FR2990561A1 - Procede de fabrication de dispositif semi-conducteur et dispositif semi-conducteur; - Google Patents
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Abstract
Il est créé un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui comporte, selon l'ordre suivant : une première étape de préparation d'un élément semi-conducteur qui comporte une partie d'exposition de jonction pn ; une deuxième étape de formation d'une couche d'isolation de telle sorte que la couche d'isolation recouvre la partie d'exposition de jonction pn ; et une troisième étape de formation d'une couche de verre sur la couche d'isolation dans laquelle une couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est formée sur la couche d'isolation et, ensuite, la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est cuite. La composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice composée de fines particules de verre préparées à partir d'un matériau à l'état fondu qui est obtenu en faisant fondre un matériau de base qui contient au moins du SiO , de l'Al O , du B O , du ZnO, et au moins deux oxydes de métaux alcalino-terreux sélectionnés à partir d'un groupe constitué par le CaO, le MgO et le BaO, et ne contient sensiblement pas de Pb, d'As, de Sb, de Li, de Na et de K, et la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice ne contient aucun des composants qui constituent le matériau de base sous la forme d'une charge. Avec l'utilisation du matériau à base de verre qui ne contient pas de plomb, il est possible de produire un dispositif semi-conducteur présentant la même résistance au claquage que les dispositifs semi-conducteurs classiques.
Description
PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et à un dispositif semi-conducteur. Dans la technique antérieure, il est connu un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur dans lequel une couche de verre de passivation est formée de telle sorte que la couche de verre recouvre une partie d'exposition de jonction pn dans une opération de fabrication d'un dispositif semi-conducteur mesa (voir, par exemple, le document de brevet 1, JP-A-2004-87955. Les figures 12(a) à 12(d) et les figures 13(a) à 13(d) sont des vues destinées à expliquer un tel procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur classique. Les figures 12(a) à 12(d) et les figures 13(a) à 13(d) sont des vues montrant les étapes respectives. Le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur classique comporte, comme cela est montré sur la figure 12 et la figure 13, "l'étape de formation de corps de base semi-conducteur", "l'étape de formation de tranchée", "l'étape de formation de couche de verre", "l'étape de formation de couche d'agent photorésistant", "l'étape d'élimination de film d'oxyde", "l'étape de formation de zone de surface rugueuse", "l'étape de formation d'électrode", et "l'étape de découpe du corps de base semi-conducteur" suivant cet ordre. Ci-après, le procédé classique de fabrication d'un dispositif semi-conducteur est expliqué dans l'ordre des étapes. r y 2990561 -2 (a) Etape de formation de corps de base semi-conducteur En premier, une couche de diffusion de type p+ 912 est formée par diffusion d'une impureté de type p à partir d'une surface d'un substrat semi-conducteur de type n- (substrat de silicium de type n--) 910, et une couche de diffusion de type 5 n+ 914 est formée par diffusion d'une impureté de type n à partir de l'autre surface du substrat semi-conducteur de type n- 910, formant ainsi un corps de base semi-conducteur dans lequel une jonction pn agencée parallèlement à une surface principale du corps de base semi-conducteur est formée. Ensuite, des films d'oxyde 916, 918 sont formés par oxydation thermique sur une surface de la 10 couche de diffusion de type p+ 912 et respectivement une surface de la couche de diffusion de type n+ 914 (voir figure 12(a)). (b) Etape de formation de tranchée Ensuite, une partie ouverte prédéterminée est formée sur le film d'oxyde 916 à un emplacement prédéterminé par photo-gravure. Après gravure du film 15 d'oxyde, le corps de base semi-conducteur est alors gravé, formant ainsi une tranchée 920 présentant une profondeur excédant la jonction pn à partir d'une surface du corps de base semi-conducteur (voir figure 12(b)). (c) Etape de formation de la couche de verre Ensuite, une couche d'une composition à base de verre destinée à protéger 20 une jonction semi-conductrice est formée sur une surface interne de la tranchée 920 et une surface du corps de base semi-conducteur à proximité de la tranchée 920 par un procédé d'électrophorèse, et la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est cuite de telle sorte qu'une couche de verre 924 afin d'assurer la passivation est formée sur une surface de la tranchée 920 (voir figure 12(c)). (d) Etape de formation de couche d'agent photorésistant Ensuite, une couche d'agent photorésistant 926 est formée de telle sorte que l'agent photorésistant 926 recouvre une surface de la couche de verre 924 (voir figure 12(d)). (e) Etape d'élimination de film d'oxyde Ensuite, le film d'oxyde 916 est attaqué en utilisant l'agent photorésistant -3 926 comme un masque de telle sorte que le film d'oxyde 916, au niveau d'une partie 930 sur laquelle un film d'électrode par métallisation de Ni doit être formé, est éliminé (voir figure 13(a)). (f) Etape de formation de zone de surface rugueuse Ensuite, une surface du corps de base semi-conducteur au niveau de la partie 930 sur laquelle un film d'électrode par métallisation de Ni doit être formé est soumise à un traitement destiné à rendre la surface rugueuse, formant ainsi une zone de surface rugueuse 932 de manière à améliorer l'adhérence entre une électrode par métallisation de Ni et le corps de base semi-conducteur (voir figure 13(b)). (g) Etape de formation d'électrode Ensuite, un dépôt de Ni est appliqué sur le corps de base semi-conducteur formant ainsi une électrode d'anode 934 sur la zone de surface rugueuse 932 et formant une électrode de cathode 936 sur l'autre surface du corps de base semi-conducteur (voir figure 13(c)). Le recuit de l'électrode d'anode 934 et de l'électrode de cathode 936 est, par exemple, réalisé à une température de 600 degrés sous une atmosphère d'azote. (h) Etape de découpe du corps de base semi-conducteur Ensuite, le corps de base semi-conducteur est découpé par tranchage ou analogue au niveau d'une partie centrale de la couche de verre 924, divisant ainsi le corps de base semi-conducteur en pluralité de plaquettes de telle sorte que des dispositifs semi-conducteurs mesa (diodes pn) sont fabriqués (voir figure 13(d)). Comme cela a été expliqué jusqu'ici, le procédé classique de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comporte l'étape de formation de tranchée 920 25 excédant la jonction pn sur une surface du corps de base semi-conducteur sur laquelle la jonction pn agencée parallèlement à la surface principale est formée (voir les figures 12(a) et 12(b)), et l'étape de formation de couche de verre 924 afin d'assurer la passivation à l'intérieur de la tranchée 920 de telle sorte que la couche de verre 924 recouvre une partie d'exposition de jonction pn (voir figure 30 12(c)). Par conséquent, dans le procédé classique de fabrication d'un dispositif semi-conducteur, en coupant le corps de base semi-conducteur après formation de - la couche de verre 924 afin d'assurer la passivation à l'intérieur de la tranchée 920, des dispositifs semi-conducteurs mesa présentant une résistance au claquage élevée (tension de claquage) peuvent être fabriqués. Parmi les documents de technique antérieure, on peut citer le document de brevet 1, le brevet JP-A-2004-87955. Le résumé de l'invention est ensuite proposé en commençant par les problèmes à résoudre par l'invention. Il est requis qu'un matériau à base de verre qui est utilisé afin de former une couche de verre destinée à assurer la passivation remplisse l'ensemble des conditions de (a) à (d) suivantes, c'est-à-dire, la condition (a) que le matériau à base de verre peut être cuit à une température appropriée, la condition (b) que le matériau à base de verre peut résister aux agents chimiques utilisés au cours des différentes étapes, la condition (c) que le matériau à base de verre présente un coefficient de dilatation linéaire proche d'un coefficient de dilatation linéaire du silicium (en particulier, un coefficient de dilatation linéaire moyen à une température de 50°C à 550°C qui est proche d'un coefficient de dilatation linéaire du silicium à une température de 50°C à 550°C) afin d'empêcher le gauchissement d'une pastille au cours des différentes étapes, et la condition (d) que le matériau à base de verre présente d'excellentes propriétés d'isolation. En raison de ce qui précède, il a, de manière classique, été largement utilisé "un matériau à base de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal". Toutefois, "le matériau à base de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal" contient du plomb qui impose une charge importante sur l'environnement et, par conséquent, il est supposé que l'utilisation "du matériau à base de verre au silicate contenant du plomb en tant que composant principal" sera interdite dans un futur proche. En raison des circonstances précédentes, la formation d'une couche de verre afin d'assurer la passivation en utilisant un matériau à base de verre ne contenant pas de plomb est considérée. Toutefois, il est difficile pour un tel matériau à base de verre ne contenant pas de plomb de satisfaire toutes les conditions (a) à (d) suivantes, c'est-à-dire, la condition (a) que le matériau à base de verre peut être cuit à une température appropriée, la condition (b) que le matériau à base de verre peut résister aux agents chimiques utilisés au cours des différentes étapes, la condition (c) que le matériau à base de verre présente un coefficient de dilatation linéaire proche d'un coefficient de dilatation linéaire du silicium (en particulier, un coefficient de dilatation linéaire moyen à une température de 50°C à 550°C qui est proche d'un coefficient de dilatation linéaire du silicium à une température de 50°C à 550°C) afin d'empêcher le gauchissement d'une pastille au cours des différentes étapes, et la condition (d) que le matériau à base de verre présente d'excellentes propriétés d'isolation. Par conséquent, les réalités sont que la formation d'une couche de verre destinée à assurer la passivation en utilisant un matériau à base de verre ne contenant pas de plomb n'a pas encore été appliquée à un processus de production en série de dispositifs semi-conducteurs de puissance. En outre, selon les études réalisées par les inventeurs de la présente invention, il est mis en évidence que dans le cas dans lequel une couche de verre destinée à assurer la passivation est formée en utilisant un matériau à base de verre ne contenant pas de plomb, en fonction de la composition de la couche de verre et des conditions de cuisson de la couche de verre, il se produit un inconvénient en ce que des bulles sont susceptibles d'être générées à partir d'une surface de séparation entre un corps de base semi-conducteur et la couche de verre dans l'étape de formation de couche de verre par cuisson de la couche d'une composition à base de verre. Afin de surmonter un tel inconvénient, il est nécessaire d'ajouter un composant présentant une action anti-émulsion (par exemple, de l'oxyde de nickel, de l'oxyde de zirconium ou analogue) à la composition à base de verre. Toutefois, il peut se produire un cas dans lequel un tel composant ne peut pas être ajouté à la composition à base de verre en fonction du mélange de composants dans la composition à base de verre. Par conséquent, l'ajout du composant présentant une action anti-émulsion n'est pas désirable. En outre, selon les études réalisées par les inventeurs de la présente invention, il est mis en évidence que, dans le cas dans lequel une couche de verre destinée à assurer la passivation est formée en utilisant un matériau à base de verre ne contenant pas de plomb, en fonction de la composition de la couche à - 6 - base de verre et des conditions de cuisson de la couche de verre (composition du verre : composition contenant une grande quantité de Si02, conditions de cuisson : mise en oeuvre sur une courte durée), il se produit un inconvénient en ce qu'un courant de fuite en sens inverse augmente. C'est-à-dire, qu'il a été découvert qu'un courant de fuite en sens inverse augmente sauf si la cuisson est mise en oeuvre sur une longue durée (par exemple, de trois heures). La présente invention a été faite sous les circonstances mentionnées précédemment, et c'est un objectif de la présente invention que de créer un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui permet de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant une résistance de claquage élevée en utilisant un matériau à base de verre ne contenant pas de plomb de la même manière que dans un cas classique dans lequel "un matériau à base de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal" est utilisé, et un tel dispositif à semi-conducteur.
C'est un autre objectif de la présente invention que de créer un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur dans lequel il est possible de supprimer la génération de bulles qui peuvent être produites à partir d'une surface de séparation entre un corps de base semi-conducteur et une couche de verre dans l'étape de formation de couche de verre par cuisson d'une couche réalisée en une composition à base de verre indépendamment de la composition de la couche de verre et des conditions de cuisson de la couche de verre sans ajouter de composant présentant une action anti-émulsion tel que l'oxyde de nickel ou avec ajout d'une faible quantité (par exemple, inférieure ou égale à 2,0 mol%) d'un tel composant présentant une action anti-émulsion, dans le cas où le composant est ajouté, et un tel dispositif semi-conducteur. C'est encore un autre objectif de la présente invention que de créer un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui permet d'assurer la fabrication d'un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse d'une manière stable indépendamment de la composition d'une couche de verre et des conditions de cuisson de la couche de verre, et un tel dispositif semi-conducteur. -7 Les moyens permettant de résoudre la tâche sont ensuite décrits. [1] La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant, selon l'ordre suivant : une première étape de préparation d'un élément semi-conducteur qui comporte une partie d'exposition de jonction pn dans laquelle une jonction pn est exposée ; une deuxième étape de formation d'une couche d'isolation de telle sorte que la couche d'isolation recouvre la partie d'exposition de jonction pn ; et une troisième étape de formation d'une couche de verre sur la couche d'isolation dans laquelle une couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est formée sur la couche d'isolation et, ensuite, la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est cuite, dans lequel la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice qui est composée de fines particules de verre préparées à partir d'un matériau à l'état fondu qui est obtenu en faisant fondre un matériau de base qui contient au moins du Si02, de 1'A1203, du B203, du ZnO, et au moins deux oxydes de métaux alcalino-terreux sélectionnés à partir d'un groupe constitué par le CaO, le MgO et le BaO, et ne contient sensiblement pas de Pb, d'As, de Sb, de Li, de Na et de K, et la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice ne contient aucun des composants qui constituent le matériau de base sous la forme d'une charge. [2] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que, dans la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice, la teneur en Si02 soit comprise dans une plage de 41,1 mol% à 61,1 mol%, la teneur en A1203 soit comprise dans une plage de 7,4 mol% à 17,4 mol%, la teneur en B203 soit comprise dans une plage de 5,8 mol% à 15,8 mol%, la teneur en ZnO soit comprise dans une plage de 3,0 mol% à 24,8 mol%, et la teneur en oxyde d'un métal alcalino-terreux soit comprise dans une plage de 5,5 mol% à 15,5 mol%. [3] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la - 8 - présente invention, il est préférable que, dans la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice, la teneur en Si02 soit comprise dans une plage de 49,5 mol% à 64,3 mol%, la teneur en B203 soit comprise dans une plage de 8,4 mol% à 17,9 mol%, la teneur en A1203 soit comprise dans une plage de 3,7 mol% à 14,8 mol%, la teneur en ZnO soit comprise dans une plage de 3,9 mol% à 14,2 mol%, et la teneur en oxyde d'un métal alcalino-terreux soit comprise dans une plage de 7,4 mol% à 12,9 mol%. [4] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la composition à base de verre destinée à 10 protéger une jonction semi-conductrice ne contienne sensiblement aucun élément multivalent tel qu'un agent anti-émulsion. [5] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable qu'aucun élément parmi V, Mn, Sn, Ce, Nb et Ta ne soit contenu dans la composition à base de verre destinée à protéger une 15 jonction semi-conductrice en tant qu'élément multivalent. [6] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que le matériau de base ne contienne sensiblement pas de P. [7] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la 20 présente invention, il est préférable que le matériau de base ne contienne sensiblement pas de Bi. [8] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice ne contienne sensiblement pas de liant 25 organique. [9] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice soit cuite à une température inférieure ou égale à 900°C au cours de la troisième étape. 30 [10] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la couche d'isolation soit à base d'oxyde de silicium. [11] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la couche d'isolation soit formée avec une 5 épaisseur qui est comprise dans une plage de 5 nm à 100 nm au cours de la deuxième étape. [12] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la couche d'une composition à base de verre soit formée par un procédé d'électrophorèse au cours de la troisième étape. 10 [13] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la couche d'isolation soit formée avec une épaisseur qui est comprise dans une plage de 5 nm à 60 nm au cours de la deuxième étape. [14] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la 15 présente invention, il est préférable que la première étape comprenne : une étape de préparation d'un corps de base semi-conducteur comportant une jonction pn agencée parallèlement à une surface principale du corps de base semi-conducteur ; et une étape de formation d'une tranchée présentant une profondeur qui dépasse la jonction pn à partir d'une surface du corps de base semi-conducteur formant ainsi 20 la partie d'exposition de jonction pn sur une surface interne de la tranchée, la deuxième étape comporte une étape de formation de couche d'isolation sur la surface interne de la tranchée de telle sorte que la couche d'isolation recouvre la partie d'exposition de jonction pn, et la troisième étape comporte une étape de formation de la couche de verre sur la couche d'isolation. 25 [15] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la couche d'isolation soit formée par un procédé d'oxydation thermique au cours de la deuxième étape. [16] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la couche d'isolation soit formée par un 30 procédé de dépôt au cours de la deuxième étape. [17] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la - 10 - présente invention, il est préférable que la première étape comporte une étape de formation de la partie d'exposition de jonction pn sur une surface d'un corps de base semi-conducteur, la deuxième étape comporte une étape de formation de couche d'isolation sur la surface du corps de base semi-conducteur de telle sorte que la couche d'isolation recouvre la partie d'exposition de jonction pn, et la troisième étape comporte une étape de formation de la couche de verre sur la couche d'isolation. [18] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la couche d'isolation soit formée par un 10 procédé d'oxydation thermique au cours de la deuxième étape. [19] Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est préférable que la couche d'isolation soit formée par un procédé de dépôt au cours de la deuxième étape. [20] La présente invention se rapporte aussi à un dispositif semi-conducteur 15 comportant : un élément semi-conducteur qui comporte une partie d'exposition de jonction pn dans laquelle une jonction pn est exposée ; une couche d'isolation qui est formée de telle sorte que la couche d'isolation recouvre la partie d'exposition de jonction pn ; et une couche de verre qui est formée sur la couche d'isolation, la couche de verre étant formée de telle sorte qu'une couche d'une composition à 20 base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est formée sur la couche d'isolation et, ensuite, la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est cuite, dans lequel la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice 25 qui est composée de fines particules de verre préparées à partir d'un matériau à l'état fondu qui est obtenu en faisant fondre un matériau de base qui contient au moins du Si02, de PA1203, du B203, du ZnO, et au moins deux oxydes de métaux alcalino-terreux sélectionnés à partir d'un groupe constitué par le CaO, le MgO et le BaO, et ne contient sensiblement pas de Pb, d'As, de Sb, de Li, de Na et 30 de K, et la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice ne contient aucun des composants qui constituent le matériau de base sous la forme d'une charge. L'avantage de l'invention, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon la présente invention, comme on pourra clairement le découvrir à partir des exemples décrits ultérieurement, il devient possible de créer un dispositif semi-conducteur présentant une résistance de claquage élevée en utilisant un matériau à base de verre ne contenant pas de plomb de la même manière que dans le cas classique dans lequel "un matériau à base de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal" est utilisé.
C'est-à-dire, que le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon la présente invention peut satisfaire l'ensemble des conditions (a) à (d) suivantes, c'est-à-dire, la condition (a) que le matériau à base de verre peut être cuit à une température appropriée, la condition (b) que le matériau à base de verre peut résister aux agents chimiques utilisés dans les étapes, la condition (c) que le matériau à base de verre présente un coefficient de dilatation linéaire proche d'un coefficient de dilatation linéaire du silicium (en particulier, un coefficient de dilatation linéaire moyen à une température de 50°C à 550°C qui est proche d'un coefficient de dilatation linéaire du silicium à une température de 50°C à 550°C) afin d'empêcher le gauchissement d'une pastille au cours des différentes étapes, et la condition (d) que le matériau à base de verre présente d'excellentes propriétés d'isolation. Selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon la présente invention, la couche d'isolation présentant une mouillabilité supérieure à celle du corps de base semi-conducteur est interposée entre le corps de base semi-conducteur et la couche de verre et, par conséquent, il est possible de rendre difficile la génération de bulles à partir d'une surface de séparation entre le corps de base semi-conducteur et la couche de verre dans l'étape de formation de couche de verre par cuisson de la couche d'une composition à base de verre. Par conséquent, il est possible de supprimer la génération de bulles sans ajouter de composant présentant une action anti-émulsion tel que l'oxyde de nickel ou avec l'ajout d'une faible quantité (par - 12 - exemple, inférieure ou égale à 2,0 mol%) d'un tel composant présentant une action anti-émulsion, dans le cas où le composant est ajouté. De plus, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon la présente invention, la couche d'isolation est interposée entre le corps de base semi-conducteur et la couche de verre et, par conséquent, la propriété d'isolation est améliorée de telle sorte que comme on pourra clairement le découvrir à partir des exemples décrits ultérieurement, il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse d'une manière stable indépendamment de la composition de la couche de verre et des conditions de cuisson de la couche de verre. C'est-à-dire, que même lorsque la teneur en Si02 est supérieure ou égale à 55 mol% ou même lorsqu'un temps de cuisson est réglé approximativement à 15 minutes, il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse d'une manière stable.
De plus, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon la présente invention, une couche de verre est formée en faisant cuire la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice qui est composée de fines particules de verre préparées à partir d'un matériau à l'état fondu qui est obtenu en faisant fondre un matériau de base qui contient au moins du Si02, de l'Al203, du B203, du ZnO, et au moins deux oxydes de métaux alcalino-terreux sélectionnés à partir d'un groupe constitué par le CaO, le MgO et le BaO, et ne contient sensiblement pas de Pb, d'As, de Sb, de Li, de Na et de K. Par conséquent, comme on peut aussi clairement le découvrir à partir des exemples décrits ultérieurement, la cuisson de la couche de verre peut être mise en oeuvre à une température relativement faible et, par conséquent, la cristallisation de la couche de verre se produit difficilement à l'étape de cuisson de la couche de verre. Aussi, du fait d'une telle particularité technique, il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse d'une manière stable.
En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon la présente invention, la couche de verre - 13 - est formée en faisant cuire la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice qui ne contient aucun des composants qui constituent le matériau de base sous la forme d'une charge. Par conséquent, la cristallisation de la couche de verre ne se produit que difficilement à l'étape de cuisson de la couche de verre. Aussi, du fait d'une telle particularité technique, il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse d'une manière stable. En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur comportant une couche de verre à base de verre sans plomb (verre ne contenant pas de Pb) qui présente une constante diélectrique inférieure à celle du verre contenant du plomb. Par conséquent, lorsqu'un dispositif semi-conducteur du type scellé dans de la résine est formé par moulage du dispositif semi-conducteur de la présente invention dans une résine, il n'y a aucune possibilité qu'un ion fortement concentré soit induit sur une interface entre la résine moulée et la couche de verre et une interface entre la couche de verre et la couche de semi-conducteur au cours de la mise en oeuvre d'un essai en polarisation inverse à haute température. En conséquence, le dispositif semi-conducteur de la présente invention peut acquérir un effet avantageux en ce que la résistance à une polarisation inverse à haute température est augmentée comparée à celle du dispositif semi-conducteur du type scellé dans la résine classique qui est formé par moulage d'un dispositif semi-conducteur obtenu en utilisant "un matériau à base de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal" avec une résine.
En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon la présente invention, la composition de verre qui ne contient sensiblement pas de Li, de Na et de K est utilisée et, par conséquent, comme on pourra clairement le découvrir à partir des exemples décrits ultérieurement (aspect d'évaluation 10), même lorsque la composition de verre contient du B (bore), il n'existe pas de possibilité que le B (bore) diffuse dans le silicium depuis la couche de verre au cours de la cuisson de la composition - 14 - de verre de telle sorte qu'un dispositif semi-conducteur très fiable peut être fabriqué. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon la présente invention, "contient au moins des 5 composants spécifiques (Si02, A1203, B203 et analogue)" signifie non seulement un cas dans lequel seuls les composants spécifiques sont contenus mais aussi un cas dans lequel des composants qui peuvent être contenus de manière classique dans la composition à base de verre sont, en outre, contenus en plus des composants spécifiques. 10 Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon la présente invention, "ne contient sensiblement aucun élément spécifique (Pb, As, Sb et analogue)" signifie "ne contient sensiblement aucun élément spécifique en tant que composants" et n'exclut pas la composition à base de verre dans laquelle les éléments spécifiques mentionnés 15 précédemment sont mélangés dans des matériaux de base pour les composants respectifs qui constituent le verre en tant qu'impureté. En outre, dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon la présente invention, "ne contient sensiblement aucun élément spécifique (Pb, As, Sb et similaire)" signifie "ne 20 contient sensiblement aucun oxyde des éléments spécifiques, aucun nitrure des éléments spécifiques et analogue". En outre, dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon la présente invention, "ne contient aucun composant qui constitue le matériau de base sous la forme d'une charge" signifie 25 que lorsque le composant est, par exemple, du Si02, le composant Si02 n'est pas contenu sous la forme d'un matériau d'enrobage, d'un matériau de garnissage, d'un matériau de charge, d'un matériau additif ou analogue formé de fines particules de Si02. Les dessins vont ensuite être décrits brièvement. 30 Les figures 1(a) à 1(d) sont des vues destinées à expliquer un procédé de - 15 - fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon un mode de réalisation 1. Les figures 2(a) à 2(d) sont des vues destinées à expliquer le procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur du mode de réalisation 1. Les figures 3(a) à 3(d) sont des vues destinées à expliquer un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon un mode de réalisation 2. Les figures 4(a) à 4(d) sont des vues destinées à expliquer le procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur du mode de réalisation 2. La figure 5 est un tableau montrant les conditions et les résultats des exemples.
Les figures 6(a) et 6(b) sont des vues destinées à expliquer la génération de bulles b à l'intérieur d'une couche de verre 124 lors d'une évaluation préliminaire. Les figures 7(a) et 7(b) sont des photographies destinées à expliquer la génération de bulles b à l'intérieur de la couche de verre 124 lors d'une évaluation ultérieure.
La figure 8 est une photographie sous microscopie électronique à transmission (TEM) montrant une coupe transversale d'une partie comprenant une séparation entre un corps de base semi-conducteur et une couche de verre. Les figures 9(a) et 9(b) sont des graphiques montrant un courant en sens inverse sur les exemples.
La figure 10 est un graphique montrant un résultat d'un essai de polarisation inverse à haute température. La figure 11 est un graphique montrant la distribution de la concentration en impuretés dans le sens de la profondeur à partir d'une surface d'un substrat de silicium.
Les figures 12(a) à 12(d) sont des vues destinées à expliquer un procédé classique de fabrication d'un dispositif semi-conducteur. Les figures 13(a) à 13(d) sont des vues destinées à expliquer le procédé classique de fabrication du dispositif semi-conducteur. Un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un dispositif semi-conducteur selon la présente invention sont expliqués ci-après, en relation avec des modes de réalisation montrés sur les dessins. - 16 - Selon le mode de réalisation 1, le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur est un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui comporte, selon l'ordre suivant : une première étape de préparation d'un élément semi-conducteur qui comporte une partie d'exposition de jonction pn dans laquelle une jonction pn est exposée ; une deuxième étape de formation d'une couche d'isolation de telle sorte que la couche d'isolation recouvre la partie d'exposition de jonction pn ; et une troisième étape de formation d'une couche de verre sur la couche d'isolation dans laquelle une couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est formée sur la couche d'isolation et, ensuite, la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est cuite. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, des diodes pn de type mesa sont fabriquées en tant que dispositifs semi-conducteurs. Les figures 1(a) à 1(d) et les figures 2(a) à 2(d) sont des vues destinées à expliquer un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1. Les figures 1(a) à 1(d) et les figures 2(a) à 2(d) sont des vues montrant les étapes respectives. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, comme cela est montré sur les figures 1(a) à 1(d) et les figures 2(a) à 2(d), "l'étape de préparation de corps de base semi-conducteur", "l'étape de formation de tranchée", "l'étape de formation de couche d'isolation", "l'étape de formation de couche de verre", "l'étape de formation de couche d'agent photorésistant", "l'étape d'élimination de film d'oxyde", "l'étape de formation de zone de surface rugueuse", "l'étape de formation d'électrode", et "l'étape de découpe du corps de base semi-conducteur" sont mises en oeuvre selon cet ordre. Ci-après, le procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur du mode de réalisation 1 est expliqué suivant l'ordre des étapes. (a) Etape de préparation de corps de base semi-conducteur En premier, une couche de diffusion de type p+ 112 est formée par diffusion d'une impureté de type p à partir d'une surface d'un substrat semi-conducteur de type n- (substrat de silicium de type n--) 110, et une couche de diffusion de type - 17 - n+ 114 est formée par diffusion d'une impureté de type n à partir de l'autre surface du substrat semi-conducteur de type n- 110 préparant ainsi un corps de base semi-conducteur dans lequel une jonction pn agencée parallèlement à une surface principale du corps de base semi-conducteur est formée. Après cela, des films d'oxyde 116, 118 sont formés par oxydation thermique respectivement sur une surface de la couche de diffusion de type p+ 112 et une surface de la couche de diffusion de type n+ 114 (voir figure 1(a)). (b) Etape de formation de tranchée Ensuite, une partie ouverte prédéterminée est formée sur le film d'oxyde 116 10 à un emplacement prédéterminé par un procédé de photo-gravure. Après gravure du film d'oxyde, le corps de base semi-conducteur est alors gravé, formant ainsi une tranchée 120 présentant une profondeur excédant la jonction pn à partir d'une surface du corps de base semi-conducteur (voir figure 1(b)). Ici, une partie A d'exposition de jonction pn est formée sur une surface interne de la tranchée. 15 (c) Etape de formation de couche d'isolation Ensuite, une couche d'isolation 121 formée d'un film d'oxyde de silicium est formée sur une surface interne de la tranchée 120 par un procédé d'oxydation thermique en utilisant de l'oxygène sec (02 Sec) (voir figure 1(c)). Une épaisseur de la couche d'isolation 121 est ajustée à une valeur qui est comprise dans une 20 plage de 5 nm à 60 nm (par exemple, égale à 20 nm). La couche d'isolation 121 est formée de telle sorte que le corps de base semi-conducteur est introduit dans un four de diffusion et, après cela, un traitement thermique d'oxydation est exécuté à une température de 900°C pendant 10 minutes tout en introduisant de l'oxygène gazeux dans le four de diffusion. Lorsque l'épaisseur de la couche 121 25 d'isolation est inférieure à 5 nm, il existe un risque de ne pouvoir obtenir un effet de réduction de courant en sens inverse. D'autre part, lorsque l'épaisseur de la couche d'isolation 121 excède 60 nm, il existe un risque de ne pouvoir former une couche d'une composition à base de verre par un procédé d'électrophorèse dans l'étape de formation de couche de verre suivante. 30 (d) Etape de formation de la couche de verre Ensuite, une couche d'une composition à base de verre destinée à protéger - 18 - une jonction semi-conductrice est formée sur une surface interne de la tranchée 120 et une surface du corps de base semi-conducteur à proximité de la tranchée 120 par un procédé d'électrophorèse, et la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est cuite de telle sorte qu'une couche de verre 124 de passivation est formée (voir figure 1(d)). Une température de cuisson est, par exemple, réglée à 900°C. Ici, en formant la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice sur la surface interne de la tranchée 120, la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est 10 formée de manière à recouvrir la surface interne de la tranchée 120 au moyen de la couche d'isolation 121. En conséquence, la partie A d'exposition de jonction pn dans la tranchée 120 est recouverte par la couche de verre 124 au moyen de la couche d'isolation 121. Pour la composition à base de verre destinée à protéger une jonction 15 semi-conductrice, il est utilisé une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice qui est composée de fines particules de verre préparées à partir d'un matériau à l'état fondu qui est obtenu en faisant fondre un matériau de base qui contient au moins du Si02, de PA1203, du B203, du ZnO, et au moins deux oxydes de métaux alcalino-terreux sélectionnés à partir d'un 20 groupe constitué par le CaO, le MgO et le BaO, et ne contient sensiblement pas de Pb, d'As, de Sb, de Li, de Na et de K, la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice ne contenant aucun des composants qui constituent le matériau de base sous la forme d'un charge. Pour une telle composition à base de verre destinée à protéger une jonction 25 semi-conductrice, il est, de préférence, utilisé une composition à base de verre dans laquelle la teneur en Si02 est comprise dans une plage de 41,1 mol% à 61,1 mol%, la teneur en A1203 est comprise dans une plage de 7,4 mol% à 17,4 mol%, la teneur en B203 est comprise dans une plage de 5,8 mol% à 15,8 mol%, la teneur en ZnO est comprise dans une plage de 3,0 mol% à 24,8 mol%, la teneur en 30 oxyde d'un métal alcalino-terreux est comprise dans une plage de 5,5 mol% à 15,5 - 19 - mol%, et la teneur en oxyde de nickel est comprise dans une plage de 0,01 mol% à 2,0 mol%. En outre, il est, de préférence, utilisé une composition de verre dans laquelle, par rapport à l'oxyde d'un métal alcalino-terreux, la teneur en CaO est comprise dans une plage de 2,8 mol% à 7,8 mol%, la teneur en MgO est comprise dans une plage de 1,1 mol% à 3,1 mol%, et la teneur en BaO est comprise dans une plage de 1,7 mol% à 4,7 mol%. Pour la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice, une composition de verre qui ne contient sensiblement pas d'élément polyvalent (par exemple, V, Mn, Sn, Ce, Nb et Ta) en tant qu'agent anti-émulsion, est utilisée. De plus, pour la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice, une composition de verre qui ne contient aucun liant organique est utilisée. En tant que matériau de base pour la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice, il est préférable d'utiliser un matériau de base qui ne contient sensiblement pas de P. En outre, il est préférable d'utiliser un matériau de base qui ne contient sensiblement pas de Bi. Dans ce cas, "contient des composants spécifiques (Si02, A1203, B203 et similaire)" signifie non seulement un cas dans lequel seul les composants spécifiques sont contenus mais aussi un cas dans lequel des composants qui peuvent être contenus de manière classique dans la composition de verre sont, en outre, contenus en plus des composants spécifiques. En outre, "ne contient sensiblement aucun élément spécifique (Pb, As, Sb et analogue)" signifie "ne contient sensiblement aucun élément spécifique en tant que composants" et n'exclut pas la composition de verre dans laquelle les éléments spécifiques mentionnés précédemment sont mélangés dans les matériaux de base pour les composants respectifs qui constituent le verre sous la forme d'impuretés. En outre, "ne contient sensiblement aucun élément spécifique (Pb, As, Sb et analogue)" signifie "ne contient sensiblement aucun oxydes d'éléments spécifiques, nitrures d'éléments spécifiques et analogue". En outre, "ne contient aucun composant qui constitue le matériau de base sous la forme d'une charge" signifie que lorsque le composant est du Si02, par exemple, le composant Si02 n'est pas contenu sous la - 20 - forme d'un matériau d'enrobage, un matériau de conditionnement, un matériau de charge, un matériau d'addition ou analogue formé de fines particules de Si02. La raison pour laquelle la teneur en Si02 est définie à une valeur comprise dans une plage de 41,1 mol% à 61,1 mol% est que, lorsque la teneur en Si02 est inférieure à 41,1 mol%, il peut se produire un cas dans lequel la résistance chimique est dégradée ou la propriété d'isolation est dégradée, alors que, lorsque la teneur en Si02 excède 61,1 mol%, il existe une tendance en ce qu'une température de cuisson doit être élevée. La raison pour laquelle la teneur en A1203 est réglée à une valeur comprise dans une plage de 7,4 mol% à 17,4 mol% est que, lorsque la teneur en A1203 est inférieure à 7,4 mol%, il peut se produire un cas dans lequel la résistance chimique est dégradée ou la propriété d'isolation est dégradée, alors que, lorsque la teneur en A1203 excède 17,4 mol%, il existe une tendance telle qu'une température de cuisson doit être élevé.
La raison pour laquelle la teneur en B203 est définie à une valeur comprise dans une plage de 5,8 mol% à 15,8 mol% est que, lorsque la teneur en B203 est inférieure à 5,8 mol%, il existe une tendance en ce qu'une température de cuisson doit être élevée, alors que, lorsque la teneur en B203 excède 15,8 mol%, il peut se produire un cas dans lequel le bore est diffusé dans le corps de base semi-conducteur dans l'étape de cuisson de la couche de verre, dégradant ainsi la propriété d'isolation. La raison pour laquelle la teneur en ZnO est définie à une valeur comprise dans une plage de 3,0 mol% à 24,8 mol% est que, lorsque la teneur en ZnO est inférieure à 3,0 mol%, il existe une tendance en ce qu'une température de cuisson doit être élevée, alors que, lorsque la teneur en ZnO excède 24,8 mol%, il peut se produire un cas dans lequel la résistance chimique est dégradée ou la propriété d'isolation est dégradée. La raison pour laquelle la teneur en oxyde de métal alcalino-terreux est définie à une valeur comprise dans une plage de 5,5 mol% à 15,5 mol% est que, - 21 - lorsque la teneur en oxyde de métal alcalino-terreux est inférieure à 5,5 mol%, il existe une tendance en ce qu'une température de cuisson doit être élevée, alors que, lorsque la teneur en oxyde de métal alcalino-terreux excède 15,5 mol%, il peut se produire un cas dans lequel la résistance chimique est dégradée ou la propriété d'isolation est dégradée. Indépendamment des oxydes de métaux alcalino-terreux, la raison pour laquelle la teneur en CaO est définie à une valeur comprise dans une plage de 2,8 mol% à 7,8 mol% est que, lorsque la teneur en CaO est inférieure à 2,8 mol%, il existe une tendance en ce qu'une température de cuisson doit être élevé, alors que, lorsque la teneur en CaO excède 7,8 mol%, il peut se produire un cas dans lequel la résistance chimique est dégradée ou la propriété d'isolation est dégradée. La raison pour laquelle la teneur du MgO est définie à une valeur comprise dans une plage de 1,1 mol% à 3,1 mol% est que, lorsque la teneur en MgO est inférieure à 1,1 mol%, il peut se produire un cas dans lequel la résistance chimique est dégradée ou la propriété d'isolation est dégradée, alors que, lorsque la teneur en MgO excède 3,1 mol%, il existe une tendance en ce qu'une température de cuisson doit être élevée. La raison pour laquelle la teneur en BaO est définie à une valeur comprise dans une plage de 1,7 mol% à 4,7 mol% est que, lorsque la teneur en BaO est inférieure à 1,7 mol%, il existe une tendance en ce qu'une température de cuisson doit être élevée, alors que, lorsque la teneur en BaO excède 4,7 mol%, il peut se produire un cas dans lequel la résistance chimique est dégradée ou la propriété d'isolation est dégradée. La raison pour laquelle la teneur en oxyde de nickel est définie à une valeur 25 qui est comprise dans une plage de 0,01 mol% à 2,0 mol% est que, lorsque la teneur en oxyde de nickel est inférieure à 0,01 mol%, il existe un cas dans lequel il devient difficile de supprimer la génération de bulles qui peuvent être générées à partir d'une surface de séparation entre une "couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice" formée par un procédé 30 par électrophorèse et un corps de base semi-conducteur (silicium) dans l'étape de cuisson de la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une - 22 - jonction semi-conductrice, alors que, lorsque la teneur en oxyde de nickel excède 2,0 mol%, il peut se produire un cas dans lequel il devient difficile de fabriquer un verre homogène. La composition à base de verre destinée a protéger une jonction semi-conductrice selon le mode de réalisation 1 peut être fabriquée comme suit. A savoir, les matériaux de base (Si02, Al(OH)3, H3B03, ZnO, CaCO3, Mg(OH)2, BaO et NiO (oxyde de nickel)) sont préparés en fonction des rapports de composition mentionnés précédemment (rapport molaire), ces matériaux de base sont mélangés suffisamment par un mélangeur et, ensuite, le matériau de base mélangé est placé dans un creuset de platine dont la température est portée à une température prédéterminée (par exemple, de 1550°C) dans un four électrique et est fondu pendant une durée prédéterminée. Alors, le matériau dans un état fondu est amené à s'écouler hors du creuset et est délivré sur des rouleaux refroidis à l'eau de telle sorte que des écailles de verre sous forme feuilletée sont obtenues.
Après cela, les écailles de verre sont pulvérisées par un broyeur à billes ou analogue jusqu'à ce que les écailles de verre atteignent une taille moyenne de particule prédéterminée, obtenant ainsi la composition de verre pulvérulente. La composition de verre pulvérulente obtenue est utilisée directement en tant que la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice. (e) Etape d'élimination de film d'oxyde Ensuite, la couche d'agent photorésistant 126 est formée de manière à recouvrir la surface de la couche de verre 124 et après cela, le film d'oxyde 116 est attaqué en utilisant la couche d'agent photorésistant 126 en tant que masque de telle sorte que le film d'oxyde 116, au niveau d'une partie 130 sur laquelle un film d'électrode par métallisation de Ni doit être formé est éliminé (voir figure 2(a)). (f) Etape de formation de zone de surface rugueuse Ensuite, une surface du corps de base semi-conducteur au niveau de la partie 130 sur laquelle un film d'électrode par métallisation de Ni doit être formé est soumise à un traitement destiné à rendre la surface rugueuse, formant ainsi une 30 zone de surface rugueuse 132 de manière à améliorer l'adhérence entre une électrode par métallisation de Ni et le corps de base semi-conducteur (voir figure - 23 - 2(b)). (g) Etape de formation d'électrode Ensuite, un dépôt de Ni est appliqué sur le corps de base semi-conducteur formant ainsi une électrode d'anode 134 sur la zone de surface rugueuse 132 et formant une électrode de cathode 136 sur l'autre surface du corps de base semi-conducteur (voir figure 2(c)). Le recuit de l'électrode d'anode 134 et de l'électrode de cathode 136 est, par exemple, réalisé à une température de 600 degrés sous une atmosphère d'azote. (h) Etape de découpe du corps de base semi-conducteur Ensuite, le corps de base semi-conducteur est découpé par tranchage ou analogue au niveau d'une partie centrale de la couche de verre 124, divisant ainsi le corps de base semi-conducteur en pluralité de plaquettes de telle sorte que des dispositifs semi-conducteurs (diodes pn de type mesa) sont fabriqués (voir figure 2(d)).
Les dispositifs semi-conducteurs 100 selon le mode de réalisation 1 peuvent être fabriqués au moyen des étapes mentionnées précédemment, Selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, comme on pourra clairement le découvrir à partir des exemples décrits ultérieurement, il devient possible de créer un dispositif semi-conducteur présentant une résistance de claquage élevée en utilisant un matériau à base de verre ne contenant pas de plomb de la même manière que dans le cas classique dans lequel "un matériau à base de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal" est utilisé.
C'est-à-dire, que le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1 peuvent satisfaire toutes les conditions (a) à (d) suivantes, c'est-à-dire, la condition (a) que le matériau à base de verre peut être cuit à une température appropriée (par exemple, inférieure ou égale à 900°C), la condition (b) que le matériau à base de verre peut résister aux agents chimiques utilisés dans les étapes, la condition (c) que le matériau à base de verre présente un coefficient de dilatation linéaire proche d'un - 24 - coefficient de dilatation linéaire du silicium (en particulier, un coefficient de dilatation linéaire moyen à une température de 50°C à 550°C qui est proche d'un coefficient de dilatation linéaire du silicium à une température de 50°C à 550°C) afin d'empêcher le gauchissement d'une pastille au cours des différentes étapes, et la condition (d) que le matériau à base de verre présente d'excellentes propriétés d'isolation. Dans ce cas, avec l'utilisation de composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice qui contient 55 mol% ou plus de Si02 et de B203 au total en tant que composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice, la résistance chimique de composition de verre peut être améliorée. Selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, la couche d'isolation 121 présentant une mouillabilité supérieure à celle du corps de base semi-conducteur est interposée entre le corps de base semi-conducteur et la couche de verre 124 et, par conséquent, il est possible de rendre difficile la génération de bulles à partir d'une surface de séparation entre le corps de base semi-conducteur et la couche de verre 124 à l'étape de formation de couche de verre par cuisson de la couche d'une composition à base de verre. Par conséquent, il est possible de supprimer la génération de bulles sans ajouter de composant présentant une action anti-émulsion tel que de l'oxyde de nickel ou avec l'ajout d'une faible quantité (par exemple, inférieure ou égale à 2,0 mol%) d'un tel composant présentant une action anti-émulsion, dans le cas où le composant est ajouté. En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, la couche d'isolation 121 est interposée entre le corps de base semi-conducteur et la couche de verre 124 et, par conséquent, la propriété d'isolation est améliorée de telle sorte que, comme on pourra clairement le découvrir à partir des exemples décrits ultérieurement, il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse d'une manière stable indépendamment de la composition de la couche de verre et des conditions de - 25 - cuisson de la couche de verre. C'est-à-dire, que même lorsque la teneur en Si02 est supérieure ou égale à 55 mol% ou même lorsqu'un temps de cuisson est réglé approximativement à 15 minutes, il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse d'une manière stable. En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, une couche de verre est formée en faisant cuire la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice qui est composée de fines particules de verre préparées à partir d'un matériau à l'état fondu qui est obtenu en faisant fondre un matériau de base qui contient au moins du Si02, de PA1203, du B203, du ZnO, et au moins deux oxydes de métaux alcalino-terreux sélectionnés à partir d'un groupe constitué par le CaO, le MgO et le BaO, et ne contient sensiblement pas de Pb, d'As, de Sb, de Li, de Na et de K. Par conséquent, comme on peut aussi clairement le découvrir à partir des exemples décrits ultérieurement, la cuisson de la couche de verre peut être mise en oeuvre à une température relativement faible et, par conséquent, la cristallisation de la couche de verre se produit difficilement à l'étape de cuisson de la couche de verre. Aussi, du fait d'une telle particularité technique, il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse d'une manière stable. En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, la couche de verre est formée en faisant cuire la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice qui ne contient aucun des composants qui constituent le matériau de base sous la forme d'une charge. En conséquence, la cristallisation de la couche de verre se produit difficilement à de cuisson de la couche de verre. Aussi, du fait d'une telle particularité technique, il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse d'une manière stable. - 26 - En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur comportant une couche de verre à base de verre sans plomb (verre ne contenant pas de Pb) qui présente une constante diélectrique inférieure à celle du verre contenant du plomb. Par conséquent, lorsqu'un dispositif semi-conducteur du type scellé dans la résine est formé par moulage du dispositif semi-conducteur du mode de réalisation 1 avec une résine, il n'y a aucune possibilité qu'un ion fortement concentré soit induit sur une interface entre la résine moulée et la couche de verre et une interface entre la couche de verre et la couche de semi-conducteur au milieu de la mise en oeuvre d'un essai en polarisation inverse à haute température. En conséquence, le dispositif semi-conducteur de la présente invention peut acquérir un effet avantageux en ce que la résistance à une polarisation inverse à haute température est augmentée comparée à celle du dispositif semi-conducteur du type scellé dans la résine classique qui est formé par moulage d'un dispositif semi-conducteur obtenu en utilisant "un matériau à base de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal" avec une résine. En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, la composition de verre qui ne contient sensiblement pas de Li, de Na et de K est utilisée et, par conséquent, comme on peut aussi clairement le découvrir à partir des exemples décrits ultérieurement (aspect d'évaluation 10), même lorsque la composition de verre contient du B (bore), il n'existe pas de possibilité que le B (bore) diffuse dans le silicium depuis la couche de verre pendant la cuisson de la composition de verre de telle sorte qu'un dispositif semi-conducteur très fiable peut être fabriqué. Selon le mode de réalisation 2, de la même manière que pour le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur est un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui comporte, selon l'ordre suivant : 30 une première étape de préparation d'un élément semi-conducteur à base de silicium qui comporte une partie d'exposition de jonction pn dans laquelle une - 27 - jonction pn est exposée ; une deuxième étape de formation d'une couche d'isolation de telle sorte que la couche d'isolation recouvre la partie d'exposition de jonction pn ; et une troisième étape de formation d'une couche de verre sur la couche d'isolation dans laquelle une couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est formée sur la couche d'isolation et, ensuite, la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est cuite. Toutefois, dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 2, une diode pn du type planaire est fabriquée sous la forme d'un dispositif semi-conducteur différent par rapport au procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1. Les figures 3(a) à 3(d) et les figures 4(a) à 4(d) sont des vues destinées à expliquer le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 2. Les figures 3(a) à 3(d) et les figures 4(a) à 4(d) sont des vues montrant les étapes respectives. Dans le procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 2, comme cela est montré sur les figures 3(a) à 3(d) et les figures 4(a) à 4(d), "l'étape de préparation de corps de base semi-conducteur", "l'étape de formation de couche de diffusion de type p+", "l'étape de formation de couche de diffusion de type n+", "l'étape de formation de couche d'isolation", "l'étape de formation de couche de verre", "l'étape d'attaque chimique" et "l'étape de formation d'électrode" sont mises en oeuvre selon cet ordre. Ci-après, le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 2 est expliqué suivant l'ordre des étapes. (a) Etape de préparation de corps de base semi-conducteur En premier, un corps de base semi-conducteur, sur lequel une couche épitaxiale du type n- 212 est formée en couche sur un substrat semi-conducteur de type n+ 210, est préparé (voir figure 3(a)). (b) Etape de formation de couche de diffusion de type p+ Ensuite, après formation d'un masque M1 sur la couche épitaxiale de type n- 212, une impureté du type p (par exemple, ion de bore) est implantée dans une - 28 - zone prédéterminée sur une surface de la couche épitaxiale de type n- 212 par un procédé d'implantation ionique en utilisant le masque Ml. Alors, la couche de diffusion de type p+ 214 est formée par diffusion thermique (voir figure 3(b)). (c) Etape de formation de couche de diffusion de type n+ Ensuite, le masque M1 est éliminé de la couche épitaxiale de type n- 212 et un masque M2 est formé sur la couche épitaxiale de type n- 212. Ensuite, une impureté du type n (par exemple, ion arsenic) est implantée dans une zone prédéterminée sur la surface de la couche épitaxiale de type n- 212 par un procédé d'implantation ionique en utilisant le masque M2. Puis, une couche de diffusion de 10 type n+ 216 est formée par diffusion thermique (voir figure 3(c)). Ici, une partie A d'exposition de jonction pn est formée sur une surface du corps de base semi-conducteur. (d) Etape de formation de couche d'isolation Ensuite, le masque M2 est éliminé et, après cela, une couche d'isolation 218 15 formée d'un film d'oxyde de silicium est formée sur une surface de la couche épitaxiale de type n- 212 (et une surface arrière du substrat de silicium de type n+ 210) par un procédé d'oxydation thermique en utilisant de l'oxygène sec (02 Sec) (voir figure 3(d)). Une épaisseur de la couche d'isolation 218 est ajustée à une valeur qui est comprise dans une plage de 5 nm à 60 nm (par exemple, à 20 nm). 20 La couche d'isolation 218 est formée de telle sorte que le corps de base semi-conducteur est introduit dans un four de diffusion et, après cela, le traitement thermique d'oxydation est exécuté à une température de 900°C pendant 10 minutes en introduisant de l'oxygène gazeux dans le four de diffusion. Lorsque l'épaisseur de la couche d'isolation 218 est inférieure à 5 nm, il existe un risque de 25 ne pouvoir obtenir un effet de réduction de courant en sens inverse. D'autre part, lorsque l'épaisseur de la couche d'isolation 218 excède 60 nm, il existe un risque de ne pouvoir former une couche d'une composition à base de verre par un procédé d'électrophorèse dans l'étape de formation de couche de verre suivante. (e) Etape de formation de couche de verre 30 Ensuite, une couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est formée sur une surface de la couche d'isolation - 29 - 218 par un procédé d'électrophorèse de la même manière que pour le mode de réalisation 1 et, après cela, la couche d'une composition à base de verre est cuite de telle sorte qu'une couche de verre 220 destinée à assurer la passivation est formée (voir figure 4(a)). Une température de cuisson est, par exemple, réglée à 900°C. (f) Etape d'attaque chimique Ensuite, un masque M3 est formé sur une surface de la couche de verre 220 et, ensuite, la couche de verre 220 est attaquée chimiquement (voir figure 4(b)) et, après cela, la couche d'isolation 218 est attaquée chimiquement (voir figure 4(c)).
Du fait d'une telle attaque chimique, la couche d'isolation 218 et la couche de verre 220 sont formées sur une zone prédéterminée sur la surface de la couche épitaxiale de type n- 212. (g) Etape de formation d'électrode Ensuite, le masque M3 est éliminé de la surface de la couche de verre 220 et, après cela, une électrode 222 d'anode est formée dans une zone sur la surface du corps de base semi-conducteur entourée par la couche de verre 220, et une électrode de cathode 224 est formée sur une surface arrière du corps de base semi-conducteur. Le recuit de l'électrode d'anode 222 et de l'électrode de cathode 224 est, par exemple, réalisé à une température de 600 degrés sous une atmosphère d'azote. (h) Etape de découpe du corps de base semi-conducteur Ensuite, le corps de base semi-conducteur est coupé par tranchage ou analogue, divisant ainsi le corps de base semi-conducteur en pastilles de telle sorte que des dispositifs semi-conducteurs (diodes pn de type planaire) 200 sont fabriqués (voir figure 4(d)). Les dispositifs semi-conducteurs 200 du mode de réalisation 2 peuvent être fabriqués en suivant les étapes mentionnées précédemment. Selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 2, comme on peut aussi clairement le découvrir à partir des exemples décrits ultérieurement, il devient possible de créer un dispositif semi-conducteur présentant une résistance de - 30 - claquage élevée en utilisant un matériau à base de verre ne contenant pas de plomb de la même manière que dans le cas classique dans lequel "un matériau à base de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal" est utilisé.
C'est-à-dire, que le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 2, de la même manière que le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, peut satisfaire l'ensemble des conditions (a) à (d) suivantes, c'est-à-dire, la condition (a) que le matériau à base de verre peut être cuit à une température appropriée (par exemple, inférieure ou égale à 900°C), la condition (b) que le matériau à base de verre peut résister aux agents chimiques utilisés dans les étapes, la condition (c) que le matériau à base de verre présente un coefficient de dilatation linéaire proche d'un coefficient de dilatation linéaire du silicium (en particulier, un coefficient de dilatation linéaire moyen à une température de 50°C à 550°C qui est proche d'un coefficient de dilatation linéaire du silicium à une température de 50°C à 550°C) afin d'empêcher le gauchissement d'une pastille au cours des différentes étapes, et la condition (d) que le matériau à base de verre présente d'excellentes propriétés d'isolation.
Selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 2, la couche d'isolation 218 présentant une mouillabilité supérieure à celle du corps de base semi-conducteur est interposée entre le corps de base semi-conducteur et la couche de verre 220 et, par conséquent, de la même manière que pour le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, il est possible de rendre difficile la génération de bulles à partir d'une surface de séparation entre le corps de base semi-conducteur et la couche de verre 220 dans l'étape de formation de couche de verre par cuisson de la couche d'une composition à base de verre. Par conséquent, il est possible de supprimer la génération de bulles sans ajouter de composant présentant une action anti-émulsion tel que de l'oxyde de nickel ou avec l'ajout d'une faible quantité (par - 31 - exemple, inférieure ou égale à 2,0 mol%) d'un tel composant présentant une action anti-émulsion, dans le cas où le composant est ajouté. En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 2, la couche d'isolation 218 est interposée entre le corps de base semi-conducteur et la couche de verre 220 et, par conséquent, de la même manière que pour le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, la propriété d'isolation est améliorée de telle sorte qu'il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse d'une manière stable indépendamment de la composition de la couche de verre et des condition de cuisson de la couche de verre. C'est-à-dire, que même lorsque la teneur en Si02 est supérieure ou égale à 55 mol% ou même lorsqu'un temps de cuisson est réglé approximativement à 15 minutes, il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse d'une manière stable. En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 2, la couche de verre 220 est formée en faisant cuire la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice qui est composée de fines particules de verre préparées à partir d'un matériau à l'état fondu qui est obtenu en faisant fondre un matériau de base qui contient au moins du Si02, de PA1203, du B203, du ZnO, et au moins deux oxydes de métaux alcalino-terreux sélectionnés à partir d'un groupe constitué par le CaO, le MgO et le BaO, et ne contient sensiblement pas de Pb, d'As, de Sb, de Li, de Na et de K. Par conséquent, de la 25 même manière que pour le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, la cuisson de la couche de verre peut être mise en oeuvre à une température relativement faible et, par conséquent, la cristallisation de la couche de verre se produit difficilement à l'étape de cuisson de la couche de verre. Aussi, du fait d'une telle particularité 30 technique, il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant un - 32 - faible courant de fuite en inverse d'une manière stable. En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 2, la couche de verre 220 est formée en faisant cuire la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice qui ne contient aucun des composants qui constituent le matériau de base sous la forme d'une charge. Par conséquent, de la même manière que pour le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, la cristallisation de la couche de verre se produit difficilement à de cuisson de la couche de verre. Aussi, du fait d'une telle particularité technique, il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse d'une manière stable. En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 2, de la même manière que le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, lorsqu'un dispositif semi-conducteur du type scellé dans la résine est formé par moulage du dispositif semi-conducteur du mode de réalisation 2 avec une résine, il n'y a aucune possibilité qu'un ion fortement concentré soit induit sur une interface entre la résine moulée et la couche de verre et une interface entre la couche de verre et la couche de semi-conducteur au milieu de la mise en oeuvre d'un essai en polarisation inverse à haute température. En conséquence, le dispositif semi-conducteur de la présente invention peut acquérir un effet avantageux en ce que la résistance à une polarisation inverse à haute température est augmentée comparée à celle du dispositif semi-conducteur du type scellé dans la résine classique qui est formé par moulage d'un dispositif semi-conducteur obtenu en utilisant "un matériau à base de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal" avec une résine. En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 2, la compbsition de verre qui ne contient sensiblement pas de Li, de Na et de K est utilisée et, par - 33 - conséquent, comme on peut aussi clairement le découvrir à partir des exemples décrits ultérieurement (aspect d'évaluation 10), même lorsque la composition de verre contient du B (bore), il n'existe pas de possibilité que le B (bore) diffuse dans le silicium depuis la couche de verre pendant la cuisson de la composition de verre de telle sorte qu'un dispositif semi-conducteur très fiable peut être fabriqué. Selon le mode de réalisation 3, de la même manière que pour le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur est un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui comporte, selon l'ordre suivant : 10 une première étape de préparation d'un élément semi-conducteur à base de silicium qui comporte une partie d'exposition de jonction pn dans laquelle une jonction pn est exposée ; une deuxième étape de formation d'une couche d'isolation de telle sorte que la couche d'isolation recouvre la partie d'exposition de jonction pn ; et une troisième étape de formation d'une couche de verre sur la 15 couche d'isolation dans laquelle une couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est formée sur la couche d'isolation et, ensuite, la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est cuite. De plus, de la même manière que pour le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon le mode 20 de réalisation 1, en tant que composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice, il est utilisé une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice qui est composée de fines particules de verre préparées à partir d'un matériau à l'état fondu qui est obtenu en faisant fondre un matériau de base qui contient au moins du Si02, de PA1203, du B203, 25 du ZnO, et au moins deux oxydes de métaux alcalino-terreux sélectionnés à partir d'un groupe constitué par le CaO, le MgO et le BaO, et ne contient sensiblement pas de Pb, d'As, de Sb, de Li, de Na et de K, et la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice ne contient aucun des composants qui constituent le matériau de base sous la forme d'une charge. Le 30 dispositif semi-conducteur du mode de réalisation 3 est un dispositif semi-conducteur réalisé par le procédé de fabrication d'un dispositif - 34 - semi-conducteur selon le mode de réalisation 3. Ici, le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 3 diffèrent des procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1 par rapport à la composition d'un matériau de base pour de fines particules de verre. C'est-à-dire, que dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 3, en tant que matériau de base afin de former les fines particules de verre, il est 10 utilisé un matériau de base dans lequel la teneur en Si02 est comprise dans une plage de 49,5 mol% à 64,3 mol%, la teneur en B203 est comprise dans une plage de 8,4 mol% à 17,9 mol%, la teneur en A1203 est comprise dans une plage de 3,7 mol% à 14,8 mol%, la teneur en ZnO est comprise dans une plage de 3,9 mol% à 14,2 mol%, et de la teneur en oxyde d'un métal alcalino-terreux est comprise dans 15 une plage de 7,4 mol% à 12,9 mol%. Le matériau de base contient du CaO, du MgO et du BaO en tant qu'oxyde de métal alcalino-terreux. La teneur en CaO est comprise dans une plage de 2,0 mol% à 5,3 mol%, la teneur du MgO est comprise dans une plage de 1,0 mol% à 2,3 mol%, et la teneur en BaO est comprise dans une plage de 2,6 mol% à 5,3 20 mol%. Dans le matériau de base, la somme de la teneur en Si02 et de la teneur en B203 est comprise dans une plage de 65 mol% à 75 mol%. Un coefficient de dilatation linéaire moyen de la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice dans une plage de température de 50°C à 550°C est compris dans une plage de 3,33 x10 -6 à 4,08 x10 -6. 25 De cette manière, le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 3 diffèrent des procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1 en ce qui concerne la constitution d'un matériau de base pour de fines particules de verre. Toutefois, de la même 30 manière que pour le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon - 35 - le mode de réalisation 1, le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 3 est un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui comporte, selon l'ordre suivant : une première étape de préparation d'un élément semi-conducteur qui comporte une partie d'exposition de jonction pn dans laquelle une jonction pn est exposée ; une deuxième étape de formation d'une couche d'isolation de telle sorte que la couche d'isolation recouvre la partie d'exposition de jonction pn ; et une troisième étape de formation d'une couche de verre sur la couche d'isolation dans laquelle une couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est formée sur la couche d'isolation et, ensuite, la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est cuite. De plus, pour la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice, il est utilisé une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice qui est composée de fines particules de verre préparées à partir d'un matériau à l'état fondu qui est obtenu en faisant fondre un matériau de base qui contient au moins du Si02, de l'A1203, du B203, du ZnO, et au moins deux oxydes de métaux alcalino-terreux sélectionnés à partir d'un groupe constitué par le CaO, le MgO et le BaO, et ne contient sensiblement pas de Pb, d'As, de Sb, de Li, de Na et de K, et la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice ne contient aucun des composants qui constituent le matériau de base sous la forme d'une charge. Par conséquent, le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 3 présentent sensiblement mêmes effets avantageux que le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1. C'est-à-dire, que selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 3, comme on peut aussi clairement le découvrir à partir des exemples décrits ultérieurement, il devient possible de créer un dispositif semi-conducteur présentant une résistance de claquage élevée en utilisant un matériau à base de verre ne contenant pas de plomb de la même manière que dans le cas classique - 36 - dans lequel "un matériau à base de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal" est utilisé. En d'autres termes, le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 3, de la même manière que le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, peut satisfaire l'ensemble des conditions (a) à (d) suivantes, c'est-à-dire, la condition (a) que le matériau à base de verre peut être cuit à une température appropriée (par exemple, inférieure ou égale à 900°C), la condition (b) que le matériau à base de verre peut résister aux agents chimiques utilisés dans les étapes, la condition (c) que le matériau à base de verre présente un coefficient de dilatation linéaire proche d'un coefficient de dilatation linéaire du silicium (en particulier, un coefficient de dilatation linéaire moyen à une température de 50°C à 550°C qui est proche d'un coefficient de dilatation linéaire du silicium à une température de 50°C à 550°C) afin d'empêcher le gauchissement d'une pastille au cours des différentes étapes, et la condition (d) que le matériau à base de verre présente d'excellentes propriétés d'isolation. Selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 3, la couche d'isolation présentant une mouillabilité supérieure à celle du corps de base semi-conducteur est interposée entre le corps de base semi-conducteur et la couche de verre et, par conséquent, de la même manière que pour le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, il est possible de rendre difficile la génération de bulles à partir d'une surface de séparation entre le corps de base semi-conducteur et la couche de verre dans l'étape de formation de couche de verre par cuisson de la couche d'une composition à base de verre. Par conséquent, il est possible de supprimer la génération de bulles sans ajouter de composant présentant une action anti-émulsion tel que de l'oxyde de nickel ou avec l'ajout d'une faible quantité (par exemple, inférieure ou égale à 2,0 mol%) d'un tel composant présentant une action anti-émulsion, dans le cas où le composant est ajouté. En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et - 37 - un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 3, la couche d'isolation est interposée entre le corps de base semi-conducteur et la couche de verre et, par conséquent, de la même manière que pour le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, la propriété d'isolation est améliorée de telle sorte qu'il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse d'une manière stable indépendamment de la composition de la couche de verre et des conditions de cuisson de la couche de verre. C'est-à-dire, que même lorsque la teneur en Si02 est supérieure ou égale à 55 mol% ou même lorsqu'un temps de cuisson est réglé approximativement à 15 minutes, il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse d'une manière stable. En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 3, une couche de verre est formée en faisant cuire la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice qui est composée de fines particules de verre préparées à partir d'un matériau à l'état fondu qui est obtenu en faisant fondre un matériau de base qui contient au moins du Si02, de PA1203, du B203, du ZnO, et au moins deux oxydes de métaux alcalino-terreux sélectionnés à partir d'un groupe constitué par le CaO, le MgO et le BaO, et ne contient sensiblement pas de Pb, d'As, de Sb, de Li, de Na et de K. Par conséquent, de la même manière que pour le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, la cuisson de la couche de verre peut être mise en oeuvre à une température relativement faible et, par conséquent, la cristallisation de la couche de verre se produit difficilement à l'étape de cuisson de la couche de verre. Aussi, du fait d'une telle particularité technique, il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse d'une manière stable. En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 3, la couche de - 38 - verre 124 est formée en faisant cuire la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice qui ne contient aucun des composants qui constituent le matériau de base sous la forme d'une charge. Par conséquent, de la même manière que pour le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, la cristallisation de la couche de verre se produit difficilement à de cuisson de la couche de verre. Aussi, du fait d'une telle particularité technique, il est possible de fabriquer un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse d'une manière stable.
En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 3, de la même manière que pour le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, lorsqu'un dispositif semi-conducteur du type scellé dans la résine est formé par moulage du dispositif semi-conducteur du mode de réalisation 3 avec une résine, il n'y a aucune possibilité qu'un ion fortement concentré soit induit sur une interface entre la résine moulée et la couche de verre et une interface entre la couche de verre et la couche de semi-conducteur au milieu de la mise en oeuvre d'un essai en polarisation inverse à haute température. En conséquence, le dispositif semi-conducteur de la présente invention peut acquérir un effet avantageux en ce que la résistance à une polarisation inverse à haute température est augmentée comparée à celle du dispositif semi-conducteur du type scellé dans la résine classique qui est formé par moulage d'un dispositif semi-conducteur obtenu en utilisant "un matériau à base de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal" avec une résine. En outre, selon le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 3, la composition de verre qui ne contient sensiblement pas de Li, de Na et de K est utilisée et, par conséquent, comme on peut aussi clairement le découvrir à partir des exemples décrits ultérieurement (aspect d'évaluation 10), même lorsque la composition de verre contient du B (bore), il n'existe pas de possibilité que le B (bore) diffuse - 39 - dans le silicium depuis la couche de verre pendant la cuisson de la composition de verre de telle sorte qu'un dispositif semi-conducteur très fiable peut être fabriqué. Des exemples sont ensuite décrits, en commençant par la préparation de spécimens. La figure 5 est un tableau montrant les conditions et résultats des exemples. Sur les exemples, des matériaux de base sont préparés de manière à présenter des rapports de composition décrits dans les exemples 1 à 11 et les exemples comparatifs 1 à 6 (voir figure 5), ces matériaux de base sont intimement mélangés avec un mélangeur et, ensuite, le matériau de base mélangé est placé dans un 10 creuset en platine dont la température est portée à une température prédéterminée (1350°C à 1550°C) dans un four électrique et est fondu pendant deux heures. Ensuite, le matériau dans un état fondu est amené à s'écouler hors du creuset et est délivré à des rouleaux refroidis à l'eau de telle sorte que des écailles de verre de forme feuilletée sont obtenues. Ensuite, les écailles de verre sont pulvérisées par 15 un broyeur à billes jusqu'à ce que les écailles de verre obtenues présentent une taille moyenne de particule de 5 gm, obtenant ainsi une composition de verre pulvérulente. Les matériaux de base utilisés dans les exemples sont Si02, A1203, H3B03, ZnO, CaCO3, MgO, BaCO3, NiO (oxyde de nickel), Zr02, Pb0, K20 et 20 Na20. Une évaluation est ensuite réalisée. Les compositions de verre respectives obtenues par les procédés mentionnés précédemment sont évaluées en ce qui concerne les aspects d'évaluation suivants. Parmi les aspects d'évaluation 1 à 9, en ce qui concerne les aspects d'évaluation 5, 25 6, 8 et 9, une couche de verre est formée sur une couche d'isolation dans les exemples 1 à 11, alors qu'une couche de verre est formée directement sur un corps de base semi-conducteur dans les exemples comparatifs 1 à 6. La cuisson des couches de verre est mise en oeuvre à une température de 800°C à 900°C pendant 15 minutes. Les compositions de verre dans les exemples 1 à 3 sont les 30 compositions de verre contenues dans la composition de verre utilisée dans le mode de réalisation 1, et les compositions de verre dans les exemples 4 à 11 sont - 40 - les compositions de verre contenues dans la composition de verre utilisée dans le mode de réalisation 3. La composition de verre de l'exemple comparatif 1 est "la composition de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal" classique. En outre, la composition de verre de l'exemple comparatif 2 est "la composition de verre sans plomb (verre de passivation à base de zinc GP014 réalisé par Nippon Electric glass Co., Ltd) connue de manière classique. La composition de verre de l'exemple comparatif 3 est identique à la composition de verre de l'exemple 6. La composition de verre de l'exemple comparatif 4 présente la composition de verre de l'exemple 6 en tant que composition de base et contient, en outre, 3,0mol% de NiO (oxyde de nickel). La composition de verre de l'exemple comparatif 5 est identique à la composition de verre de l'exemple 1. La composition de verre de l'exemple comparatif 6 est la composition de verre qui contient aussi du B et un métal alcalin (composition de verre à base de Si02 - B203 - K20 - Na20). (1) Aspect d'évaluation 1 (charge environnementale) L'un des objectifs de la présente invention repose en ce qu'un dispositif semi-conducteur présentant une résistance de claquage élevée peut être fabriqué en utilisant un matériau à base de verre ne contenant pas de plomb de la même manière que dans le cas classique dans lequel "un matériau à base de verre contenant du silicate de plomb en tant que composant principal" est utilisé et, par conséquent, le résultat "bon" est donné lorsque la composition de verre ne contient aucun composant à base de plomb, et le résultat "mauvais" est donné lorsque la composition de verre contient un composant à base de plomb. (2) Aspect d'évaluation 2 (température de cuisson) Lorsque la température de cuisson est excessivement élevée, la température de cuisson influence fortement un dispositif semi-conducteur encours de fabrication. En conséquence, le résultat "bon" est donné lorsque la température de cuisson est inférieure ou égale à 900°C, et le résultat "mauvais" est donné lorsque la température de cuisson excède 900°C. (3) Aspect d'évaluation 3 (résistance chimique) Le résultat "bon" est donné lorsque la composition de verre présente une - 41 - insolubilité à la fois à l'eau régale et à une solution de métallisation, et le résultat "mauvais" est donné lorsque la composition de verre présente une solubilité à au moins l'un de l'eau régale et d'une solution de métallisation. (4) Aspect d'évaluation 4 (coefficient de dilatation linéaire moyen) Des plaques de verre feuilletées sont préparées à partir d'un matériau dans un état fondu qui est obtenu en "1. Préparation de spécimens " décrit précédemment, et un coefficient de dilatation linéaire moyen de la composition de verre à une température de 50°C à 550°C est mesuré en utilisant de telles plaques de verre feuilletées. En conséquence, le résultat "bon "est donné lorsque la différence entre un coefficient de dilatation linéaire moyen de la composition de verre et un coefficient de dilatation linéaire (3,73x10-6) de silicium à une température de 50°C à 550°C est inférieure ou égale à "0,7x10-6", et le résultat "mauvais" est donné lorsque la différence excède "0,7x10-6". La mesure d'un coefficient de dilatation linéaire moyen est mise en oeuvre par un procédé de mesure de dilatation totale (vitesse d'élévation de température : 10°C/mn) en utilisant un dispositif d'analyse thermomécanique TMA-60 réalisé par Shimadzu Corp, dans lequel un élément monocristallin à base de silicium présentant une longueur de 20 mm est utilisé en tant que spécimen de référence. (5) Aspect d'évaluation 5 (présence ou absence de cristallisation) Dans l'étape de préparation d'un dispositif semi-conducteur (diode pn) par un procédé sensiblement identique au procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, le résultat "bon" est donné lorsque la vitrification sans provoquer de cristallisation est possible, et le résultat "mauvais" est donné lorsque la vitrification n'est pas possible du fait de la cristallisation. (6) Aspect d'évaluation 6 (présence ou absence de génération de bulles) Un dispositif semi-conducteur (diode pn) est fabriqué par le même procédé que le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, et il est observé si une génération de bulles se produit ou non à l'intérieur de la couche de verre 124 (en particulier, à proximité d'une surface de - 42 - séparation entre la couche de verre 124 et le corps de base semi-conducteur) (évaluation préliminaire). En outre, une couche d'une composition à base de verre est formée par application d'un revêtement de la composition de verre selon les exemples 1 à 11 et les exemples comparatifs 1 à 6 sur le corps de base semi-conducteur présentant une taille de 10 mm au carré, et la couche réalisée en une composition à base de verre est cuite, formant ainsi la couche de verre. Ainsi, il est observé si une génération de bulles se produit ou non à l'intérieur de la couche de verre (en particulier, à proximité de la surface de séparation entre la couche de verre et le corps de base semi-conducteur) (évaluation suivante).
Les figures 6(a) et 6(b) sont des vues destinées à expliquer la génération de bulles b à l'intérieur de la couche de verre 124 lors de l'évaluation préliminaire. La figure 6(a) est une vue en coupe transversale d'un dispositif semi-conducteur lorsque aucune génération de bulles b ne se produit, alors que la figure 6(b) est une vue en coupe transversale d'un dispositif semi-conducteur lorsqu'une génération de bulles b se produit. Les figures 7(a) et 7(b) sont des photographies destinées à expliquer la génération de bulles b à l'intérieur de la couche de verre 124 lors d'une évaluation ultérieure. La figure 7(a) est une photographie montrant une surface de séparation entre le corps de base semi-conducteur et la couche de verre lorsque aucune génération de bulles b ne se produit, d'une manière agrandie, alors que la figure 7(b) est une photographie montrant une surface de séparation entre le corps de base semi-conducteur et la couche de verre lorsqu'une génération de bulles b se produit, d'une manière agrandie. En résultat de l'expérimentation, il est découvert qu'il existe une relation correspondante favorable entre le résultat de l'évaluation préliminaire et le résultat de l'évaluation ultérieure de la présente invention. Dans l'évaluation ultérieure, le résultat "bon" est donné lorsque aucune bulle présentant un diamètre supérieur ou égal à 50 p.m n'est générée à l'intérieur de la couche de verre, le résultat "correct" est donné lorsque de une à vingt bulles présentant un diamètre supérieur ou égal à 50 I.tm sont générées à l'intérieur de la couche de verre, et le résultat "mauvais" est donné lorsque vingt une bulles ou plus présentant un diamètre supérieur ou égal à 50 j.tm sont générées à l'intérieur de la couche de verre. - 43 - La figure 8 est une photographie sous microscopie TEM montrant une coupe transversale d'une partie comportant une séparation entre un corps de base semi-conducteur et une couche de verre. Comme on peut aussi le découvrir à partir de la figure 8, il est clairement confirmé qu'une couche d'isolation (épaisseur de couche : approximativement 20 nm) est présente entre le corps de base semi-conducteur et la couche de verre. (7) Aspect d'évaluation 7 (présence ou absence d'addition d'oxyde de nickel) L'un des objectifs de la présente invention repose sur la "suppression de la génération de bulles qui peuvent être produites à partir d'une surface de séparation entre un corps de base semi-conducteur et la couche de verre à l'étape de formation de couche de verre par cuisson d'une couche d'une composition à base de verre sans addition de composant présentant une action anti-émulsion tel que l'oxyde de nickel ou avec l'addition d'une faible quantité (par exemple, inférieure ou égale à 2,0 mol%) d'un tel composant présentant une action anti-émulsion, dans le cas où le composant est ajouté. Par conséquent, le résultat "très bon" est donné lorsque de l'oxyde de nickel n'est pas ajouté, le résultat "bon" est donné lorsque de l'oxyde de nickel est ajouté mais une quantité ajoutée d'oxyde de nickel est inférieure ou égale à 2,0 mol%, et le résultat "mauvais" est donné lorsque la teneur en oxyde de nickel excède 2,0 mol%. (8) Aspect d'évaluation 8 (courant de fuite en sens inverse) Un dispositif semi-conducteur (diode pn) est préparé de la même manière que pour le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1, et un courant de fuite en sens inverse du dispositif semi-conducteur préparé est mesuré. La figure 9 est une vue montrant des courants de fuite en sens inverse sur les exemples. Sur la figure 9, la figure 9(a) est une vue montrant un courant de fuite en sens inverse de l'exemple 1, et la figure 9(b) est une vue montrant un courant de fuite en sens inverse de l'exemple comparatif 5. En résultat de l'évaluation, le résultat "bon" est donné lorsqu'un courant de fuite en sens inverse est inférieur ou égal à 1 tA lorsqu'une tension en sens inverse VR de 600V est appliquée, et le résultat "mauvais" est donné lorsque le courant de fuite en sens inverse IR excède 1 1.1A lorsque la tension en sens -44 - inverse VR de 600V est appliquée. (9) Aspect d'évaluation 9 (résistance en polarisation inverse à haute température) Un dispositif semi-conducteur du type scellé dans de la résine est formé par moulage d'un dispositif semi-conducteur qui est préparé par un procédé sensiblement identique au procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon le mode de réalisation 1. Le dispositif semi-conducteur du type scellé dans la résine est soumis à un essai de résistance en polarisation inverse à haute température, et la résistance en polarisation inverse à haute température est mesurée. L'essai résistance en polarisation inverse à haute température est mis en oeuvre de telle sorte qu'un spécimen est placé dans un appareil de contrôle de polarisation à haute température/bain à température constante dans lequel un état de température est réglé à 175°C, et un courant en sens inverse est mesuré toutes les 5 minutes pendant plus de 20 heures dans un état dans lequel un potentiel de 600V est appliqué entre une électrode d'anode et une électrode de cathode. La figure 10 est une vue montrant un résultat de l'essai en polarisation inverse à haute température. Sur la figure 10, une trait plein indique un courant de fuite en sens inverse par rapport à un spécimen préparé en utilisant la composition de verre de l'exemple 1, et un trait discontinu indique un courant de fuite en sens inverse par rapport à un spécimen préparé en utilisant la composition de verre de l'exemple comparatif 1. Comme cela est montré sur la figure 10, il est mis en évidence que par rapport au spécimen préparé en utilisant la composition de verre de l'exemple comparatif 1, un courant de fuite en sens inverse augmente immédiatement après que l'essai en polarisation inverse à haute température a démarré, de manière simultanée à l'élévation de la température, après cela, le courant de fuite en sens inverse augmente encore en fonction du temps, et atteint une valeur de courant de fuite en sens inverse prédéterminée après une période de 3 heures à partir du début de l'essai en polarisation inverse à haute température de telle sorte que l'essai en polarisation inverse à haute température a été arrêté. Au contraire, il est mis en évidence que, par rapport au spécimen préparé en utilisant la composition de verre de l'exemple 1, bien qu'un courant de fuite en sens inverse - 45 - augmente immédiatement juste après que l'essai en polarisation inverse à haute température a démarré, de manière simultanée à l'élévation de la température, le courant de fuite en sens inverse n'augmente que faiblement après une telle augmentation du courant de fuite en sens inverse. Le résultat "bon" est donné lorsqu'un courant de fuite en sens inverse augmente immédiatement après que l'essai en polarisation inverse à haute température a commencé, de manière simultanée à l'élévation de la température, mais que le courant de fuite en sens inverse n'augmente que faiblement après une telle augmentation du courant de fuite en sens inverse, et le résultat "mauvais" est donnée lorsqu'un courant de fuite en sens inverse augmente immédiatement après que l'essai en polarisation inverse à haute température a commencé, de manière simultanée à l'élévation de température, et que le courant de fuite en sens inverse augmente davantage avec le temps. (10) Aspect d'évaluation 10 (présence ou absence de diffusion de B à partir de la couche de verre) Une couche de composition à base de verre est formée sur une surface d'un substrat de silicium de type n (concentration en impureté : 2,0x1014 cm-3) par un procédé d'électrophorèse et, après cela, une couche de verre est formée par cuisson de la couche de composition à base de verre à une température de 800°C dans une atmosphère d'oxygène humide. En tant que composition de verre, la composition de verre de l'exemple 1 et la composition de verre de l'exemple comparatif 6 sont utilisées. Alors, une surface du substrat de silicium de type n est exposée par élimination de la couche de verre en utilisant de la fluorine. Après cela, la distribution SRP (dispositif d'établissement de profil de résistance de diffusion) est mesurée en utilisant un dispositif de mesure de résistance de diffusion (SSM2000 produit par Japan SSM Co; Ltd.) dans le sens de la profondeur à partir d'une surface du substrat de silicium de type n, et la concentration en impureté est calculée sur la base de la résistance de diffusion obtenue.
La figure 11 est une vue montrant la répartition de la concentration en impureté dans le sens de la profondeur à partir d'une surface d'un substrat en - 46 - silicium. Sur la figure 11, un trait plein indique la distribution de la concentration en impureté par rapport à un spécimen préparé en utilisant la composition de verre de l'exemple 1, et un trait discontinu indique la distribution de la concentration en impureté par rapport à un spécimen préparé en utilisant la composition de verre de l'exemple comparatif 6. Comme cela est montré sur la figure 11, il est mis en évidence que, dans le spécimen préparé en utilisant la composition de verre de l'exemple comparatif 6, une couche d'impureté de type p présentant une profondeur de 10 nm est formée sur une surface du substrat de silicium. Ceci implique que, dans la composition de verre qui contient à la fois du B (bore) et un métal alcalin, le B (bore) diffuse dans le substrat de silicium à partir de la couche de verre au cours de la cuisson de la composition de verre. Au contraire, il est mis en évidence que, dans le spécimen préparé en utilisant la composition de verre de l'exemple 1, une couche d'impureté de type p n'est pas formée sur la surface du substrat de silicium. Ceci implique que, dans la composition de verre qui ne contient aucun métal alcalin, même lorsque la composition de verre contient du B (bore), le B (bore) ne diffuse pas dans le substrat de silicium à partir de la couche de verre au cours de la cuisson de la composition à base de verre. Par conséquent, le résultat "bon" est donné lorsque la composition de verre est la composition de verre qui contient du B (bore) mais ne permet pas la diffusion du B (bore) dans le substrat de silicium à partir de la couche de verre au cours de la cuisson de la composition de verre, et le résultat "mauvais" est donné lorsque la composition de verre est la composition de verre dans laquelle du B (bore) est diffusé dans le substrat de silicium de la couche de verre au cours de la cuisson de la composition de verre. (10) Evaluation globale Le résultat "bon" est donné lorsque "correct" ou "mauvais" n'est donné par rapport à aucun des aspects d'évaluation 1 à 10 mentionnés précédemment, et le résultat "mauvais" est donné lorsque "correct" ou "mauvais" est donné par rapport à au moins l'un des aspects d'évaluation 1 à 10 mentionnés précédemment. 3. Résultat d'évaluation Comme on peut le découvrir à partir de la figure 5, le résultat "mauvais" est - 47 - donné à tous les exemples comparatifs 1 à 6 par rapport à l'un quelconque des aspects d'évaluation de telle sorte que l'évaluation globale de "mauvaise" est donnée à l'ensemble des exemples comparatifs 1 à 6. C'est-à-dire, que le résultat "mauvais" est donné à l'exemple comparatif 1 par rapport aux aspects d'évaluation 1, 9. Le résultat "mauvais" est donné à l'exemple comparatif 2 par rapport à l'aspect d'évaluation 3. Le résultat "mauvais" est donné à l'exemple comparatif 3 par rapport à l'aspect d'évaluation 6. Le résultat "mauvais" est donné à l'exemple comparatif 4 par rapport aux aspects d'évaluation 5, 7. Le résultat "mauvais" est donné à l'exemple comparatif 5 par rapport à l'aspect d'évaluation 8. Le résultat "mauvais" est donné à l'exemple comparatif 6 par rapport aux aspects d'évaluation 8, 10. Au contraire, le résultat "bon" est donné à l'exemple 1 par rapport à tous les aspects d'évaluation (aspects d'évaluation 1 à 10), et le résultat "bon" ou "très bon" est donné aux exemples 2 à 11 par rapport aux aspects d'évaluation 1 à 9. En conséquence, il est mis en évidence que l'ensemble des procédés de fabrication d'un dispositif semi-conducteur des exemples 1 à 11 sont des procédés de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui permettent de fabriquer un dispositif semi-conducteur capable de satisfaire l'ensemble des conditions (a) à (d) suivantes en utilisant des matériaux à base de verre ne contenant pas de plomb, c'est-à-dire, la condition (a) que le matériau à base de verre peut être cuit à une température appropriée (par exemple, inférieure ou égale à 900°C), la condition (b) que le matériau à base de verre peut résister aux agents chimiques utilisés dans les étapes, la condition (c) que le matériau à base de verre présente un coefficient de dilatation linéaire proche d'un coefficient de dilatation linéaire du silicium (en particulier, un coefficient de dilatation linéaire moyen à une température de 50°C à 550°C qui est proche d'un coefficient de dilatation linéaire du silicium à une température de 50°C à 550°C), et la condition (d) que le matériau à base de verre présente d'excellentes propriétés d'isolation. Il a été mis en évidence que tous les procédés de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon les exemples 1 à 11 sont des procédés de fabrication d'un dispositif semi-conducteur qui permettent de fabriquer un dispositif - 50 - procédé d'oxydation thermique qui utilise de l'oxygène sec (02 sec). Toutefois, la présente invention n'est pas limitée à un tel cas. Par exemple, une couche d'isolation constituée par un film d'oxyde de silicium peut être formée par un procédé d'oxydation thermique qui utilise de l'oxygène et de l'azote secs (02 + N2 sec). Une couche d'isolation constituée par un film d'oxyde de silicium peut être formée par un procédé d'oxydation thermique qui utilise l'oxygène humide (02 humide). Une couche d'isolation constituée par un film d'oxyde de silicium peut être constituée par un procédé d'oxydation thermique qui utilise l'oxygène de et de l'azote humides (02+ N2 humide)). Une couche d'isolation constituée par un film d'oxyde de silicium peut être formée par un procédé de dépôt CVD. De plus, une couche d'isolation constituée par un film autre qu'un film d'oxyde de silicium (par exemple, une couche d'isolation constituée par un film de nitrure de silicium) peut être formée. (5) Dans les modes de réalisation respectifs mentionnés précédemment la présente invention a été expliquée en prenant une diode (diode pn de type me sa, diode pn de type planaire) comme exemple. Toutefois, la présente invention n'est pas limitée à un tel cas. La présente invention est aussi applicable à des types quelconques de dispositifs semi-conducteurs dans lesquels une jonction pn est exposée (par exemple, un thyristor, un transistor de puissance MOSFET, un transistor IGBT et similaire). (6) Dans les modes de réalisation respectifs mentionnés précédemment un substrat à base de silicium est utilisé en tant que substrat semi-conducteur. Toutefois, la présente invention n'est pas limitée à un tel cas. Par exemple, un substrat semi-conducteur tel qu'un substrat à base de SiC, un substrat à base de GaN ou un substrat à base de Ga0 peut être aussi utilisé. (7) Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et le dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est désirable d'utiliser la composition à base de verre qui cristallise difficilement dans l'étape de cuisson de la couche de composition à base de verre. Avec l'utilisation d'une telle composition de verre, un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse peut être fabriqué d'une manière stable. Sous cet aspect, la - 48 - semi-conducteur pouvant aussi satisfaire les conditions (e) à (i) suivantes en utilisant des matériaux à base de verre ne contenant pas de plomb, c'est-à-dire, la condition (e) que le matériau à base de verre ne cristallise pas dans l'étape de vitrification, la condition (f) que l'occurrence d'un état dans lequel une caractéristique de résistance au claquage en sens inverse du dispositif semi-conducteur est dégradée est supprimée en supprimant la génération des bulles de qui peuvent être produites à partir d'une surface de séparation entre un corps de base semi-conducteur et la couche de verre dans l'étape de formation de couche de verre en faisant cuire "une couche d'une composition à base de verre" formée par un procédé d'électrophorèse, la condition (g) qu'une quantité supplémentaire de NiO (oxyde de nickel) peut être supprimée à 2,0 mol% ou moins en résultat de la suppression de la dégradation d'une caractéristique de résistance au claquage en sens inverse du dispositif semi-conducteur, la condition (h) qu'un courant de fuite en sens inverse est faible, et la condition (i) que le matériau à base de verre présente une résistance de polarisation inverse élevée à haute température. Comme cela est montré sur la figure 9(b), bien que le dispositif semi-conducteur réalisé par le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur de l'exemple comparatif 5 présente un courant en sens inverse supérieur à celui du dispositif semi-conducteur réalisé par le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur de l'exemple 1, le dispositif semi-conducteur réalisé par le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur de l'exemple comparatif 5 présente un courant en sens inverse approximativement égal à 4,0 IJA lorsqu'une tension en sens inverse VR de de 600V est appliquée et, par conséquent, le dispositif semi-conducteur réalisé par le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur de l'exemple comparatif 5 présente un niveau suffisamment utilisable en fonction de l'utilisation. Bien que le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et un tel dispositif semi-conducteur selon la présente invention aient été expliqués jusqu'ici 30 en relation avec les modes de réalisation mentionnés précédemment, la présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation mentionnés précédemment, et - 49 - différentes modifications de la présente invention peuvent être mises en oeuvre coffiportant, par exemple, les modifications suivantes sans s'écarter de la portée de la présente invention. (1) Dans les modes de réalisation respectifs mentionnés précédemment, la couche de verre est formée en utilisant la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice décrite dans le mode de réalisation 1. Toutefois, la présente invention n'est pas limitée à un tel cas. La couche de verre peut être formée en utilisant la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice ne contenant pas de NiO (oxyde de nickel). (2) Dans les modes de réalisation respectifs mentionnés précédemment la couche de verre est formée par un procédé d'électrophorèse. Toutefois, la présente invention n'est pas limitée à un tel cas. Par exemple, la couche de verre peut être réalisée par un procédé de revêtement centrifuge, un procédé d'impression par sérigraphie ou d'autres procédés de formation de couche de verre. (3) Dans les modes de réalisation respectifs mentionnés précédemment la couche de verre est formée par un procédé d'électrophorèse tout en ajustant une épaisseur de la couche d'isolation dans une plage de 5 nm à 60 nm. Toutefois, la présente invention n'est pas limitée à un tel cas. Par exemple, la couche de verre peut être réalisée par un procédé de revêtement centrifuge, un procédé d'impression par sérigraphie ou d'autres procédés de formation de couche de verre tout en ajustant une épaisseur de la couche d'isolation dans une plage de 5 nm à 100 nm. Dans ce cas, lorsqu'une épaisseur de la couche d'isolation est inférieure à 5 nm, il existe une possibilité qu'un effet de réduction de courant inverse ne peut pas être obtenu. D'autre part, lorsqu'une épaisseur de la couche d'isolation excède 100 nm, il existe une possibilité qu'une couche d'une composition à base de verre de qualité élevée ne peut pas être réalisée par un procédé de revêtement centrifuge, un procédé d'impression par sérigraphie ou d'autres procédés de formation de couche de verre dans l'étape de formation de couche de verre suivante. (4) Dans les modes de réalisation respectifs mentionnés précédemment une couche d'isolation constituée par un film d'oxyde de silicium est formée par un -51 - présente invention diffère du procédé décrit dans JP-A-63-117929 dans lequel la composition de verre est transformée en un corps de céramique vitrifiée présentant une cristallinité élevée à l'étape de cuisson d'une couche de verre. (8) Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et le dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est désirable d'utiliser un matériau de base qui ne contient sensiblement pas de Bi. Avec l'utilisation d'un tel matériau de base, la cristallisation de la couche de verre se produit difficilement dans l'étape de cuisson de la couche de composition à base de verre et, par conséquent, un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse peut être fabriqué d'une manière stable. Sous cet aspect, la présente invention diffère du procédé décrit dans JP-A-2005-525287 dans lequel un matériau de base qui contient du Bi est utilisé. (9) Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et le dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est désirable d'utiliser un matériau de base qui ne contient sensiblement pas de Cu. Avec l'utilisation d'un tel matériau de base, la cristallisation de la couche de verre se produit difficilement dans l'étape de cuisson de la couche de composition à base de verre. Dans ce cas aussi, un dispositif semi-conducteur présentant un faible courant de fuite en inverse peut être fabriqué d'une manière stable. Sous cet aspect, la présente invention diffère du procédé décrit dans JP-A-2001-287984 dans lequel un matériau de base qui contient du Cu est utilisé. (10) Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et le dispositif semi-conducteur selon la présente invention, un matériau de base qui ne contient sensiblement pas de Li ni de Pb est utilisé. Sous cet aspect, la présente invention diffère du procédé décrit dans JP-A-2002-16272 dans lequel un matériau de base qui contient du Li et du Pb est utilisé. (11) Dans JP-A-53-36463, il est décrit un procédé dans lequel du verre à base de zinc (verre contenant une plus grande quantité d'oxyde de zinc) est utilisé en tant que couche de verre afin d'assurer la passivation. Toutefois, le verre à base de zinc présente une faible résistance chimique (voir exemple comparatif 2 dans les exemples mentionnés précédemment) et, par conséquent, le verre à base de - 52 - zinc ne peut pas être facilement utilisé dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et le dispositif semi-conducteur selon la présente invention. (12) Dans le procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur et le dispositif semi-conducteur selon la présente invention, il est désirable d'utiliser un matériau de base qui ne contient sensiblement pas de P. Avec l'utilisation d'un tel matériau de base, il est possible d'empêcher la diffusion du phosphore (P) dans le corps de base semi-conducteur à partir de la couche de verre à l'étape de cuisson de la couche de composition à base de verre et, par conséquent, un dispositif semi-conducteur de grande fiabilité peut être fabriqué. Explication des références numériques : 100, 200, 900: dispositif semi-conducteur, 110, 910: substrat semi-conducteur de type n-, 112, 912 : couche de diffusion de type p+, 114, 914: couche de diffusion de type n-, 116, 118, 916, 918 : film d'oxyde, 120, 920: tranchée, 121, 218 : couche d'isolation, 124, 220, 924 : couche de verre, 126, 926: agent photorésistant, 130, 930 : partie sur laquelle le film d'électrode par métallisation de Ni doit être formé, 132, 932 : zone de surface rugueuse, 134, 934: électrode d'anode, 136, 936: électrode de cathode, 210: substrat semi-conducteur de type n+, 212: couche épitaxiale de type n-, 214: couche de diffusion de type p+, 216: couche de diffusion de type n+, 222: couche d'électrode d'anode, 224 : couche d'électrode de cathode, b : bulles
Claims (20)
- REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant, selon l'ordre suivant : une première étape de préparation d'un élément semi-conducteur qui comporte une partie d'exposition de jonction pn dans laquelle une jonction pn est exposée ; une deuxième étape de formation d'une couche d'isolation de telle sorte que la couche d'isolation recouvre la partie d'exposition de jonction pn ; et une troisième étape de formation d'une couche de verre sur la couche d'isolation dans laquelle une couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est formée sur la couche d'isolation et, ensuite, la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est cuite, dans lequel la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice composée de fines particules de verre préparées à partir d'un matériau à l'état fondu qui est obtenu en faisant fondre un matériau de base qui contient au moins du SiO2, de l'A1203, du B203, du ZnO, et au moins deux oxydes de métaux alcalino-terreux sélectionnés à partir d'un groupe constitué par le CaO, le MgO et le BaO, et ne contient sensiblement pas de Pb, d'As, de Sb, de Li, de Na et de K, et la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice ne contient aucun des composants qui constituent le matériau de base sous la forme d'une charge.
- 2. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel, dans la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice, la teneur en SiO2 est comprise dans une plage de 41,1 mol% à 61,1 mol%, la teneur en A1203 est comprise dans une plage de 7,4 mol% à 17,4 mol%,- 54 - la teneur en B203 est comprise dans une plage de 5,8 mol% à 15,8 mol%, la teneur en ZnO est comprise dans une plage de 3,0 mol% à 24,8 mol%, et la teneur en oxyde d'un métal alcalino-terreux est comprise dans une plage de 5,5 mol% à 15,5 mol%.
- 3. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel, dans la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice, la teneur en Si02 est comprise dans une plage de 49,5 mol% à 64,3 mol%, la teneur en B203 est comprise dans une plage de 8,4 mol% à 17,9 mol%, 10 la teneur en A1203 est comprise dans une plage de 3,7 mol% à 14,8 mol%, la teneur en ZnO est comprise dans une plage de 3,9 mol% à 14,2 mol%, et la teneur en oxyde d'un métal alcalino-terreux est comprise dans une plage de 7,4 mol% à 12,9 mol%.
- 4. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon l'une 15 quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice ne contient sensiblement pas d'élément multivalent tel qu'un agent anti-émulsion.
- 5. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 4, dans lequel aucun élément parmi V, Mn, Sn, Ce, Nb et Ta n'est 20 contenu dans la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice en tant qu'élément multivalent.
- 6. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le matériau de base ne contient sensiblement pas de P. 25
- 7. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le matériau de base ne contient sensiblement pas de Bi.
- 8. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la composition à base de verre 30 destinée à protéger une jonction semi-conductrice ne contient sensiblement pas de- 55 - liant organique.
- 9. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel la couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est cuite à une 5 température de 900°C ou inférieure au cours de la troisième étape.
- 10. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel la couche d'isolation est à- base d'oxyde de silicium.
- 11. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon l'une 10 quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la couche d'isolation est formée avec une épaisseur qui est comprise dans une plage de 5 nm à 100 nm au cours de la deuxième étape.
- 12. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la couche d'une composition à 15 base de verre est formée par un procédé d'électrophorèse au cours de la troisième étape.
- 13. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 12, dans lequel la couche d'isolation est formée avec une épaisseur qui est comprise dans une plage de 5 nm à 60 nm au cours de la deuxième étape. 20
- 14. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel la première étape comprend : une étape de préparation d'un corps de base semi-conducteur comportant une jonction pn agencée parallèlement à une surface principale du corps de base semi-conducteur ; et une étape de formation d'une 25 tranchée présentant une profondeur qui dépasse la jonction pn à partir d'une surface du corps de base semi-conducteur formant ainsi la partie d'exposition de jonction pn sur une surface interne de la tranchée, la deuxième étape comporte une étape de formation de couche d'isolation sur la surface interne de la tranchée de telle sorte que la couche d'isolation 30 recouvre la partie d'exposition de jonction pn, et la troisième étape comporte une étape de formation de la couche de verre- 56 - sur la couche d'isolation.
- 15. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 14, dans lequel la couche d'isolation est formée par un procédé d'oxydation thermique au cours de la deuxième étape.
- 16. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 14, dans lequel la couche d'isolation est formée par un procédé de dépôt au cours de la deuxième étape.
- 17. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel la première étape comporte une étape de formation de la partie d'exposition de jonction pn sur une surface d'un corps de base semi-conducteur, la deuxième étape comporte une étape de formation de couche d'isolation sur la surface du corps de base semi-conducteur de telle sorte que la couche d'isolation recouvre la partie d'exposition de jonction pn, et la troisième étape comporte une étape de formation de la couche de verre sur la couche d'isolation.
- 18. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 17, dans lequel la couche d'isolation est formée par un procédé d'oxydation thermique au cours de la deuxième étape.
- 19. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 17, dans lequel la couche d'isolation est formée par un procédé de dépôt au cours de la deuxième étape.
- 20. Dispositif semi-conducteur comprenant : un élément semi-conducteur qui comporte une partie d'exposition de jonction pn dans laquelle une jonction pn est exposée ; une couche d'isolation qui est formée de telle sorte que la couche d'isolation recouvre la partie d'exposition de jonction pn ; et une couche de verre qui est formée sur la couche d'isolation, la couche de verre étant formée de telle sorte qu'une couche d'une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est formée sur la couche d'isolation et, ensuite, la couche d'une composition à base de- 57 - verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est cuite, dans lequel la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice est une composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice composée de fines particules de verre préparées à partir d'un matériau à l'état fondu qui est obtenu en faisant fondre un matériau de base qui contient au moins du Si02, de l'Al203, du B203, du ZnO, et au moins deux oxydes de métaux alcalino-terreux sélectionnés à partir d'un groupe constitué par le CaO, le MgO et le BaO, et ne contient sensiblement pas de Pb, d'As, de Sb, de Li, de Na et de K, et la composition à base de verre destinée à protéger une jonction semi-conductrice ne contient aucun des composants qui constituent le matériau de base sous la forme d'une charge.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019186010A1 (fr) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | Soitec | Substrat pour applications radiofrequences et procede de fabrication associe |
| FR3145646A1 (fr) * | 2023-02-08 | 2024-08-09 | Stmicroelectronics International N.V. | Formation d'un composant électronique de puissance |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2013168521A1 (ja) * | 2012-05-08 | 2016-01-07 | 新電元工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| JP6588028B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2019-10-09 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及びレジストガラス |
| KR101851884B1 (ko) | 2014-11-13 | 2018-04-24 | 신덴겐코교 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 및 유리 피막 형성 장치 |
| WO2017134808A1 (fr) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 新電元工業株式会社 | Procédé pour production de dispositif à semi-conducteurs |
| CN108604550B (zh) * | 2016-11-25 | 2021-08-31 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法以及半导体装置 |
| CN108352322B (zh) * | 2016-11-25 | 2021-08-27 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法以及半导体装置 |
| WO2018193554A1 (fr) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | 新電元工業株式会社 | Procédé de production de dispositif à semi-conducteur |
| JP7461210B2 (ja) | 2020-05-14 | 2024-04-03 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2458144A1 (fr) * | 1979-05-29 | 1980-12-26 | Thomson Csf | Structure de passivation d'un affleurement de jonction semi-conductrice et son procede de fabrication |
| FR2487576A1 (fr) * | 1980-07-24 | 1982-01-29 | Thomson Csf | Procede de fabrication de diodes mesa glassivees |
| DE3247938A1 (de) * | 1982-12-24 | 1984-07-05 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Halbleiterbauelement hoher sperrspannungsbelastbarkeit |
| US4727048A (en) * | 1981-03-16 | 1988-02-23 | Fairchild Camera & Instrument Corporation | Process for making isolated semiconductor structure |
| JPH01186629A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-26 | Rohm Co Ltd | メサ型半導体素子の製造方法 |
| EP1837908A1 (fr) * | 2006-03-22 | 2007-09-26 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Dispositif à semi-conducteur de puissance doté d'une couche de passivation secondaire et procédé de fabrication correspondant |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1180908A (en) | 1966-11-17 | 1970-02-11 | English Electric Co Ltd | Improvements in or relating to processes for Forming an Insulating Coating on Silicon, and to Coated Silicon |
| JPS5240071A (en) * | 1975-09-26 | 1977-03-28 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS5951137B2 (ja) | 1976-09-16 | 1984-12-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5393783A (en) * | 1977-01-26 | 1978-08-17 | Nec Home Electronics Ltd | Mesa type semiconductor device |
| JPS5526656A (en) * | 1978-08-17 | 1980-02-26 | Hitachi Ltd | Semiconductor element coverd with glass |
| JPS57202742A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-11 | Toshiba Corp | Glass for semiconductor coating |
| US4714687A (en) | 1986-10-27 | 1987-12-22 | Corning Glass Works | Glass-ceramics suitable for dielectric substrates |
| JPH02163938A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-25 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JPH05336463A (ja) | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Sony Corp | テレビジョン受像機 |
| JP3339549B2 (ja) | 1996-10-14 | 2002-10-28 | 株式会社日立製作所 | ガラス被覆半導体装置及びその製造方法 |
| JP2001220230A (ja) | 2000-02-09 | 2001-08-14 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JP2002016272A (ja) | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| JP3943341B2 (ja) | 2001-02-23 | 2007-07-11 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスセラミックス組成物 |
| US7740899B2 (en) * | 2002-05-15 | 2010-06-22 | Ferro Corporation | Electronic device having lead and cadmium free electronic overglaze applied thereto |
| JP4022113B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2007-12-12 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP4736342B2 (ja) * | 2004-04-09 | 2011-07-27 | 株式会社村田製作所 | ガラスセラミック原料組成物、ガラスセラミック焼結体およびガラスセラミック多層基板 |
| US7843302B2 (en) * | 2006-05-08 | 2010-11-30 | Ibiden Co., Ltd. | Inductor and electric power supply using it |
| DE102006062428B4 (de) * | 2006-12-27 | 2012-10-18 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung eines mit einem bleifreien Glas passiviertenelektronischen Bauelements sowie elektronisches Bauelement mit aufgebrachtem bleifreien Glas und dessen Verwendung |
| KR101683882B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2016-12-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 고효율 실리콘 태양전지 전면전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 실리콘 태양전지 |
| JP5416631B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-02-12 | 株式会社日立製作所 | アルミニウム電極配線用のガラス組成物と導電性ペースト、そのアルミニウム電極配線を具備する電子部品、及び、この電子部品の製造方法 |
-
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2458144A1 (fr) * | 1979-05-29 | 1980-12-26 | Thomson Csf | Structure de passivation d'un affleurement de jonction semi-conductrice et son procede de fabrication |
| FR2487576A1 (fr) * | 1980-07-24 | 1982-01-29 | Thomson Csf | Procede de fabrication de diodes mesa glassivees |
| US4727048A (en) * | 1981-03-16 | 1988-02-23 | Fairchild Camera & Instrument Corporation | Process for making isolated semiconductor structure |
| DE3247938A1 (de) * | 1982-12-24 | 1984-07-05 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Halbleiterbauelement hoher sperrspannungsbelastbarkeit |
| JPH01186629A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-26 | Rohm Co Ltd | メサ型半導体素子の製造方法 |
| EP1837908A1 (fr) * | 2006-03-22 | 2007-09-26 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Dispositif à semi-conducteur de puissance doté d'une couche de passivation secondaire et procédé de fabrication correspondant |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019186010A1 (fr) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | Soitec | Substrat pour applications radiofrequences et procede de fabrication associe |
| FR3079662A1 (fr) * | 2018-03-30 | 2019-10-04 | Soitec | Substrat pour applications radiofrequences et procede de fabrication associe |
| FR3145646A1 (fr) * | 2023-02-08 | 2024-08-09 | Stmicroelectronics International N.V. | Formation d'un composant électronique de puissance |
| EP4415037A1 (fr) * | 2023-02-08 | 2024-08-14 | STMicroelectronics International N.V. | Formation d'un composant electronique de puissance |
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