JP4608040B2

JP4608040B2 - 半導体レーザ装置

Info

Publication number: JP4608040B2
Application number: JP21691699A
Authority: JP
Inventors: ホンユ・デン; シャオツォン・ワン; チュン・レイ
Original assignee: アバゴ・テクノロジーズ・ファイバー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド
Priority date: 1998-08-31
Filing date: 1999-07-30
Publication date: 2011-01-05
Anticipated expiration: 2019-07-30
Also published as: GB9920420D0; GB2341275B; SG84522A1; DE19919382C2; KR20000017638A; JP2000077772A; US6301281B1; DE19964244C2; GB2341275A; TW410495B; KR100647934B1; DE19919382A1

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に、半導体装置及びその製造に関し、特に、半導体レーザ装置などの発光素子に関するものである。そして、本発明は、とりわけ、垂直空洞面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）装置に適用可能なものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＶＣＳＥＬ装置等の半導体レーザ装置は、電流を流すと単色のコヒーレント光を発生する。基本的に、ＶＣＳＥＬは、２つの反射層の間に挟まれた発光材料の層から構成される。
【０００３】
熱放散は、ＶＣＳＥＬの設計者が対処しなければならない難題の１つである。発生する熱の量は、ＶＣＳＥＬの抵抗、及び、ＶＣＳＥＬを流れる電流の量に関連している。抵抗は、電流が直列層を流れるので、一般に、「直列抵抗」と呼ばれる。ＶＣＳＥＬは、できるだけ多くの電流を通すことによって、レーザ光の出力強度を最大にできることが望ましいが、加熱により通電量が制限される。
【０００４】
従来のアプローチを利用すると、ＶＣＳＥＬ構造の熱放散効率が低下した。例えば、図１に関連して後述する、Ｋｉｓｈ，Ｊｒ．他に対する米国特許第５，７２４，３７６号の明細書には、活性層に近接したヒート・シンクを用いる構造の解説がある。
【０００５】
反射構造を構成する層の抵抗は、ドーピングによって小さくすることが可能であることも分かっている。これによって、所定の量の加熱に関して、より多くの電流を流すことが可能になるので、光出力強度が増大する。例えば、Ｋ．Ｌ．Ｌｅａｒ他による「ＬｏｗＴｈｒｅｓｈｏｌｄＶｏｌｔａｇｅＶｅｒｔｉｃａｌＣａｖｉｔｙＳｕｒｆａｃｅ−ＥｍｉｔｔｉｎｇＬａｓｅｒ」，ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ．７，（Ａｐｒｉｌ１，１９９３），ｐｐ５８４−６を参照されたい。
【０００６】
また、Ｐ．Ｚｈｏｕ他による「ＬｏｗＳｅｒｉｅｓＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＨｉｇｈ−ＥｆｆｉｃｉｅｎｃｙＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＶｅｒｔｉｃａｌ−ＣａｖｉｔｙＳｕｒｆａｃｅ−ＥｍｉｔｔｉｎｇＬａｓｅｒｓｗｉｔｈＣｏｎｔｉｎｕｏｕｓｌｙＧｒａｄｅｄＭｉｒｒｏｒｓＧｒｏｗｎｂｙＭＯＣＶＤ」，ＩＥＥＥＰｈｏｔｏｎｉｃｓＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＬｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．３，Ｎｏ．７（Ｊｕｌｙ１９９１）には、反射層間の傾斜インターフェイスによって直流抵抗を小さくする技法が解説されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、通電能力をいっそう向上させ、同時に、抵抗を制限して、良好な製造性をもたらす新規なＶＣＳＥＬ構造を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、直列抵抗が小さく、製造が容易な半導体レーザ装置が得られる。
【０００９】
こうした半導体レーザ装置には、活性層と、活性層の両側に配置された第１と第２の反射構造が含まれている。第１と第２の反射構造は、それぞれ、分布ブラッグ反射装置（ＤＢＲ）であり、各ＤＢＲには、それぞれ、（ｉ）第１の屈折率を備えた第１の層と、（ｉｉ）第２の屈折率を備えた第２の層が含まれている。
【００１０】
２つのＤＢＲの一方にはｐタイプ、もう一方には、ｎタイプのドーピングが施される。各ＤＢＲ毎に、ドーピング・タイプは、一貫しているが、所定のＤＢＲの異なる層には、異なるドーパントが用いられる。
【００１１】
望ましい実施例の場合、反射構造は、ＡｌＧａＡｓから造られたＤＢＲであるが、層の屈折率を変えるため、Ａｌ含有量は変更される。ｐタイプＤＢＲの２つの層には、それぞれ、低屈折率層及び高屈折率層が得られるようにマグネシウムと炭素によるドーピングを施すのが望ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明によれば、有機金属気相エピタキシ（ＯＭＶＰＥ）によって、半導体ＶＣＳＥＬ用のｐタイプＤＢＲを作製するために開発された協調ドーピング・プロセスが得られる。この協調ドーピング・プロセスを利用することによって、これらの装置で、低直列抵抗及び低動作電圧を実現し、良好な製造性を得られる。
【００１３】
図１には、全体が１０で表示された従来のＶＣＳＥＬの一例が示されている。図１のＶＣＳＥＬについては、後述するＫｉｓｈ，Ｊｒ他に対する米国特許第５，７２４，３７６号の明細書に詳細な記載がある。
【００１４】
ＶＣＳＥＬ１０などの半導体レーザでは、通電により発光する材料の層１１が、活性材料として利用される。当該技術者には、この発光特性を備えた各種材料が知られている。
【００１５】
対向する反射表面は、活性層の上方及び下方に製作される。上方反射構造１３及び下方反射構造１５が示されている。活性層１１は、反射構造１３、１５の間に位置する。反射構造１３及び１５は、一般に、屈折率の異なる材料の層を順次堆積させることによって得られる。こうした構造は、分布ブラッグ反射装置（ＤＢＲ）と呼ばれる。ＤＢＲ間の間隙（活性層１１によって占められる）は、ファブリ・ペロー空洞と呼ばれる。上記構造は、基板１７上に形成される。
【００１６】
ＶＣＳＥＬ設計において、２つの反射構造１３、１５に互いに逆極性のドーピングを施すのが一般的である。すなわち、反射構造の一方には、ｎタイプのドーピングが施され、もう一方には、ｐタイプのドーピングが施される。従って、ＶＣＳＥＬは、ｐｎ接合ダイオードに匹敵する特性を備えることが可能である。ＶＣＳＥＬを用いた回路は、ＶＣＳＥＬの２つの端子間に順バイアス電圧を印加してＶＣＳＥＬを駆動し、発光させる。
【００１７】
半導体材料層の屈折率を設定する既知の方法がある。例えば、アルミニウム・ガリウム・砒素（ＡｌＧａＡｓ）層を形成する場合、アルミニウム含有量を変えることが可能でアルミニウムの含有量が増すほど、屈折率は低下する。
【００１８】
一般的なやり方に従って、ｎタイプまたはｐタイプになるように、層にドーピングを施すことが可能である。例えば、炭素（Ｃ）またはマグネシウム（Ｍｇ）ドーパントを利用して、ＡｌＧａＡｓをｐタイプにすることが可能である。
【００１９】
上述の半導体構造に電流を供給して、活性層１１を活性化するため、該構造の両側に電気接点１９、２１が設けられる。上部接点１９は、レーザ光がＶＣＳＥＬ装置１０から出射するための間隙が得られるように構成されている。図１に概略が示されている、可能性のある構成の１つでは、上部接点１９には、レーザ光が通過する開口が設けられている。図１には、上昇して、上部接点１９の開口を通るレーザ光が示されている。
【００２０】
ＶＣＳＥＬ１０などのＶＣＳＥＬ装置は、接点１９と２１の間に特性抵抗を備えている。電流がＶＣＳＥＬ１０を流れると、熱が発生する。熱は、ハンダ・ダイ・アタッチで取り付けられたヒート・シンク２３によって放散される。
【００２１】
図２は、本発明によるＶＣＳＥＬ装置の一部に関する概略図である。図２に示す構造は、図１の構造１１、１３、及び、１５に対応する。図１の残りの部分には、本発明にとってあまり重要ではない構成要素が含まれている。従って、これらの補助的要素は、図２から省かれている。
【００２２】
図１の活性層１１と同様の活性層２５は、２つの反射構造２７及び２９の間にＶＣＳＥＬ空洞を形成する。反射構造２７及び２９は、それぞれ、ｐタイプＤＢＲ及びｎタイプＤＢＲとして示されている。
【００２３】
ＤＢＲ２７及び２９には、屈折率の異なる２つの材料の交互層が含まれている。上述のように、材料がＡｌＧａＡｓの場合、低Ａｌ組成のＡｌＧａＡｓ層は、高屈折率材料の働きをし、高Ａｌ組成のＡｌＧａＡｓ層は、低屈折率材料の働きをする。場合により、層間に不図示の傾斜インターフェイスを用いることも可能である。
【００２４】
ＤＢＲ内の１対の層は、単位下部構造とみなすことができる。そして、該下部構造を必要数用いてＤＢＲを構成することが可能である。図２において、ｐタイプＤＢＲ２７には、低屈折率層３３及び高屈折率層３５を含む、単位下部構造３１が含まれている。
【００２５】
ＤＢＲ毎に１つのこうした単位下部構造は、理論的には最少であるが、実際には、ＤＢＲには、２つ以上の単位下部構造が含まれる。図示のように、単位下部構造をＮ１回繰り返すことによって、ｐタイプＤＢＲ２７全体が形成される。同様に、ｎタイプＤＢＲ２９には、Ｎ２回繰り返された単位下部構造３７が含まれている。Ｎ１及びＮ２は、単位下部構造の総数を表す整数である。望ましい実施例の場合、Ｎ１及びＮ２は、約５０にすることが可能である。
【００２６】
全ての層を順次通過するポンプ電流は、構造の全抵抗に関連した熱を発生する。本発明によれば、全抵抗を小さくするため、層及びインターフェイスに十分なドーピングが施される。それによって、好都合なことには、ＤＢＲ２７及び２９の両端間における電圧降下、及び、電流によって発生する熱が減少する。ｐタイプＤＢＲは、ｎタイプＤＢＲよりも抵抗が大きくなりがちである。従って、本発明は、とりわけ、ｐタイプＤＢＲに適用するのに有利である。
【００２７】
本発明によれば、「協調ドーピング」において、ＤＢＲまたはＤＢＲ単位下部構造の２つの層に異なるドーパントが用いられる。
【００２８】
図２の構造には、Ａｌ含有量を変えることによって屈折率が変更される、望ましい材料ＡｌＧａＡｓから造られたＤＢＲが含まれている。ｐタイプのＡｌＧａＡｓによるＤＢＲにおいて一般に用いられるドーパントのうちの２つは、ＭｇとＣである。ｐタイプＤＢＲ２７の場合、Ｃは、層３３のようなＡｌ含有量の多いＡｌＧａＡｓ層のドーパントとして利用され、Ｍｇは、層３５のようなＡｌ含有量の少ないＡｌＧａＡｓに利用される。
【００２９】
ちなみに、本発明の他の望ましい実施例の場合、Ａｌ含有量の多いＡｌＧａＡｓ層（例えば、層３３）に、ＣとＭｇの組み合わせによるドーピング、並びに、Ｃだけのドーピングを施すことが可能である点に留意されたい。
【００３０】
Ｍｇは、ＡｌＧａＡｓ材料のアルミニウム含有量に関係なくドーパントとして利用される。ＯＭVＰＥによるＭｇドーピングは、既知のＭｇドーパント源を用いて実施される。
【００３１】
しかし、Ａｌ組成の高いＡｌＧａＡｓとインターフェイス層の場合、Ｍｇには、活性化されるドーパント・イオンの可能性のある最高の濃度（すなわち、実現可能なキャリヤ濃度）が、あいにく、１０¹⁸／ｃｍ³という低い値に制限される欠点がある。結果として、ＭｇをドープしたｐタイプＤＢＲを利用して成長したＶＣＳＥＬは、直列抵抗が高くなるので、通常、動作電圧が高くなる。
【００３２】
一方、炭素は、極めて高いレベルで、ＡｌＧａＡｓ層に取り入れることが可能である。しかし、炭素をドーパントにしたＯＭＶＰＥガスは、不都合な腐食性を備える傾向がある。周囲炭素ドーパント源ガスからドーピングを行うステップを含む製作プロセスの場合、炭素ドーパント源ガスによって、炭素をドープしたエピタキシャル層が堆積させられるＡｌＧａＡｓ層に対してバック・エッチが生じる。
【００３３】
ＣＢｒ₄ドーパント・ガスが、Ａｌ含有量の少ないＡｌＧａＡｓに用いられる場合、バック・エッチは、通常の成長速度の３０％を超える速度で生じる。しかし、バック・エッチ速度は、ＡｌＡｓのとって取るに足りないものである。ＡｌとＧａの両方を含む中間調合物の場合、バック・エッチ速度も中間である。さらに、バック・エッチ速度は、温度と、ウェーハを横切る気流パターンの変動に影響されやすい。
【００３４】
結果として、ＣドープしたｐタイプのＤＢＲのウェーハ全域にわたる厚さの分布は、均一にならない傾向がある。対照的に、ｎタイプＤＢＲ構造の製作では、バック・エッチを生じる物質は用いられない。従って、ｎタイプＤＢＲの製作は制御が容易であるが、ｐタイプＤＢＲの製作には、ＤＢＲの厚さの不整合を生じる、均一性の問題がある。
【００３５】
ｎタイプとｐタイプのＤＢＲが両方とも必要な従来のＶＣＳＥＬの場合、それらの間における厚さの不整合が、ウェーハ全域にわたる装置の性能の均一性を劣化させることになる。
【００３６】
しかし、本発明によれば、アルミニウムの含有量が多く、従って、バック・エッチ及び結果生じる均一性の問題の影響を受けにくい材料の層だけに炭素のドーピングを利用することによって、より優れた均一性が得られる。炭素のドーピングは、Ａｌの含有量が少なく、屈折率の高いＡｌＧａＡｓ層よりもＡｌの含有量が多く、屈折率の低いＡｌＧａＡｓ層に適している。
【００３７】
よりバック・エッチの影響を受けやすい低Ａｌ層の場合、Ｍｇドーピングは高Ａｌ材料に対する１ｃｍ³当たり１×１０¹⁸という制限を受けない。こうして、バック・エッチの問題を生じることなく、両方の層において３×１０¹⁸ｃｍ^-3を超える高ドーピング濃度を容易に実現することが可能である。従って、Ａｌ含有量の少ない層のＭｇドーピングによって、バック・エッチ及び結果生じる不均一性を伴うことなく、構造全体に関して小さいことが望ましい抵抗と、及び、良好な製造性が得られる。
【００３８】
本発明の望ましい実施例の１つでは、高Ａｌ層のドーピングに炭素だけしか用いないが、Ｍｇ及びＣの混合物でドープすることも可能である。Ａｌの含有量が多いので、ドーパント・ガスの炭素含有量によって、不利になるほどの量のバック・エッチが生じることはない。
図２の実施例、及び、技術者が以上の説明から認識するであろう関連実施例は、第１のクラスの実施例とみなすことができる。
【００３９】
さらに２つの追加クラスの実施例（「第２」及び「第３」のクラス）が存在する。第２のクラスには、ＶＣＳＥＬ空洞と前述の層の間にあるか、前記層に隣接するか、あるいは、前記層の間にある比較的狭いインターフェイス層も含まれる。これらのタイプの層を区別するため、「通常の」層という用語を用いて、上述の層を表すことにする。
【００４０】
インターフェイス層によって、Ａｌ含有量の多い層からＡｌ含有量の少ない層への組成の鋭い遷移が平滑になる。好都合なことには、これによって、直列抵抗が小さくなる。
【００４１】
一般に、直列抵抗を十分に低減するには、インターフェイス層にかなりのドーピングを施すことが必要になる。このインターフェイス層における協調ドーピング設計（Ｃ＋Ｍｇ、または、Ｃ単独）によって、好都合なことには、この抵抗の低減が実現する。
【００４２】
第３のクラスの実施例の場合、層には、Ａｌ組成が連続変化するか、または、離散的なセクションへの分割、及び／または、異なるセクションへの協調ドーピングが施される。これは、通常の層で実施可能である。インターフェイス傾斜層も、セクションに分割し、それに従って協調ドーピングを施すことが可能である。
【００４３】
インターフェイス層が設けられる場合、セクション化された協調ドーピングが、とりわけ有効であることが分かった。望ましいセクション化インターフェイスは、通常の層間で連結する役目をするＡｌＧａＡｓのインターフェイス層が含まれている。１つまたは複数のインターフェイス層が、そのセクションに従ってコ・ドープされる。
【００４４】
セクション・協調ドーピングは、多種多様なやり方で実施可能である。例えば、インターフェイス層は、２つのセクションを備えることが可能であり、そのうちの一方だけが協調ドーピングを施される。
【００４５】
高Ａｌ層と低Ａｌ層が、それぞれ、インターフェイス層を備えている場合、協調ドーピングは低Ａｌ層の後インターフェイス層には施さず、高Ａｌ層の後のインターフェイス層に施すことが可能である。さらに、この層構成の場合、２つの通常の層自体は、協調ドーピングを施しても、施さなくてもかまわない。
【００４６】
図３は、半導体レーザ装置の一例のｐタイプＤＢＲを示す断面図である。図３の装置は、第２のクラスの実施例によるインターフェイス層を備えており、このインターフェイス層は、第３のクラスの実施例によるセクション化協調ドーピングの一例を示している。
【００４７】
図３には、全体が４１で表示されたＶＣＳＥＬ空洞３９及びｐタイプＤＢＲが示されている。簡略化のため、２つの単位下部構造４３及び４５が示されているが、もっと多くの単位下部構造が存在する可能性がある。単位下部構造４３及び４５には、それぞれ、Ａｌ含有量の多い通常の層（それぞれ、４７及び４９）と、Ａｌ含有量の少ない通常の層（それぞれ、５１及び５３）が含まれている。
【００４８】
通常の層の間及び／または通常の層とＶＣＳＥＬ空洞３９との間のインターフェイス層が、本発明の第２と第３の実施例を例示している。個々の例については、個別に論じることにする。
【００４９】
第２のクラスの実施例に従って、インターフェイス層５５は、ＶＣＳＥＬ空洞３９とＡｌ含有量の多い通常層４９との間に示されている。
【００５０】
第３クラスの実施例に従って、セクション５７及び５９からなるインターフェイス層が、Ａｌ含有量の多い通常の層４９とＡｌ含有量の少ない通常の層５３の間に示されている。以下の説明において、５７及び５９のような層は、互いに隣接する個別インターフェイス層、または、インターフェイス層全体のセクションと呼ぶことにする。どれがどちらの呼称になるかは、文脈から明らかになるであろう。
【００５１】
図示のように、インターフェイス層５５、５７、及び、５９は、通常の層５３及び４９よりも薄い。上述のように、５５、５７、及び、５９のようなインターフェイス層が相対的に薄いことは、望ましい特徴である。
【００５２】
また、インターフェイス層には、その相対的Ａｌ含有量を反映した説明もついている。Ａｌ含有量の説明は、直観的に分かる意味を有している。低Ａｌ（すなわち、Ａｌ含有量が最も少ない）から、準低Ａｌ、及び、準高Ａｌを経て、高Ａｌ（すなわち、Ａｌ含有量が最も多い）に至るものと理解されたい。
【００５３】
インターフェイス層の正確なＡｌ組成は、用途に応じて変動する可能性があるが、本発明の第２と第３のクラスの実施例の望ましい実施例では、そのＡｌ含有量が隣接するインターフェイス層または通常の層のＡｌ含有量との中間値である層を備えている。例えば、順次隣接層が、４９（高Ａｌ）から５９（準高Ａｌ）及び５７（準低Ａｌ）を経て５３（低Ａｌ）に及んでいる。
【００５４】
全体として捉えた図３の構造には、インターフェイス層が、ｐタイプＤＢＲ構造全体に組み込まれる望ましいやり方が示されている。すなわち、通常の層のそれぞれが、両側にインターフェイス層を備えている。
【００５５】
例えば、下部構造４５について詳細に検討することにする。インターフェイス層５５及び５９が、高Ａｌ通常層４９の両側において隣接している。インターフェイス層５５及び５９は、それぞれ、準高Ａｌ含有量であるため、Ａｌ含有量は、層境界を越える際、比較的緩やかに変化する。また、低Ａｌ通常層５３は、両側が、インターフェイス層５７及びインターフェイス層６１と隣接している。インターフェイス層５７及び６１は、準低Ａｌ含有量であり、従って、やはり、これらの層の境界を越えても、Ａｌ含有量は急激には変化しない。また、層５７から層５９への境界によって、Ａｌ含有量は準低から準高に変化するだけである。
【００５６】
インターフェイス層の協調ドーピングは、やはり、本発明に従って行われる。例えば、個々のインターフェイス層のＡｌ絶対含有量に従って、準低Ａｌ含有量インターフェイス層５７及び６１は、Ｍｇをドープすることが可能であり、一方、準高Ａｌ含有量インターフェイス層５５及び５９は、Ｃ、または、Ｃ＋Ｍｇをドープすることが可能である。
【００５７】
従って、本発明によれば、直列抵抗を最小にするためのドーピングを施されたＤＢＲ構造、及び、その製造にあたりバック・エッチの問題が回避される装置という、矛盾する要求が解決される。協調ドーピングを施されたＤＢＲを備えるＶＣＳＥＬは、直列抵抗が小さく、動作電圧が低く、ウェーハ全域にわたって比較的均一性に優れるものと予測される。
本発明の広汎な応用に鑑み、以下に本発明の実施態様の一端を例示して参考に供する。
【００５８】
（実施態様１）：
両側を備える活性層（２５）と、該活性層（２５）の一方の側に配置されて、（ｉ）第１の屈折率を備え、第１のドーパントを含む第１の半導体化合物から造られた第１の層（３３）、及び、（ｉｉ）第２の屈折率を備え、第２のドーパントを含む第２の半導体化合物から造られた第２の層（３５）を含む反射構造（２７）が含まれている半導体レーザ装置。
【００５９】
（実施態様２）：
第１と第２の反射構造（２７、２９）のそれぞれについて、
第１の層（３３）が、第１のＩＩＩ−Ｖ半導体化合物から造られ、
第２の層（３５）が、第２のＩＩＩ−Ｖ半導体化合物から造られていることを特徴とする、実施態様１に記載の半導体レーザ装置。
【００６０】
（実施態様３）：
第１のＩＩＩ−Ｖ半導体化合物（３３）が、第１のＡｌ組成のＡｌＧａＡｓであり、第２のＩＩＩ−Ｖ半導体化合物（３５）が、第１のＡｌ組成より低い第２のＡｌ組成のＡｌＧａＡｓであることを特徴とする実施態様２に記載の半導体レーザ装置。
【００６１】
（実施態様４）：
第１と第２の反射構造（２７、２９）のそれぞれについて、
第１の層（３３）に、（ｉ）炭素と、（ｉｉ）炭素及びマグネシウムからなるグループからの選択したドーパントがドープされ、
第２の層（３５）に、マグネシウムがドープされていることを特徴とする実施態様２に記載の半導体レーザ装置。
【００６２】
（実施態様５）：
第１と第２の反射構造（２７、２９）のそれぞれに、さらに、それぞれ、（ｉ）第１の屈折率を有し、第１のドーパントを含む第１の半導体化合物から造られた第３の層と、（ｉｉ）第２の屈折率を有し、第２のドーパントを含む第２の半導体化合物から造られた第４の層が含まれていることを特徴とする、実施態様１に記載の半導体レーザ装置。
【００６２】
（実施態様６）：
さらに、第１の層と第２の層の一方に隣接したインターフェイス層（５７、５９）が含まれていることを特徴とする、実施態様１に記載の半導体レーザ装置。
（実施態様７）：
インターフェイス層が、第１のセクション（５７）と第２のセクション（５９）を備えており、第１と第２のセクションの化学的構成が異なることを特徴とする、実施態様６に記載の半導体レーザ装置。
（実施態様８）：
第１と第２の層（３３、３５）の一方が、第１と第２のセクションを備えており、第１と第２のセクションの化学的構成が異なることを特徴とする、実施態様１に記載の半導体レーザ装置。
【００６３】
（実施態様９）：
さらに、活性層の（２５）の前記一方の側に対向する側に配置された第２の反射構造（２９）が含まれ、第２の反射構造（２９）に、（ｉ）第１の屈折率を有し、第１のドーパントを含む第１の半導体化合物から造られた第１の層と、（ｉｉ）第２の屈折率を有し、第２のドーパントを含む第２の化合物から造られた第２の層が含まれることを特徴とする、実施態様２に記載の半導体レーザ装置。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体レーザ装置の概略図である。
【図２】本発明の第１のクラスの実施例による半導体レーザ装置の概略図である。
【図３】本発明の第２、３のクラスの実施例による半導体レーザ装置の概略図である。
【符号の説明】
２５活性層
２７第１の反射構造
２９第２の反射構造
３３第１の層
３５第２の層
５７インターフェイス層
５９インターフェイス層

Claims

両側を備えている活性層と、
前記活性層の一方の側に配置されているｐタイプの第１の反射構造であって、この第１の反射構造が、第１の屈折率を備え、かつ第１のドーパントを含む第１のIII-V半導体化合物から造られている第１の層と、第２の屈折率を備え、かつ前記第１のドーパントとは異なる第２のドーパントを含む第２のIII-V半導体化合物から造られている第２の層とを含む第１の反射構造と、
前記活性層の一方の側に対向する側に配置されているｎタイプの第２の反射構造と
を有し、
前記第１のIII-V半導体化合物が、第１のAl組成を有するAlGaAsであり、前記第２のIII-V半導体化合物が、前記第１のAl組成より低い第２のAl組成を有するAlGaAsであり、
前記第１のドーパントが、(a)炭素、(b)炭素及びマグネシウムからなる群より選択され、前記第２のドーパントがマグネシウムである、半導体レーザ装置。
前記第１の反射構造が、さらに、（ｉ）前記第１の屈折率を備え、前記第１のドーパントを含む前記第１の半導体化合物から造られている第３の層と、（ii）前記第２の屈折率を備え、前記第２のドーパントを含む前記第２の半導体化合物から造られている第４の層をそれぞれ含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
さらに、前記第１の層及び第２の層の一方に隣接したインターフェイス層を含む、請求項１又は２に記載に半導体レーザ装置。
前記インターフェイス層が、第１のセクションと第２のセクションとからなり、該第１および第２のセクションの化学的構成が異なる、請求項３に記載の半導体レーザ装置。
前記第１および第２の層の一方が、第１のセクションおよび第２のセクションを備えており、該第１および第２のセクションの化学的構成が異なる、請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置。