JPH09152618A - 平板状表示パネルの製造方法 - Google Patents
平板状表示パネルの製造方法Info
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- JPH09152618A JPH09152618A JP31336295A JP31336295A JPH09152618A JP H09152618 A JPH09152618 A JP H09152618A JP 31336295 A JP31336295 A JP 31336295A JP 31336295 A JP31336295 A JP 31336295A JP H09152618 A JPH09152618 A JP H09152618A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 極めて容易且つ精緻な配線パターンを有する
電極を形成することを可能とし、製造時において透明電
極膜下の基板に与えるダメージを抑えて安価のプラスチ
ック材よりなる基板を用いることを可能とするととも
に、近時の要請である平板状表示パネルの大画面化及び
高精細化の実現を図る。 【解決手段】 モニターＴＶ５２にて透明電極膜３１上
を観察しながら、対物レンズ４５において透明電極膜３
１上にレーザ光を所定のスポット径に集光させ、透明電
極膜３１をＸ−Ｙステージ４６上において所定のスポッ
ト走査速度で移動させることにより、透明電極膜３１の
レーザ光が照射された部分が瞬時に溶発（アブレーショ
ン）して除去され、当該透明電極膜３１に所定のパター
ニングを施す。
電極を形成することを可能とし、製造時において透明電
極膜下の基板に与えるダメージを抑えて安価のプラスチ
ック材よりなる基板を用いることを可能とするととも
に、近時の要請である平板状表示パネルの大画面化及び
高精細化の実現を図る。 【解決手段】 モニターＴＶ５２にて透明電極膜３１上
を観察しながら、対物レンズ４５において透明電極膜３
１上にレーザ光を所定のスポット径に集光させ、透明電
極膜３１をＸ−Ｙステージ４６上において所定のスポッ
ト走査速度で移動させることにより、透明電極膜３１の
レーザ光が照射された部分が瞬時に溶発（アブレーショ
ン）して除去され、当該透明電極膜３１に所定のパター
ニングを施す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、それぞれ透明電極
が設けられた一対のパネルが液晶層を介して接着固定さ
れてなる平板状表示パネルの製造方法に関する。
が設けられた一対のパネルが液晶層を介して接着固定さ
れてなる平板状表示パネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、平板状表示パネルの代表的なも
のとしては、電気光学材料として液晶を用いた画像表示
装置に用いる液晶パネルがある。この液晶パネルは、そ
れぞれガラス材よりなる基板上に透明電極が形成されて
なる一対の第１，第２のパネルがスペーサを介して対向
配置され、スペーサ位置やスペーサ自身に有機接着剤が
塗布され接着固定されて、各パネル間に液晶層が挿入さ
れたかたちの構造を有している。上記透明電極は、液晶
層内の液晶を配向させるために所定の配線パターン、例
えば格子状パターンに加工形成されている。
のとしては、電気光学材料として液晶を用いた画像表示
装置に用いる液晶パネルがある。この液晶パネルは、そ
れぞれガラス材よりなる基板上に透明電極が形成されて
なる一対の第１，第２のパネルがスペーサを介して対向
配置され、スペーサ位置やスペーサ自身に有機接着剤が
塗布され接着固定されて、各パネル間に液晶層が挿入さ
れたかたちの構造を有している。上記透明電極は、液晶
層内の液晶を配向させるために所定の配線パターン、例
えば格子状パターンに加工形成されている。
【０００３】この透明電極を形成するに際しては、先
ず、上記透明基板上に樹脂層等を介して、酸化スズと酸
化インジウムとの混合物を材料としてスパッタ法や真空
蒸着法等の真空薄膜形成技術により透明電極膜（ＩＴＯ
膜）を成膜する。
ず、上記透明基板上に樹脂層等を介して、酸化スズと酸
化インジウムとの混合物を材料としてスパッタ法や真空
蒸着法等の真空薄膜形成技術により透明電極膜（ＩＴＯ
膜）を成膜する。
【０００４】続いて、上記透明電極膜上にレジスト剤を
塗布してレジスト層を形成し、このレジスト層にフォト
リソグラフィー技術により露光や現像等のパターニング
処理を施して所定形状を有するレジストマスクを形成す
る。
塗布してレジスト層を形成し、このレジスト層にフォト
リソグラフィー技術により露光や現像等のパターニング
処理を施して所定形状を有するレジストマスクを形成す
る。
【０００５】次いで、上記透明電極膜上に硝酸系等の薬
液を用いたウェットエッチング或はプラズマイオンエッ
チング等のドライエッチングを施すことにより、上記レ
ジストマスクに倣って所定の配線パターンをもつ透明電
極が形成される。
液を用いたウェットエッチング或はプラズマイオンエッ
チング等のドライエッチングを施すことにより、上記レ
ジストマスクに倣って所定の配線パターンをもつ透明電
極が形成される。
【０００６】そして、形成された透明電極上の上記レジ
ストマスクに溶剤を用いた溶解処理を施すことによって
当該レジストマスクを剥離除去する。
ストマスクに溶剤を用いた溶解処理を施すことによって
当該レジストマスクを剥離除去する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
如き透明電極の形成方法には、以下に示すようないくつ
かの問題点がある。
如き透明電極の形成方法には、以下に示すようないくつ
かの問題点がある。
【０００８】１）上述のようにレジスト剤を用いたフォ
トリソグラフィー工程、エッチング工程、及び剥離工程
からなるフォトエッチング法を行う場合、フォトリソグ
ラフィー工程だけでもパターン露光や現像等の煩雑で冗
長な一連の各過程を経る必要があり、しかも各工程にお
いて厳密な制御を要する。さらに、パターン露光等を除
く各工程（過程）において薬液を使用する必要があり、
これらの薬液は環境保護上、有害危険なものが多い。
トリソグラフィー工程、エッチング工程、及び剥離工程
からなるフォトエッチング法を行う場合、フォトリソグ
ラフィー工程だけでもパターン露光や現像等の煩雑で冗
長な一連の各過程を経る必要があり、しかも各工程にお
いて厳密な制御を要する。さらに、パターン露光等を除
く各工程（過程）において薬液を使用する必要があり、
これらの薬液は環境保護上、有害危険なものが多い。
【０００９】２）エッチング工程においてウェットエッ
チングを行う場合、硝酸等の薬液を用いるために薬液状
態の厳密な管理が必要であるとともに、エッチングの制
御が困難であり、またエッチングが等方的に進行するた
めにμｍオーダーの微細パターンの形成には不向きであ
る。さらに、上記透明電極膜の下地基板が上述のように
ガラス基板ならばよいが、コスト面で有利なプラスチッ
ク材料よりなる基板を用いた場合では、エッチング時の
薬液による深刻なダメージを避けることは困難である。
チングを行う場合、硝酸等の薬液を用いるために薬液状
態の厳密な管理が必要であるとともに、エッチングの制
御が困難であり、またエッチングが等方的に進行するた
めにμｍオーダーの微細パターンの形成には不向きであ
る。さらに、上記透明電極膜の下地基板が上述のように
ガラス基板ならばよいが、コスト面で有利なプラスチッ
ク材料よりなる基板を用いた場合では、エッチング時の
薬液による深刻なダメージを避けることは困難である。
【００１０】一方、ドライエッチングを行う場合、適切
なエッチングガスが現在見つからず、模索途中の現状に
ある。しかも、エッチングガスも有害危険なものが多い
ために環境衛生上好ましいとは言い難い。
なエッチングガスが現在見つからず、模索途中の現状に
ある。しかも、エッチングガスも有害危険なものが多い
ために環境衛生上好ましいとは言い難い。
【００１１】そこで本発明は、上述の課題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、極めて容易
且つ精緻な配線パターンを有する電極を形成することを
可能とし、製造時において透明電極膜下の基板に与える
ダメージを抑えて安価のプラスチック材よりなる基板を
用いることを可能とするとともに、近時の要請である平
板状表示パネルの大画面化及び高精細化の実現を図るこ
ともできる平板状表示パネルの製造方法を提供すること
にある。
れたものであり、その目的とするところは、極めて容易
且つ精緻な配線パターンを有する電極を形成することを
可能とし、製造時において透明電極膜下の基板に与える
ダメージを抑えて安価のプラスチック材よりなる基板を
用いることを可能とするとともに、近時の要請である平
板状表示パネルの大画面化及び高精細化の実現を図るこ
ともできる平板状表示パネルの製造方法を提供すること
にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の対象とするもの
は、基板上に所定の配線パターンを有する電極が配設さ
れるとともに、当該電極上に液晶層が設けられてなる平
板状表示パネルを製造する方法である。
は、基板上に所定の配線パターンを有する電極が配設さ
れるとともに、当該電極上に液晶層が設けられてなる平
板状表示パネルを製造する方法である。
【００１３】本発明の平板状表示パネルの製造方法は、
上記基板上に透明電極膜を成膜した後に、この透明電極
膜上にレーザ光を照射して走査することにより当該透明
電極膜のレーザ光照射部分を溶発（アブレーション）さ
せてパターニングを施し所定の配線パターンに上記電極
を形成する手法である。
上記基板上に透明電極膜を成膜した後に、この透明電極
膜上にレーザ光を照射して走査することにより当該透明
電極膜のレーザ光照射部分を溶発（アブレーション）さ
せてパターニングを施し所定の配線パターンに上記電極
を形成する手法である。
【００１４】このとき具体的には、上記レーザ光とし
て、ＹＡＧレーザの４倍高調波のレーザ光をμｍオーダ
ーのスポット径に集光させた集光ビーム照射光を用いる
ことが好適である。
て、ＹＡＧレーザの４倍高調波のレーザ光をμｍオーダ
ーのスポット径に集光させた集光ビーム照射光を用いる
ことが好適である。
【００１５】また、上記透明電極膜を酸化スズと酸化イ
ンジウムとの混合物を材料として成膜することが好まし
い。
ンジウムとの混合物を材料として成膜することが好まし
い。
【００１６】ここで特に、製造する上記平板状表示パネ
ルとしては、第１の基板上に複数の帯状の下部電極が各
々平行に配列してなる第１のパネルと、第２の基板上に
複数の帯状の上部電極が上記下部電極と直交して上記第
１のパネルと各々平行に配列してなる第２のパネルとを
備え、第１のパネルと第２のパネルとが液晶層を狭持し
て互いに各電極が対向するように配置されてなるものを
主な対象とする。
ルとしては、第１の基板上に複数の帯状の下部電極が各
々平行に配列してなる第１のパネルと、第２の基板上に
複数の帯状の上部電極が上記下部電極と直交して上記第
１のパネルと各々平行に配列してなる第２のパネルとを
備え、第１のパネルと第２のパネルとが液晶層を狭持し
て互いに各電極が対向するように配置されてなるものを
主な対象とする。
【００１７】この場合、各透明電極膜にそれぞれ所定の
線条パターニングを施して帯状の下部電極及び上部電極
を形成する。
線条パターニングを施して帯状の下部電極及び上部電極
を形成する。
【００１８】上述のように、本発明に係る平板状表示パ
ネルの製造方法においては、基板上に成膜された透明電
極膜にレーザ光を照射させ走査することにより、当該レ
ーザ光照射部分が溶発して微細なパターンの電極が精細
に形成される。このように、上記製造方法は、フォトリ
ソグラフィー工程、エッチング工程、及びレジスト剥離
工程からなるフォトエッチング法により所定パターンの
上記電極を形成する場合に比して、上記透明電極膜に直
接パターニングを施すために極めて簡易に電極形成が実
現することになる。
ネルの製造方法においては、基板上に成膜された透明電
極膜にレーザ光を照射させ走査することにより、当該レ
ーザ光照射部分が溶発して微細なパターンの電極が精細
に形成される。このように、上記製造方法は、フォトリ
ソグラフィー工程、エッチング工程、及びレジスト剥離
工程からなるフォトエッチング法により所定パターンの
上記電極を形成する場合に比して、上記透明電極膜に直
接パターニングを施すために極めて簡易に電極形成が実
現することになる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の平板状表示パネル
の具体的な実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明
する。
の具体的な実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明
する。
【００２０】この実施の形態における平板状表示パネル
は、図１に示すように、それぞれ透明電極である下部電
極１１及び上部電極１２を有する一対の第１のパネル１
と第２のパネル２とがスペーサ４を介して液晶層３を狭
持するとともに、最下層及び最上層に所定の偏光板６，
７が配されて構成されている。
は、図１に示すように、それぞれ透明電極である下部電
極１１及び上部電極１２を有する一対の第１のパネル１
と第２のパネル２とがスペーサ４を介して液晶層３を狭
持するとともに、最下層及び最上層に所定の偏光板６，
７が配されて構成されている。
【００２１】第１のパネル１は、ガラス材よりなる第１
の基板２１上に樹脂層２３を介して複数の帯状の透明表
示電極である下部電極１１が各々平行に配列され、下部
電極１１の一端部が駆動電圧が印加される駆動端とされ
て構成されている。
の基板２１上に樹脂層２３を介して複数の帯状の透明表
示電極である下部電極１１が各々平行に配列され、下部
電極１１の一端部が駆動電圧が印加される駆動端とされ
て構成されている。
【００２２】第２のパネル２は、ガラス材よりなる第２
の基板２２上に中間層５が形成され、さらに樹脂層２３
を介してを介して複数の帯状の透明対向電極である上部
電極１２が各々の下部電極１１と直交するようにそれぞ
れ平行に配列され、下部電極１２の一端部が駆動電圧が
印加される駆動端とされて構成されている。
の基板２２上に中間層５が形成され、さらに樹脂層２３
を介してを介して複数の帯状の透明対向電極である上部
電極１２が各々の下部電極１１と直交するようにそれぞ
れ平行に配列され、下部電極１２の一端部が駆動電圧が
印加される駆動端とされて構成されている。
【００２３】中間層５は、例えば、第２の基板２２上に
各上部電極１２に対応して形成されるＣｒ等を材料とす
る金属層と、当該金属層上に形成されるカーボン分散樹
脂よりなる樹脂層とを有し、各金属層及び樹脂層間に、
光の三原色Ｒ，Ｇ，Ｂを表すためのＲ着色層，Ｇ着色
層，及びＢ着色層よりなるカラーフィルタ層が各着色層
毎に順次埋設形成されて構成されており、各樹脂層が対
応する上部電極１２と電気的に接続されて当該上部電極
１２と上記金属層とが導通している。
各上部電極１２に対応して形成されるＣｒ等を材料とす
る金属層と、当該金属層上に形成されるカーボン分散樹
脂よりなる樹脂層とを有し、各金属層及び樹脂層間に、
光の三原色Ｒ，Ｇ，Ｂを表すためのＲ着色層，Ｇ着色
層，及びＢ着色層よりなるカラーフィルタ層が各着色層
毎に順次埋設形成されて構成されており、各樹脂層が対
応する上部電極１２と電気的に接続されて当該上部電極
１２と上記金属層とが導通している。
【００２４】ここで、上記カーボン分散樹脂は所定のネ
ガ型レジスト剤にカーボンが分散されてなるものであ
り、カラーフィルタ層を構成するＲ着色層，Ｇ着色層，
及びＢ着色層はそれぞれ赤色，緑色，及び青色の顔料分
散レジストを材料として形成されるものである。
ガ型レジスト剤にカーボンが分散されてなるものであ
り、カラーフィルタ層を構成するＲ着色層，Ｇ着色層，
及びＢ着色層はそれぞれ赤色，緑色，及び青色の顔料分
散レジストを材料として形成されるものである。
【００２５】また、金属層は各上部電極１２に対応して
形成されているために遮光率が高く各画素のブラック・
マスクとしても機能して開口率が向上するとともに、金
属層上にはカーボンを含有する樹脂層がされるために反
射率が低下することになる。
形成されているために遮光率が高く各画素のブラック・
マスクとしても機能して開口率が向上するとともに、金
属層上にはカーボンを含有する樹脂層がされるために反
射率が低下することになる。
【００２６】ここで、上記平板状表示パネルの製造方法
について説明する。
について説明する。
【００２７】先ず、図２に示すように、ガラス材或はプ
ラスチック材よりなる第１の基板２１の表面に、樹脂層
２３を介して、酸化スズ，酸化インジウム、或はこれら
の混合物を用いて透明電極膜３１をスパッタリング或は
真空蒸着等の真空薄膜形成技術により膜厚０．３μｍ程
度に成膜する。
ラスチック材よりなる第１の基板２１の表面に、樹脂層
２３を介して、酸化スズ，酸化インジウム、或はこれら
の混合物を用いて透明電極膜３１をスパッタリング或は
真空蒸着等の真空薄膜形成技術により膜厚０．３μｍ程
度に成膜する。
【００２８】続いて、透明電極膜３１にレーザ加工装置
を用いて以下に示すように直接パターニングを施す。
を用いて以下に示すように直接パターニングを施す。
【００２９】このレーザ加工装置は、図３に示すよう
に、ＹＡＧレーザ光を出射するレーザ光出射手段３２
と、当該レーザ光出射手段３２からレーザ光が照射され
る被照射物の位置を調整するための制御手段３３と、当
該被照射物の照射状態を観察するためのモニター手段３
４とから構成されている。
に、ＹＡＧレーザ光を出射するレーザ光出射手段３２
と、当該レーザ光出射手段３２からレーザ光が照射され
る被照射物の位置を調整するための制御手段３３と、当
該被照射物の照射状態を観察するためのモニター手段３
４とから構成されている。
【００３０】上記レーザ光出射手段３２は、ＹＡＧレー
ザの代表的な波長である１．０６４１μｍの１／４の２
６６ｎｍである波長をもつ４倍高調波のレーザ光を連続
発振光として発振させるＹＡＧ４倍高調波レーザ発振器
４１と、例えば音響光学変換素子（ＡＯＭ）により後述
の信号波形発生ユニット４７から与えられる電気パルス
信号により当該ＹＡＧ４倍高調波レーザ発振器４１から
出射されたレーザ光を高速変調して１次回折光を取り出
す光変調ユニット４２と、レーザ光のスポット径を数ｍ
ｍに可変拡大するビームエキスパンダ４３と、レーザ光
を反射させる半透過型のレーザミラー４４と、波長２６
６ｎｍの光において最良の結像性能を有するとともに、
この波長から可視域に渡って色収差補正が施されてお
り、当該レーザミラー４４からの反射光を被照射物上に
おいてμｍオーダーのスポット径をもつ集光ビーム照射
光に集光する対物レンズ４５とから構成されている。
ザの代表的な波長である１．０６４１μｍの１／４の２
６６ｎｍである波長をもつ４倍高調波のレーザ光を連続
発振光として発振させるＹＡＧ４倍高調波レーザ発振器
４１と、例えば音響光学変換素子（ＡＯＭ）により後述
の信号波形発生ユニット４７から与えられる電気パルス
信号により当該ＹＡＧ４倍高調波レーザ発振器４１から
出射されたレーザ光を高速変調して１次回折光を取り出
す光変調ユニット４２と、レーザ光のスポット径を数ｍ
ｍに可変拡大するビームエキスパンダ４３と、レーザ光
を反射させる半透過型のレーザミラー４４と、波長２６
６ｎｍの光において最良の結像性能を有するとともに、
この波長から可視域に渡って色収差補正が施されてお
り、当該レーザミラー４４からの反射光を被照射物上に
おいてμｍオーダーのスポット径をもつ集光ビーム照射
光に集光する対物レンズ４５とから構成されている。
【００３１】上記制御手段３３は、対物レンズ４５によ
り所定のスポット径に集光されたレーザ光が照射される
被照射物が載置固定されるとともに、当該被照射物に対
するレーザ光の照射位置を水平面内にて調節自在なＸ−
Ｙステージ４６と、光変調ユニット４２に所定の電気パ
ルス信号を与える信号波形発生ユニット４７と、Ｘ−Ｙ
ステージ４６に載置固定された被照射物のレーザ光照射
位置を制御するとともに、信号波形発生ユニット４７に
おける電気パルス信号を制御するコンピュータ４８とか
ら構成されている。
り所定のスポット径に集光されたレーザ光が照射される
被照射物が載置固定されるとともに、当該被照射物に対
するレーザ光の照射位置を水平面内にて調節自在なＸ−
Ｙステージ４６と、光変調ユニット４２に所定の電気パ
ルス信号を与える信号波形発生ユニット４７と、Ｘ−Ｙ
ステージ４６に載置固定された被照射物のレーザ光照射
位置を制御するとともに、信号波形発生ユニット４７に
おける電気パルス信号を制御するコンピュータ４８とか
ら構成されている。
【００３２】上記モニター手段３４は、上記被照射物上
に所定の照度の可視光を与える照射ユニット４９と、レ
ーザミラー４４を透過した当該被照射物表面からの照射
ユニット４９による反射光を結像させるリレーレンズ５
０と、当該リレーレンズ５０により上記反射光が結像さ
れる撮像素子５１と、上記被照射物の表面における照射
状態を観察するためのモニターＴＶ５２とから構成され
ている。
に所定の照度の可視光を与える照射ユニット４９と、レ
ーザミラー４４を透過した当該被照射物表面からの照射
ユニット４９による反射光を結像させるリレーレンズ５
０と、当該リレーレンズ５０により上記反射光が結像さ
れる撮像素子５１と、上記被照射物の表面における照射
状態を観察するためのモニターＴＶ５２とから構成され
ている。
【００３３】このレーザ加工装置を用いて透明電極膜３
１にパターニングを施すには、先ず、表面に透明電極膜
３１が成膜された第１の基板２１をＸ−Ｙステージ４６
上に載置固定する。
１にパターニングを施すには、先ず、表面に透明電極膜
３１が成膜された第１の基板２１をＸ−Ｙステージ４６
上に載置固定する。
【００３４】次いで、ＹＡＧ４倍高調波レーザ発振器４
１からレーザ光を出射させる。このとき、光変調ユニッ
ト４２によりＹＡＧ４倍高調波レーザ発振器４１のオン
／オフ、照射パルス周波数、デューティが制御される。
また、ビームエキスパンダ４３により拡大倍率が設定さ
れて対物レンズ４５へ入射する集光ビーム照射光のビー
ム径が調節され、実効的な開口率（ＮＡ）が変化して透
明電極膜３１上におけるレーザ光のスポット径が制御さ
れる。さらに、コンピュータ４８によりレーザ光の照射
パワー密度及び透明電極膜３１上におけるスポット走査
速度が制御されてレーザ加工条件が制御される。
１からレーザ光を出射させる。このとき、光変調ユニッ
ト４２によりＹＡＧ４倍高調波レーザ発振器４１のオン
／オフ、照射パルス周波数、デューティが制御される。
また、ビームエキスパンダ４３により拡大倍率が設定さ
れて対物レンズ４５へ入射する集光ビーム照射光のビー
ム径が調節され、実効的な開口率（ＮＡ）が変化して透
明電極膜３１上におけるレーザ光のスポット径が制御さ
れる。さらに、コンピュータ４８によりレーザ光の照射
パワー密度及び透明電極膜３１上におけるスポット走査
速度が制御されてレーザ加工条件が制御される。
【００３５】続いて、モニターＴＶ５２にて透明電極膜
３１上を観察しながら、対物レンズ４５において透明電
極膜３１上にレーザ光を所定のスポット径に集光させ、
透明電極膜３１をＸ−Ｙステージ４６上において所定の
スポット走査速度で移動させることにより、透明電極膜
３１の集光ビーム照射光が照射された部分が瞬時に溶発
（アブレーション）して除去され、当該透明電極膜３１
に所定のパターニングが施される。
３１上を観察しながら、対物レンズ４５において透明電
極膜３１上にレーザ光を所定のスポット径に集光させ、
透明電極膜３１をＸ−Ｙステージ４６上において所定の
スポット走査速度で移動させることにより、透明電極膜
３１の集光ビーム照射光が照射された部分が瞬時に溶発
（アブレーション）して除去され、当該透明電極膜３１
に所定のパターニングが施される。
【００３６】具体的に、集光ビーム照射光のスポット径
を約３μｍ、照射パワー密度を約１．５ＭＷ／ｃｍ2 、
照射パルス周波数を５０ｋＨｚ、デューティを５％、ス
ポット走査速度を０．１ｍｍ／秒に設定した場合、Ｘ−
Ｙステージ４６による単一の直線走査によって線幅が約
２μｍの線条パターンに透明電極膜３１に除去加工が施
され、所定の帯状の下部電極１１が形成されることにな
る。
を約３μｍ、照射パワー密度を約１．５ＭＷ／ｃｍ2 、
照射パルス周波数を５０ｋＨｚ、デューティを５％、ス
ポット走査速度を０．１ｍｍ／秒に設定した場合、Ｘ−
Ｙステージ４６による単一の直線走査によって線幅が約
２μｍの線条パターンに透明電極膜３１に除去加工が施
され、所定の帯状の下部電極１１が形成されることにな
る。
【００３７】なお、第２の基板２２上における上部電極
１２は、上記下部電極１１と同様に、ＹＡＧレーザ光を
用いてパターニングされ、中間層５上に樹脂層２３を介
して形成されることになる。
１２は、上記下部電極１１と同様に、ＹＡＧレーザ光を
用いてパターニングされ、中間層５上に樹脂層２３を介
して形成されることになる。
【００３８】そして、上述の如く各電極１１，１２が作
製された第１のパネル１と第２のパネル２とを、互いに
透明電極である下部電極１１及び上部電極１２を対向さ
せてスペーサ４により所定の離間距離を保って液晶層３
を狭持するように突き合せて接着固定し、最下層及び最
上層にそれぞれ所定の偏光板６，７を配することによ
り、上記図１に示す平板状表示パネルが完成する。
製された第１のパネル１と第２のパネル２とを、互いに
透明電極である下部電極１１及び上部電極１２を対向さ
せてスペーサ４により所定の離間距離を保って液晶層３
を狭持するように突き合せて接着固定し、最下層及び最
上層にそれぞれ所定の偏光板６，７を配することによ
り、上記図１に示す平板状表示パネルが完成する。
【００３９】このように、本実施の形態に係る平板状表
示パネルの製造方法においては、第１の基板２１及び第
２の基板２２上に成膜された各透明電極膜３１にレーザ
光を照射させ走査することにより、当該レーザ光照射部
分が溶発して微細なパターンの電極（下部電極１１及び
上部電極１２）が精細に形成される。このように、上記
製造方法は、フォトリソグラフィー工程、エッチング工
程、及びレジスト剥離工程からなるフォトエッチング法
により所定パターンの上記電極を形成する場合に比し
て、透明電極膜３１に直接パターニングを施すために極
めて簡易に電極形成が実現することになる。
示パネルの製造方法においては、第１の基板２１及び第
２の基板２２上に成膜された各透明電極膜３１にレーザ
光を照射させ走査することにより、当該レーザ光照射部
分が溶発して微細なパターンの電極（下部電極１１及び
上部電極１２）が精細に形成される。このように、上記
製造方法は、フォトリソグラフィー工程、エッチング工
程、及びレジスト剥離工程からなるフォトエッチング法
により所定パターンの上記電極を形成する場合に比し
て、透明電極膜３１に直接パターニングを施すために極
めて簡易に電極形成が実現することになる。
【００４０】この場合、製造時において透明電極膜３１
下の各基板２１，２２に与えるダメージが極めて小さい
ために、安価のプラスチック材よりなる基板を用いるこ
とが可能となるとともに、近時の要請である平板状表示
パネルの大画面化及び高精細化の実現を図ることもでき
る。
下の各基板２１，２２に与えるダメージが極めて小さい
ために、安価のプラスチック材よりなる基板を用いるこ
とが可能となるとともに、近時の要請である平板状表示
パネルの大画面化及び高精細化の実現を図ることもでき
る。
【００４１】変形例 ここで、本実施の形態に係る平板状表示パネルの製造方
法に変形例について説明する。
法に変形例について説明する。
【００４２】この変形例の製造方法は、本実施の形態の
それと同様に、所定のＹＡＧレーザ光を用いて各電極１
１，１２をパターニング形成する手法であるが、その際
に用いるレーザ加工装置が異なる点で相違する。なお、
本実施の形態に示したレーザ加工装置において同一の構
成要素等については同符号を記して説明を省略する。上
記実施の形態においては、透明電極膜３１が成膜された
第１の基板２１をＸ−Ｙステージ４６上にて移動させ、
透明電極膜３１にてレーザ光のスポットを相対的に走査
させる例を示したが、この変形例においては、上記実施
の形態の場合と異なり、Ｘ−Ｙステージ４６の第１の基
板２１を移動させずにレーザ光を直接走査させる。
それと同様に、所定のＹＡＧレーザ光を用いて各電極１
１，１２をパターニング形成する手法であるが、その際
に用いるレーザ加工装置が異なる点で相違する。なお、
本実施の形態に示したレーザ加工装置において同一の構
成要素等については同符号を記して説明を省略する。上
記実施の形態においては、透明電極膜３１が成膜された
第１の基板２１をＸ−Ｙステージ４６上にて移動させ、
透明電極膜３１にてレーザ光のスポットを相対的に走査
させる例を示したが、この変形例においては、上記実施
の形態の場合と異なり、Ｘ−Ｙステージ４６の第１の基
板２１を移動させずにレーザ光を直接走査させる。
【００４３】ここで用いるレーザ加工装置は、図４に示
すように、ビームエキスパンダ４３からのレーザ光を偏
光走査するポリゴンミラー６１（ガルバノミラー等も使
用可）と、当該ポリゴンミラー６１からのレーザ光を等
速直線走査に変換するＦθレンズ６２を有して構成され
ている。
すように、ビームエキスパンダ４３からのレーザ光を偏
光走査するポリゴンミラー６１（ガルバノミラー等も使
用可）と、当該ポリゴンミラー６１からのレーザ光を等
速直線走査に変換するＦθレンズ６２を有して構成され
ている。
【００４４】この場合、Ｆθレンズ６２からのレーザ光
が等速直線走査されてレーザミラー４４を透過して対物
レンズ４５に入射し、所定のスポット径とされて透明電
極膜３１上に照射されるとともに、ポリゴンミラー６１
により透明電極膜３１上をレーザ光が走査する。
が等速直線走査されてレーザミラー４４を透過して対物
レンズ４５に入射し、所定のスポット径とされて透明電
極膜３１上に照射されるとともに、ポリゴンミラー６１
により透明電極膜３１上をレーザ光が走査する。
【００４５】そして、透明電極膜３１のレーザ光が照射
された部分が瞬時に溶発（アブレーション）して除去さ
れ、当該透明電極膜３１にパターニングが施されること
になる。
された部分が瞬時に溶発（アブレーション）して除去さ
れ、当該透明電極膜３１にパターニングが施されること
になる。
【００４６】この場合も、上記実施の形態と同様に、第
１の基板２１及び第２の基板２２上に成膜された各透明
電極膜３１に集光ビーム照射光を照射させ走査すること
により、当該レーザ光照射部分が溶発して微細なパター
ンの電極（下部電極１１及び上部電極１２）が精細に形
成される。このように、上記製造方法は、フォトリソグ
ラフィー工程、エッチング工程、及びレジスト剥離工程
からなるフォトエッチング法により所定パターンの上記
電極を形成する場合に比して、透明電極膜３１に直接パ
ターニングを施すために極めて簡易に電極形成が実現す
ることになる。
１の基板２１及び第２の基板２２上に成膜された各透明
電極膜３１に集光ビーム照射光を照射させ走査すること
により、当該レーザ光照射部分が溶発して微細なパター
ンの電極（下部電極１１及び上部電極１２）が精細に形
成される。このように、上記製造方法は、フォトリソグ
ラフィー工程、エッチング工程、及びレジスト剥離工程
からなるフォトエッチング法により所定パターンの上記
電極を形成する場合に比して、透明電極膜３１に直接パ
ターニングを施すために極めて簡易に電極形成が実現す
ることになる。
【００４７】この場合、製造時において透明電極膜３１
下の各基板２１，２２に与えるダメージが極めて小さい
ために、安価のプラスチック材よりなる基板を用いるこ
とが可能となるとともに、近時の要請である平板状表示
パネルの大画面化及び高精細化の実現を図ることもでき
る。
下の各基板２１，２２に与えるダメージが極めて小さい
ために、安価のプラスチック材よりなる基板を用いるこ
とが可能となるとともに、近時の要請である平板状表示
パネルの大画面化及び高精細化の実現を図ることもでき
る。
【００４８】
【発明の効果】本発明の平板状表示パネルの製造方法に
よれば、極めて容易且つ精緻な配線パターンを有する電
極を形成することが可能となり、製造時において透明電
極膜下の基板に与えるダメージを抑えて安価のプラスチ
ック材よりなる基板を用いることが可能となるととも
に、近時の要請である平板状表示パネルの大画面化及び
高精細化の実現を図ることもできる。
よれば、極めて容易且つ精緻な配線パターンを有する電
極を形成することが可能となり、製造時において透明電
極膜下の基板に与えるダメージを抑えて安価のプラスチ
ック材よりなる基板を用いることが可能となるととも
に、近時の要請である平板状表示パネルの大画面化及び
高精細化の実現を図ることもできる。
【図１】本実施の形態における平板状表示パネルを模式
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【図２】第１の基板上に樹脂層を介して透明電極膜が成
膜された様子を模式的に示す断面図である。
膜された様子を模式的に示す断面図である。
【図３】本実施の形態において、透明電極膜に直接パタ
ーニングを施して下部電極及び上部電極を形成するため
のレーザ加工装置を示す模式図である。
ーニングを施して下部電極及び上部電極を形成するため
のレーザ加工装置を示す模式図である。
【図４】変形例において、透明電極膜に直接パターニン
グを施して下部電極及び上部電極を形成するためのレー
ザ加工装置を示す模式図である。
グを施して下部電極及び上部電極を形成するためのレー
ザ加工装置を示す模式図である。
１ 第１のパネル ２ 第２のパネル ３ 液晶層 ４ スペーサ ５ 中間層 １１ 下部電極 １２ 上部電極 ２１ 第１の基板 ２２ 第２の基板 ３１ 透明電極膜 ３２ レーザ光出射手段 ３３ 制御手段 ３４ モニター手段 ４１ ＹＡＧ４倍高調波レーザ発振器 ４５ 対物レンズ ４６ Ｘ−Ｙステージ ５２ モニターＴＶ ６１ ポリゴンミラー ６２ Ｆθレンズ
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に所定の配線パターンを有する電
極が配設されるとともに、当該電極上に液晶層が設けら
れてなる平板状表示パネルを製造するに際して、 上記基板上に透明電極膜を成膜した後に、この透明電極
膜上にレーザ光を照射して走査することにより当該透明
電極膜のレーザ光照射部分を溶発させてパターニングを
施して上記電極を形成することを特徴とする平板状表示
パネルの製造方法。 - 【請求項２】 平板状表示パネルが、第１の基板上に複
数の帯状の下部電極が各々平行に配列してなる第１のパ
ネルと、第２の基板上に複数の帯状の上部電極が上記下
部電極と直交して上記第１のパネルと各々平行に配列し
てなる第２のパネルとを備え、第１のパネルと第２のパ
ネルとが液晶層を狭持して互いに各電極が対向するよう
に配置されてなるものであり、 各透明電極膜にそれぞれ所定の線条パターニングを施し
て帯状の下部電極及び上部電極を形成することを特徴と
する請求項１記載の平板状表示パネルの製造方法。 - 【請求項３】 レーザ光をＹＡＧレーザの４倍高調波の
レーザ光を集光させた集光ビーム照射光とすることを特
徴とする請求項１記載の平板状表示パネルの製造方法。 - 【請求項４】 透明電極膜を酸化スズと酸化インジウム
との混合物を材料として成膜することを特徴とする請求
項１記載の平板状表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31336295A JPH09152618A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 平板状表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31336295A JPH09152618A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 平板状表示パネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09152618A true JPH09152618A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=18040351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31336295A Withdrawn JPH09152618A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 平板状表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09152618A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999036261A1 (en) * | 1998-01-20 | 1999-07-22 | Polaroid Corporation | Process for forming electrodes |
| JP2002544568A (ja) * | 1999-05-14 | 2002-12-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | アブレーション強化層 |
| JP2004153171A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Sony Corp | 透明導電膜のパターニング方法 |
| US6762124B2 (en) | 2001-02-14 | 2004-07-13 | Avery Dennison Corporation | Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure |
| US7867907B2 (en) | 2006-10-17 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP31336295A patent/JPH09152618A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999036261A1 (en) * | 1998-01-20 | 1999-07-22 | Polaroid Corporation | Process for forming electrodes |
| US7303809B2 (en) | 1998-01-20 | 2007-12-04 | 3M Innovative Properties Company | Process for forming electrodes |
| JP2002544568A (ja) * | 1999-05-14 | 2002-12-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | アブレーション強化層 |
| US6762124B2 (en) | 2001-02-14 | 2004-07-13 | Avery Dennison Corporation | Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure |
| USRE44071E1 (en) | 2001-02-14 | 2013-03-12 | Streaming Sales Llc | Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure |
| JP2004153171A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Sony Corp | 透明導電膜のパターニング方法 |
| US7867907B2 (en) | 2006-10-17 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030204 |