペースト
との濡れ性が改善される。
貫通孔26から素体4の第1端部4aのみがゴム板22
の第1面22aから所定長L1の長さで突出した状態
で、ゴム板22を移動し、保持具20に保持してある全
ての素体4の第1端部を、ペースト塗布具30に貯留し
てある端部電極用ペースト32に浸漬する。なお、端部
電極用ペースト32は、前述した組成で構成してある。
とする第1端部電極の大きさなどに依存して決定され、
図2に示す完成後の第1端部電極6の幅をW1とした場
合に、W1に対して、L1>W1であればよい。また、
ペースト塗布具30に貯留される端部電極用ペースト3
2の厚みT1は、所定長L1に対して、T1(=W1)
≦L1×0.90であることが好ましい。
所定厚みT1以上で保持可能なものであれば特に限定さ
れず、どのようなものであっても良い。たとえばペース
ト塗布具30としては、単なる容器であっても良いが、
図8に示すように、塗布ローラ42であっても良い。塗
布ローラ42の外周面にも、所定厚みT1の端部電極用
ペースト32の層を形成することができるからである。
ペースト塗布具30では、ペースト32と接触する部分
は、ゴム部材などの弾力性を有する部材で構成すること
が好ましい。素体4の第1端部4aが押し付けられるこ
とからである。
の第1端部4aがペースト32の層に浸漬することによ
り、図6に示すように、各素体4の第1端部4aには、
第1端部電極用ペースト膜6aが形成される。従来で
は、図2に示すように、この各素体4の第1端部4aに
形成されるペースト膜6aのエッジ線60’が、二点差
線で示すように、波形形状になったり、丸みを帯びた形
状になったりしていた。しかしながら、本実施形態で
は、第1端部4aへのペースト塗布の前工程において、
各素体4をゴム板22と共に熱処理することで、素体4
の表面におけるペースト32に対する濡れ性が改善され
る。その結果、図2中の実線で示すエッジ線60のよう
に、ペースト膜6aの境界線は、許容できるバラツキΔ
Wの範囲内で真っ直ぐになる。
20を乾燥炉の内部に搬送し、各素体4の第1端部4a
に形成されたペースト膜6aを乾燥させる。乾燥炉にお
ける乾燥温度は、各素体4をゴム板22と共に熱処理す
るときの熱処理温度と略同一または低くても良い。
ように、各素体4の第2端部4bが、ゴム板22の第2
面22bから突出する位置まで、各素体4を、貫通孔2
6の内部に沿って移動させる。第2面22bからの第2
端部4bの突出長さは、図4に示す所定長L1と略同等
である。
ひっくり返し、図4に示す状態と同じ状態とし、次に、
前述した方法と同様にして、各素体4の第2端部4bに
端部電極用ペースト32を塗布し、その後に乾燥させ
る。
成された後に、各素体4を、ゴム板22の各貫通孔26
から取り出す。その後、端子電極形成のための焼成を行
う。その時の焼成条件は、たとえば空気中で600〜8
00℃にて10分〜1時間程度とすることが好ましい。
そして、必要に応じて端子電極の表面にメッキなどによ
り被覆層を形成する。このような焼成の結果、図1およ
び図2に示すように、両端に端子電極6および8が形成
された積層セラミックコンデンサ2が得られる。本実施
形態の積層セラミックコンデンサ2は、はんだ付けなど
によってプリント基板上に実装され、各種電子機器に用
いられる。
サ2の製造方法によれば、第1端子電極6のエッジ線6
0の寸法バラツキを小さくすることができる。なお、第
2端子電極8のエッジ線の寸法バラツキは、その前工程
で行われる第1回目の乾燥工程での熱処理により、第1
端子電極6のエッジ線60の寸法バラツキと同様に抑制
されている。したがって、本実施形態に係る製造方法に
よれば、信頼性および耐久性を向上させた積層セラミッ
クコンデンサ2を、高生産効率で製造することができ
る。
に保持された素体4の端部への端子電極用ペーストの塗
布および乾燥工程を連続して行うための装置の一例を示
す。
上向きに突出するように素体4を保持する素体保持具2
0が、搬送用ローラ50により、図8中、左側から右側
へと搬送可能になっている。素体保持具20は、最初に
熱処理炉40の内部に入り込む。熱処理炉40は、乾燥
炉46と同じ構造を有し、両端にペーストが塗布される
前の素体4が保持された保持具20を熱処理する。熱処
理条件は、前記第1実施形態の場合と同じである。
ストを塗布するための塗布ローラ42が配置してある。
塗布ローラ42の外周には、ペースト供給部44から端
部電極用ペーストが供給され、図4に示すペースト塗布
具30と同様に、ペースト32の層が形成される。回転
するローラ42の下方外周部に保持具20の上面が接触
して通過することにより、保持具20に保持された素体
4の第1端部4aには、図6に示すペースト膜6aが形
成される。その後、保持具20は、搬送用ローラ50に
より搬送されて、乾燥炉46の内部に移動する。乾燥炉
46では、前記第1実施形態の場合と同様な条件で、ペ
ースト膜6aの乾燥を行う。
前記第1実施形態と同様にして、素体4の第2端部への
端部電極用ペーストの塗布および乾燥処理を行う。ただ
し、素体4の第2端部4bへの端部電極用ペーストの塗
布工程の前には、熱処理炉40を通す必要がない。
サの製造方法においても、前記第1実施形態と同様に、
第1端子電極6のエッジ線60の寸法バラツキを小さく
することができる。なお、第2端子電極8のエッジ線の
寸法バラツキは、乾燥炉46における第1回目の乾燥工
程での熱処理により、第1端子電極6のエッジ線60の
寸法バラツキと同様に抑制されている。したがって、本
実施形態に係る製造方法によっても、前記第1実施形態
と同様に、信頼性および耐久性を向上させた積層セラミ
ックコンデンサ2を、高生産効率で製造することができ
る。
示す素体4を素体保持具20に取り付ける前に、各素体
4を、シリコーンオイルの原液、またはシリコーンオイ
ルの原液を溶剤で薄めた溶液中に浸し、その後、必要に
応じて乾燥させて溶剤を蒸発させる。その後、各素体4
を素体保持具20に取り付け、熱処理を行うことなく各
素体4の第1端部4aに端部電極用ペーストを塗布す
る。その他の製造工程は、前記第1実施形態と同様であ
る。
剤としては、特に限定されないが、たとえばエタノール
が好ましく用いられる。シリコーンオイル原液と溶剤と
の重量比は、特に限定されないが、1:100〜1:1
000程度が好ましい。
サの製造方法においても、前記第1実施形態と同様に、
第1端子電極6のエッジ線60の寸法バラツキを小さく
することができる。なお、第2端子電極8のエッジ線の
寸法バラツキは、乾燥炉46における第1回目の乾燥工
程での熱処理により、第1端子電極6のエッジ線60の
寸法バラツキと同様に抑制されている。したがって、本
実施形態に係る製造方法によっても、前記第1実施形態
と同様に、信頼性および耐久性を向上させた積層セラミ
ックコンデンサ2を、高生産効率で製造することができ
る。
述した実施形態に限定されず、種々に改変することがで
きる。
では、コンデンサ素体4とゴム板22とを接触させて熱
処理したが、コンデンサ素体4とゴム板22とを非接触
状態で熱処理しても、本発明の効果が得られることが期
待できる。
持つ電子部品として、積層セラミックコンデンサを例示
したが、本発明の製造方法により製造される電子部品と
しては、積層セラミックコンデンサに限らず、チップバ
リスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗、チップインダ
クター、その他の表面実装(SMD)チップ型電子部品
などの端子電極を持つ電子部品を製造する場合全てに適
用することができる。
げ、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これ
ら実施例に限定されない。
チタン酸バリウムを主成分とする誘電体原料と、アクリ
ル樹脂、塩化メチレン、酢酸エチル、ミネラルスピリッ
トおよびアセトンとをボールミルにて混合し、ペースト
化した誘電体層用ペーストを得た。
均粒径0.2〜0.8μmのニッケル粒子と、有機ビヒ
クル(エチレンセルロース樹脂をブチルカルビトールに
溶解したもの)と、ブチルカルビトールとをロールによ
り混練しペースト化したものを用いた。
0.5μmの銅粒子と、有機ビヒクル(エチレンセルロ
ース樹脂をブチルカルビトールに溶解したもの)と、ブ
チルカルビトールとを混練しペースト化したものを用い
た。
てPETフィルム上に厚さ15μmのグリーンシートを
形成し、この上に内部電極用ペーストを印刷した後、P
ETフィルムからグリーンシートを剥離した。次いで、
こうして得られた複数枚のグリーンシートを積層し、加
圧圧着することでグリーンシートの積層体を作製した。
内部電極を有するグリーンシートの積層数は4層とし
た。
イズに切断し、脱バインダ処理、焼成およびアニールを
行って、積層セラミック焼成体から成るコンデンサ素体
4を得た。コンデンサ素体4の寸法は、1.0×0.5
×0.3mmの直方体形状であった。
間、保持温度280℃、保持時間8時間、空気雰囲気の
条件で行った。また、焼成は、昇温速度200℃/時
間、保持温度1380℃、保持時間2時間、冷却速度3
00℃/時間、還元性雰囲気の条件で行った。アニール
は、保持温度900℃、保持時間9時間、冷却速度30
0℃/時間、酸化雰囲気の条件で行った。
部4aおよび4bをサンドブラストにて研磨した後、各
素体4を、図3に示す素体保持具20のゴム板22に形
成された各貫通孔26の内部に完全に挿入した。ゴム板
22の材質は、シリコーンゴムであった。素体保持具2
0としては、具体的には、パロマー社製のものを用い
た。
乾燥炉へ入れて、100°Cの雰囲気温度で熱処理し
た。熱処理時間は、5.0分であった。
4の第1端部4aのみがゴム板22の第1面22aから
所定長L1(=0.5mm)の長さで突出させ、その状
態で、保持具20を移動し、保持具20に保持してある
全ての素体4の第1端部を、ペースト塗布具30に貯留
してある端部電極用ペースト32(厚みT1=100μ
m)に浸漬した。
20を乾燥炉の内部に搬送し、各素体4の第1端部4a
に形成されたペースト膜6aを乾燥させた。乾燥炉にお
ける乾燥温度は、100°Cであり、乾燥時間は5.0
分であった。
ように、各素体4の第2端部4bが、ゴム板22の第2
面22bから突出する位置まで、各素体4を、貫通孔2
6の内部に沿って移動させた。第2面22bからの第2
端部4bの突出長さは、図4に示す所定長L1と略同等
であった。
ひっくり返し、図4に示す状態と同じ状態とし、次に、
前述した方法と同様にして、各素体4の第2端部4bに
端部電極用ペースト32を塗布し、その後に乾燥させ
た。
成された後に、各素体4を、ゴム板22の各貫通孔26
から取り出し、その後、端子電極形成のための焼成を行
った。
雰囲気中において、800℃にて10分間行い、図1に
示す積層セラミックコンデンサ2を製造した。
サ2の30個の試料について、図2に示す第1端部電極
6のエッジ線60の寸法バラツキΔWを、顕微鏡により
測定し、バラツキの最小値および最大値を求めた。結果
を下記の表1に示す。表1に示すように、寸法バラツキ
ΔWは、90〜190μmであった。
前の熱処理温度を150°Cとした以外は、前記実施例
1と同様にして、積層セラミックコンデンサ2を製造し
た。
の寸法バラツキΔWを、前記第1実施例と同様にして測
定した。結果を下記の表1に示す。表1に示すように、
寸法バラツキΔWは、90〜100μmであった。
前の熱処理温度を200°Cとした以外は、前記実施例
1と同様にして、積層セラミックコンデンサ2を製造し
た。
の寸法バラツキΔWを、前記第1実施例と同様にして測
定した。結果を下記の表1に示す。表1に示すように、
寸法バラツキΔWは、1〜38μmであった。
前の熱処理温度を250°Cとした以外は、前記実施例
1と同様にして、積層セラミックコンデンサ2を製造し
た。
の寸法バラツキΔWを、前記第1実施例と同様にして測
定した。結果を下記の表1に示す。表1に示すように、
寸法バラツキΔWは、1〜40μmであった。
を、シリコーンオイル((株)東芝シリコン社製のTS
Fタイプ)の原液中に浸し、その後、常温25°Cで、
5.0分間放置し、その後、素体4を素体保持具20に
取り付け、熱処理を行うことなく、各素体4の第1端部
4aに端部電極用ペーストを塗布した以外は、前記実施
例1と同様にして、積層セラミックコンデンサ2を製造
した。
の寸法バラツキΔWを、前記第1実施例と同様にして測
定した。結果を下記の表1に示す。表1に示すように、
寸法バラツキΔWは、1〜35μmであった。
を、シリコーンオイル((株)東芝シリコン社製のTS
Fタイプ)の原液を溶剤で薄めた溶液中に浸し、その
後、200°Cで、5.0分間乾燥させて溶剤を蒸発さ
せ、その後、素体保持具20に取り付け、熱処理を行う
ことなく各素体4の第1端部4aに端部電極用ペースト
を塗布した以外は、前記実施例1と同様にして、積層セ
ラミックコンデンサ2を製造した。シリコーンオイルの
原液を薄めた溶剤としては、エタノールを用い、シリコ
ーンオイル原液と溶剤との重量比は、1:200であっ
た。
の寸法バラツキΔWを、前記第1実施例と同様にして測
定した。結果を下記の表1に示す。表1に示すように、
寸法バラツキΔWは、0〜42μmであった。
を、シリコーンオイル((株)東芝シリコン社製のTS
Fタイプ)の原液を溶剤で薄めた溶液中に浸し、その
後、200°Cで、5.0分間乾燥させて溶剤を蒸発さ
せ、その後、素体保持具20に取り付け、熱処理を行う
ことなく各素体4の第1端部4aに端部電極用ペースト
を塗布した以外は、前記実施例1と同様にして、積層セ
ラミックコンデンサ2を製造した。シリコーンオイルの
原液を薄めた溶剤としては、エタノールを用い、シリコ
ーンオイル原液と溶剤との重量比は、1:500であっ
た。
の寸法バラツキΔWを、前記第1実施例と同様にして測
定した。結果を下記の表1に示す。表1に示すように、
寸法バラツキΔWは、0〜36μmであった。
前に、何ら熱処理することなく、常温25°Cに保持し
た以外は、前記実施例1と同様にして、積層セラミック
コンデンサ2を製造した。
の寸法バラツキΔWを、前記第1実施例と同様にして測
定した。結果を下記の表1に示す。表1に示すように、
寸法バラツキΔWは、100〜200μmであった。
単独で200°Cに5.0分間熱処理し、その後、常温
まで冷却された各素体4を、素体保持具20に取り付
け、第1端部4aに端部電極用ペーストを塗布した以外
は、前記実施例1と同様にして、積層セラミックコンデ
ンサ2を製造した。
の寸法バラツキΔWを、前記第1実施例と同様にして測
定した。結果を下記の表1に示す。表1に示すように、
寸法バラツキΔWは、110〜190μmであった。
ば、比較例1および2に係る製造方法に比較し、端子電
極のエッジ線のバラツキを抑制することができることが
確認できた。
ックコンデンサの一部切り欠き斜視図である。
ある。
で用いる素体保持具の斜視図である。
体の端部に電極用ペーストを塗布する工程を示す要部断
面図である。
ある。
部断面図である。
部断面図である。
ミックコンデンサの製造工程を示す概略図である。
Claims (15)
- 【請求項1】 端子電極を形成すべき電子部品用素体を
ゴム部材で保持した状態で熱処理する熱処理工程と、 熱処理された前記素体に電極用ペーストを塗布する塗布
工程と、 電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥させる乾燥
工程とを有する、 端子電極を持つ電子部品の製造方法。 - 【請求項2】 前記熱処理工程における加熱温度が80
〜300°Cであり、熱処理時間が2分以上である請求
項1に記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項3】 前記ゴム部材がシリコーンゴムを主成分
とする部材で構成してある請求項1に記載の電子部品の
製造方法。 - 【請求項4】 前記素体が、内部電極層と誘電体層とが
交互に積層してあるコンデンサ素体である請求項1に記
載の電子部品の製造方法。 - 【請求項5】 第1および第2端子電極を形成すべき電
子部品用素体をゴム部材で保持した状態で熱処理する熱
処理工程と、 熱処理された前記素体の第1端部に第1端子電極用ペー
ストを塗布する第1塗布工程と、 第1端子電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥さ
せる第1乾燥工程と、 前記素体の第2端部に第2端子電極用ペーストを塗布す
る第2塗布工程と、 前記第2端部に第2端子電極用ペーストが塗布された前
記素体を乾燥させる第2乾燥工程とを有する、 端子電極を持つ電子部品の製造方法。 - 【請求項6】 前記熱処理工程における加熱温度が80
〜300°Cであり、熱処理時間が2分以上である請求
項5に記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項7】 前記熱処理工程における加熱温度が、前
記第1および第2乾燥工程における乾燥温度と略同一で
ある請求項5に記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項8】 前記ゴム部材がシリコーンゴムを主成分
とする部材で構成してある請求項5に記載の電子部品の
製造方法。 - 【請求項9】 前記素体が、内部電極層と誘電体層とが
交互に積層してあるコンデンサ素体である請求項5に記
載の電子部品の製造方法。 - 【請求項10】 端子電極を形成すべき電子部品用素体
を、シリコーンゴムと共に熱処理する熱処理工程と、 熱処理された前記素体に電極用ペーストを塗布する塗布
工程と、 電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥させる乾燥
工程とを有する、 端子電極を持つ電子部品の製造方法。 - 【請求項11】 前記熱処理工程における加熱温度が8
0〜300°Cであり、熱処理時間が2分以上である請
求項10に記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項12】 前記素体が、内部電極層と誘電体層と
が交互に積層してあるコンデンサ素体である請求項10
に記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項13】 端子電極を形成すべき電子部品用素体
を、シリコーン油を含む溶液に浸漬させる浸漬工程と、 その後、前記素体に電極用ペーストを塗布する塗布工程
と、 電極用ペーストが塗布された前記素体を乾燥させる乾燥
工程とを有する、 端子電極を持つ電子部品の製造方法。 - 【請求項14】 前記浸漬工程の後に、前記素体を乾燥
させ、その後、前記塗布工程を行う請求項13に記載の
電子部品の製造方法。 - 【請求項15】 前記素体が、内部電極層と誘電体層と
が交互に積層してあるコンデンサ素体である請求項13
に記載の電子部品の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/273,274 US6254715B1 (en) | 1999-03-22 | 1999-03-22 | Process for production of electronic component having terminal electrode |
US09/273274 | 1999-03-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000277373A true JP2000277373A (ja) | 2000-10-06 |
JP3562629B2 JP3562629B2 (ja) | 2004-09-08 |
Family
ID=23043261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22012199A Expired - Fee Related JP3562629B2 (ja) | 1999-03-22 | 1999-08-03 | 端子電極を持つ電子部品の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6254715B1 (ja) |
JP (1) | JP3562629B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011124490A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Tdk Corp | チップ部品の製造方法 |
KR20160025473A (ko) | 2014-08-27 | 2016-03-08 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자부품의 제조 방법 및 막 형성 장치 |
JP2020120100A (ja) * | 2019-01-21 | 2020-08-06 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3772954B2 (ja) * | 1999-10-15 | 2006-05-10 | 株式会社村田製作所 | チップ状部品の取扱方法 |
JP2001118731A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型複合電子部品およびその製造方法 |
JP2001185437A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
JP3785966B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2006-06-14 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品の製造方法および積層セラミック電子部品 |
JP4548571B2 (ja) * | 2002-10-08 | 2010-09-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 積層コンデンサの製造方法 |
KR100649580B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2006-11-28 | 삼성전기주식회사 | 스핀코팅에 의한 적층세라믹 커패시터의 제조방법 및적층세라믹 커패시터 |
CN100386828C (zh) * | 2004-04-29 | 2008-05-07 | 立昌先进科技股份有限公司 | 能改善电极端面可靠度的集成式电子组件制备方法 |
US20060034029A1 (en) * | 2004-08-13 | 2006-02-16 | Cyntec Company | Current detector with improved resistance adjustable range and heat dissipation |
JP2006093449A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 積層構造体及び積層構造体アレイ、並びに、それらの製造方法 |
US20070175020A1 (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing solid state battery |
JP2009130180A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Sony Corp | 電子機器の製造方法および電子機器 |
US8116102B2 (en) * | 2007-12-26 | 2012-02-14 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device and method of producing |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4395184A (en) | 1980-02-21 | 1983-07-26 | Palomar Systems & Machines, Inc. | Means and method for processing miniature electronic components such as capacitors or resistors |
JPS57207328A (en) | 1981-05-28 | 1982-12-20 | Paromaa System Ando Mashiinzu | Method and device for coating small electric part terminal |
CA1206547A (en) | 1981-10-22 | 1986-06-24 | Denver Braden | Means for processing miniature electronic components such as capacitors or resistors |
US4561954A (en) * | 1985-01-22 | 1985-12-31 | Avx Corporation | Method of applying terminations to ceramic bodies |
US4859498A (en) * | 1987-11-18 | 1989-08-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip component holding plate |
JPH02305401A (ja) | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ部品 |
JPH04352309A (ja) | 1991-05-29 | 1992-12-07 | Rohm Co Ltd | 積層セラミックコンデンサにおける端子電極の構造及び端子電極の形成方法 |
JP2760189B2 (ja) * | 1991-11-08 | 1998-05-28 | 株式会社村田製作所 | チップ部品の電極形成装置 |
JP3121119B2 (ja) * | 1992-06-16 | 2000-12-25 | ローム株式会社 | 積層セラミックコンデンサの外部電極の形成方法 |
JP3175357B2 (ja) * | 1992-11-27 | 2001-06-11 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法および装置 |
JP3331566B2 (ja) * | 1993-07-12 | 2002-10-07 | 三菱マテリアル株式会社 | チップ型電子部品の端子電極形成方法 |
-
1999
- 1999-03-22 US US09/273,274 patent/US6254715B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-03 JP JP22012199A patent/JP3562629B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011124490A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Tdk Corp | チップ部品の製造方法 |
KR20160025473A (ko) | 2014-08-27 | 2016-03-08 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자부품의 제조 방법 및 막 형성 장치 |
JP2016048724A (ja) * | 2014-08-27 | 2016-04-07 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法および成膜装置 |
US10418190B2 (en) | 2014-08-27 | 2019-09-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component manufacturing method and film forming apparatus |
JP2020120100A (ja) * | 2019-01-21 | 2020-08-06 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP7381272B2 (ja) | 2019-01-21 | 2023-11-15 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6254715B1 (en) | 2001-07-03 |
JP3562629B2 (ja) | 2004-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3562629B2 (ja) | 端子電極を持つ電子部品の製造方法 | |
JP4483508B2 (ja) | 積層型電子部品の製造方法 | |
US10847318B2 (en) | Method of manufacturing ceramic electronic component | |
JP5221059B2 (ja) | 電極段差吸収用印刷ペーストおよび積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JP4428852B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
JP2011211033A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JP2007234829A (ja) | 積層型セラミック電子部品の製造方法 | |
JP4182009B2 (ja) | 導電性粒子、導電性ペースト、電子部品、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP2006324637A (ja) | 共材粒子、その製造方法、電極ペースト、電子部品の製造方法 | |
US7491283B2 (en) | Production method of multilayer electronic device | |
CN100557733C (zh) | 印刷电路板的层叠方法和层叠陶瓷电子部件的制造方法 | |
JP2007234330A (ja) | 導電体ペーストおよび電子部品 | |
JP2011216539A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
US20070023124A1 (en) | Coating composition for green sheet, green sheet, method for producing green sheet, and method for producing electronic component | |
JP5177452B2 (ja) | 積層型電子部品の製造方法 | |
JP4432882B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製造方法 | |
JP4867948B2 (ja) | 導電性粒子、導電性ペースト、電子部品、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP4784264B2 (ja) | 積層型電子部品の製造方法 | |
US20080212258A1 (en) | Electronic device and manufacturing method thereof | |
JP2007294886A (ja) | 積層型電子部品の製造方法 | |
JP2001122660A (ja) | 導電性ペースト、積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP2004221304A (ja) | 内部電極を持つ電子部品の製造方法 | |
JP2011151149A (ja) | 積層型電子部品の製造方法 | |
JP4088428B2 (ja) | 積層型電子部品の製造方法 | |
JP4088594B2 (ja) | 導電体ペースト、電子部品およびそれらの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040315 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040512 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040525 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040526 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080611 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090611 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090611 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110611 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |