JP2000118038A - 画像形成装置 - Google Patents

画像形成装置

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JP2000118038A
JP2000118038A JP29363898A JP29363898A JP2000118038A JP 2000118038 A JP2000118038 A JP 2000118038A JP 29363898 A JP29363898 A JP 29363898A JP 29363898 A JP29363898 A JP 29363898A JP 2000118038 A JP2000118038 A JP 2000118038A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 感光体に対しレーザ光を偏向走査させる走査
光学手段を備えた画像形成装置用の半導体レーザ等を駆
動制御する上で、低廉・小型な構成でEMI対策上も有
利な画像処理クロックを適正なタイミングで生成できる
画像形成装置を提供する。 【解決手段】 同期信号とPLL回路3の出力VCLK
とに同期したリセットパルス1で第1の分周回路8をリ
セットし、第1の画像処理クロックPCLK1を生成す
る画像処理クロック生成手段12を備えることで、基本
的にシリアルデータから可変分周回路4の分周比Nを設
定すれば、同一の基準クロックから様々な画像処理クロ
ックPCLK1を生成できる。このような画像処理クロ
ック生成手段12と半導体レーザLD1,LD2に対す
る制御・変調手段14とを1つのIC回路1内に有する
ので、書込光学部品の周辺に電装系と光学系とのインタ
フェースを行なう部品をまとめられ、小型・低廉でEM
I対策上も有利となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザを書
込み光源として用い、そのレーザ光を偏向走査させて感
光体上に静電潜像を形成するレーザプリンタ、デジタル
複写機等の画像形成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図5は、この種の画像形成装置の一般的
な光書込み系を示す模式図である。半導体レーザユニッ
ト30から出射されたレーザ光は高速で回転駆動されて
いるポリゴンミラー31の1つの反射面で反射されるこ
とにより、偏向され、fθレンズ32を介して感光体3
3上を主走査方向に走査される。ここに、感光体33自
体は回転駆動されることにより副走査駆動される。ま
た、半導体レーザユニット30は画像処理ユニット34
により生成された画像データと位相同期回路35により
位相が設定された画像クロックとに従い、レーザ駆動回
路36で半導体ユニット30中の半導体レーザの発光時
間を制御することにより感光体33上に形成する静電潜
像を制御する。また、位相同期回路35は、クロック生
成回路37により生成されたクロックをポリゴンミラー
31により偏向走査されたレーザ光を所定の位置で受光
する同期センサ38により検出された同期信号に同期す
るようにタイミングを設定する。
【0003】このようなレーザ光を偏向走査させる走査
光学手段39を備えた画像形成装置では、レーザ駆動回
路36、位相同期回路35及びクロック生成回路37
は、感光体33上に形成する静電潜像の位置精度、間隔
精度上、必要不可欠なものである。
【0004】また、この種の画像形成装置における半導
体レーザを高速変調駆動させるための駆動制御回路とし
て、特開平5−75199号公報、特開平5−2354
46号公報、特開平9−321376号公報等に示され
るものが、本出願人により提案されている。その内容を
要約すると、半導体レーザの光出力をモニタする受光素
子の受光電流と発光指令電流とを常時比較することによ
り高速で半導体レーザを制御する光電気負帰還ループを
形成し、かつ、発光指令電流に比例した電流を光電気負
帰還ループの出力電流に加算して半導体レーザに流すこ
とにより高速変調するようにしたものである。これによ
り、半導体レーザの温度特性・ドゥループ特性などを抑
制し、かつ、高速変調が可能となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図5に示し
たような構成の場合、画像クロックと同一の周波数信号
を画像形成装置内で幾つもの経路を必要として処理して
おり、画像形成装置のEMI(電磁波障害)の問題を引
き起こしてしまう。また、部品点数が多くなるため、コ
スト高ともなる。
【0006】また、この種の構成のレーザプリンタ等に
あっては、高速・高密度化に伴い、1つの半導体レーザ
ではなく、複数個の半導体レーザを光源として用いて並
列的に記録する方式が採用されつつある。このような場
合の光源としては、単体の半導体レーザを複数個用いる
場合と、複数個の半導体レーザを一体に形成してなるア
レイ構造(LDアレイ)を用いる場合とがあり、システ
ム的観点からは適宜何れかの方式を選択し得ることが望
ましい。ところが、従来にあっては、LDアレイに対し
ては受光素子がアレイ中の全ての半導体レーザに共通で
あるため、前述した特開平5−75199号公報、特開
平5−235446号公報、特開平9−321376号
公報等に示される駆動制御方式を適用できず、結果的
に、LDアレイを用いる場合には、外部に各々のレーザ
光出力を分離して検出する手段等が要求され、コスト高
となってしまう。
【0007】また、これらの公報例による場合、半導体
レーザの温度特性・ドゥループ特性などの影響を除去す
るためには常時光出力の制御が必要となるため、制御系
を正常に動作させるためにも半導体レーザの光出力を完
全にオフ(消灯)させることはできない。この結果、オ
フセット光を生じてしまう。また、半導体レーザに駆動
電流を加算する駆動電流を設定する回路が必要とされ、
レーザプリンタ等の光変調ICの機能を向上させようと
する場合の回路規模的制約を伴うこととなり、小型化構
成が難しい。
【0008】そこで、本発明は、感光体に対してレーザ
光を偏向走査させる走査光学手段を備えた画像形成装置
に用いられる半導体レーザを駆動制御する上で、低廉・
小型な構成でEMI対策上も有利で画像処理クロックを
適正なタイミングで生成することができる画像形成装置
を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
画像変調信号に基づいて変調駆動される半導体レーザ
と、この半導体レーザから出射されたレーザ光を回転駆
動される感光体上に偏向走査させる走査光学手段と、前
記感光体に対して所定位置に配設されたセンサを有し前
記走査光学手段より偏向走査されたレーザ光を受光して
同期信号を発生する同期信号検出手段とを備え、前記同
期信号に基づく所定のタイミングで前記レーザ光を前記
感光体上に偏向走査させて前記画像変調信号に応じた静
電潜像を形成する画像形成装置において、基準クロック
が入力される位相周波数比較回路と、電圧制御発振回路
と、分周比Nが設定自在な可変分周回路とがループ接続
されて、前記基準クロックのN倍の周波数信号を出力す
るPLL回路と、このPLL回路の前記同期信号と前記
PLL回路の出力とに同期した第1のリセット信号によ
り前記第1の分周回路をリセットして、第1の画像処理
クロックを生成する力を分周する第1の分周回路とを含
み、第1の画像処理クロック生成手段と、前記半導体レ
ーザを制御・変調する制御・変調手段と、を1つのIC
回路により形成した。
【0010】従って、画像処理クロック生成手段と半導
体レーザに対する制御・変調手段とが1つのIC回路内
に取り込まれているので、書込み光学部品の周辺に電装
系と光学系とのインタフェースを行なう部品をまとめる
ことができ、小型・低廉でEMI対策上も有利で画像形
成装置を提供できる。
【0011】請求項2記載の発明は、請求項1記載の画
像形成装置において、前記半導体レーザはM個(M≧
2)個であり、前記制御・変調手段は、前記各半導体レ
ーザ毎に個別なM個の制御・変調回路を備え、前記PL
L回路とこのPLL回路の出力を分周する第2の分周回
路とを含み、前記同期信号と前記PLL回路の出力とに
同期した前記第1のリセット信号と同一の第2のリセッ
ト信号により前記第2の分周回路をリセットして、第2
の画像処理クロックを生成する第2の画像処理クロック
生成手段を前記IC回路中に備える。
【0012】従って、複数個の半導体レーザを用いる場
合に、第1,2の画像処理クロック生成手段と個々の半
導体レーザに対する制御・変調回路を備えた制御・変調
手段とが1つのIC回路内に取り込まれているので、書
込み光学部品の周辺に電装系と光学系とのインタフェー
スを行なう部品をまとめることができ、小型・低廉でE
MI対策上も有利で画像形成装置を提供できる。
【0013】請求項3記載の発明は、請求項2記載の画
像形成装置において、M個の前記半導体レーザは、アレ
イ構造である。
【0014】従って、請求項2記載の画像形成装置に関
して1つの受光素子を共用するアレイ構造の半導体レー
ザを用いる場合において、特に有効となる。
【0015】請求項4記載の発明は、請求項2又は3記
載の画像形成装置において、M個の各制御・変調回路
は、各々、誤差増幅回路とサンプルホールド回路と半導
体レーザ駆動回路とよりなる。
【0016】従って、請求項2又は3記載の画像形成装
置に関して、個々の半導体レーザに対する制御・変調回
路を備える制御・変調手段を小規模な回路構成で実現で
きる。
【0017】請求項5記載の発明は、請求項4記載の画
像形成装置において、前記各サンプルホールド回路は、
対応する半導体レーザがその制御・変調回路の半導体レ
ーザ駆動回路により点灯し他の全ての半導体レーザが消
灯している時にサンプリング動作してサンプル信号を出
力する。
【0018】従って、請求項4記載の画像形成装置に加
えて、各半導体レーザの内で1つのみが点灯していると
きだけサンプリングしてサンプル信号を得るので、1つ
の受光素子を共用するアレイ構造の半導体レーザを用い
る場合でも支障がなく、安価に構成できる。
【0019】請求項6記載の発明は、請求項1記載の画
像形成装置において、前記半導体レーザはM個(M≧
2)個であり、前記制御・変調手段は、前記各半導体レ
ーザ毎に個別なM個の制御・変調回路を備え、前記第1
の分周回路に対する第1のリセット信号は前記同期信号
の最初の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した信
号であり、前記PLL回路の出力を分周する第2の分周
回路を含み、前記同期信号の次の立上がりで前記PLL
回路の出力に同期した第2のリセット信号により前記第
2の分周回路をリセットして、第2の画像処理クロック
を生成する第2の画像処理クロック生成手段を前記IC
回路中に備える。
【0020】従って、単体構造の複数個の半導体レーザ
を用いることで書出し位置がずれている場合でも、第
1,2の画像処理クロック生成手段と個々の半導体レー
ザに対する制御・変調回路を備えた制御・変調手段とが
1つのIC回路内に取り込まれているので、書込み光学
部品の周辺に電装系と光学系とのインタフェースを行な
う部品をまとめることができ、小型・低廉でEMI対策
上も有利な画像形成装置を提供できる。
【0021】請求項7記載の発明は、画像変調信号に基
づいて変調駆動される半導体レーザと、この半導体レー
ザから出射されたレーザ光を回転駆動される感光体上に
偏向走査させる走査光学手段と、前記感光体に対して所
定位置に配設されたセンサを有し前記走査光学手段より
偏向走査されたレーザ光を受光して同期信号を発生する
同期信号検出手段とを備え、前記同期信号に基づく所定
のタイミングで前記レーザ光を前記感光体上に偏向走査
させて前記画像変調信号に応じた静電潜像を形成する画
像形成装置において、前記半導体レーザはM個(M≧
2)個であり、基準クロックが入力される位相周波数比
較回路と、電圧制御発振回路と、分周比Nが設定自在な
可変分周回路とがループ接続されて、前記基準クロック
のN倍の周波数信号を出力するPLL回路と、このPL
L回路の出力を分周する第1の分周回路とを含み、第1
の画像処理クロックを生成する第1の画像処理クロック
生成手段と、前記PLL回路とこのPLL回路の出力を
分周する第2の分周回路とを含み、第2の画像処理クロ
ックを生成する第2の画像処理クロック生成手段と、前
記各半導体レーザ毎に個別に制御・変調回路を備えた制
御・変調手段と、を1つのIC回路により形成し、前記
同期信号と前記PLL回路の出力とに同期した同一の第
1,2のリセット信号により前記第1,2の分周回路を
リセットして各々前記第1,2の画像処理クロック生成
手段により前記第1,2の画像処理クロックを生成させ
る動作モードと、前記同期信号の最初の立上がりで前記
PLL回路の出力に同期した第1のリセット信号により
前記第1の分周回路をリセットして前記第1の画像処理
クロック生成手段により前記第1の画像処理クロックを
生成させるともに前記同期信号の次の立上がりで前記P
LL回路の出力に同期した前記第2のリセット信号によ
り前記第2の分周回路をリセットして前記第2の画像処
理クロック生成手段により第2の画像処理クロックを生
成させる動作モードとを動作設定信号により選択自在と
した。
【0022】従って、1つのIC回路でアレイ構造の複
数個の半導体レーザを用いる場合と単体構造の複数個の
半導体レーザを用いる場合との何れであっても、動作設
定信号による動作モードの選択により対処できる。
【0023】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図1ない
し図4に基づいて説明する。なお、図5に示した画像形
成装置(レーザプリンタ)の光書込み系における感光体
33に対する走査光学手段39及び同期センサ38を主
体とする同期信号検出手段40は、本実施の形態におい
てもそのまま用いるものとする。
【0024】本実施の形態は、半導体レーザユニット3
0部分に配設される半導体レーザLDが複数個、ここで
は、半導体レーザLD1,LD2を用いるM=2の場合
に適用されており、特に、これらの半導体レーザLD
1,LD2に対する制御系に適用されている。図1は動
作設定信号なるモード信号Mode が“1”で半導体レー
ザLD1,LD2がアレイ構造の半導体レーザユニット
30aの場合を示し、図2は動作設定信号なるモード信
号Mode が“0”で半導体レーザLD1,LD2が各々
単体である半導体レーザユニット30bの場合を示す。
単体の半導体レーザLD1,LD2を用いる場合、それらの
レーザ光の書出し位置がずれる構成となる。ここに、ア
レイ構造の半導体レーザユニット30aにあっては半導
体レーザLD1,LD2に共通な1個のモニタ用の受光
素子PDを備えているのに対し、半導体レーザユニット
30bにあっては半導体レーザLD1,LD2毎にモニ
タ用の受光素子PD1,PD2を備えている。図3は図
1に対応するモード信号Mode が“1”の場合の動作を
示すタイムチャート、図4は図2に対応するモード信号
Mode が“0”の場合の動作を示すタイムチャートであ
る。
【0025】半導体レーザユニット30a又は30bの
何れにも適用可能なIC回路1が設けられている。この
IC回路1内にあっては、まず、外部入力であるシリア
ルデータが転送クロックに従い転送されるシフトレジス
タ2が設けられている。このシフトレジスタ2の出力側
はPLL回路3中の可変分周回路である分周比Nが可変
のプログラマブルカウンタ4に接続されている。PLL
回路3は周波数Frefの基準クロックが入力される位相
周波数比較回路5と、周波数Fo なる発振出力を出す発
振電圧制御発振回路VCO6とプログラマブルカウンタ
7とをループ接続してなる。ここに、プログラマブルカ
ウンタ4の分周比Nは、シフトレジスタ2に取り込まれ
たシリアルデータに従い設定される。このプログラマブ
ルカウンタ4の入力クロックはVCO6の発振出力(周
波数Fo )であり、周波数Fo を分周してFo /Nの周
波数出力を位相周波数比較回路5に対して出力する。こ
の位相周波数比較回路5において外部より入力される周
波数Fref の基準クロックと比較され、その比較結果に
基づき、VCO6の発振周波数Fo が制御される。これ
により、PLL回路3の出力なるVCO6から出力され
るVCLKの周波数Fo は、Fo =N・Fref となる。
即ち、基準クロックの周波数のN倍の周波数信号が出力
される。従って、基本的に、シリアルデータからプログ
ラマブルカウンタ4の分周比Nを設定すれば、同一の基
準クロックから様々な画像処理クロックを生成し得るこ
とが分かる。
【0026】IC回路1中には、このPLL回路3によ
り生成された信号VCLKが供給されるタイミング生成
回路7と、第1の分周回路8と、第2の分周回路9とが
設けられている。タイミング生成回路7には、信号VC
LKの他、画像変調信号1,2、イネーブル信号Enabl
e 、同期センサ38から得られる同期信号、及び、モー
ド信号Mode が入力されている。
【0027】第1,2の分周回路8,9の分周比は、本
実施の形態では、8分周に設定されており、ドライバ1
0,11を介して出力される第1,2の画像処理クロッ
クPCLK1,PCLK2の周波数は、N・Fref /8
となる。ここで、第1の分周回路8はタイミング生成回
路7からのリセットパルス1によりリセットされ、第2
の分周回路9はタイミング生成回路7からのリセットパ
ルス2によりリセットされるように設定されているが、
モード信号Mode =1にあっては、リセットパルス2=
リセットパルス1に設定されており、同一位相の第1,
2の画像処理クロックPCLK1,PCLK2が出力さ
れる。ここに、モード信号Mode =1では、リセットパ
ルス1はタイミング生成回路7に入力される同期信号の
立上がり微分がPLL回路3の出力VCLKを基準とし
て取られることで、図3に示すようなタイミングで生成
されることになる。従って、第1,2の画像処理クロッ
クPCLK1,PCLK2は同期信号に対してPLL回
路3の出力VCLKの周期分だけの誤差を持つ同期クロ
ックとなる。ここに、本実施の形態では、PLL回路3
とタイミング生成回路7と第1の分周回路8とドライバ
10とにより第1の画像処理クロック生成手段12が構
成され、PLL回路3とタイミング生成回路7と第2の
分周回路9とドライバ11とにより第2の画像処理クロ
ック生成手段13が構成されている。
【0028】また、IC回路1内には半導体レーザLD
1,LD2を制御・変調する制御・変調手段14が設け
られている。この制御・変調手段14は、半導体レーザ
LD1,LD2毎に設けられた制御・変調回路15,1
6からなる。各制御・変調回路15,16は、誤差増幅
回路17,18とサンプルホールド回路19,20と半
導体レーザ駆動回路なるドライバ21,22とセレクタ
23,24とにより形成されている。誤差増幅回路1
7,18には受光素子PDが接続されている。ドライバ
21には半導体レーザLD1が接続され、ドライバ22
には半導体レーザLD2が接続されている。誤差増幅回
路17,18の出力側に接続されたサンプルホールド回
路19,20に対してはタイミング生成回路7からのサ
ンプル信号1,2が入力されている。サンプルホールド
回路19,20の出力側に接続されたドライバ21,2
2に対してはタイミング生成回路7からの発光指令信号
LD1−ON,LD2−ONが入力されている。
【0029】ここで、本実施の形態では、同期信号は半
導体レーザLD1からのレーザ光について検出するよう
に設定されている。このため、同期信号を得るために点
灯指令信号LDON信号がレーザプリンタにおける非書
込み期間中に出力され、画像変調信号1によりLD1−
ON信号がドライバ21に与えられることで半導体レー
ザLD1を点灯させ、かつ、画像変調信号2は半導体レ
ーザLD2を消灯させるようにドライバ22に対するL
D2−ON信号を0(Lレベル)に設定する。これによ
り、非書込み期間中において半導体レーザLD1による
同期信号を得ることができる。
【0030】タイミング生成回路7では、イネーブル信
号Enable が“1”であって、半導体レーザLD1が点
灯し半導体レーザLD2が消灯している場合にはサンプ
ルホールド回路19に対するサンプル信号1を“1”に
設定する。同様に、イネーブル信号Enable が“1”で
あって、半導体レーザLD2が点灯し半導体レーザLD
1が消灯している場合にはサンプルホールド回路20に
対するサンプル信号2を“1”に設定する。ここに、同
期信号を検出するための期間では、半導体レーザLD1
が点灯し半導体レーザLD2が消灯しているので、イネ
ーブル信号Enable が“1”であれば、サンプル信号1
が“1”に設定される。同期信号が“1”になった後、
画像変調信号1を“0”にすることで、半導体レーザL
D1を消灯させ、画像変調信号2を“1”に設定する。
これにより、ドライバ22に対するLD2−ON信号が
“1”となることで今度は半導体レーザLD2が点灯す
る。この結果、サンプル信号1が“1”から“0”にな
ると同時に、サンプル信号2が“0”から“1”にな
る。
【0031】このようなサンプル信号1,2の変化に対
応して、制御・変調回路15ではレーザプリンタの非書
込み期間中で同期信号が得られるまでの期間中に半導体
レーザLD1のレーザ光を受光素子PDで受光した検出
レベルがセレクタ23で選択設定された基準電圧1に等
しくなるように制御し、その時の制御電圧がサンプル信
号1によりサンプルホールド回路19によるサンプリン
グ動作でホールドされる。同様に、同期信号検出後の非
書込み期間中で半導体レーザLD2のレーザ光を受光素
子PDで受光した検出レベルがセレクタ24で選択設定
された基準電圧2に等しくなるように制御し、その時の
制御電圧がサンプル信号2によりサンプルホールド回路
20によるサンプリング動作でホールドされる。もっと
も、ここではLDアレイが2チャンネルの場合で説明し
ているが、画像変調信号1,2及びイネーブル信号Ena
ble を用い、かつ、図1に示すIC回路1を2個使用
し、同期信号を計数することで、同期信号検出後、画像
変調信号2を“0”から“1”に設定していたところ
を、カウント値が“0”のときは第1のIC回路側の画
像変調信号2を“0”から“1”に設定し、カウント値
が“1”のときには第2のIC回路側の画像変調信号1
を“0”から“1”に設定し、カウント値が“2”の場
合には第2の画像変調信号2を“0”から“1”に設定
すれば、同期検出が3回に1回の割合で各々の半導体レ
ーザLD1,LD2を確実に制御することが可能とな
る。
【0032】よって、アレイ構造の半導体レーザユニッ
ト30aの場合、各半導体レーザLD1,LD2に対す
る制御・変調回路15,16をサンプルホールド回路1
9,20を含む構成とした場合でも、1ページ分に渡る
ホールド時間が不要となり、少なくとも数ライン分ホー
ルドできればよくなる。この結果、サンプルホールド用
のコンデンサの容量を小さくできるため、充放電電流の
値も小さくすることができ、回路的に、消費電力等を低
減させることができ、集積化しやすくなる。
【0033】次に、IC回路1に対して半導体レーザユ
ニット30bが接続され、モード信号Mode =0に設定
された場合(図2)の動作について、図4を参照して説
明する。この場合には、同期信号は半導体レーザLD
1,LD2に対して各々生成され、単一の同期センサ3
8により検出すると時系列的に図4に示すような同期信
号となる。このような同期信号の最初のパルスでのクロ
ックVCLKに対する立上がり(微分信号)がリセット
パルス1であり、このリセットパルス1に従い第1の分
周回路8がリセットされる。同期信号の次(2番目)の
パルスでのクロックVCLKに対する立上がり(微分信
号)がリセットパルス2であり、このリセットパルス2
に従い第2の分周回路9がリセットされる。この結果、
第1の画像処理クロックPCLK1は同期信号の最初の
パルスに同期し、第2の画像処理クロックPCLK2は
同期信号の2番目のパルスに同期したクロックとなる。
なお、これらの第1,2の画像処理クロックPCLK
1,PCLK2は2個の単体の半導体レーザLD1,L
D2を用いたレーザプリンタの場合には同一周波数とな
るので、PLL回路3からのクロックVCLKは共通で
よい。
【0034】また、モード信号Mode =0が適用され、
半導体レーザユニット30bが接続される場合、受光素
子PD1,PD2は各々誤差増幅回路17,18に個別
に接続され、かつ、サンプル信号1は画像変調信号1に
従い、サンプル信号2は画像変調信号2に従うように設
定される。この結果、図1及び図3に示したモード信号
Mode =1の場合と異なり、2個の半導体レーザLD
1,LD2は各々点灯しているときのみ独立して制御・
変調回路15,16により制御される。また、図2及び
図4に示すように、単体の2個の半導体レーザLD1,
LD2を用いる場合でも、PLL回路3は1個用意する
だけで、同期信号に同期した画像処理クロックPCLK
1,PCLK2を各々生成することができる。
【0035】このようにして、本実施の形態のIC回路
1によれば、モード信号Mode =1に設定すればアレイ
構造の半導体レーザユニット30aに対応でき、モード
信号Mode =0に設定すれば単体構造の半導体レーザL
D1,LD2による半導体レーザユニット30bに対応
できる。
【0036】
【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、同期信号
とPLL回路の出力とに同期した第1のリセット信号に
より第1の分周回路をリセットし、第1の画像処理クロ
ックを生成する画像処理クロック生成手段を備えること
で、基本的に、シリアルデータから可変分周回路の分周
比Nを設定すれば、同一の基準クロックから様々な画像
処理クロックPCLK1を生成でき、このような画像処
理クロック生成手段と半導体レーザに対する制御・変調
手段とが1つのIC回路内に取り込まれているので、書
込み光学部品の周辺に電装系と光学系とのインタフェー
スを行なう部品をまとめることができ、小型・低廉でE
MI対策上も有利な画像形成装置を提供することができ
る。
【0037】請求項2記載の発明によれば、複数個の半
導体レーザを用いる場合でも、第1,2の画像処理クロ
ック生成手段と個々の半導体レーザに対する制御・変調
回路を備えた制御・変調手段とが1つのIC回路内に取
り込まれているので、書込み光学部品の周辺に電装系と
光学系とのインタフェースを行なう部品をまとめること
ができ、小型・低廉でEMI対策上も有利な画像形成装
置を提供することができる。
【0038】請求項3記載の発明によれば、請求項2記
載の画像形成装置に関して1つの受光素子を共用するア
レイ構造の半導体レーザを用いる場合において、特に有
効となる。
【0039】請求項4記載の発明によれば、請求項2又
は3記載の画像形成装置に関して、個々の半導体レーザ
に対する制御・変調回路を備える制御・変調手段を小規
模な回路構成で実現することができる。
【0040】請求項5記載の発明によれば、請求項4記
載の画像形成装置に加えて、各半導体レーザの内で1つ
のみが点灯しているときだけサンプリングしてサンプル
信号を得るようにしたので、1つの受光素子を共用する
アレイ構造の半導体レーザを用いる場合でも支障がな
く、安価に構成することができる。
【0041】請求項6記載の発明によれば、単体構造の
複数個の半導体レーザを用いることで書出し位置がずれ
ている場合でも、第1,2の画像処理クロック生成手段
と個々の半導体レーザに対する制御・変調回路を備えた
制御・変調手段とが1つのIC回路内に取り込まれてい
るので、書込み光学部品の周辺に電装系と光学系とのイ
ンタフェースを行なう部品をまとめることができ、小型
・低廉でEMI対策上も有利な画像形成装置を提供する
ことができる。
【0042】請求項7記載の発明によれば、1つのIC
回路でアレイ構造の複数個の半導体レーザを用いる場合
と単体構造の複数個の半導体レーザを用いる場合との何
れであっても、動作設定信号による動作モードの選択に
より簡単に対処できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態のMode =1の場合の構
成例を示すブロック図である。
【図2】Mode =0の場合の構成例を示すブロック図で
ある。
【図3】Mode =1の場合の動作例を示すタイムチャー
トである。
【図4】Mode =0の場合の動作例を示すタイムチャー
トである。
【図5】従来、一般の光書込み系の構成例を示す模式図
である。
【符号の説明】
1 IC回路 3 PLL回路 4 可変分周回路 5 位相周波数比較回路 6 電圧制御発振器 8 第1の分周回路 9 第2の分周回路 12 第1の画像処理クロック生成手段 13 第2の画像処理クロック生成手段 14 制御・変調手段 15,16 制御・変調回路 17,18 誤差増幅回路 19,20 サンプルホールド回路 21,22 半導体レーザ駆動回路 33 感光体 38 センサ 39 走査光学手段 40 同期信号検出手段

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 画像変調信号に基づいて変調駆動される
    半導体レーザと、この半導体レーザから出射されたレー
    ザ光を回転駆動される感光体上に偏向走査させる走査光
    学手段と、前記感光体に対して所定位置に配設されたセ
    ンサを有し前記走査光学手段より偏向走査されたレーザ
    光を受光して同期信号を発生する同期信号検出手段とを
    備え、前記同期信号に基づく所定のタイミングで前記レ
    ーザ光を前記感光体上に偏向走査させて前記画像変調信
    号に応じた静電潜像を形成する画像形成装置において、 基準クロックが入力される位相周波数比較回路と、電圧
    制御発振回路と、分周比Nが設定自在な可変分周回路と
    がループ接続されて、前記基準クロックのN倍の周波数
    信号を出力するPLL回路と、このPLL回路の出力を
    分周する第1の分周回路とを含み、前記同期信号と前記
    PLL回路の出力とに同期した第1のリセット信号によ
    り前記第1の分周回路をリセットして、第1の画像処理
    クロックを生成する第1の画像処理クロック生成手段
    と、 前記半導体レーザを制御・変調する制御・変調手段と、 を1つのIC回路により形成したことを特徴とする画像
    形成装置。
  2. 【請求項2】 前記半導体レーザはM個(M≧2)個で
    あり、 前記制御・変調手段は、前記各半導体レーザ毎に個別な
    M個の制御・変調回路を備え、 前記PLL回路とこのPLL回路の出力を分周する第2
    の分周回路とを含み、前記同期信号と前記PLL回路の
    出力とに同期した前記第1のリセット信号と同一の第2
    のリセット信号により前記第2の分周回路をリセットし
    て、第2の画像処理クロックを生成する第2の画像処理
    クロック生成手段を前記IC回路中に備えることを特徴
    とする請求項1記載の画像形成装置。
  3. 【請求項3】 M個の前記半導体レーザは、アレイ構造
    であることを特徴とする請求項2記載の画像形成装置。
  4. 【請求項4】 M個の各制御・変調回路は、各々、誤差
    増幅回路とサンプルホールド回路と半導体レーザ駆動回
    路とよりなることを特徴とする請求項2又は3記載の画
    像形成装置。
  5. 【請求項5】 前記各サンプルホールド回路は、対応す
    る半導体レーザがその制御・変調回路の半導体レーザ駆
    動回路により点灯し他の全ての半導体レーザが消灯して
    いる時にサンプリング動作してサンプル信号を出力する
    ことを特徴とする請求項4記載の画像形成装置。
  6. 【請求項6】 前記半導体レーザはM個(M≧2)個で
    あり、 前記制御・変調手段は、前記各半導体レーザ毎に個別な
    M個の制御・変調回路を備え、 前記第1の分周回路に対する第1のリセット信号は前記
    同期信号の最初の立上がりで前記PLL回路の出力に同
    期した信号であり、 前記PLL回路の出力を分周する第2の分周回路を含
    み、前記同期信号の次の立上がりで前記PLL回路の出
    力に同期した第2のリセット信号により前記第2の分周
    回路をリセットして、第2の画像処理クロックを生成す
    る第2の画像処理クロック生成手段を前記IC回路中に
    備えることを特徴とする請求項1記載の画像形成装置。
  7. 【請求項7】 画像変調信号に基づいて変調駆動される
    半導体レーザと、この半導体レーザから出射されたレー
    ザ光を回転駆動される感光体上に偏向走査させる走査光
    学手段と、前記感光体に対して所定位置に配設されたセ
    ンサを有し前記走査光学手段より偏向走査されたレーザ
    光を受光して同期信号を発生する同期信号検出手段とを
    備え、前記同期信号に基づく所定のタイミングで前記レ
    ーザ光を前記感光体上に偏向走査させて前記画像変調信
    号に応じた静電潜像を形成する画像形成装置において、 前記半導体レーザはM個(M≧2)個であり、 基準クロックが入力される位相周波数比較回路と、電圧
    制御発振回路と、分周比Nが設定自在な可変分周回路と
    がループ接続されて、前記基準クロックのN倍の周波数
    信号を出力するPLL回路と、このPLL回路の出力を
    分周する第1の分周回路とを含み、第1の画像処理クロ
    ックを生成する第1の画像処理クロック生成手段と、 前記PLL回路とこのPLL回路の出力を分周する第2
    の分周回路とを含み、第2の画像処理クロックを生成す
    る第2の画像処理クロック生成手段と、 前記各半導体レーザ毎に個別に制御・変調回路を備えた
    制御・変調手段と、を1つのIC回路により形成し、 前記同期信号と前記PLL回路の出力とに同期した同一
    の第1,2のリセット信号により前記第1,2の分周回
    路をリセットして各々前記第1,2の画像処理クロック
    生成手段により前記第1,2の画像処理クロックを生成
    させる動作モードと、前記同期信号の最初の立上がりで
    前記PLL回路の出力に同期した第1のリセット信号に
    より前記第1の分周回路をリセットして前記第1の画像
    処理クロック生成手段により前記第1の画像処理クロッ
    クを生成させるともに前記同期信号の次の立上がりで前
    記PLL回路の出力に同期した第2のリセット信号によ
    り前記第2の分周回路をリセットして前記第2の画像処
    理クロック生成手段により前記第2の画像処理クロック
    を生成させる動作モードとを動作設定信号により選択自
    在としたことを特徴とする画像形成装置。
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