JPS6384073A - 透光性導電膜の光加工方法 - Google Patents
透光性導電膜の光加工方法Info
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- JPS6384073A JPS6384073A JP61229253A JP22925386A JPS6384073A JP S6384073 A JPS6384073 A JP S6384073A JP 61229253 A JP61229253 A JP 61229253A JP 22925386 A JP22925386 A JP 22925386A JP S6384073 A JPS6384073 A JP S6384073A
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- transparent conductive
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Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は太陽電池、液晶表示パネル等に用いられる透光
性導電膜の光による選択加工法に関する。
性導電膜の光による選択加工法に関する。
「従来技術」
透光性導電膜の光加工に関しては、レーザ加工技術とし
てＹＡＧレーザ光（波長１，０５μ）が主として用いら
れている。
てＹＡＧレーザ光（波長１，０５μ）が主として用いら
れている。
この波長によるレーザ加工方法においては、その光学的
エネルギが１．２３ｅＶであるため、透光性導電膜（以
下ＣＴＦという）である一般的な３〜４ｅＶの光学的エ
ネルギバンド巾を有する酸化スズ、酸化インジューム（
ＩＴＯを含む）に対して十分な光吸収性を有していない
。このためレーザ加工の際、Ｑスイッチパルス光は平均
０８５〜ＩＷ（光径５ｏμ、焦点距離４０ｎｍ、パルス
周波数３ＫＨｚ、パルス巾６０ｎ秒の場合）の強い光エ
ネルギを加えて加工していた。
エネルギが１．２３ｅＶであるため、透光性導電膜（以
下ＣＴＦという）である一般的な３〜４ｅＶの光学的エ
ネルギバンド巾を有する酸化スズ、酸化インジューム（
ＩＴＯを含む）に対して十分な光吸収性を有していない
。このためレーザ加工の際、Ｑスイッチパルス光は平均
０８５〜ＩＷ（光径５ｏμ、焦点距離４０ｎｍ、パルス
周波数３ＫＨｚ、パルス巾６０ｎ秒の場合）の強い光エ
ネルギを加えて加工していた。
ｒ発明が解決しようとする問題点」
その結果、このレーザ光によりＣＴＦの加工は行い得る
が、同時にその下側に設けられた基板例えばガラス基板
に対してレーザ光の円周と類似の形状で「鱗」状態のマ
イクロクラブクを発生させてしまった。
が、同時にその下側に設けられた基板例えばガラス基板
に対してレーザ光の円周と類似の形状で「鱗」状態のマ
イクロクラブクを発生させてしまった。
更に、レーザ光が照射された領域のＣＴＦは十分気化せ
ず、微粉末状でその開講または開孔に残存していた。
ず、微粉末状でその開講または開孔に残存していた。
このためこれらを除去し、がっＣＴＦを溶去しない溶液
（弗化水素系溶液）によりエツチングをマスクを用いる
必要はないが行わなければならなかった。
（弗化水素系溶液）によりエツチングをマスクを用いる
必要はないが行わなければならなかった。
更にレーザビームのエネルギ強度分布が一様でないため
に、ビーム照射面に加工敷居値を越えたエネルギが照射
されている部分と加工敷居値以下である部分とが生じて
おり、安定した状態の開講を形成させることが困難であ
った。
に、ビーム照射面に加工敷居値を越えたエネルギが照射
されている部分と加工敷居値以下である部分とが生じて
おり、安定した状態の開講を形成させることが困難であ
った。
本発明は、レーザ光の加工敷居値を下げ、安定な加工を
行うことを目的としたものである。
行うことを目的としたものである。
ｒ問題点を解決するための手段Ｊ
本発明は、上記の問題を解決するものであり、基板上の
透光性導電膜に電圧を加えることによって、該透光性導
電膜を昇温させた後、該透光性導電膜にレーザ光を照射
することを要旨としたものである。
透光性導電膜に電圧を加えることによって、該透光性導
電膜を昇温させた後、該透光性導電膜にレーザ光を照射
することを要旨としたものである。
詳しくは、電圧を加えることによって透光性導電膜に５
０〜２５０°Ｃの範囲内、好ましくは１００〜２００℃
の範囲内に昇温させ、その後該温度を維持しなからレー
ザ光を照射するものである。
０〜２５０°Ｃの範囲内、好ましくは１００〜２００℃
の範囲内に昇温させ、その後該温度を維持しなからレー
ザ光を照射するものである。
透光性導電膜が５０℃に満たない場合には、常温でレー
ザ照射を行う場合と同様であるため、本発明の効果がな
く、２５０℃を越えた場合には照射エネルギが照射部以
外にも広がるため、開講の巾が広がってしまい、一定の
開講を形成できなくなってしまう。
ザ照射を行う場合と同様であるため、本発明の効果がな
く、２５０℃を越えた場合には照射エネルギが照射部以
外にも広がるため、開講の巾が広がってしまい、一定の
開講を形成できなくなってしまう。
「実施例１ｊ
基板として１０ｃｍ Ｘ １０ｃｍ、厚さ１．１ｍｍの
ガラス基板（１）を用いて、この上面に弗素またはアン
チモンが添加されている酸化スズのＣＴＦ （２）を０
．３ μｍの厚さに第１図（八）に示す如く形成させた
。
ガラス基板（１）を用いて、この上面に弗素またはアン
チモンが添加されている酸化スズのＣＴＦ （２）を０
．３ μｍの厚さに第１図（八）に示す如く形成させた
。
そして上記酸化スズのＣＴＦ （２）の両端に第１図（
Ｂ）に示すように電極（４）を取りつけて６０Ｖの電圧
を印加し、酸化スズのＣＴＦ （２）を１００℃に昇温
した。
Ｂ）に示すように電極（４）を取りつけて６０Ｖの電圧
を印加し、酸化スズのＣＴＦ （２）を１００℃に昇温
した。
さらに電圧を印加しながら、かかる被加工面を有する基
板に対しエキシマレーザ（Ｑｕｅｓｔｅｃ Ｉｎｃ。
板に対しエキシマレーザ（Ｑｕｅｓｔｅｃ Ｉｎｃ。
製）を用いた。
パルス光はＫｒＦを用いた２４８ｎｍとした。
パルス巾２０ｎ秒、繰り返し周波Ｂ５０Ｈｚ、平均出力
８ Ｗ／１６ Ｘ ２０ｍｍとした。するとこの酸化ス
ズは１つのパルス光の照射で被照射面（３）が完全に白
濁化され、ＣＴＦが微粉末になった。これをアセトン水
溶液にて超音波洗浄（周波数２９ＫＩＩｚ）を約１〜１
０分にてこのＣＴＦを除去した。下地のソーダガラスは
まったく損傷を受けていなかった。
８ Ｗ／１６ Ｘ ２０ｍｍとした。するとこの酸化ス
ズは１つのパルス光の照射で被照射面（３）が完全に白
濁化され、ＣＴＦが微粉末になった。これをアセトン水
溶液にて超音波洗浄（周波数２９ＫＩＩｚ）を約１〜１
０分にてこのＣＴＦを除去した。下地のソーダガラスは
まったく損傷を受けていなかった。
ｒ実施例２」
１０ｃｍ Ｘ １０ｃｍの大きさのガラス基板上に形成
させた水素または弗素が添加された非単結晶半導体（主
成分珪素）上にＩＴＯ（酸化スズが５重量χ添加された
酸化インジューム）を１０００人の厚さに電子ビーム蒸
着法によって形成した。
させた水素または弗素が添加された非単結晶半導体（主
成分珪素）上にＩＴＯ（酸化スズが５重量χ添加された
酸化インジューム）を１０００人の厚さに電子ビーム蒸
着法によって形成した。
そして上記ＩＴＯの両端に電極を取りつけて５０Ｖの電
圧を印加し、ＩＴＯを２００℃に昇温した。
圧を印加し、ＩＴＯを２００℃に昇温した。
更に電圧を印加しながら、前記ＩＴＯを形成させた面を
下面とし、真空下（真空度１０” ’ ｔｏｒｒ以下）
として４００ｎｍ以下の波長のパルス光を加えた。波長
は３５１ｎｍ（ＸｅＦ）とした。パルス巾２０ｎ秒、平
均出力１０Ｗ／１６ Ｘ ２０ｍｍｚとした。すると被
加工面ノＩＴ。
下面とし、真空下（真空度１０” ’ ｔｏｒｒ以下）
として４００ｎｍ以下の波長のパルス光を加えた。波長
は３５１ｎｍ（ＸｅＦ）とした。パルス巾２０ｎ秒、平
均出力１０Ｗ／１６ Ｘ ２０ｍｍｚとした。すると被
加工面ノＩＴ。
は昇華し下地の半導体は損傷することなくこの開講によ
り残ったＩＴＯ間を絶縁化することができた。
り残ったＩＴＯ間を絶縁化することができた。
「比較例ＩＪ
実施例１において電圧を印加せずにレーザ光を照射した
。加工に適したレーザ光の出力は、平均出力２０Ｗ／
１６ Ｘ ２０ｍｍであったが、下地のソーダガラスに
若干のクランクがあり、加工後の開溝も一定した状態に
なっていなかった。
。加工に適したレーザ光の出力は、平均出力２０Ｗ／
１６ Ｘ ２０ｍｍであったが、下地のソーダガラスに
若干のクランクがあり、加工後の開溝も一定した状態に
なっていなかった。
「比較例２」
実施例２において電圧を印加せずレーザ光を照射した。
加工に適したレーザ光の出力は、平均出力２２Ｗ／１６
Ｘ ２０ｍｍ”であったが、被加工面であるＩＴＯの
状態は開講の形成されている部分と形成されていない部
分とが生じてしまっていた。
Ｘ ２０ｍｍ”であったが、被加工面であるＩＴＯの
状態は開講の形成されている部分と形成されていない部
分とが生じてしまっていた。
実施例においては、エキシマレーザを用いた場合を示し
たが、ＹＡＧ レーザを用いても同様に実施することが
できる。
たが、ＹＡＧ レーザを用いても同様に実施することが
できる。
「発明の効果」
本発明の透光性導電膜の光加工方法によれば、基板上の
透光性導電膜を昇温させているため、該透光性導電膜を
レーザ加工する場合、レーザ光の加工敷居値が小さくて
すみ、そのためレーザビーム照射面に加工敷居値以上の
レーザ光を照射することができるため安定した加工を行
うことができる。
透光性導電膜を昇温させているため、該透光性導電膜を
レーザ加工する場合、レーザ光の加工敷居値が小さくて
すみ、そのためレーザビーム照射面に加工敷居値以上の
レーザ光を照射することができるため安定した加工を行
うことができる。
更に透光性導電膜に印加する電圧を変化させることによ
ってレーザ光の加工敷居値を変えることも可能である。
ってレーザ光の加工敷居値を変えることも可能である。
第１図は本発明の作製方法を示す。
１・・・ガラス基牟反
２・・・酸化スズのＣＴＦ
３・・・被照射面
４・・・電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上の透光性導電膜に電圧を加えることによって
、該透光性導電膜を昇温させた後、該透光性導電膜にレ
ーザ光を照射することを特徴とする透光性導電膜の光加
工方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、透光性導電膜は１
μｍ以下の厚さを有する酸化スズまたは酸化インジュー
ムを主成分としたことを特徴とした透光性導電膜の光加
工方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、レーザ光として４
００ｎｍ以下の波長のエキシマレーザが用いられたこと
を特徴とした透光性導電膜の光加工方法。 ４、特許請求の範囲第１項において、レーザ光としてＹ
ＡＧレーザが用いられたことを特徴とする透光性導電膜
の光加工方法。 ５、特許請求の範囲第１項において、昇温が５０〜２５
０℃の範囲内まで行われることを特徴とする透光性導電
膜の光加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229253A JPS6384073A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 透光性導電膜の光加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229253A JPS6384073A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 透光性導電膜の光加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6384073A true JPS6384073A (ja) | 1988-04-14 |
Family
ID=16889210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61229253A Pending JPS6384073A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 透光性導電膜の光加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6384073A (ja) |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP61229253A patent/JPS6384073A/ja active Pending
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