FR2700217A1 - Procédé de réalisation sur silicium, de cathodes émissives à micropointes pour écran plat de petites dimensions, et produits obtenus. - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/319—Circuit elements associated with the emitters by direct integration
Abstract
La présente invention a pour objet un procédé de réalisation sur silicium, de cathodes émissives à micropointes, pour écran plat de petites dimensions, ainsi que les produits obtenus par ce procédé. Il consiste à réaliser les cathodes émissives à partir d'un substrat de base (1) monolithique en silicium formé soit d'une tranche épaisse (300 microns ou plus), soit d'une couche fine de quelques microns, déposée sur un substrat isolant (alumine ou verre), la couche de silicium étant "active" dans les deux cas. Il concerne le domaine des écrans de visualisation plats basés sur le phénomène physique de cathodoluminescence et l'émission d'électrons par effet de champ, et peut s'appliquer à tous les secteurs industriels utilisant des écrans de visualisation ou d'affichage de faibles dimensions, par exemple viseurs de camescopes, calculatrices, appareils de contrôle de tous types, véhicules, horloges et montres, etc.
Description
PROCEDE DE REALISATION SUR SILICIUM, DE
CATHODES EMISSIVES A MICROPOINTES, POUR ECRAN PLAT DE
PETITES DIMENSIONS, ET PRODUITS OBTENUS
La présente invention a pour objet un procédé de réalisation sur silicium, de cathodes émissives à micropointes, pour écran plat de petites dimensions, ainsi que les produits obtenus par ce procédé.
CATHODES EMISSIVES A MICROPOINTES, POUR ECRAN PLAT DE
PETITES DIMENSIONS, ET PRODUITS OBTENUS
La présente invention a pour objet un procédé de réalisation sur silicium, de cathodes émissives à micropointes, pour écran plat de petites dimensions, ainsi que les produits obtenus par ce procédé.
I1 concerne le domaine des écrans de visualisation plats basés sur le phénomène physique de cathodoluminescence et l'émission d'électrons par effet de champ, et peut s'appliquer à tous les secteurs industriels utilisant des écrans de visualisation ou d'affichage de faibles dimensions, par exemple viseurs de camescopes, calculatrices, appareils de controle de tous types, véhicules, horloges et montres, etc.
Les écrans à micropointes sont caractérisés par une émission électronique par effet de champ à partir d'une cathode plane étendue à micropointes, une cathode froide à faible consommation, un temps de réponse rapide (1 fus), un adressage matriciel à partir de la structure intégrée pointe-grille et une émission lumineuse par cathodoluminescence basse à moyenne tension.
Les écrans à micropointes connus sont des tubes à vide constitués en général de deux plaques de verre mince (environ 1 mm) distantes de 200 Rm. La rigidité de la structure est assurée par des espaceurs (billes de 200 pm par exemple) qui permettent de maintenir la distance interélectrodes lorsque l'écran est mis sous vide.
La plaque avant ou plaque anode est recouverte d'une couche conductrice transparente et de luminophores.
La plaque arrière ou plaque cathode comporte un réseau matriciel d'émetteurs à effet de champ déposés par les techniques de couches minces.
A chaque point lumineux (pixel), est associé une surface émissive cathodique située vis-àvis et constituée d'un grand nombre de micropointes (environ 10 000 par mm2). Cette surface émissive est définie par l'intersection d'une ligne (grille) et d'une colonne (conducteur cathodique) de la matrice.
Sous réserve de l'introduction d'un dispositif de limitation du courant dans les pointes, le grand nombre de pointes assure une émission homogène entre pixels (effet de moyenne) et élimine les risques de défauts ponctuels.
Grâce à la faible distance pointe-grille ( < 1 gm) et à l'effet amplificateur de la pointe, une différence de potentiel de moins de 100 volts appliquée entre ligne et colonne permet d'obtenir au sommet de la pointe, un champ électrique supérieur à 10 puissance 7 volts/cm, suffisant pour provoquer l'émission d'électrons.
Pour fixer les ordres de grandeur, une différence de potentiel de 80 volts permet d'obtenir une densité de courant de 1 mA/mm2. Cette valeur est suffisante dans un écran de 1000 lignes commandé séquentiellement ligne par ligne pour obtenir une luminance élevée (400 Cd/m2) avec un luminophore basse tension (400 volts présentant un rendement lumineux de 3 lm/watt.
Compte tenu du seuil d'émission (40-50 volts), la tension qui doit être modulée sur les colonnes pour passer du niveau noir au niveau blanc est de l'ordre de 30 à 40 volts.
La structure classique de la cathode d'un écran à micropointes comprend en particulier, déposées successivement sur un substrat de verre ou de silicium:
- Une couche d'isolation.
- Une couche d'isolation.
- Une couche résistive de silicium ou autre matériau.
- Les "conducteurs colonne" constitués d'une couche métallique qui peut être déposée soit dessous soit dessus la couche résistive.
- Une couche isolante (Si ou SiO2) qui constitue l'isolant de la grille.
- Une couche métallique qui constitue la grille.
Après dépôt des susdites couches, il est pratiqué dans la grille isolante, par des techniques de gravure connues, des trous dans lesquels sont ensuite réalisées les micropointes.
Le procédé selon la présente invention conduit à une amélioration des caractéristiques, ainsi qu'à de meilleurs rendements de fabrication dans la réalisation de cathodes émissives pour écrans plats de petite taille du type à cathodoluminescence à micropointes et permet d'utiliser les techniques connues pour la réalisation de composants sur silicium.
Il consiste à réaliser les cathodes émissives à partir d'un substrat de base monolithique en silicium formé soit d'une tranche épaisse (300 microns ou plus), soit d'une couche fine de quelques microns, déposée sur un substrat isolant (alumine ou verre), la couche de silicium étant "active" dans les deux cas.
Sur les dessins schématiques annexés, donnés à titre d'exemple non limitatif d'une des formes de réalisation de l'objet de l'invention:
la figure 1 représente la coupe transversale d'une cathode émissive à micropointes selon l'invention,
et la figure 2 est une vue de dessus d'une telle cathode montrant une réalisation particulière des conducteurs de colonne.
la figure 1 représente la coupe transversale d'une cathode émissive à micropointes selon l'invention,
et la figure 2 est une vue de dessus d'une telle cathode montrant une réalisation particulière des conducteurs de colonne.
Le procédé selon la présente invention est destiné à réaliser dès cathodes émissives pour écrans plats de faiblesdimensions à micropointes, à partir d'un substrat 1 de base en silicium formé soit d'une tranche épaisse (300 microns ou plus), soit d'une couche fine de quelques microns, déposée sur un substrat isolant (alumine ou verre). Dans les deux cas, la couche de silicium pourra avantageusement être utilisée pour implanter des composants actifs tels que transistors à déplétion, assurant le contrôle et la limitation du courant dans les micropointes.
La fabrication des cathodes émissives sera effectuée grâce aux techniques connues pour la réalisation de composants intégrés sur silicium. La collectivisation des traitements permet en outre de fabriquer plusieurs cathodes à la fois sur la même tranche, et de traiter plusieurs tranches à la fois lors des étapes technologiques
La tranche épaisse sera constituée d'une plaquette de silicium massif d'un diamètre de 100 à 200 mm (mais pas limitatif), du type utilisé couramment pour la fabrication des circuits intégrés. Elle sera de type P ou N et d'une résistivité adaptée, préférablement élevée. Elle pourra également être faite d'un substrat isolant (verre, alumine, etc...) recouvert d'une couche de silicium de 1 micron environ, ou bien de tout type de substrat connu permettant de réaliser des structures silicium sur isolant.
La tranche épaisse sera constituée d'une plaquette de silicium massif d'un diamètre de 100 à 200 mm (mais pas limitatif), du type utilisé couramment pour la fabrication des circuits intégrés. Elle sera de type P ou N et d'une résistivité adaptée, préférablement élevée. Elle pourra également être faite d'un substrat isolant (verre, alumine, etc...) recouvert d'une couche de silicium de 1 micron environ, ou bien de tout type de substrat connu permettant de réaliser des structures silicium sur isolant.
En ce qui concerne la couche mince de silicium, le substrat de base pourra être une plaque de silicium, d'alumine, de verre ou autre. La couche mince elle-même sera cristalline (couche épitaxiée) ou polycristalline, d'une résistivité élevée (de quelques ohmscm à 50 ohmscm).
Les phases de nettoyages, à chaque étape de la fabrication, sont'identiques à celles qui précèdent les étapes du procédé dans la réalisation des circuits intégrés. Ce sont des trempages dans des bains d'acide (phosphorique, chloridriques, fluorhydrique, sulfurique), des rinçages à l'eau désionisée, des séchages à la centrifugeuse ou à la vapeur d'alcool, etc...
Sur la figure 1 on peut voir une coupe partielle d'une cathode émissive à micropointes protégées par transistors à déplétion, ceux-ci étant réalisés à partir du substrat 1 en silicium dans lequel sont formées des zones surdopées obtenues par diffusion et constituant les sources 3 en contact avec les conducteurs de colonne 4, et les drains 5 alimentant les micropointes 2, ainsi qu'une couche d'isolation de grille 6 en silice obtenue par oxydation de surface.
L'électrode de pincement 7 est créée par métallisation au-dessus de la couche d'isolation de grille 6.
Les conducteurs de colonnes 4 sont constitués soit par une couche métallique (aluminium par exemple), soit par une ou des zones diffusées dans le silicium de base, soit par la combinaison des deux techniques: couche diffusée + couche métallique.
L'utilisation d'une couche diffusée permet de limiter la hauteur du relief de la structure.
La couche diffusée peut être étendue sur toute la surface de la colonne 9, pour réduire sa résistance. Dans ce cas là, elle est isolée des structures supérieures par une couche d'oxyde épais (1 à 2 microns) dans laquelle on aménage des trous de prise de contact 10 avec les couches supérieures. La couche diffusée peut également être limitée à la surface d'un pixel 11, la colonne 9 étant alors constituée de zones s urdopées en série avec des zones métalliques 12 qui interconnectent les zones surdopées (figure 2).
Si le conducteur colonne 4 est une couche métallique, on pourra utiliser une structure qui écarte la première pointe émissive d'une distance voulue (5 microns par exemple) de la métallisation colonne.
Si le conducteur colonne est une couche diffusée dans le silicium de base, le même principe est utilisable pour produire le même effet.
Les deux principes précédents (utilisation d'une couche diffusée pour le conducteur de colonne et son alignement) permettent de libérer un espace émissif maximum. En effet, dans les deux cas l'emprise du conducteur de colonne 4 sur la surface du pixel est réduit à la prise de contact. Le conducteur étant soit sous la zone émissive (couche diffusée) soit dans l'espace inter-pixel (métal).
La grille 8 (métallique) formant les conducteurs de lignes peut avantageusement être recouverte par une couche isolante (Nitrure de
Silicium, Carbone diamant, SiO2, ou autre). L'isolement entre grille 8 et anode s'en trouve amélioré. Cette couche sera habituellement déposée avant la réalisation des trous et des micropointes.
Silicium, Carbone diamant, SiO2, ou autre). L'isolement entre grille 8 et anode s'en trouve amélioré. Cette couche sera habituellement déposée avant la réalisation des trous et des micropointes.
Le positionnement des divers éléments constitutifs donne à l'objet de l'invention un maximum d'effets utiles qui n'avaient pas été, à ce jour, obtenus par des procédés similaires.
Claims (4)
10. Procédé de réalisation sur silicium, de cathodes émissives à micropointes, pour écran plat de petites dimensions, destiné à la réalisation d'écrans de visualisation plats basés sur le phénomène physique de cathodoluminescence et l'émission d'électrons par effet de champ pouvant s'appliquer à tous les secteurs industriels utilisant des écrans de visualisation ou d'affichage de faibles dimensions,
caractérisé en ce que les cathodes émissives et en particulier les conducteurs de colonnes (4) et les conducteurs de ligne formant la grille (8) sont réalisées au moyen des techniques connues utilisées pour la réalisation de composants sur silicium, à partir d'un substrat de base (1) monolithique en silicium formé soit d'une tranche d'une épaisseur égale ou supérieure à 300 microns, soit d'une couche fine de quelques microns déposée sur un substrat isolant tel qu'alumine ou verre.
20. Procédé selon la revendication 1, se caractérisant par le fait que plusieurs cathodes sont fabriquées en même temps sur une seule tranche de silicium.
3 . Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, se caractérisant par le fait que des composants actifs tels que transistors à déplétion, assurant le contrôle et la limitation du courant dans les micropointes (2) sont implantés dans le substrat de base (1).
40. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, se caractérisant par le fait que les conducteurs de colonnes (4) sont réalisés par une ou des zones diffusées dans le silicium du substrat de base (1), cette zone, ou ces zones pouvant être combinées à une couche métallique.
5 . Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, se caractérisant par le fait qu'une couche isolante est déposée sur la grille (8) métallique formant les conducteurs de lignes.
60. Dispositif de cathode émissive à micropointes pour écran plat de petites dimensions réalisée selon le procédé des revendications précédentes,
se caractérisant par le fait qu'elle est réalisée sur un substrat de base (1) monolithique en silicium formé soit d'une tranche d'une épaisseur égale ou supérieure à 300 microns, soit d'une couche fine de quelques microns déposée sur un substrat isolant tel qu'alumine ou verre.
70. Dispositif selon la revendication 6, l'une quelconque des revendications précédentes, se caractérisant par le fait que le contrôle et la limitation du courant dans les micropointes (2) est assuré par des composants actifs tels que transistors à déplétion implantés dans le substrat de base (1).
80. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 6 et 7, se caractérisant par le fait que les conducteurs de colonnes (4) sont constitués d'une ou plusieurs zones diffusées dans le silicium du substrat de base (1), cette zone, ou ces zones pouvant être combinées à une couche métallique.
90. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, se caractérisant par le fait qu'une couche isolante est déposée sur la grille (8) métallique formant les conducteurs de lignes.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9214894A FR2700217B1 (fr) | 1992-12-04 | 1992-12-04 | Procédé de réalisation sur silicium, de cathodes émissives à micropointes pour écran plat de petites dimensions, et produits obtenus. |
| CA002129354A CA2129354A1 (fr) | 1992-12-04 | 1993-12-03 | Procede de realisation sur silicium, de cathodes emissives a micropointes, pour ecran plat de petites dimensions, et produits obtenus |
| PCT/FR1993/001191 WO1994014182A1 (fr) | 1992-12-04 | 1993-12-03 | Procede de realisation sur silicium, de cathodes emissives a micropointes, pour ecran plat de petites dimensions, et produits obtenus |
| JP6513853A JPH07506457A (ja) | 1992-12-04 | 1993-12-03 | コンパクトフラットクスリーンのためのシリコン上のマイクロドット放出陰極を生成する方法及びその結果の生成物 |
| US08/256,977 US5521461A (en) | 1992-12-04 | 1993-12-03 | Method for producing microdot-emitting cathodes on silicon for compact flat screens and resulting products |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9214894A FR2700217B1 (fr) | 1992-12-04 | 1992-12-04 | Procédé de réalisation sur silicium, de cathodes émissives à micropointes pour écran plat de petites dimensions, et produits obtenus. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2700217A1 true FR2700217A1 (fr) | 1994-07-08 |
| FR2700217B1 FR2700217B1 (fr) | 1999-08-27 |
Family
ID=9436434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9214894A Expired - Fee Related FR2700217B1 (fr) | 1992-12-04 | 1992-12-04 | Procédé de réalisation sur silicium, de cathodes émissives à micropointes pour écran plat de petites dimensions, et produits obtenus. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5521461A (fr) |
| JP (1) | JPH07506457A (fr) |
| CA (1) | CA2129354A1 (fr) |
| FR (1) | FR2700217B1 (fr) |
| WO (1) | WO1994014182A1 (fr) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0713236A1 (fr) * | 1994-11-18 | 1996-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Dispositif émitteur d'électrons |
| KR100351068B1 (ko) * | 1995-01-27 | 2003-01-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출표시장치및그제조방법 |
| JP3135823B2 (ja) * | 1995-08-25 | 2001-02-19 | 株式会社神戸製鋼所 | 冷電子放出素子及びその製造方法 |
| US5994834A (en) * | 1997-08-22 | 1999-11-30 | Micron Technology, Inc. | Conductive address structure for field emission displays |
| US6064149A (en) * | 1998-02-23 | 2000-05-16 | Micron Technology Inc. | Field emission device with silicon-containing adhesion layer |
| US7052350B1 (en) * | 1999-08-26 | 2006-05-30 | Micron Technology, Inc. | Field emission device having insulated column lines and method manufacture |
| US6930446B1 (en) * | 1999-08-31 | 2005-08-16 | Micron Technology, Inc. | Method for improving current stability of field emission displays |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56160740A (en) * | 1980-05-12 | 1981-12-10 | Sony Corp | Manufacture of thin-film field type cold cathode |
| JPH03246852A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 電界放出陰極の作製方法 |
| JPH04249827A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-09-04 | Sony Corp | 電界放出型カソードアレイの製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4163949A (en) * | 1977-12-27 | 1979-08-07 | Joe Shelton | Tubistor |
| US5176557A (en) * | 1987-02-06 | 1993-01-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emission element and method of manufacturing the same |
| GB8720792D0 (en) * | 1987-09-04 | 1987-10-14 | Gen Electric Co Plc | Vacuum devices |
| US5228878A (en) * | 1989-12-18 | 1993-07-20 | Seiko Epson Corporation | Field electron emission device production method |
| US5329207A (en) * | 1992-05-13 | 1994-07-12 | Micron Technology, Inc. | Field emission structures produced on macro-grain polysilicon substrates |
-
1992
- 1992-12-04 FR FR9214894A patent/FR2700217B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-12-03 US US08/256,977 patent/US5521461A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-03 WO PCT/FR1993/001191 patent/WO1994014182A1/fr active Application Filing
- 1993-12-03 JP JP6513853A patent/JPH07506457A/ja active Pending
- 1993-12-03 CA CA002129354A patent/CA2129354A1/fr not_active Abandoned
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56160740A (en) * | 1980-05-12 | 1981-12-10 | Sony Corp | Manufacture of thin-film field type cold cathode |
| JPH03246852A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 電界放出陰極の作製方法 |
| JPH04249827A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-09-04 | Sony Corp | 電界放出型カソードアレイの製造方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 16, no. 037 (E-1160), 29 Janvier 1992, & JP-A-03 246 852 ( MITSUBISHI ) 5 Novembre 1991 * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 17, no. 022 (E-1307), 14 Janvier 1993, & JP-A-04 249 827 ( SONY ) 4 Septembre 1992 * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 6, no. 047 (E-099), 26 Mars 1982, & JP-A-56 160 740 ( SONY ) 10 Décembre 1981 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5521461A (en) | 1996-05-28 |
| JPH07506457A (ja) | 1995-07-13 |
| CA2129354A1 (fr) | 1994-06-23 |
| FR2700217B1 (fr) | 1999-08-27 |
| WO1994014182A1 (fr) | 1994-06-23 |
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