FR2690597A1 - Procédé de fabrication d'une plaque de câblage à film conducteur transparent. - Google Patents
Procédé de fabrication d'une plaque de câblage à film conducteur transparent. Download PDFInfo
- Publication number
- FR2690597A1 FR2690597A1 FR9304941A FR9304941A FR2690597A1 FR 2690597 A1 FR2690597 A1 FR 2690597A1 FR 9304941 A FR9304941 A FR 9304941A FR 9304941 A FR9304941 A FR 9304941A FR 2690597 A1 FR2690597 A1 FR 2690597A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- film
- substrate
- black
- ito
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
- B23K26/359—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by providing a line or line pattern, e.g. a dotted break initiation line
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/55—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for creating voids inside the workpiece, e.g. for forming flow passages or flow patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
- H01J2211/20—Constructional details
- H01J2211/22—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/032—Materials
- H05K2201/0326—Inorganic, non-metallic conductor, e.g. indium-tin oxide [ITO]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/08—Treatments involving gases
- H05K2203/082—Suction, e.g. for holding solder balls or components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
- H05K2203/107—Using laser light
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Ce procédé consiste en un procédé de traitement par voie sèche. D'abord, une couche de SiO2 (2) est appliquée sur un substrat (1) et ensuite un film noir en oxyde stannique d'indium (ITO) (3) est formé sur la couche de SiO2 (2). Le film noir en ITO (3) est soumis à un traitement par laser (4) afin d'obtenir la coupe de celui-ci en un réseau de câblage prédéterminé. Du métal évaporé par le traitement laser est aspiré par une tête aspirante (5). Ensuite le substrat est soumis à une calcination afin d'oxyder et de cristalliser le film noir en ITO 3 (3) du réseau de câblage de manière à obtenir un film en ITO transparent.
Description
i
PROCEDE POUR LA FABRICATION D'UNE PLAQUE DE
CABLAGE A FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une plaque de câblage à film conducteur transparent, et plus particulièrement un procédé de fabrication d'une plaque de câblage à film conducteur transparent utilisant un film en un oxyde stannique d'indium (ensuite appelé "film ITO" ITO de l'anglais Indium Tin Oxide) adapté à une utilisation dans un dispositif d'affichage tel qu'un dispositif LCD (affichage par cristal liquide), VFD (affichage fluorescent à vide),
PDP (panneau d'affichage à plasma) ou similaire.
Un procédé de fabrication connu mis en oeuvre de manière classique est décrit en référence aux figures 3 a à 3 e Comme montré aux figures 3 a et 3 b, un film ITO transparent 101 est d'abord formé sur une surface frontale d'un substrat en verre 100 par dépôt à
l'aide d'un faisceau électronique ou par pulvérisation.
Cela peut être effectué en déposant de l'oxyde stannique d'indium (ITO) sur le substrat en verre 100 lors d'un chauffage du substrat et simultanément ou consécutivement soumettre l'oxyde stannique d'indium déposé, à une cristallisation afin de préparer le film
transparent en oxyde stannique d'indium 101.
Ensuite, comme montré à la figure 3 c, on forme sur le film en oxyde stannique d'indium une couche isolante 102 qui est ensuite exposée à travers un
masque 103 présentant un réseau prédéterminé.
La couche isolante 102 est ensuite mis au contact d'une solution de développement, ce qui résulte en un réseau isolant 102 a ayant la forme montrée à la figure 3 d Le film 101 en oxyde stannique d'indium fait ensuite l'objet d'une gravure à travers le réseau isolant 102 a à l'aide d'un liquide de gravure, de sorte que la partie exposée du film en oxyde stannique d'indium soit dissoute pour ainsi ménager un réseau de câblage 101 a du film en oxyde stannique d'indium 101
comme cela est montré à la figure 3 e.
2 - Il s'est cependant avéré que le procédé classique présente des inconvénients Un des inconvénients est que le procédé est mis en oeuvre par voie humide en utilisant une solution de développement, un liquide de gravure ou analogue, de sorte qu'il est nécessaire de prévoir un traitement des déchets liquides, ce qui entraîne une augmentation des frais de l'installation et par conséquence
également des frais de fabrication.
Un autre inconvénient est que le procédé connu implique un nombre élevé d'étapes différentes, ce qui a pour conséquence que ce procédé nécessite beaucoup de temps pour sa mise en oeuvre, ce qui résulte en une baisse de la productivité et une augmentation supplémentaire des frais
de fabrication.
La présente invention a pour but de remédier aux
inconvénients des procédés connus.
Ainsi l'invention propose un procédé de fabrication d'une plaque de câblage à film conducteur transparent qui
peut être mis en oeuvre par voie sèche.
Un autre but de l'invention est de proposer un procédé de fabrication d'une plaque de câblage à film conducteur transparent permettant la suppression d'un traitement liquide pour ainsi simplifier la fabrication et
d'atteindre une diminution des frais de fabrication.
Selon la présente invention est proposé un procédé pour la fabrication d'une plaque de câblage à film conducteur transparent Ce procédé comporte des étapes consistant à déposer un film métallique sur un substrat afin de former un film conducteur transparent sur celui-ci, et à soumettre le film conducteur transparent à un traitement des structures, à l'aide d'une unité de
traitement à laser.
La présente invention propose ainsi un procédé de fabrication d'une plaque de câblage à film conducteur transparent Ce procédé comporte une étape qui consiste à former un film noir en oxyde stannique d'indium sur un substrat présentant des caractéristiques isolatrice et perméable à la chaleur Ce film est fabriqué en une matériau à oxyde d'indium inférieur à Inz 03 qui est dopé au 3 - Sn Le procédé comporte en outre les étapes consistant à traiter le film noir en oxyde stannique d'indium afin d'obtenir un réseau de câblage à l'aide d'un laser, et ensuite à soumettre le substrat à une calcination en atmosphère d'air de manière à transformer le film noir en
un film transparent en oxyde stannique d'indium.
Dans un mode de réalisation préféré de la présente invention, le substrat comprend un substrat en verre sur
lequel est déposé du Sion.
Dans un mode de réalisation de la présente invention, le procédé comprend en outre l'étape consistant à déposer une couche isolante sur une partie du substrat sur laquelle le film noir en oxyde stannique d'indium n'est pas formé pour être ensuite traité afin de former le réseau de câblage, cette étape étant suivie par l'étape consistant
à soumettre le substrat à une calcination.
Dans un mode de réalisation de l'invention, l'étape consistant à traiter le film noir en oxyde stannique d'indium afin d'obtenir un réseau de câblage est effectuée de telle manière que du métal du film noir évaporé par un laser est enlevé par un moyen d'enlèvement compris dans
l'unité de traitement à laser.
L'objet de l'invention ainsi que de nombreux avantages de celle-ci, seront mieux compris à la lecture de
la description qui va suivre en référence aux dessins
annexés, sur lesquels -
Les Figures la à le sont des vues schématiques montrant chaque étape de la réalisation du procédé pour la fabrication d'une plaque de câblage à film conducteur transparent suivant la présente invention; La Figure 2 est une représentation graphique montrant le facteur de transmission dans les régions spectrales infrarouges d'un film transparent en IT O respectivement d'un film noir en IT O; et Les Figures 3 a à 3 e sont des vues schématiques montrant les étapes d'un procédé conventionnel pour la fabrication d'une plaque de câblage à film conducteur transparent. 4 - On va maintenant décrire un procédé de fabrication d'une plaque de câblage à film conducteur transparent selon la présente invention en se référant aux figures la à le et
à la figure 2.
Les figures la à le montrent un mode de réalisation d'un procédé pour la fabrication d'une plaque de câblage à
film conducteur transparent suivant la présente invention.
Le numéro de référence 1 désigne le substrat qui est utilisé comme plaque de câblage faisant également fonction de panneau frontal dans un dispositif d'affichage tel qu'un LCD (affichage par cristal liquide) un dispositif VFD, un dispositif PDP ou similaire A cet effet, le substrat 1 peut par exemple être constitué par une plaque en verre
ayant une épaisseur d'à peu près 6 mm.
Cependant, il est préférable qu'un transfer de ions alcalins tels que Na, K à partir du substrat 1 soit évité et pour cette raison, le substrat 1 est de préférence fabriqué en un matériau exempt de métaux alcalins tels que Na, K ou similaires Néanmoins, lorsqu'on utilise du crown généralement connu comme verre laminé contenant de tels métaux alcalins comme ceux mentionnés ci-dessus, on forme une couche de Si O 2 (silice) 2 sur toute la face supérieure du substrat 1 comme montré à la figure la Cela peut être obtenu en formant une couche de Si O 2 2 ayant une épaisseur de 1000 A sur le substrat par enduction par laminage ou immersion ou similaire, et en soumettant la couche en Si Oz 2 à une calcination à une température d'environ 530 C. Ensuite, le substrat 1 est disposé dans une unité de dépôt par faisceau électronique, dans laquelle le substrat 1 fait l'objet d'un dépôtpar faisceau électronique en utilisant une pastille constituée de In 203 déposée avec du Sn O à une quantité de 3 à 10 % comme source de dépôt et en maintenant le substrat 1 à une température ambiante On obtient ainsi un matériau à oxyde d'indium inférieur à In 203 dopé avec du Sn, à savoir le In 2 O>, (O < X < 3) comme par exemple In O, Inz O ou similaire qui est un matériau à oxyde d'indium inférieur à In 203 dopé au Sn formé sur la couche de Si O 2 sur le substrat 1, comme indiqué par le numéro de référence 3 dans la figure lb. - L'oxyde In 20 z, est appelé "film noir en ITO" à cause de sa couleur noire Le film noir en ITO 3 est formé avec une épaisseur de 500 à 1000 A. Ensuite, le film noir en ITO est soumis à un traitement thermique dans une atmosphère ambiante telle que l'atmosphère de l'air, de telle manière que le In O ou In 20, qui sont des oxydes d'indium inférieurs à Inz 03, soient oxydés et cristallisés en In 20, ce qui résulte en un film transparent en ITO La partie non nécessaire du film transparent en ITO fait ensuite l'objet d'une vaporisation à l'aide de rayons laser de manière à former un réseau A cet égard, on a pu constater que le film transparent en ITO présente une capacité ou efficacité inférieure pour l'absorption des faisceaux laser et pour cette raison, un traitement direct du film transparent en ITO à l'aide de faisceaux laser nécessite une unité de traitement à laser
présentant une puissance plus élevée.
On a aussi pu constater qu'une augmentation de la puissance laser de l'unité de traitement à laser a pour conséquence que le contrôle de l'épaisseur d'une couche évaporée devient épineux ou quasiment impossible, ce qui a pour résultat que l'évaporation du seul film transparent en ITO devient extrêmement difficile à mettre en oeuvre En outre, cela a pour conséquence que le faisceau laser atteint la couche en Si O 2 et le substrat 1 se trouvant en dessous du film en ITO, entraînant une évaporation du Si O 2
et du substrat et provoque des dégâts sur celui-ci.
Compte tenu de ce qui précède, on a constaté que le traitement par laser sur le film noir en ITO permet une augmentation significative de l'efficacité d'absorption des faisceaux laser de sorte que le traitement par laser peut être effectué de manière satisfaisante tout en maintenant
une puissance basse sur l'unité de traitement à laser.
Ci-dessous suit une description plus en détail
Comme décrit ci-dessus, le substrat 1 est maintenu à une température ambiante plutôt que dans une température élevée lors du dépôtpar faisceau électronique afin d'éviter une oxydation du métal In contenu dans le film noir conducteur en ITO 3 Cela empêche le film conducteur noir 6 - en IT O 3 de constituer des cristaux de Inz 03 Plus précisément, le film noir en IT O 3 comprend du In 2 03 transparent présentant un facteur de transmission plus élevé et contenant du In et du Sn en forme de métal, ce qui montre bien dans l'ensemble un facteur de transmission réduit à un degré suffisant pour être observé comme étant noir Des mesures effectuées par l'inventeur ont indiqué que le facteur de transmission dans les régions spectrales infrarouges du film noir en IT O 3 est de 28 % à une longueur
d'ondes de l OO Onm, comme cela est montré à la figure 2.
Ensuite, la partie non nécessaire du film noir en IT O 3 est fusionnée et évaporée à l'aide d'un laser YAG (longueur d'ondes: 1 gm) comme montré dans la figure lc, de sorte que le film noir en ITO 3 puisse être coupé en un réseau de câblage comme montré dans la figure ld Le film en IT O 3 qui est exposé aux rayons laser est noir et pour cette raison l'efficacité à l'égard de l'absorption de l'énergie laser par le film noir en IT O 3 est améliorée de manière satisfaisante de 2,6 fois comparé au cas d'un film transparent en IT O Ainsi, le mode de réalisation illustré permet dans cette application l'utilisation d'une unité de
traitement à laser ayant une puissance faible.
L'unité de traitement à laser devant être utilisée dans le mode de réalisation illustré tel que montré dans la figure lc, est en outre pourvu d'une tête aspirante 5 devant être disposée à proximité d'un émetteur de faisceaux laser 4 de l'unité de traitement à laser La tête aspirante a pour fonction d'aspirer du métal évaporé à partir du film en ITO pendant le traitement par laser, et cela pour
ainsi empêcher le métal évaporé d'adhérer au substrat 1.
Ainsi on peut noter que la tête aspirante 5 agit comme un moyen d'enlèvement de métal En alternative, l'unité de traitement à laser peut être pourvue d'un éjecteur d'air également fonctionnant comme moyen d'enlèvement de métal au lieu de la tête aspirante 5, pour ainsi souffler sur la vapeur métallique de manière à la faire disparaître en la diluant avec de l'air Cela donne essentiellement le même
avantage que celui antérieurement décrit.
Le substrat 1, sur lequel le réseau de câblage du film noir en IT O 3 est ainsi formé par coupe en utilisant l'unité de traitement à laser, est ensuite soumis à une calcination à une température de pointe de calcination de 560 'C pendant 10 minutes dans une atmosphère d'air Cela provoque la cristallisation du In dans le film noir en ITO 3, qui est un film d'un mélange de métal In 203 dopé au Sn et au In, ce qui résulte en un film transparent en IT O 6 présentant le réseau de câblage montré à la figure le Une expérience mise en oeuvre par l'inventeur a montré que le facteur de transmission dans les régions spectrales à infrarouges du film transparent en IT O est de 72 % à une
longueur d'ondes de l OO Onm, comme montré à la figure 2.
Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, le film noir en IT O 3 est coupé à l'aide d'une unité de traitement à laser et ensuite immédiatement soumis à la calcination, ce qui entraîne la formation du film transparent en IT O 6 En alternative, le mode de réalisation peut être mis en oeuvre de telle manière qu'une couche isolante en couleur noire essentiellement constituée par du verre de frittage, est déposée sur une partie du film noir en IT O 3, à l'exception du réseaux de câblage, par impression d'un film épais suite à la coupe, ce qui résulte en la partie du film noir en IT O 3 sur laquelle la couche isolante 3 est formée en constituant un fond noir par rapport au réseau de câblage du film noir en IT O 3 qui fonctionne comme une section d'affichage d'un dispositif d'affichage fini En cet instant, la couche isolante noire peut être fixée et soumise à une calcination à 560 'C après le dépôt Cela permet la mise en oeuvre simultanée de la
cristallisation du film en ITO.
Il ressort de ce qui précède que le procédé suivant la présente invention permet l'utilisation d'une méthode à voie sèche pour la formation du réseau de câblage, ce qui fait qu'on élimine la manutention de liquides tel qu'un liquide de gravure, une solution de développement, des déchets liquides ou similaires, ce qui veut dire que les frais de l'installation sont réduits et par conséquent 8 - également les frais de fabrication et de prévention de la
pollution de l'environnement.
Le procédé suivant la présente invention permet de réduire la période de temps requise pour la formation du film en ITO à une longueur correspondante à la moitié du temps nécessaire dans un procédé conventionnel dans lequel un film transparent en IT O est déposé sur l'ensemble du substrat et ensuite formé en un réseau prédéterminé par photolithographie La présente invention permet aussi la mise en oeuvre de l'étape ultérieure de cristallisation simultanément avec la calcination de la couche isolante
noire, ce qui réduit le nombre d'étapes à effectuer.
Selon la présente invention, le réseau de câblage est en outre formé par coupe en utilisant l'unité de traitement à laser Cela réduit davantage le nombre d'étapes du procédé par rapport à la formation d'un réseau de câblage par photolithographie comme dans la technique connue Ainsi, la présente invention simplifie la manutention de la plaque de câblage à film conducteur
transparent et réduit le temps de fabrication.
Le film noir en IT 0, qui de manière satisfaisante absorbe l'énergie laser avec une grande efficacité, est en outre soumis à la coupe, de sorte que la coupe est effectuée tout en maintenant la puissance de l'unité de traitement à laser à un niveau bas, ce qui a pour résultat qu'on évite d'endommager le film en Si 2 ainsi que le
substrat se trouvant en dessous du film noir en IT 0.
En outre, la présente invention empêche de manière efficace le métal évaporé du film noir en ITO d'adhérer au substrat, ce qui est fait en disposant le moyen d'enlèvement de métal à proximité de l'émetteur du faisceau laser. Même si un mode de réalisation préféré de l'invention a été décrit avec un certain degré de particularité en référence aux dessins, il est évident qu'on peut effectuer des modifications et des variantes à la lumière des enseignements ci-dessus, sans pour autant
sortir du cadre de l'invention.
9 -
Claims (4)
1 Procédé pour la fabrication d'une plaque de câblage à film conducteur transparent, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes consistant à déposer un film métallique ( 3) sur un substrat
( 1) pour former un film conducteur transparent sur celui-
ci; et soumettre ledit film conducteur transparent à un traitement de structures en réseau à l'aide d'une unité de
traitement à laser ( 4).
2 Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat ( 1) comprend un substrat en verre
sur lequel du Si Oz ( 2) est déposé.
3 Procédé pour la fabrication d'une plaque de câblage à film conducteur transparent, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes consistant à former un film noir en oxyde stannique d'indium (ITO) ( 3) sur un substrat ( 1) présentant des caractéristiques isolante et conductrice de chaleur, ledit film noir en ITO ( 3) étant constitué par un matériau en oxyde d'indium qui est inférieur à Inz Oa et dopé au Sn; traiter ledit film noir en ITO ( 3) à l'aide d'une unité de traitement à laser ( 4 M de manière à obtenir un réseau de câblage; et soumettre ledit substrat à une calcination en atmosphère d'air de manière à transformer ledit film noir
en ITO ( 3) en un film transparent en ITO ( 6).
4 Procédé suivant le revendication 3, caractérisé en ce que ledit substrat ( 1) comprend un substrat en verre
sur lequel du Si Oz ( 2) est déposé.
Procédé suivant la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte en outre l'étape consistant à déposer une couche isolante sur une partie dudit substrat sur laquelle ledit film noir en ITO ( 3) traité pour l'obtention d'un réseau de câblage n'est pas formé, cette étape étant suivie par ladite étape consistant à soumettre ledit
substrat à une calcination.
- 6 Procèdé suivant la revendication 3, caractérisé en ce que ladite étape de traitement du film noir en ITO ( 3) afin d'obtenir ledit réseau de câblage est mise en oeuvre de telle manière que du métal dudit film noir en ITO ( 3) évaporé par le faisceau laser est enlevé par un moyen
d'enlèvement ( 5) de l'unité de traitement à laser ( 4).
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4107945A JP2581373B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 透明導電膜配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2690597A1 true FR2690597A1 (fr) | 1993-10-29 |
| FR2690597B1 FR2690597B1 (fr) | 1997-07-04 |
Family
ID=14472040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9304941A Expired - Fee Related FR2690597B1 (fr) | 1992-04-27 | 1993-04-27 | Procede de fabrication d'une plaque de cablage a film conducteur transparent. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5536466A (fr) |
| JP (1) | JP2581373B2 (fr) |
| KR (1) | KR0128687B1 (fr) |
| FR (1) | FR2690597B1 (fr) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102057323A (zh) * | 2008-06-06 | 2011-05-11 | 应用材料股份有限公司 | 制造电色装置的方法 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5612513A (en) * | 1995-09-19 | 1997-03-18 | Micron Communications, Inc. | Article and method of manufacturing an enclosed electrical circuit using an encapsulant |
| US6291797B1 (en) | 1996-08-13 | 2001-09-18 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Laser machining method for glass substrate, diffraction type optical device fabricated by the machining method, and method of manufacturing optical device |
| KR100430664B1 (ko) | 1997-10-03 | 2004-06-16 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 가스방전형표시장치의제조방법 |
| CN1510708A (zh) | 1998-04-28 | 2004-07-07 | ���µ�����ҵ��ʽ���� | 等离子体显示面板及其制造方法 |
| WO2000026937A1 (fr) | 1998-10-29 | 2000-05-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ecran a plasma a decharge plate en courant alternatif |
| JP2002544568A (ja) * | 1999-05-14 | 2002-12-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | アブレーション強化層 |
| ATE301917T1 (de) * | 1999-09-07 | 2005-08-15 | Ibiden Co Ltd | Keramisches heizelement |
| DE10005330A1 (de) * | 2000-02-08 | 2001-09-06 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung von leitfähigen transparenten Strukturen sowie Verwendung von transparenten, leitfähigen Oxidschichten zur Strukturierung von leitfähigen, transparenten Bereichen |
| KR20020032883A (ko) * | 2000-10-27 | 2002-05-04 | 한기관 | 마킹용 레이저를 이용한 투명 아이티오 전극 패턴 제작 방법 |
| US6743488B2 (en) | 2001-05-09 | 2004-06-01 | Cpfilms Inc. | Transparent conductive stratiform coating of indium tin oxide |
| US7056032B2 (en) * | 2001-09-17 | 2006-06-06 | Stratos International, Inc. | Transceiver assembly for use in fiber optics communications |
| US7073954B1 (en) | 2001-09-17 | 2006-07-11 | Stratos International, Inc. | Transceiver assembly for use in fiber optics communications |
| US6739760B2 (en) * | 2001-09-17 | 2004-05-25 | Stratos International, Inc. | Parallel fiber optics communications module |
| US7073955B1 (en) | 2001-09-17 | 2006-07-11 | Stratos International, Inc. | Transceiver assembly for use in fiber optics communications |
| JP2005084493A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ基板の製造方法及びカラーフィルタ基板 |
| JP4655939B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2011-03-23 | 旭硝子株式会社 | 透明電極の製造方法 |
| KR101517020B1 (ko) * | 2008-05-15 | 2015-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치의 제조장치 및 제조방법 |
| KR20100035247A (ko) * | 2008-09-26 | 2010-04-05 | 에스아이디주식회사 | 레이저를 이용한 투명 전극의 패턴화 방법 및 터치 패널의신호선 형성 방법 |
| CN101823843B (zh) * | 2010-03-25 | 2012-05-16 | 深圳南玻伟光导电膜有限公司 | 镀膜盖板及采用该镀膜盖板的手机 |
| KR101385235B1 (ko) * | 2012-08-08 | 2014-04-16 | (주)솔라세라믹 | 레이저 스크라이빙 기술을 이용한 투명전도막 미세 패터닝 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2207669A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-08 | Stc Plc | Providing metallised pads on transparent electrically conductive tracks on glass substrates |
| JPH02259727A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-22 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示素子におけるパターン形成法 |
| JPH04114491A (ja) * | 1990-09-04 | 1992-04-15 | Toyobo Co Ltd | 電子回路パターンとその製法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50126194A (fr) * | 1974-03-22 | 1975-10-03 | ||
| US4081654A (en) * | 1976-12-27 | 1978-03-28 | Western Electric Co., Inc. | Methods and apparatus for selectively removing a metallic film from a metallized substrate |
| JPS57205908A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-17 | Takeshi Ikeda | Method of producing transparent pattern electrode |
| JPS581128A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-06 | Takeshi Ikeda | 透明パタ−ン電極 |
| JPS58126613A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-28 | 鐘淵化学工業株式会社 | 薄膜電極の加工方法 |
| JPS61240513A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | 三洋電機株式会社 | 透光性導電酸化物の電気的分離方法 |
| JPS6318330A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-26 | Canon Inc | 液晶素子のパタ−ン形成方法 |
| US4859496A (en) * | 1986-09-02 | 1989-08-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing an electrically-conductive transparent film |
| JPH0645483B2 (ja) * | 1988-01-06 | 1994-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置用基板およびその作製方法 |
| EP0342537B1 (fr) * | 1988-05-16 | 1995-09-06 | Tosoh Corporation | Procédé de fabrication d'une cible de pulvérisation pour produire un film électroconductif et transparent |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP4107945A patent/JP2581373B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-26 KR KR1019930006973A patent/KR0128687B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-04-27 US US08/052,628 patent/US5536466A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-04-27 FR FR9304941A patent/FR2690597B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2207669A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-08 | Stc Plc | Providing metallised pads on transparent electrically conductive tracks on glass substrates |
| JPH02259727A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-22 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示素子におけるパターン形成法 |
| JPH04114491A (ja) * | 1990-09-04 | 1992-04-15 | Toyobo Co Ltd | 電子回路パターンとその製法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 15, no. 16 (P - 1152) 14 January 1991 (1991-01-14) * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 16, no. 364 (E - 1244) 6 August 1992 (1992-08-06) * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102057323A (zh) * | 2008-06-06 | 2011-05-11 | 应用材料股份有限公司 | 制造电色装置的方法 |
| CN102057323B (zh) * | 2008-06-06 | 2013-08-21 | 应用材料公司 | 制造电色装置的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05303916A (ja) | 1993-11-16 |
| US5536466A (en) | 1996-07-16 |
| KR0128687B1 (ko) | 1998-04-15 |
| KR930022255A (ko) | 1993-11-23 |
| FR2690597B1 (fr) | 1997-07-04 |
| JP2581373B2 (ja) | 1997-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2690597A1 (fr) | Procédé de fabrication d'une plaque de câblage à film conducteur transparent. | |
| CA2762319C (fr) | Procede de depot de couche mince et produit obtenu | |
| EP1263538B1 (fr) | Procede d'enlevement local d'un revetement applique sur un substrat translucide ou transparent | |
| EP2268587B1 (fr) | Procede de dépôt de couche mince | |
| EP2438024B1 (fr) | Procede de depot de couche mince | |
| FR2981346A1 (fr) | Procede de traitement thermique de couches d'argent | |
| WO2001038246A2 (fr) | Filtre anticalorique et procede de fabrication de ce filtre | |
| FR2911130A1 (fr) | Procede de depot de couche mince et produit obtenu | |
| EP2266140A1 (fr) | Substrat en verre portant une electrode | |
| WO2005075371A1 (fr) | Procede de nettoyage d'un substrat | |
| FR2969391A1 (fr) | Procédé de fabrication d'un dispositif oled | |
| FR2604298A1 (fr) | Procede de realisation d'une prise de contact electrique sur un substrat en hgcdte de conductivite p et application a la fabrication d'une diode n/p | |
| WO2020070393A1 (fr) | Procede d'obtention d'une feuille de verre revetue d'une couche fonctionnelle | |
| CN101713062B (zh) | 遮光元件及其镀膜方法 | |
| EP3917893B1 (fr) | Procede d'obtention d'un substrat revetu d'une couche fonctionnelle | |
| FR2991980A1 (fr) | Procede de depot de couches minces avec etape de traitement sous vide et produit obtenu | |
| WO2020157424A1 (fr) | Procede d'obtention d'un substrat revetu d'une couche fonctionnelle | |
| JP4520107B2 (ja) | 透光性薄膜およびその製造方法 | |
| EP0143714B1 (fr) | Ecran luminescent et procédé de fabrication d'un tel écran | |
| FR3043400A1 (fr) | Procede de traitement de materiaux vitreux par voie de polarisation thermique | |
| EP0635585B1 (fr) | Procédé de production d'une couche métallique épaisse et fortement adhérente sur un substrat de nitrure d'aluminium frittée et produit métallisé ainsi obtenu | |
| EP4334261A1 (fr) | Procede de fabrication d'un systeme a couche demixee et un tel systeme a couche demixee | |
| JPH0147414B2 (fr) | ||
| WO1996023087A1 (fr) | Procede de production d'une couche metallique epaisse et fortement adherente sur un substrat de nitrure d'aluminium fritte et produit metallise ainsi obtenu | |
| FR2647591A1 (fr) | Ecran cathodoluminescent a duree de vie elevee pour tubes a rayons cathodiques |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |