JPH07111869B2 - カソ−ドルミネツセンス型表示手段の製造方法 - Google Patents

カソ−ドルミネツセンス型表示手段の製造方法

Info

Publication number
JPH07111869B2
JPH07111869B2 JP1262387A JP1262387A JPH07111869B2 JP H07111869 B2 JPH07111869 B2 JP H07111869B2 JP 1262387 A JP1262387 A JP 1262387A JP 1262387 A JP1262387 A JP 1262387A JP H07111869 B2 JPH07111869 B2 JP H07111869B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coating
manufacturing
film
providing
cathode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1262387A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62172631A (ja
Inventor
ボレル ミシェル
ボロナ ジヤン−フランソワ
メイエル ロベール
ラムボウ フィリップ
Original Assignee
コミツサリア タ レネルジ− アトミ−ク
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by コミツサリア タ レネルジ− アトミ−ク filed Critical コミツサリア タ レネルジ− アトミ−ク
Publication of JPS62172631A publication Critical patent/JPS62172631A/ja
Publication of JPH07111869B2 publication Critical patent/JPH07111869B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123—Flat display tubes
    • H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電界放出または冷陰極放出によつて励起された
カソードルミネツセンスを利用する表示装置の製造方法
に関するものである。特に本発明は、固定画像の表示可
能な単純なマトリツクス表示装置の製造や、テレビジヨ
ン等のような動画像の表示可能な複雑な複合画面の製造
に応用することができる。
先行技術 電界放出によつて励起されるカソードルミネツセンスを
利用した表示手段の一例が、本出願者による1984年７月
27日出願のフランス特許出願第8411986号に記載されて
いる。この出願による表示手段の拡大透視図が第１図に
示されている。
この表示手段の場合、２個の対向ガラス壁4,6を備えた
表示セル２が真空中に固定配置されている。セル２の下
側壁６には、カソード用として第１平行導電帯群８と、
グリツド用として第２平行導電帯群10が設けられてい
る。導電帯群10は導電帯群８に対して直角に配置され、
両者は連続的な絶縁被膜12、具体的にはシリカ被膜で互
いに絶縁されている。
カソード８の端縁部９は、カソードの電気的接続を可能
にするため、絶縁材で覆われておらず、また、グリツド
10とも重なつていない。
導電帯8,10は、それぞれコラムとロウを形成する。そし
て、各ロウ、コラムの交点がそれぞれの単位表示点14に
相当する。
導電帯すなわち各グリツド10と、絶縁層12には多数の開
口16が設けられており、これらの開口にはマイクロ電子
銃またはマイクロエミツタが挿入される。各単位表示点
14には複数のマイクロエミツタが対応する。
第２図に示すように、各マイクロエミツタは、適切な電
界が与えられたときに電子を放出する金属製円錐18で形
成されている。これら金属性円錐18は、底面をカソード
８上に直接設置し、円錐頂点が導電帯10とほぼ同一水準
に合わせられている。円錐の底面直径と高さは１μｍ程
度に決められる。
第１図に示されるように、セル２の上側壁４にはアノー
ド用の連続的な導電被膜20が設けられている。アノード
20には、マイクロエミツタ18からの電子衝突が生じたと
きに発光する発光材被膜22が施されている。
マイクロエミツタ18による電子放出は、相対向するカソ
ード８とグリツド10、さらにアノード20が同時に付勢さ
れたときに生じる。具体的には、アノード20は接地さ
れ、グリツド10は電源24によつて、アノード電位以下ま
たはアノード電位に設定される。カソード８は電源26に
よつて、グリツドに対して負にバイアスされている。カ
ソード８とグリツド10を順次付勢して行くことによつ
て、表示セル２上に点像が現れる。像はセルの上側壁４
側から見ることができる。
一つの表示点14、すなわちカソード・グリツド交点当た
りのマイクロエミツタ18の個数は一般に多く、そうする
ことによつて、表示点間の放出特性の均一性を高めるこ
とができる（実効値効果）。しかし、これはマイクロエ
ミツタの冗長につながるので、ある割合で不機能マイク
ロエミツタを混在させることも可能である。
実際には、マイクロエミツタの個数は104〜105個/mm2に
なる。したがつて、従来の製造方法ではカソードおよび
グリツドに対してエミツタを正確に位置決めする必要が
あるので、工程が複雑になると同時に表示手段の製造コ
ストも上がる。
発明の概要 以下に述べるように、本発明は電界効果によるカソード
ルミネツセンスを利用した表示装置を製造するための、
比較的単純で手順の簡単な方法に関するものである。
具体的には、本発明はカソードルミネツセンスを利用し
た表示装置を製造するための方法であつて、絶縁基板上
に第１導電被膜を設ける段階、前記第１導電被膜をエツ
チングすることによつてカソード用の第１平行導電帯を
設ける段階、上記で得られた構造に第２絶縁被膜を設け
る段階、前記第２被膜上に第３導電被膜を設ける段階、
前記第２被膜および第３被膜上に全体に分布するように
開口群を設ける段階、エツチングされた前記第３被膜上
に、前記開口群を覆わない状態で第４被膜を設ける段
階、上記で得られた構造に、電子放出材で第５被膜を設
ける段階、前記電子放出材を前記開口内に保持した状態
で、前記第４被膜内の余剰電子放出材料を除去するため
に前記第４被膜を除去する段階、前記第３被膜および第
２被膜をエツチングすることによつて前記第１導電帯の
少なくとも一方の端部を露出させる段階、前記第３被膜
をエツチングすることにより、前記第１平行導電帯と交
差する状態でグリツド用の第２平行導電帯を設ける段
階、相対向するアノードおよびカソードルミネツセンス
材を前記第２導電帯から形成する段階が含まれ、上記順
序で上記各段階が実行される。
なお、「全表面にわたつて分布する開口」と云う表現
は、カソードおよびカソード間ギヤツプに対向して形成
された開口を意味するものとする。
本方法は簡易性が特徴である。特に、第２被膜および第
３被膜が形成され、表示手段全体に分布する開口内にマ
イクロエミツタを設ける際に、カソードおよびグリツド
に対する位置決めを必要としない。カソード・グリツド
交点に位置するマイクロエミツタのみが実質的に有効に
機能する。
絶縁基板上へのカソード導体の接着性を改善するために
は、基板とカソード形成用の第１導電被膜との間に、中
間絶縁被膜を設けると効果的である。
マイクロエミツタへのアクセス抵抗を最小にするため
に、第１導電被膜には良導電材料を使用することが必要
である。さらに、第１導電被膜に関する条件として、第
２絶縁被膜との共存性、特に接着性、そして、第２絶縁
被膜のエツチング法に対して反応しないことが必要であ
る。したがつて、第１導電被膜の材料としては、酸化イ
ンジウム（II）、二酸化すず、アルミニウムの中から選
ぶのが好ましい。
酸化インジウム（II）や二酸化すずは、固定画像表示用
などの比較的単純な小画像スクリーンを製造する場合に
使用されることが多い。一方、大形複合画面、特にテレ
ビジヨンなどの動画像表示用スクリーンを製造する場合
には、アルミニウムを使用することが好ましい。
カソード・グリツド間の容量を最小化することにより、
マイクロエミツタの応答時間を最小化しようとすれば、
第２絶縁被膜の誘電率を最小にする必要がある。そのた
めには、第２絶縁被膜の材料として二酸化けい素（Si
O2）、すなわちシリカを使用することが好ましい。
この二酸化けい素被膜は化学的気相法やカソードスパツ
タリング、真空蒸着によつて形成することが可能であ
る。しかし、均質かつ均等厚の酸化被膜の形成を可能に
すると云う意味から、化学的気相法が有利である。
絶縁被膜、特に二酸化けい素被膜の開口は、周知の湿式
または乾式エツチング法によつて形成することが可能で
ある。
グリツド形成用の第３導電被膜は、二酸化けい素などの
第２絶縁被膜との接着性が良く、マイクロエミツタ製作
に使用される異部材に対する化学的耐性の良い材料で形
成しなければならない。そのため、第３導電被膜の材料
としては、ニオビウム、タンタル、アルミニウムの中か
ら選んだ金属材料が好ましい。
再現性の良い方法で、第３導電被膜に約１ミクロンの開
口群を設けるためには、異方性乾式エツチング法を用い
た開口形成が好ましい。
マイクロエミツタを正確に画定するために、第５被膜蒸
着用マスクとしての第４被膜の材質は金属、特にニツケ
ルとする。この第４ニツケル被膜を蒸着する際、第２被
膜および第３被膜内の開口が閉塞されないように、傾斜
真空蒸着法を用いるのが好ましい。さらに、この金属被
膜を除去する場合には、電気化学的に溶解することが好
ましい。
第５被膜の材質選択は、電界効果による放出または冷陰
極放出に関する材料の特性に大きく依存し、さらに、マ
イクロエミツタの形成段階で行われる第４被膜の蒸着お
よび除去方法に対する化学的耐性にも大きく依存する。
具体的には、電子放出材料として、ハフニウム、ニオビ
ウム、モリブデン、ジルコニウム、六ホウ化ランタン
（LaB6）、炭化チタン、炭化タンタル、炭化ハフニウ
ム、炭化ジルコニウムなどが使用可能であるが、本発明
の実施例ではモリブデンを使用する。
以下に、添付図面に従つて本発明の非限定的実施例を詳
細に説明する。
好適実施例 第３図において、まず、平面度と表面状態を良くするた
めに下側基板６の洗浄を行い、マイクロエミツタの最適
製造条件を作る。基板６はセラミツクまたはガラスで構
成することができる。次に、カソードスパツタリングに
より、基板６上に約100nmの厚さで二酸化けい素被膜７
が設けられる。この絶縁被膜７は酸化インジウム（II）
からなる導電被膜8aで被覆される。被膜8aの厚さは160n
mであつて、これはカソードスパツタリングによつて形
成することができる。なお、後の工程でこの被膜内にカ
ソード８が形成される。
続いて、従来の写真製版技術（沈積、照射、現像）を用
いて、カソードの原像となる樹脂製陽画マスク11が形成
される。マスク11を介して酸化インジウム（II）被膜を
エツチングすることにより、第４図に示すように、ピツ
チＰ＝1mm、幅0.7mmのカソード８群が形成される。被膜
8aは、110℃に加熱されたオルトリン酸を用いて化学的
にエツチングされる。酸化インジウム（II）被膜8aは、
その膜厚全体がエツチングされる。その後、化学的溶解
によつて樹脂マスクが除去される。
このようにして形成された構造、すなわちカソード８お
よび絶縁被膜７の露出部の上に、酸素、フオスフイン、
シランの各気体を用いた化学的気相蒸着法によつて、第
５図に示すような二酸化けい素被膜12が形成される。酸
化被膜12の厚さは１μｍである。次に、酸化被膜12は導
電被膜10aによつて完全に被覆される、後続工程で、こ
の導電被膜内にグリツドが形成される。被膜10aは、ニ
オビウム材を用いて0.4μｍの厚さで真空蒸着される。
導電被膜10aの上には、従来の写真製版技術（樹脂沈
積、照射、現像）を利用して樹脂マスク13が形成され
る。樹脂マスク13は、グリツド被膜10aおよび絶縁被膜1
2に形成される開口群の陽画原像となる。
本発明によれば、開口数が多いため、これら開口群の位
置決めをする必要はない。さらに、樹脂マスク13は、そ
のマスク表面全体、特に、表示目的のために裏返された
帯域14の外側領域17に開口15が分布するように作られて
いるので（カソードとグリツドの交点で画定される単位
表示点）、樹脂13の照射21に使用されるフオトマスク19
の形成と、構造上での位置決めを容易にする。
次に第６図において、樹脂マスク13を通して、グリツド
材被膜10aおよび絶縁被膜12に開口群16が形成される。
これらの開口16は被膜10a,12を貫通している。続いて、
被膜10a,12はエツチングされる。被膜10aのエツチング
は、六フツ化硫黄（SF6）のプラズマを利用した反応イ
オンエツチング法によつて行われる。導電被膜10a内に
形成される開口16の直径は1.3±0.1μｍである。開口16
はシリカ被膜12内に形成されるが、その方法として、例
えば、フツ化水素酸とフツ化アンモニウムからなるエツ
チング溶液に本構造物を浸す化学的エツチング法によつ
て開口を形成することができる。この工程に続いて、樹
脂マスク13が化学的に除去される。このようにして形成
された開口16の概観が第７図に示されている。
次に、マイクロエミツタの製造工程について述べる。ま
ず、開口群16の施された被膜10a上に、構造表面に対し
て傾斜した方向からニツケル被膜23を真空蒸着させる。
蒸着軸と被膜構造12aの間の角度αは約15゜にする。ニ
ツケル被膜23の厚さは150nmである。この蒸着法によれ
ば、開口16が閉塞されることがない。
次に、第８図に示されるように、構造全体に厚さ1.8μ
ｍのモリブデン被膜18aが蒸着される。この蒸着は構造
表面に対して垂直な入射角で行われ、この方法によれ
ば、各開口16内に高さ1.2〜1.5μｍのモリブデン円錐18
を形成することが可能である。次に、電気化学的手法を
用いてニツケル被膜23を選択的に溶解することにより、
第９図に示すように、開口の施されたニオビウム被膜10
aが開放され、電子放出用のマイクロエミツタ18が現れ
る。
次に、第10図に示すように、カソード８の端部９を開放
してカソードへの電気接続が可能な状態にするために、
被膜10aおよび絶縁被膜12をエツチングする。このエツ
チングは樹脂マスクを通して行われる。この場合の樹脂
マスクは図示されていないが、従来の写真製版技術を用
いて作られるものであつて、マスク形成樹脂は、ニオビ
ウム被膜10aおよび二酸化けい素被膜12に形成された全
ての開口18を覆う必要があるため、十分に高い粘性を持
つ樹脂材料を使用しなければならない。上記と同様に、
ニオビウム被膜10aは反応イオンエツチング法によつて
エツチングされ、シリカ被膜12は化学的にエツチングさ
れる。
次に、ニオビウム被膜10aに形成されるグリツド10の原
像としての樹脂マスク25が上記構造上に形成される。こ
の樹脂マスクは従来の写真製版技術によつて形成され
る。続いて、導電帯８に対して直角に配置された導電帯
10を開放するために、六フツ化硫黄を用いた乾式反応イ
オンエツチングが行われる。その後、化学的エツチング
によつて樹脂マスク25が除去される。マスク25を除去し
た状態の構造を第11図に示す。
第12図に示すように、表示セル２に相当する酸気インジ
ウム（II）（In2O3）または二酸化すず（SnO2）からな
る導電被膜20がカソードスパツタリング法によつてガラ
ス基板４の上に蒸着される。被膜20の厚さは約100nmで
ある。アノード20上には、カソードスパツタリング法に
よつてカソードルミネツセンス被膜22が施される。被膜
22の材質は酸化亜鉛で、その厚さは１μｍである。
アノードおよびカソードルミネツセンス材の施された基
板４はグリツド10上に設置される。カソードルミネツセ
ンス材22とグリツド10の間は、不規則に配置されたガラ
ス製スペーサ27によつて30〜50μｍの間隔に保たれる。
アノード20の周縁は溶融ガラス29でセルの底部に溶接す
ることにより、ハーメチツクシールされる。そして、こ
のようにして得られる組立体は真空中に設置される。
上記記述は限定的な意味を持つものではなく、本発明の
請求範囲内で修正が可能である。特に、各被膜の厚さや
特性は変更可能である。また、エツチングや蒸着の方法
についても変更可能である。
本発明による製造工程におけるそれぞれの段階は、その
実行が簡単なことが利点であり、本分野の技術者には容
易に習得することができ、そして、表示手段の製造にお
いて良好な再現性と均質性が得られる。さらに、カソー
ドおよびグリツドに対して正確な位置決めを行わずにセ
ル全体にわたつてエミツタを設けることができるので、
表示手段の製造が非常に簡単になる。
【図面の簡単な説明】
第１図はカソードルミネツセンス型表示手段の分解透視
図、 第２図は第１図中のマイクロエミツタ部分の拡大図、 第３図〜第６図、第10図〜第12図は本発明の各段階を示
す図、 第７図〜第９図はマイクロエミツタを示す拡大図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロベール メイエル フランス国サン イスミェール，シュマン ドウ ラ リミトウ サン ナザイル レゼイム（番地なし) (72)発明者 フィリップ ラムボウ フランス国 グルノーブル，リュ ゲイ ルサック，32 (56)参考文献 特開 昭49−122269（ＪＰ，Ａ)

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】カソードルミネッセンス型表示手段の製造
    方法において、（ａ）絶縁基板上に第１導電被膜を設け
    る段階、（ｂ）前記第１導電被膜をエッチングすること
    によってカソード用の第１平行導電帯を設ける段階、
    （ｃ）上記段階（ｂ）で得られた構造に第２絶縁被膜を
    設ける段階、（ｄ）前記第２被膜上に第３導電被膜を設
    ける段階、（ｅ）前記第２被膜および第３被膜上に全体
    に分布するように開口群を設ける段階、（ｆ）エッチン
    グされた前記第３被膜上に、前記開口群を覆わない状態
    で第４被膜を設ける段階、（ｇ）上記段階（ｆ）で得ら
    れた構造に、電子放出材で第５被膜を設ける段階、
    （ｈ）前記電子放出材を前記開口内に保持した状態で、
    前記第４被膜内の余剰電子放出材料を除去するために前
    記第４被膜を除去する段階、（ｉ）前記第３被膜および
    第２被膜をエッチングすることによって前記第１導電帯
    の少なくとも一方の端部を露出させる段階、（ｊ）前記
    第３被膜をエッチングすることにより、前記開口群の位
    置に関係なく前記第１平行導電帯と交差する状態でグリ
    ッド用の第２平行導電帯を設ける段階、（ｋ）相対向す
    るアノードおよびカソードルミネッセンス材を前記第２
    導電帯に載置する段階を含むことを特徴とする前記製造
    方法。
  2. 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、前記基板
    と前記第１被膜の間に中間絶縁被膜を設けることを特徴
    とする前記製造方法。
  3. 【請求項３】特許請求の範囲第１項において、前記第１
    被膜の材質が酸化インヂウム（II）、酸化すず、アルミ
    ニウムの中から選択されることを特徴とする前記製造方
    法。
  4. 【請求項４】特許請求の範囲第１項において、前記第２
    被膜の材質が二酸化けい素（SiO2）であることを特徴と
    する前記製造方法。
  5. 【請求項５】特許請求の範囲第１項において、前記第２
    被膜が化学的気相法によって形成されることを特徴とす
    る前記製造方法。
  6. 【請求項６】特許請求の範囲第１項において、前記第３
    被膜の材質がニオビウム、タンタル、アルミニウムの中
    から選択されることを特徴とする前記製造方法。
  7. 【請求項７】特許請求の範囲第１項において、異方性乾
    式エッチングによって前記第３被膜に前記開口群が形成
    されることを特徴とする前記製造方法。
  8. 【請求項８】特許請求の範囲第１項において、前記第４
    被膜の材質のニッケルとし、前記第４被膜が電気化学的
    溶解によって除去されることを特徴とする前記製造方
    法。
  9. 【請求項９】特許請求の範囲第１項において、前記構造
    の表面に関して傾斜真空蒸着によって前記第４被膜が形
    成されることを特徴とする前記製造方法。
  10. 【請求項１０】特許請求の範囲第１項において、前記第
    ５被膜がモリブデンの真空蒸着によって形成されること
    を特徴とする前記製造方法。
  11. 【請求項１１】特許請求の範囲第１項において、前記ア
    ノードが透明絶縁支持体上に設けられ、連続的なカソー
    ドルミネッセンス材被膜で覆われた連続的な導電被膜で
    形成されることを特徴とする前記製造方法。
JP1262387A 1986-01-24 1987-01-23 カソ−ドルミネツセンス型表示手段の製造方法 Expired - Lifetime JPH07111869B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8601024 1986-01-24
FR8601024A FR2593953B1 (fr) 1986-01-24 1986-01-24 Procede de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62172631A JPS62172631A (ja) 1987-07-29
JPH07111869B2 true JPH07111869B2 (ja) 1995-11-29

Family

ID=9331463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1262387A Expired - Lifetime JPH07111869B2 (ja) 1986-01-24 1987-01-23 カソ−ドルミネツセンス型表示手段の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4857161A (ja)
EP (1) EP0234989B1 (ja)
JP (1) JPH07111869B2 (ja)
DE (1) DE3764668D1 (ja)
FR (1) FR2593953B1 (ja)

Families Citing this family (156)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8720792D0 (en) * 1987-09-04 1987-10-14 Gen Electric Co Plc Vacuum devices
FR2623013A1 (fr) * 1987-11-06 1989-05-12 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ,utilisant cette source
FR2634059B1 (fr) * 1988-07-08 1996-04-12 Thomson Csf Microcomposant electronique autoscelle sous vide, notamment diode, ou triode, et procede de fabrication correspondant
FR2637123B1 (fr) * 1988-09-26 1995-12-15 Commissariat Energie Atomique Vidicon plat a lecture matricielle par cathodes a micropointes
GB8908871D0 (en) * 1989-04-19 1989-06-07 Hugle William B Manufacture of flat panel displays
FR2647580B1 (fr) * 1989-05-24 1991-09-13 Clerc Jean Dispositif d'affichage electroluminescent utilisant des electrons guides et son procede de commande
US5160871A (en) * 1989-06-19 1992-11-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Flat configuration image display apparatus and manufacturing method thereof
US5007873A (en) * 1990-02-09 1991-04-16 Motorola, Inc. Non-planar field emission device having an emitter formed with a substantially normal vapor deposition process
US5047830A (en) * 1990-05-22 1991-09-10 Amp Incorporated Field emitter array integrated circuit chip interconnection
FR2663462B1 (fr) * 1990-06-13 1992-09-11 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes.
US5103145A (en) * 1990-09-05 1992-04-07 Raytheon Company Luminance control for cathode-ray tube having field emission cathode
JP2656851B2 (ja) * 1990-09-27 1997-09-24 工業技術院長 画像表示装置
US5332627A (en) * 1990-10-30 1994-07-26 Sony Corporation Field emission type emitter and a method of manufacturing thereof
GB9027618D0 (en) * 1990-12-20 1991-02-13 Smiths Industries Plc Displays
FR2716571B1 (fr) * 1994-02-22 1996-05-03 Pixel Int Sa Procédé de fabrication de cathode d'écran fluorescent à micropointes et produit obtenu par ce procédé .
US5660570A (en) * 1991-04-09 1997-08-26 Northeastern University Micro emitter based low contact force interconnection device
US5245248A (en) * 1991-04-09 1993-09-14 Northeastern University Micro-emitter-based low-contact-force interconnection device
US5220725A (en) * 1991-04-09 1993-06-22 Northeastern University Micro-emitter-based low-contact-force interconnection device
DE69208154T2 (de) * 1991-06-10 1996-08-29 Motorola Inc Anzeigesystem für elektronische Einrichtungen
CA2070478A1 (en) * 1991-06-27 1992-12-28 Wolfgang M. Feist Fabrication method for field emission arrays
FR2679653B1 (fr) * 1991-07-23 1993-09-24 Commissariat Energie Atomique Vacumetre a ionisation.
US5227699A (en) * 1991-08-16 1993-07-13 Amoco Corporation Recessed gate field emission
US5536193A (en) * 1991-11-07 1996-07-16 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making wide band gap field emitter
US5696028A (en) * 1992-02-14 1997-12-09 Micron Technology, Inc. Method to form an insulative barrier useful in field emission displays for reducing surface leakage
US5449970A (en) * 1992-03-16 1995-09-12 Microelectronics And Computer Technology Corporation Diode structure flat panel display
US5763997A (en) * 1992-03-16 1998-06-09 Si Diamond Technology, Inc. Field emission display device
US5686791A (en) * 1992-03-16 1997-11-11 Microelectronics And Computer Technology Corp. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5543684A (en) 1992-03-16 1996-08-06 Microelectronics And Computer Technology Corporation Flat panel display based on diamond thin films
US5675216A (en) * 1992-03-16 1997-10-07 Microelectronics And Computer Technololgy Corp. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5679043A (en) * 1992-03-16 1997-10-21 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making a field emitter
US5548185A (en) * 1992-03-16 1996-08-20 Microelectronics And Computer Technology Corporation Triode structure flat panel display employing flat field emission cathode
US6127773A (en) * 1992-03-16 2000-10-03 Si Diamond Technology, Inc. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5344352A (en) * 1992-04-02 1994-09-06 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a pointed electrode, and device for using said method
US5278475A (en) * 1992-06-01 1994-01-11 Motorola, Inc. Cathodoluminescent display apparatus and method for realization using diamond crystallites
JPH06310043A (ja) * 1992-08-25 1994-11-04 Sharp Corp 電子放出デバイス
EP0589523B1 (en) * 1992-09-25 1997-12-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device
US5347292A (en) * 1992-10-28 1994-09-13 Panocorp Display Systems Super high resolution cold cathode fluorescent display
CA2112180C (en) * 1992-12-28 1999-06-01 Yoshikazu Banno Electron source and manufacture method of same, and image forming device and manufacture method of same
US5717285A (en) * 1993-03-17 1998-02-10 Commissariat A L 'energie Atomique Microtip display device having a current limiting layer and a charge avoiding layer
FR2707795B1 (fr) * 1993-07-12 1995-08-11 Commissariat Energie Atomique Perfectionnement à un procédé de fabrication d'une source d'électrons à micropointes.
US5378182A (en) * 1993-07-22 1995-01-03 Industrial Technology Research Institute Self-aligned process for gated field emitters
US5814367A (en) * 1993-08-13 1998-09-29 General Atomics Broadband infrared and signature control materials and methods of producing the same
US5462467A (en) * 1993-09-08 1995-10-31 Silicon Video Corporation Fabrication of filamentary field-emission device, including self-aligned gate
US5404070A (en) * 1993-10-04 1995-04-04 Industrial Technology Research Institute Low capacitance field emission display by gate-cathode dielectric
FR2711450B1 (fr) * 1993-10-18 1996-01-05 Pixel Int Sa Installation et procédé pour la fabrication d'écrans plats de visualisation.
RU2141698C1 (ru) * 1993-11-04 1999-11-20 Микроэлектроникс энд Компьютер Текнолоджи Корпорейшн Способ изготовления систем дисплея с плоским экраном и компонентов
US5461009A (en) * 1993-12-08 1995-10-24 Industrial Technology Research Institute Method of fabricating high uniformity field emission display
US5445550A (en) * 1993-12-22 1995-08-29 Xie; Chenggang Lateral field emitter device and method of manufacturing same
US5394006A (en) * 1994-01-04 1995-02-28 Industrial Technology Research Institute Narrow gate opening manufacturing of gated fluid emitters
US5451830A (en) * 1994-01-24 1995-09-19 Industrial Technology Research Institute Single tip redundancy method with resistive base and resultant flat panel display
FR2717304B1 (fr) * 1994-03-09 1996-04-05 Commissariat Energie Atomique Source d'électrons à cathodes émissives à micropointes.
FR2718269B1 (fr) * 1994-03-31 1996-06-28 Pixel Int Sa Procédé d'amélioration de la conductivité des conducteurs colonnes des écrans plats à micropointes, et écrans ainsi obtenus.
FR2719155B1 (fr) * 1994-04-25 1996-05-15 Commissariat Energie Atomique Procédé de réalisation de sources d'électrons à micropointes et source d'électrons à micropointes obtenue par ce procédé.
FR2719156B1 (fr) * 1994-04-25 1996-05-24 Commissariat Energie Atomique Source d'électrons à micropointes, les micropointes comportant deux parties.
US5538450A (en) * 1994-04-29 1996-07-23 Texas Instruments Incorporated Method of forming a size-arrayed emitter matrix for use in a flat panel display
US5629583A (en) * 1994-07-25 1997-05-13 Fed Corporation Flat panel display assembly comprising photoformed spacer structure, and method of making the same
US5504385A (en) * 1994-08-31 1996-04-02 At&T Corp. Spaced-gate emission device and method for making same
FR2724264B1 (fr) * 1994-09-06 1996-10-18 Commissariat Energie Atomique Antenne cylindrique utilisable pour generer un plasma dans les conditions de resonance cyclotronique electronique
EP0706164A1 (en) 1994-10-03 1996-04-10 Texas Instruments Incorporated Power management for display devices
FR2725558B1 (fr) 1994-10-10 1996-10-31 Commissariat Energie Atomique Procede de formation de trous dans une couche de resine photosensible application a la fabrication de sources d'electrons a cathodes emissives a micropointes et d'ecrans plats de visualisation
FR2726122B1 (fr) 1994-10-19 1996-11-22 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une source d'electrons a micropointes
FR2726688B1 (fr) * 1994-11-08 1996-12-06 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a effet de champ et procede de fabrication de cette source, application aux dispositifs de visualisation par cathodoluminescence
FR2726689B1 (fr) * 1994-11-08 1996-11-29 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a effet de champ et procede de fabrication de cette source, application aux dispositifs de visualisation par cathodoluminescence
US5541466A (en) * 1994-11-18 1996-07-30 Texas Instruments Incorporated Cluster arrangement of field emission microtips on ballast layer
EP0713236A1 (en) 1994-11-18 1996-05-22 Texas Instruments Incorporated Electron emission apparatus
US5557159A (en) * 1994-11-18 1996-09-17 Texas Instruments Incorporated Field emission microtip clusters adjacent stripe conductors
US5569975A (en) * 1994-11-18 1996-10-29 Texas Instruments Incorporated Cluster arrangement of field emission microtips
US5536993A (en) * 1994-11-18 1996-07-16 Texas Instruments Incorporated Clustered field emission microtips adjacent stripe conductors
US5608286A (en) * 1994-11-30 1997-03-04 Texas Instruments Incorporated Ambient light absorbing face plate for flat panel display
US6235105B1 (en) 1994-12-06 2001-05-22 General Atomics Thin film pigmented optical coating compositions
US5566011A (en) * 1994-12-08 1996-10-15 Luncent Technologies Inc. Antiflector black matrix having successively a chromium oxide layer, a molybdenum layer and a second chromium oxide layer
KR100343222B1 (ko) * 1995-01-28 2002-11-23 삼성에스디아이 주식회사 전계방출표시소자의제조방법
US5766053A (en) * 1995-02-10 1998-06-16 Micron Technology, Inc. Internal plate flat-panel field emission display
US5612256A (en) * 1995-02-10 1997-03-18 Micron Display Technology, Inc. Multi-layer electrical interconnection structures and fabrication methods
US5537738A (en) * 1995-02-10 1996-07-23 Micron Display Technology Inc. Methods of mechanical and electrical substrate connection
US5594297A (en) * 1995-04-19 1997-01-14 Texas Instruments Incorporated Field emission device metallization including titanium tungsten and aluminum
US5601466A (en) * 1995-04-19 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Method for fabricating field emission device metallization
FR2733253B1 (fr) 1995-04-24 1997-06-13 Commissariat Energie Atomique Dispositif pour deposer un materiau par evaporation sur des substrats de grande surface
US6296740B1 (en) 1995-04-24 2001-10-02 Si Diamond Technology, Inc. Pretreatment process for a surface texturing process
US5628659A (en) * 1995-04-24 1997-05-13 Microelectronics And Computer Corporation Method of making a field emission electron source with random micro-tip structures
US5644188A (en) * 1995-05-08 1997-07-01 Advanced Vision Technologies, Inc. Field emission display cell structure
US5630741A (en) * 1995-05-08 1997-05-20 Advanced Vision Technologies, Inc. Fabrication process for a field emission display cell structure
US5543691A (en) * 1995-05-11 1996-08-06 Raytheon Company Field emission display with focus grid and method of operating same
US5621272A (en) * 1995-05-30 1997-04-15 Texas Instruments Incorporated Field emission device with over-etched gate dielectric
US5759078A (en) * 1995-05-30 1998-06-02 Texas Instruments Incorporated Field emission device with close-packed microtip array
US5589728A (en) * 1995-05-30 1996-12-31 Texas Instruments Incorporated Field emission device with lattice vacancy post-supported gate
US5686782A (en) * 1995-05-30 1997-11-11 Texas Instruments Incorporated Field emission device with suspended gate
US5811929A (en) * 1995-06-02 1998-09-22 Advanced Vision Technologies, Inc. Lateral-emitter field-emission device with simplified anode
US5666024A (en) * 1995-06-23 1997-09-09 Texas Instruments Incorporated Low capacitance field emission device with circular microtip array
FR2737928B1 (fr) * 1995-08-17 1997-09-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'insolation de zones micrometriques et/ou submicrometriques dans une couche photosensible et procede de realisation de motifs dans une telle couche
FR2737927B1 (fr) * 1995-08-17 1997-09-12 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de formation de trous dans une couche de materiau photosensible, en particulier pour la fabrication de sources d'electrons
US5635791A (en) * 1995-08-24 1997-06-03 Texas Instruments Incorporated Field emission device with circular microtip array
US5818165A (en) * 1995-10-27 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated Flexible fed display
US5669802A (en) * 1995-10-30 1997-09-23 Advanced Vision Technologies, Inc. Fabrication process for dual carrier display device
US5831384A (en) * 1995-10-30 1998-11-03 Advanced Vision Technologies, Inc. Dual carrier display device
US5672933A (en) * 1995-10-30 1997-09-30 Texas Instruments Incorporated Column-to-column isolation in fed display
US6680489B1 (en) 1995-12-20 2004-01-20 Advanced Technology Materials, Inc. Amorphous silicon carbide thin film coating
US6031250A (en) * 1995-12-20 2000-02-29 Advanced Technology Materials, Inc. Integrated circuit devices and methods employing amorphous silicon carbide resistor materials
US6252347B1 (en) 1996-01-16 2001-06-26 Raytheon Company Field emission display with suspended focusing conductive sheet
US20010045794A1 (en) * 1996-01-19 2001-11-29 Alwan James J. Cap layer on glass panels for improving tip uniformity in cold cathode field emission technology
US5893967A (en) * 1996-03-05 1999-04-13 Candescent Technologies Corporation Impedance-assisted electrochemical removal of material, particularly excess emitter material in electron-emitting device
US5766446A (en) * 1996-03-05 1998-06-16 Candescent Technologies Corporation Electrochemical removal of material, particularly excess emitter material in electron-emitting device
US6027632A (en) * 1996-03-05 2000-02-22 Candescent Technologies Corporation Multi-step removal of excess emitter material in fabricating electron-emitting device
FR2751785A1 (fr) * 1996-07-29 1998-01-30 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de formation de motifs dans une couche de resine photosensible par insolation laser continue, application a la fabrication de sources d'electrons a cathodes emissives a micropointes et d'ecrans plats
EP0834897B1 (en) 1996-10-04 2002-05-02 STMicroelectronics S.r.l. Method of fabricating flat field emission display screens and flat screen obtained thereby
US6022256A (en) * 1996-11-06 2000-02-08 Micron Display Technology, Inc. Field emission display and method of making same
US5836799A (en) * 1996-12-06 1998-11-17 Texas Instruments Incorporated Self-aligned method of micro-machining field emission display microtips
US5780960A (en) * 1996-12-18 1998-07-14 Texas Instruments Incorporated Micro-machined field emission microtips
US5938493A (en) * 1996-12-18 1999-08-17 Texas Instruments Incorporated Method for increasing field emission tip efficiency through micro-milling techniques
FR2757999B1 (fr) * 1996-12-30 1999-01-29 Commissariat Energie Atomique Procede d'auto-alignement utilisable en micro-electronique et application a la realisation d'une grille de focalisation pour ecran plat a micropointes
DE19811899A1 (de) * 1997-03-19 1998-09-24 Furukawa Electric Co Ltd Stromverteilungsanlage und Stromquellengerät für ein Fahrzeug
US6215243B1 (en) 1997-05-06 2001-04-10 St. Clair Intellectual Property Consultants, Inc. Radioactive cathode emitter for use in field emission display devices
US6323594B1 (en) 1997-05-06 2001-11-27 St. Clair Intellectual Property Consultants, Inc. Electron amplification channel structure for use in field emission display devices
US5982082A (en) * 1997-05-06 1999-11-09 St. Clair Intellectual Property Consultants, Inc. Field emission display devices
US6120674A (en) * 1997-06-30 2000-09-19 Candescent Technologies Corporation Electrochemical removal of material in electron-emitting device
US6007695A (en) * 1997-09-30 1999-12-28 Candescent Technologies Corporation Selective removal of material using self-initiated galvanic activity in electrolytic bath
FR2769751B1 (fr) 1997-10-14 1999-11-12 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a micropointes, a grille de focalisation et a densite elevee de micropointes, et ecran plat utilisant une telle source
US5949185A (en) * 1997-10-22 1999-09-07 St. Clair Intellectual Property Consultants, Inc. Field emission display devices
US6255772B1 (en) 1998-02-27 2001-07-03 Micron Technology, Inc. Large-area FED apparatus and method for making same
US6174449B1 (en) 1998-05-14 2001-01-16 Micron Technology, Inc. Magnetically patterned etch mask
FR2779243B1 (fr) 1998-05-26 2000-07-07 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation par photolithographie d'ouvertures auto-alignees sur une structure, en particulier pour ecran plat a micropointes
US7002287B1 (en) * 1998-05-29 2006-02-21 Candescent Intellectual Property Services, Inc. Protected substrate structure for a field emission display device
US6710538B1 (en) * 1998-08-26 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Field emission display having reduced power requirements and method
US6391670B1 (en) 1999-04-29 2002-05-21 Micron Technology, Inc. Method of forming a self-aligned field extraction grid
JP3600126B2 (ja) * 1999-07-29 2004-12-08 シャープ株式会社 電子源アレイ及び電子源アレイの駆動方法
US7052350B1 (en) 1999-08-26 2006-05-30 Micron Technology, Inc. Field emission device having insulated column lines and method manufacture
US6384520B1 (en) * 1999-11-24 2002-05-07 Sony Corporation Cathode structure for planar emitter field emission displays
US6989631B2 (en) * 2001-06-08 2006-01-24 Sony Corporation Carbon cathode of a field emission display with in-laid isolation barrier and support
WO2001063883A2 (en) * 2000-02-25 2001-08-30 Telecommunication Systems, Inc. Prepaid short messaging
US6849856B1 (en) * 2001-04-17 2005-02-01 Si Diamond Technology, Inc. Electron beam duplication lithography method and apparatus
US6682382B2 (en) * 2001-06-08 2004-01-27 Sony Corporation Method for making wires with a specific cross section for a field emission display
US6756730B2 (en) * 2001-06-08 2004-06-29 Sony Corporation Field emission display utilizing a cathode frame-type gate and anode with alignment method
US7002290B2 (en) * 2001-06-08 2006-02-21 Sony Corporation Carbon cathode of a field emission display with integrated isolation barrier and support on substrate
US6791278B2 (en) * 2002-04-16 2004-09-14 Sony Corporation Field emission display using line cathode structure
US6873118B2 (en) * 2002-04-16 2005-03-29 Sony Corporation Field emission cathode structure using perforated gate
US7012582B2 (en) * 2002-11-27 2006-03-14 Sony Corporation Spacer-less field emission display
US20040145299A1 (en) * 2003-01-24 2004-07-29 Sony Corporation Line patterned gate structure for a field emission display
US20040189552A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Sony Corporation Image display device incorporating driver circuits on active substrate to reduce interconnects
US7071629B2 (en) * 2003-03-31 2006-07-04 Sony Corporation Image display device incorporating driver circuits on active substrate and other methods to reduce interconnects
US20050246493A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-03 International Business Machines Corporation Detachable programmable memory card for a computer controlled instrument with an indicator on the memory card displaying that a predetermined level of the card memory has been used
FR2886284B1 (fr) 2005-05-30 2007-06-29 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation de nanostructures
US20070226705A1 (en) * 2006-02-15 2007-09-27 Microsoft Corporation Wrap-up reads for logless persistent components
FR2897718B1 (fr) 2006-02-22 2008-10-17 Commissariat Energie Atomique Structure de cathode a nanotubes pour ecran emissif
JP4303308B2 (ja) 2007-11-20 2009-07-29 シャープ株式会社 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法
JP4314307B1 (ja) * 2008-02-21 2009-08-12 シャープ株式会社 熱交換装置
US8299700B2 (en) 2009-02-05 2012-10-30 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element having an electron acceleration layer, electron emitting device, light emitting device, image display device, cooling device, and charging device
CN101814405B (zh) 2009-02-24 2012-04-25 夏普株式会社 电子发射元件及其制造方法、使用电子发射元件的各装置
JP5073721B2 (ja) * 2009-05-19 2012-11-14 シャープ株式会社 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、電子放出素子の製造方法
JP4777448B2 (ja) 2009-05-19 2011-09-21 シャープ株式会社 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、及び電子線硬化装置
JP4732533B2 (ja) * 2009-05-19 2011-07-27 シャープ株式会社 電子放出素子及びその製造方法、並びに、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置
JP4932873B2 (ja) * 2009-05-19 2012-05-16 シャープ株式会社 自発光素子、自発光装置、画像表示装置、自発光素子駆動方法、および自発光素子の製造方法
JP4732534B2 (ja) * 2009-05-19 2011-07-27 シャープ株式会社 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置
CN101930884B (zh) * 2009-06-25 2012-04-18 夏普株式会社 电子发射元件及其制造方法、电子发射装置、自发光设备、图像显示装置
JP4927152B2 (ja) * 2009-11-09 2012-05-09 シャープ株式会社 熱交換装置
JP4880740B2 (ja) * 2009-12-01 2012-02-22 シャープ株式会社 電子放出素子及びその製造方法、並びに、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置
CN104078293B (zh) * 2013-03-26 2017-11-24 上海联影医疗科技有限公司 一种场发射电子源及其制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3453478A (en) * 1966-05-31 1969-07-01 Stanford Research Inst Needle-type electron source
US3755704A (en) * 1970-02-06 1973-08-28 Stanford Research Inst Field emission cathode structures and devices utilizing such structures
JPS5325632B2 (ja) * 1973-03-22 1978-07-27
JPS5436828B2 (ja) * 1974-08-16 1979-11-12
US4513308A (en) * 1982-09-23 1985-04-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy p-n Junction controlled field emitter array cathode
DE3243596C2 (de) * 1982-11-25 1985-09-26 M.A.N. Maschinenfabrik Augsburg-Nürnberg AG, 8000 München Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung von Bildern auf einen Bildschirm
US4485158A (en) * 1983-10-17 1984-11-27 Rca Corporation Method for preparing a mosaic luminescent screen using a mosaic precoating
DE3340777A1 (de) * 1983-11-11 1985-05-23 M.A.N. Maschinenfabrik Augsburg-Nürnberg AG, 8000 München Verfahren zur herstellung von duennfilm-feldeffekt-kathoden
EP0163538B1 (en) * 1984-05-30 1989-11-23 Fujitsu Limited Pattern-forming material and its production and use
FR2568394B1 (fr) * 1984-07-27 1988-02-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62172631A (ja) 1987-07-29
EP0234989B1 (fr) 1990-09-05
DE3764668D1 (de) 1990-10-11
US4857161A (en) 1989-08-15
EP0234989A1 (fr) 1987-09-02
FR2593953A1 (fr) 1987-08-07
FR2593953B1 (fr) 1988-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07111869B2 (ja) カソ−ドルミネツセンス型表示手段の製造方法
US6741026B2 (en) Field emission display including carbon nanotube film and method for fabricating the same
US5477105A (en) Structure of light-emitting device with raised black matrix for use in optical devices such as flat-panel cathode-ray tubes
US6008576A (en) Flat display and process for producing cathode plate for use in flat display
US5578900A (en) Built in ion pump for field emission display
KR100343222B1 (ko) 전계방출표시소자의제조방법
US5378182A (en) Self-aligned process for gated field emitters
JPH08227675A (ja) 電子放出装置及びその製造方法
JPH08115654A (ja) 粒子放出装置、電界放出型装置及びこれらの製造方法
JP2010157489A (ja) 電子放出素子の製造方法および画像表示装置の製造方法
US6716081B2 (en) Spacer fabrication for flat panel displays
JP3253683B2 (ja) 電界放出型冷陰極板の製造方法
JPH1186719A (ja) 電界放射型素子の製造方法
US6000980A (en) Process for fabricating a microtip cathode assembly for a field emission display panel
US5676818A (en) Process for the production of a microtip electron source
JPH0887956A (ja) 電子放出素子、電子放出素子の製造方法、ｃｒｔ、及び平面ディスプレイ
JP3084768B2 (ja) 電界放出型陰極装置
EP1159752B1 (en) Cathode structure for a field emission display
KR940011723B1 (ko) Fed의 제조방법
JPH08148083A (ja) フィールドエミッタの表面改質方法
JPH0428138A (ja) 電子放出素子およびその製造方法
KR100569269B1 (ko) 전계방출 표시소자의 제조방법
KR100577780B1 (ko) 전계방출 표시소자의 제조방법
JP3094464B2 (ja) 電界放出型マイクロカソードの製造方法
KR100287117B1 (ko) 전계방출 표시장치 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term