JP2000068583A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP2000068583A JP2000068583A JP10231658A JP23165898A JP2000068583A JP 2000068583 A JP2000068583 A JP 2000068583A JP 10231658 A JP10231658 A JP 10231658A JP 23165898 A JP23165898 A JP 23165898A JP 2000068583 A JP2000068583 A JP 2000068583A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ・チップ７をサブマウント８を
介して金属基台９に固定した半導体レーザ装置におい
て、ＩｎあるいはＳｎを含む半田１３を介して、金属基
台９のＡｕメッキ層１０とサブマウント８裏面とを接合
する際に、形成される化合物ＡｕＩｎあるいはＡｕＳｎ
が脆弱なものとなることを防止して、接合部の接合強度
を向上させて信頼性向上を図る。 【解決手段】 金属基台８表面に凹部１１を形成し、半
田１３が接合の際の溶融時にサブマウント８の外周部に
はみ出すのを抑制して、半田１３の膜厚を所定量確保
し、接合時に形成される化合物ＡｕＩｎあるいはＡｕＳ
ｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成比が５０％を越えな
いように、該ＡｕＳｎはＡｕの重量組成比が２０％を越
えないようにして、低融点で良質な化合物とする。
介して金属基台９に固定した半導体レーザ装置におい
て、ＩｎあるいはＳｎを含む半田１３を介して、金属基
台９のＡｕメッキ層１０とサブマウント８裏面とを接合
する際に、形成される化合物ＡｕＩｎあるいはＡｕＳｎ
が脆弱なものとなることを防止して、接合部の接合強度
を向上させて信頼性向上を図る。 【解決手段】 金属基台８表面に凹部１１を形成し、半
田１３が接合の際の溶融時にサブマウント８の外周部に
はみ出すのを抑制して、半田１３の膜厚を所定量確保
し、接合時に形成される化合物ＡｕＩｎあるいはＡｕＳ
ｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成比が５０％を越えな
いように、該ＡｕＳｎはＡｕの重量組成比が２０％を越
えないようにして、低融点で良質な化合物とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザ装
置に関し、特に半導体素子を支持するサブマウントとそ
れを固定する金属基台との半田を介した接合に関するも
のである。
置に関し、特に半導体素子を支持するサブマウントとそ
れを固定する金属基台との半田を介した接合に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ素子は、その動作時に多量
の熱を発生するのと、寸法が小さいことから、熱の放散
と取扱性向上とのために、サブマウントと称される支持
体に固定され、さらにそのサブマウントを介して放熱用
の金属基台に固定される。図４は、従来の半導体レーザ
装置の構造を示す断面図である。図において、１は半導
体レーザ・チップ、２はサブマウント、３は金属基台、
４は半導体レーザ・チップ１とサブマウント２とを接合
する半田、５はサブマウント２と金属基台３とを接合す
る半田、６は金属基台３表面のメッキ層である。半田
４、５はサブマウント２の主面および裏面に蒸着法など
により予め形成され、ダイボンドのヒートアップ時に溶
融し、半導体レーザ・チップ１とサブマウント２主面、
およびサブマウント２裏面と金属基台３をそれぞれ接合
する。また一般に半田４、５は、例えば、Ｉｎ、ＩｎＰ
ｂ、ＰｂＳｎ、ＡｇＳｎ等、ＩｎあるいはＳｎを含むソ
フト半田が用いられ、金属基台３表面のメッキ層６には
Ａｕが用いられる。
の熱を発生するのと、寸法が小さいことから、熱の放散
と取扱性向上とのために、サブマウントと称される支持
体に固定され、さらにそのサブマウントを介して放熱用
の金属基台に固定される。図４は、従来の半導体レーザ
装置の構造を示す断面図である。図において、１は半導
体レーザ・チップ、２はサブマウント、３は金属基台、
４は半導体レーザ・チップ１とサブマウント２とを接合
する半田、５はサブマウント２と金属基台３とを接合す
る半田、６は金属基台３表面のメッキ層である。半田
４、５はサブマウント２の主面および裏面に蒸着法など
により予め形成され、ダイボンドのヒートアップ時に溶
融し、半導体レーザ・チップ１とサブマウント２主面、
およびサブマウント２裏面と金属基台３をそれぞれ接合
する。また一般に半田４、５は、例えば、Ｉｎ、ＩｎＰ
ｂ、ＰｂＳｎ、ＡｇＳｎ等、ＩｎあるいはＳｎを含むソ
フト半田が用いられ、金属基台３表面のメッキ層６には
Ａｕが用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ装
置は以上のように構成されており、ＩｎあるいはＳｎを
含むソフト半田５を介して、金属基台３のＡｕメッキ層
６とサブマウント２裏面とを接合する際に、化合物Ａｕ
ＩｎあるいはＡｕＳｎが形成される。これらの化合物に
は、Ａｕの重量組成比がある範囲の時に、脆弱な性質を
持つものが存在することが知られている。この様な脆弱
な性質の化合物は、半田５の厚みをある程度確保するこ
とでその生成が防止できるものであるが、半田５を厚く
しようとすると、図４に示すように、接合時にサブマウ
ント２の外周部に半田５がはみ出してしまうため、金属
基台３とサブマウント２との間の半田５の厚みを確保す
るのは限界があった。上記の様な脆弱な化合物が形成さ
れると、金属基台３のＡｕメッキ層６とサブマウント２
裏面との半田５を介した接合は、接合強度が低下する。
半導体レーザ・チップ１、サブマウント２および金属基
台３のそれぞれ異なる材料を接合して構成する半導体レ
ーザ装置では、それぞれの材料の熱膨張係数の違いから
組み立て応力が作用するものであり、このような脆弱な
化合物の形成により、金属基台３とサブマウント２との
接合強度が低下すると、接合部の信頼性が著しく低下す
るという問題点があった。
置は以上のように構成されており、ＩｎあるいはＳｎを
含むソフト半田５を介して、金属基台３のＡｕメッキ層
６とサブマウント２裏面とを接合する際に、化合物Ａｕ
ＩｎあるいはＡｕＳｎが形成される。これらの化合物に
は、Ａｕの重量組成比がある範囲の時に、脆弱な性質を
持つものが存在することが知られている。この様な脆弱
な性質の化合物は、半田５の厚みをある程度確保するこ
とでその生成が防止できるものであるが、半田５を厚く
しようとすると、図４に示すように、接合時にサブマウ
ント２の外周部に半田５がはみ出してしまうため、金属
基台３とサブマウント２との間の半田５の厚みを確保す
るのは限界があった。上記の様な脆弱な化合物が形成さ
れると、金属基台３のＡｕメッキ層６とサブマウント２
裏面との半田５を介した接合は、接合強度が低下する。
半導体レーザ・チップ１、サブマウント２および金属基
台３のそれぞれ異なる材料を接合して構成する半導体レ
ーザ装置では、それぞれの材料の熱膨張係数の違いから
組み立て応力が作用するものであり、このような脆弱な
化合物の形成により、金属基台３とサブマウント２との
接合強度が低下すると、接合部の信頼性が著しく低下す
るという問題点があった。
【０００４】この発明は、上記のような問題点を解消す
るために成されたものであって、ＩｎあるいはＳｎを含
む半田を介して、金属基台のＡｕメッキ層とサブマウン
ト裏面とを接合する際に、形成される化合物ＡｕＩｎあ
るいはＡｕＳｎが脆弱なものとなることを防止して、接
合部の接合強度を向上させて信頼性向上を図ることを目
的とする。
るために成されたものであって、ＩｎあるいはＳｎを含
む半田を介して、金属基台のＡｕメッキ層とサブマウン
ト裏面とを接合する際に、形成される化合物ＡｕＩｎあ
るいはＡｕＳｎが脆弱なものとなることを防止して、接
合部の接合強度を向上させて信頼性向上を図ることを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる請求項
１記載の半導体レーザ装置は、金属基台と、この金属基
台の主面に半田を介して固定されたサブマウントと、こ
のサブマウントの主面に半田を介して固定された半導体
レーザ・チップとを有する装置構成であって、上記金属
基台表面にＡｕメッキが施され、該金属基台と上記サブ
マウントを固定する上記半田がＩｎあるいはＳｎを含
み、上記金属基台の上記Ａｕメッキ層と上記サブマウン
トとの上記半田を介した接合時に形成される化合物Ａｕ
ＩｎあるいはＡｕＳｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成
比が５０％を越えないものであり、該ＡｕＳｎはＡｕの
重量組成比が２０％を越えないものである。
１記載の半導体レーザ装置は、金属基台と、この金属基
台の主面に半田を介して固定されたサブマウントと、こ
のサブマウントの主面に半田を介して固定された半導体
レーザ・チップとを有する装置構成であって、上記金属
基台表面にＡｕメッキが施され、該金属基台と上記サブ
マウントを固定する上記半田がＩｎあるいはＳｎを含
み、上記金属基台の上記Ａｕメッキ層と上記サブマウン
トとの上記半田を介した接合時に形成される化合物Ａｕ
ＩｎあるいはＡｕＳｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成
比が５０％を越えないものであり、該ＡｕＳｎはＡｕの
重量組成比が２０％を越えないものである。
【０００６】またこの発明に係わる請求項２記載の半導
体レーザ装置は、金属基台のサブマウントと接合する面
に凹部を設け、該凹部内の半田を介して上記金属基台と
上記サブマウントを接合したものである。
体レーザ装置は、金属基台のサブマウントと接合する面
に凹部を設け、該凹部内の半田を介して上記金属基台と
上記サブマウントを接合したものである。
【０００７】またこの発明に係わる請求項３記載の半導
体レーザ装置は、金属基台のサブマウントと接合する面
の該サブマウント周辺位置に、半田を囲むように突起を
設け、該半田を介して上記金属基台と上記サブマウント
を接合したものである。
体レーザ装置は、金属基台のサブマウントと接合する面
の該サブマウント周辺位置に、半田を囲むように突起を
設け、該半田を介して上記金属基台と上記サブマウント
を接合したものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
一実施の形態を、図について説明する。図１（ａ）およ
び図１（ｂ）は、この発明の実施の形態１による半導体
レーザ装置の構造を示す断面図である。図において、７
は半導体レーザ・チップ、８はサブマウント、９は金属
基台、１０は金属基台９表面のＡｕメッキ層、１１、１
１ａは金属基台９表面のサブマウント８と接合する位置
に設けられた凹部、１２は半導体レーザ・チップ７とサ
ブマウント８とを接合する半田、１３はサブマウント８
と金属基台９とを接合する半田である。図１（ａ）は、
凹部１１の面積がサブマウント８裏面より小さい場合、
図１（ｂ）は、凹部１１ａの面積がサブマウント８裏面
より所定量を越えない程度に若干大きく、サブマウント
８が凹部１１ａ内で接合されている場合を示すものであ
る。
一実施の形態を、図について説明する。図１（ａ）およ
び図１（ｂ）は、この発明の実施の形態１による半導体
レーザ装置の構造を示す断面図である。図において、７
は半導体レーザ・チップ、８はサブマウント、９は金属
基台、１０は金属基台９表面のＡｕメッキ層、１１、１
１ａは金属基台９表面のサブマウント８と接合する位置
に設けられた凹部、１２は半導体レーザ・チップ７とサ
ブマウント８とを接合する半田、１３はサブマウント８
と金属基台９とを接合する半田である。図１（ａ）は、
凹部１１の面積がサブマウント８裏面より小さい場合、
図１（ｂ）は、凹部１１ａの面積がサブマウント８裏面
より所定量を越えない程度に若干大きく、サブマウント
８が凹部１１ａ内で接合されている場合を示すものであ
る。
【０００９】金属基台９は、金型で成形する際にその表
面に凹部１１（１１ａ）を例えば５μｍの深さに形成
し、その後金属基台９表面にＡｕによるメッキを０．３
〜０．５μｍの膜厚で施す。このＡｕメッキ層１０は、
後工程のワイヤボンディングの際の信頼性確保のために
も、またメッキ形成の際の製法上の信頼性確保のために
も、この程度の膜厚が必要である。半田１２、１３はサ
ブマウント８の主面および裏面に蒸着法などにより予め
形成され、ダイボンドのヒートアップ時に溶融し、半導
体レーザ・チップ７とサブマウント８主面、およびサブ
マウント８裏面と金属基台９のＡｕメッキ層１０をそれ
ぞれ接合する。また半田１２、１３は、例えば、Ｉｎ、
ＩｎＰｂ、ＰｂＳｎ、ＡｇＳｎ等、ＩｎあるいはＳｎを
含むソフト半田が用いられるが、この場合、サブマウン
ト８裏面に形成される半田１３は、例えば１０μｍの膜
厚のＰｂＳｎ半田１３であるとする。
面に凹部１１（１１ａ）を例えば５μｍの深さに形成
し、その後金属基台９表面にＡｕによるメッキを０．３
〜０．５μｍの膜厚で施す。このＡｕメッキ層１０は、
後工程のワイヤボンディングの際の信頼性確保のために
も、またメッキ形成の際の製法上の信頼性確保のために
も、この程度の膜厚が必要である。半田１２、１３はサ
ブマウント８の主面および裏面に蒸着法などにより予め
形成され、ダイボンドのヒートアップ時に溶融し、半導
体レーザ・チップ７とサブマウント８主面、およびサブ
マウント８裏面と金属基台９のＡｕメッキ層１０をそれ
ぞれ接合する。また半田１２、１３は、例えば、Ｉｎ、
ＩｎＰｂ、ＰｂＳｎ、ＡｇＳｎ等、ＩｎあるいはＳｎを
含むソフト半田が用いられるが、この場合、サブマウン
ト８裏面に形成される半田１３は、例えば１０μｍの膜
厚のＰｂＳｎ半田１３であるとする。
【００１０】金属基台９表面のサブマウント８と接合す
る位置には、凹部１１（１１ａ）が形成されているた
め、サブマウント８裏面に形成されたＰｂＳｎ半田１３
は、サブマウント８が金属基台９に接合される際の溶融
時に凹部１１（１１ａ）内に溜められて、サブマウント
８外周部にはみ出すのが抑制され、半田１３の膜厚低減
が抑えられる。このとき図１（ａ）に示す場合、凹部１
１の外周部とサブマウント８の端部とが接合するため、
その領域で半田１３の膜厚が薄くなるものであるが、図
１（ｂ）に示す場合では半田１３の膜厚を全体として確
保することができる。
る位置には、凹部１１（１１ａ）が形成されているた
め、サブマウント８裏面に形成されたＰｂＳｎ半田１３
は、サブマウント８が金属基台９に接合される際の溶融
時に凹部１１（１１ａ）内に溜められて、サブマウント
８外周部にはみ出すのが抑制され、半田１３の膜厚低減
が抑えられる。このとき図１（ａ）に示す場合、凹部１
１の外周部とサブマウント８の端部とが接合するため、
その領域で半田１３の膜厚が薄くなるものであるが、図
１（ｂ）に示す場合では半田１３の膜厚を全体として確
保することができる。
【００１１】ところで、ＩｎあるいはＳｎを含むソフト
半田１３を介して、金属基台９のＡｕメッキ層１０とサ
ブマウント８裏面とを接合する際に、化合物ＡｕＩｎあ
るいはＡｕＳｎが形成される。これらの化合物には、Ａ
ｕの重量組成比がある範囲の時に、脆弱な性質を持つも
のが存在することが知られており、重量組成比と融点お
よびその性質との関係を図２に示す。図２（ａ）は、Ｐ
ｂＳｎ、ＡｇＳｎ等Ｓｎを含む半田１３を用いた場合に
形成される化合物ＡｕＳｎについて示した場合で、１４
はＳｎの重量組成比と融点との関係を示すグラフ、１５
は脆弱な性質を有する化合物が形成され易い領域を示
す。図に示すように、Ｓｎが５０〜８０％程度の重量組
成比の領域１５で、形成される化合物ＡｕＳｎは脆弱と
なり易く、これ以外の重量組成比では、Ｓｎが約８０％
以上（Ａｕが約２０％以下）の重量組成比の領域１６
で、脆弱な性質を有するものは形成され難く、しかも低
融点で軟度の高い良質の化合物ＡｕＳｎとなる。
半田１３を介して、金属基台９のＡｕメッキ層１０とサ
ブマウント８裏面とを接合する際に、化合物ＡｕＩｎあ
るいはＡｕＳｎが形成される。これらの化合物には、Ａ
ｕの重量組成比がある範囲の時に、脆弱な性質を持つも
のが存在することが知られており、重量組成比と融点お
よびその性質との関係を図２に示す。図２（ａ）は、Ｐ
ｂＳｎ、ＡｇＳｎ等Ｓｎを含む半田１３を用いた場合に
形成される化合物ＡｕＳｎについて示した場合で、１４
はＳｎの重量組成比と融点との関係を示すグラフ、１５
は脆弱な性質を有する化合物が形成され易い領域を示
す。図に示すように、Ｓｎが５０〜８０％程度の重量組
成比の領域１５で、形成される化合物ＡｕＳｎは脆弱と
なり易く、これ以外の重量組成比では、Ｓｎが約８０％
以上（Ａｕが約２０％以下）の重量組成比の領域１６
で、脆弱な性質を有するものは形成され難く、しかも低
融点で軟度の高い良質の化合物ＡｕＳｎとなる。
【００１２】図２（ｂ）は、Ｉｎ、ＩｎＰｂ等Ｉｎを含
む半田１３を用いた場合に形成される化合物ＡｕＩｎに
ついて示した場合で、１７はＩｎの重量組成比と融点と
の関係を示すグラフ、１８は脆弱な性質を有する化合物
が形成され易い領域を示す。図に示すように、Ｉｎが約
５０％以下の重量組成比の領域１８で、形成される化合
物ＡｕＩｎは脆弱となり易く、Ｓｎが約５０％以上（Ａ
ｕが約５０％以下）の重量組成比の領域１９で、脆弱な
性質を有するものは形成され難く、しかも低融点で軟度
の高い良質の化合物ＡｕＩｎとなる。
む半田１３を用いた場合に形成される化合物ＡｕＩｎに
ついて示した場合で、１７はＩｎの重量組成比と融点と
の関係を示すグラフ、１８は脆弱な性質を有する化合物
が形成され易い領域を示す。図に示すように、Ｉｎが約
５０％以下の重量組成比の領域１８で、形成される化合
物ＡｕＩｎは脆弱となり易く、Ｓｎが約５０％以上（Ａ
ｕが約５０％以下）の重量組成比の領域１９で、脆弱な
性質を有するものは形成され難く、しかも低融点で軟度
の高い良質の化合物ＡｕＩｎとなる。
【００１３】この実施の形態では、上記のように、金属
基台９表面にＡｕメッキ層１０とサブマウント８裏面に
ＰｂＳｎ半田１３とを形成し、ＰｂＳｎ半田１３は、サ
ブマウント８が金属基台９に接合される際の溶融時に凹
部１１（１１ａ）内に溜められて、サブマウント８外周
部へのはみ出しによる膜厚低減を抑制できる。このた
め、接合時に形成される化合物ＡｕＳｎをＡｕの重量組
成比が約２０％を越えない低いものとすることができ、
図２（ａ）に示すように、低融点で軟度の高い良質なも
のとできる。これにより、サブマウント８と金属基台９
表面のＡｕメッキ層１０との半田１３を介した接合部の
接合強度が向上できて、信頼性が向上する。
基台９表面にＡｕメッキ層１０とサブマウント８裏面に
ＰｂＳｎ半田１３とを形成し、ＰｂＳｎ半田１３は、サ
ブマウント８が金属基台９に接合される際の溶融時に凹
部１１（１１ａ）内に溜められて、サブマウント８外周
部へのはみ出しによる膜厚低減を抑制できる。このた
め、接合時に形成される化合物ＡｕＳｎをＡｕの重量組
成比が約２０％を越えない低いものとすることができ、
図２（ａ）に示すように、低融点で軟度の高い良質なも
のとできる。これにより、サブマウント８と金属基台９
表面のＡｕメッキ層１０との半田１３を介した接合部の
接合強度が向上できて、信頼性が向上する。
【００１４】なお、この実施の形態ではＰｂＳｎ半田１
３を用いたが、ＩｎあるいはＳｎを含む他のソフト半田
１３を用い、金属基台９表面の凹部１１（１１ａ）の形
成により、半田１３の膜厚を所定量確保することによ
り、金属基台９のＡｕメッキ層１０とサブマウント８と
の半田１３を介した接合時に形成される化合物ＡｕＩｎ
あるいはＡｕＳｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成比が
５０％を越えないように、該ＡｕＳｎはＡｕの重量組成
比が２０％を越えないようにしても、同様の効果が得ら
れる。
３を用いたが、ＩｎあるいはＳｎを含む他のソフト半田
１３を用い、金属基台９表面の凹部１１（１１ａ）の形
成により、半田１３の膜厚を所定量確保することによ
り、金属基台９のＡｕメッキ層１０とサブマウント８と
の半田１３を介した接合時に形成される化合物ＡｕＩｎ
あるいはＡｕＳｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成比が
５０％を越えないように、該ＡｕＳｎはＡｕの重量組成
比が２０％を越えないようにしても、同様の効果が得ら
れる。
【００１５】実施の形態２．図３は、この発明の実施の
形態２による半導体レーザ装置の構造を示す断面図であ
る。上記実施の形態１では金属基台９に凹部１１（１１
ａ）を形成して、半田１３を用いた接合時に半田１３を
凹部１１（１１ａ）内に溜めるようにしたが、この実施
の形態では、図に示すように、金属基台９のサブマウン
ト８と接合する面で、サブマウント８周辺位置に半田１
３を囲むように突起１４を設ける。このため金属基台９
のＡｕメッキ層１０とサブマウント８との半田１３を介
した接合の際の半田１３溶融時に、半田１３は突起１４
によりサブマウント８外周部にはみ出し難くなり、半田
１３の膜厚低減を抑制できる。
形態２による半導体レーザ装置の構造を示す断面図であ
る。上記実施の形態１では金属基台９に凹部１１（１１
ａ）を形成して、半田１３を用いた接合時に半田１３を
凹部１１（１１ａ）内に溜めるようにしたが、この実施
の形態では、図に示すように、金属基台９のサブマウン
ト８と接合する面で、サブマウント８周辺位置に半田１
３を囲むように突起１４を設ける。このため金属基台９
のＡｕメッキ層１０とサブマウント８との半田１３を介
した接合の際の半田１３溶融時に、半田１３は突起１４
によりサブマウント８外周部にはみ出し難くなり、半田
１３の膜厚低減を抑制できる。
【００１６】これにより、ＩｎあるいはＳｎを含むソフ
ト半田１３の膜厚を所定量確保することができ、金属基
台９のＡｕメッキ層１０とサブマウント８との半田１３
を介した接合時に形成される化合物ＡｕＩｎあるいはＡ
ｕＳｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成比が５０％を越
えないように、該ＡｕＳｎはＡｕの重量組成比が２０％
を越えないようにすることができて、上記実施の形態１
と同様に、接合部の接合強度が向上できて、信頼性が向
上する。
ト半田１３の膜厚を所定量確保することができ、金属基
台９のＡｕメッキ層１０とサブマウント８との半田１３
を介した接合時に形成される化合物ＡｕＩｎあるいはＡ
ｕＳｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成比が５０％を越
えないように、該ＡｕＳｎはＡｕの重量組成比が２０％
を越えないようにすることができて、上記実施の形態１
と同様に、接合部の接合強度が向上できて、信頼性が向
上する。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１記載
の半導体レーザ装置は、金属基台と、この金属基台の主
面に半田を介して固定されたサブマウントと、このサブ
マウントの主面に半田を介して固定された半導体レーザ
・チップとを有する装置構成であって、上記金属基台表
面にＡｕメッキが施され、該金属基台と上記サブマウン
トを固定する上記半田がＩｎあるいはＳｎを含み、上記
金属基台の上記Ａｕメッキ層と上記サブマウントとの上
記半田を介した接合時に形成される化合物ＡｕＩｎある
いはＡｕＳｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成比が５０
％を越えないものであり、該ＡｕＳｎはＡｕの重量組成
比が２０％を越えないものであるため、金属基台のＡｕ
メッキ層とサブマウントとの半田を介した接合部の接合
強度が向上し、信頼性が向上する。
の半導体レーザ装置は、金属基台と、この金属基台の主
面に半田を介して固定されたサブマウントと、このサブ
マウントの主面に半田を介して固定された半導体レーザ
・チップとを有する装置構成であって、上記金属基台表
面にＡｕメッキが施され、該金属基台と上記サブマウン
トを固定する上記半田がＩｎあるいはＳｎを含み、上記
金属基台の上記Ａｕメッキ層と上記サブマウントとの上
記半田を介した接合時に形成される化合物ＡｕＩｎある
いはＡｕＳｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成比が５０
％を越えないものであり、該ＡｕＳｎはＡｕの重量組成
比が２０％を越えないものであるため、金属基台のＡｕ
メッキ層とサブマウントとの半田を介した接合部の接合
強度が向上し、信頼性が向上する。
【００１８】またこの発明の請求項２記載の半導体レー
ザ装置は、金属基台のサブマウントと接合する面に凹部
を設け、該凹部内の半田を介して上記金属基台と上記サ
ブマウントを接合したため、半田の厚みを所定量確保す
ることができて、半田接合時に形成される化合物ＡｕＩ
ｎあるいはＡｕＳｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成比
が５０％を越えないように、該ＡｕＳｎはＡｕの重量組
成比が２０％を越えないようにすることができ、金属基
台のＡｕメッキ層とサブマウントとの半田を介した接合
部の接合強度が向上し、信頼性が向上する。
ザ装置は、金属基台のサブマウントと接合する面に凹部
を設け、該凹部内の半田を介して上記金属基台と上記サ
ブマウントを接合したため、半田の厚みを所定量確保す
ることができて、半田接合時に形成される化合物ＡｕＩ
ｎあるいはＡｕＳｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成比
が５０％を越えないように、該ＡｕＳｎはＡｕの重量組
成比が２０％を越えないようにすることができ、金属基
台のＡｕメッキ層とサブマウントとの半田を介した接合
部の接合強度が向上し、信頼性が向上する。
【００１９】またこの発明に係わる請求項３記載の半導
体レーザ装置は、金属基台のサブマウントと接合する面
の該サブマウント周辺位置に、半田を囲むように突起を
設け、該半田を介して上記金属基台と上記サブマウント
を接合したため、半田の厚みを所定量確保することがで
きて、半田接合時に形成される化合物ＡｕＩｎあるいは
ＡｕＳｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成比が５０％を
越えないように、該ＡｕＳｎはＡｕの重量組成比が２０
％を越えないようにすることができ、金属基台のＡｕメ
ッキ層とサブマウントとの半田を介した接合部の接合強
度が向上し、信頼性が向上する。
体レーザ装置は、金属基台のサブマウントと接合する面
の該サブマウント周辺位置に、半田を囲むように突起を
設け、該半田を介して上記金属基台と上記サブマウント
を接合したため、半田の厚みを所定量確保することがで
きて、半田接合時に形成される化合物ＡｕＩｎあるいは
ＡｕＳｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成比が５０％を
越えないように、該ＡｕＳｎはＡｕの重量組成比が２０
％を越えないようにすることができ、金属基台のＡｕメ
ッキ層とサブマウントとの半田を介した接合部の接合強
度が向上し、信頼性が向上する。
【図１】 この発明の実施の形態１による半導体レーザ
装置の構造を示す断面図である。
装置の構造を示す断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１による半田接合時に
形成される化合物の重量組成比と融点およびその性質と
の関係を示す図である。
形成される化合物の重量組成比と融点およびその性質と
の関係を示す図である。
【図３】 この発明の実施の形態２による半導体レーザ
装置の構造を示す断面図である。
装置の構造を示す断面図である。
【図４】 従来の半導体レーザ装置の構造を示す断面図
である。
である。
７ 半導体レーザ・チップ、８ サブマウント、９ 金
属基台、１０ Ａｕメッキ層、１１，１１ａ 凹部、１
２，１３ 半田、１４ 突起。
属基台、１０ Ａｕメッキ層、１１，１１ａ 凹部、１
２，１３ 半田、１４ 突起。
Claims (3)
- 【請求項１】 金属基台と、この金属基台の主面に半田
を介して固定されたサブマウントと、このサブマウント
の主面に半田を介して固定された半導体レーザ・チップ
とを有する半導体レーザ装置において、上記金属基台表
面にＡｕメッキが施され、該金属基台と上記サブマウン
トを固定する上記半田がＩｎあるいはＳｎを含み、上記
金属基台の上記Ａｕメッキ層と上記サブマウントとの上
記半田を介した接合時に形成される化合物ＡｕＩｎある
いはＡｕＳｎが、該ＡｕＩｎはＡｕの重量組成比が５０
％を越えないものであり、該ＡｕＳｎはＡｕの重量組成
比が２０％を越えないものであることを特徴とする半導
体レーザ装置。 - 【請求項２】 金属基台のサブマウントと接合する面に
凹部を設け、該凹部内の半田を介して上記金属基台と上
記サブマウントを接合したことを特徴とする請求項１記
載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 金属基台のサブマウントと接合する面の
該サブマウント周辺位置に、半田を囲むように突起を設
け、該半田を介して上記金属基台と上記サブマウントを
接合したことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10231658A JP2000068583A (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10231658A JP2000068583A (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068583A true JP2000068583A (ja) | 2000-03-03 |
| JP2000068583A5 JP2000068583A5 (ja) | 2004-12-16 |
Family
ID=16926955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10231658A Pending JP2000068583A (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000068583A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004214441A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2007012764A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | C I Kasei Co Ltd | 発光ダイオード複合素子 |
| JP2007012765A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | C I Kasei Co Ltd | 発光ダイオード複合素子 |
| JP2007048839A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子 |
| JP2009519834A (ja) * | 2005-12-16 | 2009-05-21 | イノベイティブ マイクロ テクノロジー | 隆起特徴部を有する金属合金を用いたウェハレベル気密接合 |
| WO2012172855A1 (ja) * | 2011-06-16 | 2012-12-20 | 株式会社フジクラ | レーザモジュール |
| JP2019016658A (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-31 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールおよび光モジュールの製造方法 |
| JPWO2020031944A1 (ja) * | 2018-08-09 | 2020-08-27 | パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社 | 半導体発光装置 |
| JPWO2020175619A1 (ja) * | 2019-02-28 | 2021-12-16 | 京セラ株式会社 | 電子部品搭載用パッケージ、電子装置及び発光装置 |
-
1998
- 1998-08-18 JP JP10231658A patent/JP2000068583A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004214441A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP4679268B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2011-04-27 | シーアイ化成株式会社 | 発光ダイオード複合素子 |
| JP2007012764A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | C I Kasei Co Ltd | 発光ダイオード複合素子 |
| JP2007012765A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | C I Kasei Co Ltd | 発光ダイオード複合素子 |
| JP4679267B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2011-04-27 | シーアイ化成株式会社 | 発光ダイオード複合素子 |
| JP2007048839A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子 |
| JP2009519834A (ja) * | 2005-12-16 | 2009-05-21 | イノベイティブ マイクロ テクノロジー | 隆起特徴部を有する金属合金を用いたウェハレベル気密接合 |
| WO2012172855A1 (ja) * | 2011-06-16 | 2012-12-20 | 株式会社フジクラ | レーザモジュール |
| JP2013004752A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Fujikura Ltd | レーザモジュール |
| US9158078B2 (en) | 2011-06-16 | 2015-10-13 | Fujikura Ltd. | Laser module |
| JP2019016658A (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-31 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールおよび光モジュールの製造方法 |
| JPWO2020031944A1 (ja) * | 2018-08-09 | 2020-08-27 | パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社 | 半導体発光装置 |
| CN112438000A (zh) * | 2018-08-09 | 2021-03-02 | 新唐科技日本株式会社 | 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法 |
| CN112438000B (zh) * | 2018-08-09 | 2022-05-13 | 新唐科技日本株式会社 | 半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法 |
| JPWO2020175619A1 (ja) * | 2019-02-28 | 2021-12-16 | 京セラ株式会社 | 電子部品搭載用パッケージ、電子装置及び発光装置 |
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