JP2009519834A - 隆起特徴部を有する金属合金を用いたウェハレベル気密接合 - Google Patents
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Abstract
Description
この米国特許出願は、2005年8月26日出願の米国特許出願第11/211,622号(代理人整理番号IMT−Preform)の一部継続出願である。その内容は、全体を参照により本願明細書に組み込む。
適用せず。
適用せず。
種々の例示の詳細は、以下の図面を参照して記載される。
Claims (21)
- 気密封止によってデバイスを密閉するための方法であって、
第1の基板の上方に、少なくとも1つの隆起特徴部を有する第1の金属の第1の層を形成し、
第2の基板の上方に、第2の金属の第2の層を形成し、
少なくとも1つの前記隆起特徴部に隣接する前記第1の金属および前記第2の金属から形成される合金を用いて、前記第1の基板を前記第2の基板に気密的に結合するデバイスの密閉方法。 - 前記第2の層の下で、前記第2の基板の上に前記第1の金属の第3の層を形成することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第2の基板は、リッドウェハであり、アモルファスシリコン、結晶シリコン、ガラス、石英、サファイアおよび金属のうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の基板を前記第2の基板に気密的に結合することは、
前記第1の基板および前記第2の基板を組み合わせ、
前記第1の基板および前記第2の基板を前記第1の金属および前記第2の金属のうちの少なくとも1つの融点を超える温度まで加熱し、
前記第1の金属および前記第2の金属から前記隆起特徴部に隣接する合金を形成して、気密封止を形成することをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1の基板および前記第2の基板を収容するチャンバを真空にし、
前記チャンバ内に、熱的に絶縁および電気的に絶縁のうちの少なくとも1つの環境を確立することをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記環境は、SF6、He、CCl2F2、C2Cl2F4、N2、真空および部分真空の少なくとも1つを含む、請求項5に記載の方法。
- 前記第1の基板と前記第2の基板との間に約1気圧を印加することをさらに含む、請求項4に記載の方法。
- 前記第2の基板を切開して電気接点を露出させ、
デバイスを前記第1の基板の上に形成される他のデバイスから分離する前に、前記電気接点を用いてデバイスを試験することをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 少なくとも1つの前記隆起特徴部は、金、ニッケル、クロム、銅、タングステン、チタン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン、アモルファスシリコン、SOG、SU8、ポリイミドおよびBCBからなる群から選択される1つを含む、電気メッキされ、スピンコートされ、または堆積された物質である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の金属は、金を含み、前記第2の金属は、インジウムを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記隆起特徴部は、デバイスの周囲の連続周縁部および複数の突出部のうちの少なくとも1つを画定する、請求項1に記載の方法。
- 気密封止を用いた密閉型デバイスであって、
第1の金属の第1の層を備え、前記第1の金属層が少なくとも1つの隆起特徴部を有する第1の基板と、
第2の金属の第2の層を備える第2の基板と、
気密封止によって前記第1の基板を前記第2の基板と結合する少なくとも1つの隆起特徴部に隣接して形成される前記第1の金属および前記第2の金属からなる合金と、を備える密閉型デバイス。 - 前記第2の基板の上に、前記第1の金属の別の層をさらに含む、請求項12に記載の密閉型デバイス。
- 前記第1の金属は、金を含み、前記第2の金属は、インジウムを含む、請求項12に記載の密閉型デバイス。
- 前記隆起特徴部は、デバイスの周囲の連続周縁部および一連の前記隆起突出部のうちの少なくとも1つを画定する、請求項12に記載の密閉型デバイス。
- 前記隆起特徴部は、前記第1の基板および前記第2の基板の少なくとも1つの表面から、約3μm〜約6μm突出する、請求項12に記載の密閉型デバイス。
- 前記第1の層は、約6μmの厚さであり、前記合金は、約4μm〜約6μmの厚さである、請求項16に記載の密閉型デバイス。
- 前記第2の基板は、アモルファスシリコン、結晶シリコン、ガラス、石英、サファイアおよび金属のうちの少なくとも1つである、請求項12に記載の密閉型デバイス。
- デバイスとともに気密的に密閉された環境であって、実質的に熱的に絶縁および実質的に電気的に絶縁の少なくとも1つである環境をさらに含む、請求項12に記載の密閉型デバイス。
- 前記環境は、SF6、He、CCl2F2、C2Cl2F4、N2、真空および部分真空の少なくとも1つを含む、請求項19に記載の密閉型デバイス。
- 前記環境は、1気圧を超える圧力である、請求項20に記載の密閉型デバイス。
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