KR101683882B1 - 고효율 실리콘 태양전지 전면전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 실리콘 태양전지 - Google Patents
고효율 실리콘 태양전지 전면전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 실리콘 태양전지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101683882B1 KR101683882B1 KR1020090131334A KR20090131334A KR101683882B1 KR 101683882 B1 KR101683882 B1 KR 101683882B1 KR 1020090131334 A KR1020090131334 A KR 1020090131334A KR 20090131334 A KR20090131334 A KR 20090131334A KR 101683882 B1 KR101683882 B1 KR 101683882B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- glass frit
- solar cell
- weight
- front electrode
- composition
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 89
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title abstract description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title abstract description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 71
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 claims description 3
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims 1
- -1 B 2 O 3 Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 abstract description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 5
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 5
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 5
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- GRWFGVWFFZKLTI-IUCAKERBSA-N (-)-α-pinene Chemical compound CC1=CC[C@@H]2C(C)(C)[C@H]1C2 GRWFGVWFFZKLTI-IUCAKERBSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 2
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- CCAFPWNGIUBUSD-UHFFFAOYSA-N diethyl sulfoxide Chemical compound CCS(=O)CC CCAFPWNGIUBUSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000010406 interfacial reaction Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000000550 scanning electron microscopy energy dispersive X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000108 silver(I,III) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 2
- YHQGMYUVUMAZJR-UHFFFAOYSA-N α-terpinene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)CC1 YHQGMYUVUMAZJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTARULDDTDQWMU-RKDXNWHRSA-N (+)-β-pinene Chemical compound C1[C@H]2C(C)(C)[C@@H]1CCC2=C WTARULDDTDQWMU-RKDXNWHRSA-N 0.000 description 1
- WTARULDDTDQWMU-IUCAKERBSA-N (-)-Nopinene Natural products C1[C@@H]2C(C)(C)[C@H]1CCC2=C WTARULDDTDQWMU-IUCAKERBSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGXVIGDEPROXKC-UHFFFAOYSA-N 1,1-dichloroethene Chemical group ClC(Cl)=C LGXVIGDEPROXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKQIUOZMWNWKPB-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxypentyl acetate Chemical compound CCCCC(O)OC(C)=O AKQIUOZMWNWKPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCTXKRPTIMZBJT-UHFFFAOYSA-N 2,2,4-trimethylpentane-1,3-diol Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)CO JCTXKRPTIMZBJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- AVYJGBOSUYQRKR-UHFFFAOYSA-N C(C#C)(=O)O.CC(CO)(C(C(C)C)O)C Chemical compound C(C#C)(=O)O.CC(CO)(C(C(C)C)O)C AVYJGBOSUYQRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- WSTYNZDAOAEEKG-UHFFFAOYSA-N Mayol Natural products CC1=C(O)C(=O)C=C2C(CCC3(C4CC(C(CC4(CCC33C)C)=O)C)C)(C)C3=CC=C21 WSTYNZDAOAEEKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WTARULDDTDQWMU-UHFFFAOYSA-N Pseudopinene Natural products C1C2C(C)(C)C1CCC2=C WTARULDDTDQWMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNRYMXHHKKOAJZ-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2,2-diethyl-4-methylhexane-1,3-diol Chemical compound CC(O)=O.CCC(C)C(O)C(CC)(CC)CO PNRYMXHHKKOAJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- XCPQUQHBVVXMRQ-UHFFFAOYSA-N alpha-Fenchene Natural products C1CC2C(=C)CC1C2(C)C XCPQUQHBVVXMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVNCAPSFBDBCGF-UHFFFAOYSA-N alpha-pinene Natural products CC1=CCC23C1CC2C3(C)C MVNCAPSFBDBCGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229930006722 beta-pinene Natural products 0.000 description 1
- CKQGKSPXCTWTCX-UHFFFAOYSA-N butanoic acid;2,2,4-trimethylpentane-1,3-diol Chemical compound CCCC(O)=O.CC(C)C(O)C(C)(C)CO CKQGKSPXCTWTCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- RHFOYRRUVLOOJP-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;propanoic acid Chemical compound CCOCC.CCC(O)=O RHFOYRRUVLOOJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- LCWMKIHBLJLORW-UHFFFAOYSA-N gamma-carene Natural products C1CC(=C)CC2C(C)(C)C21 LCWMKIHBLJLORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004797 ketoamides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 235000001510 limonene Nutrition 0.000 description 1
- 229940087305 limonene Drugs 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRWFGVWFFZKLTI-UHFFFAOYSA-N rac-alpha-Pinene Natural products CC1=CCC2C(C)(C)C1C2 GRWFGVWFFZKLTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940100890 silver compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003379 silver compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Abstract
본 발명은 실리콘 태양전지 전면전극 형성용 페이스트 조성물에 대한 것으로, 상기 전면전극 형성용 페이스트 조성물에 포함되는 글라스 프릿으로서 PbO, SiO2, B2O3, Al2O3, MgO, ZnO, TiO2, SrO, BaO, ZrO, Fe2O3, Cr2O3, Co2O3 및 MnO2계 화합물을 포함하는 글라스 프릿을 사용하는 고효율 실리콘 태양전지 전면전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 실리콘 전지에 대한 것이다. 본 발명에 따른 글라스 프릿을 포함하는 전면전극 형성용 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 실리콘 태양전지는 고효율의 변환효율을 갖는다.
태양전지, 전면전극 페이스트, 글라스 프릿, 변환효율
Description
본 발명은 실리콘 태양전지 전면전극 형성용 페이스트 조성물에 대한 것으로, 구체적으로는 글라스 프릿으로서 PbO, SiO2, B2O3, Al2O3, MgO, ZnO, TiO2, SrO, BaO, ZrO, Fe2O3, Cr2O3, Co2O3 및 MnO2계 화합물을 포함하는 글라스 프릿을 사용하는 고효율 실리콘 태양전지 전면전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 실리콘 전지에 대한 것이다.
최근 심각한 환경오염 문제와 화석 에너지 고갈로 차세대 청정 에너지 개발에 대한 중요성이 증대되고 있다. 그 중에서 태양전지는 공해가 적고, 자원이 무한적이며 반 영구적인 수명을 갖고 있어 미래 에너지 문제를 해결할 수 있는 에너지원으로 기대되고 있다. 특히, 반도체의 성질을 이용하여 태양빛(photons)을 전기에너지로 변환시키는 태양광 전지에 대한 관심이 높아지고 있으며, 일반적으로 태양전지라고 하면 태양광 전지(이하, 태양전지라 함)를 일컫는다.
태양전지는 다이오드와 같이 p형 반도체와 n형 반도체의 접합 구조를 가지며, 태양전지에 빛이 입사되면 빛과 태양전지의 반도체를 구성하는 물질과의 상호 작용으로 (-) 전하를 띤 전자와 전자가 빠져나가 (+) 전하를 띤 정공이 발생하여 이들이 이동하면서 전류가 흐르게 된다. 이를 광기전력효과(photovoltaic effect)라 하는데, 태양전지를 구성하는 p형및 n형 반도체중 전자는 n형 반도체쪽으로 정공은 p형 반도체쪽으로 끌어 당겨져 각각 n형 반도체 및 p형 반도체와 접합된 전극으로 이동하게 되고, 이 전극들을 전선으로 연결하면 전기가 흐르므로 전력을 얻을 수 있다.
이와 같은 태양전지의 출력 특성은 일반적으로 솔라시뮬레이터를 이용하여 얻어진 출력 전류 전압곡선상에서 출력 전류 Ip와 출력 전압 Vp의 곱 Ip×Vp의 최대값(Pm)을 태양전지로 입사하는 총 광에너지(S×I: S는 소자면적, I는 태양전지에 조사되는 광의 강도)로 나눈 값인 변환효율 η에 의해 평가된다. 태양전지의 변환효율을 향상시키기 위해서는 태양전지의 태양광에 대한 흡수율을 높이고, 캐리어들의 재결합 정도를 줄여야 하며, 반도체 기판 및 전극에서의 저항을 낮추어야 한다. 태양전지에 대한 연구들은 대체로 이들과 관련하여 진행되고 있다.
전면전극의 구조나 조성, 형상 또한 태양전지의 태양광에 대한 흡수율 및 전극 저항과 밀접한 관련이 있으므로 그에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히, 전면전극은 태양전지의 가장 상부에 위치하므로 태양 광을 불가피하게 가리게 되는바, 전면전극의 기능을 저하시키지 않으면서도 그 면적을 최소화하는 것이 중요하다. 전면전극은 전면전극 형성용 금속 페이스트와 반사 방지막과의 계면반응을 통 해서 형성되며, 이때 상기 금속 페이스트에 포함된 은이 고온에서 액상으로 되었다가 다시 고상으로 재결정되면서 글라스 프릿을 매개로 하여 반사 방지막을 관통하는 펀치 스루(punch through) 현상을 통해 n형 실리콘 반도체와 접촉하게 된다.
전면전극의 기능을 최대화하기 위해서는 전면전극을 형성하는 조성물 및 조성물의 비에 대한 연구가 필요하며, 이 중 전면전극의 중요 조성물인 글라스 프릿(Glass frit)에 대한 연구가 활발하다. 종래에는 글라스 프릿 분말과 은 분말을 단순히 혼합하여 금속 페이스트를 제조하였으나, 첨가할 수 있는 금속 산화물이 제한되어 있을 뿐만 아니라, 형성된 전극과 기판과의 사이의 저항의 억제 효과에 한계가 있어, 실리콘 태양 전지 전면전극의 중요(key) 조성물인 글라스 프릿은 최적화되어 있지 않으며, 여전히 전극 페이스트 적용시 고효율을 달성하기 어려운 것이 사실이었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 고효율 실리콘 태양전지 전면전극 형성용 페이스트에 포함되는 글라스 프릿으로서, PbO, SiO2, B2O3, Al2O3, MgO, ZnO, TiO2, SrO, BaO, ZrO, Fe2O3, Cr2O3, Co2O3 및 MnO2계 화합물을 포함하는 글라스 프릿의 조성물 및 조성비를 제공한다.
본 발명의 다른 목적은 상기 글라스 프릿 조성물의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 글라스 프릿 조성물을 포함하는 실리콘 태양전지 전면전극 형성용 페이스트 조성물을 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 전면전극 형성용 페이스트 조성물을 포함하는 실리콘 태양전지의 제조방법을 제공한다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은, 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물에 포함되는 무기물 글라스 프릿에 있어서, 상기 무기물 글라스 프릿은, PbO를 71.8 ~ 78.1 중량%, SiO2 4.9 ~ 12 중량%, B2O3 4.9 ~ 11 중량%, ZnO 0.5 ~ 5 중량%, Fe2O3 0.3 ~ 0.5 중량%, Cr2O3 0.2 ~ 0.5 중량%, Co2O3가 0.1 ~ 0.4 중량% 및 MnO2를 0.3 ~ 0.5 중량% 포함하는 것을 특징한다.
또한, 상기 무기물 글라스 프릿은, Al2O3를 0.1 ~ 5 중량% 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 무기물 글라스 프릿은, MgO를 0.1 ~ 0.2 중량% 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 무기물 글라스 프릿은, TiO2를 0.1 ~ 5 중량% 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 무기물 글라스 프릿은, SrO 또는 BaO 또는 ZrO 중 선택된 1 이상의 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 무기물 글라스 프릿은, Fe2O3, Cr2O3, Co2O3 및 MnO2로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 화합물을 더 포함하는 것을 특징하며, 또한, 상기 무기물 글라스 프릿은, AgO 및 CaO를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 상기 무기물 글라스 프릿을 1 ~ 10 중량%, 도전성 금속 분말을 60 ~ 75 중량%, 유기물 비히클이 10 ~ 20 중량%, 기타 분산제 및 용매 1 ~ 10 중량%가 포함된 혼합물인 것을 특징으로 하는 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물을 제공한다.
상기 유기 바인더는 셀룰로오스, 부틸카르비톨 및 터피네올로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징하며,
또한, 본 발명은 상기 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물을 사용하여 제작된 것을 특징으로 하는 태양전지 솔라 셀(solar cell)을 제공한다.
본 발명에 따른 글라스 프릿을 포함하는 전면전극 형성용 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 실리콘 태양전지는 고효율의 변환효율을 갖는다.
태양전지는 구성 성분들의 혼합물로 구성된 페이스트로 만들어진 전면 전극을 포함한다. 이들 혼합물은 열처리에 앞서, 고체 성분 및 유기물 성분을 포함한다. 상기 고체 성분은 도전성 금속 및 글라스 프릿을 포함한다.
본 발명의 전면전극 형성용 페이스트 조성물은, (a) 60 내지 75 중량%의 도전성 분말과 (b) 1 내지 10 중량%의 무기물 글라스 프릿을 포함하며, (c) 유기 용액(비히클 Vehicle)을 10 내지 20중량% 포함하고 (d) 기타 분산제 및 용매를 1 내지 10 중량% 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 상기 전면전극 형성용 페이스트 조성물의 주요성분에 대해 자세히 설명한다.
(a)도전성 금속 분말
본 발명에 있어서, 도전성 금속 분말은 종래 공지된 도전성 분말을 사용할 수 있으며, 구형 분말Size (0.5 ~ 4um) 및 Flake 분말을 사용한다. 예를 들면 은(Ag) 분말이나, 산화은, 은 합금 또는 은 화합물 또는 소성에 의해 은 분말의 석출이 가능한 물질의 포함도 가능하다. 이것들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용될 수 있지만, 바람직하게는 은 분말을 사용하는 것이 좋다. 이 경우, 은 분말은 플레이크상을 이용하여 공지의 수단에 따라 분말로 만들어 첨가하는 것이 가능하 다. 은 분말의 입경은 크기가 클수록 소결 속도는 늦어지게 되는바, 원하는 소결 속도와 전극을 형성하는 공정에 있어서의 영향 등을 고려하여 임으로 설정이 가능하다. 본 발명에서의 은 분말의 입경의 크기는 0.5um 내지 4um의 크기를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 은 분말의 순도는 전극으로서 통상 요구되는 조건을 만족시키기 위한 순도라면 특별히 한정하지 않을 것이나, 본 발명에 사용되는 은 분말의 경우는 순도가 90% 이상이 되도록 하고 바람직하게는 95% 이상이 되는 것이 좋다.
본 발명의 페이스트 조성물에 포함되는 은 분말은 60 내지 75 중량%로 포함될 것을 요한다. 은(Ag) 분말 성분이 60 중량% 미만인 경우는 상분리가 되거나 점도가 낮아져서 인쇄성의 문제가 있고, 75 중량%를 초과할 경우에는 점도가 높아서 인쇄성이 어려워지고 가격이 상승되는 문제가 있기 때문이다.
(b) 글라스
프릿
(
Glass
Frit
) 조성물
전면전극용 페이스트 조성물에 포함되는 글라스 프릿은 도전성 금속과 혼합되어 소결시 도전성 금속이 기판에 강하게 접착할 수 있도록 하는 역할을 한다. 이를 위해 종래 글라스 프릿은, 한정된 산화물을 포함하여 도전성 금속, 주로 은 분말과 단순히 혼합하여 사용되어 왔다.
종래 글라스 프릿의 주요 성분으로는, 최소한 PbO 및 SiO2를 포함하는 산화물 융해 원료가 주로 이용되었다. 글라스 프릿을 구성하는 물질로 2 이상의 조성물 이 존재하는 경우, 이들의 조성 및 비율의 선택이 상기 태양전지 컨택의 성질에 영향을 준다.
이에 본 발명은, 종래 글라스 프릿에 이용되는 산화물 이외에 B2O3, Al2O3, MgO, ZnO, TiO2, SrO, BaO, ZrO, Fe2O3, Cr2O3, Co2O3 및 MnO2계 조성물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 글라스 프릿을 제공한다.
본 발명의 글라스 프릿은 종래 물질로서 PbO를 71.8 내지 78.1 중량% 포함하고 SiO2를 4.9 내지 12중량%, B2O3를 4.9 내지 11중량% 포함한다. 이들의 상기 조성비는 태양 전지의 컨택을 형성함에 있어, 실리콘 내부로 침투되는 은의 양을 조절 및 SiN층을 에칭하여 태양전지의 특성을 조절하도록 한다.
본 발명에 따른 글라스 프릿에는 여기 전압 효과의 개선을 위해 Fe2O3, Cr2O3, Co2O3 및 MnO2 중 선택된 1종 이상의 화합물을 포함한다. 여기 전압이란, 기저상태의 원자나 분자를 충돌시켜 여기 하는데에 필요한 최소 에너지를 정지상태의 전자에 주기 위하여 필요한 최소 전압을 말하는 것으로, 본 발명에 따른 글라스 프릿은 Fe2O3, Cr2O3, Co2O3 또는 MnO2중 선택된 1이상의 화합물을 포함함으로써, Excitation Voltage 낮아 효율이 개선된다. 하여 여기전압 효과를 개선 시킬 수 있고 이로 인하여 태양전지 효율 또한 개선 시키는 효과를 일으킨다.
이때, 포함되는 Fe2O3의 조성비는 0.3 내지 0.5 중량% 임이 바람직하다. Cr2O3를 포함할 경우, 0.2 내지 0.5 중량% 또는 Co2O3의 경우는 0.1 내지 0.4중량%, MnO2는 0.3 내지 0.5 중량% 포함됨이 바람직하다.
글라스 프릿에 포함되는 상기 조성물들의 범위는, Screen Test 이후에 유리 전이온도 및 특성변화에 최소한으로 영향을 주는 범위를 선정하여 효율개선을 영향을 주는 범위이다.
한편, 본 발명에 따른 글라스 프릿은, 상기 조성물을 포함하는 글라스 프릿에 Al2O3를 더 포함할 수 있다. Al2O3은 글라스 프릿에 포함되어 글라스 프릿과 은(Ag) 분말의 콘택효과(contact effect)를 향상시킨다.
Al2O3은 글라스 프릿 전체 조성물에 0.1에서 5 중량% 포함되는 것이 바람직하다. Al2O3가 0.1 중량% 미만을 포함될 경우에는 상기 콘택 효과가 충분히 발휘되지 아니하며, 5 중량%를 초과하여 포함될 경우에는 유리 전이온다가 상승 및 유리 용융이 어려운 문제가 있다.
본 발명에 따른 글라스 프릿은 또한, 광흡수 계수의 향상 효과 및 Rsh을 높이고 Rs를 낮추기 위하여 SrO, BaO 또는 ZrO 중 선택된 1종 이상을 더 포함할 수 있다. 태양 전지의 전기적 특성은 직렬저항(Rs) 및 분로 저항(Rsh)에 의해 특징 지어지며, 전면 전극의 계면의 조성 및 미세 구조는 직렬저항을 좌우한다. 상기 본 발명에 따른 전면전극용 페이스트 조성물에 포함되는 SrO, BaO 또는 ZrO는 가능한한 태양광을 많이 흡수하여야 변환효율이 개선되므로 이러한 광흡수 계수를 향상시킬 수 있는 재료로서 본 발명에 포함된다. 직렬 저항(Rs)을 낮추는 효과 및 분로저항(Rsh)을 높이는 효과를 발휘하도록 하여, 태양전지의 효율 향상에 기여한다.
상기 SrO는 0.1 내지 5중량% 포함됨이 바람직하고, BaO나 ZrO 또한, 0.1 내지 5 중량%로 포함됨이 바람직하다.
본 발명에 따른 글라스 프릿 조성물은 또한, 은의 결정화 효과를 향상시키기 위하여 AgO 1wt% 첨가하여 Metalization 이후 Ag가 석출되어 효율 개선에 기여하도록 포함하였으며, CaO 2wt%를 더 포함하여 유리 전이온도을 조절하기 위해 첨가하였다.
본 발명에 따른 글라스 프릿은 또한, 실리콘 태양전지의 신뢰성의 향상을 위하여 Li2O, Na2O 또는 K2O와 같은 알칼리계 화합물을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 상기 알칼리계 화합물은 페이스트에 포함되어 Ag Migration 및 변색되는 영향 및 문제점이 있어서 신뢰성 향상을 위해서는 본 발명의 글라스 프릿에 포함되지 않는 것이 바람직하다.
상기와 같은 조성물 및 조성비로 이루어진 본 발명에 따른 글라스 프릿은 전면전극 형성용 페이스트 조성물에 1 내지 10중량%로 포함한다. 상기 글라스 프릿이 1중량% 미만으로 포함될 경우에는 첨가 효과가 부족한 문제가 있으며, 반대로 10중량% 초과하여 포함되는 경우에는 SiN층이 과에칭되는 문제가 있어 바람직하지 않다.
본 발명에 따른 페이스트 조성물은 전술한 각 성분을 혼합하고 전극을 형성하는 공정에 있어서 최적의 특성을 얻기 위하여 분말의 혼합물을 페이스트 상으로 제조하기 위하여 바인도로 유기 비히클을 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 유기 바인더에는 종래 공지되어 당분야에서 사용되는 유기 바인더라면 제한 없이 사용 가능하다. 예를 들면 폴리머(polymer) 용액이 바람직하다. 폴리머 용액으로서는,에틸 셀룰로오스(ethyl cellulose), 에틸 히드록시 에틸 셀룰로오스(ethyl hydroxy ethyl cellulose),에틸 셀룰로오스(ethyl cellulose)와 페놀(phenol) 수지와의 혼합물, 폴리 메타크릴레이트(poly methacrylate) 등을 들 수 있다. 폴리머(polymer)를 녹이는 용매의 예로서는, 테트라하이드로푸란(tetrahydrofuran), 프란(franc),테토라히도로피란, 피란, 디옥산(dioxane), 1,3-디옥소런(dioxo run), 토리오키산 등의 환상 에테르(ether)계 화합물; N,N-디메틸 포름아미드(dimethyl formamide), N,N-디메틸 아세트아미드(dimethyl acetamide) 등의 디알킬 케토 아미드(dialkyl keto amide)계 화합물;디메틸 설폭시드(dimethyl sulfoxide), 디에틸 설폭시드 (diethyl sulfoxide) 등의 디알킬 설폭시드(dialkyl sulfoxide)계 화합물; 아세톤(acetone), 메틸 에틸 케톤(methyl ethyl ketone), 디에틸 케톤(diethyl ketone) 등의 케톤(ketone)계 화합물; 에탄올(ethanol), 2-프로판올(propanol), 1-부탄올(butanol), 타피네올 등의 알코올(alcohol)계 화합물; 디클로로 에틸렌(dichloro ethylene), 디클로로에탄(dichloroethane), 디클로로 벤젠(dichloro benzene) 등의 염소화 탄화 수소계 화합물, 2,2,4-트리메틸(trimethyl)-1,3-
펜탄지올모노아세테토, 2,2,4-트리메틸(trimethyl)-1,3-펜탄지올모노프로피오레토, 2,2,4-트리메틸(trimethyl)-1,3-펜탄지올모노부치레토, 2,2,4-트리메틸(trimethyl)-1,3-펜탄지올모노이소부치레토, 2,2,4-토리에칠-1,3-펜탄지올모노아세테토 등의 다가 알코올의 에스테르(ester)계
화합물; α-테르피넨(terpinene), 밀센, 아로오시멘, 리모넨(limonene), 디펜텐(dipentane), α-피넨(pinene), β-피넨(pinene), 타피네올, 칼 본, 오시멘, 페란도렌 등의 테르펜(terpene)계 화합물 및 이러한 혼합물을 들 수 있다.
상기 유기 비히클은 통상적으로 태양전지 전극 페이스트에 사용되는 유기 비히클이 사용될 수 있으며, 일예로 중합체와 용매의 혼합물일 수 있다.
상기 중합체로는 아크릴레이트계 수지, 에틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스, 에틸셀룰로오스와 페놀수지의 중합체, 목재 로진(rosin) 또는 알콜의 폴리메타크릴레이트등을 사용할 수 있다. 바람직하기로는 에틸셀룰로오스가 좋다.또한 상기 용매로는 부틸카비톨아세테이트, 부틸카비톨,부틸셀루솔브,부틸셀루솔브아세테이트,프필렌글리콜모노메틸에테르,디프로필렌글리콜모노메틸에테르,프로필렌글리콜모노메틸에테르프로피오네이트,에틸에테르프로피오네이트,테르피네올(terpineol),프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트,디메틸아미노 포름알데히드, 메틸에틸케톤, 감마 부티로락톤, 에틸락테이트, 및 텍사놀(Texanol) 등을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하기로는 부틸카비톨아세테이트를 사용하는 것이 좋다.
또한 상기 유기 비히클은 상기한 인계 분산제, 칙소제(thixotropic agent), 레벨링(levelling)제, 소포제 등을 포함할 수도 있다. 상기 칙소제는 우레아계, 아 마이드계, 우레탄계 등의 고분자/유기물이 사용되거나 무기계의 실리카 등이 사용될 수 있다.상기 유기 비히클은 전체 조성물 대비 4 ~ 39 중량% 범위 이내로 포함된 것이 바람직하다.
4 중량% 미만인 경우에는, 고용량의 금속(metal)을 배합 및 분산할 수 없을 뿐만 아니라 인쇄도 어려워져서 적합한 인쇄패턴을 얻을 수 없게되는 문제점이발생할 우려가 있다. 또한, 39 중량% 초과인 경우에는, 금속(metal)의 함량이 너무적어 전극으로서의 역할을 할 수 없는 바, 발전 효율이 저하되는 문제점이 발생할우려가 있다.
본 발명의 태양전지 전극 형성용 페이스트는 통상적으로 페이스트에 포함될 수 있는 상기한 인계 분산제 이외의 기타 첨가제들을 필요에 따라 더 포함할 수 있다.
이러한 첨가제의 예로는 소결조제, 증점제, 안정화제, 또는 계면활성제 등을 들 수있다.본 발명에 따른 전면전극형성용 페이스트 조성물은 상기와 같은 유기 바인더 용액을 10 ~ 20 중량% 포함하는 것이 바람직하다. 상기 함량의 범위내에서 스크린 프린팅이 매우 용이한 점도를 갖을 수 있을 뿐만 아니라, 스크린 프린팅 후 페이스트가 흘러내리는 것을 방지하여 적합한 종횡비(Aspect ratio)를 나타낼 수 있다.
본 발명에 따른 전면전극 형성용 페이스트 조성물은 또한, 기타 분산제 및 용매를 1 내지 10중량% 로 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 분산제는 특별히 한정하지 않으며, 공지의 분산제를 사용하여도 무방하다. 공지의 분산제, 칙소제(thixotropic agent), 레벨링(levelling)제, 소포제 등을 포함할 수도 있다.
상기 칙소제는 우레아계, 아마이드계, 우레탄계 등의 고분자/유기물이 사용되거나 무기계의 실리카 등이 사용될 수 있다.상기 유기 비히클은 전체 조성물 대비 4 ~ 39 중량% 범위 이내로 포함된 것이 바람직하다. 4 중량% 미만인 경우에는, 고용량의 금속(metal)을 배합 및 분산할 수 없을 뿐만 아니라 인쇄도 어려워져서 적합한 인쇄패턴을 얻을 수 없게되는 문제점이발생할 우려가 있다. 또한, 39 중량% 초과인 경우에는, 금속(metal)의 함량이 너무적어 전극으로서의 역할을 할 수 없는 바, 발전 효율이 저하되는 문제점이 발생할우려가 있다.
이하, 본 발명에 따른 글라스 프릿 조성물 및 이를 포함하는 전면전극 형성용 페이스트 조성물의 제조방법에 대해 설명한다.
글라스
프릿의
제조
본 발명에 따른 글라스 프릿 조성물은 먼저, 상기소개된 글라스 프릿 조성물을 바람직한 범위 내로 측정하여 혼합한다. 이때 혼합은 볼 밀(ball mill) 또는 플라네터리 밀(planetary mill)을 사용하여 혼합한다.
이렇게 혼합된 조성물을 110도조건에서 건조 시킨 후에 900 내지 1300 ℃의 온도에서 소성 시키고, 이를 상온 25도의 조건에서 퀀칭(quenching)한다. 상기 공정의 결과물을 디스크 밀(Disk mill)에 의해 조분쇄 하고, 플라네터리 밀(planetary mill)에 의해 미분쇄하여 글라스 프릿 조성물을 제조한다. 이때, 분 쇄되는 글라스 프릿 입자의 크기는 특별히 한정하지 아니하나 바람직하게는 평균직경이 0.1 내지 10nm가 되도록 한다. 글라스 프릿 입자의 평균직경이 상기 범위인 경우에 매우 적절한 점도를 갖는 페이스트를 얻을 수 있으며, 동시에 계면반응의 감소를 방지할 수 있다.
전면전극 형성용 페이스트 조성물의 제조
상기 제조과정에 의해 제조된 글라스 프릿을 1 내지 10 중량%로 하고, 도전성 입자로서 바람직하게는 은 분말을 60 내지 75 중량% 가 되도록 혼합한다. 글라스 프릿과 은 분말의 혼합 및 교반은 균일한 혼합이 가능하다면 당 분야에서 행하는 혼합 및 교반 수단이 제한 없이 사용될 수 있다.
상기 혼합물에 바인더로서 유기 비히클을 첨가하고 교반한다. 글라스 프릿과 은 분말의 혼합물을 페이스트 상으로 제조하기 위함이며, 이때 첨가되는 유기 비히클의 용량은 10 내지 20 중량%가 바람직하다. 상기 함량의 범위에서 페이스트 조성물의 스크린 프린팅이 매우 용이하고 적합한 점도를 가질 수 있을 뿐만 아니라 스크린 프린팅 후 페이스트가 흘러내리는 것을 방지하여 적합한 종횡비를 얻을 수 있기 때문이다.
상기 결과물에 분산제 및 각종 첨가제를 1 내지 10 중량% 범위 내에서 첨가하여 공지의 혼합 및 교반 수단을 이용하여 균일한 페이스트 조성물이 되도록 혼합한다. 상기 각 조성물이 혼합된 페이스트 조성물에 용매를 첨가하여 혼합한다.
전술한 단계를 거치면 도전성 금속 분말, 글라스 프릿, 유기 비히클을 포함 하는 전면전극 형성용 페이스트 조성물이 제조될 수 있다.
태양전지 셀(
cell
)의 제조
본 발명에 따른 실리콘 태양전지는 실리콘 반도체 기판, 상기 기판의 상부에 형성된 반사 방지막, 상기 반사 방지막을 관통하여 실리콘 반도체 기판의 상부 표면과 접속된 전면 전극, 및 상기 기판의 배면에 접속된 후면 전극을 포함한다.
태양전지 셀을 제조하기 위해서는 태빙(Tabbing) 전극을 먼저 인쇄한다. 이후, 형성된 tabbing 전극을 190~210도의 조건에서 건조시킨다
이후, 알루미늄 입자가 포함된 공지의 후면 전극 페이스트 조성물을 이용하여 후면전극을 인쇄하고 190도의 조건에서 건조 시킨다.
후면 전극이 건조되어 완성된 후에는 상기 본 발명에 따른 전극형성용 페이스트 조성물을 이용하여 전면전극을 인쇄하고 후면전극의 건조시와 동일한 조건에서 전면전극 조성물을 건조시킴으로써, 실리콘 태양전지 셀의 제조를 완성한다.
상기 전면 전극과 후면 전극은 각각 은과 알루미늄으로 이루어진 금속 전극이다. 하지만 본 발명의 전극을 구성하는 물질의 종류는 이에 한정되는 것은 아니다. 은 전극은 전기 전도성이 우수하고 알루미늄 전극은 전기 전도성이 우수할 뿐만 아니라 실리콘 반도체로 이루어진 기판과의 친화력이 우수하여 접합이 잘되는 장점을 갖고 있어 바람직하다.
상기 전면 전극과 후면 전극을 실리콘에 형성하는 방법에는 공지된 여러 가지 기술에 의해 제조 가능하지만, 바람직하게는 스크린 인쇄법에 의해 형성된 것이 다. 즉, 전면 전극은 전술한 바와 같이 본 발명의 전면 전극용 페이스트를 전면 전극 형성 지점에 스크린 인쇄한 후 열처리를 시행하여 형성한다. 후면 전극의 열처리 시에는 전극 구성 물질인 알루미늄이 기판의 배면을 통해 확산됨으로써 후면 전극과 기판의 경계면에 후면 전계층(BSF)이 형성될 수도 있다. 후면 전개층이 형성되면 캐리어가 기판의 배면으로 이동하여 재결합되는 것을 방지할 수 있다. 캐리어의 재결합이 방지되면 개방전압과 충실도가 상승하여 태양전지의 변환 효율이 향상된다. 상기 전면 전극과 후면 전극은 스크린 인쇄법 이외에도 통상적인 사진 식각 공정과 금속 증착 공정을 이용하여 형성한 것일 수도 있다. 따라서 본 발명은 전면 전극 및 후면 전극의 형성을 위해 적용되는 공정에 의해 한정되지 않는다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명한다. 그러나 본 발명에 따른 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예에 의해 한정되지 않는다.
실시예
1 (
SJ22
)
글라스
프릿
조성물 제조
PbO를 71.1중량%, SiO2를 10.6 중량%, B2O3 6.9중량%, 및 Al2O3 0.4중량%와 ZnO 5중량% 및 BaO 5중량%, Fe2O3 0.3중량%, Cr2O3 0.2중량%, CoO 0.10중량%, MnO2 0.4중량%를 ball mill 수단을 이용하여 혼합하고 80도조건에서 건조하였으며, 1000 도에서 용융시키고 상온조건에서 퀀칭(Quenching)하였다. 이를 디스크 밀 방법을 이용하여 조분쇄 하였고, 플라네터리 밀을 이용하여 미분쇄하여 평균 입경의 크기가 3um인 글라스 프릿 조성물을 제조하였다.
페이스트 조성물의 제조
상기 결과물의 글라스 프릿 조성물 5 중량%와 은 분말 75중량%, 유기 비히클로서 Binder&solvent를 20중량% 포함하여 볼 밀 방법을 이용하여 균일하게 혼합 및 교반하여 페이스트 조성물을 제조하였다.
상기 페이스트 조성물을 이용하여 단일(single) 실리콘 웨이퍼 셀에 전면전극을 형성한 후, 5회 반복 실험하여 얻은 평균 측정 효율 결과를 아래 표 1에 기재하였다.
실시예
2 (
SJ24
)
글라스
프릿
조성물 제조
PbO를 78.1중량%, SiO2를 7.52 중량%, B2O3 5.47중량%, 및 Al2O3 0.4중량%와 ZnO 1.2중량% 및 Ag2O 1 중량%, CaCo3 2중량%, BaCO3 3중량%, Fe2O3 0.4중량%, Cr2O3 0.4중량%, Co2O3 0.10중량%, MnO2 0.4중량%를 ball mill 수단을 이용하여 혼합하고 80도조건에서 건조하였으며, 1000도에서 용융시키고 퀀칭(Quenching)하였다. 이를 디스크 밀 방법을 이용하여 조분쇄 하였고, 플라네터리 밀을 이용하여 미분쇄하여 평균 입경의 크기가 3um인 글라스 프릿 조성물을 제조하였다.
페이스트 조성물의 제조
상기 결과물의 글라스 프릿 조성물 5중량%와 은 분말 75중량%, 유기 비히클로서 Binder&solvent를 20중량% 포함하여 볼 밀 방법을 이용하여 균일하게 혼합 및 교반하여 페이스트 조성물을 제조하였다.
상기 페이스트 조성물을 이용하여 단일(single) 실리콘 웨이퍼 셀에 전면전극을 형성한 후, 5회 반복 실험하여 얻은 평균 측정 효율 결과를 아래 표 1에 기재하였다.
[표 1]
| 실시예 1 | 실시예 2 | |
| Isc(A) | 8.61 | 8.51 |
| Voc(V) | 0.624 | 0.627 |
| Pmax(W) | 4.09 | 4.19 |
| Ipm(A) | 8.03 | 7.96 |
| Vpm(V) | 0.51 | 0.53 |
| Jsc[mA/c㎡] | 36.02 | 35.63 |
| F.F.(%) | 0.762 | 0.785 |
| Eff(%) | 17.12 | 17.550 |
| Rsh(Ohm) | 19.93 | 13.79 |
| Rs(Ohm) | 0.0066 | 0.0125 |
| C_Area | 238.95 | 238.95 |
도 1a은 본 발명의 실시예 1에 따른 글라스 프릿의 SEM/EDX 사진이다.
도 1b은 본 발명의 실시예 2에 따른 글라스 프릿의 SEM/EDX 사진이다.
Claims (10)
- 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물에 포함되는 무기물 글라스 프릿에 있어서, 상기 무기물 글라스 프릿은, PbO를 71.8 ~ 78.1 중량%, SiO2 4.9 ~ 12 중량%, B2O3 4.9 ~ 11 중량%, ZnO 0.5 ~ 5 중량%, Fe2O3 0.3 ~ 0.5 중량%, Cr2O3 0.2 ~ 0.5 중량%, Co2O3가 0.1 ~ 0.4 중량% 및 MnO2를 0.3 ~ 0.5 중량% 포함하는 것을 특징으로 하는 무기물 글라스 프릿 혼합물.
- 제1항에 있어서,상기 무기물 글라스 프릿은, Al2O3를 0.1 ~ 5 중량% 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기물 글라스 프릿 혼합물.
- 제1항에 있어서,상기 무기물 글라스 프릿은, MgO를 0.1 ~ 0.2 중량% 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기물 글라스 프릿 혼합물.
- 제1항에 있어서,상기 무기물 글라스 프릿은, TiO2를 0.1 ~ 5 중량% 더 포함하는 것을 특징으 로 하는 무기물 글라스 프릿 혼합물.
- 제1항에 있어서,상기 무기물 글라스 프릿은, SrO 또는 BaO 또는 ZrO 중 선택된 1 이상의 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기물 글라스 프릿 혼합물.
- 제1항에 있어서,상기 무기물 글라스 프릿은, Fe2O3, Cr2O3, Co2O3 및 MnO2로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기물 글라스 프릿 혼합물.
- 제1항에 있어서,상기 무기물 글라스 프릿은, AgO 및 CaO를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기물 글라스 프릿 혼합물.
- 상기 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 무기물 글라스 프릿을 1 ~ 10 중량%, 도전성 금속 분말을 60 ~ 75 중량%, 유기물 비히클이 10 ~ 20 중량%, 기타 분산제 및 용매 1 ~ 10 중량%가 포함된 혼합물인 것을 특징으로 하는 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물.
- 제8항에 있어서,상기 유기물 비히클은 셀룰로오스, 부틸카르비톨 및 터피네올로 이루어진 군에서 선택돤 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 태양전지 전면 전극용 페이스트 조성물.
- 상기 제8항에 의해 제조된 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물을 사용하여 제작된 것을 특징으로 하는 태양전지 솔라 셀(solar cell).
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090131334A KR101683882B1 (ko) | 2009-12-24 | 2009-12-24 | 고효율 실리콘 태양전지 전면전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 실리콘 태양전지 |
| TW099144696A TWI496755B (zh) | 2009-12-24 | 2010-12-20 | 玻璃熔塊、漿料組成物及太陽能電池 |
| PCT/KR2010/009336 WO2011078629A2 (en) | 2009-12-24 | 2010-12-24 | Glass frit, paste composition, and solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090131334A KR101683882B1 (ko) | 2009-12-24 | 2009-12-24 | 고효율 실리콘 태양전지 전면전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 실리콘 태양전지 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110074392A KR20110074392A (ko) | 2011-06-30 |
| KR101683882B1 true KR101683882B1 (ko) | 2016-12-21 |
Family
ID=44196354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090131334A KR101683882B1 (ko) | 2009-12-24 | 2009-12-24 | 고효율 실리콘 태양전지 전면전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 실리콘 태양전지 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101683882B1 (ko) |
| TW (1) | TWI496755B (ko) |
| WO (1) | WO2011078629A2 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200000317A (ko) | 2018-06-22 | 2020-01-02 | 알무스이앤티 주식회사 | Arche glass를 이용한 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이를 사용한 태양전지 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI431790B (zh) * | 2011-09-01 | 2014-03-21 | Gintech Energy Corp | 太陽能電池 |
| JP2015511205A (ja) * | 2011-12-22 | 2015-04-16 | ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー | 低抵抗接点の太陽電池ペースト |
| KR101350960B1 (ko) * | 2012-01-13 | 2014-01-16 | 한화케미칼 주식회사 | 글래스 프릿, 이를 포함하는 도전성 페이스트 조성물 및 태양전지 |
| DE112012003178B4 (de) * | 2012-05-08 | 2022-12-08 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung |
| EP2851906A1 (en) * | 2013-09-23 | 2015-03-25 | Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG | Electro-conductive paste comprising silver particles with silver oxide and organic additive |
| EP2913312A1 (en) * | 2014-02-26 | 2015-09-02 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC | Silver-lead-silicate glass for electroconductive paste composition |
| CN105084766B (zh) * | 2014-05-12 | 2018-03-16 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 用于晶硅太阳能电池正面银浆的低熔点玻璃粉及制备方法 |
| US9465000B1 (en) | 2015-08-18 | 2016-10-11 | Intellectual Reserves, LLC | System and method for electronically determining fluid parameters |
| KR101693840B1 (ko) | 2015-10-05 | 2017-01-09 | 대주전자재료 주식회사 | 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지 |
| JP7430710B2 (ja) | 2018-09-17 | 2024-02-13 | エージーシー グラス ユーロップ | 高い近赤外透過率及び非常に低い可視透過率を有するガラスシート |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009041182A1 (ja) | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ａｇ電極ペースト、太陽電池セルおよびその製造方法 |
| US20090101199A1 (en) | 2007-10-18 | 2009-04-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
| US20090301553A1 (en) | 2008-06-06 | 2009-12-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7833439B2 (en) * | 2007-07-24 | 2010-11-16 | Ferro Corporation | Ultra low-emissivity (ultra low E) silver coating |
-
2009
- 2009-12-24 KR KR1020090131334A patent/KR101683882B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-12-20 TW TW099144696A patent/TWI496755B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-12-24 WO PCT/KR2010/009336 patent/WO2011078629A2/en active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009041182A1 (ja) | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ａｇ電極ペースト、太陽電池セルおよびその製造方法 |
| US20090101199A1 (en) | 2007-10-18 | 2009-04-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
| US20090301553A1 (en) | 2008-06-06 | 2009-12-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
| US20090301554A1 (en) | 2008-06-06 | 2009-12-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200000317A (ko) | 2018-06-22 | 2020-01-02 | 알무스이앤티 주식회사 | Arche glass를 이용한 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이를 사용한 태양전지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201127770A (en) | 2011-08-16 |
| WO2011078629A2 (en) | 2011-06-30 |
| WO2011078629A3 (en) | 2011-11-17 |
| TWI496755B (zh) | 2015-08-21 |
| KR20110074392A (ko) | 2011-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101683882B1 (ko) | 고효율 실리콘 태양전지 전면전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 실리콘 태양전지 | |
| US10170645B2 (en) | Organic vehicle for electroconductive paste | |
| KR101693840B1 (ko) | 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지 | |
| US20220153627A1 (en) | Glass powder and silver-aluminum paste for use on front of n-type double-sided solar cell comprising same | |
| KR101159787B1 (ko) | ＺｎＯ계 글래스 프릿 조성물 및 이를 이용한 태양전지의 후면 전극용 알루미늄 페이스트 조성물 | |
| TWI570748B (zh) | 電極用膠組成物及太陽電池 | |
| CN107258002B (zh) | 银糊组合物、使用其形成的太阳能电池的前电极以及采用其的太阳能电池 | |
| KR20130042524A (ko) | 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지 | |
| KR101972384B1 (ko) | 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물 및 이의 제조방법 | |
| JP2019507937A (ja) | 太陽電池電極調製用ペースト組成物、太陽電池の電極及び太陽電池 | |
| TWI657119B (zh) | 用於太陽能電池之背面電極糊料組成物 | |
| KR101611456B1 (ko) | 인계 분산제를 포함하는 전극 형성용 페이스트 조성물 | |
| KR20150027652A (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
| KR20140127947A (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
| US20130160835A1 (en) | Back-side electrode of p-type solar cell and method for forming the same | |
| KR101868638B1 (ko) | 실리콘 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물 | |
| KR101210112B1 (ko) | 유리 프릿 및 이를 포함하는 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물, 그리고 태양 전지 | |
| US9640298B2 (en) | Silver paste composition for forming an electrode, and silicon solar cell using same | |
| CN111354502B (zh) | 用于形成太阳能电池电极的组合物及太阳能电池电极 | |
| TWI697015B (zh) | 太陽能電池前電極用糊劑組合物及其製備方法 | |
| KR20140123205A (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
| KR101566071B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
| KR20110024655A (ko) | 낮은 휨 특성을 나타내는 태양전지 후면전극 형성용 조성물 | |
| KR101835921B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
| KR101888054B1 (ko) | 전극용 페이스트 조성물, 이로부터 제조된 알루미늄 전극 및 태양전지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |