JP2004153171A - 透明導電膜のパターニング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1上の樹脂層2上に成膜された透明導電膜3に、マスク4を介してパターン成形されたレーザ光5を照射し、この透明導電膜3のこのレーザ光5照射部分をこの樹脂層2上から除去してパターニングするようにしたものである。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイや液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ等の多層薄膜上の透明電極に利用される透明導電膜のパターニング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
透明導電膜は、現在、フラットディスプレイの主流であるプラズマディスプレイや液晶ディスプレイなどのアレイ基板等の透明電極として採用されている。将来の表示デバイスとして開発が進められている電子ペーパーの分野でも透明電極として広く採用されており、その用途は拡大している。そして、ディスプレイの高精細化、低コスト化の競争は、近年より激しくなってきており、製造現場でもより高品質、高生産性が要求されている。
【0003】
透明導電膜は、通常、フォトリソグラフィー法によって、所望の形状にパターニングされる。図11にフォトリソグラフィー工程の各工程の断面構成図を示す。例えばガラス、プラスチック、シリコンウェハ等の基板101上に、ITO(indium tin oxides )膜、またはZnO膜等からなる透明導電膜3を真空成膜し、その上にレジスト層103を形成してなる多層薄膜(図11A)に対し、所定パターンを有するフォトマスク104を通して光を照射してレジスト層103を感光する(図11B)。そして、現像、ポストベークすることでフォトマスクパターンをレジスト層103に転写し(図11C)、エッチング法にて透明導電膜102のレジストで被覆されていない部分を除去し(図11D)、最後に残留レジスト層103を除去することで所望のパターンが得られる(図11E)。
【0004】
しかし、上述のフォトリソグラフィー工程は、コータディベローッパーなどの大型の装置が必要となり、製造コストの低減の妨げとなる。また、現像液などの薬液を大量に使用するため、環境保全の点でも問題となる。さらに、例えば反射・透過併用型の低温ポリシリコン液晶ディスプレイでは、TFT(thin film transistor)が設けられた基板の画素電極の透過部としてITO膜や、また反射膜としてAl膜などが用いられるが、それらのパターニングは同じパターン形状であってもレジストや現像液が異なるため、フォトリソグラフィー工程が2回必要となる。そこで、製造工程を簡略化するのに、レーザ光を用いて直接、透明導電膜、金属膜を加工する技術が提案されている(例えば、特許文献1を参照。)。
【0005】
【特許文献1】
特開2000−31463号公報( 第3−4頁)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、例えばガラス基板上に成膜されたITO膜をYAGレーザ等高エネルギーのレーザ光で加工すると、熱的な影響によりガラス基板にダメージを与える。そして、除去されたITO膜の飛沫が加工部周辺に付着するなどの問題が発生する。また、ITO膜の飛沫がガラス基板の表面に再付着することを防止するためにガラス基板を真空チャンバー内で加工する方法があるが、ガラス基板の大型化に伴い、真空チャンバーも必然的に大型となり、パターン加工前の真空引きとガラス基板を入れ替えるための大気開放に要する時間が長くなり、スループットの点で問題があった。
【0007】
さらに、透明導電膜の下層が、デバイスによっては、レーザ光の吸収率の異なる多層構造である場合があるが、樹脂層の光学特性によっては、レーザ光照射によって樹脂層がダメージを受ける場合がある。例えば、低温ポリシリコン液晶ディスプレイのカラーフィルタ基板は、顔料分散法などで形成されたブラックマトリクス上にスピンコータ等で塗布されたオーバーコート用の樹脂層、さらにその上にはスパッタリング法で成膜されたITO膜等の透明導電膜から構成される多層構造であるが、樹脂に顔料を分散させたブラックマトリクスはレーザ光の吸収率が高く、透明導電膜にレーザ光を照射したとき、透明導電膜を透過したレーザ光によってブラックマトリクスがダメージを受けることがある問題があった。
【0008】
また、デバイスの基板のエリアによって、アッテネータの角度を変えてレーザ光の照射エネルギー密度を可変する場合があるが、高精度に再現しないという問題がある。例えば、上述したカラーフィルタ基板でブラックマトリクスが有るところと無いところではレーザ光の吸収率が異なるため、レーザ光の照射エネルギー密度を可変する必要があるが、アッテネータを使用する方法では照射エネルギーの再現性がよくないという問題があった。
【0009】
斯かる点に鑑み、本発明は余分なフォトリソグラフィー工程を省略し高生産性を実現すると同時に高品質の多層薄膜を実現することができる透明導電膜のパターニング方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明透明導電膜のパターニング方法は、基板上の樹脂層上に成膜された透明導電膜に、マスクを介してパターン成形されたレーザ光を照射し、この透明導電膜のレーザ光照射部分をこの樹脂層から除去してパターニングするようにしたものである。
【0011】
斯かる本発明によれば、樹脂層上に成膜された透明導電膜にマスクを介してパターン形成されたレーザ光を照射することにより、透明導電膜のアブレーションと、透明導電膜及び樹脂層の線膨張係数の差による界面の歪と樹脂層表面のアブレーションによる気化とを利用して、透明導電膜を樹脂層から爆発的に離脱させて除去し、この透明導電膜を選択的にパターニングすることができる。
【0012】
本発明透明導電膜のパターニング方法は、基板上の樹脂層上に成膜された透明導電膜に、マスクを介してパターン成形されたレーザ光を照射し、この透明導電膜をこの樹脂層上から除去してパターニングする透明導電膜のパターニング方法において、局所排気を行う排気孔が開けられた局所排気手段の一面を、この基板上の樹脂層上に成膜された透明導電膜に極近接して設置して、この透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気をこの排気孔より排気することで、減圧雰囲気下でレーザ光を照射するようにしたものである。
【0013】
斯かる本発明によれば、局所排気手段の排気孔が開けられた一面をレーザ光が照射される透明導電膜に極近接して設置し、透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気をこの排気孔より排気し、減圧雰囲気下でこのレーザ光を照射するようにした場合、簡単な構成で透明導電膜のレーザ光照射面を減圧雰囲気にでき、レーザ光照射時の透明導電膜が樹脂層より離脱する際の昇華圧が高くなるので、加工に要する照射エネルギー低減できるとともに、レーザ光照射によって樹脂層より離脱し除去された飛沫を排気孔を通して除去することができる。
【0014】
本発明透明導電膜のパターニング方法は、基板上の樹脂層上に成膜された透明導電膜に、マスクを介してパターン成形されたレーザ光を照射し、この透明導電膜のレーザ光照射部分をこの樹脂層上から除去してパターニングする透明導電膜のパターニング方法において、局所排気を行う排気孔及びこの排気孔の内周側にガス導入を行うガス導入孔が開けられた局所排気・ガス導入手段の一面を、この基板上の樹脂層上に成膜された透明導電膜に極近接して設置して、この透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気をこの排気孔より排気し減圧雰囲気とし、さらにこのレーザ光照射直前にこのガス導入孔よりこの透明導電膜のレーザ光照射面に不活性ガスを導入し、レーザ光を照射するようにしたものである。
【0015】
斯かる本発明によれば、レーザ光照射直前に不活性ガスを導入することで排気孔の内周側のレーザ光照射面に不活性ガスが溜まる瞬間にレーザ光を照射でき、樹脂層より離脱し除去された飛沫をこの不活性ガスの粘性流によってこの排気孔を通して効率的に除去することができる。
【0016】
本発明透明導電膜のパターニング方法は、基板上の樹脂層上に成膜された透明導電膜に、マスクを介してパターン成形されたレーザ光を照射し、この透明導電膜のレーザ光照射部分をこの樹脂層上から除去してパターニングする透明導電膜のパターニング方法において、局所排気を行う排気孔及びこの排気孔の内周側にガス導入を行うガス導入孔が開けられた局所排気・ガス導入手段の一面を,この基板上の樹脂層上に成膜された透明導電膜に極近接して設置して、この透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気をこの排気孔より排気し減圧雰囲気とし、さらにこのレーザ光照射直前にこのガス導入孔よりこの透明導電膜のレーザ光照射面にこの透明導電膜との反応性ガスを導入し、レーザ光を照射するようにしたものである。
【0017】
斯かる本発明によれば、レーザ光が照射された透明導電膜と反応性ガスとの化学反応及びアブレーションとの相乗効果で透明導電膜の樹脂層からの離脱、除去が容易になり、かつ、このとき生成される透明導電膜と反応性ガスとの化合物及び離脱した透明導電膜の飛沫は粘性流によってこの排気孔を通して効率的に除去することができる。
【0018】
本発明透明導電膜のパターニング方法は、基板上の樹脂層上に成膜された透明導電膜とさらにその上に成膜された金属膜に、マスクを介しパターン成形されたレーザ光を照射し、この透明導電膜のレーザ光照射部分をその上に成膜された金属膜と共にこの樹脂層上から除去してこの透明導電膜及び金属膜を同時にパターニングするようにしたものである。
【0019】
斯かる本発明によれば、樹脂層上に成膜された透明導電膜とその上に成膜された金属膜にマスクを介してパターン形成されたレーザ光を照射することにより、金属膜が溶融・離脱するとともに下層の透明導電膜に熱的影響を与え、透明導電膜及び樹脂層の線膨張係数の差による界面の歪と樹脂層表面の熱的影響による気化とを利用して、透明導電膜を樹脂層から爆発的に離脱させて上層の金属膜とともに除去し、この透明導電膜を選択的にパターニングすることができる。
【0020】
本発明透明導電膜のパターニング方法は、基板上の第1の樹脂層上の第2の樹脂層のさらにその上に成膜された透明導電膜に、マスクを介してパターン成形されたレーザ光を照射し、この透明導電膜のレーザ光照射部分をこの第2の樹脂層から除去してパターニングするようにしたものである。
【0021】
斯かる本発明によれば、第1の樹脂層及び第2の樹脂層、さらにその上に成膜された透明導電膜にマスクを介してパターン形成されたレーザ光を照射することにより、透明導電膜のアブレーションと、透明導電膜及び第2の樹脂層の線膨張係数の差による界面の歪と第2の樹脂層表面のアブレーションによる気化とを利用して透明導電膜を爆発的に第2の樹脂層から離脱させて除去し、第1の樹脂層にダメージを与えず、この透明導電膜のパターニングを行うことができる。
【0022】
本発明透明導電膜のパターニング方法は、基板上の一部の領域に成膜された第1の樹脂層を含むこの基板上に成膜された第2の樹脂層の上に成膜された透明導電膜に、膜厚を変えることにより透過率が段階的に異なるこのマスクを介してこのレーザ光を照射し、このマスクによりこの第1の樹脂層が成膜された領域と他の領域とでこの透明導電膜への照射エネルギー密度を可変しパターニングするようにしたものである。
【0023】
斯かる本発明によれば、マスクの膜厚を段階的に変えてレーザ光の透過率を調整し被照射面へ照射されるレーザ光の照射エネルギー密度を可変することで、レーザ光の出力エネルギーの安定性を保ちながら、第1の樹脂層が有る領域と無い領域とを異なる照射エネルギー密度のレーザ光で同時にパターニングすることができる。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明透明導電膜のパターニング方法の実施の形態の例につき説明する。
【0025】
図3に本例の透明導電膜のパターニング方法において用いられるレーザパターニング装置の一例の構成図を示す。7はレーザ発振器であり、8はこのレーザ発振器7より出射されるレーザ光の光路を表す。また、9は光学系、4は所定のパターンが形成された例えばガラスマスク、メタルマスク、ステンシルマスク等のマスク、11はハーフミラー、13は真空チャックなど被照射物12を固定する機能を具備しX, Y, Z軸方向及びθ方向に可動して被照射物12のレーザ光照射面の適切なアライメントを可能にするステージである。
【0026】
レーザ発振器7より出射されたレーザ光は、図示しないビームエキスパンダやホモジナイザ等の光学系9、マスク4、レンズ等の投影光学系10を介してハーフミラー11にて反射されステージ13上の透明導電膜が成膜された被照射物12に対し照射される。
【0027】
この照射するレーザ光は透明電極となる透明導電膜材料が持つ吸収端波長等諸条件を考慮して決定されるが、本例では紫外域を中心とする高出力レーザのエキシマレーザ(以下、単にレーザ光ともいう)を用いる。エキシマレーザの媒質としては、例えばKrF(波長:248nm)、ArF(波長:193nm)などが挙げられる。以下、本例ではKrFレーザを用い、レーザ光を所定回数照射しパターニングを行う如くする。
【0028】
次に、図1A〜Eにそれぞれ、本例の透明導電膜のパターニング方法の説明に供する多層薄膜の各製造工程での断面構成図を示す。例えば、ガラス、プラスチック、シリコンウェハ等の基板1(図1A)上に、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂等を塗布しポストベークして樹脂層2を成膜する(図1B)。その樹脂層2上に、例えばITO(indium tin oxides )膜、またはZnO膜等からなる透明導電膜3を真空成膜する(図1C)。
【0029】
このようにして形成された透明導電膜3に、マスク4を介し例えばレーザ発振器7よりのKrFレーザ光を照射する(図1D)と、レーザ光が照射された透明導電膜3はマスク4の所定パターン4aを通るレーザ光5を吸収し、また、透明導電膜3を透過した透過レーザ光が樹脂層2に吸収される。すると、透明導電膜3では、レーザ光5の高エネルギーによってアブレーションが起こるとともに熱膨張する。そして、樹脂層2も熱膨張するため、透明導電膜3と樹脂層2との界面で歪が発生し、透明導電膜3が界面から剥離しようとする力が働く。さらに、樹脂層2の表面付近もアブレーションによって気化し、透明導電膜3を持ち上げようとする力が働き、その結果、爆発的に透明導電膜3が樹脂層2から離脱する(図1E)。
【0030】
このとき、透明導電膜3に照射されるレーザ光5の照射エネルギー密度は、例えば透明導電膜3を樹脂層2より除去することができる最適値に対し、±0.05J/cm2 の範囲だと熱的影響によるパターンの変形や樹脂層2のダメージが最小に抑えられ良好なパターン形状が得られる。このときの樹脂層2のダメージは対膜厚比で5%以下に抑えられる(実験では対膜厚比で2%以下の結果が得られた。)。勿論、これらの数値は材料、膜厚等の諸条件により異なる。
【0031】
以下、参考に透明導電膜3および樹脂層2を構成する材料の線膨張係数の例を示すと、
ITO:4〜5×10−6/K、
アクリル樹脂,ポリカーボネイト樹脂:6×10−5/K
である。
【0032】
このように、樹脂層2上で透明導電膜3のパターニングをレーザ光照射により行うことで、省プロセスで高品位のパターニングが容易になる。また、従来のフォトリソグラフィー工程が不要になり、工定数の削減とそれに伴うフットプリントの減少のため製造コストを削減できる。
【0033】
次に、本発明透明導電膜のパターニング方法の実施の形態の他の例につき説明する。図2A〜Fはそれぞれ多層薄膜の各製造工程での断面構成図を示す。この図2において、図1に対応する部分には同一符号を付して示す。また本例の透明導電膜3のパターニングに用いるレーザパターニング装置は図3と同様の構成とする。
【0034】
図2は、図1A〜Cに記載の多層薄膜と同様、例えば、ガラス、プラスチック、シリコンウェハ等の基板1(図2A)上に、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂等を塗布しポストベークして樹脂層2を成膜する(図2B)。その樹脂層2上に、例えばITO膜、ZnO膜等の透明導電膜3を真空成膜する(図2C)。そして本例では、さらに透明導電膜3上に金属膜6を真空成膜して多層薄膜を得(図2D)、この透明導電膜3のパターニングを行う。
【0035】
レーザ光の照射方法は図1例と同じであるが、レーザ光の照射エネルギー密度は、金属膜6の光学特性、膜厚等によって可変する必要がある。金属膜6にマスク4を介してレーザ光を照射すると(図2E)、溶融・離脱が起こるが、同時に下層の透明導電膜3に熱的影響を与える。そして、透明導電膜3は、図1例と同様の原理で樹脂層2の界面から剥離するとともに、樹脂層2の表面は熱的影響が支配的となって気化する。さらに、持ち上げられた透明導電膜3は爆発的に樹脂層2の界面から離脱し、上層の金属膜6をも同時に離脱させる(図2F)。仮に、透明導電膜3がないとすると、金属膜6を離脱させるためのレーザ光の照射エネルギーが余分に必要になり、結果として樹脂層2をエッチングしてしまい、また、金属膜6の溶融物が樹脂層2上に残りやすくなる。
【0036】
このように、レーザ光照射により金属膜6を透明導電膜3と同時にパターニングすることで、透明導電膜3の剥離が助けとなり、金属膜6のパターニングが容易になる。
【0037】
次に、本発明透明導電膜のパターニング方法の実施の形態の他の例につき説明する。図4に局所排気機能を具備するレーザパターニング装置の例を示す。この図4において、図3に対応する部分には同一符号を付して示す。この図4では、図3のハーフミラー11とステージ13とのレーザ光路間に局所排気手段を設け、その他レーザ発振器や光学系などの基本構成は図3に示したレーザパターニング装置と同様である。
【0038】
図4に示すように、レーザ光がステージ13上の被照射物12に照射される直前のレーザ光路8上に、例えばKrFレーザの場合は石英、ArFレーザの場合はフッ化カルシウムで作られた、エキシマレーザが透過する上部透過窓14及び下部透過窓16を備える略円筒状の、アルミニウムまたはステンレスなどからなる減圧チャンバー15を設け、この減圧チャンバー15の減圧チャンバー底部18に局所排気機能を備える。
【0039】
図5に図4の減圧チャンバー下面図を示す。減圧チャンバー底部18の中心に、レーザ光を透過する下部透過窓16が設けられ、その外周部周辺の同心円周上には数箇所の排気孔19が開けられ、減圧チャンバー15に外付けの粗引きポンプ17によって真空引きし(本例では最大10−2Torr程度)、この排気孔19を通して被照射物12表面周辺の雰囲気の排気を行う如くする。
【0040】
この減圧チャンバー底部18の下部透過窓16と被照射物12の照射面との距離は100μm以下に保たれており、排気孔19を通して排気する際のコンダクタンスはこれにより小さくなっているため、減圧チャンバー底部18と被照射物12と間の空間の真空度は1気圧より小さくなる。この減圧下でレーザ光照射され、除去された透明導電膜3は、1気圧でレーザ光照射された場合よりも、樹脂層2との界面から離脱する際の昇華圧が高まるので、レーザ光の照射エネルギー密度を小さくすることができる。さらに、除去された透明導電膜3は排気孔19を通り、減圧チャンバー15内に取り込まれる。それにより、透明導電膜3の飛沫の被照射物12表面への再付着や下部透過窓16への付着を防ぎ、被照射物12表面及び下部透過窓16を汚染しにくくすることができる。
【0041】
このように、局所排気機能を設けた簡単な構成でレーザ光照射面を減圧雰囲気とし、この減圧雰囲気でレーザ光照射することで、生産性を損なうことなく、加工エネルギーの低減とレーザ光照射によって樹脂層2から分離された透明導電膜3の飛沫の再付着防止及び飛沫の下部透過窓16への付着防止を図ることができる。
【0042】
次に、本発明透明導電膜のパターニング方法の実施の形態の他の例につき説明する。図6に局所排気機能及びガス導入機能を具備するレーザパターニング装置の例を示す。この図6において、図3及び図4に対応する部分には同一符号を付して示す。この図6では、図4の局所排気手段にさらにガス導入手段を設けたものであり、レーザ発振器や光学系などその他の基本構成は図3及び図4に示したレーザパターニング装置と同様である。
【0043】
図6に示すように、レーザ光がステージ13上の被照射物12に照射される直前のレーザ光路8上に、図4同様レーザ光が透過する上部透過窓14及び下部透過窓16を備える略円筒状の減圧チャンバー15を設け、この減圧チャンバー15の減圧チャンバー底部28に局所排気機能に加えさらにガス導入機能を備える。
【0044】
図7に図6の減圧チャンバー下面図を示す。減圧チャンバー底部28の中心には、レーザ光を透過する下部透過窓16が設けられ、その外周部周辺の同心円周上には排気孔19が開けられ、外付けの粗引きポンプ17によってこの排気孔19を通して雰囲気の吸引が行われる。さらに、下部透過窓16と排気孔19との間の上述と同心円周上にガス導入孔21が数箇所開けられ、外付けのガス導入手段20によってこのガス導入孔21を通してヘリウム、アルゴン等の不活性ガスを被照射物12のレーザ光照射面に導入し、本例のエキシマレーザのようなパルスレーザであれば、透明導電膜3のパターニングが終了するまでの所定回数のレーザ光照射中に不活性ガスの導入を行う如くする。また、連続発振レーザの場合にも同様にパターニングが終了するまでの間不活性ガスの導入を行う如くする。
【0045】
不活性ガスの導入はレーザ光照射つまりパターニング直前に行われ、導入前の被照射物12の照射面は図4、図5例で述べた如く、排気孔19による雰囲気吸引により1気圧以下の減圧雰囲気になっている。そのため、不活性ガスを導入すると、生じた気圧差による不活性ガスの流れが発生し被照射物12の表面を沿って排気孔19にガスが吸引されるとともに、内周側のレーザ光照射面にも一旦ガスが溜まり、この溜まったガスは排気孔19を通して排気される。本例では、この不活性ガスがレーザ光照射面に溜まる瞬間にレーザ光を照射し、除去された透明導電膜3は上述のガスの流れ、粘性流によって効率的に減圧チャンバー15内に取り込まれる。
【0046】
このように、局所排気機能及びガス導入機能を具備するレーザパターニング装置を使用することで、樹脂層2から分離された透明導電膜3の飛沫を不活性ガスの粘性流によって効率的に除去することができる。
【0047】
次に、本発明透明導電膜のパターニング方法の実施の形態の他の例につき説明する。図8に本例の説明に供する多層薄膜の断面構成図を示す。この図8において、図1に対応する部分には同一符号を付して示す。この図8は基板1の上に第1の樹脂層22及び第2の樹脂層23が成膜され、さらに第2の樹脂層の上に透明導電膜3が成膜されたものである。ここで、第1の樹脂層22は第2の樹脂層23よりも紫外域のレーザ光を吸収する材料で構成されているものとする。
【0048】
そして、図3に示すようなレーザパターニング装置を用いてこの多層薄膜にレーザ光を照射し、図1例と同様、透明導電膜3のアブレーションとこの透明導電膜3と第2の樹脂層23との線膨張係数の差による界面の歪を利用して、低照射エネルギーで透明導電膜3を除去することができるため、透過レーザ光による第1の樹脂層22のダメージを抑えることができる。
【0049】
次に、本発明透明導電膜のパターニング方法の実施の形態の他の例につき説明する。図9は本例の説明に供する多層薄膜の断面構成図を示す。この図9において、図8に対応する部分には同一符号を付して示す。図中、基板1上の一部の領域に成膜された第1の樹脂層22は、例えば黒色の顔料を含むアクリル系感光性樹脂等であり所定パターンに加工されている。また、上記第1の樹脂層22を覆うように基板1上に成膜された第2の樹脂層23は、例えば顔料を含まない透明なアクリル系感光性樹脂等である。そして、第2の樹脂層23上の最上層には透明導電膜3が成膜されている。ここで、基板1上の第1の樹脂層22がない領域をA、第1の樹脂層23がある領域をBとする。この構成において、領域Bが第1の樹脂層22を含む分領域Aよりも紫外域のレーザ光の吸収率が高いものとなっている。
【0050】
図10A、Bに上述の図9のような多層薄膜のレーザパターニングに使用するマスクの一例を示す。図10Aはマスクの上面図(ここでは石英25を透かして表現している)、図10Bは図10AのB−B線断面図である。
【0051】
図10Bに示すようにマスクは石英25等の透明な基板に所定パターンのレーザ光遮蔽層24を形成し構成される。レーザ光遮蔽層24には例えばクロム(Cr)膜等を用いる。図10A、Bの右側のパターン24Aは図9の多層薄膜の領域A、左側のパターン24Bは領域Bのパターニングにそれぞれ使用する。
【0052】
マスクのパターン開口部は、領域Aに対し、領域Bはレーザ光の透過率が低くなっており、この透過率の調整はあらかじめ被照射物12の光学特性に応じて、レーザ光遮蔽層24の膜厚をパターン形状に合わせて可変することで行う。例えば、クロム膜は膜厚85nmのとき、紫外域のレーザ光の透過率はほぼ0%であるが、膜厚を50nmにすれば透過率は約30%になる。このようにマスクのパターン開口部の膜厚をあらかじめ調整することで照射面に照射されるエネルギーを可変することができる。
【0053】
この図10に示すようなマスクを、例えば図3に示すレーザパターニング装置のマスク4に用いることにより、透明導電膜3のパターニング時に従来のようにレーザ光路上にアッテネータを設けてレーザ光の照射エネルギーを可変するといった必要がなく、レーザ発振器7の出力エネルギーを一定に保つことができる。また、一度のレーザ光照射でレーザ光の吸収率の異なる多層薄膜を同時にパターニングすることができる。
【0054】
尚、図8、図9及び図10において、図3に示すレーザパターニング装置以外にも、図4に示すような局所排気機能を具備するレーザパターニング装置を使用し減圧下でレーザ光照射することで、照射する加工エネルギーの低減とレーザ光照射によって樹脂層から分離された透明導電膜3の飛沫の再付着防止を図ることができる。
【0055】
同様に、図8、図9及び図10において、図6に示すような局所排気機能及びガス導入機能を具備するレーザパターニング装置を使用することで、樹脂層から分離された透明導電膜3の飛沫を不活性ガスの粘性流によって効率的に除去することができる。
【0056】
次に、本発明透明導電膜のパターニング方法の実施の形態の他の例につき説明する。一般に、図1、図2、図8及び図9それぞれの多層薄膜を構成する透明導電膜3にITO膜を使用し、ITOと反応する臭化水素(HBr)、ヨウ化水素(HI)などの反応性ガスを用い、RIE(reactive ion etching)工程でドライエッチングする方法が広く知られている。本例はこのRIE工程に本発明を適用して高エネルギーのエキシマレーザ等を用いてガスを解離し、レーザ光照射されたITO膜より発生する酸化インジウム(In2 O3 )と反応させることで、アブレーションの効果を高めるようにするものである。
【0057】
例えば、局所排気機能及びガス導入機能を具備する図6のレーザパターニング装置を用い、被照射物12の照射面が1気圧以下の減圧雰囲気において、ガス道入手段20によって、臭化水素を導入後レーザ光を照射した場合には、ITO膜の酸化インジウムと反応し臭化インジウム(In2 Br3 )を生成し、またヨウ化水素を用いた場合には、ヨウ化インジウム(InI3 )を生成し、樹脂層からの離脱を促進する。
【0058】
これによって、アブレーションとの相乗効果でITO膜の除去が容易になる。そして、生成した臭化インジウムまたはヨウ化インジウムと、樹脂層より離脱したITO膜の飛沫は、粘性流によって排出孔19を通して減圧チャンバー15内に取り込まれ、照射面より効率的に除去される。
【0059】
尚、本発明は上述した実施の形態の例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を取り得ることは勿論である。
【0060】
【発明の効果】
斯かる本発明によれば、樹脂層上に成膜された透明導電膜にマスクを介してパターン形成されたレーザ光を照射するようにしたので、この透明導電膜のアブレーションと、透明導電膜及び樹脂層の線膨張係数の差による界面の歪と樹脂層表面のアブレーションによる気化とを利用して、透明導電膜を樹脂層から爆発的に離脱させて除去し、この透明導電膜を選択的にパターニングすることができ、省プロセスで高品位のパターニングが容易になるとともに、従来のフォトリソグラフィー工程が不要になり、工定数の削減とそれに伴うフットプリントの減少のため生産性が向上するとともに製造コストを削減できる利益がある。
【0061】
また、斯かる本発明によれば、樹脂層上の透明導電膜とさらにその上に成膜された金属膜にマスクを介してパターン形成されたレーザ光を照射するようにしたので、金属膜が溶融・離脱するとともに下層の透明導電膜へ熱的影響を与え、透明導電膜及び樹脂層の線膨張係数の差による界面の歪と樹脂層表面の熱的影響による気化とを利用して、透明導電膜を樹脂層から爆発的に離脱させて上層の金属膜とともに除去できるので、透明導電膜の剥離が助けとなり、金属膜のパターニング加工が容易になる利益がある。
【0062】
また、斯かる本発明において、局所排気手段の排気孔が開けられた一面を、樹脂層上に成膜された透明導電膜またはさらにその上に成膜された金属膜に極近接して設置し、この透明導電膜または金属膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気をこの排気孔より排気し、減圧雰囲気下でこのレーザ光を照射するようにした場合には、簡単な構成でレーザ光照射面を減圧雰囲気とし、この減圧雰囲気でレーザ光照射することで、生産性を損なうことなく、パターニング加工に要する照射エネルギーを低減できるとともに、樹脂層より離脱した透明導電膜の飛沫が排気孔を通し除去されるので、飛沫の再付着や汚染を防止でき多層薄膜の品質が向上する利益がある。
【0063】
また、斯かる本発明において、局所排気を行う排気孔及びこの排気孔の内周側にガス導入を行うガス導入孔が開けられた局所排気・ガス導入手段の一面を、樹脂層上に成膜された透明導電膜またはさらにその上に成膜された金属膜に極近接して設置して、この透明導電膜または金属膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気をこの排気孔より排気し減圧雰囲気とし、さらにこのレーザ光照射直前にこのガス導入孔よりこの透明導電膜のレーザ光照射面に不活性ガスを導入し、レーザ光を照射するようにした場合には、排気孔の内周側のレーザ光照射面に不活性ガスが溜まる瞬間にレーザ光を照射して、樹脂層より離脱し除去された飛沫をこの不活性ガスの粘性流によってこの排気孔を通して効率的に除去することができるので、飛沫の再付着や汚染を防止でき多層薄膜の品質が向上する利益がある。
【0064】
また、斯かる本発明において、局所排気を行う排気孔及びこの排気孔の内周側にガス導入を行うガス導入孔が開けられた局所排気・ガス導入手段の一面を、樹脂層上に成膜された透明導電膜またはさらにその上に成膜された金属膜に極近接して設置して、この透明導電膜または金属膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気をこの排気孔より排気し減圧雰囲気とし、さらにこのレーザ光照射直前にこのガス導入孔よりこの透明導電膜のレーザ光照射面にこの透明導電膜との反応性ガスを導入し、レーザ光を照射するようにした場合には、レーザ光照射された透明導電膜と反応性ガスとの化学反応及びアブレーションとの相乗効果で透明導電膜の樹脂層からの離脱、除去が容易になり、かつ、このとき生成される透明導電膜と反応性ガスとの化合物及び離脱した透明導電膜の飛沫を粘性流によってこの排気孔より効率的に除去することができるので、飛沫の再付着や汚染を防止でき多層薄膜の品質が向上する利益がある。
【0065】
また、斯かる本発明によれば、多層薄膜の基板上の第1の樹脂層とその上の第2の樹脂層のさらにその上に成膜された透明導電膜に、レーザ光を照射しこの透明導電膜のレーザ光照射部分をこの第2の樹脂層から剥離してパターニングするようにしたので、透明導電膜のアブレーションと、透明導電膜及び第2の樹脂層の線膨張係数の差による界面の歪と第2の樹脂層表面のアブレーションによる気化とを利用して透明導電膜を爆発的に第2の樹脂層から離脱させて除去することで、レーザ光の照射エネルギーを低減でき、第1の樹脂層にダメージを与えず、この透明導電膜のパターニングを行うことができるので多層薄膜の品質が向上する利益がある。
【0066】
また、斯かる本発明によれば、この多層薄膜の基板上の一部の領域に成膜された第1の樹脂層を含むこの基板上に成膜された第2の樹脂層とその上に成膜された透明導電膜に、膜厚を変えることにより透過率が段階的に異なるマスクを介しこのレーザ光の照射を行い、このマスクによりこの第1の樹脂層が成膜された領域と他の領域とでこの透明導電膜への照射エネルギー密度を可変しパターニングするようにしたので、レーザ光の出力エネルギーを安定に保ちながら、レーザ光の吸収率の異なる複数の樹脂層上の透明導電膜を、異なる照射エネルギー密度のレーザ光で同時にパターニングすることができるので多層薄膜の品質及び生産性が向上する利益がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】A〜Eはそれぞれ、本発明透明導電膜のパターニング方法の実施の形態の例の説明に供する多層薄膜の各製造工程での断面構成図である。
【図2】A〜Fはそれぞれ、本発明透明導電膜のパターニング方法の実施の形態の他の例の説明に供する多層薄膜の各製造工程での断面構成図である。
【図3】本発明透明導電膜のパターニング方法において用いられるレーザ光パターニング装置の一例を示す構成図である。
【図4】本発明透明導電膜のパターニング方法において用いられるレーザ光パターニング装置の一例を示す構成図である。
【図5】図4の減圧チャンバーの下面図である。
【図6】本発明透明導電膜のパターニング方法において用いられるレーザ光パターニング装置の一例を示す概略構成図である。
【図7】図6の減圧チャンバーの下面図である。
【図8】本発明透明導電膜のパターニング方法の実施の形態の他の例の説明に供する多層薄膜の断面構成図である。
【図9】本発明透明導電膜のパターニング方法の実施の形態の他の例の説明に供する多層薄膜の断面構成図である。
【図10】本発明透明導電膜のパターニング方法において用いられるマスクの一例を示すものであり、Aは上面図、BはAのB−B線断面図である。
【図11】A〜Eはそれぞれ、フォトリソグラフィー工程の説明に供する各製造工程での断面構成図である。
【符号の説明】
1・・・・基板、2・・・・樹脂層、3・・・・透明導電膜、4・・・・マスク、5・・・・レーザ光、6・・・・金属膜、7・・・・レーザ発振器、8・・・・レーザ光路、12・・・・被照射物、14・・・・上部透過窓、15・・・・減圧チャンバー、16・・・・下部透過窓、17・・・・粗引きポンプ、18・・・・減圧チャンバー底部、19・・・・排気孔、20・・・・ガス導入手段、21・・・・ガス導入孔、22・・・・第1の樹脂層、23・・・・第2の樹脂層、24・・・・レーザ光遮断層、24A, 24B・・・・パターン、25・・・・石英
Claims (16)
- 基板上の樹脂層上に成膜された透明導電膜に、マスクを介してパターン成形されたレーザ光を照射し、前記透明導電膜の前記レーザ光照射部分を前記樹脂層上から除去してパターニングする
ようにしたことを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。 - 請求項1に記載の透明導電膜のパターニング方法において、
局所排気を行う排気孔が開けられた局所排気手段の一面を、前記基板上の樹脂層上に成膜された透明導電膜に極近接して設置し、
前記透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気を前記排気孔より排気し、
減圧雰囲気下で前記レーザ光を照射する
ようにしたことを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。 - 請求項1に記載の透明導電膜のパターニング方法において、
局所排気を行う排気孔及び該排気孔の内周側にガス導入を行うガス導入孔が開けられた局所排気・ガス導入手段の一面を、前記基板上の樹脂層上に成膜された透明導電膜に極近接して設置し、
前記透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気を前記排気孔より排気し減圧雰囲気とし、
さらに前記レーザ光照射直前に前記ガス導入孔より前記透明導電膜のレーザ光照射面に不活性ガスを導入し、
前記レーザ光を照射する
ようにしたことを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。 - 請求項1に記載の透明導電膜のパターニング方法において、
局所排気を行う排気孔及び該排気孔の内周側にガス導入を行うガス導入孔が開けられた局所排気・ガス導入手段の一面を、前記基板上の樹脂層上に成膜された透明導電膜に極近接して設置し、
前記透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気を前記排気孔より排気し減圧雰囲気とし、
さらに前記レーザ光照射直前に前記ガス導入孔より前記透明導電膜のレーザ光照射面に前記透明導電膜との反応性ガスを導入し、
前記レーザ光を照射する
ようにしたことを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。 - 基板上の樹脂層上に成膜された透明導電膜とさらにその上に成膜された金属膜に、マスクを介しパターン成形されたレーザ光を照射し、前記透明導電膜の前記レーザ光照射部分をその上に成膜された前記金属膜と共に前記樹脂層上から除去して前記透明導電膜及び前記金属膜を同時にパターニングする
ようにしたことを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。 - 請求項5に記載の透明導電膜のパターニング方法において、
局所排気を行う排気孔が開けられた局所排気手段の一面を、前記基板上の樹脂層上に成膜された透明導電膜のさらにその上に成膜された金属膜に極近接して設置し、
前記透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気を前記排気孔より排気し、
減圧雰囲気下で前記レーザ光を照射する
ようにしたことを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。 - 請求項5に記載の透明導電膜のパターニング方法において、
局所排気を行う排気孔及び該排気孔の内周側にガス導入を行うガス導入孔が開けられた局所排気・ガス導入手段の一面を、前記基板上の樹脂層上に成膜された透明導電膜のさらにその上に成膜された金属膜に極近接して設置し、
前記透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気を前記排気孔より排気し減圧雰囲気とし、
さらに前記レーザ光照射直前に前記ガス導入孔より前記透明導電膜のレーザ光照射面に不活性ガスを導入し、
前記レーザ光を照射する
ようにしたことを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。 - 請求項5に記載の透明導電膜のパターニング方法において、
局所排気を行う排気孔及び該排気孔の内周側にガス導入を行うガス導入孔が開けられた局所排気・ガス導入手段の一面を、前記基板上の樹脂層上に成膜された透明導電膜のさらにその上に成膜された金属膜に極近接して設置し、
前記透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気を前記排気孔より排気し減圧雰囲気とし、
さらに前記レーザ光照射直前に前記ガス導入孔より前記透明導電膜のレーザ光照射面に前記透明導電膜との反応性ガスを導入し、
前記レーザ光を照射する
ようにしたことを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。 - 基板上の第1の樹脂層上の第2の樹脂層のさらにその上に成膜された透明導電膜に、マスクを介してパターン成形されたレーザ光を照射し、前記透明導電膜の前記レーザ光照射部分を前記第2の樹脂層から除去してパターニングする
ようにしたことを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。 - 請求項9に記載の透明導電膜のパターニング方法において、
局所排気を行う排気孔が開けられた局所排気手段の一面を、前記基板上の第1の樹脂層上の第2の樹脂層のさらにその上に成膜された透明導電膜に極近接して設置し、
前記透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気を前記排気孔より排気し、
減圧雰囲気下で前記レーザ光を照射する
ようにしたことを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。 - 請求項9に記載の透明導電膜のパターニング方法において、
局所排気を行う排気孔及び該排気孔の内周側にガス導入を行うガス導入孔が開けられた局所排気・ガス導入手段の一面を、前記基板上の第1の樹脂層上の第2の樹脂層のさらにその上に成膜された透明導電膜に極近接して設置し、
前記透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気を前記排気孔より排気し減圧雰囲気とし、
さらに前記レーザ光照射直前に前記ガス導入孔より前記透明導電膜のレーザ光照射面に不活性ガスを導入し、
前記レーザ光を照射する
ようにしたことを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。 - 請求項9に記載の透明導電膜のパターニング方法において、
局所排気を行う排気孔及び該排気孔の内周側にガス導入を行うガス導入孔が開けられた局所排気・ガス導入手段の一面を、前記基板上の第1の樹脂層上の第2の樹脂層のさらにその上に成膜された透明導電膜に極近接して設置し、
前記透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気を前記排気孔より排気し減圧雰囲気とし、
さらに前記レーザ光照射直前に前記ガス導入孔より前記透明導電膜のレーザ光照射面に前記透明導電膜との反応性ガスを導入し、
前記レーザ光を照射する
ようにしたことを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。 - 基板上の一部の領域に成膜された第1の樹脂層を含む前記基板上に成膜された第2の樹脂層の上に成膜された透明導電膜に、
膜厚を変えることにより透過率が段階的に異なる前記マスクを介して前記レーザ光を照射し、
前記マスクにより前記第1の樹脂層が成膜された領域と他の領域とで前記透明導電膜への照射エネルギー密度を可変しパターニングする
ようにしたことを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。 - 請求項13に記載の透明導電膜のパターニング方法において、
局所排気を行う排気孔が開けられた局所排気手段の一面を、前記基板上の一部の領域に成膜された第1の樹脂層を含む前記基板上に成膜された第2の樹脂層の上に成膜された透明導電膜に極近接して設置し、
前記透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気を前記排気孔より排気し、
減圧雰囲気下で前記レーザ光を照射する
ようにしたことを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。 - 請求項13に記載の透明導電膜のパターニング方法において、
局所排気を行う排気孔及び該排気孔の内周側にガス導入を行うガス導入孔が開けられた局所排気・ガス導入手段の一面を、前記基板上の一部の領域に成膜された第1の樹脂層を含む前記基板上に成膜された第2の樹脂層の上に成膜された透明導電膜に極近接して設置し、
前記透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気を前記排気孔より排気し減圧雰囲気とし、
さらに前記レーザ光照射直前に前記ガス導入孔より前記透明導電膜のレーザ光照射面に不活性ガスを導入し、
前記レーザ光を照射する
ようにしたことを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。 - 請求項13に記載の透明導電膜のパターニング方法において、
局所排気を行う排気孔及び該排気孔の内周側にガス導入を行うガス導入孔が開けられた局所排気・ガス導入手段の一面を、前記基板上の一部の領域に成膜された第1の樹脂層を含む前記基板上に成膜された第2の樹脂層の上に成膜された透明導電膜に極近接して設置し、
前記透明導電膜のレーザ光照射面近傍の雰囲気を前記排気孔より排気し減圧雰囲気とし、
さらに前記レーザ光照射直前に前記ガス導入孔より前記透明導電膜のレーザ光照射面に前記透明導電膜との反応性ガスを導入し、
前記レーザ光を照射する
ようにしたことを特徴とする透明導電膜のパターニング方法。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006110593A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Sony Corp | レーザ加工方法 |
WO2006068204A1 (ja) * | 2004-12-21 | 2006-06-29 | Asahi Glass Company, Limited | 透明導電膜付き基板とそのパターニング方法 |
JP2006278728A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Sony Corp | 導電膜修正方法、積層構造物及び薄膜トランジスタ |
JP2007007724A (ja) * | 2005-06-02 | 2007-01-18 | Sony Corp | レーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収機構とその回収方法 |
KR100990617B1 (ko) | 2008-07-23 | 2010-10-29 | 삼성전기주식회사 | 광도파로용 인쇄회로기판의 제조방법 |
US7863542B2 (en) | 2005-12-22 | 2011-01-04 | Sony Corporation | Laser processing apparatus and laser processing method as well as debris extraction mechanism and debris extraction method |
JP2012128457A (ja) * | 2012-03-23 | 2012-07-05 | Stanley Electric Co Ltd | カメラ用絞り光学素子及びその製造方法 |
US8283596B2 (en) | 2007-06-27 | 2012-10-09 | Sony Corporation | Laser processing apparatus and laser processing method, debris collection mechanism and debris collection method, and method for producing display panel |
US8288681B2 (en) | 2005-09-08 | 2012-10-16 | Sony Corporation | Laser processing apparatus and laser processing method as well as debris extraction mechanism and debris extraction method |
US8581140B2 (en) | 2006-03-07 | 2013-11-12 | Sony Corporation | Laser processing apparatus, laser processing head and laser processing method |
TWI505159B (zh) * | 2009-08-11 | 2015-10-21 | M Solv Ltd | 電容式觸控面板 |
CN109285806A (zh) * | 2017-07-21 | 2019-01-29 | 株式会社迪思科 | 静电卡盘板的制造方法 |
WO2019230633A1 (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀ナノワイヤインクおよび透明導電膜の製造方法並びに透明導電膜 |
JP2020008741A (ja) * | 2018-07-09 | 2020-01-16 | 株式会社Joled | 表示パネル製造装置および表示パネル製造方法 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5368498A (en) * | 1976-11-30 | 1978-06-17 | Hitachi Ltd | Laser machining gun |
JPS61208831A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Toshiba Corp | パタ−ン転写装置 |
JPS6342364A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光加工方法 |
JPH06267986A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH0876144A (ja) * | 1994-09-01 | 1996-03-22 | Nec Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH09141481A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-06-03 | Alps Electric Co Ltd | レーザ加工機 |
JPH09152618A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Sony Corp | 平板状表示パネルの製造方法 |
JPH10333131A (ja) * | 1996-12-17 | 1998-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示パネル、表示パネルの製造方法、表示パネルの駆動方法、表示パネルの欠陥修正方法、及び表示パネルを用いた表示装置 |
JPH1124063A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Seiko Instr Inc | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2002064107A (ja) * | 2000-06-07 | 2002-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2002072247A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-12 | Toshiba Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2002210582A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-07-30 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | ビーム加工装置 |
JP2002228702A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Optrex Corp | 液晶表示パネル用基板のリーク検査方法 |
JP2002258262A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2003253376A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-10 | Kobe Steel Ltd | 耐遅れ破壊性に優れた高強度鋼 |
-
2002
- 2002-10-31 JP JP2002318870A patent/JP4465954B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5368498A (en) * | 1976-11-30 | 1978-06-17 | Hitachi Ltd | Laser machining gun |
JPS61208831A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Toshiba Corp | パタ−ン転写装置 |
JPS6342364A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光加工方法 |
JPH06267986A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH0876144A (ja) * | 1994-09-01 | 1996-03-22 | Nec Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH09141481A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-06-03 | Alps Electric Co Ltd | レーザ加工機 |
JPH09152618A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Sony Corp | 平板状表示パネルの製造方法 |
JPH10333131A (ja) * | 1996-12-17 | 1998-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示パネル、表示パネルの製造方法、表示パネルの駆動方法、表示パネルの欠陥修正方法、及び表示パネルを用いた表示装置 |
JPH1124063A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Seiko Instr Inc | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2002064107A (ja) * | 2000-06-07 | 2002-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2002072247A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-12 | Toshiba Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2002210582A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-07-30 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | ビーム加工装置 |
JP2002228702A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Optrex Corp | 液晶表示パネル用基板のリーク検査方法 |
JP2002258262A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2003253376A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-10 | Kobe Steel Ltd | 耐遅れ破壊性に優れた高強度鋼 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
OSMAN A.GHANDOUR ET.AL: "Excimer ablation of ITO on flexible substrates for large format display applications", PROCEEDINGS OF SPIE, vol. 4637, JPN6008044033, January 2002 (2002-01-01), pages 90 - 101, XP002514093, ISSN: 0001122842, DOI: 10.1117/12.470610 * |
PHIL RUMSBY ET.AL: "Excimer laser patterning of thick and thin films for high density packaging", PROCEEDINGS OF SPIE, vol. 3184, JPN6008044036, June 1997 (1997-06-01), pages 176 - 185, ISSN: 0001122843 * |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006110593A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Sony Corp | レーザ加工方法 |
WO2006068204A1 (ja) * | 2004-12-21 | 2006-06-29 | Asahi Glass Company, Limited | 透明導電膜付き基板とそのパターニング方法 |
JPWO2006068204A1 (ja) * | 2004-12-21 | 2008-06-12 | 旭硝子株式会社 | 透明導電膜付き基板とそのパターニング方法 |
JP2006278728A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Sony Corp | 導電膜修正方法、積層構造物及び薄膜トランジスタ |
JP2007007724A (ja) * | 2005-06-02 | 2007-01-18 | Sony Corp | レーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収機構とその回収方法 |
US8288681B2 (en) | 2005-09-08 | 2012-10-16 | Sony Corporation | Laser processing apparatus and laser processing method as well as debris extraction mechanism and debris extraction method |
US7863542B2 (en) | 2005-12-22 | 2011-01-04 | Sony Corporation | Laser processing apparatus and laser processing method as well as debris extraction mechanism and debris extraction method |
US8581140B2 (en) | 2006-03-07 | 2013-11-12 | Sony Corporation | Laser processing apparatus, laser processing head and laser processing method |
US8283596B2 (en) | 2007-06-27 | 2012-10-09 | Sony Corporation | Laser processing apparatus and laser processing method, debris collection mechanism and debris collection method, and method for producing display panel |
KR100990617B1 (ko) | 2008-07-23 | 2010-10-29 | 삼성전기주식회사 | 광도파로용 인쇄회로기판의 제조방법 |
TWI505159B (zh) * | 2009-08-11 | 2015-10-21 | M Solv Ltd | 電容式觸控面板 |
JP2012128457A (ja) * | 2012-03-23 | 2012-07-05 | Stanley Electric Co Ltd | カメラ用絞り光学素子及びその製造方法 |
CN109285806A (zh) * | 2017-07-21 | 2019-01-29 | 株式会社迪思科 | 静电卡盘板的制造方法 |
CN109285806B (zh) * | 2017-07-21 | 2023-12-19 | 株式会社迪思科 | 静电卡盘板的制造方法 |
WO2019230633A1 (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀ナノワイヤインクおよび透明導電膜の製造方法並びに透明導電膜 |
JP2020008741A (ja) * | 2018-07-09 | 2020-01-16 | 株式会社Joled | 表示パネル製造装置および表示パネル製造方法 |
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Publication number | Publication date |
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