JPH02259727A - 液晶表示素子におけるパターン形成法 - Google Patents
液晶表示素子におけるパターン形成法Info
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示素子の基板として用いられるプラス
チックフィルムに形成されるＩＴＯからなる透明電極層
に対してパターンを形成するに好〔従来の技術〕 近年、液晶表示素子として軽量化、フレキシビリティへ
の要求が高まり、そのため液晶表示素子の基板はガラス
からポリエステルフィルムのようなプラスチックフィル
ムを使用し、いわゆるＰＦ−Ｌ ＣＤが採用されている
。
チックフィルムに形成されるＩＴＯからなる透明電極層
に対してパターンを形成するに好〔従来の技術〕 近年、液晶表示素子として軽量化、フレキシビリティへ
の要求が高まり、そのため液晶表示素子の基板はガラス
からポリエステルフィルムのようなプラスチックフィル
ムを使用し、いわゆるＰＦ−Ｌ ＣＤが採用されている
。
従来、厚さ１００μｍのポリエステルフィルムにＩＴＯ
（酸化インシュ・−ム）からなる透明電極層が蒸着又は
スパッタにより０．０３−μｍの厚さに積層され、この
上に配向剤が０．０８μｍの厚さ塗布され、この−組の
液晶表示板の対向位置に、厚さ７〜８μｍの液晶層を挟
着して液晶表示素子が構成される。
（酸化インシュ・−ム）からなる透明電極層が蒸着又は
スパッタにより０．０３−μｍの厚さに積層され、この
上に配向剤が０．０８μｍの厚さ塗布され、この−組の
液晶表示板の対向位置に、厚さ７〜８μｍの液晶層を挟
着して液晶表示素子が構成される。
この場合、ポリエステルフィルム上の形成されたＩＴＯ
層をバターニングする手段として、波長１１０６４ｎの
ＹＡＧレーザを照射することが知られている。
層をバターニングする手段として、波長１１０６４ｎの
ＹＡＧレーザを照射することが知られている。
波長１１０６４ｎのＹＡＧレーザを用いて、前述したポ
リエステルフィルム上の１７０層を照射すると、第５図
に示すように、熱切断部はＩＴＯ層３からポリエステル
フィルムｌの所定の深さまでおよび、照射された部分の
周囲に盛り上り部１８を生じる。この盛り上り部１８の
高さはその後に塗布される配向剤の厚さよりも大きくな
ると、配向剤を突き破った状態となり、これは液晶の配
向不良の原因となる。
リエステルフィルム上の１７０層を照射すると、第５図
に示すように、熱切断部はＩＴＯ層３からポリエステル
フィルムｌの所定の深さまでおよび、照射された部分の
周囲に盛り上り部１８を生じる。この盛り上り部１８の
高さはその後に塗布される配向剤の厚さよりも大きくな
ると、配向剤を突き破った状態となり、これは液晶の配
向不良の原因となる。
本発明は、ポリエステルフィルム上に形成したＩＴＯＪ
ｉのパターニングを行なうに際して、ＹＡＧレーザを用
いた場合、基板のポリエステルフィルムに損傷を与えず
、１７０層に対してシャープな分割除去を可能とする方
法を提供することを目的とする。
ｉのパターニングを行なうに際して、ＹＡＧレーザを用
いた場合、基板のポリエステルフィルムに損傷を与えず
、１７０層に対してシャープな分割除去を可能とする方
法を提供することを目的とする。
形成し、該透明電極層上に配向剤を設け、該ポリマーフ
ィルム間にギャップ剤を介して液晶を封入してなる液晶
表示素子において、ポリエステルフィルム上に形成され
た透明電極層のパターン形成を、ＹＡＧレーザの第２高
調波である波長５３２ｎＩ１１のレーザ光により繰返し
周波数を５ＫＨｚ以下として行なうことを特徴とするも
のである。
ィルム間にギャップ剤を介して液晶を封入してなる液晶
表示素子において、ポリエステルフィルム上に形成され
た透明電極層のパターン形成を、ＹＡＧレーザの第２高
調波である波長５３２ｎＩ１１のレーザ光により繰返し
周波数を５ＫＨｚ以下として行なうことを特徴とするも
のである。
〔作 用〕
本発明の構成により、ポリエステルフィルム上のＩＴＯ
からなる透明電極層にＹＡＧレーザを照射して所定のパ
ターニングを行なった場合、ポリエステルフィルムに対
する損傷や、照射部周囲にポリエステルフィルム側から
の盛り上りの大きさを極力小さ（抑えることができ、し
かもパターニング跡のライン幅をきれいに揃えることが
できる。
からなる透明電極層にＹＡＧレーザを照射して所定のパ
ターニングを行なった場合、ポリエステルフィルムに対
する損傷や、照射部周囲にポリエステルフィルム側から
の盛り上りの大きさを極力小さ（抑えることができ、し
かもパターニング跡のライン幅をきれいに揃えることが
できる。
本発明は、前記目的を達成するために、ポリエステルフ
ィルム上にＩＴＯからなる透明電極層を〔実施例〕 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
ィルム上にＩＴＯからなる透明電極層を〔実施例〕 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、本発明が適用される液晶表示素子（ＰＦ−Ｌ
ＣＤ）の断面図を示している。
ＣＤ）の断面図を示している。
液晶表示素子Ａはポリエステルフィルムを用いたプラス
チック材料の上下基板１，２より構成され、厚さ１００
μｍの上下基板１，２の対向面には夫々ｒ′ｒｏからな
る透明電極層３が０．０３μｍの厚さだけ蒸着又はスパ
ッタにより積層され、その上に配向剤４が塗布手段によ
り０．０８μｍの厚さ塗布される。
チック材料の上下基板１，２より構成され、厚さ１００
μｍの上下基板１，２の対向面には夫々ｒ′ｒｏからな
る透明電極層３が０．０３μｍの厚さだけ蒸着又はスパ
ッタにより積層され、その上に配向剤４が塗布手段によ
り０．０８μｍの厚さ塗布される。
このような処理を施された上下基板１，２の間にギヤ・
ンプ剤５を介在させ、上下基板１，２の端縁に沿った形
成したシール剤７により貼り合せ、且つ上下基板１，２
の間に液晶６を注入封止し、更に上下基板１，２の表面
に偏光板８，８を設けることにより、液晶表示素子Ａが
構成される。
ンプ剤５を介在させ、上下基板１，２の端縁に沿った形
成したシール剤７により貼り合せ、且つ上下基板１，２
の間に液晶６を注入封止し、更に上下基板１，２の表面
に偏光板８，８を設けることにより、液晶表示素子Ａが
構成される。
本発明では、液晶表示素子Ａにおけるポリエステルフィ
ルムからなる上下基板１，２に形成したＩＴＯからなる
透明電極Ｎ３に対するパターニングを行なうに際し、Ｙ
ＡＧレーザの波長を基本波の１１０６４ｎの半分の５３
２層ｍとすることにより、ポリエステルフィルムに損傷
を与えることなく、１７０層の選択的な除去が行えるこ
とを見い出し７た。
ルムからなる上下基板１，２に形成したＩＴＯからなる
透明電極Ｎ３に対するパターニングを行なうに際し、Ｙ
ＡＧレーザの波長を基本波の１１０６４ｎの半分の５３
２層ｍとすることにより、ポリエステルフィルムに損傷
を与えることなく、１７０層の選択的な除去が行えるこ
とを見い出し７た。
ＹＡＧレーザの波長を第２高調波である５３２ｎ…の可
視光とするには、第２図に示されるように、ＹＡＧレー
ザ装置の発振器内、すなわち、後部反射ミラー９、ＹＡ
Ｇロッド１０、一部透過ミラー１２内に非線形光学素子
（ＫＴｉＰＯ，、ＢａＢ２Ｏ４等）を設置することによ
り可能である。１３はベントミラー、１４はスリット、
１５は結像用レンズ、１６は被照射物である。
視光とするには、第２図に示されるように、ＹＡＧレー
ザ装置の発振器内、すなわち、後部反射ミラー９、ＹＡ
Ｇロッド１０、一部透過ミラー１２内に非線形光学素子
（ＫＴｉＰＯ，、ＢａＢ２Ｏ４等）を設置することによ
り可能である。１３はベントミラー、１４はスリット、
１５は結像用レンズ、１６は被照射物である。
この１７０層を形成したポリエステルフィルムにおいて
、ＩＴＯとポリエステルフィルムの夫々が波長の変化に
対して吸収率の変化することを実験により確認した。す
なわち、第３図のグラフに示されるように、８００ｒ＋
ｍ以上の波長に対して、ＩＴＯとポリエステルフィルム
との間に吸収率の相違は殆んど見られないが、１１００
ｎより短い波長域において、徐々に両者の吸収率に差が
見られる。特に、ＹＡＧレーザの第２高調波である５３
２ｎｍ近傍では、ポリエステルフィルムの吸収率は小さ
いままであるが、ＩＴＯの吸収率は８％近く高くなって
いる。
、ＩＴＯとポリエステルフィルムの夫々が波長の変化に
対して吸収率の変化することを実験により確認した。す
なわち、第３図のグラフに示されるように、８００ｒ＋
ｍ以上の波長に対して、ＩＴＯとポリエステルフィルム
との間に吸収率の相違は殆んど見られないが、１１００
ｎより短い波長域において、徐々に両者の吸収率に差が
見られる。特に、ＹＡＧレーザの第２高調波である５３
２ｎｍ近傍では、ポリエステルフィルムの吸収率は小さ
いままであるが、ＩＴＯの吸収率は８％近く高くなって
いる。
本発明は、このＹＡＧレーザの波長とポリエステルフィ
ルム、ＩＴＯの吸収率の相違に着目し、下記の実験例に
より、ＹＡＧレーザの第２高調波がポリエステルフィル
ム上の１７０層のバターニングに好適であるという評価
結果を得ることができた。
ルム、ＩＴＯの吸収率の相違に着目し、下記の実験例に
より、ＹＡＧレーザの第２高調波がポリエステルフィル
ム上の１７０層のバターニングに好適であるという評価
結果を得ることができた。
具体的に、ＹＡＧレーザの基本波と第２高調波とを用い
て、ポリエステルフィルム上のＩＴＯ層のバターニング
を３つの実験例で行った結果を表１として示す。この表
１において、繰返し周波数とは、ＣＷ（連続発振）レー
ザにＱスイッチをかけたときのパルスの繰返し数である
。このときの１７０層の厚さは０．０３μｍ１ポリエス
テルフイルムの厚さは１１００ｐ、照射するビームのス
ポットサイズは５０μｍ×５０μｍの方形である。
て、ポリエステルフィルム上のＩＴＯ層のバターニング
を３つの実験例で行った結果を表１として示す。この表
１において、繰返し周波数とは、ＣＷ（連続発振）レー
ザにＱスイッチをかけたときのパルスの繰返し数である
。このときの１７０層の厚さは０．０３μｍ１ポリエス
テルフイルムの厚さは１１００ｐ、照射するビームのス
ポットサイズは５０μｍ×５０μｍの方形である。
なお、ＬＯ６４ｎｍの波長では、平均出力を１．３Ｗよ
り小さくすると、吸収が殆んどなく、ポリエステルフィ
ルム上の１７０層のバターニングはできない。
り小さくすると、吸収が殆んどなく、ポリエステルフィ
ルム上の１７０層のバターニングはできない。
この表１から理解できるように、実験例１．２の波長１
１０６４ｎでは、第５図に示すポリエステルフィルム１
の盛り上りが０．３６μｍ、０．１６μｍとなり、配向
剤の塗布の厚さよりも盛り上り量が大きく、評価結果は
不良である。
１０６４ｎでは、第５図に示すポリエステルフィルム１
の盛り上りが０．３６μｍ、０．１６μｍとなり、配向
剤の塗布の厚さよりも盛り上り量が大きく、評価結果は
不良である。
実験例３の波長５３２ｎｍ（第２高調波）でバターニン
グを行なうと、照射部周囲のポリエステルフィルムの盛
り上りを極力小さく抑えることができる。また、第２高
調波は基本波に比べてＩＴＯに対する吸収が大きいため
、少ないエネルギーで効率の良いバターニングを可能と
する。
グを行なうと、照射部周囲のポリエステルフィルムの盛
り上りを極力小さく抑えることができる。また、第２高
調波は基本波に比べてＩＴＯに対する吸収が大きいため
、少ないエネルギーで効率の良いバターニングを可能と
する。
次に、Ｑスイッチの繰返し周波数の相違によるバターニ
ング跡のライン形状を第４図（イ）（ロ）に示している
。この場合の実験は、ＹＡＧレーザの波長１０６４ｒ＋
ｍ、平均出力３．５Ｗのもとに、繰返し周波数を第４図
（イ）の場合は１０ＫＨｚとし、第４図（ロ）の場合は
５ＫＨｚとして行なった。
ング跡のライン形状を第４図（イ）（ロ）に示している
。この場合の実験は、ＹＡＧレーザの波長１０６４ｒ＋
ｍ、平均出力３．５Ｗのもとに、繰返し周波数を第４図
（イ）の場合は１０ＫＨｚとし、第４図（ロ）の場合は
５ＫＨｚとして行なった。
第４図（イ）、（ロ）を比較すると、繰返し周波数１０
ＫＨｚによるバターニング跡の周辺部は、繰返し周波数
５ＫＨｚのものに比して可成り荒れている。
ＫＨｚによるバターニング跡の周辺部は、繰返し周波数
５ＫＨｚのものに比して可成り荒れている。
これは、ＹＡＧレーザのライフタイムが約２００μ秒で
あることに基因するものと考えられる。
あることに基因するものと考えられる。
繰返し周波数が５ＫＨｚよりも大きくなると、電子が充
分に励起されないうちに放出されるために、パルスのピ
ーク出力が段々に小さ（なり、それに伴いビームの横モ
ード分布の山も小ざくなる。この結果、繰返し周波数が
１０ＫＨｚの第４図（イ）の場合において、スリット像
の端部でエネルギーが不足するため、シャープなスリッ
ト像が得られなくなり、バターニング溝部３Ａ、は波を
打ったような弯曲状に形成され、バターニング跡がばら
つき、ライン幅が荒れる状態を呈する。これに対して、
繰返し周波数５ Ｋ Ｈｚの第４図（ロ）の場合、パタ
ーニング溝部３Ａｚの跡のライン幅がきれいに揃えられ
、より微細なバターニングを可能とする。
分に励起されないうちに放出されるために、パルスのピ
ーク出力が段々に小さ（なり、それに伴いビームの横モ
ード分布の山も小ざくなる。この結果、繰返し周波数が
１０ＫＨｚの第４図（イ）の場合において、スリット像
の端部でエネルギーが不足するため、シャープなスリッ
ト像が得られなくなり、バターニング溝部３Ａ、は波を
打ったような弯曲状に形成され、バターニング跡がばら
つき、ライン幅が荒れる状態を呈する。これに対して、
繰返し周波数５ Ｋ Ｈｚの第４図（ロ）の場合、パタ
ーニング溝部３Ａｚの跡のライン幅がきれいに揃えられ
、より微細なバターニングを可能とする。
このような繰返し周波数の相違によるバターニング跡の
仕上りの良悪は、ＹＡＧレーザの第２高調波についても
同様であり、繰返し周波数を５ＫＨｚ以下と設定するこ
とにより、バターニング跡のライン幅を揃えることがで
きる。
仕上りの良悪は、ＹＡＧレーザの第２高調波についても
同様であり、繰返し周波数を５ＫＨｚ以下と設定するこ
とにより、バターニング跡のライン幅を揃えることがで
きる。
本発明の構成により、ＹＡＧレーザを用いて液晶表示板
におけるポリエステルフィルム基板上の１７０層を、ポ
リエステルフィルムを損傷させず、且つ従来の如き大き
な盛り上り部を形成することなく、バターニングするこ
とができ、繰返し周波数を所定値以下に設定することに
より、レーザ発振の際に充分励起されたエネルギーによ
り、パターニング跡のライン幅をきれいに揃えることが
でき、より微細なパターニングを可能とする。
におけるポリエステルフィルム基板上の１７０層を、ポ
リエステルフィルムを損傷させず、且つ従来の如き大き
な盛り上り部を形成することなく、バターニングするこ
とができ、繰返し周波数を所定値以下に設定することに
より、レーザ発振の際に充分励起されたエネルギーによ
り、パターニング跡のライン幅をきれいに揃えることが
でき、より微細なパターニングを可能とする。
第１図は本発明が適用されるポリエステルフィルムを基
板とする液晶表示素子の断面図、第２図はＹＡＧレーザ
の第２高調波発生装置の概略構成図、 第３図はポリエステルフィルムとＩＴＯに関する波長と
吸収率の関連を示すグラフ、 第４図（イ）（ロ）は繰返し周波数を変えた場合のパタ
ーニング跡のライン形状（拡大写真１００倍）を示す上
面図、 第５図は従来のＹＡＧレーザにより照射された部分の断
面図である。 ■、２・・・ポリエステルフィルム、３・・・ＩＴＯか
らなる透明電極層、３Ａ＋ 、３Ａｚ・・・パターニ
ング溝部、４・・・配向剤、６・・・液晶、７・・・シ
ール剤。 第 図 第 図
板とする液晶表示素子の断面図、第２図はＹＡＧレーザ
の第２高調波発生装置の概略構成図、 第３図はポリエステルフィルムとＩＴＯに関する波長と
吸収率の関連を示すグラフ、 第４図（イ）（ロ）は繰返し周波数を変えた場合のパタ
ーニング跡のライン形状（拡大写真１００倍）を示す上
面図、 第５図は従来のＹＡＧレーザにより照射された部分の断
面図である。 ■、２・・・ポリエステルフィルム、３・・・ＩＴＯか
らなる透明電極層、３Ａ＋ 、３Ａｚ・・・パターニ
ング溝部、４・・・配向剤、６・・・液晶、７・・・シ
ール剤。 第 図 第 図
Claims (1)
- ポリエステルフィルム上にＩＴＯからなる透明電極層
を形成し、該透明電極層上に配向剤を設け、該ポリマー
フィルム間にギャップ剤を介して液晶を封入してなる液
晶表示素子において、ポリエステルフィルム上に形成さ
れた透明電極層のパターン形成を、ＹＡＧレーザの第２
高調波である波長５３２ｎｍのレーザ光により繰返し周
波数を５ＫＨｚ以下として行なうことを特徴とする液晶
表示素子におけるパターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7847689A JPH02259727A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 液晶表示素子におけるパターン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7847689A JPH02259727A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 液晶表示素子におけるパターン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02259727A true JPH02259727A (ja) | 1990-10-22 |
Family
ID=13663067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7847689A Pending JPH02259727A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 液晶表示素子におけるパターン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02259727A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2690597A1 (fr) * | 1992-04-27 | 1993-10-29 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Procédé de fabrication d'une plaque de câblage à film conducteur transparent. |
| WO1997027727A1 (de) * | 1996-01-26 | 1997-07-31 | Emi-Tec Elektronische Materialien Gmbh | Verfahren zur herstellung einer leiterstruktur |
| US6031201A (en) * | 1993-06-04 | 2000-02-29 | Seiko Epson Corporation | Laser machining apparatus with rotatable phase grating |
| JP2001202826A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Gunze Ltd | 透明導電性フィルム |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP7847689A patent/JPH02259727A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2690597A1 (fr) * | 1992-04-27 | 1993-10-29 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Procédé de fabrication d'une plaque de câblage à film conducteur transparent. |
| US6031201A (en) * | 1993-06-04 | 2000-02-29 | Seiko Epson Corporation | Laser machining apparatus with rotatable phase grating |
| US6376799B1 (en) | 1993-06-04 | 2002-04-23 | Seiko Epson Corporation | Laser machining apparatus with a rotatable phase grating |
| US6635850B2 (en) | 1993-06-04 | 2003-10-21 | Seiko Epson Corporation | Laser machining method for precision machining |
| WO1997027727A1 (de) * | 1996-01-26 | 1997-07-31 | Emi-Tec Elektronische Materialien Gmbh | Verfahren zur herstellung einer leiterstruktur |
| JP2001202826A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Gunze Ltd | 透明導電性フィルム |
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