RO111230B1 - Procedeu pentru obtinerea zonelor dopate pe componente semiconductoare si celula solara, obtinuta prin acest procedeu - Google Patents

Procedeu pentru obtinerea zonelor dopate pe componente semiconductoare si celula solara, obtinuta prin acest procedeu Download PDF

Info

Publication number
RO111230B1
RO111230B1 RO92-01476A RO9201476A RO111230B1 RO 111230 B1 RO111230 B1 RO 111230B1 RO 9201476 A RO9201476 A RO 9201476A RO 111230 B1 RO111230 B1 RO 111230B1
Authority
RO
Romania
Prior art keywords
layer
semiconductor substrate
phase
corrosion
source
Prior art date
Application number
RO92-01476A
Other languages
English (en)
Inventor
Yakov Safir
Original Assignee
Yakov Safir
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yakov Safir filed Critical Yakov Safir
Publication of RO111230B1 publication Critical patent/RO111230B1/ro

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
    • H01L21/2255—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/007—Autodoping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/914—Doping
    • Y10S438/916—Autodoping control or utilization

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)

Description

Invenția se referă la un procedeu de obținere a zonelor dopate pe componente semiconductoare, precum și la o celulă solară, realizată prin acest procedeu.
Se cunoaște un procedeu de obținere a zonelor dopate pe componente semiconductoare care prevede creșterea unui oxid pe un cristal și urmărirea părților de cristal, care sunt expuse din nou la oxidare pentru a defini zonele active. Expunerea la oxidare are loc, de obicei, prin adăugarea unui strat mască la cristalul menționat, acoperit cu oxid. Acest strat este rezistent la acțiunea acidului fluorhidric cu care stratul de oxid este îndepărtat din zonele în care cristalul nu este acoperit cu un strat de fotorezist. După îndepărtarea stratului de fotorezist, zonele astfel expuse ale cristalului pot fi dopate prin difuzie în cristal a unei substanțe convenabil aleasă la o temperatură ridicată, situată de regulă în jurul valorii de IOOO°C. Materialul sursă de dopant poate fi adăugat prin depunere pe suprafața expusă a cristalului a unui strat, de exemplu bioxid de siliciu, care conține material sursă de dopant. Nici o autodopare nedorită nu va avea loc, deoarece restul cristalului este protejat cu stratul de oxid. Aceste faze de oxidare, mascare cu fotorezist, corodare și dopare pot fi repetate de mai multe ori astfel încât cristalul va avea numărul dorit de zone dopate ( US 4101351).
Acest procedeu prezintă dezavantajul că are multe faze complicate de prelucrare cum ar fi creșterea oxidului pe suprafața cristalului care necesită un tratament termic la o temperatură de circa 1DOO°C. Un alt dezavantaj al acestui procedeu constă în aceea că impune cerințe în ceea ce privește puritatea mediului, fie în oxigen pur, fie în vapori de apă. Expunerea unor părți ale suprafeței cristalului necesitând, în mod normal, acid fluorhidric care este un produs chimic extrem de dificil din cauza toxicității lui, reprezintă încă un dezavantaj al acestui procedeu.
Se cunoaște de asemenea un procedeu de obținere a zonelor dopate pe componente semiconductoare care cuprinde o serie de faze pentru depunerea pe o porțiune a suprafeței unui substrat semiconductor a unui strat sursă având un prim tip de dopant și încălzirea substratului semiconductor cu stratul sursă, la o temperatură suficientă pentru difuziunea unei părți a dopantului din stratul sursă în substratul semiconductor. (US 2794846).
Acest procedeu prezintă dezavantajul că are loc și o autodopare, nedorită a suprafețelor neprotejate ale substratului semiconductor.
Se cunoaște și o celulă solară alcătuită, în principiu, dintr-o plachetă subțire de siliciu, având o singură zonă largă a unei joncțiuni tip PN, care acoperă partea plachetei orientată spre sursa de lumină. Purtătorii de sarcini electrice, fotoexcitați circulă către un contact metalic situat la partea din față și un alt contact metalic situat la partea din spate a celulei. Primul din aceste contacte are o asemenea geometrie încât se realizează o colectare maximă de purtători de sarcini electrice, iar zona contactului metalic care acoperă suprafața celulei și blochează lumina este minimizată. Această celulă este de tipul cu o singură față adică ea este activă numai în raport cu lumina care cade pe partea din față a celulei. Prevăzând suplimentar un strat de joncțiune, subțire, pe spatele celulei, poate fi făcută activă și această parte formând astfel o celulă solară cu două fețe.
Celulele solare pot avea fiecare substrat intrinsec de tip P sau N, în timp ce stratul sau straturile dopate pot fi N+ sau P+.
Problema tehnică ce trebuie rezolvată prin invenție constă în realizarea unui procedeu pentru obținerea zonelor dopate pe componente semiconductoare, precum și a unei celule solare, folosind acest procedeu, care să fie concepute astfel, încât procedeul să cuprindă un număr redus de faze, în special cele cu temperatură înaltă, să nu necesite substanțe chimice periculoase,,iar o celulă solară străpunsă să nu scoată din funcțiune panoul de celule solare.
RO 111230 Bl
Procedeul pentru obținerea zonelor dopate pe componente semiconductoare, conform invenției, rezolvă această problemă tehnică și înlătură dezavantajele menționate prin aceea că substratul împreună cu stratul sursă este supus unui proces de corodare, corodarea este controlată, pentru a se asigura o adâncime de corodare a suprafețelor neprotejate mai mare decât adâncimea de penetrare a atomilor antodopanți, iar stratul sursă are o astfel de grosime încât, în timpul corodării, aceasta constituie o barieră de protecție pentru zonele de bază, dopate, chiar dacă această grosime este redusă prin corodare. După corodarea menționată, într-o altă fază se depune un al doilea strat sursă cu un al doilea tip de dopant, pe o altă porțiune a suprafeței substratului semiconductor se încălzește substratul semiconductor cu straturile sursă aplicate, la o temperatură suficientă pentru difuzia unei părți a celui deal doilea strat sursă în substratul semiconductor unde, în timpul fazei de dopare, are loc și o autodopare nedorită a suprafețelor neprotejate ale substratului semiconductor și într-o altă fază se corodează zonele autodopate ale substratului semiconductor aceste două straturi sursa constituind o barieră protectoare pentru zonele dopate, aflate dedesubt. Se pot depune unul sau mai multe straturi cu dopant ca straturi sursă înainte de încălzire. Substratul semiconductor este siliciul cristalin, straturile sursă care conțin dopant sunt din bioxid de siliciu și alese din grupele TiO, Ti02,AI02,Sn02, nitrură de siliciu, iar dopanții fiind aleși dintre fosfor, bor, arsen și antimoniu. Zonele active menționate sunt acoperite cu un strat antireflectant. Celula solară realizată prin procedeul conform invenției are două zone active care se află la o distanță astfel aleasă încât asigură circulația curentului între aceste zone active care sunt acoperite cu un strat antireflectant. Porțiunea dintre prima zonă activă și a doua zonă activă include o a treia zonă activă având al doilea tip de conducție, în legătură cu prima zonă activă, și o a patra zonă activă având primul tip de conducție, în legătură cu o a doua zonă activă, pentru a asigura o joncțiune PN inversă în raport cu joncțiunea PN formată de zonele active menționate, prima și a doua.
Procedeul, conform invenției, și celula solară obținută prin acest procedeu prezintă următoarele avantaje:
- are un număr mai redus de faze și este mai simplu;
- are o singură fază de temperatură înaltă;
- stratul sursă are funcții multiple;
- necesită agenți de corodare nepericuloși;
- panoul sglar nu este scos din funcțiune la străpungerea unei diode.
în continuare se prezintă un exemplu de realizare a procedeului, conform invenției, și celulei solare obținută prin acest procedeu, în legătură cu fig. 1 ... 8, care reprezintă :
- fig.1, fazele procedeului și succesiunea lor;
- fig.2, placheta de siliciu prevăzută cu primul strat sursă de dopant la partea din față;
- fig.3, placheta din fig.2 cu zonă dopată;
- fig.4, placheta din fig.3, după corodarea zonei dopate și stratului de oxid, de la partea din spate;
- fig.5, placheta din fig.4, prevăzută cu al doilea strat sursă de dopant, la partea din spate;
- fig.6, placheta din fig.5, cu a doua zonă dopată în fază gazoasă și zone autodopate;
-fig.7, placheta din fig.6, la care zonele autodopate sunt îndepărtate prin corodare;
- fig.8, placheta din fig.7, prevăzută cu canal circular la partea din spate.
După cum se poate vedea din fig.l, înainte de formarea zuonelor dopate în placheta substrat, se parcurg câteva faze tehnologice cunoscute în care, de exemplu, se înlătură rizurile de tăiere și se modifică proprietățile de reflexie.
RO 111230 Bl
Aceste faze se menționează în scopul de a face o prezentare completă a procedeului. Vor fi date și exemple privind modul cum se realizează contactele semiconductorului/celulei solare finite.
Materialul substratului se alege în concordanță cu cerința impusă celulei solare finite. în exemplul de față este ales un substrat de siliciu de tip N. cu o rezistivitate de 100 Ohmcm. Substratul este o plachetă monocristalină cu o anumită orientare și cu o grosime înaintea tratamentului, de 350 μ. Plachete prezintă mici rizuri de tăiere pe suprafață provocate la operația de decupare dintr-un lingou de siliciu.
La faza I poate fi imprimată pe bioxidul de siliciu o schemă de circuite, folosind, de exemplu, o metodă de imprimare cu peliculă groasă, realizânduse o serie de nișe adiacente, formate în faza II prin corodări succesive ale suprafeței,de exemplu cu KOHJn care realizarea conexiunilor poate avea loc astfel, încât zonele active să nu fie umbrite. Ca alternativă, nișele menționate pot fi făcute cu laser. La celulele solare cu două fețe, procesul se execută pe ambele părți ale plachetei. Pentru a îmbunătăți randamentul celulei solare, la faza III se poate executa în mod avantajos, altă corodare în sine cunoscută, folosind, de exemplu, o soluție de colină pentru a asigura o suprafață cu textură piramidală, având vârfuri piramidale de circa 5 μ și apoi procesul de corodare se oprește, ca și la celelalte procese de corodare, prin introducerea plachetei într-o baie de apă urmată de uscarea ei, placheta fiind în același timp purificată chimic. Dacă suprafața celulelor solare nu este texturată, acestea pot fi, acoperite într-o altă alternativă cu un strat antireflectant care opțional poate fi combinat cu unul din straturile materialului sursa de dopant menționat mai departe. Straturile antireflectante vor avea, de obicei, o grosime de circa un sfert din lungimea de undă.
La faza IV se realizează depunerea pe fața plachetei a unui strat subțire de bioxid de siliciu, imprimat, având un procentaj molar de fosfor foarte ridicat, ceea ce se poate face folosind metoda cu peliculă groasă. Desenul imprimat este astfel adaptat încât să se suprapună pe nișele formate la fazele I și II și servește la reducerea rezistenței de contact dintre contactele metalice și materialul din siliciu. întrucât doparea înaltă distruge structura cristalului este important ca propagarea desenului să se limiteze la zonele de contact. Grosimea stratului poate fi limitată, în mod avantajos, la 0,05 μ, iar lățimea traseului din desen va fi de regulă cu aproximativ o treime mai mare decât nișa mai sus menționată.
Materialul metalic folosit pentru contacte se depune când procesul de fabricație este terminat la partea de sus a traseelor de siliGiu înalt dopate, pentru a evita scurtcircuitul posibil prin zonele slab dopate. Mai mult, pot fi depuse trasee suplimentare - pe lângă acelea folosite pentru contact - ele diminuând cerința impusă rețelei metalizate de contact, deoarece aceste trasee servesc apoi ca un supliment la rețea, permițând și trecerea luminii.
La faza V placheta de siliciu 1, prezentată în fig.2, este prevăzută cu un strat 2 de bioxid de siliciu, slab dopat, care poate fi obținut prin orice metodă convenabil aleasă, cum ar fi metoda imprimării cu peliculă groasă, centrifugare, pulverizare și difuzie controlată în vid. Aici se alege o metodă de centrifugare în care o soluție de bioxid de siliciu se aplică pe placheta 1 într-o mișcare de rotație și astfel, se depune pe suprafața a a plachetei ca un strat subțire 2. Prin reglarea diverșilor parametri, de exemplu viteza de rotație a plachetei și viscozitatea bioxidului de siliciu, poate fi controlată propagarea stratului 2, inclusiv extinderea sa pe spatele sau partea inferioară a plachetei. Stratul 2 are mai multe funcțiuni, dar în primul rând de a servi ca sursă de dopant. în plus, stratul 2 realizează și o protecție împotriva autodopării din straturile inferioare înalt dopate sau din desenele depuse opțional la faza IV. El protejează și stratul inferior împotriva
RO 111230 Bl impurităților nedorite și împotriva efectelor corodării ulterioare. în afară de aceasta, stratul 2 poate fi prevăzut ca să aibă o grosime astfel încât să servească drept strat antireflectant pe o celulă solară finită. Astfel, după uscare la lOCPC, stratul 2 poate avea o qrosime de □.15 μ.
Pentru a obține un randament al celulii solare de ordinul a 18 ... 25%, depunerea stratului 2 și conținutul acestuia sunt decisive, deoarece un astfel de randament este condiționat de o concentrație slabă de suprafață.
La o celulă solară, curentul fotoelectric (curentul format în joncțiunea PN datorită luminii incidente) se suprapune cu un curent invers (curent de întuneric), din care motiv se încearcă limitarea acestuia din urmă. □ cauză însemnată a curentului mare de întuneric este numărul mare de centrii de recombinare de suprafață (viteza mare de recombinare de suprafață) care pot fi neutralizați prin pasivarea suprafeței celulei cu un strat subțire de Si02 - un așa-zis strat de pasivare - care, cu toate acestea, este activ numai când concentrația de suprafață a impurităților de dopare (aici atomi de fosfor) este suficient de joasă, adică mai mică decât aproximativ 2,5 ... 1O1B cm3.
După ce o parte a suprafeței a menționate a plachetei 1 se acoperă cu un strat sursa de dopant, celula este tratată în cadrul fazei VI, la o temperatură înaltă de circa 1 lOCfC, de preferință într-o atmosferă de azot uscat, această fază având o durată de 15 min. Scopul acestui tratament este acela de a dopa zone de pe plachetă prin difuzie, din stratul depus 2 și direct, în suprafața plachetei 1. Această fază VI poate fi reglată astfel ca să asigure o purificare eficientă acolo unde trebuie să se elimine din plachetă impurități nedorite. Dacă această eliminare nu este necesară, atunci faza VI de temperatură înaltă poate fi prelungită, iar faza VII poate fi omisă. Se folosește un flux de gaz de azot pur (fără oxigen) pentru a evita formarea unui strat mască de boxid de siliciu pe partea din spate a celulei care altfel ar împiedica difuzia fosforului, în fază gazoasă, din sursa de P0CI3, la faza VII.
Formarea zonei de joncțiune dopată 3, arătată în fig.3, are loc la faza VI când particulele de fosfor folosite pentru formarea unei zone IV provin din stratul de bioxid de siliciu depus la faza V și unde stratul 2 de bioxid de siliciu este densificat suplimentar pentru a asigura un efect de mascare pe partea anterioară împotriva pătrunderii nedorite a unui număr mare de atomi de fosfor la faza VII,
Se relevă aici un element de noutate care constă în aceea că mai multe zone dopate, separate între ele, de diferite tipuri. și concentrații, pot fi produse (obținute^ numai într-o singură fază de temperatură înaltă.
Când se trece la faza VII temperatura de 11OQ°C este menținută, iar plachetele sunt deplasate spre altă zonă a cuptorului unde atmosfera conține oxigen și un gaz purtător din sursa de P0CI3. Această parte a tratamentului la temperatura înaltă durează 15 min și se termină cu o răcire lentă, în timpul căreia sursa de P0CIP3 este întreruptă. Răcirea lentă este necesară pentru a obține un beneficiu maxim din procesul de purificare (eliminare).Mai mult, o răcire rapidă este inoportună în ceea ce privește menținerea structurii cristaline deoarece, pot apare deteriorări (fisuri) în cristalul care reduce distanța de difuzie a purtătorilor minoritari de sarcină și, prin aceasta, randamentul celulei. Astfel, este esențial ca fazele VII și VIII să aibă loc în aceeași cameră de difuzie sau în același cuptor, fără o răcire sau o încălzire intermediară. La fiecare răcire sau încălzire se produc noi fisuri (deteriorări) ale cristalului. Temperatura de 110CPC poate fi variata în limite largi, dar această valoare a fost aleasă ca un exemplu caracteristic, pentru o înțelegere clară.
Cum se vede din fig.3, o zonă dopată 4 se formează din sursa în fază gazoasă, pe care în timpul difuziei se formează un strat de oxid 5.
în timpul difuziei se formează, în
RO 111230 Bl special pe spatele plachetei, un strat de bioxid de Si puternic dopat cu fosfor, care cu toate acestea, este îndepărtat prin corodare la faza Vili. Un strat difuzat poate fi caracterizat prin intermediul parametrilor, privind adâncimea joncțiunii și rezistența de suprafață (ohm per suprafață).
Adâncimea joncțiunii este distanța de la suprafață până la punctul în care concentrația primului tip de impurități este egală cu concentrația celui de-al doilea tip de impurități în substrat, adică acolo unde există echilibru electric între impuritățile de tip P și N, numite și atomi acceptori respectiv, donori.
Corodarea de la faza VIII poate fi făcută în mod avantajos cu colină, prin care stratul subțire 5 de oxid de fosfor de pe spatele plachetei este corodat, astfel încât impuritățile incorporate aici sunt îndepărtate împreună cu un strat de Si de 5 μ. Partea corodată din spate b a plachetei este arătată în fig.4.
După încetarea corodării,stratul de bioxid de Si de pe fața plachetei este, de asemenea, redus și are acum o grosime de circa 0,1 μ. Corodarea poate fi convenabil aleasă astfel, încât să fie menținută structura piramidală, dar aceasta implică riscul ca textura să nu fie tot atât de uniformă ca înaintea corodării, deoarece unele piramide sunt corodate mai repede decât altele.
După corodare, piramidele de pe spatele plachetei vor fi cu 5 μ mai înalte decât piramidele de pe fața plachetei. în special, ritmul de corodare este de multe ori mai mare în direcția 100 în raport cu direcția 111 și ,deci, este important că existe certitudinea că adâncimea de corodare (aici 5 μ) este mai mare decât adâncimea de penetrație în partea din spate a plachetei (aici 3 μ) a atomilor de fosfor din sursa externă în faza gazoasă de la faza VII.
Ca și la faza IV un strat de bioxid de Si, cu un procentaj molar de bor foarte ridicat, poate fi acum depus pe spatele plachetei în faza IX, ceea ce se poate face prin metoda cu peliculă groasă. Grosimea stratului este de 0,1 μ după uscare la 15O?C și, pe lângă faptul că este o sursă de dopare pentru zona de contact înalt dopată, el oferă o mască de protecție suplimentară împotriva pătrunderii materialului metalic nedorit. Altfel, desenul corespunde cu desenul folosit la faza IV și acoperă, în același fel, nișele de contact formate la faza 1. Dacă dioda trebuie prevăzută cu o diodă de șuntare, menționată mai târziu, partea din spate este prevăzută, de-a lungul marginii cu un strat de bioxid de Si având un procentaj molar de fosfor ridicat, ceea ce se poate face ușor printr-o metodă cu peliculă groasă, care se efectuează la faza X. Apoi, un strat 9 de bioxid de Si (fig.5), cu un procentaj molar scăzut, este depus pe spatele plachetei, ceea ce este indicat să se facă la faza XI și poate fi ușor realizat primmetoda de imprimare cu peliculă groasă.
Stratul 6 (fig.5) acoperă întregul spate al plachetei cu excepția unei zone inelare de-a lungul marginii plachetei. Grosimea stratului este de aproximativ 0,1 p.după uscare la 100°C. Procentajul molar scăzut asigură că valoarea concentrației de suprafață nu depășește 8 x 1018 atomi de bor per cm,3 în afara zonei de contact. Concentrația borului este mai mare decât concentrația de fosfor menționată anterior, motivul fiind acela că borul difuzează mult mai încet decât fosforul și că valoarea concentrației trebuie mărită pentru a obține aceeași rezistență mică de suprafață. în plus, trebuie ținut seama că la faza XII de tratament la temperatură înaltă, fosforul pătrunde mai adânc în interiorul plachetei în timpul difuziei. O soluție a acestei probleme este să se înceapă prin depunerea unui strat de bor (fazele IV si V) și apoi să se depună un strat de fosfor (fazele IX și X).
Difuzia de la faza XII are loc la 1000PC, în atmosfera de azot și oxigen, timp de 30 de min. Faza de înaltă temperatură se încheie cu o răcire foarte lentă în atmosferă îmbogățită de oxigen, pentru a forma un strat subțire pasivat de suprafața de 0,01 μ, ceea ce se face cel mai bine prin oxidare uscată. Trebuie menționat că oxidul crește la suprafața cristalului de siliciu și nu pe straturile * .
RO 111230 Bl dopate de bioxid de siliciu. Răcirea este aici foarte importantă și cel mai bun rezultat se obține cu o răcire foarte lentă (aproximativ 2°C/min).
în faza XII, borul pătrunde din stratul 6 de bioxid de siliciu în plachetă, într-o zonă 7, direct dedesubtul stratului 6 de bioxid de siliciu.
în zona neacoperită dintre cele două straturi de bioxid de siliciu are loc o autodopare a unei zone c și se formează un oxid 8 deasupra acesteia. Zona dopată 3 se va propaga ușor în timpul procesului de difuzie.
în fig.7 se vede cum corodarea de la faza XIII înlătură zona autodopată c și oxidul 8 format acolo. Corodarea se face cu o soluție fierbinte de colină, astfel încât 2 μ de siliciu sunt îndepărtați de pe suprafața din zona cuprinsă între straturile de bioxid de siliciu. în timpul procesului de corodare grosimea straturilor 2 și 7 de bioxid de siliciu se reduce la 0,01 μ pentru a face posibilă aplicarea unui număr mai adecvat de straturi reflectante în fazele care urmează. Stratul de bioxid de siliciu poate fi corodat convenabil, deoarece în acest caz el constă din Si02 care are un indice mai mic de refracție (tipic 1,45). La un indice de refracție mai mare se obține un strat antireflectant mai bun. Ca alternativă, se poate lua decizia de a se folosi Ti02 cu un indice de refracție de 2,1 pentru straturile 2 și 6 și de a-l menține. în plus, se poate lua decizia de a combina acest strat cu un alt strat antireflectant, de exemplu TaA- ZnS sau MgFa pentru a asigura un strat dublu care dă un efect antireflectant mai bun. Apoi, pot fi aplicate contactele, într-un mod în sine cunoscut, știut de persoane calificate în acest domeniu și de aceea nu va fi prezentat în detaliu.
Diagrama care cuprinde fazele procedeului și succesiunea lor a fost explicată cu referire la o celulă solară cu două fețe, dar ea poate fi întreruptă după corodarea de la faza VIII pentru a obține o celulă solară cu o singură față care este gata pentru punerea contactelor.
Astfel, se poate spune că prin folosirea unui strat de bioxid de siliciu atât ca sursă de dopant cât și ca mască se pot obține o serie de efecte pozitive. La fabricarea unei celule solare monofață, o parte a plachetei substrat este acoperită cu un strat de bioxid de siliciu, care parțial servește ca material sursă și parțial ca strat mască. într-o singură fază de temperatură înaltă, atomii din sursa de dopant difuzează direct în stratul de bază al plachetei și, prin aer, difuzează în partea din spate neprotejată a plachetei, sub formă de autodopare.
Partea autodopată a plachetei este înlăturată prin corodare ulterioară, în timp ce stratul de bioxid de siliciu protejează zona de bază dopată. Placheta poate fi apoi preyăzută cu contacte și folosită ca celulă solară cu o sinqură față.
în fig.8 se vede cum zona c dopată din sursa de dopant în fază gazoasă nu este complet înlăturată de corodarea finală de la faza XJII. Astfel, se formează un canal circular cu stratul joncțiune în partea de jos, prevăzut la faza X. Canalul are o lățime oarecum mai mare decât respectivele adâncimi de pătrundere ale zonelor dopate 3 și 7. Distanța λ dintre cele două straturi 2 și 6 de bioxid de siliciu, poate fi folosită pentru reglarea gradientului curentului de întuneric cu dioda formată de straturile semiconductoare polarizate invers, prin aceasta reducându-se riscul de zonă periculoasă. Distanța λ este hotărâtoare pentru curentul de scurgere între zonele ΙΨ și P+.
Când celulele solare sunt astfel prevăzute cu efect de diodă, un panou mare de celule solare va continua să funcționeze, chiar dacă una sau mai multe celule solare individuale se defectează sau sunt umbrite. Acest efect de diodă poate fi obținut prin îndepărtarea zonei autodopate, prezentate în fig.6, prin corodare selectivă astfel, încât canalul circular este expus către placheta 1, în timp ce acolo va rămâne încă o parte din stratul c de-a lungul marginilor zonelor active 4 și 10. Deoarece stratul c este * .
RO 111230 Bl format prin autodopare din stratul sursă 6 și are deci același tip de conducție ca și zona activă 7, restul stratului c din fața zonei 7 va fi considerat, în mod corespunzător, ca parte integrantă a acesteia, în timp ce restul din fața zonei 3 va fi considerat o zonă dopată 9 (fig.8), având un tip de conducție diferit de cel din zona activă 3. 0 zonă 10, cu același țipă de conducție ca și zona 3, este ulterior pusă în contact cu zona 7 din canal, pentru a se asigura o joncțiune PN sau PIN. Zona 10 poate fi formată, de exemplu, în legătură cu un contact și, astfel, ea poate fi din aluminiu. Această joncțiune semiconductoare formează o diodă care este direcționată invers față de fotodiodă formată de celula solară și asigură că panoul, în care este montată celula solară, continuă să funcționeze chiar dacă celula solară este scoasă din funcțiune, de exemplu prin străpungere, umbrire sau ceva asemănător. în cazul unui material de pornire monocristalin, dioda se extinde transversal față de canalul circular, în timp ce în cazul unui material de pornire policristalin, dioda se compune din segmente transversale pe canal și ,deci, se compune din mai multe diode legate în paralel.
Straturile sursă au fost menționate mai înainte ca fiind straturi de bioxid de siliciu cu bor sau fosfor, însă trebuie ținut seama de faptul că dopantul poate fi ales în mod arbitrar, de exemplu din antimoniu și arsen. Bioxidul de siliciu, care de obicei acoperă un material conținând siliciu și oxigen și care poate forma compuși cuaternari prin încălzire puternică și adiție de oxigen, poate fi înlocuit, de exemplu, cu nitrură de siliciu, oxid de titan sau un alt material care are proprietățile necesare ca straturi de baraj. Materialul de pornire din exemplul descris anterior a fost o plachetă de siliciu monocristalin, dar el poate fi înlocuit cu o plachetă policristalină sau chiar cu o plachetă amorfă, materialul fiind ales în funcție de proprietățile dorite pentru celula solară.
Așa cum am văzut până aici, placheta poate fi acoperită cu mai multe straturi sursă având diferite tipuri de conducție, care, cu o difuzie comună, servesc atât ca strat sursă cât și ca strat mască împotriva autodopării nedorite. Straturile pot fi aplicate în mod obișnuit, de exemplu prin depunere controlată în vid, centrifugare, sau printro metodă de imprimare cu peliculă groasă. Este astfel posibil să se fabrice o celulă solară cu două fețe într-o singură fază de temperatură înaltă, zonele autodopate fiind înlăturate prin corodare ulterioară. Procedeul prezentat aici poate fi aplicat și la producerea de zone dopate pentru o mare diversitate de tipuri de semiconductori, inclusiv tiristori. în acest fel, într-un singur conductor poate fi formată o structură oarecare de zone dopate.
Agentul de corodare a fost descris ca fiind o soluție alcalină, însă faza de corodare poate fi înlocuită în mod avantajos prin corodare cu plasma, astfel încât atât faza de difuzie cât și faza de corodare să aibă loc în același cuptor, fără să fie necesară o deplasare a plachetelor între faze.

Claims (10)

  1. Revendicări
    1. Procedeu de obținere a zonelor dopate pe componente semiconductoare, de preferință celule solare, cuprinzând faze pentru depunerea pe o porțiune a suprafeței substratului semiconductor a unui strat sursă cu un prim tip de dopant, încălzirea substratului semiconductor cu stratul sursă la o temperatură suficientă pentru difuziunea unei părți a dopantului din stratul sursă în substratul semiconductor, unde în timpul procesului de dopare, are loc și o autodopare nedorită a suprafețelor neprotejate ale substratului semiconductor, caracterizat prin aceea că într-o fază (VIII) substratul (1) împreună cu stratul sursă (2) este supus unei operații de corodare corodarea fiind controlată pentru a se asigura o adâncime de corodare a suprafețelor neprotejate (c) mai mare decât adâncimea de penetrare a atomilor autodopanți stratul sursă având o grosime astfel aleasă, încât în timpul
    RO 111230 Bl corodării la faza (VIII) el constituie o barieră de protecție pentru zonele dopate (3) aflate dedesubt chiar dacă această grosime se reduce prin corodare.
  2. 2. Procedeu pentru obținerea zonelor dopate pe componente semiconductoare, conform revendicării 1, caracterizat prin aceea că, după corodarea de la faza (VIII) într-o fază (XI) se depune un al doilea strat sursă (6) cu un al doilea tip de dopant, pe o altă porțiune a suprafeței substratului semiconductor (1), se încălzește substratul semiconductor cu straturile sursă aplicate, la o temperatură suficientă pentru difuzia unei părți a celui de-al doilea strat sursă (6)în substratul semicondutor (1) unde, în timpul fazei de dopare, are loc și o autodopare nedorită a suprafețelor neprotejate ale substratului semiconductor (1) și într-o fază (XIII) se corodează zonele autodopate (c) ale substratului semiconductor (1) aceste două straturi sursa (2 și 6) constituind o barieră protectoare pentru zonele dopate, aflate dedesubt.
  3. 3. Procedeu, conform revendicărilor 1 sau 2, caracterizat prin aceea că se pot depune unul sau mai multe straturi cu dopant folosite ca straturi sursă, înainte de încălzire.
  4. 4. Procedeu, conform revendicărilor 1 sau 2, caracterizat prin aceea că substratul semiconductor (1) este siliciul cristalin.
  5. 5. Procedeu, conform revendicărilor 1 sau 2, caracterizat prin aceea că straturile sursă (2 și 6) care conțin dopant sunt bioxid de siliciu.
  6. 6. Procedeu, conform revendicărilor 1 sau 2, caracterizat prin aceea că straturile sursă (2 și 6) care conțin dopant se aleg dintre grupele : TiO, Ti02, AIO2, SnO2, nitrură de siliciu.
  7. 7. Procedeu, conform revendicărilor 1 până la 5, caracterizat prin aceea că dopanții se aleg dintre fosfor, bor.arsen și antimoniu.
  8. 8. Celulă solară obținută prin procedeul conform revendicării 1, cuprinzând o plachetă dintr-un substrat semiconductor, o porțiune a unei părți a plachetei având o primă zonă activă cu un prim tip de conducție, iar cealaltă parte a plachetei, fața laterală a plachetei și periferia primei părți a plachetei având o a doua zonă activă cu un al doilea tip de conducție, caracterizată prin aceea că cele două zone active (3 și 7) se află la o distanță care este astfel dimensionată, încât să asigure o scurgere de curent între zonele active (3 și 7).
  9. 9. Celulă solară, conform revendicării 8, caracterizată prin aceea că zonele active (3 și 7 ) sunt acoperite cu un strat antireflectant.
  10. 10. Celulă solară, conform revendicărilor 8 sau 9, caracterizată prin aceea că porțiunea dintre prima zonă activă (3) și a doua zonă activă (7) include o a treia zonă activă (10), având tipul de conducție, ca prima zonă activă (3), și o a patra zonă activă (9) având tipul de conducție, ca și a doua zonă activă (7), pentru a asigura o joncțiune PIM inversă în raport cu joncțiunea Pl\l formată de zonele active menționate, prima (3) și a doua (7).
RO92-01476A 1990-05-30 1991-05-29 Procedeu pentru obtinerea zonelor dopate pe componente semiconductoare si celula solara, obtinuta prin acest procedeu RO111230B1 (ro)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DK133890A DK170189B1 (da) 1990-05-30 1990-05-30 Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf
PCT/DK1991/000144 WO1991019323A1 (en) 1990-05-30 1991-05-29 A method of making semiconductor components as well as a solar cell made therefrom

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RO111230B1 true RO111230B1 (ro) 1996-07-30

Family

ID=8103745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RO92-01476A RO111230B1 (ro) 1990-05-30 1991-05-29 Procedeu pentru obtinerea zonelor dopate pe componente semiconductoare si celula solara, obtinuta prin acest procedeu

Country Status (17)

Country Link
US (2) US5461002A (ro)
EP (1) EP0531430B1 (ro)
JP (1) JPH05508742A (ro)
CN (1) CN1025392C (ro)
AT (1) ATE136402T1 (ro)
AU (1) AU646263B2 (ro)
BR (1) BR9106519A (ro)
CA (1) CA2084089A1 (ro)
DE (1) DE69118530T2 (ro)
DK (1) DK170189B1 (ro)
ES (1) ES2088793T3 (ro)
FI (1) FI925409A0 (ro)
HU (1) HUT63711A (ro)
NO (1) NO924568L (ro)
PL (1) PL167243B1 (ro)
RO (1) RO111230B1 (ro)
WO (1) WO1991019323A1 (ro)

Families Citing this family (191)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3032422B2 (ja) * 1994-04-28 2000-04-17 シャープ株式会社 太陽電池セルとその製造方法
AUPM996094A0 (en) * 1994-12-08 1995-01-05 Pacific Solar Pty Limited Multilayer solar cells with bypass diode protection
DE19508712C2 (de) * 1995-03-10 1997-08-07 Siemens Solar Gmbh Solarzelle mit Back-Surface-Field und Verfahren zur Herstellung
US7075002B1 (en) * 1995-03-27 2006-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. Thin-film photoelectric conversion device and a method of manufacturing the same
DE19538612A1 (de) * 1995-10-17 1997-04-24 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Siliziumscheibe
US6331457B1 (en) * 1997-01-24 2001-12-18 Semiconductor Energy Laboratory., Ltd. Co. Method for manufacturing a semiconductor thin film
US5716873A (en) * 1996-05-06 1998-02-10 Micro Technology, Inc. Method for cleaning waste matter from the backside of a semiconductor wafer substrate
JP3454033B2 (ja) * 1996-08-19 2003-10-06 信越半導体株式会社 シリコンウェーハおよびその製造方法
KR100237183B1 (ko) * 1996-12-14 2000-01-15 정선종 금속-반도체 광소자
JP3722326B2 (ja) * 1996-12-20 2005-11-30 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
US6224016B1 (en) 1997-12-19 2001-05-01 Sky Station International, Inc. Integrated flexible solar cell material and method of production
DE19813188A1 (de) * 1998-03-25 1999-10-07 Siemens Solar Gmbh Verfahren zur einseitigen Dotierung eines Halbleiterkörpers
US6033950A (en) 1998-04-10 2000-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dual layer poly deposition to prevent auto-doping in mixed-mode product fabrication
AUPP437598A0 (en) * 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
AT408158B (de) * 1998-12-28 2001-09-25 Kroener Friedrich Dr Maske zur strukturierten, elektrochemischen bearbeitung eines siliziumplättchens für die solarzellenherstellung
US6635507B1 (en) * 1999-07-14 2003-10-21 Hughes Electronics Corporation Monolithic bypass-diode and solar-cell string assembly
DE10020541A1 (de) * 2000-04-27 2001-11-08 Univ Konstanz Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle
DE10021440A1 (de) * 2000-05-03 2001-11-15 Univ Konstanz Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und nach diesem Verfahren hergestellte Solarzelle
AUPR174800A0 (en) 2000-11-29 2000-12-21 Australian National University, The Semiconductor processing
EP1449261B1 (en) * 2001-11-26 2007-07-25 Shell Solar GmbH SOLAR CELL WITH BACKSIDE CONTACTS and its manufacturing method
KR20040068928A (ko) * 2001-11-29 2004-08-02 오리진 에너지 솔라 피티와이 리미티드 반도체 가공 방법
EP1378948A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates
EP1378947A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates
US7402448B2 (en) * 2003-01-31 2008-07-22 Bp Corporation North America Inc. Photovoltaic cell and production thereof
DE102005040871A1 (de) * 2005-04-16 2006-10-19 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Rückkontaktierte Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
US7906722B2 (en) 2005-04-19 2011-03-15 Palo Alto Research Center Incorporated Concentrating solar collector with solid optical element
US20070107773A1 (en) 2005-11-17 2007-05-17 Palo Alto Research Center Incorporated Bifacial cell with extruded gridline metallization
US7799371B2 (en) 2005-11-17 2010-09-21 Palo Alto Research Center Incorporated Extruding/dispensing multiple materials to form high-aspect ratio extruded structures
US7765949B2 (en) 2005-11-17 2010-08-03 Palo Alto Research Center Incorporated Extrusion/dispensing systems and methods
US20070169806A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell production using non-contact patterning and direct-write metallization
CN106409970A (zh) * 2005-12-21 2017-02-15 太阳能公司 背面触点太阳能电池及制造方法
DE102006003283A1 (de) * 2006-01-23 2007-07-26 Gp Solar Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit unterschiedlich stark dotierten Bereichen
US7855335B2 (en) * 2006-04-26 2010-12-21 Palo Alto Research Center Incorporated Beam integration for concentrating solar collector
US7638708B2 (en) 2006-05-05 2009-12-29 Palo Alto Research Center Incorporated Laminated solar concentrating photovoltaic device
US7851693B2 (en) 2006-05-05 2010-12-14 Palo Alto Research Center Incorporated Passively cooled solar concentrating photovoltaic device
US8017860B2 (en) 2006-05-15 2011-09-13 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials
US9105776B2 (en) 2006-05-15 2015-08-11 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using semiconductor materials
US7709307B2 (en) * 2006-08-24 2010-05-04 Kovio, Inc. Printed non-volatile memory
DE102006041424A1 (de) * 2006-09-04 2008-03-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur simultanen Dotierung und Oxidation von Halbleitersubstraten und dessen Verwendung
WO2008045511A2 (en) * 2006-10-11 2008-04-17 Gamma Solar Photovoltaic solar module comprising bifacial solar cells
US8226391B2 (en) 2006-11-01 2012-07-24 Solarworld Innovations Gmbh Micro-extrusion printhead nozzle with tapered cross-section
US7922471B2 (en) 2006-11-01 2011-04-12 Palo Alto Research Center Incorporated Extruded structure with equilibrium shape
US7780812B2 (en) 2006-11-01 2010-08-24 Palo Alto Research Center Incorporated Extrusion head with planarized edge surface
US8322025B2 (en) 2006-11-01 2012-12-04 Solarworld Innovations Gmbh Apparatus for forming a plurality of high-aspect ratio gridline structures
NO333757B1 (no) * 2006-12-04 2013-09-09 Elkem Solar As Solceller
US7928015B2 (en) * 2006-12-12 2011-04-19 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell fabrication using extruded dopant-bearing materials
US7638438B2 (en) 2006-12-12 2009-12-29 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell fabrication using extrusion mask
US20080185039A1 (en) * 2007-02-02 2008-08-07 Hing Wah Chan Conductor fabrication for optical element
US7954449B2 (en) * 2007-05-08 2011-06-07 Palo Alto Research Center Incorporated Wiring-free, plumbing-free, cooled, vacuum chuck
US8071179B2 (en) * 2007-06-29 2011-12-06 Stion Corporation Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials
US7919400B2 (en) * 2007-07-10 2011-04-05 Stion Corporation Methods for doping nanostructured materials and nanostructured thin films
TWI450401B (zh) * 2007-08-28 2014-08-21 Mosel Vitelic Inc 太陽能電池及其製造方法
US8614396B2 (en) * 2007-09-28 2013-12-24 Stion Corporation Method and material for purifying iron disilicide for photovoltaic application
US8759671B2 (en) 2007-09-28 2014-06-24 Stion Corporation Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices
US8287942B1 (en) 2007-09-28 2012-10-16 Stion Corporation Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material
US8058092B2 (en) * 2007-09-28 2011-11-15 Stion Corporation Method and material for processing iron disilicide for photovoltaic application
US20090087939A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Stion Corporation Column structure thin film material using metal oxide bearing semiconductor material for solar cell devices
NL2000999C2 (nl) * 2007-11-13 2009-05-14 Stichting Energie Werkwijze voor het fabriceren van kristallijn silicium zonnecellen met gebruikmaking van co-diffusie van boor en fosfor.
US7998762B1 (en) 2007-11-14 2011-08-16 Stion Corporation Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration
US20110017298A1 (en) 2007-11-14 2011-01-27 Stion Corporation Multi-junction solar cell devices
US8440903B1 (en) 2008-02-21 2013-05-14 Stion Corporation Method and structure for forming module using a powder coating and thermal treatment process
US20090211627A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Suniva, Inc. Solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
US20090211623A1 (en) * 2008-02-25 2009-08-27 Suniva, Inc. Solar module with solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
US8076175B2 (en) * 2008-02-25 2011-12-13 Suniva, Inc. Method for making solar cell having crystalline silicon P-N homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation
US8075723B1 (en) 2008-03-03 2011-12-13 Stion Corporation Laser separation method for manufacture of unit cells for thin film photovoltaic materials
US8772078B1 (en) 2008-03-03 2014-07-08 Stion Corporation Method and system for laser separation for exclusion region of multi-junction photovoltaic materials
US7939454B1 (en) 2008-05-31 2011-05-10 Stion Corporation Module and lamination process for multijunction cells
US20090301562A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method
US8642138B2 (en) * 2008-06-11 2014-02-04 Stion Corporation Processing method for cleaning sulfur entities of contact regions
US7851698B2 (en) * 2008-06-12 2010-12-14 Sunpower Corporation Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions
US8003432B2 (en) * 2008-06-25 2011-08-23 Stion Corporation Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material
US9087943B2 (en) * 2008-06-25 2015-07-21 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material
WO2010009297A2 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 Applied Materials, Inc. Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a doping layer mask
DE102008052660A1 (de) * 2008-07-25 2010-03-04 Gp Solar Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einer zweistufigen Dotierung
US8207008B1 (en) 2008-08-01 2012-06-26 Stion Corporation Affixing method and solar decal device using a thin film photovoltaic
US20110017257A1 (en) * 2008-08-27 2011-01-27 Stion Corporation Multi-junction solar module and method for current matching between a plurality of first photovoltaic devices and second photovoltaic devices
US20100180927A1 (en) * 2008-08-27 2010-07-22 Stion Corporation Affixing method and solar decal device using a thin film photovoltaic and interconnect structures
US20100051090A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Stion Corporation Four terminal multi-junction thin film photovoltaic device and method
US20100059097A1 (en) * 2008-09-08 2010-03-11 Mcdonald Mark Bifacial multijunction solar cell
US7999175B2 (en) 2008-09-09 2011-08-16 Palo Alto Research Center Incorporated Interdigitated back contact silicon solar cells with laser ablated grooves
US7855089B2 (en) * 2008-09-10 2010-12-21 Stion Corporation Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials
US8476104B1 (en) 2008-09-29 2013-07-02 Stion Corporation Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8394662B1 (en) 2008-09-29 2013-03-12 Stion Corporation Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008112B1 (en) * 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008111B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk copper species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008110B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8026122B1 (en) 2008-09-29 2011-09-27 Stion Corporation Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8236597B1 (en) 2008-09-29 2012-08-07 Stion Corporation Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8569613B1 (en) 2008-09-29 2013-10-29 Stion Corporation Multi-terminal photovoltaic module including independent cells and related system
US8501521B1 (en) 2008-09-29 2013-08-06 Stion Corporation Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8425739B1 (en) 2008-09-30 2013-04-23 Stion Corporation In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials
US8217261B2 (en) * 2008-09-30 2012-07-10 Stion Corporation Thin film sodium species barrier method and structure for cigs based thin film photovoltaic cell
US7964434B2 (en) * 2008-09-30 2011-06-21 Stion Corporation Sodium doping method and system of CIGS based materials using large scale batch processing
US7910399B1 (en) 2008-09-30 2011-03-22 Stion Corporation Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates
US7960204B2 (en) * 2008-09-30 2011-06-14 Stion Corporation Method and structure for adhesion of absorber material for thin film photovoltaic cell
US20100078059A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Stion Corporation Method and structure for thin film tandem photovoltaic cell
US8383450B2 (en) 2008-09-30 2013-02-26 Stion Corporation Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials
US8053274B2 (en) * 2008-09-30 2011-11-08 Stion Corporation Self cleaning large scale method and furnace system for selenization of thin film photovoltaic materials
US7863074B2 (en) * 2008-09-30 2011-01-04 Stion Corporation Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells
US7947524B2 (en) 2008-09-30 2011-05-24 Stion Corporation Humidity control and method for thin film photovoltaic materials
US8008198B1 (en) 2008-09-30 2011-08-30 Stion Corporation Large scale method and furnace system for selenization of thin film photovoltaic materials
US8232134B2 (en) 2008-09-30 2012-07-31 Stion Corporation Rapid thermal method and device for thin film tandem cell
US8741689B2 (en) 2008-10-01 2014-06-03 Stion Corporation Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials
US20110018103A1 (en) 2008-10-02 2011-01-27 Stion Corporation System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices
US8003430B1 (en) 2008-10-06 2011-08-23 Stion Corporation Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8435826B1 (en) 2008-10-06 2013-05-07 Stion Corporation Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8082672B2 (en) * 2008-10-17 2011-12-27 Stion Corporation Mechanical patterning of thin film photovoltaic materials and structure
US8168463B2 (en) 2008-10-17 2012-05-01 Stion Corporation Zinc oxide film method and structure for CIGS cell
CN102239564A (zh) * 2008-11-05 2011-11-09 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) 太阳能电池器件及其制造方法
US8117983B2 (en) 2008-11-07 2012-02-21 Solarworld Innovations Gmbh Directional extruded bead control
US20100117254A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Palo Alto Research Center Incorporated Micro-Extrusion System With Airjet Assisted Bead Deflection
US9150966B2 (en) * 2008-11-14 2015-10-06 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell metallization using inline electroless plating
US8344243B2 (en) 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
US20110265859A1 (en) 2008-11-20 2011-11-03 Yakov Safir High voltage semiconductor based wafer and a solar module having integrated electronic devices
EP2226850A1 (en) 2009-03-06 2010-09-08 SAPHIRE ApS Solar module having integrated electronic devices
EP2190017A1 (en) 2008-11-20 2010-05-26 SAPHIRE ApS High voltage semiconductor based wafer
US8080729B2 (en) 2008-11-24 2011-12-20 Palo Alto Research Center Incorporated Melt planarization of solar cell bus bars
US8960120B2 (en) 2008-12-09 2015-02-24 Palo Alto Research Center Incorporated Micro-extrusion printhead with nozzle valves
KR20110105382A (ko) 2008-12-10 2011-09-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 스크린 프린팅 패턴 정렬을 위한 향상된 비젼 시스템
TWI385809B (zh) * 2008-12-17 2013-02-11 Ind Tech Res Inst 表面織化的方法
CN101771095B (zh) * 2009-01-06 2012-03-21 台湾茂矽电子股份有限公司 太阳能电池
CN102386280B (zh) * 2009-02-05 2014-06-18 显示器生产服务株式会社 制备太阳能电池上的选择性发射极的方法中使用的扩散设备
DE102009008371A1 (de) * 2009-02-11 2010-08-12 Schott Solar Ag Integraler Prozeß von Waferherstellung bis Modulfertigung zur Herstellung von Wafern, Solarzellen und Solarmodulen
US8563850B2 (en) * 2009-03-16 2013-10-22 Stion Corporation Tandem photovoltaic cell and method using three glass substrate configuration
US8298850B2 (en) * 2009-05-01 2012-10-30 Silicor Materials Inc. Bifacial solar cells with overlaid back grid surface
US8241943B1 (en) 2009-05-08 2012-08-14 Stion Corporation Sodium doping method and system for shaped CIGS/CIS based thin film solar cells
US8372684B1 (en) 2009-05-14 2013-02-12 Stion Corporation Method and system for selenization in fabricating CIGS/CIS solar cells
US8507786B1 (en) 2009-06-27 2013-08-13 Stion Corporation Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells
US8398772B1 (en) 2009-08-18 2013-03-19 Stion Corporation Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity
NL2003390C2 (en) * 2009-08-25 2011-02-28 Stichting Energie Solar cell and method for manufacturing such a solar cell.
DE102009044052A1 (de) * 2009-09-18 2011-03-24 Schott Solar Ag Kristalline Solarzelle, Verfahren zur Herstellung einer solchen sowie Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls
NL2003510C2 (en) * 2009-09-18 2011-03-22 Solar Cell Company Holding B V Photovoltaic cell and method for fabricating a photovoltaic cell.
US8174444B2 (en) * 2009-09-26 2012-05-08 Rincon Research Corporation Method of correlating known image data of moving transmitters with measured radio signals
WO2011040489A1 (ja) * 2009-09-29 2011-04-07 京セラ株式会社 太陽電池素子および太陽電池モジュール
US8809096B1 (en) 2009-10-22 2014-08-19 Stion Corporation Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials
US20110100418A1 (en) * 2009-11-03 2011-05-05 Palo Alto Research Center Incorporated Solid Linear Solar Concentrator Optical System With Micro-Faceted Mirror Array
US9012766B2 (en) 2009-11-12 2015-04-21 Silevo, Inc. Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
US8586862B2 (en) * 2009-11-18 2013-11-19 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
US20110114147A1 (en) * 2009-11-18 2011-05-19 Solar Wind Ltd. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
US8796060B2 (en) 2009-11-18 2014-08-05 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
TW201121066A (en) * 2009-12-14 2011-06-16 Ind Tech Res Inst Bificial solar cell
TWI472049B (zh) * 2009-12-14 2015-02-01 Ind Tech Res Inst 太陽能電池的製造方法
US8859880B2 (en) * 2010-01-22 2014-10-14 Stion Corporation Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices
US8263494B2 (en) 2010-01-25 2012-09-11 Stion Corporation Method for improved patterning accuracy for thin film photovoltaic panels
US20110216401A1 (en) * 2010-03-03 2011-09-08 Palo Alto Research Center Incorporated Scanning System With Orbiting Objective
US9096930B2 (en) 2010-03-29 2015-08-04 Stion Corporation Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices
US8142521B2 (en) * 2010-03-29 2012-03-27 Stion Corporation Large scale MOCVD system for thin film photovoltaic devices
US9214576B2 (en) 2010-06-09 2015-12-15 Solarcity Corporation Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
CN101930912B (zh) * 2010-07-20 2012-03-14 晶澳太阳能有限公司 一种利用掩模在硅片两面实现p+和n+扩散的工艺
US8461061B2 (en) 2010-07-23 2013-06-11 Stion Corporation Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
CN102403396A (zh) * 2010-09-10 2012-04-04 杜邦太阳能有限公司 薄膜太阳能电池的制造方法
US9773928B2 (en) 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
KR101699300B1 (ko) * 2010-09-27 2017-01-24 엘지전자 주식회사 태양전지 및 이의 제조 방법
US8628997B2 (en) 2010-10-01 2014-01-14 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
US9800053B2 (en) 2010-10-08 2017-10-24 Tesla, Inc. Solar panels with integrated cell-level MPPT devices
TWI431797B (zh) * 2010-10-19 2014-03-21 Ind Tech Res Inst 選擇性射極之太陽能電池及其製作方法
CN102064232A (zh) * 2010-10-28 2011-05-18 中山大学 一种应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺
CN102097534A (zh) * 2010-11-18 2011-06-15 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 同时形成晶体硅太阳能电池pn结和氮化硅减反射膜的方法
US8134217B2 (en) * 2010-12-14 2012-03-13 Sunpower Corporation Bypass diode for a solar cell
US8998606B2 (en) 2011-01-14 2015-04-07 Stion Corporation Apparatus and method utilizing forced convection for uniform thermal treatment of thin film devices
US8728200B1 (en) 2011-01-14 2014-05-20 Stion Corporation Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials
US8962424B2 (en) 2011-03-03 2015-02-24 Palo Alto Research Center Incorporated N-type silicon solar cell with contact/protection structures
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
US8436445B2 (en) 2011-08-15 2013-05-07 Stion Corporation Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices
WO2013062727A1 (en) * 2011-10-24 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of removing a passivation film and improving contact resistance in rear point contact solar cells
US8822262B2 (en) 2011-12-22 2014-09-02 Sunpower Corporation Fabricating solar cells with silicon nanoparticles
US9196779B2 (en) 2012-07-12 2015-11-24 Stion Corporation Double sided barrier for encapsulating soda lime glass for CIS/CIGS materials
WO2014055781A1 (en) 2012-10-04 2014-04-10 Silevo, Inc. Photovoltaic devices with electroplated metal grids
US9865754B2 (en) 2012-10-10 2018-01-09 Tesla, Inc. Hole collectors for silicon photovoltaic cells
CN104813480B (zh) 2012-10-16 2017-03-01 索莱克赛尔公司 用于光伏太阳能电池和模块中的单片集成旁路开关的系统和方法
US9281436B2 (en) 2012-12-28 2016-03-08 Solarcity Corporation Radio-frequency sputtering system with rotary target for fabricating solar cells
US9219174B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
US9412884B2 (en) 2013-01-11 2016-08-09 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
KR102065595B1 (ko) * 2013-01-17 2020-01-13 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법
US9093598B2 (en) * 2013-04-12 2015-07-28 Btu International, Inc. Method of in-line diffusion for solar cells
US20150101761A1 (en) 2013-05-12 2015-04-16 Solexel, Inc. Solar photovoltaic blinds and curtains for residential and commercial buildings
US9624595B2 (en) 2013-05-24 2017-04-18 Solarcity Corporation Electroplating apparatus with improved throughput
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
US9947822B2 (en) 2015-02-02 2018-04-17 Tesla, Inc. Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells
KR20170019597A (ko) * 2015-08-12 2017-02-22 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
WO2017072758A1 (en) * 2015-10-25 2017-05-04 Solaround Ltd. Method of bifacial cell fabrication
US9842956B2 (en) 2015-12-21 2017-12-12 Tesla, Inc. System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures
US9496429B1 (en) 2015-12-30 2016-11-15 Solarcity Corporation System and method for tin plating metal electrodes
CN107305839B (zh) * 2016-04-18 2020-07-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 防止自掺杂效应的方法
US10115838B2 (en) 2016-04-19 2018-10-30 Tesla, Inc. Photovoltaic structures with interlocking busbars
US10672919B2 (en) 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
FR3073975B1 (fr) * 2017-11-22 2020-09-18 Commissariat Energie Atomique Procede ameliore de dopage de cellule solaire
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL99619C (ro) * 1955-06-28
US3767485A (en) * 1971-12-29 1973-10-23 A Sahagun Method for producing improved pn junction
JPS5824951B2 (ja) * 1974-10-09 1983-05-24 ソニー株式会社 コウガクソウチ
DE2506457C3 (de) * 1975-02-15 1980-01-24 S.A. Metallurgie Hoboken-Overpelt N.V., Bruessel Verfahren zur Herstellung einer silikatischen Abdeckschicht auf einer Halbleiterscheibe öder auf einer auf ihr befindlichen Schicht
US4101351A (en) * 1976-11-15 1978-07-18 Texas Instruments Incorporated Process for fabricating inexpensive high performance solar cells using doped oxide junction and insitu anti-reflection coatings
JPS55130176A (en) * 1979-03-30 1980-10-08 Hitachi Ltd Field effect semiconductor element and method of fabricating the same
DE3316417A1 (de) * 1983-05-05 1984-11-08 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Solarzelle
US4662956A (en) * 1985-04-01 1987-05-05 Motorola, Inc. Method for prevention of autodoping of epitaxial layers
DE3520699A1 (de) * 1985-06-10 1986-01-23 BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., Baden, Aargau Verfahren zum selektiven diffundieren von aluminium in ein siliziumsubstrat
US4701427A (en) * 1985-10-17 1987-10-20 Stemcor Corporation Sintered silicon carbide ceramic body of high electrical resistivity
US5225235A (en) * 1987-05-18 1993-07-06 Osaka Titanium Co., Ltd. Semiconductor wafer and manufacturing method therefor
US4914500A (en) * 1987-12-04 1990-04-03 At&T Bell Laboratories Method for fabricating semiconductor devices which include sources and drains having metal-containing material regions, and the resulting devices
US5082791A (en) * 1988-05-13 1992-01-21 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells

Also Published As

Publication number Publication date
DK170189B1 (da) 1995-06-06
NO924568D0 (no) 1992-11-26
BR9106519A (pt) 1993-05-25
FI925409A (fi) 1992-11-27
FI925409A0 (fi) 1992-11-27
WO1991019323A1 (en) 1991-12-12
HU9203773D0 (en) 1993-04-28
NO924568L (no) 1992-11-26
DE69118530T2 (de) 1996-11-21
DK133890D0 (da) 1990-05-30
AU7976591A (en) 1991-12-31
ES2088793T3 (es) 1996-09-16
JPH05508742A (ja) 1993-12-02
US5665175A (en) 1997-09-09
DK133890A (da) 1991-12-01
ATE136402T1 (de) 1996-04-15
AU646263B2 (en) 1994-02-17
EP0531430B1 (en) 1996-04-03
CN1057735A (zh) 1992-01-08
CA2084089A1 (en) 1991-12-01
HUT63711A (en) 1993-09-28
CN1025392C (zh) 1994-07-06
DE69118530D1 (de) 1996-05-09
PL167243B1 (pl) 1995-08-31
US5461002A (en) 1995-10-24
EP0531430A1 (en) 1993-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RO111230B1 (ro) Procedeu pentru obtinerea zonelor dopate pe componente semiconductoare si celula solara, obtinuta prin acest procedeu
JP4481869B2 (ja) 太陽電池の製造方法及び太陽電池並びに半導体装置の製造方法
JP4812147B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP7082235B1 (ja) 太陽電池及びその製造方法、太陽電池モジュール
CN110838536A (zh) 具有多种隧道结结构的背接触太阳能电池及其制备方法
US20050189013A1 (en) Process for manufacturing photovoltaic cells
JP5414298B2 (ja) 太陽電池の製造方法
EP3618124B1 (en) Solar battery element and solar battery element manufacturing method
JP7368653B2 (ja) 太陽電池及び光起電力モジュール
TWI415280B (zh) Light power device and manufacturing method thereof
CN116387370A (zh) P型背接触电池结构、制作方法及太阳能电池
TW201310690A (zh) 背面接觸式太陽電池的製造方法
US10651322B2 (en) Solar cell element and solar cell module
KR100995654B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
US9171972B2 (en) Method for producing photoelectric converter and phtotelectric converter
KR101082950B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
TW201637232A (zh) 太陽電池之製造方法
JP6234633B2 (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法
JP2005072388A (ja) 太陽電池素子の製造方法
JPWO2018109878A1 (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法
Burgers et al. Near 13% efficiency shunt free solar cells on RGS wafers
Faller et al. Mc-Si thin film solar cells by fast CVD on low cost SSP pre-ribbons
Burgers et al. Record 13% efficiency screen printed silicon solar cells on ribbon growth on substrate (RGS) material
WO2011053344A1 (en) Crystalline silicon solar cell and manufacturing process