JP2000077772A

JP2000077772A - 半導体レ―ザ装置

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Publication number: JP2000077772A
Application number: JP11216916A
Authority: JP
Inventors: Hongyu Deng; ホンユ・デン; Xiaozhong Wang; シャオツォン・ワン; Chun Lei; チュン・レイ
Original assignee: Hewlett Packard Co
Current assignee: HP Inc
Priority date: 1998-08-31
Filing date: 1999-07-30
Publication date: 2000-03-14
Anticipated expiration: 2019-07-30
Also published as: TW410495B; KR100647934B1; DE19964244C2; GB2341275A; GB9920420D0; US6301281B1; GB2341275B; JP4608040B2; SG84522A1; DE19919382C2; KR20000017638A; DE19919382A1

Abstract

(57)【要約】【課題】低抵抗で造りやすい新規なＶＣＳＥＬ構造を提
供する。【解決手段】活性層（２５）を挟んで、該活性層（２
５）の一方の側に配置されて、（ｉ）第１の屈折率を備
え、第１のドーパントを含む第１の半導体化合物から造
られた第１の層（３３）、及び、（ｉｉ）第２の屈折率
を備え、第２のドーパントを含む第２の半導体化合物か
ら造られた第２の層（３５）を含む反射構造（２７）が
含まれている半導体レーザ装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、半導体装
置及びその製造に関し、特に、半導体レーザ装置などの
発光素子に関するものである。そして、本発明は、とり
わけ、垂直空洞面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）装置に適用
可能なものである。

【０００２】

【従来の技術】ＶＣＳＥＬ装置等の半導体レーザ装置
は、電流を流すと単色のコヒーレント光を発生する。基
本的に、ＶＣＳＥＬは、２つの反射層の間に挟まれた発
光材料の層から構成される。

【０００３】熱放散は、ＶＣＳＥＬの設計者が対処しな
ければならない難題の１つである。発生する熱の量は、
ＶＣＳＥＬの抵抗、及び、ＶＣＳＥＬを流れる電流の量
に関連している。抵抗は、電流が直列層を流れるので、
一般に、「直列抵抗」と呼ばれる。ＶＣＳＥＬは、でき
るだけ多くの電流を通すことによって、レーザ光の出力
強度を最大にできることが望ましいが、加熱により通電
量が制限される。

【０００４】従来のアプローチを利用すると、ＶＣＳＥ
Ｌ構造の熱放散効率が低下した。例えば、図１に関連し
て後述する、Ｋｉｓｈ，Ｊｒ．他に対する米国特許第
５，７２４，３７６号の明細書には、活性層に近接した
ヒート・シンクを用いる構造の解説がある。

【０００５】反射構造を構成する層の抵抗は、ドーピン
グによって小さくすることが可能であることも分かって
いる。これによって、所定の量の加熱に関して、より多
くの電流を流すことが可能になるので、光出力強度が増
大する。例えば、Ｋ．Ｌ．Ｌｅａｒ他による「Ｌｏｗ
ＴｈｒｅｓｈｏｌｄＶｏｌｔａｇｅＶｅｒｔｉｃａ
ｌＣａｖｉｔｙＳｕｒｆａｃｅ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ
Ｌａｓｅｒ」，ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬｅｔｔｅ
ｒｓ，Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ．７，（Ａｐｒｉｌ１，１９
９３），ｐｐ５８４−６を参照されたい。

【０００６】また、Ｐ．Ｚｈｏｕ他による「ＬｏｗＳ
ｅｒｉｅｓＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＨｉｇｈ−Ｅｆｆｉ
ｃｉｅｎｃｙＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＶｅｒｔｉｃ
ａｌ−ＣａｖｉｔｙＳｕｒｆａｃｅ−Ｅｍｉｔｔｉｎ
ｇＬａｓｅｒｓｗｉｔｈＣｏｎｔｉｎｕｏｕｓｌ
ｙＧｒａｄｅｄＭｉｒｒｏｒｓＧｒｏｗｎｂｙ
ＭＯＣＶＤ」，ＩＥＥＥＰｈｏｔｏｎｉｃｓＴｅｃ
ｈｎｏｌｏｇｙＬｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．３，Ｎｏ．７
（Ｊｕｌｙ１９９１）には、反射層間の傾斜インター
フェイスによって直流抵抗を小さくする技法が解説され
ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、通電
能力をいっそう向上させ、同時に、抵抗を制限して、良
好な製造性をもたらす新規なＶＣＳＥＬ構造を提供する
ことにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、直列抵
抗が小さく、製造が容易な半導体レーザ装置が得られ
る。

【０００９】こうした半導体レーザ装置には、活性層
と、活性層の両側に配置された第１と第２の反射構造が
含まれている。第１と第２の反射構造は、それぞれ、分
布ブラッグ反射装置（ＤＢＲ）であり、各ＤＢＲには、
それぞれ、（ｉ）第１の屈折率を備えた第１の層と、
（ｉｉ）第２の屈折率を備えた第２の層が含まれてい
る。

【００１０】２つのＤＢＲの一方にはｐタイプ、もう一
方には、ｎタイプのドーピングが施される。各ＤＢＲ毎
に、ドーピング・タイプは、一貫しているが、所定のＤ
ＢＲの異なる層には、異なるドーパントが用いられる。

【００１１】望ましい実施例の場合、反射構造は、Ａｌ
ＧａＡｓから造られたＤＢＲであるが、層の屈折率を変
えるため、Ａｌ含有量は変更される。ｐタイプＤＢＲの
２つの層には、それぞれ、低屈折率層及び高屈折率層が
得られるようにマグネシウムと炭素によるドーピングを
施すのが望ましい。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明によれば、有機金属気相エ
ピタキシ（ＯＭＶＰＥ）によって、半導体ＶＣＳＥＬ用
のｐタイプＤＢＲを作製するために開発された協調ドー
ピング・プロセスが得られる。この協調ドーピング・プ
ロセスを利用することによって、これらの装置で、低直
列抵抗及び低動作電圧を実現し、良好な製造性を得られ
る。

【００１３】図１には、全体が１０で表示された従来の
ＶＣＳＥＬの一例が示されている。図１のＶＣＳＥＬに
ついては、後述するＫｉｓｈ，Ｊｒ他に対する米国特許
第５，７２４，３７６号の明細書に詳細な記載がある。

【００１４】ＶＣＳＥＬ１０などの半導体レーザでは、
通電により発光する材料の層１１が、活性材料として利
用される。当該技術者には、この発光特性を備えた各種
材料が知られている。

【００１５】対向する反射表面は、活性層の上方及び下
方に製作される。上方反射構造１３及び下方反射構造１
５が示されている。活性層１１は、反射構造１３、１５
の間に位置する。反射構造１３及び１５は、一般に、屈
折率の異なる材料の層を順次堆積させることによって得
られる。こうした構造は、分布ブラッグ反射装置（ＤＢ
Ｒ）と呼ばれる。ＤＢＲ間の間隙（活性層１１によって
占められる）は、ファブリ・ペロー空洞と呼ばれる。上
記構造は、基板１７上に形成される。

【００１６】ＶＣＳＥＬ設計において、２つの反射構造
１３、１５に互いに逆極性のドーピングを施すのが一般
的である。すなわち、反射構造の一方には、ｎタイプの
ドーピングが施され、もう一方には、ｐタイプのドーピ
ングが施される。従って、ＶＣＳＥＬは、ｐｎ接合ダイ
オードに匹敵する特性を備えることが可能である。ＶＣ
ＳＥＬを用いた回路は、ＶＣＳＥＬの２つの端子間に順
バイアス電圧を印加してＶＣＳＥＬを駆動し、発光させ
る。

【００１７】半導体材料層の屈折率を設定する既知の方
法がある。例えば、アルミニウム・ガリウム・砒素（Ａ
ｌＧａＡｓ）層を形成する場合、アルミニウム含有量を
変えることが可能でアルミニウムの含有量が増すほど、
屈折率は低下する。

【００１８】一般的なやり方に従って、ｎタイプまたは
ｐタイプになるように、層にドーピングを施すことが可
能である。例えば、炭素（Ｃ）またはマグネシウム（Ｍ
ｇ）ドーパントを利用して、ＡｌＧａＡｓをｐタイプに
することが可能である。

【００１９】上述の半導体構造に電流を供給して、活性
層１１を活性化するため、該構造の両側に電気接点１
９、２１が設けられる。上部接点１９は、レーザ光がＶ
ＣＳＥＬ装置１０から出射するための間隙が得られるよ
うに構成されている。図１に概略が示されている、可能
性のある構成の１つでは、上部接点１９には、レーザ光
が通過する開口が設けられている。図１には、上昇し
て、上部接点１９の開口を通るレーザ光が示されてい
る。

【００２０】ＶＣＳＥＬ１０などのＶＣＳＥＬ装置は、
接点１９と２１の間に特性抵抗を備えている。電流がＶ
ＣＳＥＬ１０を流れると、熱が発生する。熱は、ハンダ
・ダイ・アタッチで取り付けられたヒート・シンク２３
によって放散される。

【００２１】図２は、本発明によるＶＣＳＥＬ装置の一
部に関する概略図である。図２に示す構造は、図１の構
造１１、１３、及び、１５に対応する。図１の残りの部
分には、本発明にとってあまり重要ではない構成要素が
含まれている。従って、これらの補助的要素は、図２か
ら省かれている。

【００２２】図１の活性層１１と同様の活性層２５は、
２つの反射構造２７及び２９の間にＶＣＳＥＬ空洞を形
成する。反射構造２７及び２９は、それぞれ、ｐタイプ
ＤＢＲ及びｎタイプＤＢＲとして示されている。

【００２３】ＤＢＲ２７及び２９には、屈折率の異なる
２つの材料の交互層が含まれている。上述のように、材
料がＡｌＧａＡｓの場合、低Ａｌ組成のＡｌＧａＡｓ層
は、高屈折率材料の働きをし、高Ａｌ組成のＡｌＧａＡ
ｓ層は、低屈折率材料の働きをする。場合により、層間
に不図示の傾斜インターフェイスを用いることも可能で
ある。

【００２４】ＤＢＲ内の１対の層は、単位下部構造とみ
なすことができる。そして、該下部構造を必要数用いて
ＤＢＲを構成することが可能である。図２において、ｐ
タイプＤＢＲ２７には、低屈折率層３３及び高屈折率層
３５を含む、単位下部構造３１が含まれている。

【００２５】ＤＢＲ毎に１つのこうした単位下部構造
は、理論的には最少であるが、実際には、ＤＢＲには、
２つ以上の単位下部構造が含まれる。図示のように、単
位下部構造をＮ１回繰り返すことによって、ｐタイプＤ
ＢＲ２７全体が形成される。同様に、ｎタイプＤＢＲ２
９には、Ｎ２回繰り返された単位下部構造３７が含まれ
ている。Ｎ１及びＮ２は、単位下部構造の総数を表す整
数である。望ましい実施例の場合、Ｎ１及びＮ２は、約
５０にすることが可能である。

【００２６】全ての層を順次通過するポンプ電流は、構
造の全抵抗に関連した熱を発生する。本発明によれば、
全抵抗を小さくするため、層及びインターフェイスに十
分なドーピングが施される。それによって、好都合なこ
とには、ＤＢＲ２７及び２９の両端間における電圧降
下、及び、電流によって発生する熱が減少する。ｐタイ
プＤＢＲは、ｎタイプＤＢＲよりも抵抗が大きくなりが
ちである。従って、本発明は、とりわけ、ｐタイプＤＢ
Ｒに適用するのに有利である。

【００２７】本発明によれば、「協調ドーピング」にお
いて、ＤＢＲまたはＤＢＲ単位下部構造の２つの層に異
なるドーパントが用いられる。

【００２８】図２の構造には、Ａｌ含有量を変えること
によって屈折率が変更される、望ましい材料ＡｌＧａＡ
ｓから造られたＤＢＲが含まれている。ｐタイプのＡｌ
ＧａＡｓによるＤＢＲにおいて一般に用いられるドーパ
ントのうちの２つは、ＭｇとＣである。ｐタイプＤＢＲ
２７の場合、Ｃは、層３３のようなＡｌ含有量の多いＡ
ｌＧａＡｓ層のドーパントとして利用され、Ｍｇは、層
３５のようなＡｌ含有量の少ないＡｌＧａＡｓに利用さ
れる。

【００２９】ちなみに、本発明の他の望ましい実施例の
場合、Ａｌ含有量の多いＡｌＧａＡｓ層（例えば、層３
３）に、ＣとＭｇの組み合わせによるドーピング、並び
に、Ｃだけのドーピングを施すことが可能である点に留
意されたい。

【００３０】Ｍｇは、ＡｌＧａＡｓ材料のアルミニウム
含有量に関係なくドーパントとして利用される。ＯＭV
ＰＥによるＭｇドーピングは、既知のＭｇドーパント源
を用いて実施される。

【００３１】しかし、Ａｌ組成の高いＡｌＧａＡｓとイ
ンターフェイス層の場合、Ｍｇには、活性化されるドー
パント・イオンの可能性のある最高の濃度（すなわち、
実現可能なキャリヤ濃度）が、あいにく、１０¹⁸／ｃｍ
³という低い値に制限される欠点がある。結果として、
ＭｇをドープしたｐタイプＤＢＲを利用して成長したＶ
ＣＳＥＬは、直列抵抗が高くなるので、通常、動作電圧
が高くなる。

【００３２】一方、炭素は、極めて高いレベルで、Ａｌ
ＧａＡｓ層に取り入れることが可能である。しかし、炭
素をドーパントにしたＯＭＶＰＥガスは、不都合な腐食
性を備える傾向がある。周囲炭素ドーパント源ガスから
ドーピングを行うステップを含む製作プロセスの場合、
炭素ドーパント源ガスによって、炭素をドープしたエピ
タキシャル層が堆積させられるＡｌＧａＡｓ層に対して
バック・エッチが生じる。

【００３３】ＣＢｒ₄ドーパント・ガスが、Ａｌ含有量
の少ないＡｌＧａＡｓに用いられる場合、バック・エッ
チは、通常の成長速度の３０％を超える速度で生じる。
しかし、バック・エッチ速度は、ＡｌＡｓのとって取る
に足りないものである。ＡｌとＧａの両方を含む中間調
合物の場合、バック・エッチ速度も中間である。さら
に、バック・エッチ速度は、温度と、ウェーハを横切る
気流パターンの変動に影響されやすい。

【００３４】結果として、ＣドープしたｐタイプのＤＢ
Ｒのウェーハ全域にわたる厚さの分布は、均一にならな
い傾向がある。対照的に、ｎタイプＤＢＲ構造の製作で
は、バック・エッチを生じる物質は用いられない。従っ
て、ｎタイプＤＢＲの製作は制御が容易であるが、ｐタ
イプＤＢＲの製作には、ＤＢＲの厚さの不整合を生じ
る、均一性の問題がある。

【００３５】ｎタイプとｐタイプのＤＢＲが両方とも必
要な従来のＶＣＳＥＬの場合、それらの間における厚さ
の不整合が、ウェーハ全域にわたる装置の性能の均一性
を劣化させることになる。

【００３６】しかし、本発明によれば、アルミニウムの
含有量が多く、従って、バック・エッチ及び結果生じる
均一性の問題の影響を受けにくい材料の層だけに炭素の
ドーピングを利用することによって、より優れた均一性
が得られる。炭素のドーピングは、Ａｌの含有量が少な
く、屈折率の高いＡｌＧａＡｓ層よりもＡｌの含有量が
多く、屈折率の低いＡｌＧａＡｓ層に適している。

【００３７】よりバック・エッチの影響を受けやすい低
Ａｌ層の場合、Ｍｇドーピングは高Ａｌ材料に対する１
ｃｍ³当たり１×１０¹⁸という制限を受けない。こうし
て、バック・エッチの問題を生じることなく、両方の層
において３×１０¹⁸ｃｍ^-3を超える高ドーピング濃度を
容易に実現することが可能である。従って、Ａｌ含有量
の少ない層のＭｇドーピングによって、バック・エッチ
及び結果生じる不均一性を伴うことなく、構造全体に関
して小さいことが望ましい抵抗と、及び、良好な製造性
が得られる。

【００３８】本発明の望ましい実施例の１つでは、高Ａ
ｌ層のドーピングに炭素だけしか用いないが、Ｍｇ及び
Ｃの混合物でドープすることも可能である。Ａｌの含有
量が多いので、ドーパント・ガスの炭素含有量によっ
て、不利になるほどの量のバック・エッチが生じること
はない。図２の実施例、及び、技術者が以上の説明から
認識するであろう関連実施例は、第１のクラスの実施例
とみなすことができる。

【００３９】さらに２つの追加クラスの実施例（「第
２」及び「第３」のクラス）が存在する。第２のクラス
には、ＶＣＳＥＬ空洞と前述の層の間にあるか、前記層
に隣接するか、あるいは、前記層の間にある比較的狭い
インターフェイス層も含まれる。これらのタイプの層を
区別するため、「通常の」層という用語を用いて、上述
の層を表すことにする。

【００４０】インターフェイス層によって、Ａｌ含有量
の多い層からＡｌ含有量の少ない層への組成の鋭い遷移
が平滑になる。好都合なことには、これによって、直列
抵抗が小さくなる。

【００４１】一般に、直列抵抗を十分に低減するには、
インターフェイス層にかなりのドーピングを施すことが
必要になる。このインターフェイス層における協調ドー
ピング設計（Ｃ＋Ｍｇ、または、Ｃ単独）によって、好
都合なことには、この抵抗の低減が実現する。

【００４２】第３のクラスの実施例の場合、層には、Ａ
ｌ組成が連続変化するか、または、離散的なセクション
への分割、及び／または、異なるセクションへの協調ド
ーピングが施される。これは、通常の層で実施可能であ
る。インターフェイス傾斜層も、セクションに分割し、
それに従って協調ドーピングを施すことが可能である。

【００４３】インターフェイス層が設けられる場合、セ
クション化された協調ドーピングが、とりわけ有効であ
ることが分かった。望ましいセクション化インターフェ
イスは、通常の層間で連結する役目をするＡｌＧａＡｓ
のインターフェイス層が含まれている。１つまたは複数
のインターフェイス層が、そのセクションに従ってコ・
ドープされる。

【００４４】セクション・協調ドーピングは、多種多様
なやり方で実施可能である。例えば、インターフェイス
層は、２つのセクションを備えることが可能であり、そ
のうちの一方だけが協調ドーピングを施される。

【００４５】高Ａｌ層と低Ａｌ層が、それぞれ、インタ
ーフェイス層を備えている場合、協調ドーピングは低Ａ
ｌ層の後インターフェイス層には施さず、高Ａｌ層の後
のインターフェイス層に施すことが可能である。さら
に、この層構成の場合、２つの通常の層自体は、協調ド
ーピングを施しても、施さなくてもかまわない。

【００４６】図３は、半導体レーザ装置の一例のｐタイ
プＤＢＲを示す断面図である。図３の装置は、第２のク
ラスの実施例によるインターフェイス層を備えており、
このインターフェイス層は、第３のクラスの実施例によ
るセクション化協調ドーピングの一例を示している。

【００４７】図３には、全体が４１で表示されたＶＣＳ
ＥＬ空洞３９及びｐタイプＤＢＲが示されている。簡略
化のため、２つの単位下部構造４３及び４５が示されて
いるが、もっと多くの単位下部構造が存在する可能性が
ある。単位下部構造４３及び４５には、それぞれ、Ａｌ
含有量の多い通常の層（それぞれ、４７及び４９）と、
Ａｌ含有量の少ない通常の層（それぞれ、５１及び５
３）が含まれている。

【００４８】通常の層の間及び／または通常の層とＶＣ
ＳＥＬ空洞３９との間のインターフェイス層が、本発明
の第２と第３の実施例を例示している。個々の例につい
ては、個別に論じることにする。

【００４９】第２のクラスの実施例に従って、インター
フェイス層５５は、ＶＣＳＥＬ空洞３９とＡｌ含有量の
多い通常層４９との間に示されている。

【００５０】第３クラスの実施例に従って、セクション
５７及び５９からなるインターフェイス層が、Ａｌ含有
量の多い通常の層４９とＡｌ含有量の少ない通常の層５
３の間に示されている。以下の説明において、５７及び
５９のような層は、互いに隣接する個別インターフェイ
ス層、または、インターフェイス層全体のセクションと
呼ぶことにする。どれがどちらの呼称になるかは、文脈
から明らかになるであろう。

【００５１】図示のように、インターフェイス層５５、
５７、及び、５９は、通常の層５３及び４９よりも薄
い。上述のように、５５、５７、及び、５９のようなイ
ンターフェイス層が相対的に薄いことは、望ましい特徴
である。

【００５２】また、インターフェイス層には、その相対
的Ａｌ含有量を反映した説明もついている。Ａｌ含有量
の説明は、直観的に分かる意味を有している。低Ａｌ
（すなわち、Ａｌ含有量が最も少ない）から、準低Ａ
ｌ、及び、準高Ａｌを経て、高Ａｌ（すなわち、Ａｌ含
有量が最も多い）に至るものと理解されたい。

【００５３】インターフェイス層の正確なＡｌ組成は、
用途に応じて変動する可能性があるが、本発明の第２と
第３のクラスの実施例の望ましい実施例では、そのＡｌ
含有量が隣接するインターフェイス層または通常の層の
Ａｌ含有量との中間値である層を備えている。例えば、
順次隣接層が、４９（高Ａｌ）から５９（準高Ａｌ）及
び５７（準低Ａｌ）を経て５３（低Ａｌ）に及んでい
る。

【００５４】全体として捉えた図３の構造には、インタ
ーフェイス層が、ｐタイプＤＢＲ構造全体に組み込まれ
る望ましいやり方が示されている。すなわち、通常の層
のそれぞれが、両側にインターフェイス層を備えてい
る。

【００５５】例えば、下部構造４５について詳細に検討
することにする。インターフェイス層５５及び５９が、
高Ａｌ通常層４９の両側において隣接している。インタ
ーフェイス層５５及び５９は、それぞれ、準高Ａｌ含有
量であるため、Ａｌ含有量は、層境界を越える際、比較
的緩やかに変化する。また、低Ａｌ通常層５３は、両側
が、インターフェイス層５７及びインターフェイス層６
１と隣接している。インターフェイス層５７及び６１
は、準低Ａｌ含有量であり、従って、やはり、これらの
層の境界を越えても、Ａｌ含有量は急激には変化しな
い。また、層５７から層５９への境界によって、Ａｌ含
有量は準低から準高に変化するだけである。

【００５６】インターフェイス層の協調ドーピングは、
やはり、本発明に従って行われる。例えば、個々のイン
ターフェイス層のＡｌ絶対含有量に従って、準低Ａｌ含
有量インターフェイス層５７及び６１は、Ｍｇをドープ
することが可能であり、一方、準高Ａｌ含有量インター
フェイス層５５及び５９は、Ｃ、または、Ｃ＋Ｍｇをド
ープすることが可能である。

【００５７】従って、本発明によれば、直列抵抗を最小
にするためのドーピングを施されたＤＢＲ構造、及び、
その製造にあたりバック・エッチの問題が回避される装
置という、矛盾する要求が解決される。協調ドーピング
を施されたＤＢＲを備えるＶＣＳＥＬは、直列抵抗が小
さく、動作電圧が低く、ウェーハ全域にわたって比較的
均一性に優れるものと予測される。本発明の広汎な応用
に鑑み、以下に本発明の実施態様の一端を例示して参考
に供する。

【００５８】（実施態様１）：両側を備える活性層（２
５）と、該活性層（２５）の一方の側に配置されて、
（ｉ）第１の屈折率を備え、第１のドーパントを含む第
１の半導体化合物から造られた第１の層（３３）、及
び、（ｉｉ）第２の屈折率を備え、第２のドーパントを
含む第２の半導体化合物から造られた第２の層（３５）
を含む反射構造（２７）が含まれている半導体レーザ装
置。

【００５９】（実施態様２）：第１と第２の反射構造
（２７、２９）のそれぞれについて、第１の層（３３）
が、第１のＩＩＩ−Ｖ半導体化合物から造られ、第２の
層（３５）が、第２のＩＩＩ−Ｖ半導体化合物から造ら
れていることを特徴とする、実施態様１に記載の半導体
レーザ装置。

【００６０】（実施態様３）：第１のＩＩＩ−Ｖ半導体
化合物（３３）が、第１のＡｌ組成のＡｌＧａＡｓであ
り、第２のＩＩＩ−Ｖ半導体化合物（３５）が、第１の
Ａｌ組成より低い第２のＡｌ組成のＡｌＧａＡｓである
ことを特徴とする実施態様２に記載の半導体レーザ装
置。

【００６１】（実施態様４）：第１と第２の反射構造
（２７、２９）のそれぞれについて、第１の層（３３）
に、（ｉ）炭素と、（ｉｉ）炭素及びマグネシウムから
なるグループからの選択したドーパントがドープされ、
第２の層（３５）に、マグネシウムがドープされている
ことを特徴とする実施態様２に記載の半導体レーザ装
置。

【００６２】（実施態様５）：第１と第２の反射構造
（２７、２９）のそれぞれに、さらに、それぞれ、
（ｉ）第１の屈折率を有し、第１のドーパントを含む第
１の半導体化合物から造られた第３の層と、（ｉｉ）第
２の屈折率を有し、第２のドーパントを含む第２の半導
体化合物から造られた第４の層が含まれていることを特
徴とする、実施態様１に記載の半導体レーザ装置。

【００６２】（実施態様６）：さらに、第１の層と第２
の層の一方に隣接したインターフェイス層（５７、５
９）が含まれていることを特徴とする、実施態様１に記
載の半導体レーザ装置。（実施態様７）：インターフェイス層が、第１のセクシ
ョン（５７）と第２のセクション（５９）を備えてお
り、第１と第２のセクションの化学的構成が異なること
を特徴とする、実施態様６に記載の半導体レーザ装置。（実施態様８）：第１と第２の層（３３、３５）の一方
が、第１と第２のセクションを備えており、第１と第２
のセクションの化学的構成が異なることを特徴とする、
実施態様１に記載の半導体レーザ装置。

【００６３】（実施態様９）：さらに、活性層の（２
５）の前記一方の側に対向する側に配置された第２の反
射構造（２９）が含まれ、第２の反射構造（２９）に、
（ｉ）第１の屈折率を有し、第１のドーパントを含む第
１の半導体化合物から造られた第１の層と、（ｉｉ）第
２の屈折率を有し、第２のドーパントを含む第２の化合
物から造られた第２の層が含まれることを特徴とする、
実施態様２に記載の半導体レーザ装置。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の半導体レーザ装置の概略図である。

【図２】本発明の第１のクラスの実施例による半導体レ
ーザ装置の概略図である。

【図３】本発明の第２、３のクラスの実施例による半導
体レーザ装置の概略図である。

【符号の説明】

２５活性層２７第１の反射構造２９第２の反射構造３３第１の層３５第２の層５７インターフェイス層５９インターフェイス層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者シャオツォン・ワンアメリカ合衆国カリフォルニア州サニーベイルアイリス・アベニュー・ナンバー 39 611 (72)発明者チュン・レイアメリカ合衆国カリフォルニア州サニー・ベイルアルカディア・テラスナンバー 202 614

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】両側を備える活性層と、該活性層の一方の
側に配置されて、（ｉ）第１の屈折率を備え、第１のド
ーパントを含む第１の半導体化合物から造られた第１の
層、及び、（ｉｉ）第２の屈折率を備え、第２のドーパ
ントを含む第２の半導体化合物から造られた第２の層と
を含む反射構造が含まれている半導体レーザ装置。