JP2000235395A - トランスデューサ装置 - Google Patents
トランスデューサ装置Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R3/00—Circuits for transducers, loudspeakers or microphones
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/802—Circuitry or processes for operating piezoelectric or electrostrictive devices not otherwise provided for, e.g. drive circuits
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 圧電または類似のトランスデューサ装置のエ
ネルギー効率を簡単に最適化するために、制御回路によ
って励振可能な発振回路を用いる圧電または類似のトラ
ンスデューサ装置を提供すること。 【解決手段】 本発明は、制御回路１２によって励振可
能な発振回路１１を用いる圧電トランスデューサ等のた
めのトランスデューサ装置を提供するものである。制御
回路１２は、発振回路１１を励振させるために、好まし
くはＨ型に構成されたインバータバッファを備えるフリ
ップフロップ１３を介して交流電圧Ｖｅを生成する。電
圧Ｖｅは、ベースを介してフリップフロップ１３の出力
端１３ｂに、かつ、エミッタを介して発振回路１１の端
子に結合される２つのトランジスタＴ１，Ｔ２を含む位
相制御回路１４によって、トランスデューサ１０を通過
する交流操作電流ｉと同期が保たれる。制御回路１２と
トランスデューサ１０とは、ただ２本のワイヤ１５，１
６を用いて接続される。
ネルギー効率を簡単に最適化するために、制御回路によ
って励振可能な発振回路を用いる圧電または類似のトラ
ンスデューサ装置を提供すること。 【解決手段】 本発明は、制御回路１２によって励振可
能な発振回路１１を用いる圧電トランスデューサ等のた
めのトランスデューサ装置を提供するものである。制御
回路１２は、発振回路１１を励振させるために、好まし
くはＨ型に構成されたインバータバッファを備えるフリ
ップフロップ１３を介して交流電圧Ｖｅを生成する。電
圧Ｖｅは、ベースを介してフリップフロップ１３の出力
端１３ｂに、かつ、エミッタを介して発振回路１１の端
子に結合される２つのトランジスタＴ１，Ｔ２を含む位
相制御回路１４によって、トランスデューサ１０を通過
する交流操作電流ｉと同期が保たれる。制御回路１２と
トランスデューサ１０とは、ただ２本のワイヤ１５，１
６を用いて接続される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発振回路およびこ
の発振回路を励振する制御回路を有するトランスデュー
サを備えるトランスデューサ装置に関する。制御回路
は、励振周波数と同じ周波数のほぼ正弦波の交流操作電
流が発振回路を通過するように決定された周波数の交流
励振電圧を発振回路へ出力する交流電圧発生回路を備え
ている。
の発振回路を励振する制御回路を有するトランスデュー
サを備えるトランスデューサ装置に関する。制御回路
は、励振周波数と同じ周波数のほぼ正弦波の交流操作電
流が発振回路を通過するように決定された周波数の交流
励振電圧を発振回路へ出力する交流電圧発生回路を備え
ている。
【０００２】
【従来の技術】このタイプの従来の圧電トランスデュー
サ装置では、励振周波数が発振回路の共振電圧の周波数
とは異なる。その結果、発振回路を通る電流は励振電圧
と同相でないので、トランスデューサはその最大効率状
態で使用されない。圧電トランスデューサの共振周波数
は、たとえばプラス・マイナス１．５％程度に、かなり
大幅に変動することがあり得るので、固定周波数の発振
器を用いてこれを励振させようとすることは不可能であ
ろう。さらに、従来のトランスデューサ装置では、復帰
信号が必要でない時に、トランスデューサ装置が２本の
ワイヤを通して制御回路に接続され、復帰信号が必要な
時には３本の電線を介して接続される。
サ装置では、励振周波数が発振回路の共振電圧の周波数
とは異なる。その結果、発振回路を通る電流は励振電圧
と同相でないので、トランスデューサはその最大効率状
態で使用されない。圧電トランスデューサの共振周波数
は、たとえばプラス・マイナス１．５％程度に、かなり
大幅に変動することがあり得るので、固定周波数の発振
器を用いてこれを励振させようとすることは不可能であ
ろう。さらに、従来のトランスデューサ装置では、復帰
信号が必要でない時に、トランスデューサ装置が２本の
ワイヤを通して制御回路に接続され、復帰信号が必要な
時には３本の電線を介して接続される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
タイプの圧電または類似のトランスデューサ装置のエネ
ルギー効率を簡単に最適化することにある。さらに、こ
のトランスデューサ装置は、トランスデューサとその制
御回路の間でただ２本の接続線のみを用いてこのタイプ
の最適化を可能にするようにも設計される。
タイプの圧電または類似のトランスデューサ装置のエネ
ルギー効率を簡単に最適化することにある。さらに、こ
のトランスデューサ装置は、トランスデューサとその制
御回路の間でただ２本の接続線のみを用いてこのタイプ
の最適化を可能にするようにも設計される。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のトランスデューサ装置の交流電圧発生回路
は、交流操作電流が符号を変えた時に状態を変えるよう
に制御回路に結合されたフリップフロップであることを
特徴とする。
に、本発明のトランスデューサ装置の交流電圧発生回路
は、交流操作電流が符号を変えた時に状態を変えるよう
に制御回路に結合されたフリップフロップであることを
特徴とする。
【０００５】制御回路は好ましくは交流励振電圧を交流
操作電流と同位相にする回路を含む。この回路は、交流
操作電流が符号を変えた時に切り替わるフリップフロッ
プへの入力端へ制御信号を出力するために、発振回路の
共振周波数のレベルに励振周波数を調節するように、発
振回路およびフリップフロップへの入力端に接続され
る。発振回路と制御回路の間の接続は、好ましいこと
に、ただ２本のワイヤだけを用いて形成される。トラン
スデューサの放射水準を調節するための抵抗器を、これ
らのワイヤの一方に介挿してもよい。
操作電流と同位相にする回路を含む。この回路は、交流
操作電流が符号を変えた時に切り替わるフリップフロッ
プへの入力端へ制御信号を出力するために、発振回路の
共振周波数のレベルに励振周波数を調節するように、発
振回路およびフリップフロップへの入力端に接続され
る。発振回路と制御回路の間の接続は、好ましいこと
に、ただ２本のワイヤだけを用いて形成される。トラン
スデューサの放射水準を調節するための抵抗器を、これ
らのワイヤの一方に介挿してもよい。
【０００６】非常に簡単な一実施形態において、制御回
路は、少なくとも１対の電力トランジスタを含み、これ
らのトランジスタのベース電流が操作電流をぼぼ形成
し、かつ、トランジスタのコレクタ電流がフリップフロ
ップの入力端に周期パルスを生成して、前記フリップフ
ロップ用の制御信号を形成するように、トランジスタの
ベースはフリップフロップの出力端に、エミッタは発振
回路に、かつ、コレクタはそれぞれダイオードを介して
逆並列接続されたフリップフロップの入力端に接続され
る。
路は、少なくとも１対の電力トランジスタを含み、これ
らのトランジスタのベース電流が操作電流をぼぼ形成
し、かつ、トランジスタのコレクタ電流がフリップフロ
ップの入力端に周期パルスを生成して、前記フリップフ
ロップ用の制御信号を形成するように、トランジスタの
ベースはフリップフロップの出力端に、エミッタは発振
回路に、かつ、コレクタはそれぞれダイオードを介して
逆並列接続されたフリップフロップの入力端に接続され
る。
【０００７】フリップフロップは、Ｈ構造を形成するよ
うに構成され、このＨ構造は前記発振回路（１１）に対
して積重配置されたインバータバッファを含むのが好ま
しい。
うに構成され、このＨ構造は前記発振回路（１１）に対
して積重配置されたインバータバッファを含むのが好ま
しい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施形態について説明する。
本発明の実施形態について説明する。
【０００９】図に示されるトランスデューサ装置は、直
列発振回路１１及び制御回路１２と共にトランスデュー
サデバイス１０を備えた圧電型のトランスデューサ装置
である。このトランスデューサ装置はブザー用として使
用可能なものであり、直列発振回路１１は概ねＲＬＣ直
列回路およびこの直列回路と並列接続されたコンデンサ
Ｃ０によって形成されるアセンブリと同じであるとみな
すことができる。
列発振回路１１及び制御回路１２と共にトランスデュー
サデバイス１０を備えた圧電型のトランスデューサ装置
である。このトランスデューサ装置はブザー用として使
用可能なものであり、直列発振回路１１は概ねＲＬＣ直
列回路およびこの直列回路と並列接続されたコンデンサ
Ｃ０によって形成されるアセンブリと同じであるとみな
すことができる。
【００１０】制御回路１２は、同一周波数の正弦交流操
作電流ｉが発振回路を通るように所定周波数Ｆの交流励
振電圧Ｖｅを発振回路１１に出力する交流電圧発生回路
１３を含む。発振回路１１の共振周波数はＦ０である。
作電流ｉが発振回路を通るように所定周波数Ｆの交流励
振電圧Ｖｅを発振回路１１に出力する交流電圧発生回路
１３を含む。発振回路１１の共振周波数はＦ０である。
【００１１】電圧発生回路１３は、好ましくは、二重プ
ッシュプル作動し電源電圧Ｖddの２倍に等しい有用な交
流電圧Ｖｅを発振回路端子に発生するＨ型構造のもので
ある。このＨ型構造は、その一方の出力端１３ａが発振
回路１１に接続されるループ抵抗器Ｒ１を備えたフリッ
プフロップとして構成される。
ッシュプル作動し電源電圧Ｖddの２倍に等しい有用な交
流電圧Ｖｅを発振回路端子に発生するＨ型構造のもので
ある。このＨ型構造は、その一方の出力端１３ａが発振
回路１１に接続されるループ抵抗器Ｒ１を備えたフリッ
プフロップとして構成される。
【００１２】第二に、制御回路１２は、交流励振電圧Ｖ
ｅの前端が操作電流ｉのゼロ通過点と一致するように、
フリップフロップと組み合わされた制御回路として作用
する、交流励振電圧Ｖｅを交流操作電流ｉと同位相にす
る位相制御回路１４を含む。この構造設計の結果とし
て、電圧Ｖｅの励起周波数Ｆが発振回路の共振周波数Ｆ
０に等しくなる。
ｅの前端が操作電流ｉのゼロ通過点と一致するように、
フリップフロップと組み合わされた制御回路として作用
する、交流励振電圧Ｖｅを交流操作電流ｉと同位相にす
る位相制御回路１４を含む。この構造設計の結果とし
て、電圧Ｖｅの励起周波数Ｆが発振回路の共振周波数Ｆ
０に等しくなる。
【００１３】位相制御回路１４の一方の入力端１４ａは
発振回路１１の端子１１ｂに接続され、別の入力端１４
ｂはフリップフロップ１３の出力端１３ｂに接続され、
出力端１４ｃはフリップフロップ１３の入力端１３ｃに
接続されている。フリップフロップ１３の出力端１３ａ
は、発振回路１１の別の端子１１ａに接続されている。
本装置の興味深い特性によれば、発振回路１１には２つ
の端子１１ａ，１１ｂが存在し、これらは、制御回路１
２における端子１３ａ，１４ａへただ２本のワイヤ１
５，１６によって接続されていることに注意されたい。
発振回路１１の端子１１ｂに接続され、別の入力端１４
ｂはフリップフロップ１３の出力端１３ｂに接続され、
出力端１４ｃはフリップフロップ１３の入力端１３ｃに
接続されている。フリップフロップ１３の出力端１３ａ
は、発振回路１１の別の端子１１ａに接続されている。
本装置の興味深い特性によれば、発振回路１１には２つ
の端子１１ａ，１１ｂが存在し、これらは、制御回路１
２における端子１３ａ，１４ａへただ２本のワイヤ１
５，１６によって接続されていることに注意されたい。
【００１４】図２から分かるように、位相制御回路１４
は、１対の反転ｎｐｎ型およびｐｎｐ型のトランジスタ
Ｔ１，Ｔ２を含むのが好ましく、これらトランジスタの
エミッタは共通点１６を通り、ゲイン調節抵抗器Ｒ４を
介して発振回路の端子１１ｂに接続される。トランジス
タＴ１，Ｔ２のコレクタは、反対極性のダイオードＤ
１，Ｄ２を介して共通点１７に接続され、共通点１７は
抵抗器Ｒ３を介してフリップフロップ１３の入力端１３
ｃに接続される。トランジスタＴ１，Ｔ２のベースは、
フリップフロップの出力端１３ｂに共通に接続される。
従って、フリップフロップ１３は、トランジスタのベー
ス・エミッタ回路を介して発振回路の端子１１ｂに接続
され、トランジスタのコレクタはフリップフロップ入力
にループされる。
は、１対の反転ｎｐｎ型およびｐｎｐ型のトランジスタ
Ｔ１，Ｔ２を含むのが好ましく、これらトランジスタの
エミッタは共通点１６を通り、ゲイン調節抵抗器Ｒ４を
介して発振回路の端子１１ｂに接続される。トランジス
タＴ１，Ｔ２のコレクタは、反対極性のダイオードＤ
１，Ｄ２を介して共通点１７に接続され、共通点１７は
抵抗器Ｒ３を介してフリップフロップ１３の入力端１３
ｃに接続される。トランジスタＴ１，Ｔ２のベースは、
フリップフロップの出力端１３ｂに共通に接続される。
従って、フリップフロップ１３は、トランジスタのベー
ス・エミッタ回路を介して発振回路の端子１１ｂに接続
され、トランジスタのコレクタはフリップフロップ入力
にループされる。
【００１５】図８に示す実施形態において、フリップフ
ロップ１３はスタータ発振器をも含んでいる。このスタ
ータ発振器は２つのＣＭＯＳインバータバッファ２０，
２１を含み、バッファ２０の出力端とバッファ２１の入
力端との間に位置する両者の中間点Ｅはインバータバッ
ファ２３を介してトランスデューサ１０に接続される。
インバータ２１の出力端１３ｂはインバータバッファ２
４を介してトランジスタＴ１，Ｔ２のベースに接続され
る。インバータバッファ２３，２４の役割は分離と増幅
である。中間点Ｅは抵抗器Ｒ１を介して、直列接続され
た抵抗器Ｒ２とコンデンサＣ１との間の中間点に接続さ
れる。抵抗器Ｒ２とコンデンサＣ１との直列回路はイン
バータバッファ２０，２１に対して並列接続され、さら
に抵抗器Ｒ２とコンデンサＣ１との直列回路に対してコ
ンデンサＣ２が並列に接続されている。初めに、フリッ
プフロップ１３は発振回路の共振周波数Ｆ０よりも僅か
に低い周波数で発振し、その後で、作動中に周波数Ｆ０
まで増大する。
ロップ１３はスタータ発振器をも含んでいる。このスタ
ータ発振器は２つのＣＭＯＳインバータバッファ２０，
２１を含み、バッファ２０の出力端とバッファ２１の入
力端との間に位置する両者の中間点Ｅはインバータバッ
ファ２３を介してトランスデューサ１０に接続される。
インバータ２１の出力端１３ｂはインバータバッファ２
４を介してトランジスタＴ１，Ｔ２のベースに接続され
る。インバータバッファ２３，２４の役割は分離と増幅
である。中間点Ｅは抵抗器Ｒ１を介して、直列接続され
た抵抗器Ｒ２とコンデンサＣ１との間の中間点に接続さ
れる。抵抗器Ｒ２とコンデンサＣ１との直列回路はイン
バータバッファ２０，２１に対して並列接続され、さら
に抵抗器Ｒ２とコンデンサＣ１との直列回路に対してコ
ンデンサＣ２が並列に接続されている。初めに、フリッ
プフロップ１３は発振回路の共振周波数Ｆ０よりも僅か
に低い周波数で発振し、その後で、作動中に周波数Ｆ０
まで増大する。
【００１６】抵抗器Ｒ１およびコンデンサＣ１は、スタ
ータ発振器の周波数を特定し、コンデンサＣ２はその転
換速度を上昇させる。点１７とフリップフロップ１３と
の間に配置された抵抗器Ｒ３はトランジスタＴ１，Ｔ２
のベース・コレクタ接合の容量性効果を制限する。トラ
ンスデューサ１０とトランジスタＴ１，Ｔ２のエミッタ
の共通点１８との間に配置された抵抗器Ｒ４はトランス
デューサ１０の音量を調節するために用いられる。この
音量は、電源電圧Ｖddを調整することによっても調節可
能である。発振回路１１を制御するために、数個のイン
バータバッファを並列接続することができる。
ータ発振器の周波数を特定し、コンデンサＣ２はその転
換速度を上昇させる。点１７とフリップフロップ１３と
の間に配置された抵抗器Ｒ３はトランジスタＴ１，Ｔ２
のベース・コレクタ接合の容量性効果を制限する。トラ
ンスデューサ１０とトランジスタＴ１，Ｔ２のエミッタ
の共通点１８との間に配置された抵抗器Ｒ４はトランス
デューサ１０の音量を調節するために用いられる。この
音量は、電源電圧Ｖddを調整することによっても調節可
能である。発振回路１１を制御するために、数個のイン
バータバッファを並列接続することができる。
【００１７】さて、図３から図７を参照して、本発明に
よるトランスデューサ装置の動作について説明する。
よるトランスデューサ装置の動作について説明する。
【００１８】交流操作電流ｉは、時点ｔ０において、図
３に示す方向に発振回路を通過し、この電流を正電流と
みなすものとする。位相制御回路１４の出力端は比較的
高インピーダンスの負荷に接続されているので、トラン
ジスタＴ２のコレクタ電流は、トランジスタＴ２のベー
ス電流Ｉｂに比較すると小さく、したがって、交流操作
電流ｉはほぼ電流Ｉｂに等しく、トランジスタＴ１はブ
ロックされる。したがって、回路１４の出力端１４ｃに
おいて得られる信号Ｓは未決定状態にあり、したがっ
て、発振回路１１の励振電圧Ｖｅは正であり、その符号
は交流操作電流ｉの符号と同じである。
３に示す方向に発振回路を通過し、この電流を正電流と
みなすものとする。位相制御回路１４の出力端は比較的
高インピーダンスの負荷に接続されているので、トラン
ジスタＴ２のコレクタ電流は、トランジスタＴ２のベー
ス電流Ｉｂに比較すると小さく、したがって、交流操作
電流ｉはほぼ電流Ｉｂに等しく、トランジスタＴ１はブ
ロックされる。したがって、回路１４の出力端１４ｃに
おいて得られる信号Ｓは未決定状態にあり、したがっ
て、発振回路１１の励振電圧Ｖｅは正であり、その符号
は交流操作電流ｉの符号と同じである。
【００１９】時点ｔ１（図４および図７参照）におい
て、交流操作電流ｉがゼロ点を通過すると符号が変わ
り、その結果、コレクタ電流Ｉｃによって出力信号Ｓを
ハイの状態（１）にする。それにより、フリップフロッ
プ１３は、交流操作電流ｉと同時に負となる電圧Ｖｅを
出力する。
て、交流操作電流ｉがゼロ点を通過すると符号が変わ
り、その結果、コレクタ電流Ｉｃによって出力信号Ｓを
ハイの状態（１）にする。それにより、フリップフロッ
プ１３は、交流操作電流ｉと同時に負となる電圧Ｖｅを
出力する。
【００２０】時点ｔ２（図５および図７参照）まで、信
号Ｓの状態は未決定であり、電圧Ｖｅは負のままであ
る。時点ｔ２（図６および図７参照）において、交流操
作電流ｉがゼロ点を通過して正となり、信号Ｓがロー状
態（０）に変わる。それによりフリップフロップ１３
は、交流操作電流ｉと同時に正となる電圧Ｖｅを出力す
る。
号Ｓの状態は未決定であり、電圧Ｖｅは負のままであ
る。時点ｔ２（図６および図７参照）において、交流操
作電流ｉがゼロ点を通過して正となり、信号Ｓがロー状
態（０）に変わる。それによりフリップフロップ１３
は、交流操作電流ｉと同時に正となる電圧Ｖｅを出力す
る。
【図１】本発明によるトランスデューサ装置の全体構成
図である。
図である。
【図２】本発明の好ましい一実施形態を示す回路接続図
である。
である。
【図３】制御回路の動作を操作位相との関係で説明する
説明図である。
説明図である。
【図４】制御回路の動作を操作位相との関係で説明する
説明図である。
説明図である。
【図５】制御回路の動作を操作位相との関係で説明する
説明図である。
説明図である。
【図６】制御回路の動作を操作位相との関係で説明する
説明図である。
説明図である。
【図７】制御回路に特有の大きさの異なる変動を示す図
である。
である。
【図８】スタータ発振器の用いたトランスデューサ装置
の回路接続図である。
の回路接続図である。
１０ トランスデューサ １１ 直列発振器 １２ 制御回路 １３ 電圧発生回路 １４ 位相制御回路
Claims (7)
- 【請求項１】発振回路（１１）およびこの発振回路を励
振する制御回路（１２）を有するトランスデューサ（１
０）を備えるトランスデューサ装置であって、前記制御
回路（１２）は、励振周波数と同じ周波数（Ｆ）のほぼ
正弦波の交流操作電流（ｉ）が前記発振回路（１１）を
通過するように決定された周波数の交流励振電圧（Ｖ
ｅ）を前記発振回路（１１）へ出力する交流電圧発生回
路（１３）を備えたトランスデューサ装置において、前
記交流電圧発生回路（１３）は前記交流操作電流（ｉ）
が符号を変えた時に状態を変えるように前記制御回路
（１４）に結合されたフリップフロップであることを特
徴とするトランスデューサ装置。 - 【請求項２】請求項１に記載のトランスデューサ装置に
おいて、前記制御回路（１４）は前記交流励振電圧（Ｖ
ｅ）を前記交流操作電流（ｉ）と同位相にする回路を形
成し、この回路は、前記交流操作電流が符号を変えた時
に切り替わるフリップフロップ（１３）への入力端へ制
御信号（Ｓ）を出力するために、前記発振回路（１１）
の共振周波数（Ｆ０）のレベルに前記励振周波数（Ｆ）
を調節するように、前記発振回路（１１）およびフリッ
プフロップ（１３）への入力端に接続されることを特徴
とするトランスデューサ装置。 - 【請求項３】請求項２に記載のトランスデューサ装置に
おいて、前記制御回路（１４）は少なくとも１対の電力
トランジスタ（Ｔ１、Ｔ２）を含み、これらのトランジ
スタのベース電流が前記操作電流（ｉ）をぼぼ形成し、
かつ、前記トランジスタのコレクタ電流が前記フリップ
フロップの入力端（１３ｃ）に周期パルスを生成して、
前記フリップフロップ用の制御信号（Ｓ）を形成するよ
うに、前記トランジスタのベースは前記フリップフロッ
プ（１３）の出力端（１３ｂ）に、エミッタは前記発振
回路（１１）に、かつ、コレクタはそれぞれダイオード
（Ｄ１，Ｄ２）を介して逆並列接続されたフリップフロ
ップ（１３）の入力端（１３ｃ）に接続されることを特
徴とするトランスデューサ装置。 - 【請求項４】請求項１に記載のトランスデューサ装置に
おいて、前記フリップフロップ（１３）はＨ構造を形成
するように構成され、このＨ構造は前記発振回路（１
１）に対して積重配置されたインバータバッファを含む
ことを特徴とするトランスデューサ装置。 - 【請求項５】請求項１に記載のトランスデューサ装置に
おいて、前記発振回路（１１）は２本のワイヤ（１５，
１６）を介して前記制御回路（１２）に接続されること
を特徴とするトランスデューサ装置。 - 【請求項６】請求項１に記載のトランスデューサ装置に
おいて、前記フリップフロップ（１３）はスタータ発振
器を形成するように構成されることを特徴とするトラン
スデューサ装置。 - 【請求項７】請求項１に記載のトランスデューサ装置に
おいて、前記トランスジューサ（１０）を前記制御手段
（１４）へ接続するワイヤ（１６）中にトランスジュー
サ放射レベル調節抵抗器（Ｒ４）が配置されることを特
徴とするトランスデューサ装置。
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