FR2713394A1 - Source d'électron de type à émission de champ. - Google Patents

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Abstract

La source d'électron comprend des fils de cathode (2) en forme de bandes, disposés sur un substrat isolant. Ils sont chacun pourvus d'une pluralité de fenêtres, de manière qu'une pluralité de conducteurs cathodiques (7) en forme d'îlots et de couches de résistance ayant une résistance de valeur différente les unes par rapport aux autres soit formée séparément par rapport au fil de cathode. Ensuite, une couche de résistance (3), une couche isolante (4) et une électrode de commande sont formées sur ce dernier. L'électrode de commande et la couche isolante (4) sont pourvues d'ouvertures communes à ces deux dernières, dans lesquelles sont disposés les cônes d'émetteur (6).

Description

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Source d'électron de type à émission de champ La présente invention concerne une source d'électrons de type à émission de champ et, plus particulièrement, une amélioration d'une source d'électron de type à émission de champ connue comme
cathode froide.
L'application d'un champ électrique aussi élevé que (109 v/m) sur une surface d'un matériau métallique ou celle d'un matériau semi- conducteur donne lieu à production d'un effet tunnel, qui permet à des électrons de traverser une barrière, de sorte que les électrons puissent être évacués vers un vide même à une température normale. Ceci est dénommé "émission de champ" et une cathode construite de manière à émettre des électrons sur la base d'un tel principe est dénommé "cathode d'émission de champ" (dénommé également
ci-après "FEC").
Un progrès remarquable, récent, concernant les techniques de traitement de semi-conducteur, permet la formation d'une FEC à une taille aussi faible que des microns. Une FEC de type Spindt est connue comme un exemple typique d'une telle cathode à émission de champ. La fabrication de la FEC de type Spindt par des techniques de traitement fin de semi-conducteur permet à la distance entre chacun des émetteurs coniques ou entre les cônes d'émetteur et une électrode de commande d'avoir une valeur de l'ordre des sous-microns ou inférieure à un micron, de sorte que l'application d'une tension de plusieurs dizaines de volts entre le cône d'émetteur et l'électrode de commande force le
cône d'émetteur à émettre des électrons.
De même, le pas d'espacement entre les cônes d'émetteur peut être établi à une valeur allant de 5 à microns, de sorte dix milliers à des centaines de
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milliers de FEC peuvent être disposées sur un seul substrat. Ainsi, la fabrication d'une FEC de type à émission en surface est possible et il est proposé d'appliquer la FEC sur une source d'électrons de type à émission de champ, pour un dispositif d'affichage fluorescent, un tube à rayon cathodique (CRT), un microscope électronique, un dispositif à faisceau
d'électrons ou analogues.
A présent, une telle FEC, utilisée comme source d'électrons de type à émission de champ, va être décrite en se référant aux figures 25(a) et 25(b), dans lesquelles la figure 25(a) est une vue en plan de la FEC et la figure 25(b) est une vue en coupe suivant la
ligne G-G de la figure 25(a).
Comme représenté sur la figure 25(a), un fil cathodique 102 est formé sous un motif en forme de treillis et une couche de résistance 103 est formée sur
la totalité du fil cathodique en forme de treillis 102.
La couche de résistance 103 est pourvue, sur une partie de cette dernière entourée par chacun des treillis définis par le fil cathodique 102, d'une pluralité de cônes d'émetteur 106. De même, la source d'électrons de type à émission de champ représentée sur les figures 25(a) comprend une électrode de commande 105 agencée de manière à former une section de surface supérieure de la source. L'électrode de commande 105 est pourvue d'une pluralité de trous traversants ou ouvertures, de forme sensiblement circulaire. Les cônes d'émetteur 106
sont respectivement situés dans les ouvertures.
Il est à noter, à partir de la figure 25(b), que le fil cathodique 102 en forme de treillis est formé sur un substrat isolant 101, sur lequel est formée la couche de résistance 103 de manière à recouvrir tout le substrat 101. La couche de résistance 103 est pourvue d'une couche isolante 104 et, à son tour, de l'électrode de commande 105. Les ouvertures
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décrites ci-dessus sont ménagées à la fois dans: l'électrode de commande 105 et la couche isolante 104 et les cônes d'émetteur 106 sont disposés dans les ouvertures.. A présent, les raisons pour lesquelles la
couche de résistance 103 est disposée entre les cônes -
d'émetteur 106 et le fil cathodique 102 vont être, décrites ci- après. ' Une FEC est typiquement construite de manière:':' que la distance entre une extrémité distale de chacun des cônes d'émetteur et une électrode de commande soit aussi faible que des sous-microns et que de dix milliers à des centaines de milliers de cônes: d'émetteur soient disposés sur un seul substrat, donnant souvent lieu à un court-circuit entre le cône d'émetteur et la grille en raison de poussières ou analogues, durant la fabrication de la FEC. Même si le court-circuit est provoqué par un seul des cônes d'émetteur, ceci provoque un court-circuit entre la cathode et la grille, de sorte qu'une défaillance d'application d'une tension s'étend sur tous les cônes d'émetteur. Ainsi, la FEC ne parvient pas à fonctionner
comme source d'électrons de type à émission de champ.
De même, la source d'électrons classique de type à émission de champ provoque souvent un dégazage local, donnant souvent lieu à une décharge entre le cône d'émetteur et la grille ou une anode. Ceci provoque le passage d'un grand courant dans la cathode,
donnant lieu à la rupture de la cathode..
Parmi un certain nombre de cônes d'émetteur, certains sont aptes à émettre facilement des électrons par rapport à ceux restant, si bien que des électrons émis de façon concentrée par certains de cônes d'émetteur provoquent la formation de points
anormalement lumineux sur un plan d'image.
En vue de résoudre le problème, comme représenté sur les figures 25(a) et 25(b), la couche de 3
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résistance 103 est disposée entre le fil cathodique 102 et les cônes d'émetteur 106, si bien que la couche de résistance provoque une chute de tension entre l'électrode de commande 105 et le fil cathodique 102, lorsque l'un des cônes d'émetteur 106 commence à émettre une quantité excessive d'électrons en raison d'une non-uniformité de forme. La chute de tension provoque la réduction d'une tension appliquée sur le cône émetteur qui émet des électrons en quantité excessive, en fonction d'un courant de décharge, de sorte que l'émission d'électrons par ce dernier est limitée, ce qui entraîne que les cônes d'émetteur émettent chacun des électrons de façon uniforme ou
stable. Ceci empêche la rupture du fil cathodique 102.
Ainsi, l'agencement de la couche de résistance 103 améliore le rendement de la FEC fabriquée et assure
un fonctionnement stable de la FEC.
Cependant, lorsque la FEC des figures 25(a) et (b) est construite de manière qu'une zone entourée ou définie par chacun des treillis ou réseaux du fil cathodique 102 est une aire augmentée et que les cônes d'émetteur 106 soient disposés sur toute la zone, la valeur de résistance entre le fil cathodique 102 et chacun des cônes d'émetteur 106 est l'objet d'une variation en fonction d'une distance entre le fil cathodique 102 et le cône d'émetteur 106. Plus particulièrement, les cônes d'émetteur 106 disposés à proximité du fil cathodique 102 ont chacun une valeur de résistance réduite, tandis que les canes d'émetteur 106 disposés à proximité d'une partie centrale de la zone ont chacun une plus grande valeur de résistance, ainsi qu'une réduction de distance entre le cône d'émetteur et la partie centrale de la zone. Ceci provoque le maintien de l'émission d'électrons depuis les cônes d'émetteur disposés à proximité de la périphérie du fil cathodique 102 à un niveau élevé, mais une réduction de celle des cônes d'émetteur
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disposés à proximité de la partie centrale de la zone, ainsi qu'une réduction de la distance entre les cônes
d'émetteur et la partie centrale.
Au vu d'un tel problème, la FEC classique, telle que représentée sur les figures 25(a) et 25(b), est construite de manière que l'agencement des cônes d'émetteur dans la zone définie par chacun des treillis soit effectué tout en maintenant les cônes d'émetteur espacés d'une distance prédéterminée par rapport à la périphérie du fil cathodique 102, de manière à réduire de façon négligeable toute fluctuation de la valeur de résistance entre le fil cathodique 102 en forme de treillis et chacun des cônes d'émetteur, donnant lieu à une augmentation de l'uniformité de l'émission
d'électrons depuis les cônes d'émetteur.
Malheureusement, une telle construction ne permet la disposition des cônes d'émetteur dans une partie de la zone entre la périphérie du fil cathodique et une position espacée de cette dernière de la distance L, de manière à réduire la densité de composants des cônes d'émetteur ou la densité selon laquelle les cônes
d'émetteur sont montés sur la zone.
De même, en vue de rendre uniforme une valeur de résistance entre le fil cathodique et chacun des cônes d'émetteur, on va diviser le fil cathodique à un degré suffisant pour permettre à à peu près quatre de ces cônes d'émetteur d'être disposés dans chacun des treillis définis par le fil cathodique en forme de treillis. Cependant, ceci provoque une réduction de la
densité de composants des cônes d'émetteur.
En outre, la position de chacun des cônes d'émetteur 106 par rapport au fil cathodique en forme de treillis 102 affecte la valeur de résistance des cônes d'émetteur, de sorte que la valeur de résistance est forcée à varier en fonction de la précision avec laquelle l'alignement des cônes d'émetteur est effectué durant la fabrication de la FEC. Ainsi, il est
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nécessaire d'effectuer avec précision un alignement de masque, en vue de disposer les cônes d'émetteur 106 par '!' rapport au fil cathodique avec une précision élevée, ce,.a qui rend la fabrication de la FEC problématique et difficile. De plus, au lieu de la construction représentée;
sur les figures 25(a) et 25(b), la FEC classique peut.
être construite de manière qu'une couche de résistance soit formée sur un fil cathodique ayant une forme de bande, plutôt qu'une forme de treillis, de manière à
recouvrir complètement les fils cathodiques, ce qui est -
suivi d'une disposition des cônes d'émetteur sur la couche de résistance ainsi formée, sur les fils..:
cathodiques, comme classiquement connu dans l'art. -
Malheureusement, une telle construction provoque une..
variation de la résistance des cônes d'émetteur en fonction d'un degré d'uniformité d'une épaisseur de '" film de la couche de résistance, ne permettant pas de:-: ce fait de rendre uniforme l'émission d'électrons depuis les cônes d'émetteur. De même, la valeur de '
résistance est déterminée en fonction d'une épaisseur.
de la couche de résistance. L'épaisseur est limitée dans une plage prédéterminée, de sorte qu'il est difficile de munir la FEC d'une grande capacité de
courant et de lui permettre d'avoir une valeur de -
résistance élevée, ce qui réduit l'avantage de la
couche de résistance.
La présente invention a été réalisée au vu des -
inconvénients ci-dessus de l'art antérieur.
En conséquence, un but de la présente invention est de proposer une source d'électrons de type à émission de champ qui soit capable de rendre pratiquement constante la valeur de la résistance entre un fil cathodique et chacun des cônes d'émetteur et d'augmenter la densité de composants des cônes t '
d'émetteur. -
7 2713394 "
Selon la présente invention, une source
d'électrons de type à émission de champ est proposée.
La source d'électrons de type à émission de champ comprend des fils comportant chacun une zone, une -i couche de résistance disposée en correspondance avec chacun des fils cathodiques, et des émetteurs connectés par la couche de résistance à chacun des fils
cathodiques. Le connexion entre le fil cathodique et ?-
les émetteurs est effectuée de manière à rendre une
valeur de résistance entre ces derniers pratiquement -
constante.
Selon un mode de réalisation préféré de la...
présente invention, la source d'électrons comprend en..
outre une pluralité de conducteurs cathodiques dans la zone du fil cathodique, de manière à être séparée du fil cathodique, le fil cathodique et les conducteurs " cathodiques étant connectés électriquement entre eux par l'intermédiaire de la couche de résistance, et les ' émetteurs sont réalisés sous forme conique et disposés: directement ou par l'intermédiaire de la couche de
résistance sur les conducteurs cathodiques.
Dans un mode de réalisation préféré de la a présente invention, la zone du fil cathodique est pourvu de fenêtres exemptes de conducteurs, dans
lesquelles sont disposées des couches de résistance -
ayant une valeur de résistance différente les unes par rapport aux autres. De même, une pluralité des cônes
d'émetteur est disposée sur les couches de résistance.
La couche de résistance est construite de manière qu'une partie de cette dernière, se trouvant à proximité du fil cathodique, ait une valeur de '
résistance réduite.
Ainsi, la présente invention permet d'établir pratiquement au même niveau une valeur de résistance entre le fil cathodique et chacun des cônes d'émetteur et d'augmenter la densité de composants des cônes d'émetteur. ?- ',
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Ces buts ainsi que d'autres et un grand nombre des avantages annexés de la présente invention vont
être mieux compris à la lecture de la description
détaillée de cette dernière qui suit, en liaison avec les dessins annexés, dans lesquels: la figure 1 est une vue schématique représentant une cathode incorporée dans un premier mode de réalisation d'une source d'électrons de type à émission de champ, selon la présente invention; la figure 2 est une vue en coupe transversale représentant un premier mode de réalisation d'une source d'électrons de type à émission de champ selon la présente invention, dans laquelle est incorporée la cathode représentée sur la figure 1; la figure 3 est une vue en coupe transversale représentant un deuxième mode de réalisation d'une source d'électrons de type à émission de champ selon la présente invention; la figure 4 est une vue en coupe transversale représentant une modification de la source d'électrons de type à émission de champ de la figure 3; les figures 5(a) et 5(b) sont chacune une vue schématique représentant un exemple d'un taille d'un conducteur cathodique en forme d'Âlot; la figure 6 est une vue schématique représentant un autre exemple d'une taille d'un conducteur cathodique en forme d'Ilot; la figure 7 est une vue en perspective représentant un autre exemple d'une cathode incorporée dans une source d'électrons de type à émission de champ, selon la présente invention; la figure 8 est une vue en perspective représentant un autre exemple d'une cathode incorporée dans un source d'électrons de type à émission de champ, selon la présente invention; la figure 9 est une vue en perspective représentant une cathode incorporée dans un troisième
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mode de réalisation d'une source d'électrons de type à émission de champ, selon la présente invention; la figure 10 est une vue en plan de la cathode représentée sur la figure 9; la figure 11 est une vue en coupe transversale représentant un troisième mode de réalisation d'une source d'électrons de type à émission de champ selon la présente invention, dans laquelle est incorporée la cathode représentée sur les figures 9 et 10; la figure 12 est un diagramme de circuit représentant un circuit équivalent de la source d'électrons de type à émission de champ de la figure 11; la figure 13 est une vue en plan représentant une cathode pour un quatrième mode de réalisation d'une source d'électrons de type à émission de champ selon la présente invention; la figure 14 est une vue en coupe transversale représentant un quatrième mode de réalisation d'une source d'électrons de type à émission de champ selon la présente invention, dans laquelle est incorporée la cathode représentée sur la figure 13; la figure 15 est une vue en plan représentant une cathode pour un cinquième mode de réalisation d'une source d'électrons de type à émission de champ selon la présente invention; la figure 16 est une vue en coupe transversale représentant un cinquième mode de réalisation d'une source d'électrons de type à émission de champ selon la présente invention, qui incorpore en son sein la cathode de la figure 15; la figure 17 est une vue en plan représentant une cathode incorporée dans un sixième mode de réalisation d'une source d'électrons de type à émission de champ selon la présente invention; la figure 18 est une vue en coupe transversale représentant un sixième mode de réalisation d'une
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source d'électrons de type à émission de champ selon la présente invention, dans laquelle est incorporée la cathode représentée sur la figure 17; la figure 19 est une vue en plan représentant une cathode pour un septième mode de réalisation d'une source d'électrons de type à émission de champ selon la présente invention; la figure 20 est une vue en coupe transversale représentant un septième mode de réalisation d'une source d'électrons de type à émission de champ selon la présente invention, dans laquelle est incorporée la cathode représentée sur la figure 19; la figure 21 est une vue en coupe transversale représentant une modification de la source d'électrons de type à émission de champ de la figure 20; la figure 22 est une vue en plan représentant une cathode pour un huitième mode de réalisation d'une source d'électrons de type à émission de champ selon la présente invention; la figure 23 est une vue en coupe transversale représentant un huitième mode de réalisation d'une source d'électrons de type à émission de champ selon la présente invention, dans laquelle est incorporée la cathode représentée sur la figure 22; la figure 24 est une vue en coupe transversale représentant une modification de la source d'électrons de type à émission de champ représentée sur la figure 23; la figure 25(a) est une vue en plan représentant une source d'électrons classique de type à émission de champ; et la figure 25(b) est une vue en coupe
transversale suivant la ligne G-G de la figure 25(a).
A présent, une source d'électrons de type à émission de champ selon la présente invention va être
décrite ci-après en se référant aux figures i à 24.
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En se référant d'abord aux figures 1 et 2, un premier mode de réalisation d'une source d'électrons de type à émission de champ selon la présente invention est illustré. Une source d'électrons de type à émission de champ selon le mode de réalisation illustré comprend une cathode construite comme représenté sur la figure 1, comprenant une pluralité de fils cathodiques 2 en forme de bandes, disposés de façon juxtaposée entre eux et définissant chacun une zone.. Sur la figure 1, un fil cathodique 2 est illustré de façon schématique. Le fil cathodique 2 est pourvu d'une pluralité de conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots. Les conducteurs cathodiques 7 sont chacun pourvus d'une zone exempte de conducteur, réalisée de manière à entourer le conducteur cathodique 7, entraînant ainsi une séparation par rapport au fil cathodique, par la zone exempte de conducteurs 8. La zone exempte de conducteurs 8 peut être formée par creusement du conducteur en fil 2. La source d'électrons de type à émission de champ selon le mode de réalisation illustré comprend également une couche de résistance 3 disposée sur les conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots et le fil cathodique 2, si bien que les conducteurs cathodiques 7 et le fil cathodique 2 sont connectés électriquement entre eux par l'intermédiaire de la couche de résistance 3. La couche de résistance 3 est pourvue sur des parties de cette dernière dont la position correspond à celle des conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots, de cônes d'émetteur 6 servant de
source d'émission d'électrons.
A présent, les cônes d'émetteur 6 vont être
décrits en se référant à la figure 2.
Comme représenté sur la figure 2, le fil cathodique 2 et les conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots, réalisés en un film conducteur à base de Nb, Mo, Al ou analogues, sont réalisés selon un motif prédéterminé sur un substrat isolant 1. La couche de
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résistance 3 disposée sur les conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots et le fil cathodique 2 est réalisé en silicium amorphe ou analogue et est formé sur toute la zone du fil cathodique 2. Ensuite, la couche de résistance 3 est pourvue d'une couche isolante 4 réalisée en dioxyde de silicium (SiO2) ou analogue et d'électrodes de commande 5 réalisées en Nb, Mo, Al, WSi2 ou analogue, dans cet ordre. L'électrode de commande 5 et la couche isolante 4 sont pourvues de trous traversants, réalisés de manière à être communs à ces deux dernières, dans lesquels sont respectivement disposés les cônes d'émetteur 6 constitués de Mo. Les électrodes de commande 5 sont agencées sous forme de bandes, de manière à former une matrice en coopération
avec les fils cathodiques 2.
Dans le mode de réalisation illustré, les cônes d'émetteur 6 sont disposés en quatre rangées, en correspondance avec chacun des conducteurs cathodiques en forme d'îlots, de manière à former chacune des unités de groupe. Sur la figure 2, les cônes d'émetteur 6 constituant une telle unité de groupe sont disposés sur chacun des conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots. Ainsi, à la fois les cônes d'émetteur 6 disposés à proximité du fil cathodique 2 et ceux disposés de façon éloignée de ce dernier peuvent avoir une valeur de résistance maintenue sensiblement uniforme, car la zone exempte de conducteurs 8 formée avec une largeur uniforme et la couche de résistance 3
est formée avec une épaisseur uniforme.
En se référant à présent à la figure 3, une cathode incorporée dans un deuxième mode de réalisation d'une source d'électrons de type à émission de champ, selon la présente invention, est illustrée conjointement avec une cathode qu'elle incorpore. Une source d'électrons de type à émission de champ selon le deuxième mode de réalisation est construite de manière qu'une section conductrice comprenant un fil cathodique
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2 et des conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots, et une couche de résistance 3 soient disposés de manière opposée à celle du premier mode de réalisation décrit ci-dessus. La couche de résistance 3 est formée sur un substrat isolant 1 de manière à être disposée dans une zone du fil cathodique 2. Ensuite, la couche de résistance 3 est pourvue du fil cathodique 2 et des conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots. De même, la source d'électrons de type à émission de champ comprend une couche isolante 4 réalisée en SiO2 et une électrode de commande 5 réalisée en Nb, Mo, Al, WSiz ou analogue, qui sont formées à la fois sur chacun des fils cathodiques 2 et des conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots, dans cet ordre. L'électrode de commande 5 et la couche isolante 4 sont pourvues de trous traversants ou d'ouvertures, réalisés de manière à être communs à ces deux dernières, dans lesquelles sont respectivement
disposés les cônes d'émetteur 6 constitués de Mo.
La source d'électrons de type à émission de champ selon le deuxième mode de réalisation peut être modifiée de manière que seul le fil cathodique 2 soit disposé sur le substrat isolant i et que la couche de résistance 3 soit formée sur tout le fil cathodique 2, ce qui est suivi par la disposition des conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots sur la couche de résistance 3. Les cônes d'émetteur 6, la couche isolante 4 et l'électrode de commande 5 sont prévus sur les conducteurs cathodiques en forme d'îlots 7, comme
dans le deuxième mode de réalisation décrit ci-dessus.
Le premier mode de réalisation décrit ci-dessus peut être mis en oeuvre de la manière représentée sur la figure 4. Plus particulièrement, une source d'électrons de type à émission de champ selon la modification est construite de manière que les cônes d'émetteur 6 soient disposés entre les conducteurs
cathodiques 7 en forme d'îlots et un fil cathodique 2.
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Une telle construction permet de déterminer sensiblement une valeur de résistance d'un cône d'émetteur 6 situé le plus proche du fil cathodique 2 sur une longueur d'une partie d'une couche de résistance 3, située entre le fil cathodique 2 et le cône d'émetteur 6, et de déterminer sensiblement la valeur de la résistance des cônes d'émetteur 6 restants en fonction d'une longueur d'une partie de la couche de résistance 3, entre le fil cathodique 2 et les conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots, et une épaisseur de la couche de résistance 3 qui définit un intervalle entre les conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots et les cônes d'émetteur 6. Au vu d'une telle situation, lorsqu'une taille des conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots est ajustée de manière à rendre sensiblement constante une valeur de résistance de tous les cônes d'émetteur 6, la valeur de la résistance de tous les cônes d'émetteur 6 peut être maintenue sensiblement constante ou égale. Dans la modification représentée sur la figure 4, parmi les cônes d'émetteur 6 constituant chacune des unités de groupe, les cônes d'émetteur 6 autres que ceux disposés à l'extérieur du conducteur cathodique 7 en forme d'îlots sont disposés sur le conducteur cathodique en
forme d'îlot.
Des exemples d'agencement de l'unité de groupe de cônes d'émetteur par rapport au conducteur cathodique 7 en forme d'îlot vont être décrits ci-après en se référant aux figures 5(a) à 6, dans lesquelles la couche isolante 4 et la couche d'électrode de commande sont supprimées, par souci de simplification. Dans un exemple représenté sur les figures 5(a) et 5(b), une unité de groupe comprenant seize cônes d'émetteur 6 est agencée, dans laquelle douze cônes d'émetteur 6 sont disposés le long de la périphérie extérieure du fil cathodique 2 et quatre cônes d'émetteur 6 sont disposés à proximité d'une partie
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centrale du fil cathodique 2. Un tel agencement force les quatre derniers cônes d'émetteur 6 à avoir une plus grande valeur de résistance, si bien qu'un conducteur cathodique 7 en forme d'îlot est agencé de manière à recouvrir les quatre cones d'émetteur, comme indiqué en pointillés à proximité de la partie centrale du fil cathodique. Ceci entraîne que les cônes d'émetteur 6 ont une valeur de résistance déterminée par le conducteur cathodique 7 en forme d'îlot, si bien que la valeur de résistance des quatre cônes d'émetteur 6 est réduite à un niveau sensiblement égal à une valeur de
résistance des cônes d'émetteur 6 restants.
Dans un exemple représenté sur la figure 6, les deux unités de groupe comprenant chacune douze cônes d'émetteur 6 sont disposées, dans lesquelles seize cônes d'émetteurs sont disposés le long d'une périphérie extérieure du câble cathodique 2 et 8 cônes d'émetteurs 6 sont disposés à proximité d'une partie centrale du fil cathodique 2, de manière à s'étendre en deux rangées dans une direction longitudinale du fil cathodique. Un tel agencement des cônes d'émetteur provoque l'augmentation de la valeur de résistance des huit derniers cônes d'émetteur centraux. Ainsi, deux conducteurs cathodiques en forme d'îlot sont agencés chacun de manière à recouvrir les quatre cônes d'émetteur centraux de chacune des deux unités de
groupe, comme indiquées en pointillé sur la figure 6. Ceci entraîne la détermination de la valeur de résistance de chacun des
quatre derniers cônes d'émetteur 6 centraux, par chacun des conducteurs cathodiques en forme d'îlot, de sorte que la valeur de résistance est réduite à un niveau sensiblement égale à
une valeur de résistance des cônes d'émetteur restant.
La résistance de chacun des conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlot, agencé pour chaque unité de groupe, est établie à un niveau plus élevé et de manière indépendante électriquement. Des unités de
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groupe peuvent être respectivement agencées de manière
à correspondre à des cellules d'image d'un affichage.
Ainsi, il est à noter que ta source d'électron de type à émission de champ de chacun des modes de réalisation décrit ci-dessus permet de faire varier la taille du conducteur cathodique 7 en forme d'1lot, en fonction du nombre de cônes d'émetteur constituant chaque unité de groupe, si bien que les cônes d'émetteur de la même unité de groupe ont chacun une
valeur de résistance sensiblement constante ou égale.
Ceci permet de rendre sensiblement uniforme l'émission d'électron par tous les cônes d'émetteur de la même
unité de groupe, et d'augmenter le courant d'émission.
De même, la source d'électron de type à émission de champ de chacun des modes de réalisation permet un alignement de masques des trous traversants ou des ouvertures formées sur une partie de l'électrode de commande 5, correspondant au conducteur cathodique 7 en forme d'îlot, avec une précision réduite par rapport à l'art antérieur, et de former la couche de résistance 3 sous une forme allongée dans la direction latérale, ce qui entraîne l'obtention d'une valeur de résistance
plus élevée.
En outre, la source d'électron de type à émission de champ réduit la déviation entre les cônes d'émetteur de la même unité de groupe de manière à augmenter le nombre de cône d'émetteur à agencer pour chaque unité de groupe. Ceci élimine la nécessité de diviser l'unité de groupe en sous-groupes, de manière à augmenter la densité, de composants des cônes d'émetteur et à faciliter la fabrication de la source d'électron. En outre, dans chacun des modes de réalisation décrits ci-dessus, la valeur de résistance de chacun des cônes d'émetteur est déterminée sensiblement en fonction de la précision d'une couche de masque pour le fil cathodique et les conducteurs cathodiques en forme 1 7
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d'îlots et une valeur de résistance de la couche de résistance. De même, le fil cathodique et les conducteurs cathodiques en forme d'îlots peuvent être formés simultanément au moyen du même masque. ainsi, les modes de réalisation décrits ci-dessus permettent chacun d'établir uniformément une valeur de résistance sur tout le substrat, tout en présentant une capacité
de reproduction satisfaisante.
L'agencement d'une anode à dépôt de phosphore, fait de manière à être espacée de la source d'électron de type à émission de champ donne un affichage dans lequel les unités de groupe décrites ci-dessus peuvent être respectivement agencées de manière à correspondre
à des cellules d'image de l'affichage.
Dans chacun des modes de réalisation décrits ci-dessus, la cathode destinée à la source d'électron de type à émission de champ comprend les conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots, disposés à l'intérieur du fil cathodique 2 et ayant chacun la zone exempte de conducteur 8 formée tout autour. En variante, la cathode peut être construite de la manière représentée
sur les figures 7 ou 8.
Une cathode, représentée sur la figure 7, est construite de manière que chaque zone soit définie par un fil cathodique 2 en forme de bande et une pluralité de conducteurs cathodiques 9 disposés des deux côtés du fil cathodique 2. Le fil cathodique 2 et les conducteurs cathodiques 9 de chaque zone sont connectés entre eux par une couche de résistance. La couche de résistance est agencée pour chaque zone et une section de séparation de couche de résistance 10 est prévue entre chaque couple de zones adjacentes. Une telle construction peut être effectuée en formant le fil cathodique 2 et les conducteurs cathodiques 9 sur chacune des couches de résistances et en disposant ensuite une pluralité de cône d'émetteur et une électrode de commande sur les conducteurs cathodiques
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9, ou en formant la couche de résistance sur le fil cathodique 2 et les conducteurs cathodiques 9, ou en formant la couche de résistance sur le fil cathodique 2 et les conducteurs cathodique 9, et en formant ensuite une pluralité de cônes d'émetteur et une électrode de commande sur des parties de la couche de résistance, qui correspondent aux conducteurs cathodiques 9. En variante, la couche de résistance peut être disposée sur le fil cathodique 2, ce qui est suivi par la disposition des conducteurs cathodiques, sur lesquels une pluralité des cônes d'émetteur et l'électrode de
commande sont disposés sur la couche de résistance.
La cathode représentée sur la figure 8 est construite de manière que des zones soient définies par des fils cathodiques 2-1, 2-2, 2-3 et 2-4 en forme de bandes et une pluralité de conducteurs cathodiques 9 disposés entre les fils cathodiques. Plus particulièrement, une zone est définie par des fils cathodiques 2-2 et 2-3 et des conducteurs cathodiques 9 ddispos6s entre les fils cathodiques. Le fil cathodique 2-1 et les conducteurs cathodiques de chaque zone sont reliés entre eux par une couche de résistance. De façon analogue, les couches de résistance sont utilisées pour la connexion des fils cathodiques 2-2 et 2-3 et des conducteurs cathodiques 9 de chaque zone et la connexion, respectivement, du fil cathodique 2-4 et des conducteurs cathodiques 9 de chaque zone. Une telle construction peut être effectuée en formant les fils cathodiques 2-1 à 2- 4 et les conducteurs cathodiques 9, sur la couche de résistance et en formant une pluralité des cônes d'émetteur et le fil cathodique sur une partie de la couche de résistance qui correspond à chacun des conducteurs cathodiques 9. En variante, ceci peut être effectué en formant la couche de résistance sur les fils cathodiques 2-1 à 2,4 et en formant, sur la couche de résistance, les conducteurs cathodiques 9
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pourvus chacun d'une pluralité de c ne d'émetteur et de
l'électrode de commande.
A présent, la fabrication de la source d'électrons de type à émission de champ représentée sur chacune des figures 2 et 4. va être décrite. D'abord le fil cathodique 2, constitué d'un film mince de Nb, de Mo, d'Al ou analogue, est formé
sur le substrat isolant I réalisé en verre ou analogue.
ensuite, une partie creusée pour chacune des zones exemptes de conducteur 8 est formée sur le fil cathodique 2, par photolithographie. En même temps, les conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots sont chacun formés à l'intérieur de la partie creusée par photolithographie. Le conducteur cathodique 7 en forme d'îlot n'est pas limité à une forme rectangulaire. Il peut être formé selon tout autre forme appropriée, telle qu'une forme circulaire ou analogue, en fonction
de l'agencement des cônes d'émetteur.
Ensuite, la couche de résistance 3 est réalisée -* sous la forme d'un film ayant une épaisseur allant d'à peu près 0,5 à 2,0 pm, par des techniques de pulvérisation ou CDD, de manière à recouvrir le fil cathodique 2 et les conducteurs 7 en forme d'îlots. La couche de résistance peut être réalisée en un matériau tel que du silicium amorphe, de l'In2O3, du Fe2O=, ZnO, un alliage Ni-Cr, du silicium dopé avec toute impureté souhaitée ou analogue, et une résistivité de la couche de résistance 3 est établie de façon à avoir une valeur
d'à peu près I x 10z à 10 x 106 cm.
Ensuite, la couche isolante 4 est formée sur le substrat 1 de manière à recouvrir le fil cathodique 2 et la couche de résistance 3 par des techniques de pulvérisations ou CVD. La couche isolante 4 est formée en dioxyde en silicium (SiO2), avec une épaisseur de film d'à peu près 1,0 km. Ensuite, l'électrode de commande 5 est disposée sous la forme d'un film ayant une épaisseur d'à peu près 0,4 km, sur la couche
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isolante 4, par pulvérisation. L'électrode de commande est réalisée en Nb, en Mo, Al, WSi2 ou analogues. Ensuite, l'électrode de commande 5 est pourvue d'une pluralité de trous traversant ou ouvertures, ayant un diamètre d'à peu près 1,0 lm, par photolithographie et, ensuite, une gravure chimique humide à l'aide de fluorure d'hydrogène tamponné (BHF) ou analogue, ou une technique RIE utilisant du gaz, tel que du CHF3 ou analogue est utilisée dans les ouvertures, de manière à permettre aux ouvertures de s'étendre sur la couche de
résistance 3.
Ensuite, de l'aluminium est déposé dans une direction oblique sur l'électrode de commande 5 par un faisceau d'électron (EB) de manière à former sur cette dernière une couche de libération. Ensuite, un dépôt positif de Mo est effectué dans une direction verticale sur la couche de libération par des techniques de dépôt EB, si bien que du Mo est formé par dépôt sous forme conique dans chacune des ouvertures, donnant lieu à la
formation des cônes d'émetteur 6.
Ensuite, la couche de libération est éliminée par dissolution au moyen d'une solution de libération, telle que de l'acide phosphorique ou analogue, donnant lieu à l'agencement de la source d'électron de type à
émission de champ représenté sur la figure 2 ou 4.
A présent, la fabrication de la source d'électron de type à émission de champ représenté sur
la figure 3 va être décrite ci-après.
D'abord, la couche de résistance 3 est formée en silicium amorphe, en silicium dopé avec toute impureté souhaitée ou analogues en une épaisseur de film d'à peu près 0,5 à 2,0 micron sur le substrat isolant 1 réalisé en verre, en céramique ou analogues, par des techniques de pulvérisation, CVD ou analogue, de manière à s'étendre sur le fil cathodique 2. La couche de résistance 3 a de préférence une résistivité
allant de 1 x 101 à i x 106 cm.
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Ensuite, un film métallique de Nb, Mo, AI ou analogues est déposé sur la couche de résistance 3 de manière à recouvrir la couche de résistance 3 et est ensuite soumis à une gravure chimique par photolithographie, donnant lieu à la formation des zones exemptes de conducteur 8, ce qui provoque la séparation du fil cathodique 2 et des conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlot l'un par rapport à l'autre, par les zones 8. Ensuite, la couche isolante 4 réalisée en dioxyde de silicium est formée en une épaisseur d'à peu près 1 au sur le fil cathodique 2 et les conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots, par des techniques de pulvérisation ou CVD. Ensuite, l'électrode de commande 5 est formée en Nb, Mo, AL, WSi2 ou analogues, en une épaisseur d'à peu près 0,4 am
sur la couche isolante 4, par pulvérisation.
Ensuite, l'électrode de commande 5 est pourvue d'une pluralité de trous traversant ou d'ouverture d'à peu près i Zm de diamètre, par photolithographie et, ensuite, une gravure chimique humide ou une technique RIE est effectuée dans les ouvertures, de manière à permettre aux ouvertures de s'étendre sur les
conducteurs cathodiques 7 en forme d'îlots.
Ensuite, une couche de libération est agencée sur l'électrode de commande 5 et, ensuite, un dépôt positif de Mo est effectué sur la couche de libération, donnant lieu à la formation des cotes d'émetteur 6
selon une procédure telle que décrite ci-dessus.
En se référant à présent à la figure 9, une cathode incorporée dans un troisième mode de réalisation d'une source d'électron de type à émission
de champ, selon la présente invention est illustrée.
Une cathode globalement désignée par le numéro de référence 30 sur la figure 9 comprend une pluralité de fils cathodiques 12 en forme de bandes, disposés en juxtaposition les uns par rapport aux autres. Les fils cathodiques 12 sont chacun pourvue de zones exemptes de
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conducteurs, en forme de fenêtre, obtenues par le.; creusement d'une partie du fil cathodique. Les zones exemptes de conducteur en forme de fenêtre ont chacune ' des première et deuxième couches de résistances 13 et i 17 disposées sur elles. La deuxième couche de. résistance 17 est disposée sur une partie centrale de: : la fenêtre et la première couche de résistance 13 est prévue de manière à entourer la deuxième couche de > résistance 17. La valeur de résistance de la deuxième couche de résistance 17 est établie à un niveau inférieur à celui de la première couche de résistance 13. La figure 10 représente à plus grande échelle le:
fil cathodique 12 ainsi creusé, o la première couche -
de résistance 13 et la deuxième couche de résistance 17 sont pourvues d'une pluralité de canes d'émetteur 16,: donnant lieu à l'agencement de la source d'électron. r:: Les cônes d'émetteur 16 formés sur la première couche de résistance 13 reçoivent chacun un courant -.: électrique provenant du fil cathodique 12, par l'intermédiaire de la première couche de résistance 13 et les cônes d'émetteur 16 formés sur la deuxième couche de résistance 16 servent chacun à fournir un courant électrique depuis ces dernières, par les première et deuxième couches de résistance 13 et 17, à:
la cathode 12.
La figure 11 est une vue en coupe transversale.
suivant la ligne A-A de la figure 10. Les fils.
cathodiques 12 sont réalisés en mince film conducteur de Nb, Mo, Al, ou analogues et sous la forme d'un motif prédéterminé sur un substrat isolant 11. Les fils cathodiques 12 sont chacun pourvu de la première couche de résistance 13 et de la deuxième couche de résistance 17 de manière à s'étendre sur toute une zone du fil cathodique 12. Les couches de résistance sont réalisées en silicium amorphe dopées avec toute impureté souhaitée ou analogue. De même, les première et deuxième couches de résistance 13 et 17 de chacun des
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fils cathodiques 12 sont pourvues d'une couche isolante 14 et d'une électrode de commande 15 en Nb, Mo ou analogues, dans cet ordre. L'électrode de commande 15 et la couche isolante 14 sont pourvues d'une pluralité de trous traversant ou d'ouvertures, ménagés de manière à être communs au deux, dans lesquels sont
respectivement disposés les cônes d'émetteur 16 en Mo.
Les électrodes de commande 5 sont réalisées sous forme de bandes et forment une matrice en coopération avec
les fils cathodiques 12.
La figure 12 représente un circuit équivalent de la source d'électron de type à émission de champ de la figure 11, dans laquelle des cônes d'émetteur 6-1 et 6-3 sont formés de manière à être symétrique les uns par rapport aux autres, si bien que la valeur de résistance entre le cône d'émetteur 16-1 et le fil: cathodique 12 est égale à celle entre l'émetteur 16-3
et le fil cathodique 12. De même, un cône d'émetteur 6-
2 central est agencé de manière à être espacé d'une plus grande distance par rapport au fil cathodique 12, donnant lieu à l'augmentation d'une valeur de résistance entre le cône d'émetteur 6-2 et le fil cathodique 12. Ainsi, lorsque la valeur de résistance le
de la deuxième couche de résistance 17 disposée au-
dessous du cône d'émetteur 16-2 est établie à un faible niveau, le cône d'émetteur 16-2 peut avoir une valeur de résistance sensiblement égale à celle des canes
d'émetteur 16-1 et 16-2 restants.
De retour à présent à la figure 10, les cônes d'émetteurs 16 sont agencés en trois rangées parmi lesquels les cônes d'émetteurs des premières et de troisièmes rangées et les cônes d'émetteurs 16 les plus i haut et les plus bas de la deuxième rangés sont disposés sur la première couche de résistance 13 et les trois cônes d'émetteur 16 disposés au centre de la deuxième rangé sont disposés sur la deuxième couche de résistance 17. Comme décrit ci- dessus, la valeur de
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résistance de la deuxième couche de résistance 17 est établie à une valeur inférieure à celle de la première couche de résistance 13, si bien que la valeur de résistance entre le fil cathodique et les cônes d'émetteur des premières et troisièmes rangées proches du fil cathodique 12 et celle entre le fil cathodique 12 et les trois cônes d'émetteur 16 au centre de la deuxième couche de résistance 17 sont sensiblement égale entre elles, du fait que la deuxième couche de
résistance 17 a une résistance de plus faible valeur.
En outre, le mode de réalisation peut être construit de manière que la première couche de résistance 13, réalisée en silicium amorphe dopé avec toute impureté souhaitée, soit formée sur toute la zone du fil cathodique 12 et, ensuite, seule une partie de la première couche de résistance 13 correspondant à la deuxième couche de résistance soit irradiée avec un rayon laser ou analogue, de manière à être soumise à un recuit, donnant lieu à la réduction de la valeur de
résistance de la deuxième couche de résistance 17.
A présent, une cathode pour un quatrième mode de réalisation d'une source d'électron de type à émission de champ selon la présente invention, va être
décrite en se référant à la figure 13.
La cathode représentée sur la figure 13 est construite de manière qu'une pluralité de fils cathodiques 12 en forme de bandes soient agencés en juxtaposition les uns par rapport aux autres, et les fils cathodiques 2 sont chacun pourvus d'une zone exempte de conducteurs en forme de fenêtre, réalisée par un creusement d'une partie de ces derniers. La fenêtre creusée est pourvue d'une première couche de résistance 18 et d'une deuxième couche de résistance 19 de forme annulaire. La deuxième couche de résistance 19 est prévue sur une partie de la fenêtre proche du filtre cathodique 2 et a une valeur de résistance établie à un niveau supérieur à celui de la première
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couche de résistance 18. La première couche de résistance 18 et la deuxième couche de résistance 19 sont pourvues d'une pluralité de cônes d'émetteur 16 servant de source d'émission d'électron. Les cônes d'émetteur 16 disposés sur la première couche de résistance 18 reçoivent un courant électrique à partir du fil cathodique 12, par l'intermédiaire des première et deuxième couches de résistance 18 et 19, et un courant électrique est fourni par les cônes d'émetteur 16 disposés sur la première couche de résistance 18, par l'intermédiaire de la première couche de résistance 18, sur une plus grande distance par rapport au fil
cathodique 12.
La figure 14 est une vue en coupe transversale suivant la ligne B-B de la figure 13. Les fils cathodiques 12 sont réalisés en un mince film conducteur de Nb, Mo, Al ou analogue et sont réalisés selon un motif prédéterminé, sur un substrat isolant 11. Les fils cathodiques 12 sont chacun pourvus de la première couche de résistance 18 et de la deuxième couche de résistance 19, de manière à s'étendre sur toute une zone du fil cathodique 12. Les couches de résistance sont réalisées en silicium amorphe dopé avec toute impureté souhaitée ou analogue. De même, les première et deuxième couches de résistance 18 et 19 de chacun des fils cathodiques 12 sont pourvues d'une couche isolante 14 et d'une électrode de commande 15
réalisée en Nb, Mo ou analogue dans cet ordre.
L'électrode de commande 15 et la couche isolante 14 sont pourvus d'une pluralité de trous traversants ou d'ouvertures, réalisés de manière à être communs aux deux, dans lesquels sont respectivement disposés les cônes d'émetteur 16 en Mo. Les électrodes de commande sont réalisées sous forme de bande et forment une
matrice en coopération avec les fils cathodiques 12.
Les cônes d'émetteur 16 sont disposés en quatre rangées. La deuxième couche de résistance 19 est
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disposée sous des cônes d'émetteur 16 périphériques extérieurs, tout en étant noyée sur une profondeur intermédiaire à partir d'une surface de la première couche de résistance 18, dans la première couche de résistance 18. La figure 14, comme décrit ci-dessus, est une vue en coupe transversale suivant la ligne B-B de la figure 13, de manière que la deuxième couche de
résistance 19 soit représentée comme étant disposée au-
dessous seulement du cône d'émetteur 16-1 de la première rangée et du cône d'émetteur 16-4 de la quatrième rangée. La deuxième couche de résistance 1 à une valeur de résistance établie à une valeur inférieure à celle de la première couche de résistance 18 et une plus grande distance est définie entre les cônes d'émetteur 16- 2 et 16-3 des deuxième et troisième rangées et le fil cathodique 12, si bien que la valeur de résistance entre le fil cathodique et chacun des cônes d'émetteur 16-1 à 16-4 peut être rendu
sensiblement égale.
De même, le quatrième mode de réalisation peut être construit de manière que la deuxième couche de résistance 19 réalisée en silicium amorphe dopé avec toute impureté souhaitée soit disposée sur toute une zone du fil cathodique 12 et, ensuite, le fil cathodique 12 est exposé, sur une de ses parties autre que la partie sur laquelle est formée la deuxième couche de résistance 19, à un rayon laser ou analogue, projeté vers le haut, dans le substrat transparent,
donnant lieu à une exposition partielle à un recuit.
Ensuite, tout le fil cathodique 12 est exposée à un rayon laser ou analogue projeté vers le haut dans le substrat 11, pendant une courte période de temps, de manière à être soumis à un simple recuit, donnant lieu à la réduction de la valeur de résistance de la première couche de résistance et à l'empêchement de la réduction de la valeur de résistance de la deuxième
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couche de résistance 19 et au noyage de cette deuxième couche de résistance sur une profondeur intermédiaire à partir de la surface de la première couche de
résistance 18 dans la première couche de résistance 18.
En se référant à présent à la figure 15, une cathode pour un cinquième mode de réalisation d'une source d'électron de type à émission de champ selon la présente invention est illustrée. Une cathode 30 représentée sur la figure 15 comprend une pluralité de fils cathodiques 12 en forme de bandes, disposés en juxtaposition les uns par rapport aux autres, comme dans la cathode 20 décrite ci-dessus en se référant à la figure 1. Les fils cathodiques 12 sont chacun pourvus, dans une de leur zone d'une zone exempte de conducteur en forme de fenêtre, par un creusement d'une partie du fil de conducteur 12. La zone en forme de fenêtre du fil cathodique 12 est pourvue en son sein d'une première couche de résistance 20 et deuxièmes couches de résistance 21. Les deuxièmes couches de résistances 21 sont disposées au-dessous seulement de cônes d'émetteur 16 prédéterminés. Plus particulièrement, les deuxièmes couches de résistance 21 sont disposées au-dessous seulement de cônes d'émetteur 16 formés à proximité du fil cathodique 12 et ont une valeur de résistance supérieure à celle de la première couche de résistance 20. Une pluralité des cônes d'émetteur 16 formés sur les première et deuxième couches de résistance 20 et 21 coopèrent entre eux pour constituer une source d'émission d'électron. Parmi les cônes d'émetteur 16, ceux disposés sur les deuxièmes couches de résistance 21 permettent le passage d'un courant électrique depuis ces derniers dans les première et deuxième couche de résistance 20 et 21, vers le fil cathodique 12, et ceux disposés sur la première couche de résistance 20 permettent le passage d'un courant électrique depuis ce dernier, à travers la
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première couche de résistance 20, sur une plus grande
distance vers le fil cathodique 12.
La figure 16 est une vue en coupe transversale suivant la ligne C-C de la figure 16. Les fils cathodiques 12 sont réalisés en un mince film conducteur de Nb, Mo, Al ou analogue et, comme représenté sur la figure 16, sont agencés sous la forme d'un motif prédéterminé sur un substrat isolant 11. Les première et deuxième couches de résistance 20 et 21 décrites ci-dessus sont disposés sur le fil cathodique 12, de manière à recouvrir toute une zone de la cathode 12. Les couches de résistance 20 et 21 peuvent être réalisées en un mince film conducteur de Nb, Mo, A1 ou analogue. Une couche isolante 14 réalisée en dioxyde de silicium (SiO2) et une électrode de commande 15 réalisée en Nb, Mo, ou analogue, sont disposées sur les première et deuxième couche de résistance 20 et 21 de chacun des fils cathodiques 12. L'électrode de commande et la couche isolante 14 sont pourvues de trous traversants ou d'ouvertures, réalisés de manière à être communs aux deux, dans lesquels sont respectivement disposés les cônes d'émetteur 16 en Mo. Les électrodes de commande 15 sont réalisées sous forme de bande et forment une matrice en coopération avec les fils
cathodiques 12.
Les cônes d'émetteur 16 sont agencés en quatre rangées. Les deuxièmes couches de résistance 21 sont disposées autour d'une position immédiatement inférieure à des cônes d'émetteur 16 périphériques extérieurs. La figure 16, comme décrit ci-dessus, est une vue en coupe transversale suivant la ligne C-C de la figure 15, de manière que les deuxièmes couches de résistance 21 soient représentées comme étant disposées au-dessous seulement du cône d'émetteur 16-1 de la première rangée et du cône d'émetteur 16-4 de la quatrième rangée. Les deuxièmes couches de résistance 21 ont chacune une valeur de résistance inférieure à
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celle de la première couche de résistance 28 et une plus grande distance est définie entre les cônes d'émetteur 16-2, 16-3 des deuxième et troisième rangées et le fil cathodique 12, si bien que la valeur de résistance entre le fil cathodique 12 et chacun des cônes d'émetteur 16-1 à 16-4 peut être rendue
sensiblement égale.
* De même, le cinquième mode de réalisation peut être construit, de manière que les deuxièmes couches de résistance 21 réalisées en silicium amorphe, dopé avec toute impureté souhaitée, soient disposées sur toute la zone du fil cathodique 12 et, ensuite, le fil cathodique 12 est exposé, sur une de ses parties autres que la partie sur laquelle est formée la deuxième couche de résistance 19, à un rayon laser ou analogue, projeté vers le haut, dans le substrat transparent 11, donnant lieu à une exposition partielle à un recuit, si bien que la première couche de résistance peut avoir une valeur de résistance réduite et que les deuxièmes couches de résistance 19 peuvent être empêchées d'avoir
une valeur de résistance réduite.
En se référant à présent à la figure 17, une cathode destinée à un sixième mode de réalisation d'une source d'électron de type à émission de champ selon la
présente invention est illustrée.
Une cathode, globalement désignée par le numéro de référence 30 sur la figure 17, comprend une
pluralité de fils cathodiques 12 en forme de bandes.
Une zone comprenant chacun des fils cathodiques 12 est pourvue d'une première couche de résistance 22 et de deuxièmes couche de résistance 23. Les deuxièmes couches de résistances 23 sont disposées au-dessous d'une partie des cônes d'émetteur 16. De même, les deuxièmes couches derésistance 23 sont chacune prévues sous une forme d'Âlot et disposées au-dessous seulement de cônes d'émetteur 16 prévus éloignés du fil cathodique 12. En outre, les deuxièmes couches de
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résistance 23 ont chacune une valeur de résistance inférieure à celle de la première couche de résistance 22. Une pluralité de cônes d'émetteur 16 disposés sur les première et deuxième couches de résistance 22 et 23 constitue une source d'émission d'électrons. Parmi les cônes d'émetteur 16, ceux disposés sur les deuxièmes couches de résistance 23 permettent le passage d'un courant électrique depuis ces derniers, par l'intermédiaire des première et deuxième couches de résistance 22 et 23, vers le fil cathodique 12, et ceux disposés sur la première couche de résistance 22 permettent le passage d'un courant électrique depuis ces derniers, à travers la première couche de résistance 22, vers le fil cathodique 12. Le numéro de référence 24 désigne une section de séparation de couche de résistance sur laquelle les première et deuxième couches de résistance 22 et 23 ne sont pas formées et qui sert à effectuer une isolation électrique entre les fils cathodiques 12 en forme
d'îlot.
La figure 18 est une vue en coupe transversale suivant la ligne D-D de la figure 17. Les fils cathodiques 12 sont réalisés en un mince film conducteur en Nb, Mo, A1 ou analogue, et, comme représenté sur la figure 18, sont agencés sous la forme d'un motif prédéterminé sur un substrat isolant 11. Les première et deuxième couches de résistance 22 et 23 décrites ci-dessus sont disposées sur le fil cathodique 12, de manière à recouvrir toute une zone de la cathode 12. Les couches de résistance 22 et 23 peuvent être réalisées en un mince film conducteur de Nb, MO0, Al ou analogue. Une couche isolante 14 réalisée en dioxyde de silicium (SiOz) et une électrode de commande 15 réalisée en Nb, Mo ou analogue sont disposées sur les première et deuxième couches de résistance 22 et 23 de chacun des fils cathodiques 12. L'électrode de commande et la couche isolante 14 sont pourvues de trous
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traversants ou d'ouvertures, réalisés de manière à être communs aux deux, dans lesquels sont respectivement disposés les cônes d'émetteur réalisés en Mo. Les électrodes de commande 15 sont réalisées sous forme de bande et forment une matrice en coopération avec les
fils cathodiques 12.
Dans la construction représentée sur la figure 18, la valeur de résistance de chacun des cônes d'émetteur 16-1 et 16-2 et du fil cathodique 12 est déterminée en fonction d'une longueur de la première couche de résistance 22. De même, les cônes d'émetteur 16-2 et 16-4 sont disposés de manière à être espacés d'une plus grande distance par rapport au fil cathodique 12, si bien que la valeur de résistance entre les cônes d'émetteur et le fil cathodique 12 est globalement augmentée. Ainsi, lorsque les deuxièmes couches de résistance 23 disposées au-dessous des cônes d'émetteur 16-2 et 16-4 sont formées de manière à avoir une moindre résistance, la valeur de résistance des cônes d'émetteur peut être rendue sensiblement égale 3
celle des cônes d'émetteur 16-1 et 16-3.
Plus particulièrement, les cônes d'émetteur 16 sont disposés en deux rangées dans la zone de chacun des fils cathodiques 12, comme représenté sur les figures 17 et 18, dans lesquelles les cônes d'émetteur 16-1 et 16-3 d'une première rangée sont disposés sur la première couche de résistance 22 et les cônes d'émetteur 16-2 et 16-4 d'une deuxième rangée sont disposés sur les deuxièmes couches de résistance 23 en forme d'Âlots. Comme décrit ci-dessus, la valeur de résistance des deuxièmes couches de résistance 23 est établie à une valeur inférieure par rapport à celle de la première couche de résistance 22, si bien que la valeur de résistance des cônes d'émetteur 16-1 et 16-3 de la première rangée disposés à proximité du fil cathodique 12, et celle des cones d'émetteur 16-2 et 16-4 de la deuxième rangée, disposés à distance du fil
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cathodique 12, sont rendues sensiblement égales entre elles, car la deuxième couche de résistance 22 à une
moindre valeur de résistance.
Dans le sixième mode de réalisation décrit ci-
dessus, les première et deuxième couches de résistance 22 et 23 sont agencées seulement d'un côté du fil cathodique 12. En variante, elles peuvent être agencées de chaque côté du fil cathodique 12. De même, le fil cathodique 12 est disposé directement sur le substrat 11. En variante, il peut être disposé sur la première
couche de résistance 22.
Le sixième mode de réalisation peut être construit de manière que la première couche de résistance 22 réalisée en silicium amorphe dopé avec toute impureté souhaitée, soit disposée sur toute la zone du fil cathodique 12 et, ensuite, le fil cathodique 12 est exposé au niveau d'une de ses parties autre que la partie sur laquelle sont formées les deuxièmes couches de résistance 23, à un rayon laser ou analogue, donnant lieu partiellement à un recuit, si bien que les deuxièmes couches de résistance peuvent
avoir une valeur de résistance réduite.
En se référant à présent à la figure 19, une cathode destinée à un septième mode de réalisation d'une source d'électron de type à émission de champ,
selon la présente invention, est illustrée.
Une cathode, globalement désignée par le numéro de référence 30 sur la figure 19, comprend une pluralité de fils de cathode 12 en forme de bandes disposés de façon juxtaposée entre eux. Les fils de cathode 12 ont chacun une zone dans laquelle une première couche de résistance 25 est disposée de manière à s'étendre dans des directions opposées des deux côtés du fil cathodique 12, tout en enjambant le fil cathodique 12. La cathode 30 comprend également des deuxièmes couches de résistance 26 agencées de manière à être noyées sur une profondeur intermédiaire depuis
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une surface de la première couche de résistance 25, dans la première couche de résistance, des deux côtés du fil cathodique 12 et être disposées au-dessous de cônes d'émetteur 16 prévus à proximité du fil cathodique 12. Les deuxièmes couches de résistance 26 ont une valeur de résistance supérieure à celle des premières couches de résistance 25. Des cônes d'émetteur 16 sont également disposés sur une partie de la première couche de résistance 25 définie à
l'extérieur des deuxièmes couches de résistance 26.
Ainsi, les cônes d'émetteur 16 disposés à la fois sur les première et deuxième couches de résistance 25 et 26 constituent une source d'émission d'électron. Parmi les cônes d'émetteur 16, ceux disposés sur les deuxièmes couches de résistance 26 permettent le passage d'un courant électrique depuis ces derniers, par l'intermédiaire des première et deuxième couches de résistance 25 et 26, vers le fil cathodique 12 et ceux disposés sur la première couche de résistance 26 permettent le passage d'un courant électrique depuis ces derniers, par l'intermédiaire de la première couche de résistance 26 sur une plus grande distance, par
rapport au fil cathodique 12.
La figure 20 est une vue en coupe transversale suivant la ligne E-E de la figure 19. Les fils cathodiques 12 sont réalisés en un mince film conducteur de Nb, Mo, Al, ou analogues et comme représenté sur la figure 20, sont agencés sous la forme
d'un motif prédéterminé, sur un substrat isolant 11.
Les premières et deuxièmes couches de résistance 25 et 26 décrites cidessus sont disposées sur chacun des fils cathodiques 12, de manière à recouvrir toute la zone du fil cathodique 12. Les couches de résistance 25 et 26 peuvent être réalisées en un mince film conducteur de Nb, Mo, A1, analogues. Une couche isolante 14 réalisée en dioxyde de silicium (SiO2) et une électrode de commande 15 réalisée en Nb, Mo, ou
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analogue, sont disposées sur les premières et deuxièmes couches de résistance 25 et 26 de chacun des fils cathodiques 12. L'électrode de commande 15 et la couche ?
isolante 14 sont pourvues de trous traversant ou -
d'ouverture, réalisés de manière à être communs au deux, dans lesquelles sont respectivement disposées les cônes d'émetteur 16 en Mo. Les électrodes de commande sont réalisées sous forme de bandes et forment une
matrice, en coopération avec les fils cathodiques 12.
Les cônes d'émetteur 16, comme représenté sur la figure 19, sont disposés en deux rangées de chaque côté du fil cathodique 12 et les deuxième couches de!i résistance 26 sont chacune disposées au- dessous des cônes d'émetteur 16-1 et 16-2, prévue à proximité du fil cathodique 12, de chaque coté du fil cathodique 12, de manière à être noyées sur une profondeur intermédiaire depuis une surface de la première couche de résistance 25, dans la première couche de résistance 25. Les deuxièmes couches de résistance 26, ont chacune une valeur de résistance supérieure à celle de la première couche de résistance 25 et une plus grande distance est définie entre les cônes d'émetteur 16-2 et T 16-3 de la deuxième rangée et le fil cathodique 12, si e bien que la valeur de résistance entre le fil!
cathodique 12 et chacun des cônes d'émetteur 16-1 à 16-
4 peuvent être rendus sensiblement égales.
De même, le septième mode de réalisation peut être construit de manière que les deuxièmes couches de résistance 26 réalisées en silicium amorphe, dopées avec toutes impuretés souhaitées soit disposée sur toute la zone du fil cathodique 12, et, ensuite le fil cathodique 12 est exposé au niveau d'une de ces parties autre que la partie sur laquelle sont formées les deuxièmes couches de résistance 26 à un rayon laser ou analogue projeté vers le haut dans le substrat
transparent 11 donnant lieu partiellement à un recuit.
Ensuite, la totalité du fil cathodique 12, est exposée
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à un rayon laser ou analogue projeté vers le haut dans
le substrat 11, pendant une courte période de temps, de 's.
manière à être soumis à un simple recuit, donnant lieu à une réduction de la valeur de résistance de la première couche de résistance 25 et empêchant les deuxièmes couches de résistance 26 d'avoir une valeur de résistance réduite et d'être noyée sur une
profondeur intermédiaire depuis la surface de la: :,.
première couche de résistance 25, dans la première: couche de résistance 25. Le numéro de référence 24 désigne une section de séparation de couches de résistance, sur laquelle les premières et deuxième -:
couches de résistance 22 et 23 ne sont pas formées et -
qui sert à effectuer une isolation électrique entre les
fils cathodiques 12 en forme de bandes.
De même, dans le septième mode de réalisation, les première et deuxième couches de résistances 25 et
26 sont disposées de chaque coté du fil cathodique 12.
En variante, les couches de résistance 25 et 26 sont disposées de chaque coté du fil cathodique 12. En variante, les couches de résistance 25 et 26 peuvent être disposées sur l'un quelconque des deux côtés du fil cathodique 12. En outre, le fil cathodique 12 est disposé directement sur le substrat 11. En variante, il peut être disposé sur les premières couches de
résistance 22 comme représenté sur les figures 21.
En se référant à présent à la figure 22, une cathode destinée à un huitième mode de réalisée d'une source d'électron de type à émission de champ, selon la
présente invention, est illustrée.
Une cathode, globalement désignée par le numéro de référence 30 sur les figures 22, comprend une pluralité de fils cathodiques 12 en forme de bandes, disposés de façon juxtaposée entre eux. Les fils cathodiques 12 ont chacun une zone dans laquelle une première couche de résistance 27 est disposée de manière à s'étendre dans des directions opposées des
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deux cotés du fil cathodique 12, tout en l'enjambant.
La cathode 30 comprend également des deuxièmes couches de résistance 28 disposées à proximité d'une position située immédiatement au-dessous de cône d'émetteur 16 prévus à proximité du fil cathodique 12. Les deuxièmes couches de résistance 28 ont une valeur de résistance supérieure à celle des premières couches de résistance 27. De même, des cônes d'émetteur 16 sont disposés sur une partie de la première couche de résistance 27 définie à l'extérieur des deuxièmes couches de résistance 28. Ainsi, les cônes d'émetteurs 16 disposés à la fois sur les première et deuxième couches de résistance 27 et 28 constituent une source d'émission d'électron. Parmi les cônes d'émetteur 16, ceux disposés sur les deuxièmes couches de résistance 28 permettent le passage d'un courant électrique depuis ces derniers à travers les premières et deuxièmes couches de résistance 27 et 28, vers le fil cathodique 12, et ceux disposés sur la première couche de résistance 27 permettent le passage d'un courant électrique depuis ces derniers dans la première couche de résistance 27, sur une plus grande distance par
rapport au fil cathodique 12.
La figure 23 est une vue en coupe transversale suivant la ligne F-F de la figure 22. Les fils cathodiques 12 sont réalisés en un mince fil conducteur de Nb, Mo, Al ou analogue et, comme représenté sur la figure 23, sont agencés sous la forme d'un motif prédéterminé sur un substrat isolant 11. Les premières et deuxièmes couches de résistance 27 et 28 décrites ci-dessus sont disposées sur chacun des fils cathodiques 12, de manière à recouvrir toute la zone du fil cathodique 12. Les couches de résistance peuvent être réalisées en un mince film de conducteur de Nb, Mo, Al, ou analogue. Une couche isolante 14 réalisée en dioxyde de silicium (SiO2) et une électrode de commande réalisée en Nb, Mo, ou analogues, sont disposes sur
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les premières et deuxièmes couches de résistance 27 et 28 de chacun des fils cathodiques 12. L'électrode de commande 15 et la couche isolante 14 sont pourvues de trous traversant ou d'ouvertures, réalisés de manière à être communs au deux, dans lesquels sont respectivement disposés les cônes d'émetteurs 16 en Mo. Les électrodes de commande 15 sont réalisées sous forme de bandes et forment une matrice en coopération avec les fils
cathodiques 12.
Les cônes d'émetteur 16, comme représenté sur la figure 23, sont agencés en deux rangées de chaque coté du fil cathodique 12 et les deuxièmes couches de résistance 28 sont chacune disposés à proximité d'une position située immédiatement au-dessous des cônes d'émetteur 16+1 et 16-4, prévus à proximité du fil cathodique 12, de chaque coté du fil cathodique 12. Les deuxièmes couches de résistance 28 ont chacune une valeur de résistance supérieure à celle de la première couche de résistance 27 et une plus grande distance est définie entre les cônes d'émetteurs 16-2 et 16-3 d'une deuxième rangée et le fil cathodique 12, si bien que la valeur de résistance, entre le fil cathodique 12 et chacun des cônes d'émetteur 16-1 et 16-4, peut être
rendue sensiblement égale.
De même, le huitième mode de réalisation peut être construit de manière que les deuxièmes couches de résistance 28 réalisées en silicium amorphe, dopée avec toute impuretés souhaitée, soit disposé sur toute la zone du fil cathodique 12 et, ensuite, le fil cathodique 12 est exposé, sur une de ces parties autres que la partie sur laquelle sont formées les deuxièmes couches de résistance 28, 3 un rayon laser ou analogue projeté vers le haut dans le substrat transparent 11 donnant lieu à une exposition partielle à un recuit, si bien que la première couche de résistance 27 a une valeur de résistance réduite et les deuxièmes couches de résistance 28 sont empêchées d'avoir une valeur de
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résistance réduite. Le numéro de référence 24 désigne une section de séparation de couche de résistance sur laquelle les premières et deuxièmes couches de résistance 22 et 23 ne sont pas formées et qui sert à réaliser une isolation électrique entre les fils
cathodiques 12 en forme de bande.
De même, dans le huitième mode de réalisation, les premières et deuxièmes couches de résistance 27 et
28 sont disposées de chaque coté du fil cathodique 12.
En variante, les couches de résistance peuvent être disposées sur l'un quelconque des deux côtés du fil cathodique 12. En outre, le fil cathodique 12 est disposé directement sur le substrat 11. En variante, il peut disposé sur la première couche de résistance 22
comme représenté sur la figure 24.
Comme on peut le voir à partir de ce qui précède, la source d'électron de type à émission de champ de la présente invention permet aux cônes d'émetteur disposés dans la zone du fil cathodique d'avoir une valeur de résistance sensiblement égale, donnant lieu à l'augmentation de la valeur de résistance de tous les cônes d'émetteur dans la zone qui présente pratiquement la même émission d'électron
et le même courant d'émission.
De même, la présente invention minimise la différence de valeur de résistance entre les cônes d'émetteur de la zone du fil cathodique 12, de manière à augmenter le nombre de cônes d'émetteur à disposer dans la zone et à faciliter la fabrication du
dispositif selon la présente invention.
L'agencement d'une anode à dépôt de phosphore, fait de manière à être espacé de la source d'électron de type à émission de champ, selon la présente invention, fournit un affichage dans lequel les zones des fils cathodiques 12 sont respectivement disposées de manière à correspondre au cellule d'image de l'affichage.
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Dans chacun des troisièmes à huitième modes de réalisation décrit ci-dessus, les premières et deuxièmes couches de résistance peuvent chacune être réalisées en silicium amorphe, dopé avec toute impureté souhaitée, polysilicium ou analogue. L'impureté utilisée pour le dopage dans le matériau peut être sélectionnée dans le groupe composé de P, Bi, Ga, In, TI et analogues, si bien que la valeur de résistance des couches de résistance peuvent être ajustées de façon appropriée, de façon à être comprises dans une plage allant de 10 3 10 cm. Ceux-ci permet à la deuxième couche de résistance 17 du troisième mode de réalisation, à la première couche de résistance 18 du quatrième mode de réalisation, à la première couche de résistance 20 du cinquième mode de réalisation, à la deuxième couche de résistance 23 du sixième mode de réalisation, à la première couche de résistance 25 du septième mode de réalisation et à la première couche de réalisation 27 du huitième mode de réalisation d'avoir
une valeur de résistance réduite.
En outre, un laser excimère XeC1 (longueur d'onde = 308 nm) peut être classiquement utilisé pour effectuer le recuit dans la présente invention. Le durée d'irradiation au laser est d'à peu près 0,1 seconde. Le recuit peut être effectué au moyen d'une
lampe au lieu d'un laser.
La présente invention construite comme décrit ci-dessus permet de rendre constante la valeur de résistance entre la cathode et chacun des cônes d'émetteur, si bien qu'une émission uniforme d'électrons par les cônes d'émetteurs disposés dans la zone cathodique peut être assuré. De même, une uniformité d'émission d'électrons depuis les cônes d'émetteurs peut être assurée même si les cônes d'émetteurs sont disposés à proximité de la cathode, si bien que le nombre de cônes d'émetteur à disposer dans la zone de la cathode peut être augmenté, de manière à
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améliorer la densité de composants des cônes d'émetteur. Bien que des modes de réalisation préféré de l'invention ait été décrit, des modifications et variations évidentes sont possibles à la lumière des
enseignements ci-dessus.
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Claims (12)

REVENDICATIONS
1. - Source d'électron de type à émission de champ comprenant: des fils de cathode (2) comprenant chacun une zone; une couche de résistance (3) disposée en correspondance avec chacun desdits fils de cathode (2); et des émetteurs connectés par ladite couche de résistance (3) à chacun desdits fils de cathode (2); une connexion entre ledit fil de cathode (2) et lesdits émetteurs étant établie de manière à rendre une valeur de résistance entre ces derniers sensiblement constante. 2. - Source d'électron de type à émission de champ selon la revendication 1, comprenant en outre une pluralité de conducteurs cathodiques (7) disposés dans ladite zone dudit fil de cathode (2), de manière à être séparés dudit fil de cathode (2); ledit fil de cathode (2) et lesdits conducteurs cathodiques (7) étant connectés électriquement entre eux par ladite couche de résistance (3); lesdits émetteurs étant réalisés sous une forme conique et disposés directement ou par l'intermédiaire de ladite couche de résistance (3) sur lesdits
conducteurs cathodiques (7).
3. - Source d'électron de type à émission de champ selon la revendication 2, comprenant en outre un substrat isolant; ledit fil de cathode (2) et lesdits conducteurs cathodiques (7) étant prévus sur ladite couche isolante (4); 4. - Source d'électron de type à émission de champ selon la revendication 2, comprenant en outre un substrat isolant;
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ladite couche de résistance (3) étant disposée sur ledit substrat isolant; ledit fil cathodique (2) et lesdits conducteurs cathodiques (7) étant disposés sur ladite couche de résistance (3). 5. - Source d'électron de type à émission de
champ selon l'une quelconque des revendications 2 à 4,
dans laquelle ledit fil cathodique (2) est réalisé sous forme de bande; lesdits conducteurs cathodiques (7) sont chacun pourvus, sur leur périphérie, d'une zone exempte de conducteur (8) et réalisée sous une forme d'?lot; et lesdits conducteurs cathodiques (7) sont
disposés à l'intérieur dudit fil cathodique (2).
6. - Source d'électron de type à émission de champ selon la revendication 5, dans laquelle au moins l'un desdits conducteurs cathodiques (7) en forme d'îlot est agencé de manière à correspondre à chacune
des cellules d'image d'un affichage.
7. - Source d'électron de type à émission de champ selon la revendication 1, dans laquelle ladite zone dudit fil cathodique (2) est pourvue en son sein d'une fenêtre exempte de conducteur; ladite couche de résistance (3) étant agencée dans ladite fenêtre; lesdits émetteurs étant réalisés sous une forme conique et disposés sur ladite couche de résistance (3); lesdites couches de résistance étant construites de manière que la valeur de résistance de sa partie centrale soit établie de façon à être
inférieure à celle de sa partie périphérique.
8. - Source d'électron de type à émission de champ, comprenant: des fils de cathode (12);
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lesdits fils de cathode (12) ayant chacun une zone pourvue en son sein d'une fenêtre exempte de conducteurs; une couche de résistance (13, 17) prévue dans ladite fenêtre; et des émetteurs (16) réalisés sous une forme conique et disposés sur ladite couche de résistance
(13, 17);
lesdits émetteurs étant disposés, au niveau d'une partie de ces derniers, sur une partie périphérique extérieure de ladite couche de résistance (17); ladite partie de ladite couche de résistance (17) sur laquelle est disposée ladite partie desdits émetteurs ayant une valeur de résistance établie de façon à être élevée, sur une profondeur intermédiaire
d'une surface de ladite couche de résistance (17).
9. - Source d'électron de type à émission de champ, comprenant: des fils de cathode (12); lesdits fils de cathode (12) ayant chacun une zone pourvue en son sein d'une fenêtre exempte de conducteur; une couche de résistance (17) prévue dans ladite fenêtre; et des émetteurs réalisés sous forme conique (16) et disposés sur ladite couche de résistance (18, 19); lesdits émetteurs étant disposés, au niveau d'une partie de ces derniers, sur une partie périphérique extérieure de ladite couche de résistance (19); ladite couche de résistance (19) ayant une valeur de résistance établie de façon à être élevée, au niveau d'une partie de cette dernière, à proximité de ladite partie desdits émetteurs; 10. - Source d'électron de type à émission de champ, comprenant:
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un substrat isolant; des fils de cathode (12) réalisés sous forme de bandes et disposés sur le lit substrat isolant; une couche de résistance (20, 21) disposée dans une zone qui comprend chacun desdits fils de cathode (12) et est définie sur ledit substrat isolant; et des émetteurs (16) réalisés sous forme coniques et disposés sur ladite couche de résistance (20, 21); ladite couche de résistance (20, 21) étant prévue, sur une partie de cette dernière éloignée desdits fils cathodique, d'une section en forme d'?lot
ayant une valeur de résistance réduite.
11. - Source d'électron de type à émission de champ, comprenant: un substrat isolant; des fils de cathode (12) réalisés sous forme de bandes et disposés sur le lit substrat isolant; une couche de résistance disposée dans une zone qui comprend chacun desdits fils de cathode (12) et est définie sur ledit substrat isolant; et des émetteurs (16) réalisés sous forme coniques et disposés sur ladite couche de résistance; lesdits émetteurs étant disposés, au niveau d'une de leur partie, à proximité dudit fil cathodique
(12);
une partie de ladite couche de résistance (20) sur laquelle est disposée ladite partie desdits émetteurs ayant une valeur de résistance établie de façon à être élevée, sur une profondeur intermédiaire
d'une surface de ladite couche de résistance.
12. - Source d'électron de type à émission de champ, comprenant: un substrat isolant; des fils de cathode (12) réalisés sous forme de bandes et disposés sur ledit substrat isolant;
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une couche de résistance (22, 23) disposée dans une zone qui comprend chacun desdits fils de cathode (12) et est définie sur ledit substrat isolant; et des émetteurs (16) réalisés sous forme coniques et disposés sur ladite couche de résistance; lesdits émetteurs étant disposés, au niveau d'une de leur partie, à proximité dudit fil cathodique (12); ladite couche de résistance ayant une valeur de résistance établie de façon à être élevée, au niveau d'une partie de cette dernière disposée sous ladite
partie desdits émetteurs.
13. - Source d'électron de type à émission de
champ, selon l'une quelconque des revendications 7 à
12, dans laquelle ledit fil cathodique (12) est formé
sur ladite couche de résistance.
14. - Source d'électron de type à émission de
champ, selon l'une quelconque des revendications 7 à
13, dans laquelle ledit fil cathodique (12) est disposé
sur un substrat isolant transparent.
15. - Source d'électron de type à émission de
champ, selon l'une quelconque des revendications 7 à
14, dans laquelle ladite couche de résistance est soumise, sur une partie de cette dernière, à un recuit,
ce qui lui confère une section à résistance réduite.
16. - Source d'électron de type à émission de
champ, selon l'une quelconque des revendications 7 à 9,
14 et 15, dans laquelle ledit fil cathodique (12) est pourvu d'au moins une fenêtre, qui est agencée de façon à correspondre à chacune des cellules d'image d'un affichage.
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