JPH1051068A - 可視光放出ｖｃｓｅｌ用混成ミラー構造体 - Google Patents
可視光放出ｖｃｓｅｌ用混成ミラー構造体Info
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- JPH1051068A JPH1051068A JP9117552A JP11755297A JPH1051068A JP H1051068 A JPH1051068 A JP H1051068A JP 9117552 A JP9117552 A JP 9117552A JP 11755297 A JP11755297 A JP 11755297A JP H1051068 A JPH1051068 A JP H1051068A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造プロセスを簡略化し、コストを抑え、信
頼性向上を図ったＶＣＳＥＬおよびその製造方法を提供
する。 【解決手段】 可視光放出ＶＣＳＥＬ（１０１）用混成
ミラー構造は、基板（１０２）上に配置され、酸化アル
ミニウム物質を含む交互層（１１１，１１３）の第１対
（１０８）と、交互層（１１８，１１９）の第２対（１
１６）とを含む、第１分布ブラッグ反射器（１０６）を
含む。第１分布ブラッグ反射器上に第１クラッディング
領域（１２３）を配置し、その上に活性領域（１２６）
を配置し、その上に第２クラッディング領域（１２８）
を配置し、その上に第２分布ブラッグ反射器（１３１）
を配置する。第１分布ブラッグ反射器（１０６）におけ
る交互層の各対（１０８）は、酸化アルミニウムを含有
する層（１１１）を含む。酸化により、屈折率が約１．
３ないし１．７の範囲に低下する。
頼性向上を図ったＶＣＳＥＬおよびその製造方法を提供
する。 【解決手段】 可視光放出ＶＣＳＥＬ（１０１）用混成
ミラー構造は、基板（１０２）上に配置され、酸化アル
ミニウム物質を含む交互層（１１１，１１３）の第１対
（１０８）と、交互層（１１８，１１９）の第２対（１
１６）とを含む、第１分布ブラッグ反射器（１０６）を
含む。第１分布ブラッグ反射器上に第１クラッディング
領域（１２３）を配置し、その上に活性領域（１２６）
を配置し、その上に第２クラッディング領域（１２８）
を配置し、その上に第２分布ブラッグ反射器（１３１）
を配置する。第１分布ブラッグ反射器（１０６）におけ
る交互層の各対（１０８）は、酸化アルミニウムを含有
する層（１１１）を含む。酸化により、屈折率が約１．
３ないし１．７の範囲に低下する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に層状光学
素子(layered opticaldevice)に関し、更に特定すれば
半導体レーザに関するものである。
素子(layered opticaldevice)に関し、更に特定すれば
半導体レーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】目下のところ、従来のエッジ放出半導体
レーザ(edge emitting semiconductor laser)は、その
高い動作効率および変調能力のために、光学通信におい
て担う役割が増々重要になりつつある。しかしながら、
従来のエッジ放出半導体レーザには欠点即ち問題点もい
くつかあるために、用途にょってはこのエッジ放出素子
の使用が難しい場合もある。
レーザ(edge emitting semiconductor laser)は、その
高い動作効率および変調能力のために、光学通信におい
て担う役割が増々重要になりつつある。しかしながら、
従来のエッジ放出半導体レーザには欠点即ち問題点もい
くつかあるために、用途にょってはこのエッジ放出素子
の使用が難しい場合もある。
【０００３】一方、近年では垂直空洞面放出レーザ（Ｖ
ＣＳＥＬ）に対する関心が高まってきた。従来のＶＣＳ
ＥＬは、構造が平面状であること、ダイの表面に対して
垂直な光を放出すること、および二次元アレイ状に製造
可能なこと等、いくつかの利点を有する。しかしなが
ら、従来のＶＣＳＥＬにはいくつかの利点があるもの
の、従来のＶＣＳＥＬは、可視スペクトルに関しては、
主に分布ブラッグ反射器(distributed Braggreflector)
の反射率が低いことによるいくつかの欠点がある。これ
らの問題のために、可視スペクトル用ＶＣＳＥＬの生産
性が著しく低下する。
ＣＳＥＬ）に対する関心が高まってきた。従来のＶＣＳ
ＥＬは、構造が平面状であること、ダイの表面に対して
垂直な光を放出すること、および二次元アレイ状に製造
可能なこと等、いくつかの利点を有する。しかしなが
ら、従来のＶＣＳＥＬにはいくつかの利点があるもの
の、従来のＶＣＳＥＬは、可視スペクトルに関しては、
主に分布ブラッグ反射器(distributed Braggreflector)
の反射率が低いことによるいくつかの欠点がある。これ
らの問題のために、可視スペクトル用ＶＣＳＥＬの生産
性が著しく低下する。
【０００４】反射率の問題を解決するために取られた従
来の手法に、従来の分布ブラッグ反射器を構成する反射
素子、即ち、交互層(alternatinglayer)の数を増やすと
いうものがある。しかしながら、この場合、上述の手法
は、（反射率損失の増大および反射器の帯域の狭隘化に
より）反射率の問題を解決できず、逆に生産性，欠陥密
度，抵抗の増大等のような別のいくつかの問題が悪化し
てしまい、そのためにこの従来の手法はその問題に対す
る有効な解決策とはなっていない。
来の手法に、従来の分布ブラッグ反射器を構成する反射
素子、即ち、交互層(alternatinglayer)の数を増やすと
いうものがある。しかしながら、この場合、上述の手法
は、（反射率損失の増大および反射器の帯域の狭隘化に
より）反射率の問題を解決できず、逆に生産性，欠陥密
度，抵抗の増大等のような別のいくつかの問題が悪化し
てしまい、そのためにこの従来の手法はその問題に対す
る有効な解決策とはなっていない。
【０００５】例えば、ＶＣＳＥＬのブラッグ反射器の反
射率を高めるための試みにおいて、多くの追加交互層
（例えば、５０ないし２００の追加交互層）が堆積され
ている。しかしながら、交互層の数を増やすことによ
り、製造コストの増大を招く。より具体的に説明する
と、交互層の数を増やすと、交互層の欠陥密度の増大、
および層の製造に必要な時間量の増大が生ずる。また、
交互層の増大に伴って直列抵抗が増大し、潜在的に素子
の温度特性に影響を与える。したがって、従来のＶＣＳ
ＥＬに追加の層を付加すると、従来のＶＣＳＥＬの製造
コスト増大および製造されたＶＣＳＥＬの品質低下を招
く。その結果、このように製造された従来のＶＣＳＥＬ
は、この目的のための大量生産には全体として相応しく
ないものとなる。
射率を高めるための試みにおいて、多くの追加交互層
（例えば、５０ないし２００の追加交互層）が堆積され
ている。しかしながら、交互層の数を増やすことによ
り、製造コストの増大を招く。より具体的に説明する
と、交互層の数を増やすと、交互層の欠陥密度の増大、
および層の製造に必要な時間量の増大が生ずる。また、
交互層の増大に伴って直列抵抗が増大し、潜在的に素子
の温度特性に影響を与える。したがって、従来のＶＣＳ
ＥＬに追加の層を付加すると、従来のＶＣＳＥＬの製造
コスト増大および製造されたＶＣＳＥＬの品質低下を招
く。その結果、このように製造された従来のＶＣＳＥＬ
は、この目的のための大量生産には全体として相応しく
ないものとなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のエッジ放出半導
体レーザおよび従来の垂直空洞面放出レーザには、いく
つかの欠点および問題点があるので、大量生産に適した
用途にはそれらを用いることができないことは容易にわ
かるであろう。したがって、製造プロセスを簡略化し、
コストを抑え、信頼性向上を図ったＶＣＳＥＬおよびそ
の製造方法が高く望まれている。
体レーザおよび従来の垂直空洞面放出レーザには、いく
つかの欠点および問題点があるので、大量生産に適した
用途にはそれらを用いることができないことは容易にわ
かるであろう。したがって、製造プロセスを簡略化し、
コストを抑え、信頼性向上を図ったＶＣＳＥＬおよびそ
の製造方法が高く望まれている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、可視光放出Ｖ
ＣＳＥＬ用混成ミラー構造を提供する。この混成ミラー
構造は、基板上に配置され、酸化アルミニウム物質を含
む交互層の第１対と、交互層の第２対とを含む、第１分
布ブラッグ反射器を含む。第１分布ブラッグ反射器上に
第１クラッディング領域を配置し、第１クラッディング
領域上に活性領域を配置し、活性領域上に第２クラッデ
ィング領域を配置し、第２クラッディング領域上に第２
分布ブラッグ反射器を配置する。第１分布ブラッグ反射
器において、交互層の各対は、酸化アルミニウムを含有
する層を含む。酸化により、屈折率が約１．３ないし
１．７の範囲に低下する。
ＣＳＥＬ用混成ミラー構造を提供する。この混成ミラー
構造は、基板上に配置され、酸化アルミニウム物質を含
む交互層の第１対と、交互層の第２対とを含む、第１分
布ブラッグ反射器を含む。第１分布ブラッグ反射器上に
第１クラッディング領域を配置し、第１クラッディング
領域上に活性領域を配置し、活性領域上に第２クラッデ
ィング領域を配置し、第２クラッディング領域上に第２
分布ブラッグ反射器を配置する。第１分布ブラッグ反射
器において、交互層の各対は、酸化アルミニウムを含有
する層を含む。酸化により、屈折率が約１．３ないし
１．７の範囲に低下する。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は、基板１０２上に形成され
た垂直空洞面放出レーザ（ＶＣＳＥＬ）１０１を簡略化
しかつ拡大して示す。基板１０２は表面１０３，１０４
を有し、光１２０がＶＣＳＥＬ１０１から放出される。
図１は単一のＶＣＳＥＬ１０１のみを示すが、ＶＣＳＥ
Ｌ１０１は、基板１０２上に配置されアレイを形成する
多くのＶＣＳＥＬを代表する場合もあることは理解され
よう。全体として、ＶＣＳＥＬ１０１は、層１１１，１
１３によって例示した複数の交互層１０８を有する分布
ブラッグ反射器１０６，層１１８，１１９によって例示
した複数の交互層１１６，クラッディング領域１２８，
活性領域１２６，クラッディング領域１２８，層１３
３，１３５によって例示した複数の交互層１３１を有す
る分布ブラッグ反射器１３０，および接点領域１４０の
ような、いくつかの規定された範囲または領域で構成さ
れている。
た垂直空洞面放出レーザ（ＶＣＳＥＬ）１０１を簡略化
しかつ拡大して示す。基板１０２は表面１０３，１０４
を有し、光１２０がＶＣＳＥＬ１０１から放出される。
図１は単一のＶＣＳＥＬ１０１のみを示すが、ＶＣＳＥ
Ｌ１０１は、基板１０２上に配置されアレイを形成する
多くのＶＣＳＥＬを代表する場合もあることは理解され
よう。全体として、ＶＣＳＥＬ１０１は、層１１１，１
１３によって例示した複数の交互層１０８を有する分布
ブラッグ反射器１０６，層１１８，１１９によって例示
した複数の交互層１１６，クラッディング領域１２８，
活性領域１２６，クラッディング領域１２８，層１３
３，１３５によって例示した複数の交互層１３１を有す
る分布ブラッグ反射器１３０，および接点領域１４０の
ような、いくつかの規定された範囲または領域で構成さ
れている。
【０００９】本例では、基板１０２は、ガリウム砒素，
シリコン等のようないずれかの適した物質で作られてい
る。典型的に、基板１０２はガリウム砒素で作られ、後
にＶＣＳＥＬ１０１を構成する多数の層をエピタキシャ
ル成長させる際の便宜を図っている。
シリコン等のようないずれかの適した物質で作られてい
る。典型的に、基板１０２はガリウム砒素で作られ、後
にＶＣＳＥＬ１０１を構成する多数の層をエピタキシャ
ル成長させる際の便宜を図っている。
【００１０】典型的に、分子ビーム・エピタキシ（ＭＢ
Ｅ:molecular beamepitaxy），金属有機化学蒸着（ＭＯ
ＣＶＤ:metal organic chemical vapor deposition）等
のような適切なエピタキシャル堆積方法のいずれかを用
いて、複数の交互層１０８および複数の交互層１１６を
有するブラッグ反射器１０６，クラッディング領域１２
３，活性領域１２６，クラッディング領域１２８，分布
ブラッグ反射器１３０，ならびにＶＣＳＥＬ１０１用接
点領域１４０のような、必要な多数の層状構造を堆積す
る。また、これらの層の多くは、リン化インディウム・
アルミニウム・ガリウム，砒化アルミニウム，ガリウム
砒素，砒化アルミニウム・ガリウム，リン化アルミニウ
ム・ガリウム，リン化インディウム・アルミニウム等の
ような化合物半導体物質で作られることは理解されよ
う。更に、エピタキシャル堆積は、ＶＣＳＥＬ１０１を
構成する多数の層を生成するために広く用いられている
ことも理解されよう。
Ｅ:molecular beamepitaxy），金属有機化学蒸着（ＭＯ
ＣＶＤ:metal organic chemical vapor deposition）等
のような適切なエピタキシャル堆積方法のいずれかを用
いて、複数の交互層１０８および複数の交互層１１６を
有するブラッグ反射器１０６，クラッディング領域１２
３，活性領域１２６，クラッディング領域１２８，分布
ブラッグ反射器１３０，ならびにＶＣＳＥＬ１０１用接
点領域１４０のような、必要な多数の層状構造を堆積す
る。また、これらの層の多くは、リン化インディウム・
アルミニウム・ガリウム，砒化アルミニウム，ガリウム
砒素，砒化アルミニウム・ガリウム，リン化アルミニウ
ム・ガリウム，リン化インディウム・アルミニウム等の
ような化合物半導体物質で作られることは理解されよ
う。更に、エピタキシャル堆積は、ＶＣＳＥＬ１０１を
構成する多数の層を生成するために広く用いられている
ことも理解されよう。
【００１１】通常、複数の交互層１０６，複数の交互層
１３０，クラッディング領域１２３，クラッディング領
域１２８，活性領域１２６，および接点領域１４０の厚
さは、ＶＣＳＥＬ１０１によって放出される光１２０の
波長の部分として設けられる。例えば、６７０ナノメー
トルの光１２０を放出するように設計されたＶＣＳＥＬ
１０１では、各交互層１３３，１３５の光学的厚さは１
６７．５ナノメートルに設定することにより、各交互層
１３３，１３５の厚さを、ＶＣＳＥＬ１０１から放出さ
れる光１２０の波長の１／４とする。複数の交互層１１
６は、下側のブラッグ反射器の標準的な部分を形成す
る。複数の交互層１０８は、下側ブラッグ反射器の付加
部分を形成する。交互層１０８の各セグメント（対）に
おける一方の層は、選択的に酸化されている（後に説明
する）。酸化層の厚さは、酸化後に波長の１／４となる
ように選択される。加えて、他の厚さ即ち波長の部分に
は、１／２，３／４，またはその倍数のいずれかが使用
可能であることは理解されよう。
１３０，クラッディング領域１２３，クラッディング領
域１２８，活性領域１２６，および接点領域１４０の厚
さは、ＶＣＳＥＬ１０１によって放出される光１２０の
波長の部分として設けられる。例えば、６７０ナノメー
トルの光１２０を放出するように設計されたＶＣＳＥＬ
１０１では、各交互層１３３，１３５の光学的厚さは１
６７．５ナノメートルに設定することにより、各交互層
１３３，１３５の厚さを、ＶＣＳＥＬ１０１から放出さ
れる光１２０の波長の１／４とする。複数の交互層１１
６は、下側のブラッグ反射器の標準的な部分を形成す
る。複数の交互層１０８は、下側ブラッグ反射器の付加
部分を形成する。交互層１０８の各セグメント（対）に
おける一方の層は、選択的に酸化されている（後に説明
する）。酸化層の厚さは、酸化後に波長の１／４となる
ように選択される。加えて、他の厚さ即ち波長の部分に
は、１／２，３／４，またはその倍数のいずれかが使用
可能であることは理解されよう。
【００１２】ＶＣＳＥＬ１０１のドーピングを行うに
は、例えば、ｎ−型ドーパントおよびｐ−型ドーパント
のようなドーパント物質を、エピタキシャル堆積に用い
るエピタキシャル物質に添加し、エピタキシャル的に堆
積される物質をドープする。多くの異なるドーパント濃
度，特定のドーパント物質，およびドーパント物質の配
置が使用可能であるが、通常、分布ブラッグ反射器１０
６の交互層１１６には、セレニウム，シリコン等を、１
Ｅ１５ないし１Ｅ２０ｃｍ-3の濃度範囲でドープする。
濃度範囲は、１Ｅ１７ないし１Ｅ１９ｃｍ-3が好まし
く、５Ｅ１７ないし１Ｅ１８ｃｍ-3を基準範囲とする。
これに対して、分布ブラッグ反射器１３０には、炭素，
亜鉛等のｐ−型ドーパントを、１Ｅ１５ないし１Ｅ２０
ｃｍ-3の濃度範囲でドープする。濃度範囲は、１Ｅ１７
ないし１Ｅ１９ｃｍ-3が好ましく、１Ｅ１８ないし５Ｅ
１８ｃｍ-3を基準範囲とする。
は、例えば、ｎ−型ドーパントおよびｐ−型ドーパント
のようなドーパント物質を、エピタキシャル堆積に用い
るエピタキシャル物質に添加し、エピタキシャル的に堆
積される物質をドープする。多くの異なるドーパント濃
度，特定のドーパント物質，およびドーパント物質の配
置が使用可能であるが、通常、分布ブラッグ反射器１０
６の交互層１１６には、セレニウム，シリコン等を、１
Ｅ１５ないし１Ｅ２０ｃｍ-3の濃度範囲でドープする。
濃度範囲は、１Ｅ１７ないし１Ｅ１９ｃｍ-3が好まし
く、５Ｅ１７ないし１Ｅ１８ｃｍ-3を基準範囲とする。
これに対して、分布ブラッグ反射器１３０には、炭素，
亜鉛等のｐ−型ドーパントを、１Ｅ１５ないし１Ｅ２０
ｃｍ-3の濃度範囲でドープする。濃度範囲は、１Ｅ１７
ないし１Ｅ１９ｃｍ-3が好ましく、１Ｅ１８ないし５Ｅ
１８ｃｍ-3を基準範囲とする。
【００１３】分布ブラッグ反射器１０６は、複数の交互
層１０８および複数の交互層１１６によって作られてい
る。先に述べたように、複数の交互層１０８は、処理の
間に酸化され、反射率の高い部分的なミラーを形成す
る。複数の交互層１０８は、更に、層１１１で例示した
１層以上の砒化アルミニウム層，および層１１３で例示
した１層以上の砒化アルミニウム・ガリウム層も含む。
一例として、基板がガリウム砒素である場合、砒化アル
ミニウム（例えば、ＡｌＡｓ）層１１１を基板１０２の
表面１０４上にエピタキシャル的に堆積し、続いて層１
１１上に砒化アルミニウム・ガリウム（例えば、Ａｌ．
5Gａ． 5Ａｓ）層１１３をエピタキシャル的に堆積する
ことによって、ミラー対即ち１対の反射器（例えば、Ａ
ｌＡｓ／Ａｌ．5Gａ． 5Ａｓ）を形成する。追加のミラ
ー対が必要な場合、既存の層１１１，１１３上に、更に
幾層かの追加ミラー対を堆積する。
層１０８および複数の交互層１１６によって作られてい
る。先に述べたように、複数の交互層１０８は、処理の
間に酸化され、反射率の高い部分的なミラーを形成す
る。複数の交互層１０８は、更に、層１１１で例示した
１層以上の砒化アルミニウム層，および層１１３で例示
した１層以上の砒化アルミニウム・ガリウム層も含む。
一例として、基板がガリウム砒素である場合、砒化アル
ミニウム（例えば、ＡｌＡｓ）層１１１を基板１０２の
表面１０４上にエピタキシャル的に堆積し、続いて層１
１１上に砒化アルミニウム・ガリウム（例えば、Ａｌ．
5Gａ． 5Ａｓ）層１１３をエピタキシャル的に堆積する
ことによって、ミラー対即ち１対の反射器（例えば、Ａ
ｌＡｓ／Ａｌ．5Gａ． 5Ａｓ）を形成する。追加のミラ
ー対が必要な場合、既存の層１１１，１１３上に、更に
幾層かの追加ミラー対を堆積する。
【００１４】通常、複数の交互層１０８は１対ないし２
０対のミラーを有することができ、好ましい対の数は３
対ないし１０対の間であり、４ないし６対を基準の対数
とする。加えて、本出願人は、一旦製造連続工程におい
て酸化が生じれば、５つの同一対の砒化アルミニウムお
よび砒化アルミニウム・ガリウムが、可視光スペクトル
において動作するＶＣＳＥＬ１０１に対して、適切な反
射率特性を与えるものと考える。しかしながら、交互層
１１１，１１３の数は、特定の用途に対して調節可能で
あることは理解されよう。また、層１１４は砒化アルミ
ニウムで作られており、交互層１０８の最上層を形成す
ることを注記しておく。更に、上述の例では特定元素の
組成百分率を示したが、これは一例としてのみ解釈すべ
きであり、これらの例からも大きく変化する可能性があ
り、それも本発明の一部であることも理解されよう。
０対のミラーを有することができ、好ましい対の数は３
対ないし１０対の間であり、４ないし６対を基準の対数
とする。加えて、本出願人は、一旦製造連続工程におい
て酸化が生じれば、５つの同一対の砒化アルミニウムお
よび砒化アルミニウム・ガリウムが、可視光スペクトル
において動作するＶＣＳＥＬ１０１に対して、適切な反
射率特性を与えるものと考える。しかしながら、交互層
１１１，１１３の数は、特定の用途に対して調節可能で
あることは理解されよう。また、層１１４は砒化アルミ
ニウムで作られており、交互層１０８の最上層を形成す
ることを注記しておく。更に、上述の例では特定元素の
組成百分率を示したが、これは一例としてのみ解釈すべ
きであり、これらの例からも大きく変化する可能性があ
り、それも本発明の一部であることも理解されよう。
【００１５】例えば、分布ブラッグ反射器１０６のため
の物質構造として砒化アルミニウムおよび砒化アルミニ
ウム・ガリウム（ＡｌＡｓ／Ａｌ．5Gａ． 5Ａｓ）を選
択することによって、砒化アルミニウム・ガリウムのア
ルミニウムおよびガリウムは変化する可能性がある。通
常、砒化アルミニウム・ガリウムのアルミニウムは０パ
ーセントないし１００パーセントの範囲とすることがで
き、好適な範囲は、Ａｌ．5 Ｇａ．5 Ａｓにおいて４６
パーセントないし５４パーセントである。一旦複数の交
互層１０８を基板１０２上に堆積したなら、複数の交互
層１１６を複数の交互層１０８の上にエピタキシャル的
に堆積する。通常、複数の交互層１１６は、更に、層１
１８として例示する、１層以上のリン化インディウム・
アルミニウム・ガリウム層，および層１１９として例示
する、１層以上のリン化インディウム・アルミニウム層
を含む。一例として、基板１０２がガリウム砒素であ
り、複数の交互層１０６が砒化アルミニウムおよび砒化
アルミニウム・ガリウム（例えば、ＡｌＡｓ／Ａｌ．5G
ａ． 5Ａｓ）である場合、リン化インディウム・アルミ
ニウム・ガリウム（例えばＩｎ．49Ａｌ．1 Ｇａ．
41Ｐ）を層１１４上に堆積し、リン化インディウム・ア
ルミニウム（例えば、Ｉｎ．49Ａｌ．51Ｐ）をリン化イ
ンディウム・アルミニウム・ガリウム層１１８上に堆積
することによって、別のミラー対を作成する。通常、複
数の交互層１１６は、１対ないし２０対のミラー対の範
囲とすることができ、好適な対数は３ないし１０であ
り、４ないし６を基準の対数とする。５つの同一対の砒
化インディウム・アルミニウム・ガリウムおよびリン化
インディウム・アルミニウムを、複数の交互層１０８と
共に用いることによって、可視光スペクトルにおいて動
作するＶＣＳＥＬ１０１に対して適切な反射率特性を与
えることができると考えられる。分布ブラッグ反射器１
０６の反射率を高めることに加えて、交互層１１６は、
ＶＣＳＥＬ１０１のためにＮ−金属接点を与え、転移等
の活性領域１２６への移動防止に役立つインディウムを
含むことにより、ＶＣＳＥＬ１０１の信頼性が向上す
る。しかしながら、交互層１１８，１１９の数は、特定
用途に対して調節可能であることは理解されよう。
の物質構造として砒化アルミニウムおよび砒化アルミニ
ウム・ガリウム（ＡｌＡｓ／Ａｌ．5Gａ． 5Ａｓ）を選
択することによって、砒化アルミニウム・ガリウムのア
ルミニウムおよびガリウムは変化する可能性がある。通
常、砒化アルミニウム・ガリウムのアルミニウムは０パ
ーセントないし１００パーセントの範囲とすることがで
き、好適な範囲は、Ａｌ．5 Ｇａ．5 Ａｓにおいて４６
パーセントないし５４パーセントである。一旦複数の交
互層１０８を基板１０２上に堆積したなら、複数の交互
層１１６を複数の交互層１０８の上にエピタキシャル的
に堆積する。通常、複数の交互層１１６は、更に、層１
１８として例示する、１層以上のリン化インディウム・
アルミニウム・ガリウム層，および層１１９として例示
する、１層以上のリン化インディウム・アルミニウム層
を含む。一例として、基板１０２がガリウム砒素であ
り、複数の交互層１０６が砒化アルミニウムおよび砒化
アルミニウム・ガリウム（例えば、ＡｌＡｓ／Ａｌ．5G
ａ． 5Ａｓ）である場合、リン化インディウム・アルミ
ニウム・ガリウム（例えばＩｎ．49Ａｌ．1 Ｇａ．
41Ｐ）を層１１４上に堆積し、リン化インディウム・ア
ルミニウム（例えば、Ｉｎ．49Ａｌ．51Ｐ）をリン化イ
ンディウム・アルミニウム・ガリウム層１１８上に堆積
することによって、別のミラー対を作成する。通常、複
数の交互層１１６は、１対ないし２０対のミラー対の範
囲とすることができ、好適な対数は３ないし１０であ
り、４ないし６を基準の対数とする。５つの同一対の砒
化インディウム・アルミニウム・ガリウムおよびリン化
インディウム・アルミニウムを、複数の交互層１０８と
共に用いることによって、可視光スペクトルにおいて動
作するＶＣＳＥＬ１０１に対して適切な反射率特性を与
えることができると考えられる。分布ブラッグ反射器１
０６の反射率を高めることに加えて、交互層１１６は、
ＶＣＳＥＬ１０１のためにＮ−金属接点を与え、転移等
の活性領域１２６への移動防止に役立つインディウムを
含むことにより、ＶＣＳＥＬ１０１の信頼性が向上す
る。しかしながら、交互層１１８，１１９の数は、特定
用途に対して調節可能であることは理解されよう。
【００１６】更に、特定元素の組成百分率を与えた例で
は、それは一例としてのみ解釈すべきことも理解されよ
う。更に、これらの例からも大きく変化する可能性があ
り、それも本発明の一部であることも理解されよう。
は、それは一例としてのみ解釈すべきことも理解されよ
う。更に、これらの例からも大きく変化する可能性があ
り、それも本発明の一部であることも理解されよう。
【００１７】例えば、インディウムの組成百分率を４６
パーセントないし５４パーセントとすることにより、リ
ン化インディウム・アルミニウム・ガリウムからの反射
能(reflectivity)が達成可能である。インディウムの組
成百分率を変化させることによって、ガリウムの組成百
分率にも対応する変化が生じる。加えて、アルミニウム
の濃度百分率は１パーセントないし２０パーセントの範
囲を取ることができ、基準範囲は７パーセントないし１
４パーセントである。尚、アルミニウムの組成百分率
は、ガリウムの濃度百分率を低下させることによって、
均衡の取れた組成が得られることを指摘しておく。
パーセントないし５４パーセントとすることにより、リ
ン化インディウム・アルミニウム・ガリウムからの反射
能(reflectivity)が達成可能である。インディウムの組
成百分率を変化させることによって、ガリウムの組成百
分率にも対応する変化が生じる。加えて、アルミニウム
の濃度百分率は１パーセントないし２０パーセントの範
囲を取ることができ、基準範囲は７パーセントないし１
４パーセントである。尚、アルミニウムの組成百分率
は、ガリウムの濃度百分率を低下させることによって、
均衡の取れた組成が得られることを指摘しておく。
【００１８】簡略化のため、そして図の過密を防止する
ために、クラッディング層１２３，１２８は各々単一層
として示されているが、各クラッディング層１２３，１
２８は、先に形成された層（例えば、分散型ブラッグ反
射器１０６および活性領域１２６）上にエピタキシャル
成長によって配置または堆積された１つ以上の層で形成
することができ、クラッディング層１２３，１２８は、
エピタキシャル的に堆積された非ドープ・リン化インデ
ィウム・アルミニウム・ガリウムのような、いずれかの
適切なドープまたは非ドープ物質で作られていることは
理解されよう。また、活性層１２６は、クラッディング
領域１２３上にエピタキシャル的に堆積または配置され
た単一層によって表わされているが、活性層１２６は１
つ以上の量子井戸等を含み得ることも理解されよう。
ために、クラッディング層１２３，１２８は各々単一層
として示されているが、各クラッディング層１２３，１
２８は、先に形成された層（例えば、分散型ブラッグ反
射器１０６および活性領域１２６）上にエピタキシャル
成長によって配置または堆積された１つ以上の層で形成
することができ、クラッディング層１２３，１２８は、
エピタキシャル的に堆積された非ドープ・リン化インデ
ィウム・アルミニウム・ガリウムのような、いずれかの
適切なドープまたは非ドープ物質で作られていることは
理解されよう。また、活性層１２６は、クラッディング
領域１２３上にエピタキシャル的に堆積または配置され
た単一層によって表わされているが、活性層１２６は１
つ以上の量子井戸等を含み得ることも理解されよう。
【００１９】分布ブラッグ反射器１３０は複数の交互層
１３１で作られている。複数の交互層１３０は、更に、
層１３３で例示した１層以上の砒化アルミニウム層，お
よび層１３５で例示した１層以上の砒化アルミニウム・
ガリウム層も含む。一例として、砒化アルミニウム（例
えば、ＡｌＡｓ）層をクラッディング領域１２８上にエ
ピタキシャル的に堆積し、続いて砒化アルミニウム層上
に砒化アルミニウム・ガリウム（例えば、Ａｌ．5Gａ．
5Ａｓ）層をエピタキシャル的に堆積することによっ
て、他のミラー対即ち他の１対の反射器（例えば、Ａｌ
Ａｓ／Ａｌ．5 Ｇａ．5 Ａｓ）を形成する。追加のミラ
ー対が必要な場合、既存の砒化アルミニウムおよび砒化
アルミニウム・ガリウム層の上に、更に幾層かの追加ミ
ラー対を堆積する。
１３１で作られている。複数の交互層１３０は、更に、
層１３３で例示した１層以上の砒化アルミニウム層，お
よび層１３５で例示した１層以上の砒化アルミニウム・
ガリウム層も含む。一例として、砒化アルミニウム（例
えば、ＡｌＡｓ）層をクラッディング領域１２８上にエ
ピタキシャル的に堆積し、続いて砒化アルミニウム層上
に砒化アルミニウム・ガリウム（例えば、Ａｌ．5Gａ．
5Ａｓ）層をエピタキシャル的に堆積することによっ
て、他のミラー対即ち他の１対の反射器（例えば、Ａｌ
Ａｓ／Ａｌ．5 Ｇａ．5 Ａｓ）を形成する。追加のミラ
ー対が必要な場合、既存の砒化アルミニウムおよび砒化
アルミニウム・ガリウム層の上に、更に幾層かの追加ミ
ラー対を堆積する。
【００２０】通常、複数の交互層１３０は、１対ないし
５０対のミラーを有することができ、好ましい対の数は
１０対ないし４０対の間であり、３０ないし３０対のミ
ラー対を基準のミラー対とし、最適な数は２８のミラー
対である。しかしながら、ミラー対の数は、特定の用途
に対して調節可能であることは理解されよう。
５０対のミラーを有することができ、好ましい対の数は
１０対ないし４０対の間であり、３０ないし３０対のミ
ラー対を基準のミラー対とし、最適な数は２８のミラー
対である。しかしながら、ミラー対の数は、特定の用途
に対して調節可能であることは理解されよう。
【００２１】分布ブラッグ反射器１３０の上面上に、高
濃度にドープされた接点層１４０を形成し、酸化インデ
ィウム錫，金，プラチナ等のようないずれかの適切な導
電性物質を配置することによって、層１４０上に電気接
点（図示せず）を形成する。尚、どの物質を選択するか
によって、接点層１４０および電気接点を形成するため
に行う、その特定物質の配置およびパターニングが変わ
ることは理解されよう。
濃度にドープされた接点層１４０を形成し、酸化インデ
ィウム錫，金，プラチナ等のようないずれかの適切な導
電性物質を配置することによって、層１４０上に電気接
点（図示せず）を形成する。尚、どの物質を選択するか
によって、接点層１４０および電気接点を形成するため
に行う、その特定物質の配置およびパターニングが変わ
ることは理解されよう。
【００２２】次に図２および図３に移る。ＶＣＳＥＬ１
０１の製造の具体的なプロセスにおける工程を示す。
尚、他の方法も利用可能であり、これより説明する過程
は、単に例示および説明の目的のために過ぎないことは
勿論理解されよう。図２および図３における構造の素子
は、図１に関連付けて既に例示し説明した素子と同様で
あり、同一番号で示してある。
０１の製造の具体的なプロセスにおける工程を示す。
尚、他の方法も利用可能であり、これより説明する過程
は、単に例示および説明の目的のために過ぎないことは
勿論理解されよう。図２および図３における構造の素子
は、図１に関連付けて既に例示し説明した素子と同様で
あり、同一番号で示してある。
【００２３】具体的に図２を参照すると、基板１０２に
は、分布ブラッグ反射器１０６がその上に堆積されてい
る様子が示されている。既に述べたように、分布ブラッ
グ反射器１０６の上面に、クラッディング領域１２３，
活性領域１２６およびクラッディング領域１２８を堆積
する。ここで注記すべきは、クラッディング領域１２
３，活性領域１２６，クラッディング領域１２８および
分布ブラッグ反射器１３０にエッチングを行ってＶＣＳ
ＥＬ１０１を規定するが、直径は未だ動作空洞領域より
もかなり大きいので、活性領域１２６はこのエッチング
工程による損傷を受けないことである。
は、分布ブラッグ反射器１０６がその上に堆積されてい
る様子が示されている。既に述べたように、分布ブラッ
グ反射器１０６の上面に、クラッディング領域１２３，
活性領域１２６およびクラッディング領域１２８を堆積
する。ここで注記すべきは、クラッディング領域１２
３，活性領域１２６，クラッディング領域１２８および
分布ブラッグ反射器１３０にエッチングを行ってＶＣＳ
ＥＬ１０１を規定するが、直径は未だ動作空洞領域より
もかなり大きいので、活性領域１２６はこのエッチング
工程による損傷を受けないことである。
【００２４】一旦上述のエッチング工程が完了したな
ら、構造全体にマスキング層１５０を堆積する。マスキ
ング層１５０は、例えば、フォトレジスト，酸化物，窒
化物等、後続のエッチング工程および酸化工程に対して
十分な抵抗力のあるいずれかの物質とすることができ
る。次に、マスキング層１５０にエッチングを行い、言
い換えれば、マスキング層１５０を除去することによっ
て、分布ブラッグ反射器１０６に直径即ち横方向の範囲
を規定する。続いて、基板１０２にエッチングを行っ
て、分布ブラッグ反射器１０６のエッジを露出させる。
分布ブラッグ反射器１０６の直径は、クラッディング領
域１２３，活性領域１２６，クラッディング領域１２８
および分布ブラッグ反射器１３０の直径よりも、マスキ
ング層１５０の厚さだけ大きい。
ら、構造全体にマスキング層１５０を堆積する。マスキ
ング層１５０は、例えば、フォトレジスト，酸化物，窒
化物等、後続のエッチング工程および酸化工程に対して
十分な抵抗力のあるいずれかの物質とすることができ
る。次に、マスキング層１５０にエッチングを行い、言
い換えれば、マスキング層１５０を除去することによっ
て、分布ブラッグ反射器１０６に直径即ち横方向の範囲
を規定する。続いて、基板１０２にエッチングを行っ
て、分布ブラッグ反射器１０６のエッジを露出させる。
分布ブラッグ反射器１０６の直径は、クラッディング領
域１２３，活性領域１２６，クラッディング領域１２８
および分布ブラッグ反射器１３０の直径よりも、マスキ
ング層１５０の厚さだけ大きい。
【００２５】上述のエッチング工程によって分布ブラッ
グ反射器１０６のエッジを露出させた後、エッチングさ
れたウエハを酸化環境に晒し、ＶＣＳＥＬ１０１の分布
ブラッグ反射器１０６の交互層１０８内にあるアルミニ
ウムを酸化させる。スタック１０８は、アルミニウム含
有量が多いため、特に酸化する度合いが大きい。また、
ＡｌＡｓの酸化速度はＡｌＧａＡｓのそれよりも大幅に
速い。また、マスキング層１５０が分布ブラッグ反射器
１３０のＡｌＡｓ層を全て保護しているので、交互層１
０８内のＡｌＡｓ層のみが酸化する。ＶＣＳＥＬ１０１
におけるアルミニウムの酸化は、蒸気による酸化，高圧
酸化等のような、いずれかの適切な方法によって行う。
プロセス・パラメータはシステムによって特定されて、
システムによって広い範囲を取る可能性があることを注
記しておく。例えば、１００℃ないし７００℃の温度範
囲、および０．０１気圧ないし１０気圧のの圧力範囲で
酸化が可能である。分布ブラッグ反射器１０６内の砒化
アルミニウム層１１１はほぼ完全に酸化されるので、そ
れらの屈折率は約２．９から１．３ないし１．７の範囲
まで低下する。基準としては１．５５である。
グ反射器１０６のエッジを露出させた後、エッチングさ
れたウエハを酸化環境に晒し、ＶＣＳＥＬ１０１の分布
ブラッグ反射器１０６の交互層１０８内にあるアルミニ
ウムを酸化させる。スタック１０８は、アルミニウム含
有量が多いため、特に酸化する度合いが大きい。また、
ＡｌＡｓの酸化速度はＡｌＧａＡｓのそれよりも大幅に
速い。また、マスキング層１５０が分布ブラッグ反射器
１３０のＡｌＡｓ層を全て保護しているので、交互層１
０８内のＡｌＡｓ層のみが酸化する。ＶＣＳＥＬ１０１
におけるアルミニウムの酸化は、蒸気による酸化，高圧
酸化等のような、いずれかの適切な方法によって行う。
プロセス・パラメータはシステムによって特定されて、
システムによって広い範囲を取る可能性があることを注
記しておく。例えば、１００℃ないし７００℃の温度範
囲、および０．０１気圧ないし１０気圧のの圧力範囲で
酸化が可能である。分布ブラッグ反射器１０６内の砒化
アルミニウム層１１１はほぼ完全に酸化されるので、そ
れらの屈折率は約２．９から１．３ないし１．７の範囲
まで低下する。基準としては１．５５である。
【００２６】一旦層１１１の酸化が完了したなら、マス
キング層１５０を除去し、分布ブラッグ反射器１３０に
エッチングを行い、図３に示すような、メサまたはリッ
ジＶＣＳＥＬ（１０１）を形成する。この過程の典型例
が、１９９３年１１月２日に特許され、本願と同一譲受
人に譲渡された、"Patterned Mirror Vertical Cavity
Surface Emitting Laser"と題する、米国特許番号第
５，２５８，３１６号に記載されている。図３の構造に
は、図１に示した図３の部分を規定するために、破線１
５１が含まれている。尚、用途によっては、図１に示す
構造が構造全体となったり、他の製造方法が利用可能な
場合もあることは、当業者には勿論理解されよう。エッ
チングによるメサの規定が完了したなら、誘電体層１５
２および電気接点層１５５を被着して、ＶＣＳＥＬ１０
１を完成させる。この具体的な実施例では、ＶＣＳＥＬ
１０１は上側の放出レーザであるので、電気接点層１５
５は、放出ウインドウ即ち貫通するアパーチャを規定す
るように形成される。しかしながら、他の多くのタイプ
の電気接点も利用可能であり、本構造は、説明の目的の
ために示したに過ぎない。
キング層１５０を除去し、分布ブラッグ反射器１３０に
エッチングを行い、図３に示すような、メサまたはリッ
ジＶＣＳＥＬ（１０１）を形成する。この過程の典型例
が、１９９３年１１月２日に特許され、本願と同一譲受
人に譲渡された、"Patterned Mirror Vertical Cavity
Surface Emitting Laser"と題する、米国特許番号第
５，２５８，３１６号に記載されている。図３の構造に
は、図１に示した図３の部分を規定するために、破線１
５１が含まれている。尚、用途によっては、図１に示す
構造が構造全体となったり、他の製造方法が利用可能な
場合もあることは、当業者には勿論理解されよう。エッ
チングによるメサの規定が完了したなら、誘電体層１５
２および電気接点層１５５を被着して、ＶＣＳＥＬ１０
１を完成させる。この具体的な実施例では、ＶＣＳＥＬ
１０１は上側の放出レーザであるので、電気接点層１５
５は、放出ウインドウ即ち貫通するアパーチャを規定す
るように形成される。しかしながら、他の多くのタイプ
の電気接点も利用可能であり、本構造は、説明の目的の
ために示したに過ぎない。
【００２７】具体的に図４を参照すると、ＶＣＳＥＬ１
０１の部分について、反射率対波長の関係を示す簡略化
グラフが示されている。図示の反射率曲線２０１は、部
分２０２，２０３，２０４を有し、基板１０２がガリウ
ム砒素で作られ、ＡｌＡｓ（酸化）／Ａｌ0.5Gａ 0.5Ａ
ｓで作られた複数の交互層１０８の５つの同一対(five
mirrored pairs)，および（Ｉｎ．49Ａｌ．1 Ｇａ．41
Ｐ／Ｉｎ．49Ａｌ．51Ｐ）で作られた複数の交互層１１
６の５つの同一対を有する分布ブラッグ反射器１０６を
表わす。概略的に、可視光スペクトル、即ち、５５０ナ
ノメートルないし９００ナノメートル全体について、Ｖ
ＣＳＥＬ１０１の分布ブラッグ反射器１０６の反射率が
示されている。部分２０２からわかるように、分布ブラ
ッグ反射器１０６の反射率は、急激に上昇し、約５７０
ナノメートルにおいて９０パーセントを超過する。約６
００ナノメートルにおいて、反射率は９５．０パーセン
トを超過する。全体的に、部分２０３は、６４０ナノメ
ートルないし８４０ナノメートルにわたる、９９．９パ
ーセントを超過する反射率を示す。部分２０３は、可視
光スペクトルにおいて例外的に良好な反射率を有する広
い応答曲線を示す。部分２０４は、反射率曲線２０１の
急激に低下する側を示す。このように、ＶＣＳＥＬ１０
１の分布ブラッグ反射器１０６は、可視光スペクトル内
にある光１２０の反射に非常に有効である。
０１の部分について、反射率対波長の関係を示す簡略化
グラフが示されている。図示の反射率曲線２０１は、部
分２０２，２０３，２０４を有し、基板１０２がガリウ
ム砒素で作られ、ＡｌＡｓ（酸化）／Ａｌ0.5Gａ 0.5Ａ
ｓで作られた複数の交互層１０８の５つの同一対(five
mirrored pairs)，および（Ｉｎ．49Ａｌ．1 Ｇａ．41
Ｐ／Ｉｎ．49Ａｌ．51Ｐ）で作られた複数の交互層１１
６の５つの同一対を有する分布ブラッグ反射器１０６を
表わす。概略的に、可視光スペクトル、即ち、５５０ナ
ノメートルないし９００ナノメートル全体について、Ｖ
ＣＳＥＬ１０１の分布ブラッグ反射器１０６の反射率が
示されている。部分２０２からわかるように、分布ブラ
ッグ反射器１０６の反射率は、急激に上昇し、約５７０
ナノメートルにおいて９０パーセントを超過する。約６
００ナノメートルにおいて、反射率は９５．０パーセン
トを超過する。全体的に、部分２０３は、６４０ナノメ
ートルないし８４０ナノメートルにわたる、９９．９パ
ーセントを超過する反射率を示す。部分２０３は、可視
光スペクトルにおいて例外的に良好な反射率を有する広
い応答曲線を示す。部分２０４は、反射率曲線２０１の
急激に低下する側を示す。このように、ＶＣＳＥＬ１０
１の分布ブラッグ反射器１０６は、可視光スペクトル内
にある光１２０の反射に非常に有効である。
【００２８】以上、本発明の具体的な実施例について図
示しかつ説明してきたが、更に別の変更や改良も当業者
には想起されよう。したがって、本発明はここに示した
特定形状に限定されないと理解されることを望み、特許
請求の範囲は、本発明の精神および範囲から逸脱しない
全ての変更を包含することを意図するものである。
示しかつ説明してきたが、更に別の変更や改良も当業者
には想起されよう。したがって、本発明はここに示した
特定形状に限定されないと理解されることを望み、特許
請求の範囲は、本発明の精神および範囲から逸脱しない
全ての変更を包含することを意図するものである。
【図１】本発明にしたがって基板上に用意されたＶＣＳ
ＥＬの拡大簡略断面の一例を示す図。
ＥＬの拡大簡略断面の一例を示す図。
【図２】本発明によるＶＣＳＥＬの製造における異なる
工程を示す簡略断面図。
工程を示す簡略断面図。
【図３】本発明によるＶＣＳＥＬの製造における異なる
工程を示す簡略断面図。
工程を示す簡略断面図。
【図４】図１のＶＣＳＥＬについて反射率対波長の関係
を示す簡略グラフ。
を示す簡略グラフ。
１０１ 垂直空洞面放出レーザ １０２ 基板 １０６ 分布ブラッグ反射器 １０８ 交互層 １１６ 交互層 １２０ 光 １２３ クラッディング領域 １２６ 活性領域 １２８ クラッディング領域 １３０ 分布ブラッグ反射器 １３１ 交互層 １４０ 接点領域 １５０ マスキング層 １５２ 誘電体層 １５５ 電気接点層 ２０１ 反射率曲線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイケル・エス・レビー アメリカ合衆国アリゾナ州アパッチ・ジャ ンクション、ノース・ラバージ・ロード30
Claims (4)
- 【請求項１】可視光放出垂直空洞面放出レーザ（１０
１）用混成ミラー構造体であって：表面（１０４）を有
する支持基板（１０２）；前記支持基板（１０２）の前
記表面（１０４）上に配置された第１分布ブラッグ反射
器（１０６）であって、該第１分布ブラッグ反射器（１
０６）は、酸化アルミニウム物質を含む交互層（１１
１，１１３）の第１対（１０８）と、交互層（１１８，
１１９）の第２対（１１６）とを含み、前記交互層の第
１対（１０８）は前記支持基板（１０２）に隣接して配
置され、前記交互層の第２対（１１６）は前記交互層の
第１対（１０８）上に配置された第１分布ブラッグ反射
器（１０６）；前記第１分布ブラッグ反射器（１０６）
上に配置された第１クラッディング領域（１２３）であ
って、第１クラッディング領域（１２３）上には活性領
域（１２６）が配置され、前記活性領域（１２６）上に
は第２クラッディング領域（１２８）が配置される、第
１クラッディング領域（１２３）；および前記第２クラ
ッディング領域（１２８）上に配置された第２分布ブラ
ッグ反射器（１３１）；から成ることを特徴とする可視
光放出垂直空洞面放出レーザ（１０１）用混成ミラー構
造。 - 【請求項２】可視光放出垂直空洞面放出レーザ（１０
１）用混成ミラー構造体であって：表面（１０４）を有
する半導体基板（１０２）；前記半導体基板（１０２）
の前記表面（１０４）上に配置された第１分布ブラッグ
反射器（１０６）であって、前記第１分布ブラッグ反射
器（１０６）は交互層（１１１，１１３）の第１対（１
０８）を有し、各対（１１１，１１３）における第１層
（１１１）は酸化された砒化アルミニウム物質を含み、
各対（１１１，１１３）における第２層（１１３）は砒
化アルミニウム・ガリウムを含み、前記第１分布ブラッ
グ反射器（１０６）は交互層（１１８，１１９）の第２
対（１１６）を有し、各対（１１８，１１９）は、Ｉｎ
ＡｌＧａＡｓ物質を有する層（１１８）とＩｎＡｌＰ物
質を有する層（１１９）とを含む前記第１分布ブラッグ
反射器（１０６）；前記第１分布ブラッグ反射器（１０
６）上に配置され、ＩｎＡｌＧａＰ物質を含む第１クラ
ッディング領域（１２３）；前記第１クラッディング領
域（１２３）上に配置された活性領域（１２６）であっ
て、該活性領域（１２６）は量子井戸層と、第１バリア
層と第２バリア層とを有し、前記量子井戸層が前記第１
バリア層と前記第２バリア層との間に配置されている前
記活性領域（１２６）；前記活性領域（１２６）上に配
置され、ＩｎＡｌＧａＰ物質を含む第２クラッディング
領域（１２８）；および前記第２クラッディング領域
（１２８）上に配置された第２分布ブラッグ反射器（１
３１）であって、該第２分布ブラッグ反射器（１３１）
は、交互層の対（１３３，１３５）を含み、各対（１３
３，１３５）は、ＡｌＡｓ物質を有する層（１３３）
と、ＡｌＧａＡｓ物質を有する層（１３５）とを含む前
記第２分布ブラッグ反射器（１３１）；から成ることを
特徴とする可視光放出垂直空洞面放出レーザ（１０１）
用混成ミラー構造。 - 【請求項３】可視光放出垂直空洞面放出レーザ（１０
１）用混成ミラー構造の製造方法であって：表面（１０
４）を有する支持基板（１０２）を用意する段階；前記
支持基板（１０２）の前記表面（１０４）上に第１分布
ブラッグ反射器（１０６）を配置し、前記製造方法の間
に酸化されるアルミニウム物質を含む交互層（１１１，
１１３）の第１対（１０８）と、交互層（１１８，１１
９）の第２対（１１６）とを含むように前記第１分布ブ
ラッグ反射器（１０６）を形成し、前記交互層の第１対
（１０８）を前記支持基板（１０２）に隣接して配置
し、前記交互層の第１対（１０８）上に前記交互層の第
２対（１１６）を配置する段階；前記第１分布ブラッグ
反射器（１０６）上に第１クラッディング領域（１２
３）を配置し、前記第１クラッディング領域（１２３）
上に活性領域（１２６）を配置し、前記活性領域（１２
６）上に第２クラッディング領域（１２８）を配置する
段階；および前記第２クラッディング領域（１２８）上
に第１分布ブラッグ反射器（１３１）を配置する段階；
から成ることを特徴とする方法。 - 【請求項４】可視光放出垂直空洞面放出レーザ（１０
１）用混成ミラー構造を製造する方法であって：表面
（１０４）を有する支持基板（１０２）を用意する段
階；前記支持基板（１０２）の前記表面（１０４）上に
第１分布ブラッグ反射器（１０６）を配置し、アルミニ
ウム物質を含む交互層（１１１，１１３）の第１対（１
０８）と、交互層（１１８，１１９）の第２対（１１
６）とを含むように前記第１分布ブラッグ反射器（１０
６）を形成し、前記交互層の第１対（１０８）を前記支
持基板（１０２）に隣接して配置し、前記交互層の第１
対（１０８）上に前記交互層の第２対（１１６）を配置
する段階；前記第１分布ブラッグ反射器（１０６）上に
第１クラッディング領域（１２３）を配置し、前記第１
クラッディング領域（１２３）上に活性領域（１２６）
を配置し、前記活性領域（１２６）上に第２クラッディ
ング領域（１２８）を配置する段階；前記第２クラッデ
ィング領域（１２８）上に第２分布ブラッグ反射器（１
３１）を配置する段階；および前記交互層の第１対（１
０８）におけるアルミニウム物質を酸化させ、前記交互
層の第１対（１０８）の屈折率を、約１．３ないし１．
７の範囲まで低下させる段階；から成ることを特徴とす
る方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US636488 | 1996-04-23 | ||
| US08/636,488 US5719892A (en) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | Hybrid mirror structure for a visible emitting VCSEL |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1051068A true JPH1051068A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=24552129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9117552A Pending JPH1051068A (ja) | 1996-04-23 | 1997-04-21 | 可視光放出ｖｃｓｅｌ用混成ミラー構造体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5719892A (ja) |
| EP (1) | EP0803945A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1051068A (ja) |
| KR (1) | KR100449768B1 (ja) |
| TW (1) | TW350159B (ja) |
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| JP2009200318A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Canon Inc | 面発光レーザおよび画像形成装置 |
| JP2011187730A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザ、半導体レーザ装置および半導体レーザの製造方法 |
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| WO2018116596A1 (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | ソニー株式会社 | 発光素子 |
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- 1997-04-21 EP EP97106549A patent/EP0803945A3/en not_active Withdrawn
- 1997-04-21 JP JP9117552A patent/JPH1051068A/ja active Pending
- 1997-04-23 KR KR1019970015177A patent/KR100449768B1/ko not_active IP Right Cessation
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