IT1251009B - Procedimento per precaricare linee di ingresso/uscita di un dispositivo di memoria - Google Patents

Procedimento per precaricare linee di ingresso/uscita di un dispositivo di memoria

Info

Publication number
IT1251009B
IT1251009B ITMI912251A ITMI912251A IT1251009B IT 1251009 B IT1251009 B IT 1251009B IT MI912251 A ITMI912251 A IT MI912251A IT MI912251 A ITMI912251 A IT MI912251A IT 1251009 B IT1251009 B IT 1251009B
Authority
IT
Italy
Prior art keywords
signal
charge
address
output lines
input
Prior art date
Application number
ITMI912251A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of ITMI912251A0 publication Critical patent/ITMI912251A0/it
Publication of ITMI912251A1 publication Critical patent/ITMI912251A1/it
Application granted granted Critical
Publication of IT1251009B publication Critical patent/IT1251009B/it

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1048Data bus control circuits, e.g. precharging, presetting, equalising
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • G11C11/413Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

Procedimento per mantenere un livello stabile di precarica ed equalizzazione di linee di ingresso/uscita ed eseguire l'accesso a dati veloce durante il ciclo attivo di un segnale di selezione di indirizzi di riga. Nel dispositivo di memoria a semiconduttore inventivo leggendo attraverso linee di bit l'informazione memorizzata in una cella di memoria, producendo l'informazione letta attraverso una linea di colonna selezionata, e precaricando o equilizzando le linee di ingresso/uscita ad un livello predeterminato impiegando un primo e secondo circuiti di precarica collegati tra le linee di ingresso/uscita, un primo segnale di precarica in conformità con un indirizzo per selezionare una linea di parole è alimentato al primo circuito di precarica, durante un intervallo di tempo prima che il segnale di indirizzo sia applicato al primo circuito di precarica. Quindi, un secondo segnale di precarica in conformità con l'indirizzo e un segnale di selezione di linea di colonna è alimentato al secondo circuito di precarica, durante un intervallo di tempo dalla ricezione del segnale di indirizzo sino ad un momento in cui il segnale di selezione di linea di colonna viene abilitato, e le linee di ingresso/uscita sono collegate alle linee di bit con una differenza di potenziale predeterminata fra esse, in conformità con il segnale di selezione di linea di colonna. Successivamente, il secondo segnale di precarica è alimentato al secondo circuito di precarica, dopo che il segnale di selezione di linee di colonna è stato disabilitato, e quindi l'alimentazione del secondo segnale di precarica è completata quando è completato il segnale di indirizzo, ed il primo segnale di precarica è alimentato al primo circuito di precarica.
ITMI912251A 1991-05-24 1991-08-13 Procedimento per precaricare linee di ingresso/uscita di un dispositivo di memoria IT1251009B (it)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910008456A KR940001644B1 (ko) 1991-05-24 1991-05-24 메모리 장치의 입출력 라인 프리차아지 방법

Publications (3)

Publication Number Publication Date
ITMI912251A0 ITMI912251A0 (it) 1991-08-13
ITMI912251A1 ITMI912251A1 (it) 1993-02-13
IT1251009B true IT1251009B (it) 1995-04-28

Family

ID=19314874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ITMI912251A IT1251009B (it) 1991-05-24 1991-08-13 Procedimento per precaricare linee di ingresso/uscita di un dispositivo di memoria

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5262995A (it)
JP (1) JP2601583B2 (it)
KR (1) KR940001644B1 (it)
DE (1) DE4124895C2 (it)
FR (1) FR2676854B1 (it)
GB (1) GB2256071B (it)
IT (1) IT1251009B (it)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950009234B1 (ko) * 1992-02-19 1995-08-18 삼성전자주식회사 반도체 메모리장치의 비트라인 분리클럭 발생장치
KR960006271B1 (ko) * 1993-08-14 1996-05-13 삼성전자주식회사 고속동작을 위한 입출력라인구동방식을 가지는 반도체메모리장치
US5402379A (en) * 1993-08-31 1995-03-28 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Precharge device for an integrated circuit internal bus
US5706237A (en) * 1996-10-08 1998-01-06 International Business Machines Corporation Self-restore circuit with soft error protection for dynamic logic circuits
EP0944089A1 (en) * 1998-03-16 1999-09-22 Nec Corporation Semiconductor memory device
GB2338808B (en) 1998-06-23 2002-02-27 Mitel Semiconductor Ltd Semiconductor memories
JP3447640B2 (ja) 1999-12-28 2003-09-16 日本電気株式会社 半導体記憶装置
KR100564569B1 (ko) * 2003-06-09 2006-03-28 삼성전자주식회사 셀 누설 전류에 강한 프리차지 제어 회로를 갖는 메모리장치 및 비트라인 프리차아지 방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61110394A (ja) * 1984-10-31 1986-05-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US4751680A (en) * 1986-03-03 1988-06-14 Motorola, Inc. Bit line equalization in a memory
KR890003488B1 (ko) * 1986-06-30 1989-09-22 삼성전자 주식회사 데이터 전송회로
JPS6376193A (ja) * 1986-09-19 1988-04-06 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPH07105137B2 (ja) * 1987-11-17 1995-11-13 日本電気株式会社 半導体メモリ
US4802129A (en) * 1987-12-03 1989-01-31 Motorola, Inc. RAM with dual precharge circuit and write recovery circuitry
JPH02146180A (ja) * 1988-11-28 1990-06-05 Nec Corp 半導体メモリ装置
EP0608967A3 (en) * 1989-02-18 1994-08-24 Sony Corporation Memory devices
JPH0814989B2 (ja) * 1989-05-09 1996-02-14 日本電気株式会社 内部同期型スタティックram
US5043945A (en) * 1989-09-05 1991-08-27 Motorola, Inc. Memory with improved bit line and write data line equalization
JP2607697B2 (ja) * 1989-09-20 1997-05-07 株式会社日立製作所 エレベータの制御装置
JP2825291B2 (ja) * 1989-11-13 1998-11-18 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP2534786B2 (ja) * 1989-11-27 1996-09-18 株式会社東芝 半導体集積回路
US5036492A (en) * 1990-02-15 1991-07-30 Advanced Micro Devices, Inc. CMOS precharge and equalization circuit
JP2781080B2 (ja) * 1991-04-09 1998-07-30 三菱電機株式会社 ランダムアクセスメモリ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2601583B2 (ja) 1997-04-16
ITMI912251A0 (it) 1991-08-13
KR940001644B1 (ko) 1994-02-28
DE4124895C2 (de) 1995-01-19
FR2676854A1 (fr) 1992-11-27
KR920022306A (ko) 1992-12-19
GB2256071A (en) 1992-11-25
JPH04349296A (ja) 1992-12-03
ITMI912251A1 (it) 1993-02-13
US5262995A (en) 1993-11-16
GB9117858D0 (en) 1991-10-09
DE4124895A1 (de) 1992-11-26
GB2256071B (en) 1995-08-02
FR2676854B1 (fr) 1997-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100279877B1 (ko) 반도체 메모리 소자, 반도체 메모리의 데이터 읽기방법 및데이터 저장 장치
KR970029803A (ko) 반도체 메모리장치의 프리차지 회로
JPH1097791A (ja) Dramメモリ装置
KR950007119A (ko) 반도체 집적회로
GB2264376A (en) Bit line control in a semiconductor memory device
IT1251009B (it) Procedimento per precaricare linee di ingresso/uscita di un dispositivo di memoria
JP3360717B2 (ja) ダイナミック型半導体記憶装置
KR960001461B1 (ko) 개량된 재생 장치를 갖는 동적 랜덤 액세스 메모리 디바이스
KR910003605B1 (ko) Sram 센스앰프의 등화회로
KR910004733B1 (ko) 데이타 버스 리셋트 회로를 지닌 반도체 기억장치
US5886936A (en) Memory cell data line equalization controlling circuit for semiconductor memory device
JP2980368B2 (ja) ダイナミック型半導体記憶装置
KR940007000B1 (ko) 개선된 라이트 동작을 가지는 반도체 메모리 장치
KR100569564B1 (ko) 비트라인 프리차지전압 제어회로
JPH08297969A (ja) ダイナミック型半導体記憶装置
KR950020127A (ko) 반도체 기억 회로 제어 방법
US5034924A (en) Static random access memory device with pull-down control circuit
JPS57109184A (en) Dynamic memory device
KR950009729A (ko) 반도체 메모리 장치 및 데이타 판독 방법
JP4865121B2 (ja) 少なくとも一つのメモリーセルにカップリングされたシングルビットラインを有する強誘電体メモリ素子
KR920702574A (ko) 반도체 집적회로
KR980012946A (ko) 반도체 메모리소자의 칼럼디코딩회로
KR860002156A (ko) 반도체 장치
KR850008238A (ko) 반도체 기억장치
JPS5778695A (en) Semiconductor storage device

Legal Events

Date Code Title Description
0001 Granted
TA Fee payment date (situation as of event date), data collected since 19931001

Effective date: 19970826