JPH0356557B2 - - Google Patents
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- JPH0356557B2 JPH0356557B2 JP59117539A JP11753984A JPH0356557B2 JP H0356557 B2 JPH0356557 B2 JP H0356557B2 JP 59117539 A JP59117539 A JP 59117539A JP 11753984 A JP11753984 A JP 11753984A JP H0356557 B2 JPH0356557 B2 JP H0356557B2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/24—Ablative recording, e.g. by burning marks; Spark recording
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〓産業上の利用分野〓
本発明は太陽電池、液晶表示パネル等に用いら
れる透光性導電膜やフオトレジスト膜の光による
選択加工法に関する。
れる透光性導電膜やフオトレジスト膜の光による
選択加工法に関する。
〓従来技術〓
透光性導電膜の光加工に関しては、レーザ加工
技術としてYAGレーザ光（波長1.05μ）が主とし
て用いられている。
技術としてYAGレーザ光（波長1.05μ）が主とし
て用いられている。
この波長によるレーザ加工方法においては、そ
の光学的エネルギが1.23eVであるため、透光性
導電膜（以下CTFという）である一般な３〜4eV
の光学的エネルギバンド巾を有する酸化スズ、酸
化インジユーム（ITOを含む）に対して十分な光
吸収性を有していない。このためレーザ加工の
際、Ｑスイツチパルス光は平均0.5〜1W（光径
50μ、焦点距離40nm、パルス周波数3KHz、パル
ス巾60n秒の場合）の強い光エネルギを加えて加
工しなければならない。その結果、このレーザ光
によりCTFの加工は行い得るが、同時にその下
側に設けられた基板例えばガラス基板に対してマ
イクロクラツクを発生させてしまつた。また、
YAGレーザ光は、ビーム断面が円形で、加工の
強さが、ビームの周縁より中心部で強くなる傾向
にある。更に、YAGレーザ光は、マスクで選択
加工する場合、マスクを通つたレーザ光が拡がる
傾向にある。
の光学的エネルギが1.23eVであるため、透光性
導電膜（以下CTFという）である一般な３〜4eV
の光学的エネルギバンド巾を有する酸化スズ、酸
化インジユーム（ITOを含む）に対して十分な光
吸収性を有していない。このためレーザ加工の
際、Ｑスイツチパルス光は平均0.5〜1W（光径
50μ、焦点距離40nm、パルス周波数3KHz、パル
ス巾60n秒の場合）の強い光エネルギを加えて加
工しなければならない。その結果、このレーザ光
によりCTFの加工は行い得るが、同時にその下
側に設けられた基板例えばガラス基板に対してマ
イクロクラツクを発生させてしまつた。また、
YAGレーザ光は、ビーム断面が円形で、加工の
強さが、ビームの周縁より中心部で強くなる傾向
にある。更に、YAGレーザ光は、マスクで選択
加工する場合、マスクを通つたレーザ光が拡がる
傾向にある。
〓発明の解決しようとする問題〓
YAGレーザ光を用いた加工では、１〜5μ巾の
微細パターンを多数同一平面にマスクにより選択
的に形成させることがまつたく不可能であつた。
微細パターンを多数同一平面にマスクにより選択
的に形成させることがまつたく不可能であつた。
〓問題を解決するための手段〓
本発明は、上記問題を解決するものであり、そ
の照射光として、400nm以下（エネルギ的には
3.1eV以上）の波長のパルスレーザを照射し、そ
れを非昇華性金属または有機被膜を選択的に形成
したマスクを透過して照射することにより１〜
5μ巾の微細パターンをレジストを用いることな
く選択加工することが可能となつた。
の照射光として、400nm以下（エネルギ的には
3.1eV以上）の波長のパルスレーザを照射し、そ
れを非昇華性金属または有機被膜を選択的に形成
したマスクを透過して照射することにより１〜
5μ巾の微細パターンをレジストを用いることな
く選択加工することが可能となつた。
〓作用〓
非昇華性金属または有機樹脂の膜で、400nm以
下の波長のパルスレーザ光が透過しない被膜を形
成できる。この被膜は、非昇華性金属または有機
樹脂だけで形成してもよく、また合成石英上に被
膜形成してもよい。
下の波長のパルスレーザ光が透過しない被膜を形
成できる。この被膜は、非昇華性金属または有機
樹脂だけで形成してもよく、また合成石英上に被
膜形成してもよい。
400nm以下の波長のパルスレーザ光は、ビーム
断面が矩形で、加工の強さがビーム内で均一であ
る。また、ビームはマスクを通つた後拡散しな
い。結果として、マスクによる微細パターンの選
択除去が可能となり、各パターンの縁がきれいに
加工される。
断面が矩形で、加工の強さがビーム内で均一であ
る。また、ビームはマスクを通つた後拡散しな
い。結果として、マスクによる微細パターンの選
択除去が可能となり、各パターンの縁がきれいに
加工される。
また、CTFの加工では、下地基板のガラス板
に対し、損傷を与えないし、加工屑の除去はアル
コール、アセトン等の洗浄液による超音波洗浄で
十分となつた。
に対し、損傷を与えないし、加工屑の除去はアル
コール、アセトン等の洗浄液による超音波洗浄で
十分となつた。
実施例 １
基板として厚さ1.1mmのガラス基板１を用いて、
この上面に弗素またはアンチモンが添加されてい
る酸化スズのCTF２を0.3μの厚さに第１図Ａに示
す如く形成させた。
この上面に弗素またはアンチモンが添加されてい
る酸化スズのCTF２を0.3μの厚さに第１図Ａに示
す如く形成させた。
かかる被加工面を有する基板に対し、400nm以
下の波長の発光用のレーザ光源としてエキシマレ
ーザ（Questec Inc.製）を用いた。
下の波長の発光用のレーザ光源としてエキシマレ
ーザ（Questec Inc.製）を用いた。
パルス光はKrFを用いた248nmとした。
マスクは合成石英４にニツケル５を1500Åの厚
さに選択的に形成したものを用いた。
さに選択的に形成したものを用いた。
パルス巾20n秒、繰り返し周波数50Hz、平均出
力17W／16×20mmとした。これ以上の面積におい
ては、この大きさを繰り返し移動させつつ照射し
た。
力17W／16×20mmとした。これ以上の面積におい
ては、この大きさを繰り返し移動させつつ照射し
た。
するとこの酸化スズは１つのパルス光の照射で
被照射面３が完全に白濁化し、CTFが微粉末に
なつた。これをアセトン水溶液にて超音波洗浄
（周波数29KHz）を約１〜10分し、このCTFを除
去した。下地のソーダガラスはまつたく損傷を受
けていなかつた。パターンとして3μ巾のパター
ンをぬくことが可能であつた。
被照射面３が完全に白濁化し、CTFが微粉末に
なつた。これをアセトン水溶液にて超音波洗浄
（周波数29KHz）を約１〜10分し、このCTFを除
去した。下地のソーダガラスはまつたく損傷を受
けていなかつた。パターンとして3μ巾のパター
ンをぬくことが可能であつた。
実施例 ２
水素または弗素が添加された非単結晶半導体
（主成分珪素）（第１図Ａ１上にITO（酸化スズが
５重量％添加された酸化インジユーム）２を1000
Åの厚さに電子ビーム蒸着法によつて形成し被加
工面とした。
（主成分珪素）（第１図Ａ１上にITO（酸化スズが
５重量％添加された酸化インジユーム）２を1000
Åの厚さに電子ビーム蒸着法によつて形成し被加
工面とした。
さらにこの面上に第１図Ｂに示す如く、マスク
を合成石英４にポリイミドの有機樹脂を選択的に
形成して微細パターンのマスク５を配設した。こ
のマスクと基板１上のITO膜２とは１〜10μの間
隔をあけた。さらにここを真空下（真空度
10-1torr以下）として400nm以下の波長のパルス
光を加えた。波長は351nm（XeF）とした。パル
ス巾20n秒、平均出力20W／16×20mm2とした。す
ると被加工面のITOは昇華し下地の半導体は損傷
することなく微細パターンを形成せしめ残つた
ITO間を絶縁化することができた。また、マスク
と基板の間に１〜10μｍの間隔をあけたにもかか
わらず、マスクの微細パターンが正確に被加工面
に転写された。
を合成石英４にポリイミドの有機樹脂を選択的に
形成して微細パターンのマスク５を配設した。こ
のマスクと基板１上のITO膜２とは１〜10μの間
隔をあけた。さらにここを真空下（真空度
10-1torr以下）として400nm以下の波長のパルス
光を加えた。波長は351nm（XeF）とした。パル
ス巾20n秒、平均出力20W／16×20mm2とした。す
ると被加工面のITOは昇華し下地の半導体は損傷
することなく微細パターンを形成せしめ残つた
ITO間を絶縁化することができた。また、マスク
と基板の間に１〜10μｍの間隔をあけたにもかか
わらず、マスクの微細パターンが正確に被加工面
に転写された。
かかるパターンは液晶表示装置における電極形
成にきわめて好都合であつた。
成にきわめて好都合であつた。
実施例 ３
合成石英を使わずにポリイミドの有機樹脂のみ
で微細パターンのマスクを形成した他は、実施例
２と同様にしてITOを加工したところ、微細パタ
ーンにおけるITO間を絶縁化することができた。
で微細パターンのマスクを形成した他は、実施例
２と同様にしてITOを加工したところ、微細パタ
ーンにおけるITO間を絶縁化することができた。
実施例 ４
CTFの代わりにフオトレジスト膜をガラス基
板１に形成した他は、実施例１と同様にしてフオ
トレジスト膜を加工したところ、微細パターンに
フオトレジスト膜を変質させることができた。
板１に形成した他は、実施例１と同様にしてフオ
トレジスト膜を加工したところ、微細パターンに
フオトレジスト膜を変質させることができた。
比較例 １
合成石英の代わりに天然石英を使用して実施例
１と同様にCTFを加工したところ、レーザ光に
多少の乱れがあつて、実施例１ほどにはきれいに
微細パターンが形成されなかつた。
１と同様にCTFを加工したところ、レーザ光に
多少の乱れがあつて、実施例１ほどにはきれいに
微細パターンが形成されなかつた。
第１図は本発明の作製方法を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非昇華性金属または有機樹脂の膜で微細パタ
ーンのマスクを形成し、該マスクにより400nm以
下の波長のパルスレーザ光を選択的に透過させ、
該パルスレーザ光を基板の一主面に照射させて、
該一主面を前記微細パターンに選択的に除去もし
くは変質させることを特徴とする微細パターンの
光加工方法。 ２ 特許請求の範囲第１項において、前記非昇華
性金属または有機樹脂の膜が合成石英上に形成さ
れていることを特徴とする微細パターンの光加工
方法。 ３ 特許請求の範囲第１項において、400nm以下
の波長のレーザ光はエキシマレーザが用いられた
ことを特徴とする微細パターンの光加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117539A JPS60260393A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 微細パターンの光加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117539A JPS60260393A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 微細パターンの光加工方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4193006A Division JPH05196949A (ja) | 1992-06-26 | 1992-06-26 | 微細パターンの光加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60260393A JPS60260393A (ja) | 1985-12-23 |
| JPH0356557B2 true JPH0356557B2 (ja) | 1991-08-28 |
Family
ID=14714295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59117539A Granted JPS60260393A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 微細パターンの光加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60260393A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6149988A (en) * | 1986-09-26 | 2000-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and system of laser processing |
| US6261856B1 (en) | 1987-09-16 | 2001-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and system of laser processing |
| US5130833A (en) | 1989-09-01 | 1992-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device and manufacturing method therefor |
| JPH05196949A (ja) * | 1992-06-26 | 1993-08-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微細パターンの光加工方法 |
| DE19535068C2 (de) * | 1995-09-21 | 1997-08-21 | Lpkf Cad Cam Systeme Gmbh | Beschichtung zur strukturierten Erzeugung von Leiterbahnen auf der Oberfläche von elektrisch isolierenden Substraten, Verfahren zum Herstellen der Beschichtung und von strukturierten Leiterbahnen |
| JP6244121B2 (ja) * | 2013-06-21 | 2017-12-06 | スタンレー電気株式会社 | 透明電極を有する電気装置の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113141A (en) * | 1979-02-24 | 1980-09-01 | Fujitsu Ltd | Photo recording medium |
| JPS5670984A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-13 | Toppan Printing Co Ltd | Laser engraving method and mask sheet used therefor |
| JPS5672445A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-16 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Production of photomask |
| JPS5763291A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-16 | Tdk Corp | Optical recording medium |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP59117539A patent/JPS60260393A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113141A (en) * | 1979-02-24 | 1980-09-01 | Fujitsu Ltd | Photo recording medium |
| JPS5670984A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-13 | Toppan Printing Co Ltd | Laser engraving method and mask sheet used therefor |
| JPS5672445A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-16 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Production of photomask |
| JPS5763291A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-16 | Tdk Corp | Optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60260393A (ja) | 1985-12-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |