IN187267B - - Google Patents

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IN187267B
IN187267B IN443CA1996A IN187267B IN 187267 B IN187267 B IN 187267B IN 443CA1996 A IN443CA1996 A IN 443CA1996A IN 187267 B IN187267 B IN 187267B
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IN
India
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Inventor
Franz Dr Hofmann
Lothar Dr Risch
Wolfgang Dr Krautschneider
Wolfgang Dr Roesner
Original Assignee
Siemens Ag
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
    • H10B20/27—ROM only
    • H10B20/40—ROM only having the source region and drain region on different levels, e.g. vertical channel
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
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EP (1) EP0823131B1 (id)
JP (1) JPH11503876A (id)
KR (1) KR100374074B1 (id)
CN (1) CN1083621C (id)
AR (1) AR001660A1 (id)
DE (2) DE19514834C1 (id)
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