JP2654566B2 - 光加工方法 - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
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- B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
- G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
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Description
【発明の詳細な説明】 『産業上の利用分野』 本発明は、ディスプレイ装置等に用いられる透光性導
電膜のフォトレジストを用いることなく、マスクのみを
用いて線状に紫外光による直接描画を行うことにより形
成される電極・リードの作成方法に関する。
電膜のフォトレジストを用いることなく、マスクのみを
用いて線状に紫外光による直接描画を行うことにより形
成される電極・リードの作成方法に関する。
『従来技術』 矩形の基板上の透光性導電膜のフォトレジストを用い
ることのない光加工に関し、レーザ加工技術としてYAG
レーザ光（波長1.06μｍ）法が主として用いられてい
る。
ることのない光加工に関し、レーザ加工技術としてYAG
レーザ光（波長1.06μｍ）法が主として用いられてい
る。
この波長によるレーザ加工方法においては、スポット
状のビームを被加工物に照射するとともに、このビーム
を加工方向に走査し、点の連続の鎖状に開溝を形成せん
とするものである。
状のビームを被加工物に照射するとともに、このビーム
を加工方向に走査し、点の連続の鎖状に開溝を形成せん
とするものである。
かかるYAGレーザのＱスイッチを用いるレーザ加工方
式において、パルス光は平均0.5〜1W（光径50μｍ、焦
点距離40mm、パルス周波数3KHz、パルス巾60n秒の場
合）の強い光エネルギを考査スピード30〜60cm/分で加
えて加工しなければならない。その結果、このレーザ光
によりCTFの加工は行い得るが、その開溝の巾はあらゆ
る場所で一定となってしまう。また、その一部の開溝を
太めにするためには、レーザ光をその場所にのみ複数回
ずらしつつ走査しなければならない。そのため、生産性
がますます低下してしまった。
式において、パルス光は平均0.5〜1W（光径50μｍ、焦
点距離40mm、パルス周波数3KHz、パルス巾60n秒の場
合）の強い光エネルギを考査スピード30〜60cm/分で加
えて加工しなければならない。その結果、このレーザ光
によりCTFの加工は行い得るが、その開溝の巾はあらゆ
る場所で一定となってしまう。また、その一部の開溝を
太めにするためには、レーザ光をその場所にのみ複数回
ずらしつつ走査しなければならない。そのため、生産性
がますます低下してしまった。
さらに他方フォトレジストを用い、フォトエッチング
プロセスにより基板上の透明導電膜をパターニングする
方法が知られている。この方式において、開溝を任意の
形状にし得るに加えて、その開溝巾もまったく何らの制
限を受けずに作ることが可能である。しかし、その製造
価格が高価になってしまう。
プロセスにより基板上の透明導電膜をパターニングする
方法が知られている。この方式において、開溝を任意の
形状にし得るに加えて、その開溝巾もまったく何らの制
限を受けずに作ることが可能である。しかし、その製造
価格が高価になってしまう。
『発明の解決しようとする問題』 このYAGレーザを用いたレジストの加工方式では、周
辺回路との連結部での隣同志の電極・リード間をより広
くとり、即ち太めの開溝とすることは現実的にできな
い。その結果、この連結部でのショートが起きやすく、
信頼性の低下を誘発しやすい。他方、フォトレジストを
用いるフォトエッチングプロセスはその工程が多いた
め、生産単価が高く、液晶表示パネルの構造の極細の長
い電極・リードの一部にレジストに存在し得るピンホー
ルによりオープン不良が生じやすい。このオープン不良
は表示不能となり、重大欠陥であり、絶対避けるべきで
ある。このため、製造歩留まりが極端な場合、20〜30％
にしかならないこともある。
辺回路との連結部での隣同志の電極・リード間をより広
くとり、即ち太めの開溝とすることは現実的にできな
い。その結果、この連結部でのショートが起きやすく、
信頼性の低下を誘発しやすい。他方、フォトレジストを
用いるフォトエッチングプロセスはその工程が多いた
め、生産単価が高く、液晶表示パネルの構造の極細の長
い電極・リードの一部にレジストに存在し得るピンホー
ルによりオープン不良が生じやすい。このオープン不良
は表示不能となり、重大欠陥であり、絶対避けるべきで
ある。このため、製造歩留まりが極端な場合、20〜30％
にしかならないこともある。
本発明は、本発明人の出願になる「特願昭59−211769
（昭和59年10月８日出願）光加工方法」をさらに改良し
たものである。
（昭和59年10月８日出願）光加工方法」をさらに改良し
たものである。
『問題を解決するための手段』 基板としては矩形例えばA4版、B5版等の長方形の透光
性基板とする。この周辺部の２〜5mmを除き、全面に透
明導電膜を形成した。この透光性基板の一片に平行また
は概略平行にレーザ光を用いて線状の開溝群を形成す
る。本発明は、照射光としてレジストプロセスを用いる
が、400nm以下（エネルギ的には3.1eV以上）の波長のパ
ルスレーザを照射し、30〜50μφのビームスポットでは
なく、50〜200μｍの巾（例えば150μｍ），長さ10〜60
cm例えば30cmの線状のパターンに同一箇所に一つまたは
数回のパルスを照射し、その線状のパターン全面を同時
に瞬間的に線加工する。
性基板とする。この周辺部の２〜5mmを除き、全面に透
明導電膜を形成した。この透光性基板の一片に平行また
は概略平行にレーザ光を用いて線状の開溝群を形成す
る。本発明は、照射光としてレジストプロセスを用いる
が、400nm以下（エネルギ的には3.1eV以上）の波長のパ
ルスレーザを照射し、30〜50μφのビームスポットでは
なく、50〜200μｍの巾（例えば150μｍ），長さ10〜60
cm例えば30cmの線状のパターンに同一箇所に一つまたは
数回のパルスを照射し、その線状のパターン全面を同時
に瞬間的に線加工する。
さらに初期の光として、本発明のエキシマレーザ光を
用いる。このため、初期の光の照射面は矩形を有し、強
さも照射面内で概略均一である。このため、光の巾を広
げるいわゆるビームエキスパンダで矩形の大面積化また
は長面積化する。その後、その一方のＸまたはＹ方向に
そって筒状の棒状レンズ即ちシリンドリカルレンズにて
スリット状にレーザ光を集光する。
用いる。このため、初期の光の照射面は矩形を有し、強
さも照射面内で概略均一である。このため、光の巾を広
げるいわゆるビームエキスパンダで矩形の大面積化また
は長面積化する。その後、その一方のＸまたはＹ方向に
そって筒状の棒状レンズ即ちシリンドリカルレンズにて
スリット状にレーザ光を集光する。
本発明においては球面収差があまり問題にならない10
0〜200μｍにまで集光せしめる。さらに単純マトリック
ス構成をするための電極・リード用に所定のパターン巾
例えば20μｍとするように被加工面より離れた位置にマ
スクを配設した。このマスクの端部の一方は100〜150μ
ｍの太めの巾とする。
0〜200μｍにまで集光せしめる。さらに単純マトリック
ス構成をするための電極・リード用に所定のパターン巾
例えば20μｍとするように被加工面より離れた位置にマ
スクを配設した。このマスクの端部の一方は100〜150μ
ｍの太めの巾とする。
その結果、このマスクのパターン形状により、例えば
100μｍ×30cmの巾に対し20μｍ×30cmの極細の開溝パ
ターンをその周辺部のエッヂを明確にて作り得る。この
端部の一方はこの20μの開溝に比べ太めの100〜150μｍ
の巾とする。かかる線状のパターンの１つの画素が例え
ば300μの場合、300μ毎にこの開溝を形成し開溝群と
し、残された部分を透明導電膜の電極・リード群とす
る。またパターンの一部をこの場合、100〜150μｍまで
の範囲で太めの巾にすることも可能となる。
100μｍ×30cmの巾に対し20μｍ×30cmの極細の開溝パ
ターンをその周辺部のエッヂを明確にて作り得る。この
端部の一方はこの20μの開溝に比べ太めの100〜150μｍ
の巾とする。かかる線状のパターンの１つの画素が例え
ば300μの場合、300μ毎にこの開溝を形成し開溝群と
し、残された部分を透明導電膜の電極・リード群とす
る。またパターンの一部をこの場合、100〜150μｍまで
の範囲で太めの巾にすることも可能となる。
『作用』 １回または数回のパルス光を同じ個所にマスクを通し
て照射することにより、線状の開溝を10〜60cm例えば30
cmの長さにわたって加工し、かつ開溝巾を球面収差の無
視できる10〜30μｍの極細の形状に作り得る。またYAG
レーザ光のＱスイッチ方式ではなく、パルス光のレーザ
光を用いるため尖端値の強さを精密に制御し得る。
て照射することにより、線状の開溝を10〜60cm例えば30
cmの長さにわたって加工し、かつ開溝巾を球面収差の無
視できる10〜30μｍの極細の形状に作り得る。またYAG
レーザ光のＱスイッチ方式ではなく、パルス光のレーザ
光を用いるため尖端値の強さを精密に制御し得る。
結果として下地基板であるガラス基板に対し、損傷を
与えることなくして被加工物例えばCTFのみのスリット
状開溝の選択除去が可能となる。同時にマスクと被加工
物との間を真空、クリーンエアまたは窒素を注入するこ
とにより、被加工物のレーザ光照射により生じる飛翔物
をマスク下面に付着させることなく、下方向に積極的に
落下せしめ、防ぐことができる。
与えることなくして被加工物例えばCTFのみのスリット
状開溝の選択除去が可能となる。同時にマスクと被加工
物との間を真空、クリーンエアまたは窒素を注入するこ
とにより、被加工物のレーザ光照射により生じる飛翔物
をマスク下面に付着させることなく、下方向に積極的に
落下せしめ、防ぐことができる。
また開溝を形成した後の被加工部に残る粉状の残差物
は、アルコール、アセトン等の洗浄液による超音波洗浄
で十分除去が可能であり、いわゆるレジストコート、被
加工物のエッチング、レジスト除去等の多くの工程がま
ったく不要となり、かつ公害材料の使用も不要となっ
た。
は、アルコール、アセトン等の洗浄液による超音波洗浄
で十分除去が可能であり、いわゆるレジストコート、被
加工物のエッチング、レジスト除去等の多くの工程がま
ったく不要となり、かつ公害材料の使用も不要となっ
た。
加えて、マスクは被加工物より離間しているため、マ
スクの損傷が少ない。また、マスクの配設された位置は
レーザ光が十分集光される以前のレーザ光であるため、
被加工物を加工するのには十分大きいエネルギ密度であ
ってもマスクにとってはまったく損傷を与えないエネル
ギ密度を選ぶことができる。
スクの損傷が少ない。また、マスクの配設された位置は
レーザ光が十分集光される以前のレーザ光であるため、
被加工物を加工するのには十分大きいエネルギ密度であ
ってもマスクにとってはまったく損傷を与えないエネル
ギ密度を選ぶことができる。
『実施例』 第１図にエキシマレーザを用いた本発明のレーザ加工
の系統図を記す。エキシマレーザ（１）（波長248nm,Eg
＝5.0eV）を用いた。すると、初期の光ビーム（20）は1
6mm×20mmを有し、効率３％であるため、350mJを有す
る。さらにこのビームをビームエキスパンダ（２）にて
長面積化または大面積化した、即ち16mm×300mmに拡大
した（第２図（21））。この装置に5.6×10-2mJ/mm2を
エネルギ密度で得た。
の系統図を記す。エキシマレーザ（１）（波長248nm,Eg
＝5.0eV）を用いた。すると、初期の光ビーム（20）は1
6mm×20mmを有し、効率３％であるため、350mJを有す
る。さらにこのビームをビームエキスパンダ（２）にて
長面積化または大面積化した、即ち16mm×300mmに拡大
した（第２図（21））。この装置に5.6×10-2mJ/mm2を
エネルギ密度で得た。
更に合成石英製のシリンドリカルレンズ（14）にて加
工面での開溝巾がマスクを用いない場合100μｍとなる
べく集光した。石英の板のマスク（３）を用いた。この
マスクの下側にクロム、MoSi2等の耐熱性遮光材
（３′）が選択的に設けられ、マスクを構成している。
ここで集光光（22−１）より選択的に一部の光（22−
２）を選び、被加工面（11）に照射している。
工面での開溝巾がマスクを用いない場合100μｍとなる
べく集光した。石英の板のマスク（３）を用いた。この
マスクの下側にクロム、MoSi2等の耐熱性遮光材
（３′）が選択的に設けられ、マスクを構成している。
ここで集光光（22−１）より選択的に一部の光（22−
２）を選び、被加工面（11）に照射している。
かくして長さ30cm、巾20μ及び端部の長さ10mm、巾10
0μのスリット状のビーム（22−２）を基板（10）上の
被加工物（11）に線状に照射し、加工を行い、開溝
（５）を形成した。
0μのスリット状のビーム（22−２）を基板（10）上の
被加工物（11）に線状に照射し、加工を行い、開溝
（５）を形成した。
被加工面として、矩形のガラス上の透明導電膜（Eg＝
3.5eV）を有する基板（10）に対し、エキシマレーザ（Q
uestec Inc.製）を用いた。この基板に対し、開溝形成
作業を１つの画素が300μｍの場合に300μ毎に一方の端
より他方の端に繰り返し行い、開溝群を形成した。
3.5eV）を有する基板（10）に対し、エキシマレーザ（Q
uestec Inc.製）を用いた。この基板に対し、開溝形成
作業を１つの画素が300μｍの場合に300μ毎に一方の端
より他方の端に繰り返し行い、開溝群を形成した。
パルス光はKrF248nmとした。なぜなら、その光学的エ
ネルギバンド巾が5.0eVであるため、十分光を吸収し、
透明導電膜のみを選択的に加工し得るからである。
ネルギバンド巾が5.0eVであるため、十分光を吸収し、
透明導電膜のみを選択的に加工し得るからである。
パルス巾20n秒、繰り返し周波数１〜100Hz、例えば10
Hz、または、被加工物はガラス基板上のCTF（透光性導
電膜）である酸化スズ（SnO2）を用いた。
Hz、または、被加工物はガラス基板上のCTF（透光性導
電膜）である酸化スズ（SnO2）を用いた。
この被膜に加工を行うと、１回のみの線状のパルス光
の照射でスリット（５）が完全に白濁化されCTFが微粉
末になった。アセトン水溶液にての超音波洗浄（周波数
29KHz）を約１〜10分行いこのCTFを除去した。下地のソ
ーダガラスはまったく損傷を受けていなかった。
の照射でスリット（５）が完全に白濁化されCTFが微粉
末になった。アセトン水溶液にての超音波洗浄（周波数
29KHz）を約１〜10分行いこのCTFを除去した。下地のソ
ーダガラスはまったく損傷を受けていなかった。
第２図は第１図におけるレーザビーム光の状態を解説
したものである。即ち、レーザ光より照射された状態は
第２図（Ａ）の矩形（20）となる。これがエキスパンダ
にて長さ方向に拡大（21）され、第２図（Ｂ）を得る。
さらにフォトマスクにより一部周辺（22−１）が除去さ
れ、極細の開溝（22−２）が第２図（Ｃ−１）・・・
（Ｃ−４）に示された如くに形成される。ビーム光（22
−１）の巾は100μｍとし、マスクで一部が遮光された
ビームの巾は（22−２）の20μｍとした。この時、単純
に中央部のみマスクで選択すると第２図（Ｃ−１）を得
る。また端部を太くすると第２図（Ｃ−２）を得る。こ
の図面は端部にはマスクがない場合である。端部を太く
しつつもこの太さ、形状をマスクで規定すると、第２図
（Ｃ−３）となる。第２図（Ｃ−３），（Ｃ−４）は第
２図（Ｃ−１），（Ｃ−２）に比べわかりやすくするた
め、図面を拡大してある。更に第２図（Ｃ−４）は１つ
の（22−２）と隣の開溝（22′−２）とを有し、それら
は太くした部分（23），（24）にて一部を互いに重なり
合わせて縦に連続させたものである。この（23），（2
4）の繰り返しにより、縦方向の開溝をも作ることが可
能となる。
したものである。即ち、レーザ光より照射された状態は
第２図（Ａ）の矩形（20）となる。これがエキスパンダ
にて長さ方向に拡大（21）され、第２図（Ｂ）を得る。
さらにフォトマスクにより一部周辺（22−１）が除去さ
れ、極細の開溝（22−２）が第２図（Ｃ−１）・・・
（Ｃ−４）に示された如くに形成される。ビーム光（22
−１）の巾は100μｍとし、マスクで一部が遮光された
ビームの巾は（22−２）の20μｍとした。この時、単純
に中央部のみマスクで選択すると第２図（Ｃ−１）を得
る。また端部を太くすると第２図（Ｃ−２）を得る。こ
の図面は端部にはマスクがない場合である。端部を太く
しつつもこの太さ、形状をマスクで規定すると、第２図
（Ｃ−３）となる。第２図（Ｃ−３），（Ｃ−４）は第
２図（Ｃ−１），（Ｃ−２）に比べわかりやすくするた
め、図面を拡大してある。更に第２図（Ｃ−４）は１つ
の（22−２）と隣の開溝（22′−２）とを有し、それら
は太くした部分（23），（24）にて一部を互いに重なり
合わせて縦に連続させたものである。この（23），（2
4）の繰り返しにより、縦方向の開溝をも作ることが可
能となる。
第３図、第４図は本発明の作成方法をさらに明らかに
するため図解したものである。第３図（Ａ）において矩
形の透光性基板（10）上に周辺部（13）を除き透明導電
膜（11）を全面に形成する。この周辺部（13）は例えば
スパッタ法で導電膜例えば酸化インジューム・スズ（IT
O）を形成する際、金属マスクの枠を設け、この枠内に
は被膜が形成されないようにする。
するため図解したものである。第３図（Ａ）において矩
形の透光性基板（10）上に周辺部（13）を除き透明導電
膜（11）を全面に形成する。この周辺部（13）は例えば
スパッタ法で導電膜例えば酸化インジューム・スズ（IT
O）を形成する際、金属マスクの枠を設け、この枠内に
は被膜が形成されないようにする。
次に、第３図（Ｂ−１），（Ｂ−２），（Ｂ−３）に
示される如く、基板（10）の一片（図面では左端）と平
行または概略平行に開溝（５），（５′）を形成する。
するとその残された部分が電極・リード（16）例えば
（16−１），（16−２），（16′−１）（16′−２）と
なる。
示される如く、基板（10）の一片（図面では左端）と平
行または概略平行に開溝（５），（５′）を形成する。
するとその残された部分が電極・リード（16）例えば
（16−１），（16−２），（16′−１）（16′−２）と
なる。
図面において、（16）は単純マトリックスを構成させ
るための電極・リード群であり、（24）は外部の周辺回
路と連結するための連結部である。
るための電極・リード群であり、（24）は外部の周辺回
路と連結するための連結部である。
第２図（Ｃ−２）または（Ｃ−３）に示される如く、
開溝（５′）は開溝（５）に比べ巾広に形成されてい
る。
開溝（５′）は開溝（５）に比べ巾広に形成されてい
る。
第３図（Ｂ−１）のＡ−Ａ′,B−Ｂ′の縦断面図を
（Ｂ−２），（Ｂ−３）に示す。
（Ｂ−２），（Ｂ−３）に示す。
第４図は第３図（Ｂ−１）のパネルとこの電極・リー
ドと直交して設けられた他の電極・リードとを互いに一
定の空隙を有して対抗してはりあわせたものである。
ドと直交して設けられた他の電極・リードとを互いに一
定の空隙を有して対抗してはりあわせたものである。
図面において、一対の基板（１），（１′）その内側
にマトリックス構成をした電極・リード（17），（1
6），周辺部の封止用有機樹脂（６）よりなる。
にマトリックス構成をした電極・リード（17），（1
6），周辺部の封止用有機樹脂（６）よりなる。
さらに透明導電膜の連結部（24）はフレキシブルリー
ド板（31）と電気的にハンダボール（33−１），（33−
２）（有機樹脂中に微少個ボールを有し、加熱をさせる
ことにより連続部とリードとを連結させる）により電極
・リード（16−１），（16−２）より延在した連結部
（16′−１），（16′−２）と（31−１），（31−２）
とを連結させる。この時樹脂中にランダムに分布してい
るハンダホールが隣あったリードがショートしないよ
う、即ち（35）が20〜50μの間隙を有するように連結部
（24）の間隙（５′）を太めにすることはきわめて重要
である。第４図において（Ａ）のＡ−Ａ′の縦断面を
（Ｂ）に示す。
ド板（31）と電気的にハンダボール（33−１），（33−
２）（有機樹脂中に微少個ボールを有し、加熱をさせる
ことにより連続部とリードとを連結させる）により電極
・リード（16−１），（16−２）より延在した連結部
（16′−１），（16′−２）と（31−１），（31−２）
とを連結させる。この時樹脂中にランダムに分布してい
るハンダホールが隣あったリードがショートしないよ
う、即ち（35）が20〜50μの間隙を有するように連結部
（24）の間隙（５′）を太めにすることはきわめて重要
である。第４図において（Ａ）のＡ−Ａ′の縦断面を
（Ｂ）に示す。
「効果」 本発明により多数のスリット状開溝を作製する場合、
例えば320μｍ間隔にて20μの巾及び100μｍの巾の間隔
を640本製造すると30Hz/パルスならば、0.6分で可能と
なった。その結果、従来のマスクアライン方式でフォト
レジストを用いてパターニングを行う場合に比べて、工
程数が７工程より２工程（光照射、洗浄）となり、かつ
全作業時間も５分〜10分とすることができて、多数の直
線状開溝を作る場合にきわめて低コスト、高生産性を図
ることができた。
例えば320μｍ間隔にて20μの巾及び100μｍの巾の間隔
を640本製造すると30Hz/パルスならば、0.6分で可能と
なった。その結果、従来のマスクアライン方式でフォト
レジストを用いてパターニングを行う場合に比べて、工
程数が７工程より２工程（光照射、洗浄）となり、かつ
全作業時間も５分〜10分とすることができて、多数の直
線状開溝を作る場合にきわめて低コスト、高生産性を図
ることができた。
即ち、本発明は被加工面より十分離れた位置にフォト
マスクを配設して用い、かつ被加工面に密着してフォト
レジストを用いない方式であるため、マスクの寿命が長
い。フォトレジストのコート（塗布），プリベーク、露
光、エッチング、剥離等の工程がない。A4判のパネルを
作るのにフォトエッチング方式においては約3000円の加
工費（月産5Kのパネルの場合）かかったが、これを約10
00円で処理することが可能となった。加えて電極・リー
ドのオープン不良を皆無にすることが可能となった。
マスクを配設して用い、かつ被加工面に密着してフォト
レジストを用いない方式であるため、マスクの寿命が長
い。フォトレジストのコート（塗布），プリベーク、露
光、エッチング、剥離等の工程がない。A4判のパネルを
作るのにフォトエッチング方式においては約3000円の加
工費（月産5Kのパネルの場合）かかったが、これを約10
00円で処理することが可能となった。加えて電極・リー
ドのオープン不良を皆無にすることが可能となった。
また、本発明の光学系において、ビームエキスパンダ
と被加工面との間に光学系をより高精度とするため、イ
ンテグレータ，コンデンサレンズおよび投影レンズを平
行に挿入してもよい。
と被加工面との間に光学系をより高精度とするため、イ
ンテグレータ，コンデンサレンズおよび投影レンズを平
行に挿入してもよい。
第１図は本発明を実施するための光加工方法の概要を示
す。 第２図は光のパターンの変化を示す。 第３図及び第４図は本発明方法の工程およびその完成図
を示す。
す。 第２図は光のパターンの変化を示す。 第３図及び第４図は本発明方法の工程およびその完成図
を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−94482（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−191639（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−95978（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−83080（ＪＰ，Ｕ)
Claims (3)
- 【請求項１】400nm以下の波長のパルスレーザ光を、ビ
ームエキスパンダにて大面積化し、シリンドリカルレン
ズにより直線状断面を有するパルス光とし、 フォトレジストを伴わない被照射面に対し、被照射面よ
り離間し、かつ前記パルス光によって損傷を受けない位
置にマスクを配置し、前記パルス光を前記マスクを透過
させて直接被照射面に照射することを特徴とする光加工
方法。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、被照射面
はガラス基板よりなり、その上に導電膜が形成されてお
り、該導電膜は酸化スズ、酸化インジューム・スズ、酸
化インジュームまたは酸化亜鉛より選ばれた透光性導電
膜よりなることを特徴とする光加工方法。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項において、被照射面
はガラス基板またはセラミック基板よりなり、その上に
導電膜が形成されており、該導電膜はクロム、モリブデ
ン、アルミニューム、ニッケルまたはそれらの多層構造
薄膜よりなることを特徴とする光加工方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186202A JP2654566B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光加工方法 |
| US07/082,545 US4786358A (en) | 1986-08-08 | 1987-08-07 | Method for forming a pattern of a film on a substrate with a laser beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186202A JP2654566B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6342364A JPS6342364A (ja) | 1988-02-23 |
| JP2654566B2 true JP2654566B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=16184161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61186202A Expired - Lifetime JP2654566B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2654566B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4465954B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2010-05-26 | ソニー株式会社 | 透明導電膜を有する表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5794482A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-11 | Hitachi Ltd | Pattern forming device by laser |
| JPS59191639A (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-30 | Fujitsu Ltd | 座標入力パネル |
| JPH0638512B2 (ja) * | 1983-10-31 | 1994-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換半導体装置 |
| JPS6183080U (ja) * | 1984-11-07 | 1986-06-02 |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61186202A patent/JP2654566B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6342364A (ja) | 1988-02-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |