JP2000236074A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2000236074A5 JP2000236074A5 JP1999309114A JP30911499A JP2000236074A5 JP 2000236074 A5 JP2000236074 A5 JP 2000236074A5 JP 1999309114 A JP1999309114 A JP 1999309114A JP 30911499 A JP30911499 A JP 30911499A JP 2000236074 A5 JP2000236074 A5 JP 2000236074A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory cell
- mis transistor
- semiconductor
- region
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 113
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 33
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 23
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11309114A JP2000236074A (ja) | 1998-12-17 | 1999-10-29 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10-359842 | 1998-12-17 | ||
JP35984298 | 1998-12-17 | ||
JP11309114A JP2000236074A (ja) | 1998-12-17 | 1999-10-29 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000236074A JP2000236074A (ja) | 2000-08-29 |
JP2000236074A5 true JP2000236074A5 (fr) | 2004-11-04 |
Family
ID=26565834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11309114A Pending JP2000236074A (ja) | 1998-12-17 | 1999-10-29 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000236074A (fr) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002100746A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-05 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP2005142484A (ja) | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
KR100596851B1 (ko) * | 2004-09-02 | 2006-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 셀 채널 이온 주입 방법 |
KR100564434B1 (ko) * | 2004-12-03 | 2006-03-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리세스 게이트 및 그 제조 방법 |
JP5608313B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2014-10-15 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置の製造方法 |
JP5406479B2 (ja) | 2008-08-01 | 2014-02-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
TW201507061A (zh) * | 2013-02-15 | 2015-02-16 | Ps4 Luxco Sarl | 半導體裝置 |
JP7171226B2 (ja) * | 2018-05-02 | 2022-11-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
-
1999
- 1999-10-29 JP JP11309114A patent/JP2000236074A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6437405B2 (en) | Silicon-on-insulator (SOI) substrate, method for fabricating SOI substrate and SOI MOSFET using the SOI substrate | |
KR100486187B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR950025920A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
US6194261B1 (en) | High yield semiconductor device and method of fabricating the same | |
KR970077655A (ko) | 디램 셀, 디램 및 그의 제조 방법 | |
JP2000236074A5 (fr) | ||
US7332390B2 (en) | Semiconductor memory device and fabrication thereof | |
KR970072204A (ko) | 적어도 하나의 mos 트랜지스터를 가지는 회로 장치 및 그것의 제조방법 | |
US6238962B1 (en) | Method of fabricating static random access memory cell with vertically arranged drive transistors | |
KR870006656A (ko) | 반도체 기억장치의 제조방법 | |
US5981328A (en) | Method of forming a high load resistance type static random access memory cell | |
KR900007904B1 (ko) | 상보형 반도체장치의 제조방법 | |
KR0135691B1 (ko) | 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
KR970003952A (ko) | 스태틱 랜덤 액세스 메모리 및 그 제조방법 | |
US6949784B2 (en) | Zero-cost non-volatile memory cell with write and erase features | |
KR940001895B1 (ko) | 스태틱형 랜덤액세스메모리 | |
KR930011246A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
KR100713904B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
KR20000006396A (ko) | 반도체장치및그제조방법 | |
KR20050024099A (ko) | 에스램 소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 에스램 소자 | |
KR100362195B1 (ko) | 에스램 제조방법 | |
US20020003269A1 (en) | Semiconductor memory and method of producing the same | |
KR19980066418A (ko) | 셀 영역 및 주변영역의 퍼포먼스를 개선한 반도체 장치의 제조방법 | |
KR19990015776A (ko) | 저항 장치 | |
KR920018890A (ko) | 반도체 메모리장치 및 그 제조방법 |