EP0234989B1 - Procédé de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitée par émission de champ - Google Patents

Procédé de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitée par émission de champ Download PDF

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EP0234989B1
EP0234989B1 EP87400140A EP87400140A EP0234989B1 EP 0234989 B1 EP0234989 B1 EP 0234989B1 EP 87400140 A EP87400140 A EP 87400140A EP 87400140 A EP87400140 A EP 87400140A EP 0234989 B1 EP0234989 B1 EP 0234989B1
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EP
European Patent Office
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coating
process according
production process
holes
layer
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Application number
EP87400140A
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German (de)
English (en)
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EP0234989A1 (fr
Inventor
Michel Borel
Jean-François Boronat
Robert Meyer
Philippe Rambaud
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Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123Flat display tubes
    • H01J31/125Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a display device by cathodoluminescence excited by field emission or cold emission. It applies in particular to the production of simple matrix displays, allowing the viewing of fixed images, and to the production of complex multiplexed screens, allowing the viewing of moving images, of the television image type.
  • This display device comprises a display cell 2, sealed and evacuated, comprising two glass walls 4 and 6, located opposite one another.
  • the lower wall 6 of the cell 2 is equipped with a first series of conductive strips 8, mutually parallel, playing the role of cathodes and a second series of conductive strips 10, parallel to each other, playing the role of grids.
  • the conductive strips 10 are oriented perpendicular to the conductive strips 8 and isolated from the conductive strips 8 by an insulating and continuous layer 12, in particular made of silica.
  • the conductive strips 8 and 10 respectively represent columns and rows. Each crossing of a line and a column corresponds to an elementary display point 14.
  • the conductive strips or grids 10 and the insulating layer 12 are pierced with a large number of holes 16 in which are housed microemitters or electron microchannels.
  • Each elementary display point 14 corresponds to a multitude of micro-transmitters.
  • microemitters each consist of a metal cone 18 emitting electrons when a suitable electric field is applied to them.
  • These metal cones 18 rest by their base directly on the cathodes 8 and the top of these cones is substantially at the level of the conductive strips 10.
  • the base diameter of the cones and their height are for example of the order of 1 lim.
  • the upper wall 4 of the cell 2, as shown in FIG. 1, is provided with a continuous conductive layer 20 acting as an anode.
  • This anode 20 is covered with a layer 22 made of a material emitting light when it is subjected to an electronic bombardment coming from the microemitters 18.
  • the emission of electrons by a microemitter 18 can be achieved by simultaneously polarizing the cathode 8 and the grids 10 located opposite, as well as the anode 20.
  • the anode 20 can in particular be brought to ground, the grids 10 are , either brought to the potential of the anode, or negatively polarized with respect to the latter using a voltage source 24.
  • the cathodes 8 are negatively polarized with respect to the grid using a source voltage 26.
  • the cathodes 8 and the grids 10 can be polarized sequentially in order to make appear a point-by-point image on the display cell 2. The image is observed from the side of the upper wall 4 of the cell.
  • the number of microemitters 18 per display point 14, that is to say by crossing a cathode and a grid, is generally high, which makes it possible to have a more uniform emission characteristic of one display point to another (average effect); this gives a certain redundancy of the microemitters making it possible to tolerate a certain proportion of microemitters not functioning.
  • the number of microemitters is between 10 4 and 10 5 transmitters per mm 2 . Consequently, traditional manufacturing, requiring precise positioning of the microemitters facing the cathodes and grids, would be complex and would increase the cost of the display device.
  • the object of the present invention is precisely a relatively simple and inexpensive method for manufacturing a display device operating by cathodoluminescence excited by field effect as described above.
  • This method has the advantage of simple implementation. In particular, it allows the production of electron microemitters in the holes formed in the second and third layers, distributed over the entire display device, without requiring precise positioning with respect to the cathodes and grids. Only microemitters located at an intersection of a cathode and a grid are effectively active.
  • an insulating intermediate layer is advantageously interposed between the substrate and the first conductive layer, in which the cathodes are made.
  • the first conductive layer In order to minimize the resistance to access to the microemitters, the first conductive layer must be made of a material that conducts electricity well. Furthermore, this first conductive layer must have good compatibility with the second insulating layer and in particular good adhesion and must be inert with respect to the etching method of this second insulating layer.
  • the first conductive layer is made of a material chosen from indium oxide, tin oxide and aluminum. Indium oxide and tin oxide are preferably used for producing screens of small dimensions and of low complexity such as screens used for viewing still images.
  • aluminum is preferably used when producing complex multiplexed screens and of large dimensions used in particular for viewing animated images of the television image type.
  • the second insulating layer In order to minimize the capacitances between the cathodes and the grids, and therefore to minimize the response time of the microemitters, the second insulating layer must have as low a dielectric constant as possible. To this end, this second insulating layer is preferably made of silicon oxide (Si0 2 ) or silica.
  • This silicon oxide layer can be deposited by the chemical vapor deposition (CVD) technique, by sputtering or by vacuum evaporation.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the chemical vapor deposition technique is preferably used, a technique which makes it possible to obtain an oxide layer of uniform quality and of constant thickness.
  • the opening of the holes in the insulating layer in particular of silicon oxide, can be carried out by dry or wet etching techniques well known to those skilled in the art.
  • the third conductive layer in which the grids are formed must be made of a material having good adhesion to the second insulating layer, for example made of silicon oxide, as well as good chemical resistance to the various products used to make the microemitters.
  • the third conductive layer is preferably made of a metal chosen from niobium, tantalum and aluminum.
  • this third conductive layer of a size close to one micron, the formation of these holes is advantageously carried out by an anisotropic dry etching technique.
  • the fourth layer playing the role of mask for the deposition of the fifth layer is made of metal and in particular nickel.
  • the deposition of this fourth layer of nickel is advantageously carried out by evaporation under vacuum at a grazing incidence so as not to cover the holes made in the second and third layers.
  • the elimination of this metallic layer is advantageously carried out by electrochemical dissolution.
  • the choice of the material of the fifth layer is essentially dictated by these properties with respect to the emission by field effect or cold emission as well as by its chemical resistance to the techniques of deposition and elimination of the fourth layer serving the production of microemitters.
  • the electron-emitting material can be hafnium, niobium, molybdenum, zirconium, lanthanum hexaboride (LaB s ), titanium carbide, tantalum carbide, hafnium carbide, carbide zirconium, etc. We choose for example molybdenum.
  • the cleaning of the lower substrate 6 is first of all carried out in order to obtain good flatness and a good surface condition to allow optimized production of the microemitters.
  • the substrate 6 can be a glass or ceramic plate.
  • a layer of silicon oxide (Si0 2 ) 7 of approximately 100 nm is then deposited by sputtering.
  • the insulating layer 7 is then covered with a conductive layer 8a of indium oxide in which the cathodes 8 will be produced.
  • This layer of indium oxide has a thickness of 160 nm, and can be deposited by sputtering.
  • a positive resin mask 11 representing the image of the cathodes to be produced.
  • the layer of indium oxide 8a is etched to form, as shown in FIG. 4, cathodes 8 0.7 mm wide at a pitch P of 1 mm.
  • the etching of the layer 8a is carried out by chemical attack with orthophosphoric acid brought to 110 ° C.
  • the etching of the layer of indium oxide 8a is carried out over the entire thickness of the layer.
  • the resin mask is then removed by chemical dissolution. 1 0
  • the silicon oxide layer 12 is then deposited, as shown in FIG. 5, by the technique chemical vapor deposition from silane, phosphine and oxygen gases.
  • This oxide layer 12 has a thickness of 1 li m.
  • the oxide layer 12 is then completely covered with a conductive layer 10a in which the grids will be produced subsequently. 20 this layer 10a is deposited by vacuum evaporation. It has a thickness of 0.4 ⁇ m and is made of niobium.
  • a resin mask 13 is then formed on the conductive layer 10a by the conventional photolithography methods 25 (resin deposition, irradiation, development). This resin mask 13 represents the positive image of the holes to be produced in the grid layer 10a and the insulating layer 12.
  • the holes 16 are made in the layer of grid material 10a and the insulating layer 12. These holes 16 pass right through the layers 10a and 12.
  • the etchings of layers 10a and 12 are produced successively.
  • the etching of the layer 10a is carried out by a reactive ion etching (GIR) process using a sulfur hexafluoride plasma (SF 6 ).
  • GIR reactive ion etching
  • SF 6 sulfur hexafluoride plasma
  • the holes 16 made in the conductive layer 10a have a diameter equal to 50 1.31 ⁇ m to ⁇ 0.1 ⁇ m.
  • the holes in the silica layer 12 are produced, for example by chemical attack by immersing the structure in an attack solution of hydrofluoric acid and ammonium fluoride.
  • the resin mask 55 is chemically removed 55.
  • the profile of the holes 16 thus produced is illustrated in FIG. 7.
  • a layer of 60 nickel 23 is deposited by evaporation under vacuum at a grazing incidence relative to the surface of the structure; the angle a formed between the axis of evaporation and the surface of the layer 10a is close to 15 ° .
  • the nickel layer 23 has a thickness of 150 nm. 6 5 This deposition technique makes it possible not to plug the holes 16.
  • a layer of molybdenum 18a is deposited on the entire structure.
  • This layer 18a has a thickness of 1.8 ⁇ m. It is deposited under normal incidence relative to the surface of the structure; this deposition technique makes it possible to obtain cones 18 of molybdenum housed in the 1 holes 16 having a height of 1.2 to 1.5 ⁇ m.
  • the nickel layer 23 is then selectively dissolved by an electrochemical process so as to release, as shown in FIG. 9, the perforated niobium layer 10a and to reveal the 15 electron-emitting microtips 18.
  • etching the layer 10a and an etching of the insulating layer 12 in order to disengage the ends 9 of the cathode 8 to allow a later 20 ment the electrical contacting of these cathodes.
  • This etching is carried out through a resin mask (not shown), obtained according to conventional photolithography methods, the resin forming the mask must have a sufficiently high viscosity 25 in order to cover all the holes 16 formed in the niobium layer 10a and the silicon oxide layer 12.
  • the etching of the niobium layer 10a is performed as above by a reactive ion etching process 30 and the etching of the silica layer 12 by etching.
  • a resin mask 25 is then produced on the structure obtained representing the image of the grids 10 to be produced in the niobium layer 10a.
  • This mas- 35 as resin is formed using conventional photolithography methods. Then carried out, through the mask 25, a dry etching of the reactive ionic type with SF 6 so as to release the conductive strips 10 perpendicular to the 40 conductive strips 8.
  • the resin mask 25 is then removed by chemical attack.
  • the structure obtained after elimination of the mask 25 is that shown in FIG. 11.
  • a conductive layer 20 is made of indium oxide (In 2 0 3 ) or tin oxide (Sn0 2 ) by sputtering corresponding to the anode of the display cell 2.
  • This layer 20 has a thickness of 50 of the order of 100 nm.
  • the anode 20 is then covered with a cathodoluminescent layer 22 by sputtering.
  • This layer 22 is made of zinc oxide and has a thickness of 1 wm.
  • the substrate 4 covered with the anode 20 and the cathodoluminescent material 55 is then presented above the grids 10.
  • a space of 30 to 50 ⁇ m is maintained between the cathodoluminescent material 22 and the grids 10 by means of spacers glass 27 randomly distributed.
  • the periphery of the anode 20 is hermetically welded to the lower part of the cell, by means of a fusible glass 29. The assembly obtained is then placed under vacuum.

Landscapes

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

  • La présente invention a pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitée par émission de champ ou émission froide. Elle s'applique notamment à la réalisation d'afficheurs matriciels simples, permettant la visualisation d'images fixes, et à la réalisation d'écrans complexes multiplexés, permettant la visualisation d'images animées, du type images de télévision.
  • Un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitée par émission de champ a été décrit dans le document EP-A 0 172 089 qui appartient à l'état de la technique au sens de l'article 54 (3) CBE. Sur la figure 1, on a représenté une vue en perspective éclatée du dispositif de visualisation décrit dans ce document.
  • Ce dispositif de visualisation comprend une cellule d'affichage 2, étanche et mise sous vide, comportant deux parois en verre 4 et 6, situées en regard l'une de l'autre. La paroi inférieure 6 de la cellule 2 est équipée d'une première série de bandes conductrices 8, parallèles entre elles, jouant le rôle de cathodes et d'une seconde série de bandes conductrices 10, parallèles entre elles, jouant le rôle de grilles. Les bandes conductrices 10 sont orientées perpendiculairement aux bandes conductrices 8 et isolées des bandes conductrices 8 par une couche 12 isolante et continue, notamment en silice.
  • Les régions extrêmes 9 des cathodes 8 , non re- couvertes d'isolant et n'interceptant pas les grilles 10, permettent la prise de contact électrique sur les cathodes.
  • Les bandes conductrices 8 et 10 représentent respectivement des colonnes et des lignes. A chaque croisement d'une ligne et d'une colonne correspond un point élémentaire d'affichage 14.
  • Les bandes conductrices ou grilles 10 et la couche d'isolant 12 sont percées d'un grand nombre de trous 16 dans lesquels sont logés des microémetteurs ou microcanons à électrons. A chaque point élémentaire d'affichage 14 correspond une multitude de microémetteurs.
  • Ces microémetteurs, comme représentés sur la figure 2, sont constitués chacun d'un cône métallique 18 émettant des électrons lorsqu'on leur applique un champ électrique convenable. Ces cônes métalliques 18 reposent par leur base directement sur les cathodes 8 et le sommet de ces cônes est sensiblement au niveau des bandes conductrices 10. Le diamètre de base des cônes et leur hauteur sont par exemple de l'ordre de 1 lim.
  • La paroi supérieure 4 de la cellule 2, comme représentée sur la figure 1, est pourvue d'une couche conductrice continue 20 jouant le rôle d'anode. Cette anode 20 est recouverte d'une couche 22 réalisée en un matériau émettant de la lumière lorsqu'il est soumis à un bombardement électronique provenant des microémetteurs 18.
  • L'émission d'électrons par un microémetteur 18 peut être réalisée en polarisant simultanément la cathode 8 et les grilles 10 situées en regard, ainsi que l'anode 20. L'anode 20 peut notamment être portée à la masse, les grilles 10 sont, soit portées au potentiel de l'anode, soit polarisées négativement par rapport à celle-ci à l'aide d'une source de tension 24. Les cathodes 8 sont polarisées négativement par rapport à la grille à l'aide d'une source de tension 26. Les cathodes 8 et les grilles 10 peuvent être polarisées séquentiellement afin de faire apparaître une image point par point sur la cellule d'affichage 2. L'image est observée du côté de la paroi supérieure 4 de la cellule.
  • Le nombre de microémetteurs 18 par point d'affichage 14, c'est-à-dire par croisement d'une cathode et d'une grille, est généralement élevé, ce qui permet d'avoir une caractéristique d'émission plus uniforme d'un point d'affichage à l'autre (effet de moyenne) ; ceci donne une certaine redondance des microémetteurs permettant de tolérer une certaine proportion de microémetteurs ne fonctionnant pas.
  • En pratique, le nombre de microémetteurs est compris entre 104 et 105 émetteurs par mm2. En conséquence, une fabrication traditionnelle, nécessitant un positionnement précis des microémetteurs en regard des cathodes et des grilles, serait complexe et augmenterait le coût du dispositif de visualisation.
  • La présente invention a justement pour objet un procédé relativement simple et peu onéreux permettant de fabriquer un dispositif de visualisation fonctionnant par cathodoluminescence excitée par effet de champ tel que décrit précédemment.
  • De façon plus précise, l'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence encitée par effet de champ qui comprend les étapes successives suivantes :
    • - dépôt d'une première couche conductrice sur un substrat isolant,
    • - gravure de la première couche pour former des premières bandes conductrices parallèles jouant le rôle de cathodes,
    • - dépôt d'une seconde couche isolante sur la structure obtenue,
    • - dépôt d'une troisième couche conductrice sur la seconde couche,
    • - ouvertures de trous dans la troisième couche débouchant dans les seconde et premiere couches, ces trous étant répartis sur l'ensemble de la surface de la troisième couche,
    • - dépôt sur la troisième couche gravée d'une quatrième couche ni ne recouvrant ni ne bouchant les trous,
    • - dépôt sur l'ensemble de la structure obtenu d'une cinquième couche d'un matériau émetteur d'électrons qui penètre aussi dans les trous jusqu'au fond de ceux-ci,
    • - élimination de la quatrième couche entraînant l'élimination du matériau émetteur d'électrons surmontant ladite quatrième couche et le maintien dudit matériau émetteur dans les trous,
    • - gravure des troisième et seconde couches pour mettre à nu au moins une des extrémités des premières bandes conductrices,
    • - gravure de la troisième couche pour former des secondes bandes conductrices parallèles jouant le rôle de grilles, les première et seconde bandes étant croisées, et
    • - réalisation d'une anode et d'une couche de matériau cathodoluminescent en regard des secondes bandes conductrices.
  • Par "trous répartis sur l'ensemble de la surface", il faut comprendre des trous réalisés en regard des cathodes ainsi qu'en regard des espaces interca- thodes.
  • Ce procédé présente l'avantage d'une mise en oeuvre simple. En particulier, il permet la réalisation de microémetteurs d'électrons dans les trous formés dans les seconde et troisième couches, répartis sur l'ensemble du dispositif de visualisation, sans nécessiter un positionnement précis vis-à-vis des cathodes et des grilles. Seuls les microémetteurs situés à une intersection d'une cathode et d'une grille sont effectivement actifs.
  • Afin d'améliorer l'adhérence des conducteurs cathodiques sur le substrat isolant, on intercale avantageusement entre le substrat et la première couche conductrice, dans laquelle sont réalisées les cathodes, une couche intermédiaire isolante.
  • Afin de minimiser les résistances d'accès aux microémetteurs, la première couche conductrice doit être réalisée en un matériau bon conducteur de l'électricité. Par ailleurs, cette première couche conductrice doit présenter une bonne compatibilité avec la seconde couche isolante et en particulier une bonne adhérence et doit être inerte vis-à-vis de la méthode de gravure de cette seconde couche isolante. De façon avantageuse, la première couche conductrice est réalisée en un matériau choisi parmi l'oxyde d'indium, l'oxyde d'étain et l'aluminium. L'oxyde d'indium et l'oxyde d'étain sont de préférence utilisés pour la réalisation d'écrans de petites dimensions et de faible complexité tels que les écrans servant à la visualisation d'images fixes. En revanche, l'aluminium est utilisé de préférence lors de la réalisation d'écrans complexes multiplexés et de grandes dimensions servant notamment à la visualisation d'images animées du type images de télévision.
  • Afin de minimiser les capacités entre les cathodes et les grilles, et donc de minimiser le temps de réponse des microémetteurs, la seconde couche isolante doit présenter une constante diélectrique aussi faible que possible. A cet effet, cette seconde couche isolante est réalisée de préférence en oxyde de silicium (Si02) ou silice.
  • Cette couche d'oxyde de silicium peut être déposée par la technique de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), par pulvérisation cathodique ou par évaporation sous vide. Toutefois, on utilise de préférence la technique de dépôt chimique en phase vapeur, technique permettant d'obtenir une couche d'oxyde de qualité homogène et d'épaisseur constante.
  • L'ouverture des trous dans la couche isolante notamment en oxyde de silicium peut être réalisée par des techniques de gravure sèche ou humide bien connues de l'homme du métier.
  • La troisième couche conductrice dans laquelle sont formées les grilles doit être réalisée en un matériau présentant une bonne adhérence sur la seconde couche isolante, par exemple en oxyde de silicium, ainsi qu'une bonne résistance chimique aux différents produits utilisés pour réaliser les microémetteurs. A cet effet, la troisième couche conductrice est réalisée de préférence en un métal choisi parmi le niobium, le tantale et l'aluminium.
  • Afin d'obtenir de façon reproductible des trous dans cette troisième couche conductrice, d'une dimension voisine du micron, la formation de ces trous est réalisée avantageusement par une technique de gravure sèche anisotrope.
  • Afin d'assurer une bonne définition des microémetteurs, la quatrième couche jouant le rôle de masque pour le dépôt de la cinquième couche est réalisée en métal et en particulier en nickel. Le dépôt de cette quatrième couche de nickel est réalisé avantageusement par évaporation sous vide sous une incidence rasante afin de ne pas recouvrir les trous pratiqués dans les seconde et troisième couches. Par ailleurs, l'élimination de cette couche métallique est réalisée avantageusement par dissolution électrochimique.
  • Le choix du matériau de la cinquième couche est essentiellement dicté par ces propriétés vis-à-vis de l'émission par effet de champ ou émission froide ainsi que par sa résistance chimique aux techniques de dépôt et d'élimination de la quatrième couche servant à la réalisation des microémetteurs. En particulier, le matériau émetteur d'électrons peut être le hafnium, le niobium, le molybdène, le zirconium, l'hexaborure de lanthane (LaBs), le carbure de titane, le carbure de tantale, le carbure de hafnium, le carbure de zirconium, etc. On choisit par exemple le molybdène.
  • D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre donnée à titre illustratif et non limitatif.
  • La description se réfère aux figures annexées dans lesquelles :
    • - la figure 1, déjà décrite, représente schématiquement, en perspective et vue éclatée, un dispositif de visualisation par cathodoluminescence,
    • - la figure 2 déjà décrite, représente une partie agrandie de la figure 1, montrant un microémetteur,
    • - les figures 3 à 12 illustrent les différentes étapes du procédé selon l'invention, les figures 3 à 6 et 10 à 12 sont des vues générales et les figures 7 à 9 des vues agrandies montrant un microémetteur.
  • En référence à la figure 3, on réalise tout d'abord le nettoyage du substrat inférieur 6 afin d'obtenir une bonne planéité et un bon état de surface pour permettre une réalisation optimisée des microémetteurs. Le substrat 6 peut être une plaque de verre ou de céramique. Sur le substrat 6, on dépose ensuite par pulvérisation cathodique une couche d'oxyde de silicium (Si02) 7 de 100 nm environ. On recouvre ensuite la couche isolante 7 d'une couche conductrice 8a en oxyde d'indium dans laquelle on va réaliser les cathodes 8. Cette couche d'oxyde d'indium présente une épaisseur de 160 nm,et peut être déposée par pulvérisation cathodique.
  • On forme ensuite par les procédés classiques de photolithographie (dépôt, irradiation, développement) un masque de résine positive 11 représentant l'image des cathodes à réaliser. A travers ce masque 11, on grave la couche d'oxyde d'indium 8a pour former, comme représenté sur la figure 4, des cathodes 8 de 0,7 mm de large au pas P de 1 mm. La gravure de la couche 8a est réalisée par attaque 5 chimique avec de l'acide orthophosphorique porté à 110°C. La gravure de la couche d'oxyde d'indium 8a est réalisée sur toute l'épaisseur de la couche. On élimine ensuite le masque de résine par une dissolution chimique. 10
  • Sur la structure obtenue, c'est-à-dire sur les cathodes 8 et les régions mises à nu de la couche isolante 7 , on dépose ensuite, comme représenté sur la figure 5, la couche d'oxyde de silicium 12 par la technique de dépôt chimique en phase vapeur à par- 15 tir des gaz de silane, de phosphine et d'oxygène. Cette couche d'oxyde 12 présente une épaisseur de 1 lim. La couche d'oxyde 12 est ensuite totalement recouverte d'une couche conductrice 10a dans laquelle seront réalisées ultérieurement les grilles. Cette 20 couche 10a est déposée par évaporation sous vide. Elle présente une épaisseur de 0,4 µm et est réalisée en niobium.
  • On forme ensuite sur la couche conductrice 10a un masque de résine 13 par les procédés classiques 25 de photolithographie (dépôt de résine, irradiation, développement). Ce masque de résine 13 représente l'image en positif des trous à réaliser dans la couche de grille 10a et la couche isolante 12.
  • Selon l'invention, aucun positionnement précis de 30 ces trous n'est nécessaire compte tenu de leur nombre élevé. Aussi réalise-t-on un masque de résine 13 comportant des ouvertures 15 réparties sur toute la surface du masque, et en particulier dans des régions 17 situées en dehors des zones 14 réservées 35 à l'affichage (points élémentaires d'affichage définis au croisement des cathodes et des grilles).Ceci facilite la réalisation du photomasque 19 servant à l'insolation 21 de la résine 13 ainsi que son positionnement au-dessus de la structure. 40
  • On réalise ensuite, à travers le masque de résine 13 sur la figure 6, les trous 16 dans la couche de matériau de grille 10a et la couche d'isolant 12. Ces trous 16 traversent de part en part les couches 10a et 12. Les gravures des couches 10a et 12 sont réali- 45 sées successivement. La gravure de la couche 10a est réalisée par un procédé de gravure ionique réactive (GIR) en utilisant un plasma d'hexafluorure de soufre (SF6). Les trous 16 pratiqués dans la couche conductrice 10a présentent un diamètre égal à 50 1,31im à ± 0,1 µm. La réalisation des trous dans la couche de silice 12 est réalisée par exemple par attaque chimique en immergeant la structure dans une solution d'attaque d'acide fluorhydrique et de fluorure d'ammonium. Ensuite, on élimine chimiquement 55 le masque de résine 13. Le profil des trous 16 ainsi réalisés est illustré sur la figure 7.
  • On va maintenant décrire le procédé de fabrication d'un microémetteur. Sur la couche 10a, percée des trous 16, on dépose tout d'abord une couche de 60 nickel 23 par évaporation sous vide sous une incidence rasante par rapport à la surface de la structure ; l'angle a formé entre l'axe d'évaporation et la surface de la couche 10a est voisin de 15°. La couche de nickel 23 présente une épaisseur de 150 nm. 65 Cette technique de dépôt permet de ne pas boucher les trous 16.
  • On réalise ensuite, comme représenté sur la figure 8, le dépôt d'une couche en molybdène 18a, sur 5 l'ensemble de la structure. Cette couche 18a présente une épaisseur de 1,8 µm. Elle est déposée sous incidence normale par rapport à la surface de la structure ; cette technique de dépôt permet d'obtenir des cônes 18 en molybdène logés dans les 1 trous 16 ayant une hauteur de 1,2 à 1,5 µm. On réalise ensuite la dissolution sélective de la couche de nickel 23 par un procédé électrochimique de façon à dégager, comme représenté sur la figure 9, la couche de niobium 10a perforée et à faire apparaître les 15 micropointes 18 émettrices d'électrons.
  • On effectue ensuite comme représenté sur la figure 10 une gravure de la couche 10a et une gravure de la couche d'isolant 12 afin de dégager les extrémités 9 des cathodes 8 pour permettre ultérieure- 20 ment la prise de contact électrique sur ces cathodes. Cette gravure est réalisée à travers un masque de résine (non représenté), obtenu selon les procédés classiques de photolithographie, la résine formant le masque doit présenter une viscosité 25 suffisamment élevée afin de recouvrir tous les trous 16 formés dans la couche de niobium 10a et la couche d'oxyde de silicium 12. La gravure de la couche de niobium 10a est réalisée comme précédemment par un procédé de gravure ionique réactive et 30 la gravure de la couche de silice 12 par attaque chimique.
  • On réalise ensuite un masque de résine 25 sur la structure obtenue représentant l'image des grilles 10 à réaliser dans la couche de niobium 10a. Ce mas- 35 que de résine est réalisé selon les procédés classiques de photolithographie. On effectue ensuite, à travers le masque 25, une gravure sèche du type ionique réactive avec du SF6 de façon à dégager les bandes conductrices 10 perpendiculaires aux 40 bandes conductrices 8. On élimine ensuite le masque de résine 25 par attaque chimique. La structure obtenue après élimination du masque 25 est celle représentée sur la figure 11.
  • D'autre part, on réalise sur un substrat en verre 45 4, comme illustré sur la figure 12, le dépôt d'une couche conductrice 20 en oxyde d'indium (In203) ou oxyde d'étain (Sn02) par pulvérisation cathodique correspondant à l'anode de la cellule de visualisation 2. Cette couche 20 présente une épaisseur de 50 l'ordre de 100 nm. On recouvre ensuite l'anode 20 d'une couche cathodoluminescente 22 par pulvérisation cathodique. Cette couche 22 est réalisée en oxyde de zinc et présente une épaisseur de 1 wm.
  • Le substrat 4 recouvert de l'anode 20 et du maté-55 riau cathodoluminescent 22 est ensuite présenté au-dessus des grilles 10. Un espace de 30 à 50 µm est maintenu entre le matériau cathodoluminescent 22 et les grilles 10 au moyen d'espaceurs en verre 27 répartis au hasard. La périphérie de l'anode 20 est 60 soudée hermétiquement sur la partie basse de la cellule, au moyen d'un verre fusible 29. L'ensemble obtenu est ensuite mis sous vide.
  • La description donnée précédemment n'a bien entendu été donnée qu'à titre indicatif, toute modifica- 65 tion, sans pour autant sortir du cadre de l'invention, pouvant être envisagée. En particulier, l'épaisseur et la nature des couches peuvent être modifiées. Par ailleurs, certaines gravures et techniques de dépôt peuvent être changées.
  • Les différentes étapes du procédé de l'invention ont l'avantage d'être simples à mettre en oeuvre et sont bien maîtrisées par l'homme du métier, ce qui permet une bonne reproductibilité et homogénéité dans l'obtention des dispositifs de visualisation. Par ailleurs, le fait de réaliser les émetteurs sur l'ensemble de la cellule sans positionnement précis vis-à-vis des cathodes et des grilles, rend particulièrement aisée la fabrication du dispositif de visualisation.

Claims (11)

1. Procédé de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence encitée par effet de champ qui comprend les étapes successives suivantes :
- dépôt d'une première couche conductrice (8a) sur un substrat isolant (6),
- gravure de la première couche (8a) pour former des premières bandes conductrices parallèles (8) jouant le rôle de cathodes,
- dépôt d'une seconde couche isolante (12) sur la structure obtenue,
- dépôt d'une troisième couche conductrice (10a) sur la seconde couche (12),
- ouvertures de trous (16) dans la troisième couche (10a) débouchant dans les seconde (12) et premiere (8) couches, ces trous (16) étant répartis sur l'ensemble de la surface de la troisième couche,
- dépôt sur la troisième couche gravée (10a) d'une quatrième couche (23) ni ne recouvrant ni ne bouchant les trous,
- dépôt sur l'ensemble de la structure obtenu d'une cinquième couche (18a) d'un matériau émetteur d'électrons qui penètre aussi dans les trous jusqu'au fond de ceux-ci,
- élimination de la quatrième couche (23) entraînant l'élimination du matériau émetteur d'électrons surmontant ladite quatrième couche et le maintien dudit matériau émetteur dans les trous,
- gravure des troisième (10a) et seconde couches (12) pour mettre à nu une au moins des extrémités (9) des premières bandes conductrices (8),
- gravure de la troisième couche (10a) pour former des secondes bandes conductrices parallèles jouant le rôle de grilles (10), les première et seconde bandes étant croisées, et
- réalisation d'une anode (20) et d'une couche de matériau cathodoluminescent (22) en regard des secondes bandes conductrices (10).
2. Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on intercale entre le substrat (6) et la première couche (8a) une couche intermédiaire isolante (7).
3. Procédé de fabrication selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la première couche (8a) est réalisée en un matériau choisi parmi l'oxyde d'indium, l'oxyde d'étain et l'aluminium.
4. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la seconde couche (12) est de l'oxyde de silicium (Si02).
5. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la seconde couche (12) est déposée par la technique de dépôt chimique en phase vapeur.
6. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la troisième couche (10a) est réalisée en un métal choisi parmi le niobium, le tantale et l'aluminium.
7. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'on forme les trous (16) dans la troisième couche (10a) par une technique de gravure sèche anisotrope.
8. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la quatrième couche (23) est réalisée en nickel et en ce que l'élimination de cette quatrième couche (23) est réalisée par dissolution électrochimique.
9. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la quatrième couche (23) est déposée par evaporation sous vide sous une incidence (a) rasante par rapport à la surface de la structure.
10. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la cinquième couche (18a) est obtenue par évaporation sous vide de molybdène.
11. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que l'anode (20) est formée d'une couche continue conductrice, recouverte d'une couche continue en matériau cathodoluminescent (22), l'anode (20) étant déposée sur un support transparent isolant (4).
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Families Citing this family (156)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8720792D0 (en) * 1987-09-04 1987-10-14 Gen Electric Co Plc Vacuum devices
FR2623013A1 (fr) * 1987-11-06 1989-05-12 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ,utilisant cette source
FR2634059B1 (fr) * 1988-07-08 1996-04-12 Thomson Csf Microcomposant electronique autoscelle sous vide, notamment diode, ou triode, et procede de fabrication correspondant
FR2637123B1 (fr) * 1988-09-26 1995-12-15 Commissariat Energie Atomique Vidicon plat a lecture matricielle par cathodes a micropointes
GB8908871D0 (en) * 1989-04-19 1989-06-07 Hugle William B Manufacture of flat panel displays
FR2647580B1 (fr) * 1989-05-24 1991-09-13 Clerc Jean Dispositif d'affichage electroluminescent utilisant des electrons guides et son procede de commande
US5160871A (en) * 1989-06-19 1992-11-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Flat configuration image display apparatus and manufacturing method thereof
US5007873A (en) * 1990-02-09 1991-04-16 Motorola, Inc. Non-planar field emission device having an emitter formed with a substantially normal vapor deposition process
US5047830A (en) * 1990-05-22 1991-09-10 Amp Incorporated Field emitter array integrated circuit chip interconnection
FR2663462B1 (fr) * 1990-06-13 1992-09-11 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes.
US5103145A (en) * 1990-09-05 1992-04-07 Raytheon Company Luminance control for cathode-ray tube having field emission cathode
JP2656851B2 (ja) * 1990-09-27 1997-09-24 工業技術院長 画像表示装置
US5332627A (en) * 1990-10-30 1994-07-26 Sony Corporation Field emission type emitter and a method of manufacturing thereof
GB9027618D0 (en) * 1990-12-20 1991-02-13 Smiths Industries Plc Displays
FR2716571B1 (fr) * 1994-02-22 1996-05-03 Pixel Int Sa Procédé de fabrication de cathode d'écran fluorescent à micropointes et produit obtenu par ce procédé .
US5660570A (en) * 1991-04-09 1997-08-26 Northeastern University Micro emitter based low contact force interconnection device
US5220725A (en) * 1991-04-09 1993-06-22 Northeastern University Micro-emitter-based low-contact-force interconnection device
US5245248A (en) * 1991-04-09 1993-09-14 Northeastern University Micro-emitter-based low-contact-force interconnection device
EP0518612B1 (fr) * 1991-06-10 1996-02-07 Motorola, Inc. Dispositif de visualisation pour des dispositifs électroniques
CA2070478A1 (fr) * 1991-06-27 1992-12-28 Wolfgang M. Feist Methode de fabrication de reseaux a emission par champ electrique
FR2679653B1 (fr) * 1991-07-23 1993-09-24 Commissariat Energie Atomique Vacumetre a ionisation.
US5227699A (en) * 1991-08-16 1993-07-13 Amoco Corporation Recessed gate field emission
US5536193A (en) * 1991-11-07 1996-07-16 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making wide band gap field emitter
US5696028A (en) * 1992-02-14 1997-12-09 Micron Technology, Inc. Method to form an insulative barrier useful in field emission displays for reducing surface leakage
US5543684A (en) 1992-03-16 1996-08-06 Microelectronics And Computer Technology Corporation Flat panel display based on diamond thin films
US6127773A (en) * 1992-03-16 2000-10-03 Si Diamond Technology, Inc. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5679043A (en) * 1992-03-16 1997-10-21 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making a field emitter
US5686791A (en) * 1992-03-16 1997-11-11 Microelectronics And Computer Technology Corp. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5675216A (en) * 1992-03-16 1997-10-07 Microelectronics And Computer Technololgy Corp. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5548185A (en) * 1992-03-16 1996-08-20 Microelectronics And Computer Technology Corporation Triode structure flat panel display employing flat field emission cathode
US5449970A (en) * 1992-03-16 1995-09-12 Microelectronics And Computer Technology Corporation Diode structure flat panel display
US5763997A (en) * 1992-03-16 1998-06-09 Si Diamond Technology, Inc. Field emission display device
EP0564028B1 (fr) * 1992-04-02 1997-07-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Procédé de fabrication d'une électrode en forme de pointe
US5278475A (en) * 1992-06-01 1994-01-11 Motorola, Inc. Cathodoluminescent display apparatus and method for realization using diamond crystallites
JPH06310043A (ja) * 1992-08-25 1994-11-04 Sharp Corp 電子放出デバイス
EP0589523B1 (fr) * 1992-09-25 1997-12-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Dispositif de visualisation
US5347292A (en) * 1992-10-28 1994-09-13 Panocorp Display Systems Super high resolution cold cathode fluorescent display
CA2112180C (fr) * 1992-12-28 1999-06-01 Yoshikazu Banno Source d'electrons, dispositif d'imagerie et modes de fabrication connexes
US5717285A (en) * 1993-03-17 1998-02-10 Commissariat A L 'energie Atomique Microtip display device having a current limiting layer and a charge avoiding layer
FR2707795B1 (fr) * 1993-07-12 1995-08-11 Commissariat Energie Atomique Perfectionnement à un procédé de fabrication d'une source d'électrons à micropointes.
US5378182A (en) * 1993-07-22 1995-01-03 Industrial Technology Research Institute Self-aligned process for gated field emitters
US5814367A (en) * 1993-08-13 1998-09-29 General Atomics Broadband infrared and signature control materials and methods of producing the same
US5462467A (en) * 1993-09-08 1995-10-31 Silicon Video Corporation Fabrication of filamentary field-emission device, including self-aligned gate
US5404070A (en) * 1993-10-04 1995-04-04 Industrial Technology Research Institute Low capacitance field emission display by gate-cathode dielectric
FR2711450B1 (fr) * 1993-10-18 1996-01-05 Pixel Int Sa Installation et procédé pour la fabrication d'écrans plats de visualisation.
CN1134754A (zh) * 1993-11-04 1996-10-30 微电子及计算机技术公司 制作平板显示系统和元件的方法
US5461009A (en) * 1993-12-08 1995-10-24 Industrial Technology Research Institute Method of fabricating high uniformity field emission display
US5445550A (en) * 1993-12-22 1995-08-29 Xie; Chenggang Lateral field emitter device and method of manufacturing same
US5394006A (en) * 1994-01-04 1995-02-28 Industrial Technology Research Institute Narrow gate opening manufacturing of gated fluid emitters
US5451830A (en) * 1994-01-24 1995-09-19 Industrial Technology Research Institute Single tip redundancy method with resistive base and resultant flat panel display
FR2717304B1 (fr) * 1994-03-09 1996-04-05 Commissariat Energie Atomique Source d'électrons à cathodes émissives à micropointes.
FR2718269B1 (fr) * 1994-03-31 1996-06-28 Pixel Int Sa Procédé d'amélioration de la conductivité des conducteurs colonnes des écrans plats à micropointes, et écrans ainsi obtenus.
FR2719155B1 (fr) * 1994-04-25 1996-05-15 Commissariat Energie Atomique Procédé de réalisation de sources d'électrons à micropointes et source d'électrons à micropointes obtenue par ce procédé.
FR2719156B1 (fr) * 1994-04-25 1996-05-24 Commissariat Energie Atomique Source d'électrons à micropointes, les micropointes comportant deux parties.
US5538450A (en) * 1994-04-29 1996-07-23 Texas Instruments Incorporated Method of forming a size-arrayed emitter matrix for use in a flat panel display
US5629583A (en) * 1994-07-25 1997-05-13 Fed Corporation Flat panel display assembly comprising photoformed spacer structure, and method of making the same
US5504385A (en) * 1994-08-31 1996-04-02 At&T Corp. Spaced-gate emission device and method for making same
FR2724264B1 (fr) * 1994-09-06 1996-10-18 Commissariat Energie Atomique Antenne cylindrique utilisable pour generer un plasma dans les conditions de resonance cyclotronique electronique
EP0706164A1 (fr) 1994-10-03 1996-04-10 Texas Instruments Incorporated Gestion de l'énergie dans un système d'affichage
FR2725558B1 (fr) 1994-10-10 1996-10-31 Commissariat Energie Atomique Procede de formation de trous dans une couche de resine photosensible application a la fabrication de sources d'electrons a cathodes emissives a micropointes et d'ecrans plats de visualisation
FR2726122B1 (fr) * 1994-10-19 1996-11-22 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une source d'electrons a micropointes
FR2726688B1 (fr) * 1994-11-08 1996-12-06 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a effet de champ et procede de fabrication de cette source, application aux dispositifs de visualisation par cathodoluminescence
FR2726689B1 (fr) * 1994-11-08 1996-11-29 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a effet de champ et procede de fabrication de cette source, application aux dispositifs de visualisation par cathodoluminescence
EP0713236A1 (fr) 1994-11-18 1996-05-22 Texas Instruments Incorporated Dispositif émitteur d'électrons
US5536993A (en) * 1994-11-18 1996-07-16 Texas Instruments Incorporated Clustered field emission microtips adjacent stripe conductors
US5569975A (en) * 1994-11-18 1996-10-29 Texas Instruments Incorporated Cluster arrangement of field emission microtips
US5541466A (en) * 1994-11-18 1996-07-30 Texas Instruments Incorporated Cluster arrangement of field emission microtips on ballast layer
US5557159A (en) * 1994-11-18 1996-09-17 Texas Instruments Incorporated Field emission microtip clusters adjacent stripe conductors
US5608286A (en) * 1994-11-30 1997-03-04 Texas Instruments Incorporated Ambient light absorbing face plate for flat panel display
US6235105B1 (en) 1994-12-06 2001-05-22 General Atomics Thin film pigmented optical coating compositions
US5566011A (en) * 1994-12-08 1996-10-15 Luncent Technologies Inc. Antiflector black matrix having successively a chromium oxide layer, a molybdenum layer and a second chromium oxide layer
KR100343222B1 (ko) * 1995-01-28 2002-11-23 삼성에스디아이 주식회사 전계방출표시소자의제조방법
US5612256A (en) * 1995-02-10 1997-03-18 Micron Display Technology, Inc. Multi-layer electrical interconnection structures and fabrication methods
US5766053A (en) * 1995-02-10 1998-06-16 Micron Technology, Inc. Internal plate flat-panel field emission display
US5537738A (en) * 1995-02-10 1996-07-23 Micron Display Technology Inc. Methods of mechanical and electrical substrate connection
US5594297A (en) * 1995-04-19 1997-01-14 Texas Instruments Incorporated Field emission device metallization including titanium tungsten and aluminum
US5601466A (en) * 1995-04-19 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Method for fabricating field emission device metallization
FR2733253B1 (fr) 1995-04-24 1997-06-13 Commissariat Energie Atomique Dispositif pour deposer un materiau par evaporation sur des substrats de grande surface
US6296740B1 (en) 1995-04-24 2001-10-02 Si Diamond Technology, Inc. Pretreatment process for a surface texturing process
US5628659A (en) * 1995-04-24 1997-05-13 Microelectronics And Computer Corporation Method of making a field emission electron source with random micro-tip structures
US5644188A (en) * 1995-05-08 1997-07-01 Advanced Vision Technologies, Inc. Field emission display cell structure
US5630741A (en) * 1995-05-08 1997-05-20 Advanced Vision Technologies, Inc. Fabrication process for a field emission display cell structure
US5543691A (en) * 1995-05-11 1996-08-06 Raytheon Company Field emission display with focus grid and method of operating same
US5686782A (en) * 1995-05-30 1997-11-11 Texas Instruments Incorporated Field emission device with suspended gate
US5589728A (en) * 1995-05-30 1996-12-31 Texas Instruments Incorporated Field emission device with lattice vacancy post-supported gate
US5621272A (en) * 1995-05-30 1997-04-15 Texas Instruments Incorporated Field emission device with over-etched gate dielectric
US5759078A (en) * 1995-05-30 1998-06-02 Texas Instruments Incorporated Field emission device with close-packed microtip array
US5811929A (en) * 1995-06-02 1998-09-22 Advanced Vision Technologies, Inc. Lateral-emitter field-emission device with simplified anode
US5666024A (en) * 1995-06-23 1997-09-09 Texas Instruments Incorporated Low capacitance field emission device with circular microtip array
FR2737927B1 (fr) * 1995-08-17 1997-09-12 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de formation de trous dans une couche de materiau photosensible, en particulier pour la fabrication de sources d'electrons
FR2737928B1 (fr) * 1995-08-17 1997-09-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'insolation de zones micrometriques et/ou submicrometriques dans une couche photosensible et procede de realisation de motifs dans une telle couche
US5635791A (en) * 1995-08-24 1997-06-03 Texas Instruments Incorporated Field emission device with circular microtip array
US5818165A (en) * 1995-10-27 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated Flexible fed display
US5669802A (en) * 1995-10-30 1997-09-23 Advanced Vision Technologies, Inc. Fabrication process for dual carrier display device
US5672933A (en) * 1995-10-30 1997-09-30 Texas Instruments Incorporated Column-to-column isolation in fed display
US5831384A (en) * 1995-10-30 1998-11-03 Advanced Vision Technologies, Inc. Dual carrier display device
US6031250A (en) 1995-12-20 2000-02-29 Advanced Technology Materials, Inc. Integrated circuit devices and methods employing amorphous silicon carbide resistor materials
US6680489B1 (en) 1995-12-20 2004-01-20 Advanced Technology Materials, Inc. Amorphous silicon carbide thin film coating
US6252347B1 (en) 1996-01-16 2001-06-26 Raytheon Company Field emission display with suspended focusing conductive sheet
US20010045794A1 (en) * 1996-01-19 2001-11-29 Alwan James J. Cap layer on glass panels for improving tip uniformity in cold cathode field emission technology
US5766446A (en) * 1996-03-05 1998-06-16 Candescent Technologies Corporation Electrochemical removal of material, particularly excess emitter material in electron-emitting device
US5893967A (en) * 1996-03-05 1999-04-13 Candescent Technologies Corporation Impedance-assisted electrochemical removal of material, particularly excess emitter material in electron-emitting device
US6027632A (en) * 1996-03-05 2000-02-22 Candescent Technologies Corporation Multi-step removal of excess emitter material in fabricating electron-emitting device
FR2751785A1 (fr) * 1996-07-29 1998-01-30 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de formation de motifs dans une couche de resine photosensible par insolation laser continue, application a la fabrication de sources d'electrons a cathodes emissives a micropointes et d'ecrans plats
DE69621017T2 (de) * 1996-10-04 2002-10-31 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Herstellungsverfahren einer flachen Feldemissionsanzeige und nach diesem Verfahren hergestellte Anzeige
US6022256A (en) 1996-11-06 2000-02-08 Micron Display Technology, Inc. Field emission display and method of making same
US5836799A (en) * 1996-12-06 1998-11-17 Texas Instruments Incorporated Self-aligned method of micro-machining field emission display microtips
US5780960A (en) * 1996-12-18 1998-07-14 Texas Instruments Incorporated Micro-machined field emission microtips
US5938493A (en) * 1996-12-18 1999-08-17 Texas Instruments Incorporated Method for increasing field emission tip efficiency through micro-milling techniques
FR2757999B1 (fr) * 1996-12-30 1999-01-29 Commissariat Energie Atomique Procede d'auto-alignement utilisable en micro-electronique et application a la realisation d'une grille de focalisation pour ecran plat a micropointes
US6144110A (en) * 1997-03-19 2000-11-07 The Furukawa Electric Co., Ltd. Vehicular use power distribution apparatus and vehicular use power source apparatus
US6215243B1 (en) 1997-05-06 2001-04-10 St. Clair Intellectual Property Consultants, Inc. Radioactive cathode emitter for use in field emission display devices
US6323594B1 (en) 1997-05-06 2001-11-27 St. Clair Intellectual Property Consultants, Inc. Electron amplification channel structure for use in field emission display devices
US5982082A (en) * 1997-05-06 1999-11-09 St. Clair Intellectual Property Consultants, Inc. Field emission display devices
US6120674A (en) * 1997-06-30 2000-09-19 Candescent Technologies Corporation Electrochemical removal of material in electron-emitting device
US6007695A (en) * 1997-09-30 1999-12-28 Candescent Technologies Corporation Selective removal of material using self-initiated galvanic activity in electrolytic bath
FR2769751B1 (fr) 1997-10-14 1999-11-12 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a micropointes, a grille de focalisation et a densite elevee de micropointes, et ecran plat utilisant une telle source
US5949185A (en) * 1997-10-22 1999-09-07 St. Clair Intellectual Property Consultants, Inc. Field emission display devices
US6255772B1 (en) 1998-02-27 2001-07-03 Micron Technology, Inc. Large-area FED apparatus and method for making same
US6174449B1 (en) 1998-05-14 2001-01-16 Micron Technology, Inc. Magnetically patterned etch mask
FR2779243B1 (fr) 1998-05-26 2000-07-07 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation par photolithographie d'ouvertures auto-alignees sur une structure, en particulier pour ecran plat a micropointes
US7002287B1 (en) * 1998-05-29 2006-02-21 Candescent Intellectual Property Services, Inc. Protected substrate structure for a field emission display device
US6710538B1 (en) 1998-08-26 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Field emission display having reduced power requirements and method
US6391670B1 (en) 1999-04-29 2002-05-21 Micron Technology, Inc. Method of forming a self-aligned field extraction grid
JP3600126B2 (ja) * 1999-07-29 2004-12-08 シャープ株式会社 電子源アレイ及び電子源アレイの駆動方法
US7052350B1 (en) * 1999-08-26 2006-05-30 Micron Technology, Inc. Field emission device having insulated column lines and method manufacture
US6384520B1 (en) * 1999-11-24 2002-05-07 Sony Corporation Cathode structure for planar emitter field emission displays
US6989631B2 (en) * 2001-06-08 2006-01-24 Sony Corporation Carbon cathode of a field emission display with in-laid isolation barrier and support
US7428510B2 (en) * 2000-02-25 2008-09-23 Telecommunication Systems, Inc. Prepaid short messaging
US6849856B1 (en) * 2001-04-17 2005-02-01 Si Diamond Technology, Inc. Electron beam duplication lithography method and apparatus
US6682382B2 (en) * 2001-06-08 2004-01-27 Sony Corporation Method for making wires with a specific cross section for a field emission display
US6756730B2 (en) * 2001-06-08 2004-06-29 Sony Corporation Field emission display utilizing a cathode frame-type gate and anode with alignment method
US7002290B2 (en) * 2001-06-08 2006-02-21 Sony Corporation Carbon cathode of a field emission display with integrated isolation barrier and support on substrate
US6791278B2 (en) * 2002-04-16 2004-09-14 Sony Corporation Field emission display using line cathode structure
US6873118B2 (en) * 2002-04-16 2005-03-29 Sony Corporation Field emission cathode structure using perforated gate
US7012582B2 (en) * 2002-11-27 2006-03-14 Sony Corporation Spacer-less field emission display
US20040145299A1 (en) * 2003-01-24 2004-07-29 Sony Corporation Line patterned gate structure for a field emission display
US20040189552A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Sony Corporation Image display device incorporating driver circuits on active substrate to reduce interconnects
US7071629B2 (en) * 2003-03-31 2006-07-04 Sony Corporation Image display device incorporating driver circuits on active substrate and other methods to reduce interconnects
US20050246493A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-03 International Business Machines Corporation Detachable programmable memory card for a computer controlled instrument with an indicator on the memory card displaying that a predetermined level of the card memory has been used
FR2886284B1 (fr) 2005-05-30 2007-06-29 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation de nanostructures
US20070226705A1 (en) * 2006-02-15 2007-09-27 Microsoft Corporation Wrap-up reads for logless persistent components
FR2897718B1 (fr) 2006-02-22 2008-10-17 Commissariat Energie Atomique Structure de cathode a nanotubes pour ecran emissif
JP4303308B2 (ja) 2007-11-20 2009-07-29 シャープ株式会社 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法
JP4314307B1 (ja) * 2008-02-21 2009-08-12 シャープ株式会社 熱交換装置
US8299700B2 (en) 2009-02-05 2012-10-30 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element having an electron acceleration layer, electron emitting device, light emitting device, image display device, cooling device, and charging device
CN101814405B (zh) 2009-02-24 2012-04-25 夏普株式会社 电子发射元件及其制造方法、使用电子发射元件的各装置
JP4932873B2 (ja) * 2009-05-19 2012-05-16 シャープ株式会社 自発光素子、自発光装置、画像表示装置、自発光素子駆動方法、および自発光素子の製造方法
JP4732534B2 (ja) * 2009-05-19 2011-07-27 シャープ株式会社 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置
JP5073721B2 (ja) * 2009-05-19 2012-11-14 シャープ株式会社 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、電子放出素子の製造方法
JP4732533B2 (ja) * 2009-05-19 2011-07-27 シャープ株式会社 電子放出素子及びその製造方法、並びに、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置
JP4777448B2 (ja) 2009-05-19 2011-09-21 シャープ株式会社 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、及び電子線硬化装置
CN101930884B (zh) * 2009-06-25 2012-04-18 夏普株式会社 电子发射元件及其制造方法、电子发射装置、自发光设备、图像显示装置
JP4927152B2 (ja) * 2009-11-09 2012-05-09 シャープ株式会社 熱交換装置
JP4880740B2 (ja) * 2009-12-01 2012-02-22 シャープ株式会社 電子放出素子及びその製造方法、並びに、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置
CN104078293B (zh) * 2013-03-26 2017-11-24 上海联影医疗科技有限公司 一种场发射电子源及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0172089A1 (fr) * 1984-07-27 1986-02-19 Commissariat à l'Energie Atomique Dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitée par émission de champ

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3453478A (en) * 1966-05-31 1969-07-01 Stanford Research Inst Needle-type electron source
US3755704A (en) * 1970-02-06 1973-08-28 Stanford Research Inst Field emission cathode structures and devices utilizing such structures
JPS5325632B2 (fr) * 1973-03-22 1978-07-27
JPS5436828B2 (fr) * 1974-08-16 1979-11-12
US4513308A (en) * 1982-09-23 1985-04-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy p-n Junction controlled field emitter array cathode
DE3243596C2 (de) * 1982-11-25 1985-09-26 M.A.N. Maschinenfabrik Augsburg-Nürnberg AG, 8000 München Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung von Bildern auf einen Bildschirm
US4485158A (en) * 1983-10-17 1984-11-27 Rca Corporation Method for preparing a mosaic luminescent screen using a mosaic precoating
DE3340777A1 (de) * 1983-11-11 1985-05-23 M.A.N. Maschinenfabrik Augsburg-Nürnberg AG, 8000 München Verfahren zur herstellung von duennfilm-feldeffekt-kathoden
EP0163538B1 (fr) * 1984-05-30 1989-11-23 Fujitsu Limited Matériel pour la formation d'images, sa fabrication et son emploi

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0172089A1 (fr) * 1984-07-27 1986-02-19 Commissariat à l'Energie Atomique Dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitée par émission de champ

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