HUT63711A - Method for making semiconductor device, as well as solar element made from said semiconductor device - Google Patents

Method for making semiconductor device, as well as solar element made from said semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
HUT63711A
HUT63711A HU923773A HU377392A HUT63711A HU T63711 A HUT63711 A HU T63711A HU 923773 A HU923773 A HU 923773A HU 377392 A HU377392 A HU 377392A HU T63711 A HUT63711 A HU T63711A
Authority
HU
Hungary
Prior art keywords
active area
layer
semiconductor substrate
wafer
additive
Prior art date
Application number
HU923773A
Other languages
English (en)
Other versions
HU9203773D0 (en
Inventor
Yakov Safir
Original Assignee
Yakov Safir
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yakov Safir filed Critical Yakov Safir
Publication of HU9203773D0 publication Critical patent/HU9203773D0/hu
Publication of HUT63711A publication Critical patent/HUT63711A/hu

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
    • H01L21/2255—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/007—Autodoping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/914—Doping
    • Y10S438/916—Autodoping control or utilization

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)

Description

A találmány tárgya egy eljárás, melynek segítségével adalékolt területeket hozhatunk létre félvezető eszközök felületén, különösen napelemeknél való használathoz. A találmányhoz tartozik továbbá egy ilyen napelem cella, amely áteresztő diódát tartalmaz.
····
A napelem cellák alapvetően vékony szilícium lemezből vannak kialakítva, amelynek tipikusan egy PN átmenetként kialakított nagy, egyszeres felszíne van. Ez a szilícium lemez egyik oldalát borítja, azt, amelyet a fény felé fognak fordítani. A fény által gerjesztett töltéshordozók az első oldali és a hátsó oldali fém kontaktus felé áramlanak, az alsó kontaktusnak olyan a geometriája, hogy minél nagyobb mennyiségben tudja összegyűjteni a töltéshordozókat, míg a felszínen lévő fém kontaktus a fény kérésztülhaladását akadályozza, ezért annak a méreteit a felszínen a lehető legkisebbre igyekeznek választani. A leírt napelem egyoldalú, azaz a napelem cella egyik oldala az, amely a fény általi aktivitást kiváltja. Ha azonban a hátoldalon is létrehoznak egy olyan vékony réteget, amely valamilyen átmenetet tartalmaz, akkor ez is fotoaktívvá tehető, és így kétoldalú napelem cella nyerhető. A napelem cellának lehet akár P vagy N típusú intrinsic szubsztrátja, míg az adalékolt réteg, vagy rétegek lehetnek akár N+ akár P+ típusúak.
A szakemberek számára nem ismeretlen az oxid tartalmú adalékanyagok alkalmazása. Az US 4 101 351 lajstromszámú amerikai szabadalmi leírás megmutatja, hogyan lehet egy kristály felületén oxidot növeszteni, amelyet követően a kristály egy bizonyos részét ismételt oxidációnak vetik alá, amellyel az aktív terület kialakul. Ez a felvitel jellegzetesen úgy történik, hogy az oxiddal borított kristály rétegre egy folysavnak ellenálló anyagú maszk réteget visznek fel, amely reziszttel bevont kristály réteget folysavval maratják és a fotoreziszt alatti területeken marad meg a kristály. Az ekként kezelt réteget ezután a fotoreziszt eltávolítását követően diffúziónak vetik alá, amelyet kellően magas hőmérsékleten, például tipikusan 1000°C-on, vagy annak környékén végeznek. Az adalékot úgy vihetjük be, hogy például egy szilícium tartalmú anyag egy rétegét visszük fel a kezelendő kristályfelületre. A nemkívánatos önadalékolódás nem fog végbemenni, mivel a kristálytelület többi részét védi az oxidréteg. Az oxidáció, fotoreziszt maszkolás, maratás és adalékolás folyamata többször megismételhető, így a kristály elnyeri a szükséges számú adalékolt területet. A bemutatott eljárásnak számos negatívuma van, így például a nagyszámú és bonyolult eljárási lépés, mint amilyen az oxidnövesztés a kristály felületén, amely kb. 1000°C hőmérsékleten való műveleteket igényel, továbbá azon követelmény, hogy nagytisztaságú atmoszférát kell használni akár oxigénből, akár vízgőzből. A kristályfelület kezelése folysav használatát igényli, amely egy rendkívül nehezen kezelhető és veszélyes, mérgező vegyszer, ez komoly hátrány.
A jelen találmány céljául tűztük ki, hogy egy olyan eljárást dolgozzunk ki, amellyel adalékolt területeket hozhatunk létre egy félvezet eszköz felszínén, különösen pedig napelem cellákként való használat céljára.
A találmány célkitűzését lényegében a következő eljárással kívánjuk megvalósítani. A félvezető hordozó felületének egy részén egy első típusú adalékanyagot tartalmazó és egyben maszkoló oxid forrásréteget hozunk létre, majd a félvezető hordozó felületet a forrásréteggel olyan hőmérsékletre hevítjük, amelyen a forrásrétegből az adalék egy része a félvezető hordozóba diffundál, és amelyen ezen diffúzió alatt a hordozó védőréteg nélküli felületrészének nemkívánt önadalékolódása is végbemegy. Ezután a félvezető hordozó önadalékolódott. felületrészeit lemaratjuk, például alkáli anyagokkal képezett maratófürdőben, amely tartalmazhat például kolint, kállium vagy nátrium hidroxidot, avagy alkalmazhatunk plazma marást, míg a forrásréteg az alatta fekvő adalékolt terület védőrétegeként marad. Ez a fotoreszisztes maszkolást feleslegessé teszi, mivel az alkalmazott adalékanyagot tartalmazó szilikát forrásréteg számos feladatot ellát, így védőréteget is jelent a soronkövetkező adalékbeviteli lépésekben. Továbbá a magas hőmérsékletet igénylő lépések száma is csökken, lényegében meg fog felelni az adalékbeviteli lépéseknek, sőt annál kisebb is lehet, ha az adalékanyagot tartalmazó forrásréteg egyben védőréteget is jelent a gázfázisú adalék bevitelekor. Ennek jelentősége abban áll, hogy az ismételt hevítés roncsolja a wafer kristályszerkezetét.
A jelen találmány sajátos jellemzője az, hogy félvezető hordozó felületére egy adalékanyagot tartalmazó forrás**·· •«c« réteget viszünk fel, amely egyben maszkoló és védőrétegként is funkcionál, amikor az önadalékolódott rétegeket maratással eltávolítjuk. A találmány abból a szempontból egyedülálló, hogy több kölcsönösen különálló, különböző típusú, koncentrációjú adalékolt részterület hozható létre egyetlen magas hőmérsékletet igénylő lépésben .
A fenti eljárással találmányunk szerint olyan napelem cellát készíthetünk, amely egy a fotodiódával ellentétes nyitóirányú áteresztődiódát tartalmaz, amely a napelem cella árnyékoltsága vagy törése esetén átvezetőként működik, és nem blokkolja az egész cellaegyüttes üzemelését.
A jelen találmány szerinti eljárással készített napelem cellák előnye, hogy nem igényli a fotoreziszt és a folysav használatát és az eljárás ezáltal igen környezetbarátnak tekinthető. Továbbá az eljárási lépések száma és a magas hőmérsékletet igénylő kezelési lépések száma jelentősen alacsonyabb, amely szintén előnyként jelentkezik, főként gazdaságossági szempontból. Ezt megelőzően a napelem cellák gyártása laboratóriumi előállításra korlátozódott, mivel a jó hatásfokú cellák előállítása tiszta környezetet, számos veszélyes vegyszer alkalmazását és bonyolult berendezések használatát igényelte. A jelen találmány szerinti eljárás nem igényli ezeket a magas követelményű feltételeket a környezetre nézve, ami • · · · · · · · ·····* · * ··· · ··«···« · ·
- 6 alatt természetesen a gyártó üzemi környezetet értjük, és ennélfogva különösképpen alkalmas arra, hogy olyan termelő egységeknél állítsanak elő napelem cellákat, amelyek nem tudják a költséges, magasszínvonalú technológiai feltételeket biztosítani.
A találmány részleteit bővebben megismerhetjük a kapcsolódó ábrák ismertetéséből, aholis az ábrák a következőket mutatják:
l.ábra. Egy folyamatábrát láthatunk, amely a találmány szerinti eljárás egy példaképpen! megvalósítását mutatja be egymás utáni lépésekben.
A 2-8. ábrákon egy, az 1.ábrának megfelelő folyamatábra szerint előállított kétoldalú napelem cella gyártása során előálló különböző gyártmány fázisokat láthatunk.
Mint mondottuk, az 1.ábrán a találmány szerinti napelem cella előállításának folyamatábráját láthatjuk. Mielőtt a hordozó waferen adalékolt területeket alakítanánk ki, több eljárási lépést végzünk el, amelyek jól ismertek a félvezető technológiából, így például a fűrészelés okozta hibákat eltávolítjuk, a felületi reflexiós tulajdonságokat kedvezően alakítjuk, de mindezen lépéseket csupán a teljesség kedvéért és röviden említjük meg. Arra szintén adunk példákat, hogy hogyan lehet a kivezetéseket megvalósítani a már befejezett félvezetőn, avagy napelem • * · • · · cellán .
A hordozó alapanyaga az elkészítendő napelem cella tulajdonságainak megfelelen kerül kiválasztásra. A bemutatott példa kapcsán N típusú szilícium hordozót választottunk ki 100 ohmom ellenállással. A hordozó egy egykristályos wafer, (100) kristálytani irányítottsággal, és a vastagsága a műveletek megkezdése előtt 350 μιτι volt, a waferen kisebb fűrészelésből eredő hibahelyek voltak találhatóak, amely a szilícium rúdból való fűrészelést követően keletkeztek.
A legvégső kontaktus kivezetési eljárási lépések miatt egy szilikát mintázatot nyomtatunk a 101 lépésben, például vastagréteg nyomtatási technikával, aholis számos folyamatos bemélyedést alakítunk ki a felületen egymást követő maratásokkal, például KOH segítségével, a 111 lépésben, és amely kontaktus kivezetést úgy kell végrehajtani, hogy ne árnyékolja be az aktív felületrészeket. Alternatív megoldásként a fent említett bemélyedések előállíthatok lézer segítségével is. Kétoldalú napelem cellák esetében az eljárást mindkét oldalon megismételj ük.
Azon célból, hogy megjavítsuk a napelem cella hatásfokát, egy egyébként ismeretes maratási lépést hajthatunk végre a 112 lépésben, például kolin oldattal, amely által olyan piramidális textúráit felületet nyerünk, ahol a piramid • · · * csúcsok kb. 5 μιη-esek és a maratást úgy állítjuk meg, mint a többi lépésnél is amikor maratást alkalmazunk, hogy a wafert vízfürdőbe helyezzük és azután megszárítjuk. A lemezt kémiai úton tisztítjuk. Ha a napelem cella felszíne nem textrurált, egy másik lehetséges megoldás, hogy azt reflexió-mentesítő réteggel vonjuk be, amely adott esetben kombinálható a később említésre kerülő valamilyen adalékanyagot tartalmazó forrásrétegekkel. E reflexió-mentesitő réteg vastagsága általában a beeső fény 1/4 hullámhosszának felel meg.
A 121 lépésben létrehozunk egy vékony, mintázattal ellátott szilikát réteget a wafer első oldalán, igen magas molszázaléknyi foszfortartalommal. Ez például vastagréteg filmtechnikával vihető végbe. A mintázatot úgy alakítjuk ki, hogy az lefedje a 101 lépés során megelőzően kialakított bemélyedéseket és azon célt szolgálja, hogy csökkentse az átmeneti ellenállást a fém kontaktusok és a szilícium alapanyag között. Mivel a nagy adalékolás lerontja a kristályszerkezetet, fontos, hogy a mintázat kiterjedése csak a kontaktus felületekre korlátozódjék. A réteg vastagságát előnyösen 0,05 μπι-re korlátozzuk és a vonalszélesség a mintázaton belül jellemzően kb.
1/3-ával szélesebb, mint a fent említett bemélyedések. A kontaktusokhoz felhasznált fém anyagot akkor visszük fel, amikor a gyártási folyamat végetér, és a felvitel az erősen adalékolt szilícium vonalakra történik, hogy elkerüljük az esetleges rövidzárlatot a gyengén adalékolt
területekkel. További vonalakat is felvihetünk a kontaktusokhoz használtakon kívül is, amelyek tovább csökkentik a fém kontaktus hálózattal szembeni követelményeket, mivel azok a későbbiek során mint táphálózat szolgálhatnak és szintén lehetővé teszik a fény akadálytalan áthaladását.
A 122 lépésben a szilíciumból lévő 1 wafer, amely a
2.ábrán is látható, egy gyenge adalékoltságú szilíciumból lévő 3 réteget kap, amely bármilyen ismert módon kialakítható, így például vastagréteg nyomtatási technológiával. Itt azonban egy úgynevezett spin-on technikát választottunk, aholis a szilikát oldatot az 1 waferre forgatás közben visszük fel és így az a 2 felületen mint egy vékony 3 réteg marad meg. Különböző paraméterek szabályozásával, például a forgási sebességnek, a szilikát viszkozitásának változtatása segítségével a 3 réteg szétterjedési sebessége szabályozható, beleértve az 1 wafer hátoldalán való szétterjedést is. A 3 réteg több feladatot lát el, de elsődlegesen mint adalékanyag forrás szerepel. Továbbá a 3 réteg védelmet biztosít az önadalékolódás ellen a lejjebb fekvő tartományokból, illetőleg azokból a mintázatokból, amelyet adott esetben a 121 lépésben vittek fel. Továbbá szintén védelmet nyújt az alsóbb rétegek számára a nemkívánatos szennyeződések ellen, valamint a soronkövetkező maratások hatásaitól. A réteg továbbá olyan vastagságban vihető fel, hogy az mint reflexió-mentesítő réteg is szolgálhasson az elké<
- 10 szült napelem cellán. így 100°C-on történő szárítást követően a 3 réteg vastagsága kb. 0,15 pm lehet.
Ahhoz, hogy egy kb. 18 - 25 % hatásfokú napelem cellát nyerjünk, a 3 réteg felvitele és összetétele meglehetősen döntő, mivelhogy a hatékonyság jelentősen függ az alacsony felületi koncentrációtól. A napelem cellánál a fotoáram (az az áram, amelyet a beeső fény kelt a PN átmenetben) , egy ellentétes irányú, úgynevezett sötétárammal együtt jelentkezik. Értelemszerűen ez utóbbit mind jobban korlátozni szeretnénk. A jelentős mértékű sötétáram egyik legfontosabb oka, ha sok rekombinációs központ van a felületen (nagy a felületi rekombinációs sebesség), amely kiegyenlíthető a napelem cella felületének passziválásával egy vékony sziliciumdioxid réteg által, amelyet más szóval passzíváló rétegnek is nevezünk, amely mindazonáltal csak akkor hatékony, ha az adalékként használt szennyező anyag felületi koncentrációja, - jelen esetben a foszfor atomoké - megfelelen alacsony, azaz, kevesebb, mint kb. Σ,δχΙΟ^θ cm1.
Azt követen, hogy az 1 wafer 2 felülete be lett vonva egy adalékanyagot tartalmazó forrásréteggel, a cellát magas hőmérsékletre hevítjük, amely a 131 lépésben, kb. 1100°C-on, elnyösen száraz nitrogén atmoszférában történik, és a lépés idtartama kb. 15 perc. Ezen kezelés célja, hogy diffúzió útján a megfelelő területeket úgy adalékoljuk az 1 waferen, hogy a felvitt 3 rétegből az .s : .··. :.......
• · · * · · · · ·*···· · · ··· ..........
adalékanyag a közvetlenül vele érintkező és alatta elterülő részekbe jusson. Ezt a 131 lépést úgy tudjuk beállítani, hogy megfelelő getterelés álljon elő, azaz az 1 waferben lévő nemkívánatos szennyeződések eltávolítódjanak. Ha getterelésre nincs szükség, a 131 lépés, amely a magas hőmérséklet alkalmazását jelenti, meghosszabbítható, és a 132 lépés elhagyható. Tiszta nitrogéngáz áram használható (oxigén jelenléte nélkül), ezáltal elkerüljük, hogy egy maszkoló hatású Si02 réteg keletkezzék a cella hátoldalán, amely máskülönben megakadályozná a gázfázisú foszfor a POCI3 forrásból történő, a 132 lépésben való diffúzióját.
Az átmenet 4 adalékolt területének kialakulása látható a
3. ábrán, ahol az N típusú terület kialakításához foszfor részecskéket használunk a 131 diffúziós lépésben, amely foszfor részecskék az első adalékon forrásréteg felvitel 122 lépésében kerülnek a struktúrába, a szilikát 3 réteget járulékosan tömörítjük, hogy a felületen egy maszkoló hatást biztosítsunk, amely a nemkívánatos, nagy számban történő foszforatom behatolást megakadályozza a 132 lépésben a cella elülső oldalán. A találmány szerinti eljárás egyedülálló abban a vonatkozásban, hogy számos kölcsönösen elválasztott adalékolt terület, mégpedig különböző terület alakítható ki, különböző koncentrációkkal, mindössze egyetlen egy magas hőmérsékletre való hevítési lépésben.
• ·
A 132 lépés megvalósítása során 1100°C hőmérsékletet tartunk állandóan, miközben a wafer egy másik zónába kerül továbbításra a kemencén belül, aholis a kemencén belüli atmoszféra oxigént és egy vívőgázt tartalmaz a POC13 forrásból. Ez a magas hőmérsékletű kezelés 15 percig tart és egy lassú hűtéssel ér véget, amely alatt a POCI3 forrást lassanként lekapcsoljuk. A lassú hűtés ahhoz szükséges, hogy mindazon előnyöket teljes mértékben ki tudjuk használni, amelyek a getterelési eljárásból származnak. Továbbá a gyors hűtés nem előnyös arra való tekintettel sem, hogy a kristályszerkezetet szeretnénk megőrizni és a gyors hűtés kristályhibák keletkezésére vezethet. Ez utóbbi csökkenti a kisebbségi töltéshordozók diffúziós úthosszát, ezáltal a cella hatásfokát is csökkenti. így alapveten fontos, hogy a 131 és 132 lépések ugyanabban a diffúziós kamrában, vagy kemencében történjenek, minden közbeiktatott hűtési szakasz nélkül. Minden egyes hűtési, illetleg hevítési lépésnél újabb kristályhibák keletkezhetnek. A hőmérséklet határokat, amelynek 1100°C-t jelöltünk meg az imént, tág határok között változtathatjuk, mindazonáltal ez a hőmérséklet jó példát nyújt számunkra a megértéshez.
Amint az a 3.ábrából kitnik, a gázfázisú forrásból egy 5 adalékolt terület kerül elállításra, ezen pedig egy 6 oxidréteg alakul ki a diffúziós folyamat alatt.
A diffúzió alatt egy erősen adalékolt, foszforral szeny• · · · · a · · « · · ··· ♦ ··♦ · ······ · · q ··· ····«··« · · nyezett szilikát réteg alakul ki a hátoldalon, amelyet azonban a 141 lépésben maratással eltávolítunk. A diffúziós terület fő jellemzője az átmenet mélysége és a felületi ellenállás (ohm/felületegység). Az átmenet mélysége az a felszíntől való távolság, amelyre nézve az első típusú szennyező adalékanyag koncentrációja megegyezik a második típusú szennyező anyag szubsztrátban lévő adalékának koncentrációjával, vagyis: más szavakkal, ahol elektromos egyensúly áll elő a P és N típusú szennyezők között, amelyeket gyakran nevezünk akceptoroknak, illetve donoroknak. A 141 lépés maratási folyamata gyakran kolinnal kerül végrehajtásra, aholis a vékony foszfortartalmú 6 oxidréteg a hátoldalról lemaratásra kerül, mégpedig úgy, hogy az adalékként jelenlévő beágyazott szennyező anyagok a külső 5 μπι vastagságú szilícium réteggel együtt kerülnek eltávolításra. A maratás felfüggesztése után az elülső oldali szilícium réteg redukálódott, és így kb. 0,1 μιη vastagságú. A maratás előnyösen szelektív lehet azért, hogy a piramidális szerkezet fennmaradjon, de ez magával vonja annak kockázatát, hogy a texturálás közel sem lesz olyan egyenletes, mint a maratás előtt. Ennek oka, hogy egyes piramid kristályok sokkal gyorsabban kerülnek lemaratásra, mint mások. A hátoldali piramidális kristályok 5 μιη-el lesznek magasabbak, mint az elülső oldaliak a maratás után. A maratás lényegesen, illetleg többszörösen gyorsabb az (100) kristálytani irányban, ha az összevetjük például a (111) kristálytani iránnyal, ezért rendkívül fontos biztosítani, hogy a maratási mélység (jelen esetben 5 μπτ) nagyobb legyen, mint a behatolási mélység a hátoldalon (jelen esetben 3 μπι) , amely természetesen a foszfor atomokra vonatkozik, amelyek a 132 lépésben a külső gázfázisú forrásból származnak.
Csakúgy, mint a 121 lépésben, egy nagyon magas mólszázalékú bór koncentrációval ellátott szilícium réteget viszünk fel a wafer hátoldalára a 151 lépésben, amelyet végrehajthatunk például vastagréteg nyomtatási technológiával. A réteg vastagsága 0,1 μ-m, miután végrehajtjuk a 150°C-on történő szárítást és azon túlmenően, hogy adalék forrásul szolgál egy erősen adalékolt kontakt terület kialakítása számára, másik funkciója az, hogy védőmaszkot alkosson a fém anyagrészecskék nemkívánt behatolása ellen. Máskülönben a mintázat megfelel a 121 lépésben használtnak, és ugyanúgy lefedi a 101 lépés során kialakított vágatokat, amely vágatok a kontaktusok létrehozásánál játszanak szerepet.
Ha a diódát ellátjuk egy, a következőek során ismertetésre kerülő áteresztő diódával, a lemez hátoldalára egy magas molszázalékú foszfor koncentrációval rendelkező szilícium réteget viszünk fel a perem mentén, amelyet előnyösen vastagréteg technológiával hajtunk végre a 152 lépésben. Ezután a hátoldalra egy alacsony molszázalékos koncentrációval rendelkező 9 szilikát réteget viszünk fel (5. ábra), ez a 153 lépés, amelyet szintén előnyösen • ··· ,: :
• · • ·
- 15 vastagréteg nyomtatási technikával hajtunk végre. A 9 szilikát réteg, mint az 5.ábrán látható, lefedi az egész hátoldalt, kivéve a körkörös területrészt a wafer pereme mentén. A 100°C-on való szárítás után a réteg vastagsága kb. 0,1 Mm. Az alacsony molszázaléknyi koncentráció biztosítja, hogy a felületi koncentráció nem lépi túl a kontaktus területeken kívül a 8 x 1013 bóratom/cm3 értéket. A bórkoncentráció magasabb, mint az előzőleg említett foszfor koncentráció, amelynek oka, hogy a bór jóval lassabban diffundál mint a foszfor, és ugyanolyan koncentrációt kell elérnünk ahhoz, hogy kellően alacsony felületi ellenállás értéket nyerjünk. Továbbá tekintetbe kell venni azt is, hogy a magas hőmérsékletű 161 lépés során a diffúzió által a foszfor mélyebben hatol be a waferbe. E probléma megoldását jelentheti, hogy először egy bór réteget viszünk fel (121-122 lépések) és ezt követően viszünk fel egy foszfor réteget (151-153 lépések) .
A 161 lépés során a diffúzió 1000°C-on és igen száraz atmoszférában megy végbe, amely atmoszféra nitrogént és oxigént tartalmaz, az időtartam pedig 30 perc. A magas hőmérsékletű lépés végeztével egy igen lassú hűtés következik oxigéndús atmoszférában, ami egy 0,01 pm vastag passzivációs réteg kialakulásához vezet, amely legjobban ilyen oxidációval valósulhat meg. Meg kell jegyeznünk, hogy az oxid a szilícium kristály felületén nő és nem az adalékolt szilikát rétegeken. A hűtés igen fontos és a • · · • · • · • · ·« ···· legjobb eredményt a különösen lassú hűtés alkalmazásával érjük el (kb. 2°C/perc).
A 161 lépés során egy a 9 szilikát réteg alatt elhelyezkedő 10 adalékolt területen a bőr a 9 szilikát rétegből a waferbe hatol. A két fedetlen 9 szilikát réteg között a réteg önadalékolódása megy végbe és annak tetején egy oxid alakul ki. A 4 adalékolt terület nagysága a diffúziós folyamat alatt némileg növekszik.
A 7.ábrából jól látható, hogy a 171 lépés során maratással hogyan távolitjuk el az önadalékolódott 11 réteget és a 12 oxidot, amely azon kialakult. A maratást meleg kolin oldattal hajtjuk végre úgy, hogy 2 μm-nyί szilícium leoldódjon a felületről a szilikát rétegek között. A maratási eljárás alatt a 3 és 10 adalékolt területek szilikát rétegeinek vastagsága 0,01 μιη-re csökken, lehetővé téve egy megfelelő reflexió-mentesítő réteg alkalmazását a következő lépésekben. A szilikát réteg lemaratása elnyös, mivel esetünkben ez zömében SiC>2-ből áll, amelynek alacsonyabb a törésmutatója (tipikusan 1,45). Nagyobb törésmutatóval jobb antifeflexiós réteg nyerhető. Másik lehetőség, hogyha úgy döntünk, hogy TiO2-t használunk, amelynek törésmutatója 2,1 és ezekből alakítjuk ki a 3 réteget és a 9 szilikát réteget. További lehetőség, ha kombináljuk ezen rétegeket egy másik reflexió-mentesítő réteggel, például Ta2O5, ZnS vagy MgF2 alkalmazásával, amivel egy kettős réteget nyerünk, amely• ·· ······· • · · * • · · 9·· · • · · · · « · • · ·«-···«· »·
- 17 nek reflexió-mentesítő hatása jobb.
Ezek után a kontaktusokat a szokásos és ismert módon visszük fel a waferre. Ez a szakemberek számára jól ismert technikai eljárás, így ennek ismertetésétől jelen leírásunkban eltekintünk. A példaképpen hivatkozott folyamatábra magyarázatánál egy kétoldalú napelem cellára hivatkoztunk végig, de a 141 lépésbeli maratás után a folyamat megszakítható, ami által egyoldalú napelem cellát nyerünk és ezek után végezhetjük el a kontaktusok felvitelét.
Ezáltal elmondhatjuk, hogy számos pozitív hatás nyerhető azáltal, hogy a szilikát réteget forrásrétegként és maszkként használjuk egyszerre. Az egyoldalú napelem cellák előállítása során a hordozó wafer egyik oldalát bevonjuk szilikát réteggel, amely részint forrásrétegül, részint pedig maszkként szolgál. Egy magas hőmérsékletű lépés során az atomok a forrásrétegből közvetlenül az alattuk elterülő részbe diffundálnak, továbbá a levegő közvetítésével önadalékolódás formájában a wafer védőréteg nélküli hátoldali területeibe is eljutnak. A wafer önadalékolódott részeit a következő maratási lépésben távolítjuk el, míg ezalatt a szilikát rétegek megvédik az alattuk elterülő adalékolt területeket. A wafert ezután kontaktusokkal látjuk el, és mint egyoldalú napelem cellát használjuk.
« · • · · · ··«· « · · · · Λ ··· « * · · · ·««··· · · ··· · ·««·««· ··
A 8.ábrán látható, hogy az adalékolt 11 réteg, amely adalékolódását a gázfázisú forrásból nyerte, a maratás
171 lépése során nem került teljesen eltávolításra.
így egy körkörös csatorna alakul ki egy átmenet réteggel, mégpedig az alsó részen, amelyet a 152 lépésben nyerünk. A csatorna szélessége célszerűen nagyobb, mint az a megfelelő behatolási mélység, amely az 4 és 10 adalékolt területekhez tartozik. A 3 és 9 szilikát rétegek közötti A elválasztó térköz távolság felhasználható a sötétáram gradiensének beállítására azzal a diódával, amelyet a záróirányban elfeszített félvezető rétegek alkotnak és amely ennek révén az üzemzavar kockázatát csökkenti. A A. elválasztó térköz meghatározó az N+ és P + területek közötti szivárgási áramra nézve. Amikor egy napelemet, amely ilyen diódákkal van ellátva, egy összetett napelem panellé alakítunk ki, akkor az abban az esetben is működni fog, ha az összetett napelem tábla valamely részén hiba következik be, vagy árnyékba kerül. Az említett dióda hatás elérhető úgy, hogy eltávolítjuk az önadalékolódott területeket, amelyet a 6.ábra kapcsán már említettünk, amikoris szelektív maratást alkalmazunk, például az 1 wafer körkörös csatornájánál, miközben még mindig marad a 11 rétegből egy maradvány, mégpedig az aktív 4 és 10 adalékolt területek pereménél. Mivel a 11 réteg a 9 forrásrétegből történő önadalékolódással jön létre, ezért ugyanolyan vezetési típusú, mint az aktív 10 adalékolt terület, a 11 réteg 10 adalékolt terület felé néző maradványa annak integrális részeként tekinthető, * « · · ···«···· r · · · · « ·*« « · · · · ······ · · ··· · ·*«»··· ·· míg a 4 adalékolt terület felé néző maradéka egy olyan adalékolt 16 résznek tekinthető (lásd: 8.ábra), amelynek vezetési tipusa különbözik a 4 adalékolt területétől. A 15 rész, amely ugyanolyan vezetési tipusú mint a 4 adalékolt terület, a következőkben összekötésre kerül a 10 adalékolt területtel, mégpedig a meglévő csatornák révén és egy PN vagy PIN átmenet alakul ki. A 15 részt például a kivezetések létrehozásának kedvéért alakíthatjuk ki, és ennek anyaga ezért például alumínium lehet. Ezen félvezető átmenet egy diódát alkot, amely ellentétesen van előfeszítve, mint a fotodióda, mely a napelem cellát alkotja és biztosítja, hogy abban a táblában, amelyben a napelem cella be van építve, üzemzavar esetén is a folyamatos működés meglegyen, amely üzemzavar például akkor állhat elő, ha törés, részleges leárnyékolódás, vagy valami ehhez hasonló következik be a napelem üzemelése során. Egy egykristályos kiindulási anyag esetében a dióda transzverzálisán a körkörös csatorna felé mutat, míg egy polikristályos kiindulási anyag esetében a dióda transzverzális szegmensekből áll, ezáltal úgy tekinthető, mint több párhuzamosan kötött dióda együttese.
A forrásrétegek, amelyeket az előzőekben mint szilikát rétegeket, bór, vagy foszfor ionok hordozóit említettünk, lehetnek ettől eltérőek is, például tartalmazhatnak szennyező, illetőleg adalékanyagként antimont, vagy arzént. A szilikátok általánosságban lefedik a szilíciumot • 9 9t ··*·«··· • · · · 9 9 *·« ···· · • ···· · · · ··· · ·*·· ··· ·· és oxigént tartalmazó anyagok körét, de helyettesíthetők például szilícium nitriddel, titánoxiddal vagy más olyan anyaggal, amely megfelelő tulajdonságú, igy például megfelelő védőréteget képes alkotni. Az imént említett példában leírt kiindulási anyag egykristályos szilikát wafer volt, de ez az anyag helyettesíthető polikristályos anyaggal, vagy akár amorf anyaggal is. Itt ismét csak az elérni kívánt napelem cella bizonyos tulajdonságait kell tekintetbe vennünk.
Tehát, mint ez az eddigiekből nyilvánvaló, a wafert bevonhatjuk több forrásréteggel, amelyek különböző vezetési típusúak, amelyek egy közös diffúziós lépésben mind forrásrétegként, mind pedig maszkrétegként szolgálhatnak, megvédve a nemkívánt önadalékolódástól az egyes rétegeket. Az egyes rétegeket továbbá hagyományos és közismert módokon lehet fölvinni, így például CVD, spin-on, vagy vastagréteg nyomtatási technológiával. így lehetővé válik, hogy kétoldalas napelem cellákat állítsunk elő egyetlen magas hőmérsékletű lépés alkalmazásával, ahol az önadalékolódott területeket egy soronkövetkező maratási lépésben távolítjuk el. Továbbá nyilvánvaló, hogy az itt kiemelt technológia, amelyet találmányunk lényegeként jelen leírásunkban ismertettünk, rendkívül hasznos lehet egyéb más típusú félvezet termékek elállítása során, amikoris különféle adalékolt területeket akarunk létrehozni. Ilyen eszköz lehet például a tirisztor, amelynek gyártása során hasonló problémákat kell megoldanunk. De :9 99 »4··»··· • ·9 3 • 4 9 9 999· • ·*·· · · · ··· · ««·· «*· *· ezenkívül bármely más, tetszőleges adalékolt terület struktúra kialakítható a találmányunk szerinti eljárással .
A maratásnál használatos marató anyag az eddigiek során leírtak esetében főként valamilyen alkáli oldat volt, de ez helyettesíthető például plazma maratással, így a diffúziós lépés és a maratási lépés végbemehet egy és ugyanazon kemencében, vagy kamrában anélkül, hogy a wafereket térben el kellene mozdítanunk ezen lépések során. Ennek lényeges előnye, hogy a kemence csöve a maratás alatt tisztul és a soronkövetkező vizes lemosás, kémiai tisztítás és szárítás, mint komplett lépések, elmaradhatnak.

Claims (10)

1. Eljárás adalékolt területek kialakítására félvezető eszközökön, különösen napelem cellákon, azzal jellemezve, hogy a félvezető hordozó felületének egy részén egy első típusú adalékanyagot tartalmazó forrás réteget hozunk létre, majd a félvezető hordozó felületet a forrásréteggel olyan hőmérsékletre hevítjük, amelyen a forrásrétegből az adalék egy része a félvezető hordozóba diffundál, és amelyen ezen diffúzió alatt a hordozó védőréteg nélküli felületrészének nemkívánt önadalékolódása is végbemegy, majd a félvezető hordozó önadalékolódott felületrészeit lemaratjuk, és a forrásréteget az alatta fekvő adalékolt terület védőrétegeként hagyjuk.
2. Az 1. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a maratás után a félvezető hordozó felületének egy másik részén egy második típusú adalékanyagot tartalmazó forrásréteget hozunk létre, majd a félvezető hordozó felületét a forrásrétegekkel olyan hőmérsékletre hevítjük, amelyen a forrásrétegből a második típusú adalék egy része a félvezető hordozóba diffundál, és amelyen ezen diffúzió alatt a hordozó védőréteg nélküli felületrészének nemkívánt önadalékolódása is végbemegy, majd a félvezető hordozó önadalékolódott felületrészeit lemaratjuk, és a forrásrétegeket az alattuk fekvő adalékolt területek védőrétegeként meghagyjuk.
$ · ♦ · 4*·* ♦*·· ·· · * · ·
9 9 9 9 999« • ···· · ·9 ··· · ···· 99999
3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a hevítés előtt adalékanyagot tartalmazó több forrásréteget hozunk létre.
4. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a félvezető hordozó szilícium kristályból van.
5. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy az adalékot tartalmazó forrásrétegek szilikátból vannak.
6. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a forrásrétegek TiO, TiO2, A102, SnO2, és szilícium-nitrid közül egy vagy több adalékot tartalmaznak .
7. Az 1.-5. igénypontok bármelyike szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy adalékként foszfor, bőr, arzén és antimon közül egy vagy több anyagot alkalmazunk.
8. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti eljárással előállított napelem cella, azzal jellemezve, hogy egy félvezető hordozó wafer (1) egyik oldala részben egy első vezetési típusú első aktív területként (10) van kialakítva, a wafer (1) másik oldala, a wafer (1) élfelülete, és a wafer (1) elsőként említett egyik oldalának szélső peremrésze egy második vezetési típusú második aktív * V • · · ··· · ···· · · · • · ···· ··· ·· területként (4) van kialakítva, továbbá az első aktív terület (10) és a második aktív terület (4) között egy elválasztó térköz (Λ) van.
9. A 8. igénypont szerinti napelem cella, azzal jellemezve, hogy az első aktív terület (10) és a második aktív terület (4) reflexió-mentesítő réteggel van bevonva .
10. A 8. vagy 9. igénypont szerinti napelem cella, azzal jellemezve, hogy az első aktív terület (10) és a második aktív terület (4) között egy második vezetési típusú harmadik aktív terület (15) van, amely az első aktív területhez (10) van kötve, és egy első vezetési típusú negyedik aktív terület (16) van, amely a második aktív területhez (4) van kötve, amelyek együttesen egy az első aktív terület (10) és a második aktív terület (4) alkotta PN átmenettel ellentétes irányú PN átmenetet képeznek.
HU923773A 1990-05-30 1991-05-29 Method for making semiconductor device, as well as solar element made from said semiconductor device HUT63711A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DK133890A DK170189B1 (da) 1990-05-30 1990-05-30 Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf

Publications (2)

Publication Number Publication Date
HU9203773D0 HU9203773D0 (en) 1993-04-28
HUT63711A true HUT63711A (en) 1993-09-28

Family

ID=8103745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HU923773A HUT63711A (en) 1990-05-30 1991-05-29 Method for making semiconductor device, as well as solar element made from said semiconductor device

Country Status (17)

Country Link
US (2) US5461002A (hu)
EP (1) EP0531430B1 (hu)
JP (1) JPH05508742A (hu)
CN (1) CN1025392C (hu)
AT (1) ATE136402T1 (hu)
AU (1) AU646263B2 (hu)
BR (1) BR9106519A (hu)
CA (1) CA2084089A1 (hu)
DE (1) DE69118530T2 (hu)
DK (1) DK170189B1 (hu)
ES (1) ES2088793T3 (hu)
FI (1) FI925409A0 (hu)
HU (1) HUT63711A (hu)
NO (1) NO924568L (hu)
PL (1) PL167243B1 (hu)
RO (1) RO111230B1 (hu)
WO (1) WO1991019323A1 (hu)

Families Citing this family (191)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3032422B2 (ja) * 1994-04-28 2000-04-17 シャープ株式会社 太陽電池セルとその製造方法
AUPM996094A0 (en) * 1994-12-08 1995-01-05 Pacific Solar Pty Limited Multilayer solar cells with bypass diode protection
DE19508712C2 (de) * 1995-03-10 1997-08-07 Siemens Solar Gmbh Solarzelle mit Back-Surface-Field und Verfahren zur Herstellung
US7075002B1 (en) * 1995-03-27 2006-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. Thin-film photoelectric conversion device and a method of manufacturing the same
DE19538612A1 (de) * 1995-10-17 1997-04-24 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Siliziumscheibe
US6331457B1 (en) * 1997-01-24 2001-12-18 Semiconductor Energy Laboratory., Ltd. Co. Method for manufacturing a semiconductor thin film
US5716873A (en) * 1996-05-06 1998-02-10 Micro Technology, Inc. Method for cleaning waste matter from the backside of a semiconductor wafer substrate
JP3454033B2 (ja) * 1996-08-19 2003-10-06 信越半導体株式会社 シリコンウェーハおよびその製造方法
KR100237183B1 (ko) * 1996-12-14 2000-01-15 정선종 금속-반도체 광소자
JP3722326B2 (ja) * 1996-12-20 2005-11-30 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
US6224016B1 (en) 1997-12-19 2001-05-01 Sky Station International, Inc. Integrated flexible solar cell material and method of production
DE19813188A1 (de) * 1998-03-25 1999-10-07 Siemens Solar Gmbh Verfahren zur einseitigen Dotierung eines Halbleiterkörpers
US6033950A (en) 1998-04-10 2000-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dual layer poly deposition to prevent auto-doping in mixed-mode product fabrication
AUPP437598A0 (en) * 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
AT408158B (de) * 1998-12-28 2001-09-25 Kroener Friedrich Dr Maske zur strukturierten, elektrochemischen bearbeitung eines siliziumplättchens für die solarzellenherstellung
US6635507B1 (en) * 1999-07-14 2003-10-21 Hughes Electronics Corporation Monolithic bypass-diode and solar-cell string assembly
DE10020541A1 (de) * 2000-04-27 2001-11-08 Univ Konstanz Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle
DE10021440A1 (de) * 2000-05-03 2001-11-15 Univ Konstanz Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und nach diesem Verfahren hergestellte Solarzelle
AUPR174800A0 (en) 2000-11-29 2000-12-21 Australian National University, The Semiconductor processing
EP1449261B1 (en) * 2001-11-26 2007-07-25 Shell Solar GmbH SOLAR CELL WITH BACKSIDE CONTACTS and its manufacturing method
KR20040068928A (ko) * 2001-11-29 2004-08-02 오리진 에너지 솔라 피티와이 리미티드 반도체 가공 방법
EP1378948A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates
EP1378947A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates
US7402448B2 (en) * 2003-01-31 2008-07-22 Bp Corporation North America Inc. Photovoltaic cell and production thereof
DE102005040871A1 (de) * 2005-04-16 2006-10-19 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Rückkontaktierte Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
US7906722B2 (en) 2005-04-19 2011-03-15 Palo Alto Research Center Incorporated Concentrating solar collector with solid optical element
US20070107773A1 (en) 2005-11-17 2007-05-17 Palo Alto Research Center Incorporated Bifacial cell with extruded gridline metallization
US7799371B2 (en) 2005-11-17 2010-09-21 Palo Alto Research Center Incorporated Extruding/dispensing multiple materials to form high-aspect ratio extruded structures
US7765949B2 (en) 2005-11-17 2010-08-03 Palo Alto Research Center Incorporated Extrusion/dispensing systems and methods
US20070169806A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell production using non-contact patterning and direct-write metallization
CN106409970A (zh) * 2005-12-21 2017-02-15 太阳能公司 背面触点太阳能电池及制造方法
DE102006003283A1 (de) * 2006-01-23 2007-07-26 Gp Solar Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit unterschiedlich stark dotierten Bereichen
US7855335B2 (en) * 2006-04-26 2010-12-21 Palo Alto Research Center Incorporated Beam integration for concentrating solar collector
US7638708B2 (en) 2006-05-05 2009-12-29 Palo Alto Research Center Incorporated Laminated solar concentrating photovoltaic device
US7851693B2 (en) 2006-05-05 2010-12-14 Palo Alto Research Center Incorporated Passively cooled solar concentrating photovoltaic device
US8017860B2 (en) 2006-05-15 2011-09-13 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials
US9105776B2 (en) 2006-05-15 2015-08-11 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using semiconductor materials
US7709307B2 (en) * 2006-08-24 2010-05-04 Kovio, Inc. Printed non-volatile memory
DE102006041424A1 (de) * 2006-09-04 2008-03-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur simultanen Dotierung und Oxidation von Halbleitersubstraten und dessen Verwendung
WO2008045511A2 (en) * 2006-10-11 2008-04-17 Gamma Solar Photovoltaic solar module comprising bifacial solar cells
US8226391B2 (en) 2006-11-01 2012-07-24 Solarworld Innovations Gmbh Micro-extrusion printhead nozzle with tapered cross-section
US7922471B2 (en) 2006-11-01 2011-04-12 Palo Alto Research Center Incorporated Extruded structure with equilibrium shape
US7780812B2 (en) 2006-11-01 2010-08-24 Palo Alto Research Center Incorporated Extrusion head with planarized edge surface
US8322025B2 (en) 2006-11-01 2012-12-04 Solarworld Innovations Gmbh Apparatus for forming a plurality of high-aspect ratio gridline structures
NO333757B1 (no) * 2006-12-04 2013-09-09 Elkem Solar As Solceller
US7928015B2 (en) * 2006-12-12 2011-04-19 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell fabrication using extruded dopant-bearing materials
US7638438B2 (en) 2006-12-12 2009-12-29 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell fabrication using extrusion mask
US20080185039A1 (en) * 2007-02-02 2008-08-07 Hing Wah Chan Conductor fabrication for optical element
US7954449B2 (en) * 2007-05-08 2011-06-07 Palo Alto Research Center Incorporated Wiring-free, plumbing-free, cooled, vacuum chuck
US8071179B2 (en) * 2007-06-29 2011-12-06 Stion Corporation Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials
US7919400B2 (en) * 2007-07-10 2011-04-05 Stion Corporation Methods for doping nanostructured materials and nanostructured thin films
TWI450401B (zh) * 2007-08-28 2014-08-21 Mosel Vitelic Inc 太陽能電池及其製造方法
US8614396B2 (en) * 2007-09-28 2013-12-24 Stion Corporation Method and material for purifying iron disilicide for photovoltaic application
US8759671B2 (en) 2007-09-28 2014-06-24 Stion Corporation Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices
US8287942B1 (en) 2007-09-28 2012-10-16 Stion Corporation Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material
US8058092B2 (en) * 2007-09-28 2011-11-15 Stion Corporation Method and material for processing iron disilicide for photovoltaic application
US20090087939A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Stion Corporation Column structure thin film material using metal oxide bearing semiconductor material for solar cell devices
NL2000999C2 (nl) * 2007-11-13 2009-05-14 Stichting Energie Werkwijze voor het fabriceren van kristallijn silicium zonnecellen met gebruikmaking van co-diffusie van boor en fosfor.
US7998762B1 (en) 2007-11-14 2011-08-16 Stion Corporation Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration
US20110017298A1 (en) 2007-11-14 2011-01-27 Stion Corporation Multi-junction solar cell devices
US8440903B1 (en) 2008-02-21 2013-05-14 Stion Corporation Method and structure for forming module using a powder coating and thermal treatment process
US20090211627A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Suniva, Inc. Solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
US20090211623A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Suniva, Inc. Solar module with solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
US8076175B2 (en) * 2008-02-25 2011-12-13 Suniva, Inc. Method for making solar cell having crystalline silicon P-N homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
US8075723B1 (en) 2008-03-03 2011-12-13 Stion Corporation Laser separation method for manufacture of unit cells for thin film photovoltaic materials
US8772078B1 (en) 2008-03-03 2014-07-08 Stion Corporation Method and system for laser separation for exclusion region of multi-junction photovoltaic materials
US7939454B1 (en) 2008-05-31 2011-05-10 Stion Corporation Module and lamination process for multijunction cells
US20090301562A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method
US8642138B2 (en) * 2008-06-11 2014-02-04 Stion Corporation Processing method for cleaning sulfur entities of contact regions
US7851698B2 (en) * 2008-06-12 2010-12-14 Sunpower Corporation Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
US8003432B2 (en) * 2008-06-25 2011-08-23 Stion Corporation Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material
US9087943B2 (en) * 2008-06-25 2015-07-21 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material
WO2010009297A2 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 Applied Materials, Inc. Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a doping layer mask
DE102008052660A1 (de) * 2008-07-25 2010-03-04 Gp Solar Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einer zweistufigen Dotierung
US8207008B1 (en) 2008-08-01 2012-06-26 Stion Corporation Affixing method and solar decal device using a thin film photovoltaic
US20110017257A1 (en) * 2008-08-27 2011-01-27 Stion Corporation Multi-junction solar module and method for current matching between a plurality of first photovoltaic devices and second photovoltaic devices
US20100180927A1 (en) * 2008-08-27 2010-07-22 Stion Corporation Affixing method and solar decal device using a thin film photovoltaic and interconnect structures
US20100051090A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Stion Corporation Four terminal multi-junction thin film photovoltaic device and method
US20100059097A1 (en) * 2008-09-08 2010-03-11 Mcdonald Mark Bifacial multijunction solar cell
US7999175B2 (en) 2008-09-09 2011-08-16 Palo Alto Research Center Incorporated Interdigitated back contact silicon solar cells with laser ablated grooves
US7855089B2 (en) * 2008-09-10 2010-12-21 Stion Corporation Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials
US8476104B1 (en) 2008-09-29 2013-07-02 Stion Corporation Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8394662B1 (en) 2008-09-29 2013-03-12 Stion Corporation Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008112B1 (en) * 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008111B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk copper species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008110B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8026122B1 (en) 2008-09-29 2011-09-27 Stion Corporation Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8236597B1 (en) 2008-09-29 2012-08-07 Stion Corporation Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8569613B1 (en) 2008-09-29 2013-10-29 Stion Corporation Multi-terminal photovoltaic module including independent cells and related system
US8501521B1 (en) 2008-09-29 2013-08-06 Stion Corporation Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8425739B1 (en) 2008-09-30 2013-04-23 Stion Corporation In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials
US8217261B2 (en) * 2008-09-30 2012-07-10 Stion Corporation Thin film sodium species barrier method and structure for cigs based thin film photovoltaic cell
US7964434B2 (en) * 2008-09-30 2011-06-21 Stion Corporation Sodium doping method and system of CIGS based materials using large scale batch processing
US7910399B1 (en) 2008-09-30 2011-03-22 Stion Corporation Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates
US7960204B2 (en) * 2008-09-30 2011-06-14 Stion Corporation Method and structure for adhesion of absorber material for thin film photovoltaic cell
US20100078059A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Stion Corporation Method and structure for thin film tandem photovoltaic cell
US8383450B2 (en) 2008-09-30 2013-02-26 Stion Corporation Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials
US8053274B2 (en) * 2008-09-30 2011-11-08 Stion Corporation Self cleaning large scale method and furnace system for selenization of thin film photovoltaic materials
US7863074B2 (en) * 2008-09-30 2011-01-04 Stion Corporation Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells
US7947524B2 (en) 2008-09-30 2011-05-24 Stion Corporation Humidity control and method for thin film photovoltaic materials
US8008198B1 (en) 2008-09-30 2011-08-30 Stion Corporation Large scale method and furnace system for selenization of thin film photovoltaic materials
US8232134B2 (en) 2008-09-30 2012-07-31 Stion Corporation Rapid thermal method and device for thin film tandem cell
US8741689B2 (en) 2008-10-01 2014-06-03 Stion Corporation Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials
US20110018103A1 (en) 2008-10-02 2011-01-27 Stion Corporation System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices
US8003430B1 (en) 2008-10-06 2011-08-23 Stion Corporation Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8435826B1 (en) 2008-10-06 2013-05-07 Stion Corporation Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8082672B2 (en) * 2008-10-17 2011-12-27 Stion Corporation Mechanical patterning of thin film photovoltaic materials and structure
US8168463B2 (en) 2008-10-17 2012-05-01 Stion Corporation Zinc oxide film method and structure for CIGS cell
CN102239564A (zh) * 2008-11-05 2011-11-09 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) 太阳能电池器件及其制造方法
US8117983B2 (en) 2008-11-07 2012-02-21 Solarworld Innovations Gmbh Directional extruded bead control
US20100117254A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Palo Alto Research Center Incorporated Micro-Extrusion System With Airjet Assisted Bead Deflection
US9150966B2 (en) * 2008-11-14 2015-10-06 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell metallization using inline electroless plating
US8344243B2 (en) 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
US20110265859A1 (en) 2008-11-20 2011-11-03 Yakov Safir High voltage semiconductor based wafer and a solar module having integrated electronic devices
EP2226850A1 (en) 2009-03-06 2010-09-08 SAPHIRE ApS Solar module having integrated electronic devices
EP2190017A1 (en) 2008-11-20 2010-05-26 SAPHIRE ApS High voltage semiconductor based wafer
US8080729B2 (en) 2008-11-24 2011-12-20 Palo Alto Research Center Incorporated Melt planarization of solar cell bus bars
US8960120B2 (en) 2008-12-09 2015-02-24 Palo Alto Research Center Incorporated Micro-extrusion printhead with nozzle valves
KR20110105382A (ko) 2008-12-10 2011-09-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 스크린 프린팅 패턴 정렬을 위한 향상된 비젼 시스템
TWI385809B (zh) * 2008-12-17 2013-02-11 Ind Tech Res Inst 表面織化的方法
CN101771095B (zh) * 2009-01-06 2012-03-21 台湾茂矽电子股份有限公司 太阳能电池
CN102386280B (zh) * 2009-02-05 2014-06-18 显示器生产服务株式会社 制备太阳能电池上的选择性发射极的方法中使用的扩散设备
DE102009008371A1 (de) * 2009-02-11 2010-08-12 Schott Solar Ag Integraler Prozeß von Waferherstellung bis Modulfertigung zur Herstellung von Wafern, Solarzellen und Solarmodulen
US8563850B2 (en) * 2009-03-16 2013-10-22 Stion Corporation Tandem photovoltaic cell and method using three glass substrate configuration
US8298850B2 (en) * 2009-05-01 2012-10-30 Silicor Materials Inc. Bifacial solar cells with overlaid back grid surface
US8241943B1 (en) 2009-05-08 2012-08-14 Stion Corporation Sodium doping method and system for shaped CIGS/CIS based thin film solar cells
US8372684B1 (en) 2009-05-14 2013-02-12 Stion Corporation Method and system for selenization in fabricating CIGS/CIS solar cells
US8507786B1 (en) 2009-06-27 2013-08-13 Stion Corporation Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells
US8398772B1 (en) 2009-08-18 2013-03-19 Stion Corporation Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity
NL2003390C2 (en) * 2009-08-25 2011-02-28 Stichting Energie Solar cell and method for manufacturing such a solar cell.
DE102009044052A1 (de) * 2009-09-18 2011-03-24 Schott Solar Ag Kristalline Solarzelle, Verfahren zur Herstellung einer solchen sowie Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls
NL2003510C2 (en) * 2009-09-18 2011-03-22 Solar Cell Company Holding B V Photovoltaic cell and method for fabricating a photovoltaic cell.
US8174444B2 (en) * 2009-09-26 2012-05-08 Rincon Research Corporation Method of correlating known image data of moving transmitters with measured radio signals
WO2011040489A1 (ja) * 2009-09-29 2011-04-07 京セラ株式会社 太陽電池素子および太陽電池モジュール
US8809096B1 (en) 2009-10-22 2014-08-19 Stion Corporation Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials
US20110100418A1 (en) * 2009-11-03 2011-05-05 Palo Alto Research Center Incorporated Solid Linear Solar Concentrator Optical System With Micro-Faceted Mirror Array
US9012766B2 (en) 2009-11-12 2015-04-21 Silevo, Inc. Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
US8586862B2 (en) * 2009-11-18 2013-11-19 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
US20110114147A1 (en) * 2009-11-18 2011-05-19 Solar Wind Ltd. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
US8796060B2 (en) 2009-11-18 2014-08-05 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
TW201121066A (en) * 2009-12-14 2011-06-16 Ind Tech Res Inst Bificial solar cell
TWI472049B (zh) * 2009-12-14 2015-02-01 Ind Tech Res Inst 太陽能電池的製造方法
US8859880B2 (en) * 2010-01-22 2014-10-14 Stion Corporation Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices
US8263494B2 (en) 2010-01-25 2012-09-11 Stion Corporation Method for improved patterning accuracy for thin film photovoltaic panels
US20110216401A1 (en) * 2010-03-03 2011-09-08 Palo Alto Research Center Incorporated Scanning System With Orbiting Objective
US9096930B2 (en) 2010-03-29 2015-08-04 Stion Corporation Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices
US8142521B2 (en) * 2010-03-29 2012-03-27 Stion Corporation Large scale MOCVD system for thin film photovoltaic devices
US9214576B2 (en) 2010-06-09 2015-12-15 Solarcity Corporation Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
CN101930912B (zh) * 2010-07-20 2012-03-14 晶澳太阳能有限公司 一种利用掩模在硅片两面实现p+和n+扩散的工艺
US8461061B2 (en) 2010-07-23 2013-06-11 Stion Corporation Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
CN102403396A (zh) * 2010-09-10 2012-04-04 杜邦太阳能有限公司 薄膜太阳能电池的制造方法
US9773928B2 (en) 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
KR101699300B1 (ko) * 2010-09-27 2017-01-24 엘지전자 주식회사 태양전지 및 이의 제조 방법
US8628997B2 (en) 2010-10-01 2014-01-14 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
US9800053B2 (en) 2010-10-08 2017-10-24 Tesla, Inc. Solar panels with integrated cell-level MPPT devices
TWI431797B (zh) * 2010-10-19 2014-03-21 Ind Tech Res Inst 選擇性射極之太陽能電池及其製作方法
CN102064232A (zh) * 2010-10-28 2011-05-18 中山大学 一种应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺
CN102097534A (zh) * 2010-11-18 2011-06-15 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 同时形成晶体硅太阳能电池pn结和氮化硅减反射膜的方法
US8134217B2 (en) * 2010-12-14 2012-03-13 Sunpower Corporation Bypass diode for a solar cell
US8998606B2 (en) 2011-01-14 2015-04-07 Stion Corporation Apparatus and method utilizing forced convection for uniform thermal treatment of thin film devices
US8728200B1 (en) 2011-01-14 2014-05-20 Stion Corporation Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials
US8962424B2 (en) 2011-03-03 2015-02-24 Palo Alto Research Center Incorporated N-type silicon solar cell with contact/protection structures
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
US8436445B2 (en) 2011-08-15 2013-05-07 Stion Corporation Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices
WO2013062727A1 (en) * 2011-10-24 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of removing a passivation film and improving contact resistance in rear point contact solar cells
US8822262B2 (en) 2011-12-22 2014-09-02 Sunpower Corporation Fabricating solar cells with silicon nanoparticles
US9196779B2 (en) 2012-07-12 2015-11-24 Stion Corporation Double sided barrier for encapsulating soda lime glass for CIS/CIGS materials
WO2014055781A1 (en) 2012-10-04 2014-04-10 Silevo, Inc. Photovoltaic devices with electroplated metal grids
US9865754B2 (en) 2012-10-10 2018-01-09 Tesla, Inc. Hole collectors for silicon photovoltaic cells
CN104813480B (zh) 2012-10-16 2017-03-01 索莱克赛尔公司 用于光伏太阳能电池和模块中的单片集成旁路开关的系统和方法
US9281436B2 (en) 2012-12-28 2016-03-08 Solarcity Corporation Radio-frequency sputtering system with rotary target for fabricating solar cells
US9219174B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
US9412884B2 (en) 2013-01-11 2016-08-09 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
KR102065595B1 (ko) * 2013-01-17 2020-01-13 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법
US9093598B2 (en) * 2013-04-12 2015-07-28 Btu International, Inc. Method of in-line diffusion for solar cells
US20150101761A1 (en) 2013-05-12 2015-04-16 Solexel, Inc. Solar photovoltaic blinds and curtains for residential and commercial buildings
US9624595B2 (en) 2013-05-24 2017-04-18 Solarcity Corporation Electroplating apparatus with improved throughput
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
US9947822B2 (en) 2015-02-02 2018-04-17 Tesla, Inc. Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells
KR20170019597A (ko) * 2015-08-12 2017-02-22 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
WO2017072758A1 (en) * 2015-10-25 2017-05-04 Solaround Ltd. Method of bifacial cell fabrication
US9842956B2 (en) 2015-12-21 2017-12-12 Tesla, Inc. System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures
US9496429B1 (en) 2015-12-30 2016-11-15 Solarcity Corporation System and method for tin plating metal electrodes
CN107305839B (zh) * 2016-04-18 2020-07-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 防止自掺杂效应的方法
US10115838B2 (en) 2016-04-19 2018-10-30 Tesla, Inc. Photovoltaic structures with interlocking busbars
US10672919B2 (en) 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
FR3073975B1 (fr) * 2017-11-22 2020-09-18 Commissariat Energie Atomique Procede ameliore de dopage de cellule solaire
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL99619C (hu) * 1955-06-28
US3767485A (en) * 1971-12-29 1973-10-23 A Sahagun Method for producing improved pn junction
JPS5824951B2 (ja) * 1974-10-09 1983-05-24 ソニー株式会社 コウガクソウチ
DE2506457C3 (de) * 1975-02-15 1980-01-24 S.A. Metallurgie Hoboken-Overpelt N.V., Bruessel Verfahren zur Herstellung einer silikatischen Abdeckschicht auf einer Halbleiterscheibe öder auf einer auf ihr befindlichen Schicht
US4101351A (en) * 1976-11-15 1978-07-18 Texas Instruments Incorporated Process for fabricating inexpensive high performance solar cells using doped oxide junction and insitu anti-reflection coatings
JPS55130176A (en) * 1979-03-30 1980-10-08 Hitachi Ltd Field effect semiconductor element and method of fabricating the same
DE3316417A1 (de) * 1983-05-05 1984-11-08 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Solarzelle
US4662956A (en) * 1985-04-01 1987-05-05 Motorola, Inc. Method for prevention of autodoping of epitaxial layers
DE3520699A1 (de) * 1985-06-10 1986-01-23 BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., Baden, Aargau Verfahren zum selektiven diffundieren von aluminium in ein siliziumsubstrat
US4701427A (en) * 1985-10-17 1987-10-20 Stemcor Corporation Sintered silicon carbide ceramic body of high electrical resistivity
US5225235A (en) * 1987-05-18 1993-07-06 Osaka Titanium Co., Ltd. Semiconductor wafer and manufacturing method therefor
US4914500A (en) * 1987-12-04 1990-04-03 At&T Bell Laboratories Method for fabricating semiconductor devices which include sources and drains having metal-containing material regions, and the resulting devices
US5082791A (en) * 1988-05-13 1992-01-21 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells

Also Published As

Publication number Publication date
DK170189B1 (da) 1995-06-06
NO924568D0 (no) 1992-11-26
BR9106519A (pt) 1993-05-25
FI925409A (fi) 1992-11-27
FI925409A0 (fi) 1992-11-27
WO1991019323A1 (en) 1991-12-12
HU9203773D0 (en) 1993-04-28
NO924568L (no) 1992-11-26
DE69118530T2 (de) 1996-11-21
DK133890D0 (da) 1990-05-30
AU7976591A (en) 1991-12-31
ES2088793T3 (es) 1996-09-16
JPH05508742A (ja) 1993-12-02
US5665175A (en) 1997-09-09
DK133890A (da) 1991-12-01
ATE136402T1 (de) 1996-04-15
AU646263B2 (en) 1994-02-17
EP0531430B1 (en) 1996-04-03
CN1057735A (zh) 1992-01-08
CA2084089A1 (en) 1991-12-01
CN1025392C (zh) 1994-07-06
DE69118530D1 (de) 1996-05-09
PL167243B1 (pl) 1995-08-31
US5461002A (en) 1995-10-24
RO111230B1 (ro) 1996-07-30
EP0531430A1 (en) 1993-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
HUT63711A (en) Method for making semiconductor device, as well as solar element made from said semiconductor device
KR101002282B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
CN102959717B (zh) 太阳能电池单元及其制造方法
JP5215330B2 (ja) 裏面電極型太陽電池の製造方法、裏面電極型太陽電池および裏面電極型太陽電池モジュール
JP5414298B2 (ja) 太陽電池の製造方法
CN102484148B (zh) 太阳能电池单元及其制造方法
JP2013531371A (ja) 拡散とイオン注入とのハイブリッドプロセスによって形成される選択エミッタ太陽電池
EP3712968B1 (en) Solar cell manufacturing method
KR20130007639A (ko) 이면 전극형 태양전지 및 이면 전극형 태양전지의 제조방법
JP6282635B2 (ja) 太陽電池の製造方法
WO2012176839A1 (ja) 裏面電極型太陽電池の製造方法
CN103314455B (zh) 太阳能电池单元及其制造方法、以及太阳能电池模块
JP2004172271A (ja) 太陽電池の製造方法及び太陽電池
JP2015138959A (ja) 光起電力装置および光起電力装置の製造方法
JP2014146766A (ja) 太陽電池の製造方法及び太陽電池
KR101464002B1 (ko) 태양 전지의 제조 방법
JP2005136081A (ja) 太陽電池の製造方法
JP2015106624A (ja) 太陽電池の製造方法
KR101149542B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
JP2005072388A (ja) 太陽電池素子の製造方法
JP2011018748A (ja) 太陽電池セルの製造方法
WO2009150741A1 (ja) 光起電力装置の製造方法
KR100204916B1 (ko) 태양전지 제조방법
JPH11307796A (ja) 太陽電池及びその製造方法
KR20120020824A (ko) 태양 전지용 기판의 텍스처링 방법

Legal Events

Date Code Title Description
DFD9 Temporary protection cancelled due to non-payment of fee