JP3742513B2 - 画像形成装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザを書込み光源として用い、そのレーザ光を偏向走査させて感光体上に静電潜像を形成するレーザプリンタ、デジタル複写機等の画像形成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図5は、この種の画像形成装置の一般的な光書込み系を示す模式図である。半導体レーザユニット30から出射されたレーザ光は高速で回転駆動されているポリゴンミラー31の1つの反射面で反射されることにより、偏向され、fθレンズ32を介して感光体33上を主走査方向に走査される。ここに、感光体33自体は回転駆動されることにより副走査駆動される。また、半導体レーザユニット30は画像処理ユニット34により生成された画像データと位相同期回路35により位相が設定された画像クロックとに従い、レーザ駆動回路36で半導体ユニット30中の半導体レーザの発光時間を制御することにより感光体33上に形成する静電潜像を制御する。また、位相同期回路35は、クロック生成回路37により生成されたクロックをポリゴンミラー31により偏向走査されたレーザ光を所定の位置で受光する同期センサ38により検出された同期信号に同期するようにタイミングを設定する。
【0003】
このようなレーザ光を偏向走査させる走査光学手段39を備えた画像形成装置では、レーザ駆動回路36、位相同期回路35及びクロック生成回路37は、感光体33上に形成する静電潜像の位置精度、間隔精度上、必要不可欠なものである。
【0004】
また、この種の画像形成装置における半導体レーザを高速変調駆動させるための駆動制御回路として、特開平5−75199号公報、特開平5−235446号公報、特開平9−321376号公報等に示されるものが、本出願人により提案されている。その内容を要約すると、半導体レーザの光出力をモニタする受光素子の受光電流と発光指令電流とを常時比較することにより高速で半導体レーザを制御する光電気負帰還ループを形成し、かつ、発光指令電流に比例した電流を光電気負帰還ループの出力電流に加算して半導体レーザに流すことにより高速変調するようにしたものである。これにより、半導体レーザの温度特性・ドゥループ特性などを抑制し、かつ、高速変調が可能となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、図5に示したような構成の場合、画像クロックと同一の周波数信号を画像形成装置内で幾つもの経路を必要として処理しており、画像形成装置のEMI(電磁波障害)の問題を引き起こしてしまう。また、部品点数が多くなるため、コスト高ともなる。
【0006】
また、この種の構成のレーザプリンタ等にあっては、高速・高密度化に伴い、1つの半導体レーザではなく、複数個の半導体レーザを光源として用いて並列的に記録する方式が採用されつつある。このような場合の光源としては、単体の半導体レーザを複数個用いる場合と、複数個の半導体レーザを一体に形成してなるアレイ構造(LDアレイ)を用いる場合とがあり、システム的観点からは適宜何れかの方式を選択し得ることが望ましい。ところが、従来にあっては、LDアレイに対しては受光素子がアレイ中の全ての半導体レーザに共通であるため、前述した特開平5−75199号公報、特開平5−235446号公報、特開平9−321376号公報等に示される駆動制御方式を適用できず、結果的に、LDアレイを用いる場合には、外部に各々のレーザ光出力を分離して検出する手段等が要求され、コスト高となってしまう。
【0007】
また、これらの公報例による場合、半導体レーザの温度特性・ドゥループ特性などの影響を除去するためには常時光出力の制御が必要となるため、制御系を正常に動作させるためにも半導体レーザの光出力を完全にオフ(消灯)させることはできない。この結果、オフセット光を生じてしまう。また、半導体レーザに駆動電流を加算する駆動電流を設定する回路が必要とされ、レーザプリンタ等の光変調ICの機能を向上させようとする場合の回路規模的制約を伴うこととなり、小型化構成が難しい。
【0008】
そこで、本発明は、感光体に対してレーザ光を偏向走査させる走査光学手段を備えた画像形成装置に用いられる半導体レーザを駆動制御する上で、低廉・小型な構成でEMI対策上も有利で画像処理クロックを適正なタイミングで生成することができる画像形成装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、基準クロックを受信し、受信した前記基準クロックを使用し、画像変調信号に基づいて変調駆動される半導体レーザと、この半導体レーザから出射されたレーザ光を回転駆動される感光体上に偏向走査させる走査光学手段と、前記感光体に対して所定位置に配設されたセンサを有し前記走査光学手段より偏向走査されたレーザ光を受光して同期信号を発生する同期信号検出手段とを備え、前記同期信号に基づく所定のタイミングで前記レーザ光を前記感光体上に偏向走査させて前記画像変調信号に応じた静電潜像を形成する画像形成装置において、前記基準クロックを入力する位相周波数比較回路、前記位相周波数比較回路からの前記基準クロックを基にした正数Nによる分周である分周比Nのクロックを発振する電圧制御発振回路、および前記正数Nを設定自在とし前記電圧制御発振回路が発振する分周比Nのクロックを入力し前記位相周波数比較回路に前記分周比Nのクロックを出力する可変分周回路がループ接続されて、前記位相周波数比較回路が前記基準クロックと前記分周比Nのクロックとを比較し比較の結果に基づき前記電圧制御発振回路が制御して前記基準クロックのN倍の周波数信号を出力するPLL回路と、前記PLL回路の出力を分周する第1の分周回路と、前記同期信号と前記PLL回路の出力とに同期した第1のリセット信号により前記第1の分周回路をリセットして、第1の画像処理クロックを生成する第1の画像処理クロック生成手段と、前記第1の画像処理クロッ ク生成手段によって生成された第1の画像処理クロックを使用して前記半導体レーザを制御・変調する第1の制御・変調手段と、前記PLL回路の出力を分周する第2の分周回路と、前記同期信号と前記PLL回路の出力とに同期した第1のリセット信号と同一の第2のリセット信号により前記第2の分周回路をリセットして、第2の画像処理クロックを生成する第2の画像処理クロック生成手段と、前記第2の画像処理クロック生成手段によって生成された第2の画像処理クロックを使用して前記半導体レーザを制御・変調する第2の制御・変調手段と、を1つのIC回路により形成して備え、前記第1の制御・変調手段および第2の制御・変調手段が、前記半導体レーザを制御して前記感光体上に静電潜像を形成するものである。
【0010】
従って、第nの画像処理クロック生成手段と第nの半導体レーザに対する第nの制御・変調手段とが1つのIC回路内に取り込まれているので、書込み光学部品の周辺に電装系と光学系とのインタフェースを行なう部品をまとめることができ、小型・低廉でEMI対策上も有利で画像形成装置を提供できる。
【0011】
請求項2記載の発明は、請求項1記載の画像形成装置において、前記第nの制御・変調手段は、制御する前記半導体レーザがM個の半導体レーザであって、それぞれ第nの半導体レーザをそれぞれ個別に制御するものである。
【0012】
従って、M個の半導体レーザを用いる場合に、第nの画像処理クロック生成手段と個々の第nの半導体レーザに対する制御・変調回路を備えた第nの制御・変調手段とが1つのIC回路内に取り込まれているので、書込み光学部品の周辺に電装系と光学系とのインタフェースを行なう部品をまとめることができ、小型・低廉でEMI対策上も有利で画像形成装置を提供できる。
【0013】
請求項3記載の発明は、請求項1記載の画像形成装置において、前記第1の制御・変調手段および第2の制御・変調手段は、制御する前記2つの半導体レーザがアレイ構造の半導体レーザであって、アレイ構造の2つの半導体レーザをそれぞれ個別に制御するものである。
【0014】
従って、請求項1記載の画像形成装置に関して1つの受光素子を共用するアレイ構造の半導体レーザを用いる場合において、特に有効となる。
【0015】
請求項4記載の発明は、請求項1〜3のいずれか1つに記載の画像形成装置において、前記第1の制御・変調手段および第2制御・変調手段は、各々、誤差増幅回路とサンプルホールド回路と半導体レーザ駆動回路とよりなる。
【0016】
従って、請求項1〜3のいずれか1つに記載の画像形成装置に関して、M個の単体の半導体レーザに対するそれぞれ制御・変調回路を備える制御・変調手段を小規模な回路構成で実現できる。
【0017】
請求項5記載の発明は、請求項4記載の画像形成装置において、前記第1の制御・変調手段および第2制御・変調手段は、前記第1の制御・変調手段および第2制御・変調手段が有するそれぞれの前記各サンプルホールド回路に、対応する半導体レーザがその制御・変調回路の半導体レーザ駆動回路により点灯し他の全ての半導体レーザが消灯している時にサンプリング動作してサンプル信号を出力させる。
【0018】
従って、請求項4記載の画像形成装置に加えて、各M個の半導体レーザの内で1つのみが点灯しているときだけサンプリングしてサンプル信号を得るので、1つの受光素子を共用するアレイ構造の半導体レーザを用いる場合でも支障がなく、安価に構成できる。
【0019】
請求項6記載の発明は、請求項1記載の画像形成装置において、前記第1の制御・変調手段および第2制御・変調手段は、前記2つの半導体レーザである第1および第2の半導体レーザを、それぞれ個別に制御するものであり、前記第1の制御・変調手段は、前記第1の分周回路に対する第1のリセット信号を前記同期信号の最初の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した信号としてリセットして、前記第1の画像処理クロックを生成して前記第1の半導体レーザを制御し、前記第2制御・変調手段は、前記同期信号の次の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した第2のリセット信号により前記第2の分周回路をリセットして、第2の画像処理クロックを生成して前記第2の半導体レーザを制御するものである。
【0020】
従って、単体構造のM個の半導体レーザを用いることで書出し位置がずれている場合でも、第nの画像処理クロック生成手段と個々の第nの半導体レーザに対するそれぞれ制御・変調回路を備えた第nの制御・変調手段とがM個の組として1つのIC回路内に取り込まれているので、書込み光学部品の周辺に電装系と光学系とのインタフェースを行なう部品をまとめることができ、小型・低廉でEMI対策上も有利な画像形成装置を提供できる。
【0021】
請求項7記載の発明は、基準クロックを受信し、受信した前記基準クロックを使用し、画像変調信号に基づいて変調駆動される第1および第2の半導体レーザと、前記第1および第2の半導体レーザから出射されたレーザ光を回転駆動される感光体上に偏向走査させる走査光学手段と、前記感光体に対して所定位置に配設されたセンサを有し前記走査光学手段より偏向走査されたレーザ光を受光して同期信号を発生する同期信号検出手段とを備え、前記同期信号に基づく所定のタイミングで前記第1および第2のレーザ光を前記感光体上に偏向走査させて前記画像変調信号に応じた静電潜像を形成する画像形成装置において、前記基準クロックを入力する位相周波数比較回路、前記位相周波数比較回路からの前記基準クロックを基にした正数Nによる分周である分周比Nのクロックを発振する電圧制御発振回路、および前記正数Nを設定自在とし前記電圧制御発振回路が発振する分周比Nのクロックを入力し前記位相周波数比較回路に前記分周比Nのクロックを出力する可変分周回路がループ接続されて、前記位相周波数比較回路が前記基準クロックと前記分周比Nのクロックとを比較し比較の結果に基づき前記電圧制御発振回路が制御して前記基準クロックのN倍の周波数信号を出力するPLL回路と、前記PLL回路の出力を分周する第1の分周回路と、第1の画像処理クロックを生成する第1の画像処理クロック生成手段と、制御・変調回路を備え、前記第1の画像処理クロック生成手段が生成した第1の画像処理クロックに基づいて、前記第1の半導体レーザを制御する第1の制御・変調手段と、前記PLL回路の出力を分周する第2の分周回路と、第2の画像処理クロックを生成する第2の画像処理クロック生成手段と、制御・変調回路を備え、前記第2の画像処理クロック生成手段が生成した第2の画像処理クロックに基づいて、前記第2の半導体レーザを制御する第2の制御・変調手段と、前記同期信号と前記PLL回路の出力とに同期した同一の第1および第2のリセット信号により前記第1および第2の分周回路をリセットして各々前記第1および第2の画像処理クロック生成手段により前記第1および第2の画像処理クロックを生成させる動作モードと、前記同期信号の最初の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した第1のリセット信号により前記第1の分周回路をリセットして前記第1の画像処理クロック生成手段により前記第1の画像処理クロックを生成させるともに前記同期信号の次の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した第2のリセット信号により前記第2の分周回路をリセットして前記第2の画像処理クロック生成手段により前記第2の画像処理クロックを生成させる動作モードとを動作設定信号により選択自在とする選択手段と、を1つのIC回路により形成して備えた。
【0022】
従って、1つのIC回路でアレイ構造のM個の半導体レーザを用いる場合と単体構造の M個の半導体レーザを用いる場合との何れであっても、動作設定信号による動作モードの選択により対処できる。
【0023】
求項記載の発明は、基準クロックを受信し、受信した前記基準クロックを使用し、画像変調信号に基づいて変調駆動される半導体レーザと、この半導体レーザから出射されたレーザ光を回転駆動される感光体上に偏向走査させる走査光学手段と、前記感光体に対して所定位置に配設されたセンサを有し前記走査光学手段より偏向走査されたレーザ光を受光して同期信号を発生する同期信号検出手段とを備え、前記同期信号に基づく所定のタイミングで前記レーザ光を前記感光体上に偏向走査させて前記画像変調信号に応じた静電潜像を形成する画像形成装置において、前記基準クロック入力る位相周波数比較回路、前記位相周波数比較回路からの前記基準クロックを基にした正数Nによる分周である分周比Nのクロックを発振する電圧制御発振回路、および前記正数Nを設定自在とし前記電圧制御発振回路が発振する分周比Nのクロックを入力し前記位相周波数比較回路に前記分周比Nのクロックを出力する可変分周回路がループ接続されて、前記位相周波数比較回路が前記基準クロックと前記分周比Nのクロックとを比較し比較の結果に基づき前記電圧制御発振回路が制御して前記基準クロックのN倍の周波数信号を出力するPLL回路と、前記PLL回路の出力を分周する第1の分周回路と、前記同期信号と前記PLL回路の出力とに同期した第1のリセット信号により前記第1の分周回路をリセットして、第1の画像処理クロックを生成する第1の画像処理クロック生成手段と、前記第1の画像処理クロック生成手段によって生成された第1の画像処理クロックを使用して前記半導体レーザを制御・変調する第1の制御・変調手段と、前記PLL回路の出力を分周する第2の分周回路と、前記同期信号と前記PLL回路の出力とに同期した第1のリセット信号と同一の第2のリセット信号により前記第2の分周回路をリセットして、第2の画像処理クロックを生成する第2の画像処理クロック生成手段と、前記第2の画像処理クロック生成手段によって生成された第2の画像処理クロックを使用して前記半導体レーザを制御・変調する第2の制御・変調手段と、を1つのIC回路により形成して備え、前記第1の制御・変調手段および第2の制御・変調手段が、前記半導体レーザを制御して前記感光体上に静電潜像を形成するものである
【0024】
従って、第1および第2の画像処理クロック生成手段と半導体レーザに対する第1および第2の制御・変調手段とが1つのIC回路内に取り込まれているので、書込み光学部品の周辺に電装系と光学系とのインタフェースを行なう部品をまとめることができ、小型・低廉でEMI対策上も有利で画像形成装置を提供できる。
【0025】
請求項記載の発明は、請求項記載の画像形成装置において、前記第1の制御・変調手段および第2の制御・変調手段は、制御する前記半導体レーザが2つの半導体レーザであって、それぞれの半導体レーザをそれぞれ個別に制御するものである
【0026】
従って、2個の半導体レーザを用いる場合に、第1,2の画像処理クロック生成手段と個々の半導体レーザに対する制御・変調回路を備えた第1および第2の制御・変調手段とが1つのIC回路内に取り込まれているので、書込み光学部品の周辺に電装系と光学系とのインタフェースを行なう部品をまとめることができ、小型・低廉でEMI対策上も有利で画像形成装置を提供できる。
【0027】
請求項11記載の発明は、請求項記載の画像形成装置において、前記第1の制御・変調手段および第2の制御・変調手段は、制御する前記2つの半導体レーザアレイ構造の半導体レーザであって、アレイ構造の2つの半導体レーザをそれぞれ個別に制御するものである
【0028】
従って、請求項記載の画像形成装置に関して1つの受光素子を共用するアレイ構造の半導体レーザを用いる場合において、特に有効となる。
【0029】
請求項11記載の発明は、請求項8〜11のいずれか1つに記載の画像形成装置において、前記第1の制御・変調手段および第2制御・変調手段は、各々、誤差増幅回路とサンプルホールド回路と半導体レーザ駆動回路とよりなる。
【0030】
従って、請求項8〜11のいずれか1つに記載の画像形成装置に関して、2つの半導体レーザに対するそれぞれ制御・変調回路を備える制御・変調手段を小規模な回路構成で実現できる。
【0031】
請求項12記載の発明は、請求項11記載の画像形成装置において、前記第1の制御・変調手段および第2制御・変調手段は、前記第1の制御・変調手段および第2制御・変調手段が有するそれぞれの前記各サンプルホールド回路、対応する半導体レーザがその制御・変調回路の半導体レーザ駆動回路により点灯し他の全ての半導体レーザが消灯している時にサンプリング動作してサンプル信号を出力させる。
【0032】
従って、請求項11記載の画像形成装置に加えて、各2つの半導体レーザの内で1つのみが点灯しているときだけサンプリングしてサンプル信号を得るので、1つの受光素子を共用するアレイ構造の半導体レーザを用いる場合でも支障がなく、安価に構成できる。
【0033】
請求項13記載の発明は、請求項記載の画像形成装置において、前記第1の制御・変調手段および第2制御・変調手段は、前記2つの半導体レーザである第1および第2の半導体レーザを、それぞれ個別に制御するものであり、前記第1の制御・変調手段は、前記第1の分周回路に対する第1のリセット信号前記同期信号の最初の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した信号としてリセットして、前記第1の画像処理クロックを生成して前記第1の半導体レーザを制御し、前記第2制御・変調手段は、前記同期信号の次の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した第2のリセット信号により前記第2の分周回路をリセットして、第2の画像処理クロックを生成して前記第2の半導体レーザを制御するものである。
【0034】
従って、単体構造の2つの半導体レーザを用いることで書出し位置がずれている場合でも、第1,2の画像処理クロック生成手段と個々の半導体レーザに対するそれぞれ制御・変調回路を備えた制御・変調手段とが1つのIC回路内に取り込まれているので、書込み光学部品の周辺に電装系と光学系とのインタフェースを行なう部品をまとめることができ、小型・低廉でEMI対策上も有利な画像形成装置を提供できる。
【0035】
請求項14記載の発明は、基準クロックを受信し、受信した前記基準クロックを使用し、画像変調信号に基づいて変調駆動される第1および第2の半導体レーザと、前記第1および第2の半導体レーザから出射されたレーザ光を回転駆動される感光体上に偏向走査させる走査光学手段と、前記感光体に対して所定位置に配設されたセンサを有し前記走査光学手段より偏向走査されたレーザ光を受光して同期信号を発生する同期信号検出手段とを備え、前記同期信号に基づく所定のタイミングで前記第1および第2のレーザ光を前記感光体上に偏向走査させて前記画像変調信号に応じた静電潜像を形成する画像形成装置において、前記基準クロック入力る位相周波数比較回路、前記位相周波数比較回路からの前記基準クロックを基にした正数Nによる分周である分周比Nのクロックを発振する電圧制御発振回路、および前記正数Nを設定自在とし前記電圧制御発振回路が発振する分周比Nのクロックを入力し前記位相周波数比較回路に前記分周比Nのクロックを出力する可変分周回路ループ接続されて、前記位相周波数比較回路が前記基準クロックと前記分周比Nのクロックとを比較し比較の結果に基づき前記電圧制御発振回路が制御して前記基準クロックのN倍の周波数信号を出力するPLL回路と、前記PLL回路の出力を分周する第1の分周回路と、第1の画像処理クロックを生成する第1の画像処理クロック生成手段と、制御・変調回路を備え、前記第1の画像処理クロック生成手段が生成した第1の画像処理クロックに基づいて、前記第1の半導体レーザを制御する第1の制御・変調手段と、記PLL回路の出力を分周する第2の分周回路と、第2の画像処理クロックを生成する第2の画像処理クロック生成手段と、制御・変調回路を備え、前記第2の画像処理クロック生成手段が生成した第2の画像処理クロックに基づいて、前記第2の半導体レーザを制御する第2の制御・変調手段と、前記同期信号と前記PLL回路の出力とに同期した同一の第1および第2のリセット信号により前記第1および第2の分周回路をリセットして各々前記第1および第2の画像処理クロック生成手段により前記第1および第2の画像処理クロックを生成させる動作モードと、前記同期信号の最初の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した第1のリセット信号により前記第1の分周回路をリセットして前記第1の画像処理クロック生成手段により前記第1の画像処理クロックを生成させるともに前記同期信号の次の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した第2のリセット信号により前記第2の分周回路をリセットして前記第2の画像処理クロック生成手段により前記第2の画像処理クロックを生成させる動作モードとを動作設定信号により選択自在とする選択手段と、を1つのIC回路により形成して備えた
【0036】
従って、1つのIC回路でアレイ構造の2つの半導体レーザを用いる場合と単体構造の2つの半導体レーザを用いる場合との何れであっても、動作設定信号による動作モードの選択により対処できる。
【0037】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態を図1ないし図4に基づいて説明する。なお、図5に示した画像形成装置(レーザプリンタ)の光書込み系における感光体33に対する走査光学手段39及び同期センサ38を主体とする同期信号検出手段40は、本実施の形態においてもそのまま用いるものとする。
【0038】
本実施の形態は、半導体レーザユニット30部分に配設される半導体レーザLDが複数個、ここでは、半導体レーザLD1,LD2を用いるM=2の場合に適用されており、特に、これらの半導体レーザLD1,LD2に対する制御系に適用されている。図1は動作設定信号なるモード信号Mode が“1”で半導体レーザLD1,LD2がアレイ構造の半導体レーザユニット30aの場合を示し、図2は動作設定信号なるモード信号Mode が“0”で半導体レーザLD1,LD2が各々単体である半導体レーザユニット30bの場合を示す。単体の半導体レーザLD1,LD2を用いる場合、それらのレーザ光の書出し位置がずれる構成となる。ここに、アレイ構造の半導体レーザユニット30aにあっては半導体レーザLD1,LD2に共通な1個のモニタ用の受光素子PDを備えているのに対し、半導体レーザユニット30bにあっては半導体レーザLD1,LD2毎にモニタ用の受光素子PD1,PD2を備えている。図3は図1R>1に対応するモード信号Mode が“1”の場合の動作を示すタイムチャート、図4は図2に対応するモード信号Mode が“0”の場合の動作を示すタイムチャートである。
【0039】
半導体レーザユニット30a又は30bの何れにも適用可能なIC回路1が設けられている。このIC回路1内にあっては、まず、外部入力であるシリアルデータが転送クロックに従い転送されるシフトレジスタ2が設けられている。このシフトレジスタ2の出力側はPLL回路3中の可変分周回路である分周比Nが可変のプログラマブルカウンタ4に接続されている。PLL回路3は周波数Frefの基準クロックが入力される位相周波数比較回路5と、周波数Fo なる発振出力を出す発振電圧制御発振回路VCO6とプログラマブルカウンタ7とをループ接続してなる。ここに、プログラマブルカウンタ4の分周比Nは、シフトレジスタ2に取り込まれたシリアルデータに従い設定される。このプログラマブルカウンタ4の入力クロックはVCO6の発振出力(周波数Fo )であり、周波数Fo を分周してFo /Nの周波数出力を位相周波数比較回路5に対して出力する。この位相周波数比較回路5において外部より入力される周波数Fref の基準クロックと比較され、その比較結果に基づき、VCO6の発振周波数Fo が制御される。これにより、PLL回路3の出力なるVCO6から出力されるVCLKの周波数Fo は、Fo =N・Fref となる。即ち、基準クロックの周波数のN倍の周波数信号が出力される。従って、基本的に、シリアルデータからプログラマブルカウンタ4の分周比Nを設定すれば、同一の基準クロックから様々な画像処理クロックを生成し得ることが分かる。
【0040】
IC回路1中には、このPLL回路3により生成された信号VCLKが供給されるタイミング生成回路7と、第1の分周回路8と、第2の分周回路9とが設けられている。タイミング生成回路7には、信号VCLKの他、画像変調信号1,2、イネーブル信号Enable 、同期センサ38から得られる同期信号、及び、モード信号Mode が入力されている。
【0041】
第1,2の分周回路8,9の分周比は、本実施の形態では、8分周に設定されており、ドライバ10,11を介して出力される第1,2の画像処理クロックPCLK1,PCLK2の周波数は、N・Fref /8となる。ここで、第1の分周回路8はタイミング生成回路7からのリセットパルス1によりリセットされ、第2の分周回路9はタイミング生成回路7からのリセットパルス2によりリセットされるように設定されているが、モード信号Mode =1にあっては、リセットパルス2=リセットパルス1に設定されており、同一位相の第1,2の画像処理クロックPCLK1,PCLK2が出力される。ここに、モード信号Mode =1では、リセットパルス1はタイミング生成回路7に入力される同期信号の立上がり微分がPLL回路3の出力VCLKを基準として取られることで、図3に示すようなタイミングで生成されることになる。従って、第1,2の画像処理クロックPCLK1,PCLK2は同期信号に対してPLL回路3の出力VCLKの周期分だけの誤差を持つ同期クロックとなる。ここに、本実施の形態では、PLL回路3とタイミング生成回路7と第1の分周回路8とドライバ10とにより第1の画像処理クロック生成手段12が構成され、PLL回路3とタイミング生成回路7と第2の分周回路9とドライバ11とにより第2の画像処理クロック生成手段13が構成されている。
【0042】
また、IC回路1内には半導体レーザLD1,LD2を制御・変調する制御・変調手段14が設けられている。この制御・変調手段14は、半導体レーザLD1,LD2毎に設けられた制御・変調回路15,16からなる。各制御・変調回路15,16は、誤差増幅回路17,18とサンプルホールド回路19,20と半導体レーザ駆動回路なるドライバ21,22とセレクタ23,24とにより形成されている。誤差増幅回路17,18には受光素子PDが接続されている。ドライバ21には半導体レーザLD1が接続され、ドライバ22には半導体レーザLD2が接続されている。誤差増幅回路17,18の出力側に接続されたサンプルホールド回路19,20に対してはタイミング生成回路7からのサンプル信号1,2が入力されている。サンプルホールド回路19,20の出力側に接続されたドライバ21,22に対してはタイミング生成回路7からの発光指令信号LD1−ON,LD2−ONが入力されている。
【0043】
ここで、本実施の形態では、同期信号は半導体レーザLD1からのレーザ光について検出するように設定されている。このため、同期信号を得るために点灯指令信号LDON信号がレーザプリンタにおける非書込み期間中に出力され、画像変調信号1によりLD1−ON信号がドライバ21に与えられることで半導体レーザLD1を点灯させ、かつ、画像変調信号2は半導体レーザLD2を消灯させるようにドライバ22に対するLD2−ON信号を0(Lレベル)に設定する。これにより、非書込み期間中において半導体レーザLD1による同期信号を得ることができる。
【0044】
タイミング生成回路7では、イネーブル信号Enable が“1”であって、半導体レーザLD1が点灯し半導体レーザLD2が消灯している場合にはサンプルホールド回路19に対するサンプル信号1を“1”に設定する。同様に、イネーブル信号Enable が“1”であって、半導体レーザLD2が点灯し半導体レーザLD1が消灯している場合にはサンプルホールド回路20に対するサンプル信号2を“1”に設定する。ここに、同期信号を検出するための期間では、半導体レーザLD1が点灯し半導体レーザLD2が消灯しているので、イネーブル信号Enable が“1”であれば、サンプル信号1が“1”に設定される。同期信号が“1”になった後、画像変調信号1を“0”にすることで、半導体レーザLD1を消灯させ、画像変調信号2を“1”に設定する。これにより、ドライバ22に対するLD2−ON信号が“1”となることで今度は半導体レーザLD2が点灯する。この結果、サンプル信号1が“1”から“0”になると同時に、サンプル信号2が“0”から“1”になる。
【0045】
このようなサンプル信号1,2の変化に対応して、制御・変調回路15ではレーザプリンタの非書込み期間中で同期信号が得られるまでの期間中に半導体レーザLD1のレーザ光を受光素子PDで受光した検出レベルがセレクタ23で選択設定された基準電圧1に等しくなるように制御し、その時の制御電圧がサンプル信号1によりサンプルホールド回路19によるサンプリング動作でホールドされる。同様に、同期信号検出後の非書込み期間中で半導体レーザLD2のレーザ光を受光素子PDで受光した検出レベルがセレクタ24で選択設定された基準電圧2に等しくなるように制御し、その時の制御電圧がサンプル信号2によりサンプルホールド回路20によるサンプリング動作でホールドされる。もっとも、ここではLDアレイが2チャンネルの場合で説明しているが、画像変調信号1,2及びイネーブル信号Enable を用い、かつ、図1に示すIC回路1を2個使用し、同期信号を計数することで、同期信号検出後、画像変調信号2を“0”から“1”に設定していたところを、カウント値が“0”のときは第1のIC回路側の画像変調信号2を“0”から“1”に設定し、カウント値が“1”のときには第2のIC回路側の画像変調信号1を“0”から“1”に設定し、カウント値が“2”の場合には第2の画像変調信号2を“0”から“1”に設定すれば、同期検出が3回に1回の割合で各々の半導体レーザLD1,LD2を確実に制御することが可能となる。
【0046】
よって、アレイ構造の半導体レーザユニット30aの場合、各半導体レーザLD1,LD2に対する制御・変調回路15,16をサンプルホールド回路19,20を含む構成とした場合でも、1ページ分に渡るホールド時間が不要となり、少なくとも数ライン分ホールドできればよくなる。この結果、サンプルホールド用のコンデンサの容量を小さくできるため、充放電電流の値も小さくすることができ、回路的に、消費電力等を低減させることができ、集積化しやすくなる。
【0047】
次に、IC回路1に対して半導体レーザユニット30bが接続され、モード信号Mode =0に設定された場合(図2)の動作について、図4を参照して説明する。この場合には、同期信号は半導体レーザLD1,LD2に対して各々生成され、単一の同期センサ38により検出すると時系列的に図4に示すような同期信号となる。このような同期信号の最初のパルスでのクロックVCLKに対する立上がり(微分信号)がリセットパルス1であり、このリセットパルス1に従い第1の分周回路8がリセットされる。同期信号の次(2番目)のパルスでのクロックVCLKに対する立上がり(微分信号)がリセットパルス2であり、このリセットパルス2に従い第2の分周回路9がリセットされる。この結果、第1の画像処理クロックPCLK1は同期信号の最初のパルスに同期し、第2の画像処理クロックPCLK2は同期信号の2番目のパルスに同期したクロックとなる。なお、これらの第1,2の画像処理クロックPCLK1,PCLK2は2個の単体の半導体レーザLD1,LD2を用いたレーザプリンタの場合には同一周波数となるので、PLL回路3からのクロックVCLKは共通でよい。
【0048】
また、モード信号Mode =0が適用され、半導体レーザユニット30bが接続される場合、受光素子PD1,PD2は各々誤差増幅回路17,18に個別に接続され、かつ、サンプル信号1は画像変調信号1に従い、サンプル信号2は画像変調信号2に従うように設定される。この結果、図1及び図3に示したモード信号Mode =1の場合と異なり、2個の半導体レーザLD1,LD2は各々点灯しているときのみ独立して制御・変調回路15,16により制御される。また、図2及び図4に示すように、単体の2個の半導体レーザLD1,LD2を用いる場合でも、PLL回路3は1個用意するだけで、同期信号に同期した画像処理クロックPCLK1,PCLK2を各々生成することができる。
【0049】
このようにして、本実施の形態のIC回路1によれば、モード信号Mode =1に設定すればアレイ構造の半導体レーザユニット30aに対応でき、モード信号Mode =0に設定すれば単体構造の半導体レーザLD1,LD2による半導体レーザユニット30bに対応できる。
【0050】
【発明の効果】
請求項1記載の発明によれば、同期信号とPLL回路の出力とに同期した第nのリセット信号により第nの分周回路をリセットし、第nの画像処理クロックを生成する第nの画像処理クロック生成手段の組をM組有して1つのIC回路内に取り込まれているので、シリアルデータから可変分周回路の分周比Nを設定すれば、同一の基準クロックから様々な画像処理クロックを生成してM個の制御・変調手段によってM個の半導体レーザを制御することによって、書込み光学部品の周辺に電装系と光学系とのインタフェースを行なう部品をまとめることができ、小型・低廉でEMI対策上も有利な画像形成装置を提供することができる。
【0051】
請求項2記載の発明によれば、M個の半導体レーザを用いる場合でも、第n画像処理クロック生成手段と個々の第nの半導体レーザに対する制御・変調回路を備えた第nの制御・変調手段とが1つのIC回路内に取り込まれているので、書込み光学部品の周辺に電装系と光学系とのインタフェースを行なう部品をまとめることができ、小型・低廉でEMI対策上も有利な画像形成装置を提供することができる。
【0052】
請求項3記載の発明によれば、請求項1記載の画像形成装置に関して1つの受光素子を共用するアレイ構造の半導体レーザを用いる場合において、特に有効となる。
【0053】
請求項4記載の発明によれば、請求項1〜3のいずれか1つに記載の画像形成装置に関して、M個の半導体レーザに対するそれぞれ制御・変調回路を備えるM個の制御・変調手段を小規模な回路構成で実現することができる。
【0054】
請求項5記載の発明によれば、請求項4記載の画像形成装置に加えて、M個の半導体レーザの内で1つのみが点灯しているときだけサンプリングしてサンプル信号を得るようにしたので、1つの受光素子を共用するアレイ構造のM個の半導体レーザを用いる場合でも支障がなく、安価に構成することができる。
【0055】
請求項6記載の発明によれば、単体構造のM個の半導体レーザを用いることで書出し位置がずれている場合でも、第nの画像処理クロック生成手段と個々の半導体レーザに対するそれぞれ制御・変調回路を備えた第nの制御・変調手段とが1つのIC回路内に取り込まれているので、書込み光学部品の周辺に電装系と光学系とのインタフェースを行なう部品をまとめることができ、小型・低廉でEMI対策上も有利な画像形成装置を提供することができる。
【0056】
請求項7記載の発明によれば、1つのIC回路でアレイ構造のM個の半導体レーザを用 いる場合と単体構造のM個の半導体レーザを用いる場合との何れであっても、動作設定信号による動作モードの選択により簡単に対処できる。
【0057】
請求項記載の発明によれば、同期信号とPLL回路の出力とに同期した第1のリセット信号により第1の分周回路をリセットし、第1の画像処理クロックを生成する画像処理クロック生成手段と、第2のリセット信号により第2の分周回路をリセットし、第2の画像処理クロックを生成する第2の画像処理クロック生成手段と、半導体レーザに対する制御・変調回路を備えた2つの制御・変調手段とが、1つのIC回路内に取り込まれているので、シリアルデータから可変分周回路の分周比Nを設定すれば、同一の基準クロックから様々な画像処理クロック生成して2つの制御・変調手段によって半導体レーザを制御することによって、書込み光学部品の周辺に電装系と光学系とのインタフェースを行なう部品をまとめることができ、小型・低廉でEMI対策上も有利な画像形成装置を提供することができる。
【0058】
請求項記載の発明によれば、個の半導体レーザを用いる場合でも、第1,2の画像処理クロック生成手段と個々の半導体レーザに対する制御・変調回路を備えた制御・変調手段とが1つのIC回路内に取り込まれているので、書込み光学部品の周辺に電装系と光学系とのインタフェースを行なう部品をまとめることができ、小型・低廉でEMI対策上も有利な画像形成装置を提供することができる。
【0059】
請求項10記載の発明によれば、請求項記載の画像形成装置に関して1つの受光素子を共用するアレイ構造の半導体レーザを用いる場合において、特に有効となる。
【0060】
請求項11記載の発明によれば、請求項8〜10のいずれか1つに記載の画像形成装置に関して、2つの半導体レーザに対するそれぞれ制御・変調回路を備える制御・変調手段を小規模な回路構成で実現することができる。
【0061】
請求項12記載の発明によれば、請求項11記載の画像形成装置に加えて、2つの半導体レーザの内で1つのみが点灯しているときだけサンプリングしてサンプル信号を得るようにしたので、1つの受光素子を共用するアレイ構造の半導体レーザを用いる場合でも支障がなく、安価に構成することができる。
【0062】
請求項13記載の発明によれば、単体構造の個の半導体レーザを用いることで書出し位置がずれている場合でも、第1,2の画像処理クロック生成手段と個々の半導体レーザに対するそれぞれ制御・変調回路を備えた制御・変調手段とが1つのIC回路内に取り込まれているので、書込み光学部品の周辺に電装系と光学系とのインタフェースを行なう部品をまとめることができ、小型・低廉でEMI対策上も有利な画像形成装置を提供することができる。
【0063】
請求項14記載の発明によれば、1つのIC回路でアレイ構造の個の半導体レーザを用いる場合と単体構造の個の半導体レーザを用いる場合との何れであっても、動作設定信号による動作モードの選択により簡単に対処できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施の形態のMode =1の場合の構成例を示すブロック図である。
【図2】 Mode =0の場合の構成例を示すブロック図である。
【図3】 Mode =1の場合の動作例を示すタイムチャートである。
【図4】 Mode =0の場合の動作例を示すタイムチャートである。
【図5】 従来、一般の光書込み系の構成例を示す模式図である。
【符号の説明】
1 IC回路
3 PLL回路
4 可変分周回路
5 位相周波数比較回路
6 電圧制御発振器
8 第1の分周回路
9 第2の分周回路
12 第1の画像処理クロック生成手段
13 第2の画像処理クロック生成手段
14 制御・変調手段
15,16 制御・変調回路
17,18 誤差増幅回路
19,20 サンプルホールド回路
21,22 半導体レーザ駆動回路
33 感光体
38 センサ
39 走査光学手段
40 同期信号検出手段

Claims (14)

  1. 基準クロックを受信し、受信した前記基準クロックを使用し、画像変調信号に基づいて変調駆動されるM個(M≧2)の半導体レーザと、この半導体レーザから出射されたレーザ光を回転駆動される感光体上に偏向走査させる走査光学手段と、前記感光体に対して所定位置に配設されたセンサを有し前記走査光学手段より偏向走査されたレーザ光を受光して同期信号を発生する同期信号検出手段とを備え、前記同期信号に基づく所定のタイミングで前記レーザ光を前記感光体上に偏向走査させて前記画像変調信号に応じた静電潜像を形成する画像形成装置において、
    前記基準クロックを入力する位相周波数比較回路、前記位相周波数比較回路からの前記基準クロックを基にした正数Nによる分周である分周比Nのクロックを発振する電圧制御発振回路、および前記正数Nを設定自在とし前記電圧制御発振回路が発振する分周比Nのクロックを入力し前記位相周波数比較回路に前記分周比Nのクロックを出力する可変分周回路がループ接続されて、前記位相周波数比較回路が前記基準クロックと前記分周比Nのクロックとを比較し比較の結果に基づき前記電圧制御発振回路が制御して前記基準クロックのN倍の周波数信号を出力するPLL回路と、
    分周回路、画像処理クロック生成手段、および制御・変調手段をそれぞれ有するM個の組を1つのIC回路により形成して備え、前記M個の組の第n番目(M≧n≧1)の組においては第nの分周回路、第nの画像処理クロック生成手段、および第nの制御・変調手段と表現し、前記M個の半導体レーザについては第n番目のものを第nの半導体レーザと表現した場合、
    前記第nの分周回路は、前記PLL回路の出力を分周し、
    前記第nの画像処理クロック生成手段は、前記同期信号と前記PLL回路の出力とに同期した第nのリセット信号により前記第nの分周回路をリセットして、第nの画像処理クロックを生成し、
    前記第nの制御・変調手段は、前記第nの画像処理クロック生成手段によって生成された第nの画像処理クロックを使用して前記第nの半導体レーザを制御・変調して前記感光体上に静電潜像を形成するものであることを特徴とする画像形成装置。
  2. 前記第nの制御・変調手段は、制御する前記第nの半導体レーザをそれぞれ個別に制御するものであることを特徴とする請求項1記載の画像形成装置。
  3. 前記第nの制御・変調手段は、制御する前記M個の半導体レーザがアレイ構造の半導体レーザであって、アレイ構造のM個の半導体レーザをそれぞれ個別に制御するものであることを特徴とする請求項1記載の画像形成装置。
  4. 前記第nの制御・変調手段は、各々、誤差増幅回路とサンプルホールド回路と半導体レーザ駆動回路とよりなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の画像形成装置。
  5. 前記第nの制御・変調手段は、前記第nの制御・変調手段が有するそれぞれの前記各サンプルホールド回路に、対応する前記第nの半導体レーザがその制御・変調回路の半導体レーザ駆動回路により点灯し他の全ての半導体レーザが消灯している時にサンプリング動作してサンプル信号を出力させることを特徴とする請求項4記載の画像形成装置。
  6. 前記第nの制御・変調手段は、前記第nの半導体レーザを、それぞれ個別に制御するものであり、
    前記第nの制御・変調手段は、前記第nの分周回路に対する第nのリセット信号を前記同期信号の最初の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した信号としてリセットして、前記第nの画像処理クロックを生成して前記第nの半導体レーザを制御し、
    前記第n+1(M≧n+1)の制御・変調手段は、前記同期信号の次の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した第n+1のリセット信号により前記第n+1の分周回路をリセットして、第n+1の画像処理クロックを生成して前記第n+1の半導体レーザを制御 するものであることを特徴とする請求項1記載の画像形成装置。
  7. 基準クロックを受信し、受信した前記基準クロックを使用し、画像変調信号に基づいて変調駆動されるM個の半導体レーザと、前記半導体レーザから出射されたレーザ光を回転駆動される感光体上に偏向走査させる走査光学手段と、前記感光体に対して所定位置に配設されたセンサを有し前記走査光学手段より偏向走査されたレーザ光を受光して同期信号を発生する同期信号検出手段とを備え、前記同期信号に基づく所定のタイミングで前記第nのレーザ光を前記感光体上に偏向走査させて前記画像変調信号に応じた静電潜像を形成する画像形成装置において、
    前記基準クロックを入力する位相周波数比較回路、前記位相周波数比較回路からの前記基準クロックを基にした正数Nによる分周である分周比Nのクロックを発振する電圧制御発振回路、および前記正数Nを設定自在とし前記電圧制御発振回路が発振する分周比Nのクロックを入力し前記位相周波数比較回路に前記分周比Nのクロックを出力する可変分周回路がループ接続されて、前記位相周波数比較回路が前記基準クロックと前記分周比Nのクロックとを比較し比較の結果に基づき前記電圧制御発振回路が制御して前記基準クロックのN倍の周波数信号を出力するPLL回路と、
    分周回路、画像処理クロック生成手段、および制御・変調手段をそれぞれ有するM個の組を備え、
    前記M個の組の第n番目(M≧n≧1)の組においては第nの分周回路、第nの画像処理クロック生成手段、および第nの制御・変調手段と表現し、前記M個の半導体レーザにおいては第n番目のものを第nの半導体レーザと表現した場合、
    前記第nの分周回路は、前記PLL回路の出力を分周し、
    前記第nの画像処理クロック生成手段は、前記同期信号と前記PLL回路の出力とに同期した第nのリセット信号により前記第nの分周回路をリセットして、第nの画像処理クロックを生成し、
    前記第nの制御・変調手段は、前記第nの画像処理クロック生成手段によって生成された第nの画像処理クロックを使用して前記第nの半導体レーザを制御・変調するものである場合、
    前記同期信号と前記PLL回路の出力とに同期した同一の第nのリセット信号により前記M個の分周回路をリセットして各々前記M個の画像処理クロック生成手段により前記M個の画像処理クロックを生成させる動作モードと、前記同期信号の最初の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した第nのリセット信号により前記第nの分周回路をリセットして前記第nの画像処理クロック生成手段により前記第nの画像処理クロックを生成させるともに前記同期信号の次の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した第n+1(M≧n+1)のリセット信号により前記第n+1の分周回路をリセットして前記第n+1の画像処理クロック生成手段により前記第n+1の画像処理クロックを生成させる動作モードとを動作設定信号により選択自在とする選択手段と、
    を1つのIC回路により形成して備えたことを特徴とする画像形成装置。
  8. 基準クロックを受信し、受信した前記基準クロックを使用し、画像変調信号に基づいて変調駆動される半導体レーザと、この半導体レーザから出射されたレーザ光を回転駆動される感光体上に偏向走査させる走査光学手段と、前記感光体に対して所定位置に配設されたセンサを有し前記走査光学手段より偏向走査されたレーザ光を受光して同期信号を発生する同期信号検出手段とを備え、前記同期信号に基づく所定のタイミングで前記レーザ光を前記感光体上に偏向走査させて前記画像変調信号に応じた静電潜像を形成する画像形成装置において、
    前記基準クロック入力る位相周波数比較回路、前記位相周波数比較回路からの前記基準クロックを基にした正数Nによる分周である分周比Nのクロックを発振する電圧制御発振回路、および前記正数Nを設定自在とし前記電圧制御発振回路が発振する分周比Nのクロックを入力し前記位相周波数比較回路に前記分周比Nのクロックを出力する可変分周回路がループ接続されて、前記位相周波数比較回路が前記基準クロックと前記分周比Nのクロックとを比較し比較の結果に基づき前記電圧制御発振回路が制御して前記基準クロックのN倍の周波数信号を出力するPLL回路と、
    前記PLL回路の出力を分周する第1の分周回路と、
    前記同期信号と前記PLL回路の出力とに同期した第1のリセット信号により前記第1の分周回路をリセットして、第1の画像処理クロックを生成する第1の画像処理クロック生成手段と、
    前記第1の画像処理クロック生成手段によって生成された第1の画像処理クロックを使用して前記半導体レーザを制御・変調する第1の制御・変調手段と、
    前記PLL回路の出力を分周する第2の分周回路と、
    前記同期信号と前記PLL回路の出力とに同期した第1のリセット信号と同一の第2のリセット信号により前記第2の分周回路をリセットして、第2の画像処理クロックを生成する第2の画像処理クロック生成手段と、
    前記第2の画像処理クロック生成手段によって生成された第2の画像処理クロックを使用して前記半導体レーザを制御・変調する第2の制御・変調手段と、
    を1つのIC回路により形成して備え、
    前記第1の制御・変調手段および第2の制御・変調手段が、前記半導体レーザを制御して前記感光体上に静電潜像を形成するものであることを特徴とする画像形成装置。
  9. 前記第1の制御・変調手段および第2の制御・変調手段は、制御する前記半導体レーザが2つの半導体レーザであって、それぞれの半導体レーザをそれぞれ個別に制御するものであることを特徴とする請求項記載の画像形成装置。
  10. 前記第1の制御・変調手段および第2の制御・変調手段は、制御する前記2つの半導体レーザアレイ構造の半導体レーザであって、アレイ構造の2つの半導体レーザをそれぞれ個別に制御するものであることを特徴とする請求項記載の画像形成装置。
  11. 前記第1の制御・変調手段および第2制御・変調手段は、各々、誤差増幅回路とサンプルホールド回路と半導体レーザ駆動回路とよりなることを特徴とする請求項8〜10のいずれか1つに記載の画像形成装置。
  12. 前記第1の制御・変調手段および第2制御・変調手段は、前記第1の制御・変調手段および第2制御・変調手段が有するそれぞれの前記各サンプルホールド回路、対応する半導体レーザがその制御・変調回路の半導体レーザ駆動回路により点灯し他の全ての半導体レーザが消灯している時にサンプリング動作してサンプル信号を出力させることを特徴とする請求項11記載の画像形成装置。
  13. 前記第1の制御・変調手段および第2制御・変調手段は、前記2つの半導体レーザである第1および第2の半導体レーザを、それぞれ個別に制御するものであり、
    前記第1の制御・変調手段は、前記第1の分周回路に対する第1のリセット信号前記同期信号の最初の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した信号としてリセットして、前記第1の画像処理クロックを生成して前記第1の半導体レーザを制御し、
    前記第2制御・変調手段は、前記同期信号の次の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した第2のリセット信号により前記第2の分周回路をリセットして、第2の画像処理クロックを生成して前記第2の半導体レーザを制御するものであることを特徴とする請求項記載の画像形成装置。
  14. 基準クロックを受信し、受信した前記基準クロックを使用し、画像変調信号に基づいて変調駆動される第1および第2の半導体レーザと、前記第1および第2の半導体レーザから出射されたレーザ光を回転駆動される感光体上に偏向走査させる走査光学手段と、前記感光体に対して所定位置に配設されたセンサを有し前記走査光学手段より偏向走査されたレーザ光を受光して同期信号を発生する同期信号検出手段とを備え、前記同期信号に基づく所定のタイミングで前記第1および第2のレーザ光を前記感光体上に偏向走査させて前記画像変調信号に応じた静電潜像を形成する画像形成装置において、
    前記基準クロック入力る位相周波数比較回路、前記位相周波数比較回路からの前記基準クロックを基にした正数Nによる分周である分周比Nのクロックを発振する電圧制御発振回路、および前記正数Nを設定自在とし前記電圧制御発振回路が発振する分周比Nのクロックを入力し前記位相周波数比較回路に前記分周比Nのクロックを出力する可変分周回路ループ接続されて、前記位相周波数比較回路が前記基準クロックと前記分周比Nのクロックとを比較し比較の結果に基づき前記電圧制御発振回路が制御して前記基準クロックのN倍の周波数信号を出力するPLL回路と、
    前記PLL回路の出力を分周する第1の分周回路と、
    第1の画像処理クロックを生成する第1の画像処理クロック生成手段と、
    制御・変調回路を備え、前記第1の画像処理クロック生成手段が生成した第1の画像処理クロックに基づいて、前記第1の半導体レーザを制御する第1の制御・変調手段と、
    記PLL回路の出力を分周する第2の分周回路と、
    第2の画像処理クロックを生成する第2の画像処理クロック生成手段と、
    制御・変調回路を備え、前記第2の画像処理クロック生成手段が生成した第2の画像処理クロックに基づいて、前記第2の半導体レーザを制御する第2の制御・変調手段と、
    前記同期信号と前記PLL回路の出力とに同期した同一の第1および第2のリセット信号により前記第1および第2の分周回路をリセットして各々前記第1および第2の画像処理クロック生成手段により前記第1および第2の画像処理クロックを生成させる動作モードと、前記同期信号の最初の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した第1のリセット信号により前記第1の分周回路をリセットして前記第1の画像処理クロック生成手段により前記第1の画像処理クロックを生成させるともに前記同期信号の次の立上がりで前記PLL回路の出力に同期した第2のリセット信号により前記第2の分周回路をリセットして前記第2の画像処理クロック生成手段により前記第2の画像処理クロックを生成させる動作モードとを動作設定信号により選択自在とする選択手段と、
    を1つのIC回路により形成して備えたことを特徴とする画像形成装置。
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