PL167243B1 - S posób wytwarzania obszarów domieszkowanych w elemencie pólprzewodnikowym, zwlaszcza w ogniwie slonecznym PL - Google Patents

S posób wytwarzania obszarów domieszkowanych w elemencie pólprzewodnikowym, zwlaszcza w ogniwie slonecznym PL

Info

Publication number
PL167243B1
PL167243B1 PL91296932A PL29693291A PL167243B1 PL 167243 B1 PL167243 B1 PL 167243B1 PL 91296932 A PL91296932 A PL 91296932A PL 29693291 A PL29693291 A PL 29693291A PL 167243 B1 PL167243 B1 PL 167243B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
layer
etching
solar cell
semiconductor substrate
source layer
Prior art date
Application number
PL91296932A
Other languages
English (en)
Inventor
Yakov Safir
Original Assignee
Yakov Safir
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yakov Safir filed Critical Yakov Safir
Publication of PL167243B1 publication Critical patent/PL167243B1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
    • H01L21/2255—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/007—Autodoping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/914—Doping
    • Y10S438/916—Autodoping control or utilization

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

wanych w elemencie pólprzewodnikowym, zwlasz- cza w ogniwie slonecznym, podczas którego naklada sie na czesc powierzchni podloza pólprzewodnikowe- go co najmniej jedna warstwe zródla z pierwsza do- mieszka, ogrzewa sie podloze pólprzewodnikowe z warstwa zródla do temperatury dyfuzji czesci do- mieszki z warstwy zródla do podloza pólprzewodni- kowego, gdzie przeprowadza sie takze niepozadane samodomieszkowanie nie chronionych powierzch- ni podloza pólprzewodnikowego podczas procesu domieszkowania, znamienny tym, ze podloze pólprzewodnikowe z warstwa zródla poddaje sie trawieniu, steruje sie trawieniem, przez co osiaga sie glebokosc trawienia nie chronionych powierz- chni podloza pólprzewodnikowego wieksza niz gle- bokosc penetracji samodomieszkowanych atomów i uzyskuje sie grubosc warstwy zródla taka, ze two- rzy sie przez warstwe zródla bariere ochronna dla lezacych ponizej domieszkowanych obszarów pod- czas trawienia, przy czym powoduje sie zmniejsze- nie grubosci warstwy zródla podczas trawienia. F I G . 1 PL

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania obszarów domieszkowanych w elemencie półprzewodnikowym, zwłaszcza w ogniwie słonecznym.
Ogniwo słonecznejest wykonane z cienkiej płytki krzemowej, posiadającej pojedynczy duży obszar ze złączem p-n, który pokrywa stronę płytki skierowaną do źródła światła. Wzbudzone światłem nośniki ładunków płyną do styku metalowego z przodu i do styku metalowego z tyłu, przy którym uzyskuje się dziękijego geometrii maksymalne gromadzenie nośników ładunków. Ogniwo słoneczne jednopowierzchniowe jest czułe jedynie na światło padające na przednią stronę. Przez dodatkowe nałożenie cienkiej warstwy złącza na stronę tylną ogniwa, może być ono światłoczułe dwupowierzchniowo. Ogniwa słoneczne mają podłoże samoistne typu p lub typu n, podczas gdy domieszkowana warstwa lub warstwy są typu n+ lub typu p+.
Znany jest z opisu patentowego Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 2 794 846 sposób wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych, w którym przy wytwarzaniu złącz pomiędzy obszarami półprzewodnikowymi o różnych typach przewodnictwa wykonuje się, równocześnie z wytwarzaniem złącza, styk omowy z półprzewodnikiem. W procesie tym nakłada się mieszaninę metalu i kompozycji tworzącej szkło na powierzchnię półprzewodnika, przy czym ta kompozycja zawiera związki ze znacznymi zanieczyszczeniami półprzewodnika. Mieszaninę tę wypala się, przez co tworzy się przewodzące szkliwo, z którego dyfunduje się znaczne zanieczyszczenia do warstw powierzchniowych półprzewodnika, gdzie tę mieszaninę nałożono. Opis ten dotyczy także wytwarzania złącza p-n w podłożu krzemowym typu n, w którym pokrywa się to podłoże drobno sproszkowaną kompozycją tworzącą szkło, zawierającą co najmniej jeden związek boru, następnie wypala się pokryte powłoką podłoże w podwyższonej temperaturze, przez co stapia się kompozycję tworzącą szkło, wywarza się szklaną powierzchnię zewnętrzną i dyfunduje się bor do warstw powierzchniowych podłoża krzemowego, gdzie tę kompozycję tworzącą szkło nałożono.
Znanyjest z opisu patentowego Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 5 017 243 sposób wytwarzania ogniwa słonecznego, podczas którego przygotowuje się podłoże półprzewodnikowe o pierwszym typie przewodnictwa, mające dwie przeciwległe powierzchnie główne, wytwarza się na części pierwszej powierzchni głównej podłoża półprzewodnikowego warstwę półprzewodnikową o drugim typie przewodnictwa czułą na padające światło i wytwarza się złącze p-n. Nakłada się pierwszą elektrodę na warstwę półprzewodnikową, tworzy się pierwszą wnękę pomiędzy pierwszą i drugą powierzchnią główną w podłożu półprzewodnikowym, gdzie nie ma tej warstwy półprzewodnikowej. Nakłada się przewodzący elektrycznie materiał w pierwszej wnęce i na części pierwszej powierzchni głównej, gdzie warstwa półprzewodnikowa nie występuje, odizolowany elektrycznie od warstwy półprzewodnikowej. Usuwa się część podłoża półprzewodnikowego na drugiej powierzchni głównej, przez co odsłania się materiał przewodzący elektrycznie. Nakłada się też drugą elektrodę na drugiej powierzchni głównej podłoża półprzewodnikowego, dołączoną elektrycznie do materiału przewodzącego elektrycznie.
Znanyjest na przykład z opisu patentowego Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 4101351 sposób wykorzystania tlenku zawierającego domieszkę. Stosuje się wzrost tlenku na krysztale, po czym części kryształu wystawia się ponownie na działanie tlenku, przez co tworzy się obszary czynne. Przy tym stosuje się warstwę maski odporną na działanie kwasu fluorowodorowego, dzięki czemu warstwa tlenku jest trawiona przez kwas fluorowodorowy tylko w obszarach, gdzie kryształ nie jest pokryty warstwą maski. Obszary kryształu tak odsłonięte domieszkuje się następnie, po usunięciu warstwy maski, przez dyfuzję właściwej substancji do kryształu w wysokiej temperaturze, zwykle około 1000°C. Materiał źródła domieszki dodaje się przez nakładanie na odsłoniętym obszarze kryształu warstwy materiału źródła domieszki, zawierającego na przykład dwutlenek krzemu. Nie ma tu miejsca żadne niepożądne samodomieszkowanie, ponieważ pozostała część kryształu jest chroniona przezwarstwę tlenku. Proces utleniania, maskowania, trawienia i domieszkowania może być powtarzalny kilkukrotnie tak, że kryształ będzie miał wymaganą liczbę domieszkowanych obszarów. Jednak sposób ten ma wiele skomplikowanych etapów, takich jak wzrost tlenku na powierzchni kryształu, który wymaga obróbki cieplnej w temperaturze około 1000°C,jak również ma wymagania dotyczące czystości otoczenia co do czystego tlenu lub pary wodnej. Odsłonięcie części powierzchni kryształu zwykle wymaga użycia kwasu fluorowodorowego, któryjest szczególnie trudny do zastosowania przy obróbce chemicznej ze względu na jego toksyczność.
Sposób według wynalazku polega na tym, że podłoże półprzewodnikowe z warstwą źródła poddaje się trawieniu, steruje się trawieniem, przez co osiąga się głębokość trawienia nie chronionych powierzchni podłoża półprzewodnikowego większą niż głębokość penetracji samodomieszkowanych atomów i uzyskuje się grubość warstwy źródła taką, że tworzy się przez warstwę źródła barierę ochronną dla leżących poniżej domieszkowanych obszarów podczas trawienia, przy czym powoduje się zmniejszenie grubości warstwy źródła podczas trawienia.
Zaletą wynalazku jest to, że zastosowanie maskowania jest zbędne, ponieważ warstwa źródła domieszki służy również jako bariera ochronna dla obszarów domieszkowanych w kolejnych etapach domieszkowania. Liczba etapów wysokotemperaturowych zostaje zmniejszona tak, że odpowiada ona liczbie procesów domieszkowania i może być nawet mniejsza niż ta liczba, jeżeli jest zastosowana warstwa źródła domieszki służąca równieżjako bariera dla źródła fazy gazowej. Jest to bardzo korzystne ponieważ powtarzane etapy wysokotemperaturowe niszczą strukturę kryształu płytki. Zaletą wynalazku jest umożliwienie nałożenia na podłoże półprzewodnikowe warstwy źródła domieszki, która służy jako maska i warstwa ochronna, gdy są trawione obszary samodomieszkowane. Wynalazek jest unikalny przez to, że kilka wzajemnie oddzielonych obszarów domieszkowanych o różnych typach przewodnictwa i koncentracjach domieszek może być wytworzonych po prostu w jednym etapie wysokotemperaturowym. Dzięki sposobowi według wynalazku unika się całkowicie użycia kwasu fluorowodorowego i maski co jest bardzo korzystne dla otoczenia. Wytwarzanie ogniw słonecznych o dużej wydajności było ograniczone dotychczas do warunków laboratoryjnych ze względu na wysokie wymagania dotyczące czystości środowiska i użycia niebezpiecznych środków chemicznych, jak również nowoczesnego wypo4
167 243 sażenia. Niniejszy sposób nie stawia takich wymagań i jest szczególnie właściwy do użycia w przedsiębiorstwach nie mających dostępu do wysokiej' technologii.
Wynalazek zostanie objaśniony w oparciu o rysunek, na którym fig. 1 przedstawia przykład przebiegu etapów sposobu wytwarzania obszarów domieszkowanych w elemencie półprzewodnikowym i fig. 2-8 - schematycznie kolejne etapy wytwarzania dwupowierzchniowego ogniwa słonecznego wykonanego w procesie z fig. 1.
Figura 1 przedstawia przebieg etapów sposobu wytwarzania obszarów domieszkowanych w ogniwie słonecznym. Przed wytworzeniem w płytce podłoża obszarów domieszkowanych, przeprowadzana jest pewna liczba znanych etapów obróbki, w których są na przykład usuwane wady cięcia i zmieniane własności odbijania. Zostaną podane również metody wykonania styków dla półprzewodnikowego ogniwa słonecznego.
Materiał podłoża zostaje wybrany na podstawie wymagań nałożonych na otrzymywane ogniwo słoneczne, w przedstawionym przykładzie jest to podłoże krzemowe typu n o rezystywności 100 Om cm. Podłoże krzemowe jest płytką monokrystaliczną o orientacji (100), o grubości przez obróbkę 300 μιη i ma nieznaczne wady na powierzchni, spowodowane odcięciem od pręta krzemowego. Styki przyrządu półprzewodnikowego mogą być wydrukowane, na przykład przy pomocy techniki drukowania grubowarstwowego, co rozpoczyna się w etapie 101, gdzie są tworzone rowki z szeregu przylegających wgłębień przez kolejne trawienie powierzchniowe, na przykład przez wodorotlenek potasu, w etapie 111. Styki mogą być umieszczone tak, żeby obszary czynne nie były zaciemnione. Poza tym warstwa 3 może mieć zapewnioną grubość taką, że może służyć jako warstwa przeciwodblaskowa na wykończonym ogniwie. Zatem po suszeniu w 1000C warstwa 3 może mieć grubość 0,15 μη.
W celu uzyskania wydajności ogniwa rzędu 18-25%, osadzanie warstwy 3 i jej zawartość są całkowicie decydujące, ponieważ taka wydajność jest uwarunkowana małą koncentracją powierzchniową. W przypadku ogniwa słonecznego prąd fotoelektryczny (prąd wytworzony w złączu p-n z, padającego światła) jest nakładany na skierowany przeciwnie prąd (prąd ciemny), z którego to powodu próbuje on ograniczyć ten ostatni. Poważną przyczyną dużego prądu ciemnego jest wiele centrów rekombinacji przy powierzchni (duża szybkość rekombinacji powierzchniowej), które mogą być zneutralizowane przez pasywację powierzchni ogniwa przez cienką warstwę SiO2 - tak zwaną warstwę pasywacji, którajednak jest czynna, gdy koncentracja powierzchniowa zanieczyszczeń domieszkowych (tutaj atomów fosforu) jest wystarczająco niska, tojest mniejsza niż około 2,5 χ 10^ cm *3. Po pokryciu części powierzchni 2 płytki 1 warstwą źródła domieszki, ogniwo jest obrabiane w wysokiej temperaturze, co ma miejsce w etapie 131 w temperaturze około 1100°C, korzystnie w atmosferze suchego azotu i ten etap trwa 15 minut. Celem tej obróbki jest domieszkowanie obszarów płytki przy pomocy dyfuzji z osadzanej warstwy 3 do obszarów przy powierzchni płytki 1 i bezpośrednio pod nią. Ten etap 131 może być regulowany tak, żeby zapewniać skuteczne pochłanianie gazów, gdy są usuwane niepożądane zanieczyszczenia w płytce. Jeżeli pochłanianie gazów nie jest konieczne, etap 131 w wysokiej temperaturze może zostać przedłużony a etap 132 pominięty. Przepływ czystego azotu gazowego (bez obecności tlenu) jest 'stosowany dla zapobiegania wytwarzaniu warstwy maskującej SiO2 na tylnej stronie ogniwa, co inaczej zapobiegałoby dyfuzji fosforu w fazie gazowej ze źródła POCl3 w etapie 132. t
Wytworzenie domieszkowanego obszaru 4 złącza pokazanego na fig. 3, gdzie cząstki fosforu stosowane do wytworzenia obszaru typu n przychodzą z warstwy dwutlenku osadzonej w etapie 122, ma miejsce w etapie 131, gdzie warstwa 3 dwutlenku krzemu jest dodatkowo zagęszczana dla zapewnienia efektu maskowania na przedniej stronie względem niepożądanego wejścia dużej liczby atomów fosforu w etapie 132. Wynalazek jest unikalny przez to, że kilka wzajemnie oddzielonych obszarów domieszkowanych o różnych typach i koncentracjach można wytworzyć po prostu w jednym etapie wysokotemperaturowym.
167 243
Przy przejściu do etapu 132 temperatura 1100°Cjest utrzymywana, podczas gdy płytki są przesuwane do innej strefy w piecu, gdzie atmosfera zawiera tlen i gaz nośny ze źródła POCl3. Ta część obróbki wysokotemperaturowej przebiega przez 15 minut i zostaje zakończona wolnym chłodzeniem, podczas którego źródło POCh jest odłączone. Wolne chłodzenie jest potrzebne dla uzyskania pełnej korzyści z procesu pochłaniania gazów. Ponadto szybkie chłodzenie jest niewskazane ze względu na zachowanie struktury kryształu, gdyż mogą wystąpić wady kryształu, które zmniejszają długość dyfuzji mniejszościowych nośników ładunku i skutkiem tego wydajność ogniwa. Zatem jest istotne, żeby etapy 131 i 132 przebiegały w tej samej komorze lub piecu dyfuzynym bez pośredniego chłodzenia i ogrzewania. Temperatura 1100°C może być zmieniana w szerokim zakresie, przy czym jest ona wybrana jako typowy przykład w celu wy'aśnienia.
Jak widać na fig. 3, domieszkowany obszar 5 zostanie wytworzony ze źródła fazy gazowej, a na nim jest wytwarzana podczas dyfuzji warstwa tlenkowa 6. Podczas dyfuzji silnie domieszkowana fosforem warstwa dwutlenku krzemu jest wytwarzana w szczególności nad tylną stroną, przy czym jest ona jednak usuwana przez trawienie w etapie 141. Dyfundowana warstwa może być scharakteryzowana za pomocą parametrów: głębokości złącza i rezystancji powierzchniowej (omy na powierzchnię). Głębokość złącza jest odległością od powierzchni do punktu, gdzie koncentracja domieszek pierwszego typu jest równa koncentracji domieszek drugiego typu w podłożu, to jest gdzie występuje równowaga elektryczna pomiędzy domieszkami typu p i n, nazywanymi również atomami akceptorowymi i atomami donorowymi.
Trawienie w etapie 141 może być korzystnie przeprowadzane przy pomocy choliny, skutkiem czego cienka warstwa 6 tlenku fosforu jest wytrawiana z tylnej strony tak, że usytuowane w niej domieszki są usuwane wraz z leżącymi najbardziej na zewnątrz 5 μ m krzemu. Po przerwaniu trawienia warstwa krzemu na przedniej stronie jest również zmniejszana i ma grubość około 0,1 μ m. Trawienie może być korzystnie selektywne tak, że zostaje zachowana struktura piramidowa, lecz to powoduje niebezpieczeństwo, że tekstura nie będzie takjednorodnajak przed trawieniem, ponieważ pewne piramidy są trawione szybciej niż inne. Piramidy na tylnej stronie będą o 5 um wyższe niż piramida na przedniej stronie po trawieniu. Szybkość trawienia jest wielokrotnie większa w kierunku (100) niż w szczególności w kierunku (111) i dlatego jest ważne zapewnienie, żeby głębokość trawienia (tutaj 5 μm) była większa niż głębokość wnikania w stronę tylną (tutaj 3 μm) atomów fosforu ze źródła zewnętrznego fazy gazowej w etapie 132.
Podobnie jak w etapie 121 warstwa dwutlenku krzemu o bardzo dużej zawartości procentowej moli boru może być teraz osadzona na tylnej stronie płytki w etapie 151, co może zachodzić przy pomocy techniki drukowania grubowarstwowego. Grubość warstwy wynosi 0,1 μ m po wysuszemu w 150°C i poza spełnianiem funkcji źródła domieszki dla wysokodomieszkowanego obszaru stykowego służy ona również jako dodatkowa maska ochronna przed wprowadzeniem niepożądanego materiału metalowego. Inaczej wzór odpowiada wzorowi stosowanemu w etapie 121 i pokrywa w ten sam sposób rowki stykowe wytworzone w etapie 101.
Jeżeli dioda ma być wyposażona w diodę bocznikującą wzmiankową później, tylna strona jest zaopatrzona wzdłuż krawędzi w warstwę dwutlenku krzemu z wysoką zawartością procentową moli fosforu, co może dogodnie zachodzić przy pomocy techniki grubowarstwowej, która jest wykorzystywana w etapie 152. Następnie warstwa 9 dwutlenku krzemu (fig. 5) o małej zawartości procentowej moli jest osadzana na tylnej stronie, co zachodzi w etapie 153 i może być dogodnie przeprowadzone przy pomocy techniki drukowania grubowarstwowego. Warstwa 9 (fig. 5) pokrywa całą tylną stronę oprócz pierścieniowego obszaru wzdłuż krawędzi płytki. Grubość warstwy wynosi około 0,1 μ m po wysuszeniu w 100°C. Mała zawartość procentowa moli zapewnia, że koncentracja powierzchniowa nie przekracza 8 x 1018 atomów boru na cm3 na zewnątrz obszaru stykowego. Koncentracja boru jest większa niż poprzednio wzmiankowana koncentracja fosforu, a przyczyną jest to, że bor dyfunduje wolniej niż fosfor i że koncentracja musi zostać zwiększona w celu uzyskania takiej samej małej rezystancji powierzchniowej. Poza tym należy rozważyć, że
167 243 podczas obróbki wysokotemperaturowej w etapie 161 fosfor wnika głębiej do płytki w wyniku dyfuzji. Rozwiązaniem tego problemu jest rozpoczęcie osadZania warstwy boru (etapy 121-122) i następnie osadzanie warstwy fosforu (etapy 151-153).
Dyfuzja w etapie 161 zachodzi w 1000°C w suchej atmosferze azotu i tlenu przez 30 minut. Etap wysokotemperaturowy jest kończony bardzo wolnym chłodzeniem w atmosferze wzbogaconej w tlen w celu wytworzenia powierzchniowej warstwy pasywacyjnej o grubości 0,01 μ m, co zachodzi najlepiej w wyniku suchego utleniania. Należy zauważyć, że tlenek wzrasta przy powierzchni kryształu krzemu a nie na domieszkowanych warstwach dwutlenku krzemu. Chłodzenie jest tutaj bardzo ważne a najlepszy wynik jest uzyskiwany przy bardzo wolnym chłodzeniu (około 2°C/minutę).
W etapie 161 bor wnika z warstwy 9 dwutlenku krzemu do płytki w obszarze 10 bezpośrednio poniżej warstwy 9 dwutlenku krzemu. W odsłoniętym obszarze pomiędzy dwiema warstwami dwutlenku krzemu zachodzi samodomieszkowanie obszaru 11 a na jego wierzchołku zostaje wytworzony tlenek 12. Domieszkowany obszar 4 będzie rozchodził się nieznacznie podczas procesu dyfuzji.
Na figurze 7 widać, jak trawienie w etapie 171 usuwa samodomieszkowany obszar 11 i utworzony na nim tlenek 12. Trawieniejest przeprowadzane przez gorący roztwór choliny, tak że 2 μm krzemu są usuwane z powierzchni w obszarze pomiędzy warstwami dwutlenku krzemu. Podczas procesu trawienia grubość warstw 3 i 10 dwutlenku krzemu zostaje zmniejszona do 0,01 μ m w celu umożliwienia nałożenia lepszej liczby warstw odbiciowych w kolejnych etapach. Warstwa dwutlenku krzemu może zostać wytrawiona w sposób korzystny, ponieważ w tym przypadku składa się ona głownie z SiO2, który ma mniejszy współczynnik odbicia (zwykle 1,45). Przy większym współczynniku odbicia zostaje uzyskana lepsza warstwa przeciwodbiciowa. Inaczej można by zadecydować użyć TiO2 ze współczynnikiem odbicia 2,1 dla warstw 3 i 9 oraz utrzymać to. Poza tym można by zadecydować o połączeniu tej warstwy z inną warstwą przeciwodbiciową, na przykład Ta2Os, ZnS lub MgF2 dla zapewnienia podwójnej warstwy, która daje lepszy efekt przeciwodbiciowy. Następnie mogą być nałożone w znany sposób styki, co jest znane fachowcom i dlatego nie będzie wzmiankowane w większych szczegółach. Przebieg procesu został wyjaśniony w odniesieniu do dwupowierzchniowego ogniwa słonecznego, lecz może on zostać przerwany po wyprawianiu w etapie 141 w celu zapewnienia jedynie jednopowierzchniowego ogniwa słonecznego, które jest następnie gotowe do nakładania styków.
Można zatem stwierdzić, że jest uzyskiwanych wiele pozytywnych skutków przez zastosowanie warstwy dwutlenku krzemu zarówno jako źródła domieszki jak i maski. Przy wytwarzaniu jednopowierzchniowego ogniwa słonecznego jedna strona płytki podłoża jest powlekana przez warstwę dwutlenku krzemu, który służy częściowo jako materiał źródła i częściowo jako warstwa maskująca. Przy pomocy etapu wysokotemperaturowego atomy ze źródła domieszki dyfundują bezpośrednio do leżącej poniżej części płytki i za pośrednictwem powietrza do niechronionej strony tylnej płytki w postaci samodomieszkowania. Samodomieszkowana część płytki jest usuwana przez kolejne trawienie, podczas gdy warstwa dwutlenku chroni leżący poniżej domieszkowany obszar. Płytka może następnie zostać wyposażona w styki i zastosowana jako jednopowierzchniowe ogniwo słoneczne.
Na figurze 8 widać, jak obszar 11 domieszkowany ze źródła domieszki w fazie gazowej nie zostaje całkowicie usunięty przez końcowe trawienie w etapie 171. Zatem zostaje wytworzony pierścieniowy kanał z warstwą złącza na dole, zapewniony w etapie 152. Kanał ma szerokość, która jest dogodnie większa niż poszczególne głębokości penetracji do domieszkowanych obszarów 4 i 10. Odległość A pomiędzy dwiema warstwami 3 i 9 dwutlenku krzemu może być zastosowana do regulacji gradientu prądu ciemnego przez diodę, utworzoną poprzez warstwy półprzewodnika spolaryzowane w kierunku zaporowym, skutkiem czego zmniejsza się niebezpieczeństwo punktu gorącego. Odległość λ jest decydująca dla prądu upływowego pomiędzy obszarami typu n+ i p+. Wówczas gdy ogniwa słoneczne wykorzystują tak efekt diodowy, duży zespół ogniw słonecznych będzie nadal działać, nawet jeżeli jedno lub więcej poszczególnych ogniw słonecznych zostanie uszkodzonych lub będzie zacienionych. Wzmiankowany efekt diodowy można uzyskać przez usunięcie obszaru samo167 243 domieszkowanego, wzmiankowanego w połączeniu z fig. 6, poprzez selektywne trawienie, tak że pierścieniowy kanał na płytce 1 zostanie odsłonięty, podczas gdy nadal występuje część resztkowa warstwy 11 wzdłuż krawędzi czynnych obszarów 4 i 10. Ponieważ warstwa 11 zostaje wytworzona przez samodomieszkowanie z warstwy 9 źródła i ma zatem ten sam typ przewodnictwa jak czynny obszar 10, pozostała część warstwy 11 naprzeciw obszaru 10 będzie zgodnie z tym rozpatrywanajakojego integralna część, podczas gdy pozostała część naprzeciw obszaru 4 będzie rozpatrywana jako domieszkowany obszar 16 (fig. 8) o przewodnictwie typu przeciwnego niż czynny obszar 4. Obszar 15 o tym samym typie przewodnictwa jak obszar 4 jest następnie kontaktowany z obszarem 10 w kanale dla wytworzenia złącza p-n lub p-i-n. Obszar 15 może być wytworzony np. w połączeniu z wytwarzaniem styków i zatem może być wykonany z aluminium. To złącze półprzewodnikowe tworzy diodę, która jest skierowana przeciwnie do diody fotoelektrycznej utworzonej przez ogniwo słoneczne i zapewnia, że zespół, w którym jest umieszczone ogniwo słoneczne, nadal działa, nawet jeżeli to ogniwo słoneczne staje się nieczynne, np. przez przerwanie, zacienienie lub podobną przyczynę. W przypadku początkowego materiału monokrystalicznego dioda rozciąga się poprzecznie do pierścieniowego kanału, podczas gdy w przypadku początkowego materiału polikrystalicznego dioda składa się z segmentów poprzecznych do kanału i dlatego składa się z kilku diod połączonych równolegle.
Warstwy źródeł zostały omówione poprzednio jako warstwy dwutlenku krzemu z borem i fosforem, lecz jest oczywiste, że domieszka może być wybrana dowolnie, na przykład jako antymon lub arsen. Dwutlenek krzemu, który zwykle pokrywa materiał zawierający krzem i tlen, tworzący kwarty przez silne ogrzewanie i dodanie tlenu, może być zastąpiony na przykład przez azotek krzemu, tlenek tytanu lub inny materiał mający potrzebne własności, jak na przykład warstwy zaporowe. Materiałem wyjściowym w opisanym poprzednio przykładzie była monokrystaliczna płytka krzemowa i może być ona zastąpiona przez płytkę polikrystaliczną lub nawet przez płytkę amorficzną, przy czym materiał zostaje wybrany w zależności od wymaganych własności ogniwa słonecznego.
Jak widać z powyższego, płytka może być pokryta większą ilością warstw źródeł o różnych typach przewodnictwa, które przy wspólnej dyfuzji służą zarówno jako warstwa źródła i jako warstwa maskująca przed niepożądanym samodomieszkowaniem. Warstwy mogą być nakładane w zwykły sposób przez osadzanie chemiczne z pary, wyoblanie lub techniką drukowania grubowarstwowego. Jest więc możliwe wytworzenie dwupowierzchniowego ogniwa słonecznego w pojedynczym etapie wysokotemperaturowym, gdzie samodomieszkowane obszary są usuwane przez kolejne trawienie. Jest także jasne, że przedstawiona tutaj technologia jest użyteczna przy wytwarzaniu domieszkowanych obszarów dla różnych typów półprzewodników, obejmujących tyrystory. Zatem w półprzewodniku można wytworzyć dowolną strukturę obszarów domieszkowanych.
Środek trawiący został opisany poprzednio jako roztwór alkaliczny, lecz etap trawienia może być korzystnie zastąpiony przez trawienie plazmowe, tak że zarówno etap dyfuzji jak i etap trawienia zachodzą w jednej i tej samej komorze pieca, a płytki nie muszą być przesuwane pomiędzy poszczególnymi etapami. Znaczną zaletą tego jest więc fakt, że rura pieca jest czyszczona podczas trawienia i że zapobiega się kolejnym etapom procesu, polegającym na przepłukiwaniu wodą, czyszczeniu chemicznym i suszeniu.
FIG 2
F/G 3
FIG1*
FIG. 5
167 243
FIG 7
F/G8
167 243
PŁYTKA PODŁOŻA NP, KRZEMOWA
WYTWARZANIE ROWKÓW NA STYKI 101
PRZEBIEG
PROCESU
TRAWIENIE POWIERZCHNIOWE 111
TEKSTUROWANIE 112
NAKŁADANIE WARSTW ZMNIEJSZAJĄCYCH REZYSTANCJĘ
NAKŁADANIE PIERWSZEJ WARSTWY ŹRÓDŁA DOMIESZKI 122
DYFUZJA W GAZIE OBOJ§TNYM 131
DYFUZJA PRZEZ ŹRÓDŁO DOMIESZKI W FAZIE GAZOWEJ
TRAWIENIE OBSZARÓW SAMODOMIESZKOWANYCH
NAKŁADANIE WARSTWY SILNIE DOMIESZKOWANEJ NA STRONIE TYLNEJ
NAKŁADANIE OPTYMALNEJ WARSTWY BOCZNIKUJĄCEJ
NAKŁADANIE DRUGIEJ WARSTWY ŹRÓDŁA DOMIESZKI
DYFUZJA 161
TRAWIENIE 171
WYTWARZANIE STYKÓW
FIG. I
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 90 egz.
Cena 1,00 zł.

Claims (1)

  1. Zastrzeżenie patentowe
    Sposób wytwarzania obszarów domieszkowanych w elemencie półprzewodnikowym, zwłaszczaw ogniwie słonecznym, podczas którego nakłada się na część powierzchni podłoża półprzewodnikowego co najmniej jedną warstwę źródła z pierwszą domieszką, ogrzewa się podłoże półprzewodnikowe z warstwą źródła do temperatury dyfuzji części domieszki z warstwy źródła do podłoża półprzewodnikowego, gdzie przeprowadza się także niepożądane samodomieszkowanie nie chronionych powierzchni podłoża półprzewodnikowego podczas procesu domieszkowania, znamienny tym, że podłoże półprzewodnikowe z warstwą źródła poddaje się trawieniu, steruje się trawieniem, przez co osiąga się głębokość trawienia nie chronionych powierzchni podłoża półprzewodnikowego większą niż głębokość penetracji samodomieśzkowanych atomów i uzyskuje się grubość warstwy źródła taką, że tworzy się przez warstwę źródła barierę ochronną dla leżących poniżej domieszkowanych obszarów podczas trawienia, przy czym powoduje się zmniejszenie grubości warstwy źródła podczas trawienia.
PL91296932A 1990-05-30 1991-05-29 S posób wytwarzania obszarów domieszkowanych w elemencie pólprzewodnikowym, zwlaszcza w ogniwie slonecznym PL PL167243B1 (pl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DK133890A DK170189B1 (da) 1990-05-30 1990-05-30 Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf
PCT/DK1991/000144 WO1991019323A1 (en) 1990-05-30 1991-05-29 A method of making semiconductor components as well as a solar cell made therefrom

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL167243B1 true PL167243B1 (pl) 1995-08-31

Family

ID=8103745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL91296932A PL167243B1 (pl) 1990-05-30 1991-05-29 S posób wytwarzania obszarów domieszkowanych w elemencie pólprzewodnikowym, zwlaszcza w ogniwie slonecznym PL

Country Status (17)

Country Link
US (2) US5461002A (pl)
EP (1) EP0531430B1 (pl)
JP (1) JPH05508742A (pl)
CN (1) CN1025392C (pl)
AT (1) ATE136402T1 (pl)
AU (1) AU646263B2 (pl)
BR (1) BR9106519A (pl)
CA (1) CA2084089A1 (pl)
DE (1) DE69118530T2 (pl)
DK (1) DK170189B1 (pl)
ES (1) ES2088793T3 (pl)
FI (1) FI925409A0 (pl)
HU (1) HUT63711A (pl)
NO (1) NO924568L (pl)
PL (1) PL167243B1 (pl)
RO (1) RO111230B1 (pl)
WO (1) WO1991019323A1 (pl)

Families Citing this family (191)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3032422B2 (ja) * 1994-04-28 2000-04-17 シャープ株式会社 太陽電池セルとその製造方法
AUPM996094A0 (en) * 1994-12-08 1995-01-05 Pacific Solar Pty Limited Multilayer solar cells with bypass diode protection
DE19508712C2 (de) * 1995-03-10 1997-08-07 Siemens Solar Gmbh Solarzelle mit Back-Surface-Field und Verfahren zur Herstellung
US7075002B1 (en) * 1995-03-27 2006-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. Thin-film photoelectric conversion device and a method of manufacturing the same
DE19538612A1 (de) * 1995-10-17 1997-04-24 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Siliziumscheibe
US6331457B1 (en) * 1997-01-24 2001-12-18 Semiconductor Energy Laboratory., Ltd. Co. Method for manufacturing a semiconductor thin film
US5716873A (en) * 1996-05-06 1998-02-10 Micro Technology, Inc. Method for cleaning waste matter from the backside of a semiconductor wafer substrate
JP3454033B2 (ja) * 1996-08-19 2003-10-06 信越半導体株式会社 シリコンウェーハおよびその製造方法
KR100237183B1 (ko) * 1996-12-14 2000-01-15 정선종 금속-반도체 광소자
JP3722326B2 (ja) * 1996-12-20 2005-11-30 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
US6224016B1 (en) 1997-12-19 2001-05-01 Sky Station International, Inc. Integrated flexible solar cell material and method of production
DE19813188A1 (de) * 1998-03-25 1999-10-07 Siemens Solar Gmbh Verfahren zur einseitigen Dotierung eines Halbleiterkörpers
US6033950A (en) * 1998-04-10 2000-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dual layer poly deposition to prevent auto-doping in mixed-mode product fabrication
AUPP437598A0 (en) * 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
AT408158B (de) * 1998-12-28 2001-09-25 Kroener Friedrich Dr Maske zur strukturierten, elektrochemischen bearbeitung eines siliziumplättchens für die solarzellenherstellung
US6635507B1 (en) * 1999-07-14 2003-10-21 Hughes Electronics Corporation Monolithic bypass-diode and solar-cell string assembly
DE10020541A1 (de) * 2000-04-27 2001-11-08 Univ Konstanz Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle
DE10021440A1 (de) * 2000-05-03 2001-11-15 Univ Konstanz Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und nach diesem Verfahren hergestellte Solarzelle
AUPR174800A0 (en) 2000-11-29 2000-12-21 Australian National University, The Semiconductor processing
ES2289168T3 (es) * 2001-11-26 2008-02-01 Shell Solar Gmbh Celula solar con contactos en la parte posterior y su procedimiento de fabricacion.
KR20040068928A (ko) * 2001-11-29 2004-08-02 오리진 에너지 솔라 피티와이 리미티드 반도체 가공 방법
EP1378947A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates
EP1378948A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates
US7402448B2 (en) * 2003-01-31 2008-07-22 Bp Corporation North America Inc. Photovoltaic cell and production thereof
DE102005040871A1 (de) * 2005-04-16 2006-10-19 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Rückkontaktierte Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
US7906722B2 (en) 2005-04-19 2011-03-15 Palo Alto Research Center Incorporated Concentrating solar collector with solid optical element
US7765949B2 (en) 2005-11-17 2010-08-03 Palo Alto Research Center Incorporated Extrusion/dispensing systems and methods
US20070169806A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell production using non-contact patterning and direct-write metallization
US20070107773A1 (en) 2005-11-17 2007-05-17 Palo Alto Research Center Incorporated Bifacial cell with extruded gridline metallization
US7799371B2 (en) 2005-11-17 2010-09-21 Palo Alto Research Center Incorporated Extruding/dispensing multiple materials to form high-aspect ratio extruded structures
US7820475B2 (en) * 2005-12-21 2010-10-26 Sunpower Corporation Back side contact solar cell structures and fabrication processes
DE102006003283A1 (de) * 2006-01-23 2007-07-26 Gp Solar Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit unterschiedlich stark dotierten Bereichen
US7855335B2 (en) * 2006-04-26 2010-12-21 Palo Alto Research Center Incorporated Beam integration for concentrating solar collector
US7851693B2 (en) 2006-05-05 2010-12-14 Palo Alto Research Center Incorporated Passively cooled solar concentrating photovoltaic device
US7638708B2 (en) 2006-05-05 2009-12-29 Palo Alto Research Center Incorporated Laminated solar concentrating photovoltaic device
US8017860B2 (en) 2006-05-15 2011-09-13 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials
US9105776B2 (en) 2006-05-15 2015-08-11 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using semiconductor materials
US7709307B2 (en) * 2006-08-24 2010-05-04 Kovio, Inc. Printed non-volatile memory
DE102006041424A1 (de) * 2006-09-04 2008-03-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur simultanen Dotierung und Oxidation von Halbleitersubstraten und dessen Verwendung
US20110132423A1 (en) * 2006-10-11 2011-06-09 Gamma Solar Photovoltaic solar module comprising bifacial solar cells
US7922471B2 (en) 2006-11-01 2011-04-12 Palo Alto Research Center Incorporated Extruded structure with equilibrium shape
US8322025B2 (en) 2006-11-01 2012-12-04 Solarworld Innovations Gmbh Apparatus for forming a plurality of high-aspect ratio gridline structures
US8226391B2 (en) 2006-11-01 2012-07-24 Solarworld Innovations Gmbh Micro-extrusion printhead nozzle with tapered cross-section
US7780812B2 (en) 2006-11-01 2010-08-24 Palo Alto Research Center Incorporated Extrusion head with planarized edge surface
NO333757B1 (no) * 2006-12-04 2013-09-09 Elkem Solar As Solceller
US7928015B2 (en) 2006-12-12 2011-04-19 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell fabrication using extruded dopant-bearing materials
US7638438B2 (en) 2006-12-12 2009-12-29 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell fabrication using extrusion mask
US20080186593A1 (en) * 2007-02-02 2008-08-07 Sol Focus, Inc. Metal trace fabrication for optical element
US7954449B2 (en) * 2007-05-08 2011-06-07 Palo Alto Research Center Incorporated Wiring-free, plumbing-free, cooled, vacuum chuck
US8071179B2 (en) * 2007-06-29 2011-12-06 Stion Corporation Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials
US7919400B2 (en) * 2007-07-10 2011-04-05 Stion Corporation Methods for doping nanostructured materials and nanostructured thin films
TWI450401B (zh) * 2007-08-28 2014-08-21 Mosel Vitelic Inc 太陽能電池及其製造方法
US20090087939A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Stion Corporation Column structure thin film material using metal oxide bearing semiconductor material for solar cell devices
US8058092B2 (en) * 2007-09-28 2011-11-15 Stion Corporation Method and material for processing iron disilicide for photovoltaic application
US8287942B1 (en) 2007-09-28 2012-10-16 Stion Corporation Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material
US8614396B2 (en) * 2007-09-28 2013-12-24 Stion Corporation Method and material for purifying iron disilicide for photovoltaic application
US8759671B2 (en) 2007-09-28 2014-06-24 Stion Corporation Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices
NL2000999C2 (nl) 2007-11-13 2009-05-14 Stichting Energie Werkwijze voor het fabriceren van kristallijn silicium zonnecellen met gebruikmaking van co-diffusie van boor en fosfor.
US20110017298A1 (en) * 2007-11-14 2011-01-27 Stion Corporation Multi-junction solar cell devices
US7998762B1 (en) 2007-11-14 2011-08-16 Stion Corporation Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration
US8440903B1 (en) 2008-02-21 2013-05-14 Stion Corporation Method and structure for forming module using a powder coating and thermal treatment process
US8076175B2 (en) * 2008-02-25 2011-12-13 Suniva, Inc. Method for making solar cell having crystalline silicon P-N homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
US20090211623A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Suniva, Inc. Solar module with solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
US20090211627A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Suniva, Inc. Solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
US8772078B1 (en) 2008-03-03 2014-07-08 Stion Corporation Method and system for laser separation for exclusion region of multi-junction photovoltaic materials
US8075723B1 (en) 2008-03-03 2011-12-13 Stion Corporation Laser separation method for manufacture of unit cells for thin film photovoltaic materials
US7939454B1 (en) 2008-05-31 2011-05-10 Stion Corporation Module and lamination process for multijunction cells
US20090301562A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method
US8642138B2 (en) * 2008-06-11 2014-02-04 Stion Corporation Processing method for cleaning sulfur entities of contact regions
US7851698B2 (en) * 2008-06-12 2010-12-14 Sunpower Corporation Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
US9087943B2 (en) * 2008-06-25 2015-07-21 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material
US8003432B2 (en) * 2008-06-25 2011-08-23 Stion Corporation Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material
WO2010009297A2 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 Applied Materials, Inc. Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a doping layer mask
DE102008052660A1 (de) * 2008-07-25 2010-03-04 Gp Solar Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einer zweistufigen Dotierung
US8207008B1 (en) 2008-08-01 2012-06-26 Stion Corporation Affixing method and solar decal device using a thin film photovoltaic
US20110017257A1 (en) * 2008-08-27 2011-01-27 Stion Corporation Multi-junction solar module and method for current matching between a plurality of first photovoltaic devices and second photovoltaic devices
US20100180927A1 (en) * 2008-08-27 2010-07-22 Stion Corporation Affixing method and solar decal device using a thin film photovoltaic and interconnect structures
US20100051090A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Stion Corporation Four terminal multi-junction thin film photovoltaic device and method
US20100059097A1 (en) * 2008-09-08 2010-03-11 Mcdonald Mark Bifacial multijunction solar cell
US7999175B2 (en) * 2008-09-09 2011-08-16 Palo Alto Research Center Incorporated Interdigitated back contact silicon solar cells with laser ablated grooves
US7855089B2 (en) * 2008-09-10 2010-12-21 Stion Corporation Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials
US8026122B1 (en) 2008-09-29 2011-09-27 Stion Corporation Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008111B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk copper species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008112B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8569613B1 (en) 2008-09-29 2013-10-29 Stion Corporation Multi-terminal photovoltaic module including independent cells and related system
US8236597B1 (en) 2008-09-29 2012-08-07 Stion Corporation Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8394662B1 (en) 2008-09-29 2013-03-12 Stion Corporation Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008110B1 (en) * 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8476104B1 (en) 2008-09-29 2013-07-02 Stion Corporation Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8501521B1 (en) 2008-09-29 2013-08-06 Stion Corporation Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8053274B2 (en) * 2008-09-30 2011-11-08 Stion Corporation Self cleaning large scale method and furnace system for selenization of thin film photovoltaic materials
US7947524B2 (en) 2008-09-30 2011-05-24 Stion Corporation Humidity control and method for thin film photovoltaic materials
US7910399B1 (en) 2008-09-30 2011-03-22 Stion Corporation Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates
US20100078059A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Stion Corporation Method and structure for thin film tandem photovoltaic cell
US8232134B2 (en) 2008-09-30 2012-07-31 Stion Corporation Rapid thermal method and device for thin film tandem cell
US8425739B1 (en) 2008-09-30 2013-04-23 Stion Corporation In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials
US7964434B2 (en) * 2008-09-30 2011-06-21 Stion Corporation Sodium doping method and system of CIGS based materials using large scale batch processing
US8008198B1 (en) 2008-09-30 2011-08-30 Stion Corporation Large scale method and furnace system for selenization of thin film photovoltaic materials
US8217261B2 (en) * 2008-09-30 2012-07-10 Stion Corporation Thin film sodium species barrier method and structure for cigs based thin film photovoltaic cell
US7863074B2 (en) * 2008-09-30 2011-01-04 Stion Corporation Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells
US8383450B2 (en) 2008-09-30 2013-02-26 Stion Corporation Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials
US7960204B2 (en) * 2008-09-30 2011-06-14 Stion Corporation Method and structure for adhesion of absorber material for thin film photovoltaic cell
US8741689B2 (en) 2008-10-01 2014-06-03 Stion Corporation Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials
US20110018103A1 (en) 2008-10-02 2011-01-27 Stion Corporation System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices
US8435826B1 (en) 2008-10-06 2013-05-07 Stion Corporation Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8003430B1 (en) * 2008-10-06 2011-08-23 Stion Corporation Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8168463B2 (en) 2008-10-17 2012-05-01 Stion Corporation Zinc oxide film method and structure for CIGS cell
US8082672B2 (en) * 2008-10-17 2011-12-27 Stion Corporation Mechanical patterning of thin film photovoltaic materials and structure
CN102239564A (zh) * 2008-11-05 2011-11-09 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) 太阳能电池器件及其制造方法
US20100117254A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Palo Alto Research Center Incorporated Micro-Extrusion System With Airjet Assisted Bead Deflection
US8117983B2 (en) 2008-11-07 2012-02-21 Solarworld Innovations Gmbh Directional extruded bead control
US9150966B2 (en) * 2008-11-14 2015-10-06 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell metallization using inline electroless plating
WO2010057978A1 (en) 2008-11-20 2010-05-27 Saphire Aps High voltage semiconductor based wafer and a solar module having integrated electronic devices
US8344243B2 (en) 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
EP2190017A1 (en) 2008-11-20 2010-05-26 SAPHIRE ApS High voltage semiconductor based wafer
EP2226850A1 (en) 2009-03-06 2010-09-08 SAPHIRE ApS Solar module having integrated electronic devices
US8080729B2 (en) 2008-11-24 2011-12-20 Palo Alto Research Center Incorporated Melt planarization of solar cell bus bars
US8960120B2 (en) 2008-12-09 2015-02-24 Palo Alto Research Center Incorporated Micro-extrusion printhead with nozzle valves
JP5615837B2 (ja) 2008-12-10 2014-10-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ スクリーン印刷パターンの位置合せのための強化された視覚システム
TWI385809B (zh) * 2008-12-17 2013-02-11 Ind Tech Res Inst 表面織化的方法
CN101771095B (zh) * 2009-01-06 2012-03-21 台湾茂矽电子股份有限公司 太阳能电池
CN102386280B (zh) * 2009-02-05 2014-06-18 显示器生产服务株式会社 制备太阳能电池上的选择性发射极的方法中使用的扩散设备
DE102009008371A1 (de) * 2009-02-11 2010-08-12 Schott Solar Ag Integraler Prozeß von Waferherstellung bis Modulfertigung zur Herstellung von Wafern, Solarzellen und Solarmodulen
US8563850B2 (en) * 2009-03-16 2013-10-22 Stion Corporation Tandem photovoltaic cell and method using three glass substrate configuration
US8298850B2 (en) * 2009-05-01 2012-10-30 Silicor Materials Inc. Bifacial solar cells with overlaid back grid surface
US8241943B1 (en) 2009-05-08 2012-08-14 Stion Corporation Sodium doping method and system for shaped CIGS/CIS based thin film solar cells
US8372684B1 (en) 2009-05-14 2013-02-12 Stion Corporation Method and system for selenization in fabricating CIGS/CIS solar cells
US8507786B1 (en) 2009-06-27 2013-08-13 Stion Corporation Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells
US8398772B1 (en) 2009-08-18 2013-03-19 Stion Corporation Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity
NL2003390C2 (en) * 2009-08-25 2011-02-28 Stichting Energie Solar cell and method for manufacturing such a solar cell.
DE102009044052A1 (de) * 2009-09-18 2011-03-24 Schott Solar Ag Kristalline Solarzelle, Verfahren zur Herstellung einer solchen sowie Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls
NL2003510C2 (en) * 2009-09-18 2011-03-22 Solar Cell Company Holding B V Photovoltaic cell and method for fabricating a photovoltaic cell.
US8174444B2 (en) * 2009-09-26 2012-05-08 Rincon Research Corporation Method of correlating known image data of moving transmitters with measured radio signals
JP5289578B2 (ja) * 2009-09-29 2013-09-11 京セラ株式会社 太陽電池素子および太陽電池モジュール
US8809096B1 (en) 2009-10-22 2014-08-19 Stion Corporation Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials
US20110100418A1 (en) * 2009-11-03 2011-05-05 Palo Alto Research Center Incorporated Solid Linear Solar Concentrator Optical System With Micro-Faceted Mirror Array
US9012766B2 (en) 2009-11-12 2015-04-21 Silevo, Inc. Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
US8796060B2 (en) 2009-11-18 2014-08-05 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
US20110114147A1 (en) * 2009-11-18 2011-05-19 Solar Wind Ltd. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
US8586862B2 (en) * 2009-11-18 2013-11-19 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
TW201121066A (en) * 2009-12-14 2011-06-16 Ind Tech Res Inst Bificial solar cell
TWI472049B (zh) * 2009-12-14 2015-02-01 Ind Tech Res Inst 太陽能電池的製造方法
US8859880B2 (en) * 2010-01-22 2014-10-14 Stion Corporation Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices
US8263494B2 (en) 2010-01-25 2012-09-11 Stion Corporation Method for improved patterning accuracy for thin film photovoltaic panels
US20110216401A1 (en) * 2010-03-03 2011-09-08 Palo Alto Research Center Incorporated Scanning System With Orbiting Objective
US9096930B2 (en) 2010-03-29 2015-08-04 Stion Corporation Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices
US8142521B2 (en) * 2010-03-29 2012-03-27 Stion Corporation Large scale MOCVD system for thin film photovoltaic devices
US9214576B2 (en) 2010-06-09 2015-12-15 Solarcity Corporation Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
CN101930912B (zh) * 2010-07-20 2012-03-14 晶澳太阳能有限公司 一种利用掩模在硅片两面实现p+和n+扩散的工艺
US8461061B2 (en) 2010-07-23 2013-06-11 Stion Corporation Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
CN102403396A (zh) * 2010-09-10 2012-04-04 杜邦太阳能有限公司 薄膜太阳能电池的制造方法
US9773928B2 (en) 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
KR101699300B1 (ko) * 2010-09-27 2017-01-24 엘지전자 주식회사 태양전지 및 이의 제조 방법
US8628997B2 (en) 2010-10-01 2014-01-14 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
US9800053B2 (en) 2010-10-08 2017-10-24 Tesla, Inc. Solar panels with integrated cell-level MPPT devices
TWI431797B (zh) * 2010-10-19 2014-03-21 Ind Tech Res Inst 選擇性射極之太陽能電池及其製作方法
CN102064232A (zh) * 2010-10-28 2011-05-18 中山大学 一种应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺
CN102097534A (zh) * 2010-11-18 2011-06-15 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 同时形成晶体硅太阳能电池pn结和氮化硅减反射膜的方法
US8134217B2 (en) * 2010-12-14 2012-03-13 Sunpower Corporation Bypass diode for a solar cell
US8998606B2 (en) 2011-01-14 2015-04-07 Stion Corporation Apparatus and method utilizing forced convection for uniform thermal treatment of thin film devices
US8728200B1 (en) 2011-01-14 2014-05-20 Stion Corporation Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials
US8962424B2 (en) 2011-03-03 2015-02-24 Palo Alto Research Center Incorporated N-type silicon solar cell with contact/protection structures
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
US8436445B2 (en) 2011-08-15 2013-05-07 Stion Corporation Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices
WO2013062727A1 (en) * 2011-10-24 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of removing a passivation film and improving contact resistance in rear point contact solar cells
US8822262B2 (en) 2011-12-22 2014-09-02 Sunpower Corporation Fabricating solar cells with silicon nanoparticles
US9196779B2 (en) 2012-07-12 2015-11-24 Stion Corporation Double sided barrier for encapsulating soda lime glass for CIS/CIGS materials
CN104781936A (zh) 2012-10-04 2015-07-15 喜瑞能源公司 具有电镀的金属格栅的光伏器件
US9865754B2 (en) 2012-10-10 2018-01-09 Tesla, Inc. Hole collectors for silicon photovoltaic cells
KR101563851B1 (ko) 2012-10-16 2015-10-27 솔렉셀, 인크. 광기전 태양 전지 및 모듈의 모놀리식으로 집적된 바이패스 스위치를 위한 방법 및 시스템
US9281436B2 (en) 2012-12-28 2016-03-08 Solarcity Corporation Radio-frequency sputtering system with rotary target for fabricating solar cells
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
US9219174B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US9412884B2 (en) 2013-01-11 2016-08-09 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
KR102065595B1 (ko) * 2013-01-17 2020-01-13 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법
US9093598B2 (en) * 2013-04-12 2015-07-28 Btu International, Inc. Method of in-line diffusion for solar cells
US20150101761A1 (en) * 2013-05-12 2015-04-16 Solexel, Inc. Solar photovoltaic blinds and curtains for residential and commercial buildings
US9624595B2 (en) 2013-05-24 2017-04-18 Solarcity Corporation Electroplating apparatus with improved throughput
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
US9947822B2 (en) 2015-02-02 2018-04-17 Tesla, Inc. Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells
KR20170019597A (ko) * 2015-08-12 2017-02-22 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
ES2939949T3 (es) * 2015-10-25 2023-04-28 Solaround Ltd Procedimiento de fabricación de células bifaciales
US9842956B2 (en) 2015-12-21 2017-12-12 Tesla, Inc. System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures
US9496429B1 (en) 2015-12-30 2016-11-15 Solarcity Corporation System and method for tin plating metal electrodes
CN107305839B (zh) * 2016-04-18 2020-07-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 防止自掺杂效应的方法
US10115838B2 (en) 2016-04-19 2018-10-30 Tesla, Inc. Photovoltaic structures with interlocking busbars
US10672919B2 (en) 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
FR3073975B1 (fr) * 2017-11-22 2020-09-18 Commissariat Energie Atomique Procede ameliore de dopage de cellule solaire
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL99619C (pl) * 1955-06-28
US3767485A (en) * 1971-12-29 1973-10-23 A Sahagun Method for producing improved pn junction
JPS5824951B2 (ja) * 1974-10-09 1983-05-24 ソニー株式会社 コウガクソウチ
DE2506457C3 (de) * 1975-02-15 1980-01-24 S.A. Metallurgie Hoboken-Overpelt N.V., Bruessel Verfahren zur Herstellung einer silikatischen Abdeckschicht auf einer Halbleiterscheibe öder auf einer auf ihr befindlichen Schicht
US4101351A (en) * 1976-11-15 1978-07-18 Texas Instruments Incorporated Process for fabricating inexpensive high performance solar cells using doped oxide junction and insitu anti-reflection coatings
JPS55130176A (en) * 1979-03-30 1980-10-08 Hitachi Ltd Field effect semiconductor element and method of fabricating the same
DE3316417A1 (de) * 1983-05-05 1984-11-08 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Solarzelle
US4662956A (en) * 1985-04-01 1987-05-05 Motorola, Inc. Method for prevention of autodoping of epitaxial layers
DE3520699A1 (de) * 1985-06-10 1986-01-23 BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., Baden, Aargau Verfahren zum selektiven diffundieren von aluminium in ein siliziumsubstrat
US4701427A (en) * 1985-10-17 1987-10-20 Stemcor Corporation Sintered silicon carbide ceramic body of high electrical resistivity
US5225235A (en) * 1987-05-18 1993-07-06 Osaka Titanium Co., Ltd. Semiconductor wafer and manufacturing method therefor
US4914500A (en) * 1987-12-04 1990-04-03 At&T Bell Laboratories Method for fabricating semiconductor devices which include sources and drains having metal-containing material regions, and the resulting devices
US5082791A (en) * 1988-05-13 1992-01-21 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells

Also Published As

Publication number Publication date
AU646263B2 (en) 1994-02-17
US5461002A (en) 1995-10-24
DK133890D0 (da) 1990-05-30
FI925409A (fi) 1992-11-27
CN1057735A (zh) 1992-01-08
NO924568D0 (no) 1992-11-26
BR9106519A (pt) 1993-05-25
HUT63711A (en) 1993-09-28
EP0531430B1 (en) 1996-04-03
JPH05508742A (ja) 1993-12-02
DE69118530T2 (de) 1996-11-21
FI925409A0 (fi) 1992-11-27
WO1991019323A1 (en) 1991-12-12
CA2084089A1 (en) 1991-12-01
RO111230B1 (ro) 1996-07-30
ATE136402T1 (de) 1996-04-15
DK133890A (da) 1991-12-01
NO924568L (no) 1992-11-26
AU7976591A (en) 1991-12-31
CN1025392C (zh) 1994-07-06
US5665175A (en) 1997-09-09
DE69118530D1 (de) 1996-05-09
EP0531430A1 (en) 1993-03-17
DK170189B1 (da) 1995-06-06
HU9203773D0 (en) 1993-04-28
ES2088793T3 (es) 1996-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL167243B1 (pl) S posób wytwarzania obszarów domieszkowanych w elemencie pólprzewodnikowym, zwlaszcza w ogniwie slonecznym PL
JP3999820B2 (ja) 選択性拡散領域を有する光電池の製造方法
NL2003390C2 (en) Solar cell and method for manufacturing such a solar cell.
CN111628049A (zh) 实现空穴局部钝化接触的方法、晶体硅太阳能电池及其制备方法
EP1876651B1 (en) Solar cell manufacturing method
US4468853A (en) Method of manufacturing a solar cell
JP7082235B1 (ja) 太陽電池及びその製造方法、太陽電池モジュール
US9583653B2 (en) Solar cell and fabrication method thereof
KR20130052627A (ko) 선택적 전면 필드를 구비한 후면 접합 태양전지
JP7368653B2 (ja) 太陽電池及び光起電力モジュール
KR20100015622A (ko) 태양 전지
KR101464001B1 (ko) 태양 전지의 제조 방법 및 에칭 페이스트
KR20120082663A (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
JP2010186900A (ja) 太陽電池及びその製造方法
JP2008034543A (ja) 光電変換素子およびその製造方法
KR101464002B1 (ko) 태양 전지의 제조 방법
KR950003953B1 (ko) 태양전지의 제조방법
KR100192257B1 (ko) 태양전지 제조방법
KR102563642B1 (ko) 고효율 이면전극형 태양전지 및 그 제조방법
AU617779B2 (en) Improved method of manufacturing buried contact solar cells
US20240282882A1 (en) Photovoltaic cell, method for producing the same and photovoltaic module
KR810001712B1 (ko) 실리콘 확산 태양전지의 제조방법
KR100204916B1 (ko) 태양전지 제조방법
KR101760011B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
Ferré et al. Laser transfer doping using amorphous silicon