JP2000004041A - 半導体受光素子と受光方法 - Google Patents
半導体受光素子と受光方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 受光部分の実効的な面積を増大せしめると共
に、光電変換の際生成されたキャリアの走行距離を短縮
し、高速動作を可能にした半導体受光素子を提供する。 【解決手段】 半導体基板１上にコア層３とクラッド層
２、４とを積層させた半導体受光素子において、前記コ
ア層３を複数設け、前記複数のコア層３の端面に所定の
波長の光を入射せしめるように構成したことを特徴とす
る。
に、光電変換の際生成されたキャリアの走行距離を短縮
し、高速動作を可能にした半導体受光素子を提供する。 【解決手段】 半導体基板１上にコア層３とクラッド層
２、４とを積層させた半導体受光素子において、前記コ
ア層３を複数設け、前記複数のコア層３の端面に所定の
波長の光を入射せしめるように構成したことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体受光素子と
その変換方法に係わり、特に、受光部の実効面積を増大
させると共に、高速度動作を可能にした半導体受光素子
に関する。
その変換方法に係わり、特に、受光部の実効面積を増大
させると共に、高速度動作を可能にした半導体受光素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体受光素子としては、例えば、特開
平４−２６８７７０号公報に記載された「半導体導波路
型受光素子」が知られている。図２はその構成を示す斜
視図であって、１１はキャリア濃度１×１０18ｃｍ-3の
ｎ+ −ＩｎＰ基板、１２は厚さ２μｍ、キャリア濃度１
×１０18ｃｍ-3およびバンドギャップ波長１．３７μｍ
のｎ+ −Ｉｎ1-x Ｇａx Ａｓy Ｐ1-y （ｘ＝０．３３，
ｙ＝０．７）下部クラッド層、１３は厚さ０．１μｍ、
キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3およびバンドギャップ波
長１．４２μｍのｎ+ −Ｉｎ1-x ＧａxＡｓy Ｐ
1-y （ｘ＝０．３５，ｙ＝０．７６）コア層、１４およ
び１５は上部クラッド層の大部分を占めるノンドープの
半導体多層膜であり、厚さ０．００５μｍおよびバンド
ギャップ波長１．５７μｍのＩｎ1-x Ｇａx Ａｓy Ｐ
1-y （ｘ＝０．４２，ｙ＝０．９）と厚さ０．０１μｍ
およびバンドギャップ波長１．２９μｍのＩｎ1-x Ｇａ
x Ａｓy Ｐ1-y （ｘ＝０．２８，ｙ＝０．６）とを交互
に２０周期積層して構成されている。１６は上部クラッ
ド層の残りの部分を構成する、厚さ２μｍ、キャリア濃
度１×１０18ｃｍ-3のｐ+ −Ｉｎ1-x Ｇａx Ａｓy Ｐ
1-y （ｘ＝０．３３，ｙ＝０．７）層である。１７は基
板１１の下面に配置したｎ側電極、１８は層１６の上面
に配置したｐ側電極である。
平４−２６８７７０号公報に記載された「半導体導波路
型受光素子」が知られている。図２はその構成を示す斜
視図であって、１１はキャリア濃度１×１０18ｃｍ-3の
ｎ+ −ＩｎＰ基板、１２は厚さ２μｍ、キャリア濃度１
×１０18ｃｍ-3およびバンドギャップ波長１．３７μｍ
のｎ+ −Ｉｎ1-x Ｇａx Ａｓy Ｐ1-y （ｘ＝０．３３，
ｙ＝０．７）下部クラッド層、１３は厚さ０．１μｍ、
キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3およびバンドギャップ波
長１．４２μｍのｎ+ −Ｉｎ1-x ＧａxＡｓy Ｐ
1-y （ｘ＝０．３５，ｙ＝０．７６）コア層、１４およ
び１５は上部クラッド層の大部分を占めるノンドープの
半導体多層膜であり、厚さ０．００５μｍおよびバンド
ギャップ波長１．５７μｍのＩｎ1-x Ｇａx Ａｓy Ｐ
1-y （ｘ＝０．４２，ｙ＝０．９）と厚さ０．０１μｍ
およびバンドギャップ波長１．２９μｍのＩｎ1-x Ｇａ
x Ａｓy Ｐ1-y （ｘ＝０．２８，ｙ＝０．６）とを交互
に２０周期積層して構成されている。１６は上部クラッ
ド層の残りの部分を構成する、厚さ２μｍ、キャリア濃
度１×１０18ｃｍ-3のｐ+ −Ｉｎ1-x Ｇａx Ａｓy Ｐ
1-y （ｘ＝０．３３，ｙ＝０．７）層である。１７は基
板１１の下面に配置したｎ側電極、１８は層１６の上面
に配置したｐ側電極である。
【０００３】層１１、１２および１３はｎ電極層、１４
および１５は低キャリア濃度層、１６はｐ電極であり、
これらのうち多層膜１５を形成するＩｎ1-x Ｇａx Ａｓ
y Ｐ 1-y （ｘ＝０．４２，ｙ＝０．９）のみが波長１．
５５μｍの光を吸収し得るようになっている。しかし、
上記したものは、クラッド層を構成する多層膜でのみ光
を吸収する構造であるから、受光面積が小さく、したが
って、効率が悪いという欠点があった。
および１５は低キャリア濃度層、１６はｐ電極であり、
これらのうち多層膜１５を形成するＩｎ1-x Ｇａx Ａｓ
y Ｐ 1-y （ｘ＝０．４２，ｙ＝０．９）のみが波長１．
５５μｍの光を吸収し得るようになっている。しかし、
上記したものは、クラッド層を構成する多層膜でのみ光
を吸収する構造であるから、受光面積が小さく、したが
って、効率が悪いという欠点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、受光部分の実効的
な面積を増大せしめると共に、光電変換の際生成された
キャリアの走行距離を短縮し、以って、高速動作を可能
にした新規な半導体受光素子とその変換方法を提供する
ものである。
した従来技術の欠点を改良し、特に、受光部分の実効的
な面積を増大せしめると共に、光電変換の際生成された
キャリアの走行距離を短縮し、以って、高速動作を可能
にした新規な半導体受光素子とその変換方法を提供する
ものである。
【０００５】本発明の他の目的は、低電圧動作を可能に
した新規な半導体受光素子とその変換方法を提供するも
のである。
した新規な半導体受光素子とその変換方法を提供するも
のである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わる半
導体受光素子の第１態様は、半導体基板上にコア層とク
ラッド層とを積層させた半導体受光素子において、前記
コア層を複数設け、前記複数のコア層の端面に所定の波
長の光を入射せしめるように構成したものであり、又、
第２態様は、半導体基板上にコア層とクラッド層とを積
層させた半導体受光素子において、クラッド層である第
１導電型の第１の半導体層上に光吸収層である第２導電
型の第２の半導体層を形成し、更にこの上にクラッド層
である第３導電型の第３の半導体層を形成し、更にこの
上に光吸収層である第２導電型の第２の半導体層を形成
することで複数のコア層を設け、このように形成した複
数のコア層の端面に所定の波長の光を入射せしめるよう
に構成したものであり、又、第３態様は、前記夫々の半
導体層は、真性半導体層とこの真性半導体層の一方の側
に形成されたｐ型半導体層と他方の側に形成されたｎ型
半導体層とからなる光電変換部分が複数組形成されてい
ることを特徴とするものであり、又、第４態様は、前記
第１導電型の第１の半導体層はＩｎＰからなる第１導電
型の半導体層であり、前記第２導電型の第２の半導体層
はＩｎＧａＡｓからなる真性半導体からなる半導体層で
あり、前記第３１導電型の第３の半導体層はＩｎＰから
なる半導体層であることを特徴とするものであり、又、
第５態様は、前記コア層は少なくとも５層備えているこ
とを特徴とするものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わる半
導体受光素子の第１態様は、半導体基板上にコア層とク
ラッド層とを積層させた半導体受光素子において、前記
コア層を複数設け、前記複数のコア層の端面に所定の波
長の光を入射せしめるように構成したものであり、又、
第２態様は、半導体基板上にコア層とクラッド層とを積
層させた半導体受光素子において、クラッド層である第
１導電型の第１の半導体層上に光吸収層である第２導電
型の第２の半導体層を形成し、更にこの上にクラッド層
である第３導電型の第３の半導体層を形成し、更にこの
上に光吸収層である第２導電型の第２の半導体層を形成
することで複数のコア層を設け、このように形成した複
数のコア層の端面に所定の波長の光を入射せしめるよう
に構成したものであり、又、第３態様は、前記夫々の半
導体層は、真性半導体層とこの真性半導体層の一方の側
に形成されたｐ型半導体層と他方の側に形成されたｎ型
半導体層とからなる光電変換部分が複数組形成されてい
ることを特徴とするものであり、又、第４態様は、前記
第１導電型の第１の半導体層はＩｎＰからなる第１導電
型の半導体層であり、前記第２導電型の第２の半導体層
はＩｎＧａＡｓからなる真性半導体からなる半導体層で
あり、前記第３１導電型の第３の半導体層はＩｎＰから
なる半導体層であることを特徴とするものであり、又、
第５態様は、前記コア層は少なくとも５層備えているこ
とを特徴とするものである。
【０００７】又、本発明に係る半導体受光素子の変換方
法の態様は、半導体基板上にコア層とクラッド層とを積
層させた半導体受光素子の変換方法において、クラッド
層である第１導電型の第１の半導体層上に光吸収層であ
る第２導電型の第２の半導体層を形成し、更にこの上に
第３導電型の第３の半導体層を形成し、更にこの上に光
吸収層である第２導電型の第２の半導体層を形成するこ
とで複数のコア層を形成し、このように形成した複数の
コア層の端面に所定の波長の光を入射せしめ、前記複数
のコア層で生じたキャリアを前記コア層に隣接する第１
又は第３の半導体層に導くことで、光電変換の際生成し
たキャリアの走行距離を短くしたことを特徴とするもの
である。
法の態様は、半導体基板上にコア層とクラッド層とを積
層させた半導体受光素子の変換方法において、クラッド
層である第１導電型の第１の半導体層上に光吸収層であ
る第２導電型の第２の半導体層を形成し、更にこの上に
第３導電型の第３の半導体層を形成し、更にこの上に光
吸収層である第２導電型の第２の半導体層を形成するこ
とで複数のコア層を形成し、このように形成した複数の
コア層の端面に所定の波長の光を入射せしめ、前記複数
のコア層で生じたキャリアを前記コア層に隣接する第１
又は第３の半導体層に導くことで、光電変換の際生成し
たキャリアの走行距離を短くしたことを特徴とするもの
である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に係わる半導体受光素子
は、半導体基板上にコア層とクラッド層とを積層させた
半導体受光素子において、前記コア層を複数設け、前記
複数のコア層の端面に所定の波長の光を入射せしめるよ
うに構成したものであるから、受光部分の実効的な面積
を増大させる。
は、半導体基板上にコア層とクラッド層とを積層させた
半導体受光素子において、前記コア層を複数設け、前記
複数のコア層の端面に所定の波長の光を入射せしめるよ
うに構成したものであるから、受光部分の実効的な面積
を増大させる。
【０００９】この場合、前記夫々の半導体層は、真性半
導体層とこの真性半導体層の一方の側に形成されたｐ型
半導体層と他方の側に形成されたｎ型半導体層とからな
る光電変換部分が複数組形成されているものであるか
ら、光電変換の際生成されたキャリアは隣接するｐ型半
導体層又はｎ型半導体層に導かれ、従って、キャリアの
走行距離が短くなり、これにより高速動作を可能にし
た。
導体層とこの真性半導体層の一方の側に形成されたｐ型
半導体層と他方の側に形成されたｎ型半導体層とからな
る光電変換部分が複数組形成されているものであるか
ら、光電変換の際生成されたキャリアは隣接するｐ型半
導体層又はｎ型半導体層に導かれ、従って、キャリアの
走行距離が短くなり、これにより高速動作を可能にし
た。
【００１０】
【実施例】以下に、本発明に係わる半導体受光素子の具
体例を図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本
発明に係わる半導体受光素子の具体例の構造を示す図で
あって、これらの図には、半導体基板１上にコア層３と
クラッド層２、４とを積層させた半導体受光素子におい
て、前記コア層３を複数設け、前記複数のコア層３の端
面に所定の波長の光７を入射せしめるように構成した半
導体受光素子が示されている。
体例を図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本
発明に係わる半導体受光素子の具体例の構造を示す図で
あって、これらの図には、半導体基板１上にコア層３と
クラッド層２、４とを積層させた半導体受光素子におい
て、前記コア層３を複数設け、前記複数のコア層３の端
面に所定の波長の光７を入射せしめるように構成した半
導体受光素子が示されている。
【００１１】又、夫々の半導体層は、真性半導体層３と
この真性半導体層３の一方の側に形成されたｎ型半導体
層２と他方の側に形成されたｐ型半導体層４とからなる
光電変換部分８が複数組形成されている半導体受光素子
が示されている。以下に、本発明を更に詳細に説明す
る。半絶縁性ＩｎＰ基板１上に第１の導電型の第１の半
導体層であるｎ+ −ＩｎＰ層２（Ｎ＝１Ｅ１６ｃｍ-3，
膜厚Ｔ＝０．１μｍ）、第２の導電型の第２の半導体層
であるｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層３（Ｎ＝１Ｅ１５ｃ
ｍ-3，Ｔ＝０．２μｍ）、第３の導電型の第３の半導体
層であるｐ+ −ＩｎＰ層４（Ｎ＝１Ｅ１６ｃｍ-3，Ｔ＝
０．１μｍ）、第２の導電型の第２の半導体層であるｎ
- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層３（Ｎ＝１Ｅ１５ｃｍ-3，Ｔ
＝０．２μｍ）、第１の導電型の第１の半導体層である
ｎ+ −ＩｎＰ層２（Ｎ＝１Ｅ１６ｃｍ-3，Ｔ＝０．１μ
ｍ）、第２の導電型の第２の半導体層であるｎ- −Ｉｎ
ＧａＡｓ光吸収層３（Ｎ＝１Ｅ１５ｃｍ-3，Ｔ＝０．２
μｍ）、第３の導電型の第３の半導体層であるｐ+ −Ｉ
ｎＰ層４（Ｎ＝１Ｅ１６ｃｍ-3，Ｔ＝０．１μｍ）、の
ように半導体層がエピタキシャル成長により形成され、
このようにしてコア層である第２の導電型の第２の半導
体層であるｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層３（Ｎ＝１Ｅ１
５ｃｍ-3，Ｔ＝０．２μｍ）が、５層設けられている。
この真性半導体層３の一方の側に形成されたｎ型半導体
層２と他方の側に形成されたｐ型半導体層４とからなる
光電変換部分８が複数組形成されている半導体受光素子
が示されている。以下に、本発明を更に詳細に説明す
る。半絶縁性ＩｎＰ基板１上に第１の導電型の第１の半
導体層であるｎ+ −ＩｎＰ層２（Ｎ＝１Ｅ１６ｃｍ-3，
膜厚Ｔ＝０．１μｍ）、第２の導電型の第２の半導体層
であるｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層３（Ｎ＝１Ｅ１５ｃ
ｍ-3，Ｔ＝０．２μｍ）、第３の導電型の第３の半導体
層であるｐ+ −ＩｎＰ層４（Ｎ＝１Ｅ１６ｃｍ-3，Ｔ＝
０．１μｍ）、第２の導電型の第２の半導体層であるｎ
- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層３（Ｎ＝１Ｅ１５ｃｍ-3，Ｔ
＝０．２μｍ）、第１の導電型の第１の半導体層である
ｎ+ −ＩｎＰ層２（Ｎ＝１Ｅ１６ｃｍ-3，Ｔ＝０．１μ
ｍ）、第２の導電型の第２の半導体層であるｎ- −Ｉｎ
ＧａＡｓ光吸収層３（Ｎ＝１Ｅ１５ｃｍ-3，Ｔ＝０．２
μｍ）、第３の導電型の第３の半導体層であるｐ+ −Ｉ
ｎＰ層４（Ｎ＝１Ｅ１６ｃｍ-3，Ｔ＝０．１μｍ）、の
ように半導体層がエピタキシャル成長により形成され、
このようにしてコア層である第２の導電型の第２の半導
体層であるｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層３（Ｎ＝１Ｅ１
５ｃｍ-3，Ｔ＝０．２μｍ）が、５層設けられている。
【００１２】そして、導波路受光部として輻１５μｍの
ストライプをエッチングにより形成する。前記導波路の
両側をｎ+ −ＩｎＰ層２Ａにて再度埋め込んだ後、導波
路の片側をＺｎ等の拡散によりｐ+ −ＩｎＰ層４Ａを形
成する。最後に、導波路両側のｎ+ −ＩｎＰ膜２Ａ及び
ｐ+ −Ｉｎｐ層４Ａ上にそれぞれ電極２Ｂ、４Ｂを形成
する。
ストライプをエッチングにより形成する。前記導波路の
両側をｎ+ −ＩｎＰ層２Ａにて再度埋め込んだ後、導波
路の片側をＺｎ等の拡散によりｐ+ −ＩｎＰ層４Ａを形
成する。最後に、導波路両側のｎ+ −ＩｎＰ膜２Ａ及び
ｐ+ −Ｉｎｐ層４Ａ上にそれぞれ電極２Ｂ、４Ｂを形成
する。
【００１３】このようにして形成した導波路型ＰＩＮ−
ＰＤの端面側（ＩｎＧａＡｓ光吸収層３およびＩｎＰ層
２、４の端面）に波長１．３又は１．５５μｍの光を入
射させると、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３から入射した光
は、ＩｎＧａＡｓ層３内で吸収され、光電変換された
る。そして、光電変換の際生成したキャリアは、上下に
設けられたＩｎＰ層２、４に印加した電界により誘導さ
れ外部回路へと流れる。
ＰＤの端面側（ＩｎＧａＡｓ光吸収層３およびＩｎＰ層
２、４の端面）に波長１．３又は１．５５μｍの光を入
射させると、ＩｎＧａＡｓ光吸収層３から入射した光
は、ＩｎＧａＡｓ層３内で吸収され、光電変換された
る。そして、光電変換の際生成したキャリアは、上下に
設けられたＩｎＰ層２、４に印加した電界により誘導さ
れ外部回路へと流れる。
【００１４】この場合、前記夫々の半導体層は、真性半
導体層３とこの真性半導体層３の一方の側に形成された
ｐ型半導体層４と他方の側に形成されたｎ型半導体層２
とからなる光電変換部分８が複数組形成されているもの
であるから、光電変換の際生成されたキャリアは隣接す
るｐ型半導体層４又はｎ型半導体層２に導かれ、従っ
て、キャリアの走行距離が短くなり、これにより高速動
作が可能になる。
導体層３とこの真性半導体層３の一方の側に形成された
ｐ型半導体層４と他方の側に形成されたｎ型半導体層２
とからなる光電変換部分８が複数組形成されているもの
であるから、光電変換の際生成されたキャリアは隣接す
るｐ型半導体層４又はｎ型半導体層２に導かれ、従っ
て、キャリアの走行距離が短くなり、これにより高速動
作が可能になる。
【００１５】このように構成した本発明の半導体受光素
子では、光吸収層３を薄膜化し、且つ、光吸収層３を上
下に設けたｎ+ −ＩｎＰ層２及びｐ+ −ＩｎＰ層４にて
挟むことで１Ｖ以下の電圧でＩｎＧａＡｓ層３を空乏化
させることができ、しかも、この場合、光吸収層３内に
生成したキャリアは隣接するｎ+ −ＩｎＰ層２及びｐ +
−ＩｎＰ層４に導かれるからキャリアの走行距離を短く
なり、高速動作が可能となる。
子では、光吸収層３を薄膜化し、且つ、光吸収層３を上
下に設けたｎ+ −ＩｎＰ層２及びｐ+ −ＩｎＰ層４にて
挟むことで１Ｖ以下の電圧でＩｎＧａＡｓ層３を空乏化
させることができ、しかも、この場合、光吸収層３内に
生成したキャリアは隣接するｎ+ −ＩｎＰ層２及びｐ +
−ＩｎＰ層４に導かれるからキャリアの走行距離を短く
なり、高速動作が可能となる。
【００１６】また、薄膜化したＩｎＧａＡｓ層３及びＩ
ｎＰ層２、４を積み重ねることで、実効的な吸収層の面
積を広く取ることができる（約３μｍ）ため、高い結合
効率を得ることができる。この状態では、動作周波数
は、２０ＧＨｚ以上であり、動作電圧を１Ｖ以下にする
ことができ、結合効率（外部量子効率）は、９０％以上
であった。
ｎＰ層２、４を積み重ねることで、実効的な吸収層の面
積を広く取ることができる（約３μｍ）ため、高い結合
効率を得ることができる。この状態では、動作周波数
は、２０ＧＨｚ以上であり、動作電圧を１Ｖ以下にする
ことができ、結合効率（外部量子効率）は、９０％以上
であった。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係る半導体受光素子は、上述の
ように構成したので、受光部分の実効的な面積を増大さ
せ効率を向上させることができた。更に、光電変換の際
生成されたキャリアの走行距離を短縮し、これにより高
速動作を可能にした。
ように構成したので、受光部分の実効的な面積を増大さ
せ効率を向上させることができた。更に、光電変換の際
生成されたキャリアの走行距離を短縮し、これにより高
速動作を可能にした。
【００１８】又、光吸収層の膜厚を薄くしたため、空乏
化する電圧が低くなり、これにより低電圧化することが
できた。
化する電圧が低くなり、これにより低電圧化することが
できた。
【図１】本発明に係る半導体受光素子を示し、（ａ）は
斜視図、（ｂ）は断面図である。
斜視図、（ｂ）は断面図である。
【図２】従来技術の斜視図である。
１ 半導体ＩｎＰ基板 ２ ｎ+ −ＩｎＰ層 ３ ｎ- −ＩｎＧａＡｓ層 ４ ｐ+ −ＩｎＰ層 ７ 入射光 ８ 光電変換部分
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板上にコア層とクラッド層とを
積層させた半導体受光素子において、 前記コア層を複数設け、前記複数のコア層の端面に所定
の波長の光を入射せしめるように構成したことを特徴と
する半導体受光素子。 - 【請求項２】 半導体基板上にコア層とクラッド層とを
積層させた半導体受光素子において、 クラッド層である第１導電型の第１の半導体層上に光吸
収層である第２導電型の第２の半導体層を形成し、更に
この上にクラッド層である第３導電型の第３の半導体層
を形成し、更にこの上に光吸収層である第２導電型の第
２の半導体層を形成することで複数のコア層を設け、こ
のように形成した複数のコア層の端面に所定の波長の光
を入射せしめるように構成したことを特徴とする半導体
受光素子。 - 【請求項３】 前記夫々の半導体層は、真性半導体層と
この真性半導体層の一方の側に形成されたｐ型半導体層
と他方の側に形成されたｎ型半導体層とからなる光電変
換部分が複数組形成されていることを特徴とする請求項
１又は２記載の半導体受光素子。 - 【請求項４】 前記第１導電型の第１の半導体層はＩｎ
Ｐからなる第１導電型の半導体層であり、前記第２導電
型の第２の半導体層はＩｎＧａＡｓからなる真性半導体
の半導体層であり、前記第３導電型の第３の半導体層は
ＩｎＰからなる半導体層であることを特徴とする請求項
１乃至３の何れかに記載の半導体受光素子。 - 【請求項５】 前記コア層は少なくとも５層備えている
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の半導
体受光素子。 - 【請求項６】 半導体基板上にコア層とクラッド層とを
積層させた半導体受光素子の変換方法において、 クラッド層である第１導電型の第１の半導体層上に光吸
収層である第２導電型の第２の半導体層を形成し、更に
この上に第３導電型の第３の半導体層を形成し、更にこ
の上に光吸収層である第２導電型の第２の半導体層を形
成することで複数のコア層を形成し、このように形成し
た複数のコア層の端面に所定の波長の光を入射せしめ、
前記複数のコア層で生じたキャリアを前記コア層に隣接
する第１又は第３の半導体層に導くことを特徴とする半
導体受光素子の変換方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16667698A JP3555924B2 (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | 半導体受光素子 |
| EP99111600A EP0966046B1 (en) | 1998-06-15 | 1999-06-15 | Semiconductor photodetector with an increased photo receiving area and exhibiting high speed performances |
| DE69935371T DE69935371T2 (de) | 1998-06-15 | 1999-06-15 | Halbleiterphotodetektor mit erhöhter lichtempfänglicher Oberfläche und Hochgeschwindigkeitsleistung |
| US09/333,886 US6271546B1 (en) | 1998-06-15 | 1999-06-15 | Semiconductor photodetector with an increased photo receiving area and exhibiting high speed performances |
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|---|---|---|---|
| JP16667698A JP3555924B2 (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | 半導体受光素子 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000004041A true JP2000004041A (ja) | 2000-01-07 |
| JP3555924B2 JP3555924B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=15835670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16667698A Expired - Fee Related JP3555924B2 (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | 半導体受光素子 |
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| Country | Link |
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| EP (1) | EP0966046B1 (ja) |
| JP (1) | JP3555924B2 (ja) |
| DE (1) | DE69935371T2 (ja) |
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| JPH1090540A (ja) | 1996-09-17 | 1998-04-10 | Hitachi Ltd | 半導体受光素子、半導体受光装置および半導体装置 |
| US6075254A (en) * | 1998-02-06 | 2000-06-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Polarization insensitive/independent semiconductor waveguide modulator using tensile stressors |
-
1998
- 1998-06-15 JP JP16667698A patent/JP3555924B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-06-15 EP EP99111600A patent/EP0966046B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-15 DE DE69935371T patent/DE69935371T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-15 US US09/333,886 patent/US6271546B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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| DE69935371T2 (de) | 2007-11-15 |
| EP0966046A3 (en) | 2000-02-02 |
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| EP0966046A2 (en) | 1999-12-22 |
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