JPH0356556B2 - - Google Patents
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- JPH0356556B2 JPH0356556B2 JP59117538A JP11753884A JPH0356556B2 JP H0356556 B2 JPH0356556 B2 JP H0356556B2 JP 59117538 A JP59117538 A JP 59117538A JP 11753884 A JP11753884 A JP 11753884A JP H0356556 B2 JPH0356556 B2 JP H0356556B2
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic System
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は太陽電池、液晶表示パネル等に用いら
れ、酸化スズ、酸化インジユームまたはこれらの
混合物を主成分とする透光性導電膜の光による選
択加工法に関する。
れ、酸化スズ、酸化インジユームまたはこれらの
混合物を主成分とする透光性導電膜の光による選
択加工法に関する。
「従来技術」
透光性導電膜の光加工に関しては、レーザ加工
技術としてYAGレーザ光（波長1.05μ）が主とし
て用いられている。
技術としてYAGレーザ光（波長1.05μ）が主とし
て用いられている。
この波長によるレーザ加工方法においては、そ
の光学的エネルギが1.23eVであるため、透光性
導電膜（以下CTFという）である一般な３〜4eV
の光学的エネルギバンド巾を有する酸化スズ、酸
化インジユーム（ITOを含む）に対して十分な光
吸収性を有していない。このためレーザ加工の
際、Ｑスイツチパルス光は平均0.5〜1W（光径
50μ、焦点距離40nm、パルス周波数3KHz、パル
ス巾60n、秒の場合）の強い光エネルギを加えて
加工しなければならない。その結果、このレーザ
光によりCTFの加工は行い得るが、同時にその
下側に設けられた基板例えばガラス基板に対して
マイクロクラツクを発生させてしまつた。
の光学的エネルギが1.23eVであるため、透光性
導電膜（以下CTFという）である一般な３〜4eV
の光学的エネルギバンド巾を有する酸化スズ、酸
化インジユーム（ITOを含む）に対して十分な光
吸収性を有していない。このためレーザ加工の
際、Ｑスイツチパルス光は平均0.5〜1W（光径
50μ、焦点距離40nm、パルス周波数3KHz、パル
ス巾60n、秒の場合）の強い光エネルギを加えて
加工しなければならない。その結果、このレーザ
光によりCTFの加工は行い得るが、同時にその
下側に設けられた基板例えばガラス基板に対して
マイクロクラツクを発生させてしまつた。
「発明の解決しようとする問題」
このYAGレーザを用いた加工での下地基板の
微小クラツクは、レーザ光の円周と類似の形状を
有し、「鱗」状に作られてしまつた。
微小クラツクは、レーザ光の円周と類似の形状を
有し、「鱗」状に作られてしまつた。
更に、レーザ光が照射された領域のCTFは十
分気化せず、微粉末状でその開溝または開孔に残
存していた。
分気化せず、微粉末状でその開溝または開孔に残
存していた。
このためこれらを除去し、かつCTFを溶去し
ない溶液（弗化水素系溶液）によりエツチングを
マスクを用いる必要はないが行わなければならな
かつた。
ない溶液（弗化水素系溶液）によりエツチングを
マスクを用いる必要はないが行わなければならな
かつた。
「問題を解決するための手段」
本発明は、上記の問題を解決するものであり、
基盤上に設けられ、酸化スズ、酸化インジユーム
またはこれらの混合物を主成分とするCTFに、
400nm以下（エネルギ的には3.1eV以上）の波長
のパルスレーザを照射し、それによつてCTFで
の光エネルギの吸収効率をYAGレーザ（1.06μ）
の100倍以上に高めたものである。
基盤上に設けられ、酸化スズ、酸化インジユーム
またはこれらの混合物を主成分とするCTFに、
400nm以下（エネルギ的には3.1eV以上）の波長
のパルスレーザを照射し、それによつてCTFで
の光エネルギの吸収効率をYAGレーザ（1.06μ）
の100倍以上に高めたものである。
「作用」
結果として下地のガラス板に対し何等の損傷を
なくしてCTFの選択除去が可能となり、さらに
減圧下にてパルスレーザ光を照射するならば照射
後の照射部の弗酸等による除去が不要となり、ア
ルコール、アセトン等の洗浄液による超音波洗浄
で十分となつた。
なくしてCTFの選択除去が可能となり、さらに
減圧下にてパルスレーザ光を照射するならば照射
後の照射部の弗酸等による除去が不要となり、ア
ルコール、アセトン等の洗浄液による超音波洗浄
で十分となつた。
実施例 １
基板として厚さ1.1mmのガラス基板１を用いて、
この上面に弗素またはアンチモンが添加されてい
る酸化スズのCTF２を0.3μの厚さに第１図Ａに示
す如く形成させた。
この上面に弗素またはアンチモンが添加されてい
る酸化スズのCTF２を0.3μの厚さに第１図Ａに示
す如く形成させた。
かかる被加工面を有する基板に対しエキシマレ
ーザ（Questec Inc.製）を用いた。
ーザ（Questec Inc.製）を用いた。
パルス光はKrFを用いた248nmとした。
パルス巾20n秒、繰り返し周波数50Hz、平均出
力17W／16×20mmとした。するとこの酸化スズは
１つのパルス光の照射で被照射面３が完全に白濁
化され、CTFが微粉末になつた。これをアセト
ン水溶液にて超音波洗浄（周波数29KHz）を約１
〜10分にてこのCTFを除去した。下地のソーダ
ガラスはまつたく損傷を受けていなかつた。
力17W／16×20mmとした。するとこの酸化スズは
１つのパルス光の照射で被照射面３が完全に白濁
化され、CTFが微粉末になつた。これをアセト
ン水溶液にて超音波洗浄（周波数29KHz）を約１
〜10分にてこのCTFを除去した。下地のソーダ
ガラスはまつたく損傷を受けていなかつた。
実施例 ２
水素または弗素が添加された非単結晶半導体
（主成分珪素）上にITO（酸化スズが５重量％添加
された酸化インジユーム）を1000Åの厚さに電子
ビームを蒸着法によつて形成し被加工面とした。
（主成分珪素）上にITO（酸化スズが５重量％添加
された酸化インジユーム）を1000Åの厚さに電子
ビームを蒸着法によつて形成し被加工面とした。
さらにこの面を下面とし、真空下（真空度
10-5torr以下）として400nm以下の波長のパルス
光を加えた。波長は351nm（XeF）とした。パル
ス巾20n秒、平均出力20W／16×20mm2とした。す
ると被加工面のITOは昇華し下地の半導体は損傷
することなくこの開溝により残つたITO間を絶縁
化することができた。
10-5torr以下）として400nm以下の波長のパルス
光を加えた。波長は351nm（XeF）とした。パル
ス巾20n秒、平均出力20W／16×20mm2とした。す
ると被加工面のITOは昇華し下地の半導体は損傷
することなくこの開溝により残つたITO間を絶縁
化することができた。
第１図は本発明の作製方法を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に設けられ、酸化スズ、酸化インジユ
ームまたはこれらの混合物を主成分とした透光性
導電膜に400nm以下の波長のパルスレーザ光を選
択的に照射して除去することを特徴とした透光性
導電膜の光加工方法。 ２ 特許請求の範囲第１項において、透光性導電
膜は1μm以下の厚さを有することを特徴とした透
光性導電膜の光加工方法。 ３ 特許請求の範囲第１項において、400nm以下
の波長のレーザ光はエキシマレーザが用いられた
ことを特徴とした透光性導電膜の光加工方法。 ４ 特許請求の範囲第１項において、パルス光の
照射を減圧下において行うことを特徴とした透光
性導電膜の光加工方法。 ５ 特許請求の範囲の第１項において、パルスレ
ーザ光を照射した後、洗浄液にて超音波洗浄を行
うことを特徴とした透光性導電膜の光加工方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117538A JPS60260392A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 透光性導電膜の光加工方法 |
| US06/740,764 US4713518A (en) | 1984-06-08 | 1985-06-03 | Electronic device manufacturing methods |
| US07/298,263 US4874920A (en) | 1984-06-08 | 1989-01-13 | Electronic device manufacturing methods |
| US07/333,911 US4970369A (en) | 1984-06-08 | 1989-04-06 | Electronic device manufacturing methods |
| US07/333,912 US4970368A (en) | 1984-06-08 | 1989-04-06 | Laser scribing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117538A JPS60260392A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 透光性導電膜の光加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60260392A JPS60260392A (ja) | 1985-12-23 |
| JPH0356556B2 true JPH0356556B2 (ja) | 1991-08-28 |
Family
ID=14714272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59117538A Granted JPS60260392A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 透光性導電膜の光加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60260392A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3349308B2 (ja) * | 1995-10-26 | 2002-11-25 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子 |
| DE602005011415D1 (de) | 2005-06-16 | 2009-01-15 | Asulab Sa | Herstellungsverfahren für ein transparentes Element mit transparenten Elektroden und entsprechendes Element |
| US20140347574A1 (en) * | 2013-05-21 | 2014-11-27 | Apple Inc. | Method of plastic touch sensor process |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113141A (en) * | 1979-02-24 | 1980-09-01 | Fujitsu Ltd | Photo recording medium |
| JPS5670984A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-13 | Toppan Printing Co Ltd | Laser engraving method and mask sheet used therefor |
| JPS5672445A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-16 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Production of photomask |
| JPS5763291A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-16 | Tdk Corp | Optical recording medium |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP59117538A patent/JPS60260392A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113141A (en) * | 1979-02-24 | 1980-09-01 | Fujitsu Ltd | Photo recording medium |
| JPS5670984A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-13 | Toppan Printing Co Ltd | Laser engraving method and mask sheet used therefor |
| JPS5672445A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-16 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Production of photomask |
| JPS5763291A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-16 | Tdk Corp | Optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60260392A (ja) | 1985-12-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |