JPS59983A - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
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- JPS59983A JPS59983A JP57108562A JP10856282A JPS59983A JP S59983 A JPS59983 A JP S59983A JP 57108562 A JP57108562 A JP 57108562A JP 10856282 A JP10856282 A JP 10856282A JP S59983 A JPS59983 A JP S59983A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は半導体レーザ装置の製造方法に係り、特に半導
体発光素子のうちの半導体レーザ素子等のその構造及び
使用上から高精度にマウントする必要のある素子を高精
度に且つ能率良くヒートシンク上にマウントする方法に
関するものである。
体発光素子のうちの半導体レーザ素子等のその構造及び
使用上から高精度にマウントする必要のある素子を高精
度に且つ能率良くヒートシンク上にマウントする方法に
関するものである。
発明の技術的背景とその問題点
当初、光通信用として、開発され現在はビデイオディス
ク、ディジタル・オーディオ・ディスク等の多方面にわ
たって使用されているガリウムーアルミニウムーヒ素系
、ガリウムーヒ素系及びインジウムーガリウムーヒ素−
リン系化合物半導体材料によって形成される半導体レー
ザ等の半導体発光素子は、その構造等の開発が進むにつ
れ小鑞流動作長寿命等や信頼性向上等がなされて来てい
る。しかしながら、小電流動作とはいえ発光をなす活性
領域に於ては略２〜略１０ＫＡ７ｃｍ” の大電流密
度で駆動される。また環境温度やマウントの際の残留応
力等により、これらの半導体発光素子の発揚特性並びに
寿命等が著しく影響を受ける事からヒートシンクへのマ
ウントは細心の注意が払われている。
ク、ディジタル・オーディオ・ディスク等の多方面にわ
たって使用されているガリウムーアルミニウムーヒ素系
、ガリウムーヒ素系及びインジウムーガリウムーヒ素−
リン系化合物半導体材料によって形成される半導体レー
ザ等の半導体発光素子は、その構造等の開発が進むにつ
れ小鑞流動作長寿命等や信頼性向上等がなされて来てい
る。しかしながら、小電流動作とはいえ発光をなす活性
領域に於ては略２〜略１０ＫＡ７ｃｍ” の大電流密
度で駆動される。また環境温度やマウントの際の残留応
力等により、これらの半導体発光素子の発揚特性並びに
寿命等が著しく影響を受ける事からヒートシンクへのマ
ウントは細心の注意が払われている。
通常このヒートシンクとして使われるものとしては、物
質中量も熱伝導の大きいダイヤモンドＨａ型や鋼、鋼等
の熱伝導率の良い金属等があげられる。だがこれら銀や
鋼等の特質は熱伝導車が非常に大きいかわりに、その熱
＊＊係数も大きいのでマウントした際に発光素子に残留
応力の発生がみられ寿命に悪影ｇ６及ぼす。またダイヤ
モンドＩａを用いるとコストがかさむ上に、ダイヤモン
ドＩａが絶縁物であるため電流を流揚る様にしたり、さ
らには半田づけする為に前処理が必要となり工業的には
実用的でない。そこで仁れらのヒートシンクを用いる場
合、その融着金属として軟金属であるインジウム（以下
、Ｉｎと称す）が用いられて来た。しかしながら、この
Ｉｎは酸化による経時変化が大きく、特に大気雰囲気中
の動作では、略４５℃で１０，０００時間穆度の連続動
作で熱抵抗が著しく増加して半導体発光素子からの熱放
散が悪くなり、これＫよシ半導体発光素子の寿命に太き
■ な悪影響を与える。ｔた、このＩｎ は軟金属である事
から強度的にも信頼性に欠ける。上述のことを鑑みて熱
伝導率は鋼等の略１／２以下であるが、熱膨張係数が比
較的ガリウムーヒ素に近いシリコンをヒートシンク（サ
ブマウント）に用い金（以下Ａｕと称す）系共晶合金例
えばＡｕ−シリコン合金、Ａｕ−錫合金、Ａｕ−アンチ
モン合金、Ａｕ−ゲルマニウム合金等を融着金属とする
方法が広く用いられる。その結果、機械的にも強固に且
つ残留応力も少なく、”ｌ を融着金属とした場合と比
較し寿命特性、信頼性共に著しく向上した。
質中量も熱伝導の大きいダイヤモンドＨａ型や鋼、鋼等
の熱伝導率の良い金属等があげられる。だがこれら銀や
鋼等の特質は熱伝導車が非常に大きいかわりに、その熱
＊＊係数も大きいのでマウントした際に発光素子に残留
応力の発生がみられ寿命に悪影ｇ６及ぼす。またダイヤ
モンドＩａを用いるとコストがかさむ上に、ダイヤモン
ドＩａが絶縁物であるため電流を流揚る様にしたり、さ
らには半田づけする為に前処理が必要となり工業的には
実用的でない。そこで仁れらのヒートシンクを用いる場
合、その融着金属として軟金属であるインジウム（以下
、Ｉｎと称す）が用いられて来た。しかしながら、この
Ｉｎは酸化による経時変化が大きく、特に大気雰囲気中
の動作では、略４５℃で１０，０００時間穆度の連続動
作で熱抵抗が著しく増加して半導体発光素子からの熱放
散が悪くなり、これＫよシ半導体発光素子の寿命に太き
■ な悪影響を与える。ｔた、このＩｎ は軟金属である事
から強度的にも信頼性に欠ける。上述のことを鑑みて熱
伝導率は鋼等の略１／２以下であるが、熱膨張係数が比
較的ガリウムーヒ素に近いシリコンをヒートシンク（サ
ブマウント）に用い金（以下Ａｕと称す）系共晶合金例
えばＡｕ−シリコン合金、Ａｕ−錫合金、Ａｕ−アンチ
モン合金、Ａｕ−ゲルマニウム合金等を融着金属とする
方法が広く用いられる。その結果、機械的にも強固に且
つ残留応力も少なく、”ｌ を融着金属とした場合と比
較し寿命特性、信頼性共に著しく向上した。
半導体レーザのｉラントを第１図（ａ）を参照して説明
する。シリコン、鍋、鋼等よりなるサブマウント１２）
上にＡｕ系共晶合金またはＩｎにより溶融接着された後
に１ヘツダー（４）にあらかじめ接着さ゛れている銅ヒ
ートシンク（３）上に半導体レーザ（１）は接着される
。次に電極端子（６）に、Ａｕ１Ｊ−ド線（９）によっ
て接続される。一方、半導体レーザ（１）の後端からの
光を検出しモニターとする光検知器（５）はＡｕ１Ｊ−
ド線ＯＩを通じて電極端子（７）に接続されている。半
導体レーザ（１）と光検知器（５）との共通の電極とし
て共通電極（８）がある。ところが、マウントの位置精
度が従来問題となった。即ち、発光領域において発生し
た熱を効率的にヒートシンクに放熱するために半導体レ
ーザ素子の二つの電極面のうち発光領域に近い方の面を
サブマウントに接着している。したがって接着面から発
光領域までの距離は略２〜略４μｍと近い。その上半導
体レーザからの発揚光の拡がり角度は、２０〜４０度と
拡いから、半導体レーザ素子（１）の端面がサブマウン
ト（２）の端面よす内側になるようにマウントすると、
半導体レーザ素子からの光がサブマウント（２）の上面
で反射され実用上問題となる。一方、半導体レーザ素子
（１）がサブマウント（２）から突き出た場合は、突き
出た部分からの熱放散が悪くなり、半導体レーザ素子内
部に温度分布を生じて寿命に悪影響を与えるＪ仁の様な
事情から、内側に入り込む場合の許容限度値は略５μｍ
以内き出しは略５μｍ以内におさめる必要がある。また
半導体レーザを光学系に組み込む場合は光学系の軸合わ
せを容易にするためＫは半導体レーザ素子（１）とサブ
マウント（２）の端面の平行度はおよそ２度以内にある
こと、および半導体レーザ（１）の発光部分がヘッダー
（４）の外周の中心から±５０μｍ以内にあることが必
要と關と微小なことからヒートシンク上に精度良くマウ
ン°卜する作業は高度な熟練を必要とし、作業能率も低
いことが最大の欠点である。
する。シリコン、鍋、鋼等よりなるサブマウント１２）
上にＡｕ系共晶合金またはＩｎにより溶融接着された後
に１ヘツダー（４）にあらかじめ接着さ゛れている銅ヒ
ートシンク（３）上に半導体レーザ（１）は接着される
。次に電極端子（６）に、Ａｕ１Ｊ−ド線（９）によっ
て接続される。一方、半導体レーザ（１）の後端からの
光を検出しモニターとする光検知器（５）はＡｕ１Ｊ−
ド線ＯＩを通じて電極端子（７）に接続されている。半
導体レーザ（１）と光検知器（５）との共通の電極とし
て共通電極（８）がある。ところが、マウントの位置精
度が従来問題となった。即ち、発光領域において発生し
た熱を効率的にヒートシンクに放熱するために半導体レ
ーザ素子の二つの電極面のうち発光領域に近い方の面を
サブマウントに接着している。したがって接着面から発
光領域までの距離は略２〜略４μｍと近い。その上半導
体レーザからの発揚光の拡がり角度は、２０〜４０度と
拡いから、半導体レーザ素子（１）の端面がサブマウン
ト（２）の端面よす内側になるようにマウントすると、
半導体レーザ素子からの光がサブマウント（２）の上面
で反射され実用上問題となる。一方、半導体レーザ素子
（１）がサブマウント（２）から突き出た場合は、突き
出た部分からの熱放散が悪くなり、半導体レーザ素子内
部に温度分布を生じて寿命に悪影響を与えるＪ仁の様な
事情から、内側に入り込む場合の許容限度値は略５μｍ
以内き出しは略５μｍ以内におさめる必要がある。また
半導体レーザを光学系に組み込む場合は光学系の軸合わ
せを容易にするためＫは半導体レーザ素子（１）とサブ
マウント（２）の端面の平行度はおよそ２度以内にある
こと、および半導体レーザ（１）の発光部分がヘッダー
（４）の外周の中心から±５０μｍ以内にあることが必
要と關と微小なことからヒートシンク上に精度良くマウ
ン°卜する作業は高度な熟練を必要とし、作業能率も低
いことが最大の欠点である。
従来の半導体レーザ装置の製造方法はサブマウント（２
）上に半導体レーザ素子（１）をマウントする場合、あ
らかじめチップ化されたサブマウントに一つづつマウン
トしていた。これまで融着金属として使われていたＩｎ
の場合は、 Ｉｎが柔らかいから半導体レーザ素子を
サブマウント上のＩｎに軽く押しつけることによって仮
固定することが可能であり、仮固定してから温度金玉げ
て合金化することによりある程度の精度を持ったマウン
トができた。だが、Ａｕ−シリコン合金、Ａｕ−錫合金
、Ａｕ−−アンチモン合金、Ａｕ−ゲルマニウム合金等
のＡｕ系共晶合金を融着金属として用いる場合には、こ
の仮固定の方法は使えない。この場合のマウント法ｔ−
第１図（ｂ）を参照して説明する。ダイ・ボンダー上に
固定されたＡｕ系共晶合金００． ＋ｔａの耐着したサ
ブマウント（２）上に、真空吸着端子Ｏｎによって半導
体レーザ素子を移動して位置を決めた後、このｉま真空
吸着端子ａｎを通し略５〜略２０ｇの圧力を加えた状態
で加熱し、Ａｕ系共晶合金・ａυの融点まで温度を上げ
、半導体レーザ素子０１）の電極とシリコンサブマウン
ト（２）上の融着金属ａυが溶は会う事を確認した後、
そのまま融層金属Ｉの融点以下の温度に冷却する。この
場合、融層金属０Ｄの融点例えばＡｕ−錫合金（９０チ
）の場合、２１７℃の近傍まで予備〃０熱をしておいた
場合、融点以上に加熱するには略２０〜略３０秒必要と
なる。
）上に半導体レーザ素子（１）をマウントする場合、あ
らかじめチップ化されたサブマウントに一つづつマウン
トしていた。これまで融着金属として使われていたＩｎ
の場合は、 Ｉｎが柔らかいから半導体レーザ素子を
サブマウント上のＩｎに軽く押しつけることによって仮
固定することが可能であり、仮固定してから温度金玉げ
て合金化することによりある程度の精度を持ったマウン
トができた。だが、Ａｕ−シリコン合金、Ａｕ−錫合金
、Ａｕ−−アンチモン合金、Ａｕ−ゲルマニウム合金等
のＡｕ系共晶合金を融着金属として用いる場合には、こ
の仮固定の方法は使えない。この場合のマウント法ｔ−
第１図（ｂ）を参照して説明する。ダイ・ボンダー上に
固定されたＡｕ系共晶合金００． ＋ｔａの耐着したサ
ブマウント（２）上に、真空吸着端子Ｏｎによって半導
体レーザ素子を移動して位置を決めた後、このｉま真空
吸着端子ａｎを通し略５〜略２０ｇの圧力を加えた状態
で加熱し、Ａｕ系共晶合金・ａυの融点まで温度を上げ
、半導体レーザ素子０１）の電極とシリコンサブマウン
ト（２）上の融着金属ａυが溶は会う事を確認した後、
そのまま融層金属Ｉの融点以下の温度に冷却する。この
場合、融層金属０Ｄの融点例えばＡｕ−錫合金（９０チ
）の場合、２１７℃の近傍まで予備〃０熱をしておいた
場合、融点以上に加熱するには略２０〜略３０秒必要と
なる。
融点以上での温度保持時間は略ｌＯ〜略２０秒必要であ
る。さらに融着後、融点以下に下げる時間が略３０〜略
４０秒と、−工種に略６０秒から略１分０秒の時間を要
する。この外にシリコン・サブマウント（２）の装填及
び取シはすす時間が略５〜略ｌＯ秒かかる。半導体レー
ザ素子（１）とシリコンサブマウント（２）の位置調整
時間が略２０〜略３０秒かかることを含めると一個の半
導体レー＼ザ素子（１）をサブマウント（２）上にマウ
ントするのに必要な時間は、実に略１分３０秒から略２
分以上となる。
る。さらに融着後、融点以下に下げる時間が略３０〜略
４０秒と、−工種に略６０秒から略１分０秒の時間を要
する。この外にシリコン・サブマウント（２）の装填及
び取シはすす時間が略５〜略ｌＯ秒かかる。半導体レー
ザ素子（１）とシリコンサブマウント（２）の位置調整
時間が略２０〜略３０秒かかることを含めると一個の半
導体レー＼ザ素子（１）をサブマウント（２）上にマウ
ントするのに必要な時間は、実に略１分３０秒から略２
分以上となる。
即ち一台のダイ・ボンダーでの処理数は１日８時間稼動
したとすると略２００〜略３００個に過ぎず、従来は非
常に生産性が悪かった。
したとすると略２００〜略３００個に過ぎず、従来は非
常に生産性が悪かった。
発明の目的
本発明は上述の問題点を鑑みてなされたもので、微小な
半導体レーザ素子をサブマウント上に、高精度且つ高能
率、特に昇温時間、降温時間及び着脱に要する時間の大
巾な削減といった高能率でマウントする方法を提供する
ものである。
半導体レーザ素子をサブマウント上に、高精度且つ高能
率、特に昇温時間、降温時間及び着脱に要する時間の大
巾な削減といった高能率でマウントする方法を提供する
ものである。
発明の概要
本発明は複数の単位に区画されたヒートシンク上に半導
体素子をマウントし、このヒートシンクを各嗅位ごとに
分離する半導体レーザ装置の製造方法なので、半導体レ
ーザ素子を非常に高精度且つ高能率に生産できる。
体素子をマウントし、このヒートシンクを各嗅位ごとに
分離する半導体レーザ装置の製造方法なので、半導体レ
ーザ素子を非常に高精度且つ高能率に生産できる。
発明の実施例
第２図を参照して以下本発明の詳細な説明する。第２図
は本発明のシリコン基板の一部である。
は本発明のシリコン基板の一部である。
１１１１面（２０１）、（２０２）は、ダイアモンド・
ソーにより１、５ ｙｎｍの長さに一部切断されており
主面（１１１）は複数の単位ｌＩ３に区画され、所定の
プロセス後は容易に分割が可能な様に厚みの略１／２〜
略１／３ｔでダイアモンド・ノーによる切目（１３１）
が形成されている。（この基板を短冊と以下称す。）仁
の深さは短冊の長さ、幅、厚み等により適宜替える。
ソーにより１、５ ｙｎｍの長さに一部切断されており
主面（１１１）は複数の単位ｌＩ３に区画され、所定の
プロセス後は容易に分割が可能な様に厚みの略１／２〜
略１／３ｔでダイアモンド・ノーによる切目（１３１）
が形成されている。（この基板を短冊と以下称す。）仁
の深さは短冊の長さ、幅、厚み等により適宜替える。
実施例においては、幅は１．５順間隔で厚さ０．３順で
ある。半導体レーザ素子ｉｖウントする１１ＩＪの融層
金属（印は、シリ・・基板側から順次チタ〜÷白ｔｏｗ
ｔｓ’ｉ’Ｑ三層構造となっている。第３図に示す峰に
、この短冊ｔダイ・ボンダーのヒーター（Ｉｅに載置し
、フォーミングガス雰囲気中でＡｕ−錫（Ａｕは１０Ｗ
ｔｌ）の共晶合金の融点２１７°０より高゛く、ＡＵ−
錫（Ａｕは３５ｗｔ１）合金の共晶点（２５２℃）より
やや低の２４０℃近傍に加熱する。この状態では、 Ａ
ｕ−錫の共晶合金は溶融した状態を持続する。
ある。半導体レーザ素子ｉｖウントする１１ＩＪの融層
金属（印は、シリ・・基板側から順次チタ〜÷白ｔｏｗ
ｔｓ’ｉ’Ｑ三層構造となっている。第３図に示す峰に
、この短冊ｔダイ・ボンダーのヒーター（Ｉｅに載置し
、フォーミングガス雰囲気中でＡｕ−錫（Ａｕは１０Ｗ
ｔｌ）の共晶合金の融点２１７°０より高゛く、ＡＵ−
錫（Ａｕは３５ｗｔ１）合金の共晶点（２５２℃）より
やや低の２４０℃近傍に加熱する。この状態では、 Ａ
ｕ−錫の共晶合金は溶融した状態を持続する。
第５図（ａ）の相図中で点Ａの状態である。次に、この
上に真空吸着端子ａｎによって半導体レーザ素子（１’
）を、短冊の端面に精度良く載置し固定する。この場合
、真空吸着端子（ｌ′ｆＩは任意の位置で且つ一定の加
重のもとで固定する構造となっておシ、更ＫＡｕ８ｎ、
の溶解終了温度２８５℃より略１０〜略２０℃高い温度
に加熱する構造である。また、ダイ・ボンダーの短冊を
載置し加熱する台は、マイクロ・メーター・ヘッドによ
ってＸ軸、Ｙ軸の移動調整及び角度調整機構となってい
る。真空吸着端子Ｏｎにより吸着された半導体レーザ素
子（１）はＸ軸、Ｙ軸及び角度調整機構によって短冊上
に精度良く位置される。また真空吸着端子顛の加熱機構
により、Ａｕ８ｎ４の溶解終了温度２８５℃以上の高い
温度に保たれ、短冊上の溶融状態のＡｕ−錫合金（Ａｕ
が１０ｗｔ％）と接触する。半導体レーザ素子（１）表
面°のＡｕは、短冊上の溶融状態のＡｕ−錫合金（Ａｕ
が１ＯＷ１％）へ溶けこみ、Ａｕ＞３ｏｗｔ％と過剰の
状態となる。即ち第５図の相図中で、Ｂ点の状態である
。
上に真空吸着端子ａｎによって半導体レーザ素子（１’
）を、短冊の端面に精度良く載置し固定する。この場合
、真空吸着端子（ｌ′ｆＩは任意の位置で且つ一定の加
重のもとで固定する構造となっておシ、更ＫＡｕ８ｎ、
の溶解終了温度２８５℃より略１０〜略２０℃高い温度
に加熱する構造である。また、ダイ・ボンダーの短冊を
載置し加熱する台は、マイクロ・メーター・ヘッドによ
ってＸ軸、Ｙ軸の移動調整及び角度調整機構となってい
る。真空吸着端子Ｏｎにより吸着された半導体レーザ素
子（１）はＸ軸、Ｙ軸及び角度調整機構によって短冊上
に精度良く位置される。また真空吸着端子顛の加熱機構
により、Ａｕ８ｎ４の溶解終了温度２８５℃以上の高い
温度に保たれ、短冊上の溶融状態のＡｕ−錫合金（Ａｕ
が１０ｗｔ％）と接触する。半導体レーザ素子（１）表
面°のＡｕは、短冊上の溶融状態のＡｕ−錫合金（Ａｕ
が１ＯＷ１％）へ溶けこみ、Ａｕ＞３ｏｗｔ％と過剰の
状態となる。即ち第５図の相図中で、Ｂ点の状態である
。
こ＼で真空吸着端子ａｎの加熱源を切断するとまだ半導
体レーザ素子がマウントされない短冊即ち短冊状シリコ
ンサブマウントの他の区画上ではＡｕ−錫合金（Ａｕが
１０ｗｔ％）が溶融状態であるにもか＼わらず、半導体
レーザ素子（１）は固着される。
体レーザ素子がマウントされない短冊即ち短冊状シリコ
ンサブマウントの他の区画上ではＡｕ−錫合金（Ａｕが
１０ｗｔ％）が溶融状態であるにもか＼わらず、半導体
レーザ素子（１）は固着される。
即ら第５図（ａ）の相図中で点Ｃの状態、即ちＡｕ８ｎ
、：Ａｕ８ｎ、＝ａ ：ｂの混合物である。但しａとｂ
とは第５図ｔａｌ中に示された範囲である。＋ｌＪの電
極中継ポストも同様に固着する。
、：Ａｕ８ｎ、＝ａ ：ｂの混合物である。但しａとｂ
とは第５図ｔａｌ中に示された範囲である。＋ｌＪの電
極中継ポストも同様に固着する。
この様に、次々と短冊上に半導体レーザ素子を固着した
後、短冊即ち短冊状のシリコン基板全敗り出し、半導体
レーザ素子（１）と電極中継ポスト＋ｔＳを超音波ワイ
ヤー・ボンダーにより金線（２５μｍφ）により接続す
る。
後、短冊即ち短冊状のシリコン基板全敗り出し、半導体
レーザ素子（１）と電極中継ポスト＋ｔＳを超音波ワイ
ヤー・ボンダーにより金線（２５μｍφ）により接続す
る。
この様にして製造された短冊第４図に示される。
この実施例に見られるように、例えば２０個のサブマウ
ント（以）２０連と称す）からなる短冊即ち短冊状のシ
リコン基板を用いた場合、ヒーター・舖の昇温及び降温
の回数は一つの短冊あたり各−回となり、ヒーターαｅ
への着脱も各−回となる。
ント（以）２０連と称す）からなる短冊即ち短冊状のシ
リコン基板を用いた場合、ヒーター・舖の昇温及び降温
の回数は一つの短冊あたり各−回となり、ヒーターαｅ
への着脱も各−回となる。
例えば、２０個の半導体レーザ素子を従来の様に１個づ
つマウントした場合と、本発明による短冊即ち２０連の
シリコンサブマウントからなる短冊状のシリコン基板を
用いた場合の所要時間を比較すると第１表の様になる。
つマウントした場合と、本発明による短冊即ち２０連の
シリコンサブマウントからなる短冊状のシリコン基板を
用いた場合の所要時間を比較すると第１表の様になる。
第１表
第１表によれば、従来１７００〜２６００秒、本発明４
５５〜６８０秒となシ、１／４程度の時間で同じ個数の
マウントが可能となった。もちろん位置精度については
従来と同等である。さらに１この様に短冊状とした場合
、次の様な波及効果が生じる、すなわち、通常半導体レ
ーザ素子は光出力による発光部分の光損傷の減少及び結
晶端面の酸化を防ぐ等の目的からスパッターやプラズマ
、ＣＶＤ等ニヨリ、Ａ／２０ｓ ＃ ” ’ ８Ｎ４
ｍ ” ”を等のｍ成体をレーザ出力面に端面保１１１
８１としてつけている。この場合特にスパッターにより
端面保護膜を付着する場合は、通常−面づつ二度にわた
りスパッターを行なうが、この場合、従来の一つづつの
シリコンサブマウントで１１、装置への装着が非常にた
いへんであるが、本発明の後数個の連なった短冊即ち短
冊状のシリコン基板を用いる場合非常な時間の短縮とな
った。
５５〜６８０秒となシ、１／４程度の時間で同じ個数の
マウントが可能となった。もちろん位置精度については
従来と同等である。さらに１この様に短冊状とした場合
、次の様な波及効果が生じる、すなわち、通常半導体レ
ーザ素子は光出力による発光部分の光損傷の減少及び結
晶端面の酸化を防ぐ等の目的からスパッターやプラズマ
、ＣＶＤ等ニヨリ、Ａ／２０ｓ ＃ ” ’ ８Ｎ４
ｍ ” ”を等のｍ成体をレーザ出力面に端面保１１１
８１としてつけている。この場合特にスパッターにより
端面保護膜を付着する場合は、通常−面づつ二度にわた
りスパッターを行なうが、この場合、従来の一つづつの
シリコンサブマウントで１１、装置への装着が非常にた
いへんであるが、本発明の後数個の連なった短冊即ち短
冊状のシリコン基板を用いる場合非常な時間の短縮とな
った。
たとえば２０連の場合は２０分のｌ程度となった。
実施例では、サブマウント（ヒート７ンク）面の金楓と
してＡｕ−錫合金を用いたが、Ａｕ−鉛合金、ＡＵ−テ
ルル合金のいずれを用いても本発明全適用することがで
きる。それぞれの場合のマウントにおける相変化を第５
図（ｂ） 、 （Ｃ）に示す。
してＡｕ−錫合金を用いたが、Ａｕ−鉛合金、ＡＵ−テ
ルル合金のいずれを用いても本発明全適用することがで
きる。それぞれの場合のマウントにおける相変化を第５
図（ｂ） 、 （Ｃ）に示す。
発明の効果
本発明の半導体レーザ装置の製造方法によれば、複数の
単位に区画されたヒートシンク上に半導体素子をマウン
トし、このヒートシンクを各単位ごとに分離するので、
マウントのために昇温降温する回数が減少し高能率にま
た高精度に半導体レーザ素子を生産できる。
単位に区画されたヒートシンク上に半導体素子をマウン
トし、このヒートシンクを各単位ごとに分離するので、
マウントのために昇温降温する回数が減少し高能率にま
た高精度に半導体レーザ素子を生産できる。
第１図（ａｔは半導体レーザ装置の構造図、第１図（ｂ
ｌはサブマウントにマウントする際の半導体レーザ素子
の模式図、第２図は複数個連なったシリコンサブマウン
トの斜視図、第３図は本発明の一実施例のマウント方法
の模式図、第４図は本発明の一実施例のマウント及び電
極ボンディングを行なった半導体レーザ素子の一部切欠
斜視図、第５図（ａｌは本実施例に用いた金−錫共晶相
図、第５図（ｂ）は金−錫共晶相図、第５図（Ｃ）は金
〜テルル共晶相図である。 ＋１）・・半導体レーザ素子、（２）・サブマウント１
３）・・・ヒートシンク、 （１１・・・単位（７
３１７） 代理人 弁理士 則 近 憲 市 （ほか
１名）第 １ 図 （α） （／Ａ） 第 ４ 図 １５図 （の） 第７５図 （−＆） （Ｃ） ７４ｕ４−組成比→ 乃（Ｗ超）
ｌはサブマウントにマウントする際の半導体レーザ素子
の模式図、第２図は複数個連なったシリコンサブマウン
トの斜視図、第３図は本発明の一実施例のマウント方法
の模式図、第４図は本発明の一実施例のマウント及び電
極ボンディングを行なった半導体レーザ素子の一部切欠
斜視図、第５図（ａｌは本実施例に用いた金−錫共晶相
図、第５図（ｂ）は金−錫共晶相図、第５図（Ｃ）は金
〜テルル共晶相図である。 ＋１）・・半導体レーザ素子、（２）・サブマウント１
３）・・・ヒートシンク、 （１１・・・単位（７
３１７） 代理人 弁理士 則 近 憲 市 （ほか
１名）第 １ 図 （α） （／Ａ） 第 ４ 図 １５図 （の） 第７５図 （−＆） （Ｃ） ７４ｕ４−組成比→ 乃（Ｗ超）
Claims (2)
- （１）複数の単位に区画されたヒートシンク上に半導体
素子をマウントする工程と、前記ヒートシンクを単位ご
とに分離する工程とを具備する半導体レーザ装置の製造
方法。 - （２）前記マウントする工程は、前記ヒートシンクのマ
ウント面を覆う合金の融液に半導体素子の前記マウント
面を覆う金属を溶かしこむことによって凝固終了温度を
上昇させる工程を有すること全特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体レーザ装置の製造方法。 １３） 前記ヒートシンクはシリコンまたはガリウム
ーヒ素のいづれかもなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体レーザ＊ｉｉの製造方法。 １４１ 前記ヒートシンクの前記マウント面の金属が
金−錫合金または金−テルル合金または金−鉛合金のう
ちいづれからなシ且つ前記半導体素子の前記マウント面
が金であることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57108562A JPS59983A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57108562A JPS59983A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59983A true JPS59983A (ja) | 1984-01-06 |
Family
ID=14487968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57108562A Pending JPS59983A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59983A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0588406A1 (en) * | 1992-09-07 | 1994-03-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a block-shaped support body for a semiconductor component |
| US5578866A (en) * | 1992-09-07 | 1996-11-26 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a block-shaped support body for a semiconductor component |
| JP2002305345A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Cimeo Precision Co Ltd | レーザダイオード用サブマウント及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP57108562A patent/JPS59983A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0588406A1 (en) * | 1992-09-07 | 1994-03-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a block-shaped support body for a semiconductor component |
| US5578866A (en) * | 1992-09-07 | 1996-11-26 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a block-shaped support body for a semiconductor component |
| JP2002305345A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Cimeo Precision Co Ltd | レーザダイオード用サブマウント及びその製造方法 |
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