CN116387370A - P型背接触电池结构、制作方法及太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本发明适用于太阳能电池技术领域，具体提供一种P型背接触电池结构、制作方法及太阳能电池，结构包括P型单晶硅衬底，P型单晶硅衬底的正面具有局部掺杂区，背面具有第一掺杂区和第二掺杂区；设置于局部掺杂区上的第一隧穿氧化层；依次设置于第一掺杂区上的第二隧穿氧化层和第一本征非晶硅层；设置于第二掺杂区上的第二本征非晶硅层；穿过第一本征非晶硅层并与第二隧穿氧化层电接触第一电极；以及穿过第二本征非晶硅层并与P型单晶硅衬底的背面电接触第二电极。本发明通过在P型单晶硅衬底的正面设置第一隧穿氧化层加强正面钝化，另外在背面上设置一层本征非晶硅层提升背面的钝化效果，能有效提升P型背接触电池的转换效率。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种P型背接触电池结构、制作方法及太阳能电池。
背景技术
P型背接触电池的结构如图1所示，其是一种以P型硅片为衬底，正面无任何电极遮挡，将发射区电极和基区电极(正负电极)均设计于电池背面的一种新型结构电池。P型背接触电池的电极可以采用Al正电极和Ag负电极，Al正电极的存在大大降低了贵金属的使用，加上Al还具有自掺杂功能，在Al电极下面不需要做掺杂，工艺简单，转换效率也不受太大影响。
但是，P型背接触电池的正面无电极遮挡，载流子需要穿越硅基体达到硅片背面进行分离，在这个穿越的过程中复合很大，通常采用前钝化膜来降低正面和硅基体的复合，并通过后钝化膜来实现Al电极下的钝化。而由于正面表面和背面Al正电极区域表面的钝化性能不足，限制了P型背接触电池的转换效率。
发明内容
本发明提供一种P型背接触电池结构，解决现有的P型背接触电池的转换效率低的问题。
本发明是这样实现的，一种P型背接触电池结构，包括：
P型单晶硅衬底，P型单晶硅衬底的正面具有局部掺杂区，背面具有第一掺杂区和第二掺杂区；
设置于局部掺杂区上的第一隧穿氧化层；
依次设置于第一掺杂区上的第二隧穿氧化层和第一本征非晶硅层；
设置于第二掺杂区上的第二本征非晶硅层；
穿过第一本征非晶硅层并与第二隧穿氧化层电接触第一电极；以及
穿过第二本征非晶硅层并与P型单晶硅衬底的背面电接触第二电极。
可选地，第一隧穿氧化层包括依次设置于局部掺杂区上的第一隧穿层和第一掺杂层。
可选地，第一掺杂层为N+多晶硅层。
可选地，第二隧穿氧化层包括依次设置于第一掺杂区上的第二隧穿层和第二掺杂层。
可选地，第二掺杂层为N+多晶硅层。
可选地，P型单晶硅衬底的正面和背面分别设置有正面钝化膜和背面钝化膜。
可选地，正面钝化膜和背面钝化膜采用氧化铝、氧化硅和氮化硅中至少一种。
第二方面，本申请还提供一种P型背接触电池结构的制作方法，其特征在于，包括：
制作P型单晶硅衬底；
在所述P型单晶硅衬底正面的局部掺杂区上和背面的第一掺杂区上分别沉积第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层；
在所述P型单晶硅衬底背面沉积本征非晶硅层，其中，所述本征非晶硅层包括沉积于所述第二隧穿氧化层上的第一本征非晶硅层和沉积于所述第二掺杂区上的第二本征非晶硅层；
在所述第一本征非晶硅层上设置与第二隧穿氧化层电接触的第一电极；
在所述第二本征非晶硅层上设置与所述P型单晶硅衬底的背面电接触第二电极。
可选地，所述在所述P型单晶硅衬底背面沉积本征非晶硅层的步骤之后，所述方法还包括：
在所述P型单晶硅衬底的正面和背面分别沉积正面钝化膜和背面钝化膜。
第三方面，本申请还提供一种太阳能电池，包括如上述的P型背接触电池结构。
本发明的有益效果在于，本申请通过在P型单晶硅衬底的正面设置第一隧穿氧化层，第一隧穿氧化层为局部POLY结构加强正面钝化，降低了POLY对光的寄生吸收，另外在P型单晶硅衬底的背面上设置一层本征非晶硅层，可以提升背面的钝化效果。通过提升正面钝化效果并结合背面钝化效果提升，能有效提升P型背接触电池的转换效率。
附图说明
图1是现有技术中P型背接触电池的结构示意图；
图2是本申请P型背接触电池结构一个实施例的结构示意图；
图3是本申请P型背接触电池结构的制作方法一个实施例的方法流程示意图；
图4是本申请P型背接触电池结构的制作方法另一个实施例的方法流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例通过在P型单晶硅衬底的正面设置第一隧穿氧化层，第一隧穿氧化层为局部POLY结构加强正面钝化，降低了POLY对光的寄生吸收，另外在P型单晶硅衬底的背面上设置一层本征非晶硅层，可以提升背面的钝化效果。通过提升正面钝化效果并结合背面钝化效果提升，能有效提升P型背接触电池的转换效率。
实施例一
如图2所示，本实施例提供一种P型背接触电池结构，包括：
P型单晶硅衬底100，P型单晶硅衬底100的正面具有局部掺杂区，P型单晶硅衬底100的背面具有第一掺杂区和第二掺杂区；
设置于局部掺杂区上的第一隧穿氧化层200；
依次设置于第一掺杂区上的第二隧穿氧化层300和第一本征非晶硅层400；
设置于第二掺杂区上的第二本征非晶硅层500；
穿过第一本征非晶硅层400并与第二隧穿氧化层300电接触第一电极600；以及
穿过第二本征非晶硅层500并与P型单晶硅衬底100的背面电接触第二电极700。
在一些实施例中，本申请的P型单晶硅衬底100应用于太阳能电池，太阳能电池是指通过吸收太阳光，将太阳辐射能通过光电效应或者光化学效应直接或间接转换成电能的装置。在实施时，P型单晶硅衬底100包括正面和背面，其中，正面是指向光面，背面是指背光面。
可选地，P型单晶硅衬底100为P型单晶硅片，硅片电阻率为0.8Ω.cm-3.0Ω.cm，厚度140μm-180μm，少子寿命800us-3000us，氧含量＜12ppm，掺Ga(镓)。
可选地，P型单晶硅衬底100的正面具有局部掺杂区，P型单晶硅衬底100的背面具有第一掺杂区和第二掺杂区。其中，局部掺杂区上设置有第一隧穿氧化层200，该第一隧穿氧化层200为P型单晶硅衬底100的正面上的局部POLY结构，能加强P型单晶硅衬底100的正面的钝化效果。第一掺杂区对应负极区，第二掺杂区对应正极区。
可选地，第一掺杂区上设置有第二隧穿氧化层300和第一本征非晶硅层400。在实施时，第一掺杂区对应负电极区，第一掺杂区上依次设置第二隧穿氧化层300和第一本征非晶硅层400。
可选地，第一掺杂区上还设置有第一电极600，具体地，第一电极600与第二隧穿氧化层300电接触。可选地，第一本征非晶硅层400覆盖在第二隧穿氧化层300上，可以在第一本征非晶硅层400设置穿孔，以使第一电极600可以穿过该穿孔后与第二隧穿氧化层300电接触。
可选地，第二掺杂区上设置有第二本征非晶硅层500。在实施时，第二掺杂区对应正电极区。可选地，第二掺杂区上还设置有第二电极700，具体地，第二电极700与P型单晶硅衬底100的背面电接触。
可选地，第二本征非晶硅层500覆盖在P型单晶硅衬底100的背面的第二掺杂区上，可以在第二本征非晶硅层500设置穿孔，以使第二电极700可以穿过该穿孔后与P型单晶硅衬底100的背面电接触。
在一些实施例中，第一本征非晶硅层400和第二本征非晶硅层500均为本征非晶硅层，通过在背面镀一层本征非晶硅层，可大大提升正极区的钝化效果。
本申请实施例通过在P型单晶硅衬底100的正面设置第一隧穿氧化层200，第一隧穿氧化层200为局部POLY结构加强正面钝化，降低了POLY对光的寄生吸收，另外在P型单晶硅衬底100的背面上设置一层本征非晶硅层，可以提升背面的钝化效果。通过提升正面钝化效果并结合背面钝化效果提升，能有效提升P型背接触电池的转换效率。
实施例二
在一些可选实施例中，第一隧穿氧化层200包括依次设置于局部掺杂区上的第一隧穿层210和第一掺杂层220。
在实施时，局部掺杂区上依次设置有第一隧穿层210和第一掺杂层220。
可选地，第一隧穿层210为氧化硅，厚度为1nm-2nm。
可选地，第一掺杂层220为N+多晶硅层，厚度为20nm-80nm，表面P浓度为2-10*E+20个/cm3。
在实施时，第一掺杂层220和第一隧穿层210为设置于局部掺杂区的局部沉积，局部掺杂区占P型单晶硅衬底100正面面积的比例为5-20％，在一些可能的实施例中，局部掺杂区呈矩形或者圆形均匀的分布在P型单晶硅衬底100的正面。
在一些可选实施例中，第二隧穿氧化层300包括依次设置于第一掺杂区上的第二隧穿层310和第二掺杂层320。
可选地，第二隧穿层310与第一隧穿层210的厚度和类型完全一致，在此不做赘述。
可选地，第二掺杂层320为N+多晶硅层，厚度为80nm-300nm，P浓度为2-10*E+20个/cm3。
在实施时，第一本征非晶硅层400和第二本征非晶硅层500均为本征非晶硅层，其厚度均为5nm-50nm。
在一些实施例中，P型单晶硅衬底100的正面和背面分别设置有正面钝化膜800和背面钝化膜900。
可选地，正面钝化膜和背面钝化膜采用氧化铝、氧化硅和氮化硅中至少一种，示例性地，例如正面钝化膜为氧化铝/氮化硅，氧化铝的厚度为5nm-10nm，氮化硅的厚度为70nm-80nm。在其他一些实施例中，例如背面钝化膜为氧化铝/氮化硅，或者氧化硅/氮化硅，氧化铝的厚度为5nm-10nm，氮化硅的厚度为80nm-150nm，氧化硅的厚度为10nm-30nm。
可选地，第一电极600和第二电极700可以采用金属材质，示例性地，例如第一电极600为金属Ag(银)，第二电极700位金属Al(铝)，其中，金属Ag电极和背面的N+多晶硅层电接触，金属Al电极和P型单晶硅衬底100的背面电接触。
在实施时，本实施例提供的P型背接触电池结构的制备流程如下：
步骤1、将P型单晶硅衬底100双面碱抛光，反射率控制为38％-50％，金字塔塔基的四边形边长为5微米-15微米；原始硅片先在H2O2/KOH(过氧化氢/氢氧化钾)混合药液中进行预清洗，去除表面的脏污，时间100s-300s，温度60℃-65℃；然后水槽清洗60s-120s，再进入KOH药液中进行碱抛光，时间250s-400s，温度60℃-70℃，KOH浓度1％-2％；然后进入然后水槽清洗60s-120s；再进入HF/HCl(氟化氢/氯化氢)中去除表面杂质和金属离子；然后水洗和烘干；
步骤2：第二隧穿层310和P掺杂非晶硅(第二掺杂层320)沉积，第二隧穿层310和P掺杂非晶硅沉积在一台设备中完成，采用LPCVD(Low Pressure Chemical VaporDeposition，低压力化学气相沉积法)的方式；第二隧穿层310为氧化硅，P掺杂非晶硅为80nm-300nm；
步骤3：POCl3(三氯氧磷)扩散，可采用双面扩散的模式；扩散温度830℃-860℃，扩散后非晶硅被晶化为N+多晶硅，多晶硅表面形成一层30nm-50nm的磷硅玻璃层PSG(PhosphoSilicate Glass，硼磷硅玻璃)，多晶硅表面的P原子含量为2-10*1020个/cm3；正背面均有PSG；
步骤4：激光消融，采用纳秒或者皮秒激光设备，将背面进行图形化激光刻蚀，将设计为P(对应正极区)的区域的PSG和N+多晶硅去除，露出P型单晶硅衬底100；
步骤5：正背面PSG去除/正面制绒，背面去激光损伤层；采用链式和槽式二合一湿法设备，将硅片先置于链式HF槽中，采用水上漂的方式，硅片正面朝下，硅片背面朝上并喷水膜，将硅片正面的PSG去除干净；水洗去除酸残留；然后采用一个传动装置将链式槽过来的硅片置于转入花篮中；将花篮转入槽式湿法设备进行制绒，制绒采用0.5％-1％的KOH(氢氧化钾)，温度70℃-75℃，制绒时间350s-500s，在硅片正面形成绒面，反射率为8％-11％，金字塔塔基边长为2微米-3微米；在硅片背面的激光消融槽同样形成同样的绒面，并将激光损伤层去除，消融激光槽的深度为4微米-8微米；然后进入水槽清洗；然后进入HF/HCl槽去除背面的PSG；水洗后烘干；
步骤6：正面局部沉积隧穿层(第一隧穿层210)和前P掺杂非晶硅层(第一掺杂层220)，采用板式PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)或者PECVD(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)方式，沉积的时候在硅片正面放置一个图形化的掩膜，该掩膜可以使得正面只能图形化沉积隧穿层和前P掺杂非晶硅层；前P掺杂非晶硅层和隧穿层厚度为20nm-80nm和1nm-2nm，隧穿层为氧化硅；板式PVD或者PECVD方式沉积无绕镀问题；
步骤7：采用高温退火炉进行退火，退火温度700℃-850℃，气氛为氮气或氩气，退火时间40min-80min，退火后P掺杂非晶硅变成后N+多晶硅层，表面P浓度为2-10*E+20个/cm3；N+多晶硅层其占硅片正面面积的比例为5％-20％，其分布程均匀的矩形或者圆形分布；
步骤8：背面沉积本征非晶硅层；采用板式PVD或者PECVD方式，无绕镀问题；本征非晶硅层厚度为5nm-50nm；
步骤9：采用ALD(Atomic layer deposition，原子层沉积)方式在硅片正背面同步沉积氧化铝层；氧化铝层厚度为5nm-10nm；
步骤10：正背面沉积氮化硅层；正面氮化硅厚度为70nm-80nm，背面氮化硅厚度为80nm-150nm；背面也可以沉积氧化硅/氮化硅叠层，氮化硅厚度为80nm-150nm，氧化硅为10nm-30nm；
步骤11：背面P区激光开槽；在P区使用纳秒或皮秒激光进行局部开槽，将局部的后钝化膜/本征非晶硅去除，露出P型硅(P型单晶硅衬底100)；开槽的激光光斑宽度为25微米-35微米；
步骤12：背面丝网印刷金属浆料；P区采用Al浆料，N(对应负极区)区采用Ag浆的方式进行丝网印刷，然后进行高温烧结；Ag浆腐蚀性较强，可以使得金属Ag电极和后N+多晶硅层(第二掺杂层320)直接接触；金属Al电极通过激光开槽孔和P型硅衬底直接接触。
正面采用局部隧穿层/N+多晶硅层形成的POLY结构加强前表面钝化，利用POLY结构优异的钝化性能；局部的POLY层能尽量降低正面POLY对光的寄生吸收，这样使得正面在钝化和寄生吸收上做一个较好的平衡，有利于转换效率的提升；背表面在POLY层上重新镀一层本征非晶硅层，本征非晶硅层中含有H，在高温烧结过程中H注入硅片背面，能提高其钝化性能；由于N区有POLY存在，这个钝化效果主要是对于P区而言；两者结合，可以大大提升P型背接触太阳能电池的正背表面钝化效果，从而提升电池的转换效率。
实施例三
在一些可选实施例中，如图3所示，本申请还提供一种P型背接触电池结构的制作方法，用于制作如上述的P型背接触电池结构，方法包括：
S1100、制作P型单晶硅衬底；
在实施时，本申请选用P型单晶硅片作为P型单晶硅衬底，硅片电阻率为0.8Ω.cm-3.0Ω.cm，厚度140μm-180μm，少子寿命800us-3000us，氧含量＜12ppm，掺Ga(镓)。
可选地，制作P型单晶硅衬底要先将P型单晶硅衬底双面碱抛光，反射率控制为38％-50％，金字塔塔基的四边形边长为5微米-15微米；将原始硅片先在H2O2/KOH(过氧化氢/氢氧化钾)混合药液中进行预清洗，去除表面的脏污，时间100s-300s，温度60℃-65℃。然后将硅片放置到水槽清洗60s-120s，再进入KOH药液中进行碱抛光，时间250s-400s，温度60℃-70℃，KOH浓度1％-2％；然后进入然后水槽清洗60s-120s；再进入HF/HCl(氟化氢/氯化氢)中去除表面杂质和金属离子；然后水洗和烘干；
S1200、在P型单晶硅衬底正面的局部掺杂区上和背面的第一掺杂区上分别沉积第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层；
可选地，P型单晶硅衬底的正面具有局部掺杂区，P型单晶硅衬底的背面具有第一掺杂区和第二掺杂区，先在局部掺杂区和第一掺杂区上分别沉积第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层。
在一些实施例中，第二隧穿氧化层包括设置于第一掺杂区上的第二隧穿层，以及设置于第二隧穿层上的第二掺杂层。
可选地，第二隧穿层和P掺杂非晶硅(第二掺杂层)沉积于第一掺杂区上，其中，第二隧穿层和P掺杂非晶硅沉积在一台设备中采用LPCVD的方式完成。
在一些实施例中，第二隧穿层310为氧化硅，P掺杂非晶硅为80nm-300nm。
然后通过POCl3(三氯氧磷)扩散，在实施时，可采用双面扩散的模式。扩散温度830℃-860℃，扩散后非晶硅(第二掺杂层)被晶化为N+多晶硅，多晶硅表面形成一层30nm-50nm的磷硅玻璃层PSG(Phospho Silicate Glass，硼磷硅玻璃)，多晶硅表面的P原子含量为2-10*1020个/cm3；正背面均有PSG。
在一些实施例中，由于第二隧穿层和P掺杂非晶硅沉积覆盖了P型单晶硅衬底的背面，还需要对应去除第二掺杂区上的第二隧穿层和P掺杂非晶硅沉积。在实施时，可以通过激光消融方式去除第二掺杂区上的第二隧穿层和P掺杂非晶硅沉积。例如采用纳秒或者皮秒激光设备，将背面进行图形化激光刻蚀，将设计为P(对应第二掺杂区)的区域的PSG和N+多晶硅去除，露出P型单晶硅衬底；
在一些可能的实施例中，还可以对正背面PSG去除/正面制绒，背面去激光损伤层；采用链式和槽式二合一湿法设备，将硅片先置于链式HF槽中，采用水上漂的方式，硅片正面朝下，硅片背面朝上并喷水膜，将硅片正面的PSG去除干净；水洗去除酸残留；然后采用一个传动装置将链式槽过来的硅片置于转入花篮中；将花篮转入槽式湿法设备进行制绒，制绒采用0.5％-1％的KOH(氢氧化钾)，温度70℃-75℃，制绒时间350s-500s，在硅片正面形成绒面，反射率为8％-11％，金字塔塔基边长为2微米-3微米；在硅片背面的激光消融槽同样形成同样的绒面，并将激光损伤层去除，消融激光槽的深度为4微米-8微米；然后进入水槽清洗；然后进入HF/HCl槽去除背面的PSG；水洗后烘干。
可选地，在P型单晶硅衬底背面的第一掺杂区沉积了第二隧穿氧化层后，还需要在第二隧穿氧化层正面的局部掺杂区沉积第一隧穿氧化层。
在一些实施例中，第一隧穿氧化层为P型单晶硅衬底的正面上的局部POLY结构，能加强P型单晶硅衬底的正面的钝化效果。
可选地，第一隧穿氧化层包括设置于局部掺杂区上的第一隧穿层，以及设置于第一隧穿层上的第一掺杂层。
在实施时，可以在局部掺杂区沉积第一隧穿层和前P掺杂非晶硅层(对应第一掺杂层)，例如采用板式PVD或者PECVD方式，板式PVD或者PECVD方式沉积无绕镀问题。
可选地，沉积的时候在硅片正面放置一个图形化的掩膜，该掩膜可以使得正面只能图形化沉积隧穿层和前P掺杂非晶硅层，即只在正面的局部区域上沉积第一隧穿层和第一掺杂层。
可选地前P掺杂非晶硅层和隧穿层厚度为20nm-80nm和1nm-2nm，隧穿层为氧化硅。
在沉积前P掺杂非晶硅层之后，采用高温退火炉进行退火，退火温度700℃-850℃，气氛为氮气或氩气，退火时间40min-80min，退火后P掺杂非晶硅变成后N+多晶硅层，表面P浓度为2-10*E+20个/cm3，即得到第一掺杂层。
可选地，第一掺杂层占P型单晶硅衬底正面面积的比例为5％-20％，其分布程均匀的矩形或者圆形分布，在此不做限定。
S1300、在P型单晶硅衬底背面沉积本征非晶硅层，其中，本征非晶硅层包括沉积于第二隧穿氧化层上的第一本征非晶硅层和沉积于第二掺杂区上的第二本征非晶硅层；
在实施时，第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层均为本征非晶硅层，在P型单晶硅衬底背面沉积本征非晶硅层可以采用板式PVD或者PECVD方式，无绕镀问题。
可选地，在一些实施例中，本征非晶硅层厚度为5nm-50nm。
S1400、在第一本征非晶硅层上设置与第二隧穿氧化层电接触的第一电极；
S1500、在第二本征非晶硅层上设置与P型单晶硅衬底的背面电接触第二电极。
在沉积了本征非晶硅层后，向在P型单晶硅衬底背面的第二掺杂区上的本征非晶硅层激光开槽。例如在第二掺杂区上使用纳秒或皮秒激光进行局部开槽，将局部的第二本征非晶硅层去除，露出P型单晶硅衬底。
可选地，开槽的激光光斑宽度为25微米-35微米，在此不做限定。
在P型单晶硅衬底的背面进行丝网印刷金属浆料。例如在第二掺杂区采用Al浆料，对应第一掺杂区采用Ag浆的方式进行丝网印刷，然后进行高温烧结。Ag浆腐蚀性较强，可以使得金属Ag电极和后N+多晶硅层(第二掺杂层)直接接触；金属Al电极通过激光开槽孔和P型单晶硅衬底直接接触。
本申请实施例通过在P型单晶硅衬底的正面设置第一隧穿氧化层，第一隧穿氧化层为局部POLY结构加强正面钝化，降低了POLY对光的寄生吸收，另外在P型单晶硅衬底的背面上设置一层本征非晶硅层，可以提升背面的钝化效果。通过提升正面钝化效果并结合背面钝化效果提升，能有效提升P型背接触电池的转换效率。
在一些实施例中，如图4所示，在步骤S1300之后，本申请提供的制作方法还包括：
S1310、在P型单晶硅衬底的正面和背面分别沉积正面钝化膜和背面钝化膜。
可选地，正面钝化膜可以采用氧化铝/氮化硅，其中，氧化铝的厚度为5nm-10nm，氮化硅的厚度为70nm-80nm，在此不做限定。
可选地，背面钝化膜可以为氧化铝/氮化硅，或者氧化硅/氮化硅，其中，氧化铝的厚度为5nm-10nm，氮化硅的厚度为80nm-150nm，氧化硅的厚度为10nm-30nm，在此不做限定。
在一些实施例中，可以采用ALD方式在硅片正背面同步沉积氧化铝层，然后在硅片正背面沉积氮化硅层，在此不做限定。
实施例四
本申请还提供一种太阳能电池，太阳能电池包括如上述的P型背接触电池结构。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和间接，上述描述的太阳能电池的结构和实现原理，可以参考前述实施例一至二中的对应结构和实现原理，在此不再赘述。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种P型背接触电池结构，其特征在于，包括：
P型单晶硅衬底，所述P型单晶硅衬底的正面具有局部掺杂区，背面具有第一掺杂区和第二掺杂区；
设置于所述局部掺杂区上的第一隧穿氧化层；
依次设置于所述第一掺杂区上的第二隧穿氧化层和第一本征非晶硅层；
设置于所述第二掺杂区上的第二本征非晶硅层；
穿过所述第一本征非晶硅层并与所述第二隧穿氧化层电接触第一电极；以及
穿过所述第二本征非晶硅层并与所述P型单晶硅衬底的背面电接触第二电极。
2.如权利要求1所述的P型背接触电池结构，其特征在于，所述第一隧穿氧化层包括依次设置于所述局部掺杂区上的第一隧穿层和第一掺杂层。
3.如权利要求2所述的P型背接触电池结构，其特征在于，所述第一掺杂层为N+多晶硅层。
4.如权利要求1所述的P型背接触电池结构，其特征在于，所述第二隧穿氧化层包括依次设置于所述第一掺杂区上的第二隧穿层和第二掺杂层。
5.如权利要求4所述的P型背接触电池结构，其特征在于，所述第二掺杂层为N+多晶硅层。
6.如权利要求1所述的P型背接触电池结构，其特征在于，所述P型单晶硅衬底的正面和背面分别设置有正面钝化膜和背面钝化膜。
7.如权利要求6所述的P型背接触电池结构，其特征在于，所述正面钝化膜和背面钝化膜采用氧化铝、氧化硅和氮化硅中至少一种。
8.一种如权利要求1至7中任意一项所述的P型背接触电池结构的制作方法，其特征在于，包括：
制作P型单晶硅衬底；
在所述P型单晶硅衬底正面的局部掺杂区上和背面的第一掺杂区上分别沉积第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层；
在所述P型单晶硅衬底背面沉积本征非晶硅层，其中，所述本征非晶硅层包括沉积于所述第二隧穿氧化层上的第一本征非晶硅层和沉积于所述第二掺杂区上的第二本征非晶硅层；
在所述第一本征非晶硅层上设置与第二隧穿氧化层电接触的第一电极；
在所述第二本征非晶硅层上设置与所述P型单晶硅衬底的背面电接触第二电极。
9.一种如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述P型单晶硅衬底背面沉积本征非晶硅层的步骤之后，所述方法还包括：
在所述P型单晶硅衬底的正面和背面分别沉积正面钝化膜和背面钝化膜。
10.一种太阳能电池，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的P型背接触电池结构。
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