TWI505159B - 電容式觸控面板 - Google Patents

電容式觸控面板 Download PDF

Info

Publication number
TWI505159B
TWI505159B TW098136623A TW98136623A TWI505159B TW I505159 B TWI505159 B TW I505159B TW 098136623 A TW098136623 A TW 098136623A TW 98136623 A TW98136623 A TW 98136623A TW I505159 B TWI505159 B TW I505159B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
laser beam
substrate
focus
layer
lens
Prior art date
Application number
TW098136623A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201106240A (en
Inventor
David Charles Milne
Original Assignee
M Solv Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by M Solv Ltd filed Critical M Solv Ltd
Publication of TW201106240A publication Critical patent/TW201106240A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI505159B publication Critical patent/TWI505159B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B23K26/0619—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams with spots located on opposed surfaces of the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • B23K26/0676—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing into dependently operating sub-beams, e.g. an array of spots with fixed spatial relationship or for performing simultaneously identical operations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166—Multilayered materials
    • B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49156—Manufacturing circuit on or in base with selective destruction of conductive paths

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Description

電容式觸控面板
本發明涉及一種用於電容式觸控面板的製造的方法，特別是，該方法涉及在一雙層投影的電容式觸控面板的二傳導層上的電極的刻劃。
電容式觸控面板技術具有寬廣的用途，例如在移動電話、衛星導航系統、PDA螢幕和手持的遊戲控制機。
電容式觸控面板的一特殊形式叫作投影的電容式觸控技術或「PCT」。在PCT元件中，感測電極的XY陣列是形成在一透明傳導材料的層上。在使用中，電容形成在使用者的手指和從該感測電極的經投影的電容之間。一旦執行接觸，精確地測量並且轉換成透過一適當的軟體應用的下方電子元件所執行的一命令。PCT螢幕享有準確地反應手指和觸控筆的優點。
PCT技術的一特殊形式具有透明傳導材料的二分離的層，並且它是在經偵測的電極陣列層的交點上的電極之間的相互電容上變化。
透明傳導材料的每一個被劃分成在第一正交方向電性連接但是在第二正交方向電子隔絕的複數個分離電極單元。該刻劃圖案可以兩層皆相同的，或者可以兩層皆不同。
按照慣例，在使用PCT技術的一電容式觸控面板中，一透明電子傳導材料層已沉積在一透明基板的相對表面中 的每一個上。使用二不同雷射，電極圖案在透明電子傳導材料層中的每一個刻劃。或者，該基板可需移交並且該元件被重新校正以執行第二層的刻劃製程。該電極圖案的所在之處欲在二表面上是相同的，一單一雷射可以聚焦在二層之間，並且選擇它的參數以提供同時刻劃在二層中的每一個而不損傷透明基板。將察覺使用這一雷射製程不可能在二層上提供不同的圖案。
本發明打算提供一種用於一PCT觸控面板的電性傳導層的兩者上提供不同的電極圖案的刻劃的新穎和高效率的製程，而不需第二雷射。
根據本發明，提供一種用雷射刻劃沉積在一透明基板的相對表面上的二透明電性傳導層的方法，其包括：1.指示一雷射射束透過一個或多個透鏡至在該等二層的第一層的經暴露的表面上或相當鄰近的一第一焦點；2.以正交於該雷射射束的軸的平面上的二軸來初始化在該雷射和該基板之間的相對移動，藉以刻劃在該等二層的第一層上的一電極圖案；3.重新定位一或多個透鏡以及將該雷射射束聚焦於該等二層的第二層的經暴露的表面上或相當鄰近；4.以正交於該雷射射束的軸的平面上的二軸來初始化在該雷射和該基板之間的相對移動，藉以刻劃在該等二層的第一層上的一電極圖案。
在一簡單的實施例中，步驟3涉及在該雷射射束的顯現點與該基板之間沿該雷射射束的軸定位一單一鏡頭以及沿該雷射射束的軸來移動以便調整該焦點的位置。在更加複雜的實施例中，排列兩個或多個透鏡以代替該單一鏡頭並且步驟3涉及調整在該等透鏡的兩個或多個之間的分離。
在一替代的實施例中，在該雷射射束顯現之前定位一個或多個透鏡以中斷該雷射射束以及重新定位一個或多個透鏡來修正該射束的發散並且因此該顯現的射束的焦點相對於該基板。
將察覺射束直徑、射束功率、脈衝能量和透鏡焦距的組合可預先選擇以確保達成在渴望的位置範圍的焦點。本發明者找到可以達到用於執行該方法的裝置的實際實施例，使用在1至100奈秒範圍的雷射脈衝長度和波長250至360奈米的紫外光雷射或1040至1075奈米的紅外光雷射。操作在532奈米附近的可見光區域的雷射也已發現是適當的。另外，相信以次奈秒(皮秒)範圍的脈衝長度來操作脈衝雷射可以是適於這個方法，然而認定該脈衝長度不應該太小，以便當該射束正處理第二邊時，創造在該基板裡面的非常高的強度，由於這可能造成對基板的損傷。
操作條件的一特定例子顯示令人滿意地運作；具有ITO的0.55毫米厚度的鈉鈣玻璃(soda lime glass)沉積到一每平方100歐姆的表面電阻的相對側，一具有100千赫茲的重複率、0.5瓦的功率、1064奈米的波長和12毫米的直徑的雷射，藉由一具有100毫米的焦距的透鏡聚焦到一具有 12微米的直徑的焦點並且以每秒400毫米的射束速度在該基板表面上移動。在這種情況下顯示，聚焦於該玻璃基板的頂部表面和乾淨地去除在那表面上的ITO層而無損壞該基板和無損壞該基板的較低側上的ITO，並且然後再次將該射束聚焦在較低表面和乾淨地去除在那表面上的ITO層而無損壞該基板和無損壞該基板的頂部側上的ITO是可能的。
步驟2和4的電極圖案可以是不同的。
步驟2和4的相對移動可以透過對照一固定式雷射的該基板的移動來達到，或者透過對照一固定式基板的該雷射的移動來達到。
在另一方面，本發明提供一種用雷射刻劃沉積在一透明基板的相對表面的二透明電性傳導層的裝置，其包括：一雷射射束；配置和定位一個或多個用於調整在一第一位置和一第二位置之間的雷射射束的焦點的透鏡；一種將一基板保持在該等第一和第二位置之間的一平面上的手段以及一種用於在以該平面或一與該平面平行的平面中的二維尺度中移動該基板和雷射射束的相對位置的手段，其中，該等第一和第二位置與該等二透明電性傳導層的經暴露的表面相符或是鄰近。
在一簡單的實施例中，一單一鏡頭定位在該雷射射束的顯現點與該焦點之間的該雷射射束的軸上以及沿該軸來配置移動。
在一替代的實施例中，多個透鏡定位在該雷射射束的顯現點與該焦點之間的該雷射射束的軸上以及沿該軸來配 置以具有他們經調整的分離。
在一替代的實施例中，該雷射射束的發散，該焦點的位置因此藉由在該射束顯現之前的該射束中的一個或多個透鏡的重新定位來調整。例如，該射束可以從一望遠鏡顯現，該望遠鏡合併一可調整的透鏡系統。隨意地，指示該雷射射束從一雙軸掃描器單元顯現。
圖1顯示用於一典型的二層電容式觸控平面的基板。基板11是透明的，並且可以是剛性並且由玻璃或其他無機透明材料(即矽)所製成，或者可以是可撓性並且由一聚合物例如聚酯(polyester，PET)或聚碳酸酯(polycarbonate，PC)所製成。該基板的厚度可以從一毫米的幾分之一到許多毫米的範圍。一具有透明性和電性傳導的層應用於該基板的兩側12，13。典型地無機氧化物材料的薄層例如氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)，氧化錫(Tin Oxide，SnO2 )，氧化鋅(ZnO)或其他透明電性傳導氧化物(transparent conductive oxide，TCO)。根據有機材料或奈米微粒材料可以使用其他透明傳導層作為選擇。典型的層厚度是次微米。表面電阻在每平方100至數百歐姆的範圍。我們從現在起在本說明書中將以TCM代表這些透明傳導材料。
圖2說明例如JP8320638A和US2008129318A已知的先前技藝。它顯示一經聚焦的雷射射束如何通過在一基板的相對側的二TCM塗層而同時用於刻劃線。基板21在第 一側22上具有一TCM層並且在第二側23上具有另一TCM。一脈衝雷射射束24由一透鏡25聚焦至在該二層之間某處的點26。該雷射波長是選擇以便該射束可以穿過該基板而不會顯著地吸收，但是一些雷射在TCM層吸收。調整雷射功率和脈衝能量，以便在該基板的兩側上將TCM層燒蝕和去除，但是該基板實質上是未損壞的。該基板和該雷射射束在垂直該雷射射束的軸的平面上以兩軸作相對彼此的移動以刻劃線，近而在該基板的兩側上創造所需要的電性隔絕的電極圖案。由於在該雙側的TCM層是同時處理的，所以在第一側上的刻劃圖案27一定是與在第二側上的刻劃圖案27’相同。
圖3顯示本發明打算以具有單一雷射的高效率方法去生產的成品。基板31在第一側32上具有一TCM層並且在第二側33上具有另一TCM。其要求刻劃在第一側32的TCM層上的隔絕線的圖案34與在第二側33的TCM層上的線的圖案35是不同的。
圖4說明申請人擁有正如英國專利申請案第0803305.2號所描述的先前技藝，並且展示一種用於在基板的相對側上的TCM層上刻劃不同的隔絕線的圖案的方法。基板41在第一側42上具有一TCM層並且在第二側43上具有另一TCM。一第一脈衝雷射射束44指引至第一側42。該射束藉由一透鏡45聚集在第一側42的TCM層上或該層之前的點46。設定雷射射束的參數以燒蝕在第一側的TCM層。該基板和該第一雷射射束44在垂直該雷射射束的軸的 平面上以兩軸作相對彼此的移動以刻劃在該基板的第一側的TCM層上的所要求的隔絕線的圖案。在第一射束的焦點46以後，該射束以發散形式通過基板，因此在射束的功率或能量密度是低於在第二邊的TCM層上燒蝕的要求。一第二脈衝雷射射束47指引至該基板表面的第二側。該射束藉由一透鏡48聚集在第二側的TCM層上或該層之下的點49。設定雷射射束的參數以燒蝕在第二側的TCM層。該基板和該第二雷射射束在垂直該雷射射束的軸的平面上以兩軸作相對彼此的移動以刻劃在該基板的第二側的TCM層上的所要求的隔絕線的圖案。在第二射束的焦點49以後，該射束以發散形式通過基板，因此在射束的功率或能量密度是低於在第一邊的TCM層上燒蝕的要求。兩射束可以同時操作以創造分開的圖案。
圖5較詳細地顯示怎樣使用設備以執行圖4的先前技藝的方法。能看見，掃描器用於導致在該基板和該等雷射射束之間的相對移動。該基板51具有一在第一側52的TCM層和另一在第二側52’的TCM層。在第一側的一掃描器單元53以二方向移動一第一脈衝雷射射束以涵蓋在該基板上的面積。透鏡54聚焦該第一脈衝射束在第一表面上或剛好在其之前，造成在此側上的TCM層以第一圖案進行刻劃。同樣地(或稍後)在第二側的一掃描器單元53’以二個方向移動第二脈衝雷射射束以涵蓋在該基板的第二側上的面積。透鏡54’聚焦第二脈衝射束在第二表面上或在其之前，造成在此側上的TCM層以第二圖案進行圖案化。第一和第 二射束兩者皆在聚焦以後發散，並且因此在該基板的相對表面上的每一射束的功率或能量密度是低於燒蝕TCM層的所需。
圖6A和6B說明該經提出的新穎的方法的二階段。透明基板61A和61B具有在第一側62A和62B上的TCM層和在第二側63A和63B上的另一TCM層。圖6A顯示第一處理步驟，脈衝雷射射束64A藉由透鏡65A聚焦至點66A上。設置基板61A和透鏡65A的相對位置，以便射束64A的焦點66A是在第一表面上或在其之前。該雷射射束的直徑和透鏡焦距和雷射射束功率和脈衝能量參數是如此造成雷射燒蝕在第一側上的TCM層，但是不燒蝕在第二側上的TCM層。該基板以在垂直該雷射射束的軸的平面上的二軸方式相對該雷射射束來移動，以便一第一圖案在該第一側的TCM層上刻劃。
圖6B顯示第二處理步驟，從透鏡65B到基板61B的距離是減少的，以便該雷射射束64B穿過該透明基板並且來到點66B上聚焦或在第二側的TCM層之下。該雷射射束的直徑和透鏡焦距和雷射功率和脈衝能量參數是如此造成雷射燒蝕在第二側上的TCM層，但是不燒蝕在第一側上的TCM層。該基板以在垂直該雷射射束的軸的平面上的二軸方式相對該雷射射束來移動，以便一第二圖案在該第二側的TCM層上刻劃。在兩側上的該等圖案通常是不同的，但是也可以是相同的。
該等側被圖案化的順序是不重要。該第一側可以處理 在該第二側之前，或者該第二側可以處理在該第一側之前。藉由沿雷射軸的該透鏡的移動或該基板的移動(或兩者皆移動)來改變該透鏡和該基板之間的距離。這種移動通常是受控於伺服器。
圖7A和7B顯示一可供選擇的方法來執行在圖6A和6B上顯示的兩階段過程。透明基板71A和71B具有在第一側72A和72B的一TCM層和在第二邊73A和73B的另一TCM層。圖7A顯示第一處理步驟，脈衝雷射射束74A通過包括一發散透鏡75A和一聚焦透鏡76A的望遠鏡。在2個望遠鏡構件之間的分離是可調整的，以便可以隨著望遠鏡來變化射束的發散。隨著望遠鏡，該射束由透鏡77A聚焦至點78A。設置在該望遠鏡中的二透鏡的分離，以便該射束74A的焦點78A是在第一表面上或在其之前。該雷射射束的直徑和透鏡焦距和雷射功率和脈衝能量參數是如此造成該雷射燒蝕在第一側上的TCM層，但是不燒蝕在第二側上的TCM層。該基板以在垂直該雷射射束的軸的平面上的二軸方式相對該雷射射束來移動，以便一第一圖案在該第一側的TCM層上刻劃。
圖7B顯示第二處理步驟，減少在第一望遠鏡透鏡75B和第二望遠鏡透鏡76B之間的分離，以便在穿過望遠鏡以後該雷射射束74B造成比在圖7A顯示的發散，以便藉由聚焦透鏡77B創造的焦點78B進一步從透鏡移動，這樣它穿過透明基板並且來到在第二邊的TCM層上或其之外的點78B上聚焦。該雷射射束的直徑和透鏡焦距和雷射功率和脈 衝能量參數是如此造成該雷射燒蝕在第二邊上的TCM層，但是不燒蝕在第一側上的TCM層。該基板以在垂直該雷射射束的軸的平面上的二軸方式相對該雷射射束來移動，以便一第二圖案在該第二側的TCM層上刻劃。在兩側上的該等圖案通常是不同的，但是也可以是相同的。
望遠鏡透鏡構件的僅一者需要移動以改變該射束發散和移動該焦聚平面位置。這移動可以是受控於伺服器。該等側被圖案化的順序是不重要。該第一側可以處理在該第二側之前，或者該第二側可以處理在該第一側之前。
圖8A和8B顯示一種類似在圖7A和7B上顯示的方法，其中，使用掃描器導致在平行該基板的平面上的基板和雷射射束之間的相對移動。該基板81A和81B具有在第一側82A和82B上的TCM層和在第二側83A和83B上的TCM層。圖8A顯示第一步驟，在第一側上的掃描器單元84A以二個方向移動一脈衝雷射射束以涵蓋在該基板上的面積。透鏡85A將該脈衝射束聚焦至在第一表面上或在其之前的點86A，造成在此側上的TCM層將被燒蝕。該雷射射束的直徑和透鏡焦距和雷射功率和脈衝能量參數是如此造成雷射燒蝕在第一側上的TCM層，但是不燒蝕在第二側上的TCM層。當該掃描器經操作時，該經聚焦的射束在該基板上移動以在該第一側的TCM層上創造圖案。
圖8B顯示第二處理步驟，從透鏡85B至基板81B的距離是減少的，以便雷射通過該透明基板並且來到在第二側的TCM層上或在其之下的點86B聚焦。該雷射射束的直徑 和透鏡焦距和雷射功率和脈衝能量參數是如此造成雷射燒蝕在第二側上的TCM層，但是不燒蝕在第一側上的TCM層。該掃描器以二軸方式移動在第二表面上的焦點，以便圖案在第二側的TCM層中形成。
最方便地，該方法可以提供在每側上不同的圖案，雖然將察覺到此方法可以方便地使用以在二側上提供相同的圖案。該等側被圖案化的順序是不重要。該第一側可以處理在該第二側之前，或者該第二側可以處理在該第一側之前。藉由沿雷射軸的該透鏡/掃描器的移動或該基板的移動(或兩者皆移動)來改變該透鏡/掃描器單元和該基板之間的距離。這種移動通常是受控於伺服器。
圖9A和9B顯示本發明的方法的一具體例子，其中掃描器用於移動在基板表面上的射束如已經描述於相關的圖8A和8B，但是，具有可變化的分離的一望遠鏡被用於沿雷射軸來控制焦點的位置。該基板91A和91B具有在第一側92A和92B上的TCM層和在第二側93A和93B上的TCM層。圖9A顯示第一步驟，一脈衝雷射射束94A通過包括一發散透鏡95A和一聚焦透鏡96A的望遠鏡的。在二望遠鏡構件之間的分離是可調整的，以便射束的發散可以隨著望遠鏡變化。在退出望遠鏡上，該射束穿過一雙軸掃描器單元97A並且然後藉由透鏡98A聚焦至點99A。置設在該望遠鏡中的二透鏡的分離，以便射束94A的焦點99A是在第一表面上或在其之前。該雷射射束的直徑和透鏡焦距和雷射功率和脈衝能量參數是如此造成雷射燒蝕在第一側的 TCM層，但是不燒蝕在第二側的TCM層。當該掃描器被操作時，該經聚焦的射束在該基板上移動，以創造在第一側的TCM層上的圖案。
圖9B顯示第二處理步驟，減少在第一望遠鏡透鏡95B和第二望遠鏡透鏡96B之間的分離，以便該雷射射束94B造成比圖9A顯示的發散，以便藉由焦聚透鏡98B創造的焦點99B進一步從透鏡移動，這樣它穿過該透明基板並且來到在第二側上的TCM層上或其在之下的點99B聚焦。該雷射射束的直徑和透鏡焦距和雷射功率和脈衝能量參數是如此造成該雷射燒蝕在第二側上的TCM層，但是不燒時在第一側上的TCM層。該掃描器以二軸移動在該表面上的焦點，以便圖案在第二邊的TCM層上形成。
在兩側的圖案通常是不同的，但是也可以是相同的。該等側被圖案化的順序是不重要。該第一側可以處理在該第二側之前，或者該第二側可以處理在該第一側之前。
11‧‧‧透明基板
12‧‧‧透明電性傳導材料的層
13‧‧‧透明電性傳導材料的層
21‧‧‧透明基板
22‧‧‧透明電性傳導材料的層
23‧‧‧透明電性傳導材料的層
24‧‧‧脈衝雷射射束
25‧‧‧透鏡
26‧‧‧透鏡的焦點
27、27’‧‧‧在基板兩側上同時藉由雷射產生的刻劃圖案
31‧‧‧透明基板
32‧‧‧透明電性傳導材料的層
33‧‧‧透明電性傳導材料的層
34‧‧‧藉由雷射產生的第一刻劃圖案
35‧‧‧藉由雷射產生的第二刻劃圖案
41‧‧‧透明基板
42‧‧‧透明電性傳導材料的層
43‧‧‧透明電性傳導材料的層
44‧‧‧第一脈衝雷射射束
45‧‧‧透鏡
46‧‧‧透鏡的焦點
47‧‧‧第二脈衝雷射射束
48‧‧‧透鏡
49‧‧‧點
51‧‧‧透明基板
52、52’‧‧‧透明電性傳導材料的層
53、53’‧‧‧掃描器
54、54’‧‧‧透鏡
61A、61B‧‧‧透明基板
62A、62B‧‧‧透明電性傳導材料的層
63A、63B‧‧‧透明電性傳導材料的層
64A、64B‧‧‧脈衝雷射射束
65A、65B‧‧‧透鏡
66A、66B‧‧‧透鏡的焦點
71A、71B‧‧‧透明基板
72A、72B‧‧‧透明電性傳導材料的層
73A、73B‧‧‧透明電性傳導材料的層
74A、74B‧‧‧脈衝雷射射束
75A、75B‧‧‧望遠鏡的發散透鏡
76A、76B‧‧‧望遠鏡的聚焦透鏡
77A、77B‧‧‧透鏡
78A、78B‧‧‧透鏡的焦點
81A、81B‧‧‧透明基板
82A、82B‧‧‧透明電性傳導材料的層
83A、83B‧‧‧透明電性傳導材料的層
84A、84B‧‧‧掃描器
85A、85B‧‧‧透鏡
86A、86B‧‧‧透鏡的焦點
91A、91B‧‧‧透明基板
92A、92B‧‧‧透明電性傳導材料的層
93A、93B‧‧‧透明電性傳導材料的層
94A、94B‧‧‧脈衝雷射射束
95A、95B‧‧‧發散透鏡
96A、96B‧‧‧聚焦透鏡
97A、97B‧‧‧雙軸掃描器單元
98A、98B‧‧‧透鏡
99A、99B‧‧‧透鏡的焦點
為了較好地解釋本發明，已知的先前技藝和申請人的發明的例子以參考伴隨的圖式來進一步描述；圖1顯示從先前技藝中已知的一PCT觸控面板；圖2顯示用於在圖1的PCT的傳導層上刻劃相同電極圖案的第一先前技藝方法；圖3顯示在傳導層上的一PCT觸控面板，其要求不同的電極圖案； 圖4顯示用於在圖3的PCT的傳導層上刻劃不同電極圖案的第二先前技藝方法；圖5顯示刻劃的不同的電極圖案第三個前衛藝術方法在PCT的傳導的層數圖3；圖6A和6B顯示根據本發明的一新穎的方法的第一實施例；圖7A和7B顯示根據本發明的一新穎的方法的第二實施例；圖8A和8B顯示根據本發明的一新穎的方法的第三實施例；圖9A和9B顯示根據本發明的一新穎的方法的第四實施例。
71A、71B‧‧‧透明基板
72A、72B‧‧‧透明和電性傳導材料的層
73A、73B‧‧‧透明和電性傳導材料的層
74A、74B‧‧‧脈衝雷射射束
75A、75B‧‧‧望遠鏡的發散透鏡
76A、76B‧‧‧望遠鏡的聚焦透鏡
77A、77B‧‧‧透鏡
78A、78B‧‧‧透鏡的焦點

Claims (14)

  1. 一種用雷射刻劃沉積在一透明基板的相對表面上的二透明電性傳導層的方法，其包括：1.指示一雷射射束透過一個或多個透鏡至在該等二層的第一層的經暴露的表面上或相當鄰近的一第一焦點；2.以正交於該雷射射束的軸的平面上的二軸來初始化在該雷射射束和該基板之間的相對移動，藉以刻劃在該等二層的第一層上的一第一電極圖案；3.重新定位一或多個透鏡以及將該雷射射束聚焦於該等二層的第二層的經暴露的表面上或相當鄰近的一第二焦點；4.以正交於該雷射射束的軸的平面上的二軸來初始化在該雷射射束和該基板之間的相對移動，藉以刻劃在該等二層的第二層上的一第二電極圖案，其中該等第一和第二電極圖案是不同的。
  2. 如申請專利範圍第1項的方法，其中，步驟3涉及在該雷射射束的顯現點與該基板之間沿該雷射射束的軸定位一單一鏡頭以及沿該雷射射束的軸來移動以便調整該焦點的位置。
  3. 如申請專利範圍第1項的方法，其中，步驟3涉及提供兩個或多個透鏡和調整在該等透鏡的兩個或多個之間的分離來調整該焦點的位置。
  4. 如申請專利範圍第1項的方法，涉及在該雷射射束顯 現之前定位一個或多個透鏡以中斷該雷射射束以及重新定位一個或多個透鏡來修正該射束的發散並且因此該顯現的射束的焦點相對於該基板。
  5. 如申請專利範圍第1項的方法，其中，步驟2和4的相對移動透過對照一固定式雷射射束的該基板的移動來達到。
  6. 如申請專利範圍第1項的方法，其中，步驟2和4的相對移動透過對照一固定式基板的該雷射射束的移動來達到。
  7. 一種用雷射刻劃沉積在一透明基板的相對表面的二透明電性傳導層中的第一和第二電極圖案的裝置，其中該雷射刻劃該等第一和第二電極圖案係根據申請專利範圍第1項之方法來進行，該裝置包括：一雷射射束；配置和定位成用於調整在一第一位置和一第二位置之間的雷射射束的焦點的一個或多個透鏡；一種將一基板保持在該等第一和第二位置之間的一平面上的手段以及一種用於在以該平面或一與該平面平行的平面中的二維尺度中移動該基板和雷射射束的相對位置的手段，其中於使用期間，該等第一和第二位置與該等二透明電性傳導層的經暴露的表面相符或是鄰近，並且該等第一和第二電極圖案是不同的。
  8. 如申請專利範圍第7項的裝置，其中，一單一鏡頭定位在該雷射射束的顯現點與該焦點之間的該雷射射束的軸上以及沿該軸來配置移動。
  9. 如申請專利範圍第7項的裝置，其中，多個透鏡定位 在該雷射射束的顯現點與該焦點之間的該雷射射束的軸上，以及沿該軸在該等透鏡之間的分離係可調整的。
  10. 如申請專利範圍第7項的裝置，其中，該雷射射束的發散，該焦點的位置因此藉由在該射束顯現之前的該射束中的一個或多個透鏡的重新定位來調整。
  11. 如申請專利範圍第8項的裝置，其包括實現在一望遠鏡的二透鏡。
  12. 如申請專利範圍第9項的裝置，其包括實現在一望遠鏡的二透鏡。
  13. 如申請專利範圍第7項的裝置，其中，指示該雷射射束通過一雙軸掃描器單元。
  14. 如申請專利範圍第13項的裝置，其中，配置該掃描器以在平行於該經刻劃的基板的一平面上的二正交軸上移動。
TW098136623A 2009-08-11 2009-10-29 電容式觸控面板 TWI505159B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0914074.0A GB2472613B (en) 2009-08-11 2009-08-11 Capacitive touch panels

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201106240A TW201106240A (en) 2011-02-16
TWI505159B true TWI505159B (zh) 2015-10-21

Family

ID=41130014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098136623A TWI505159B (zh) 2009-08-11 2009-10-29 電容式觸控面板

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8881388B2 (zh)
EP (1) EP2464492B1 (zh)
KR (1) KR101657099B1 (zh)
CN (1) CN102596483B (zh)
GB (1) GB2472613B (zh)
TW (1) TWI505159B (zh)
WO (1) WO2011018595A2 (zh)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090174676A1 (en) 2008-01-04 2009-07-09 Apple Inc. Motion component dominance factors for motion locking of touch sensor data
US8922521B2 (en) 2009-02-02 2014-12-30 Apple Inc. Switching circuitry for touch sensitive display
US8593410B2 (en) 2009-04-10 2013-11-26 Apple Inc. Touch sensor panel design
US8957874B2 (en) 2009-06-29 2015-02-17 Apple Inc. Touch sensor panel design
US9040829B2 (en) * 2009-10-23 2015-05-26 M-Solv Limited Capacitive touch panels
CN103105962B (zh) * 2011-11-09 2016-04-06 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板、触控电极结构及其制作方法
CN103309528A (zh) * 2012-03-16 2013-09-18 瀚宇彩晶股份有限公司 触控面板及其制作方法
US9329723B2 (en) 2012-04-16 2016-05-03 Apple Inc. Reconstruction of original touch image from differential touch image
CN103658992A (zh) * 2012-09-21 2014-03-26 昆山思拓机器有限公司 一种加工双面ito玻璃的紫外激光刻蚀装置
GB2509985A (en) * 2013-01-22 2014-07-23 M Solv Ltd Method of forming patterns on coatings on opposite sides of a transparent substrate
GB2511064A (en) * 2013-02-21 2014-08-27 M Solv Ltd Method of forming electrode structure for capacitive touch sensor
GB2514084B (en) * 2013-02-21 2016-07-27 M-Solv Ltd Method of forming an electrode structure for capacitive touch sensor
US20140347574A1 (en) * 2013-05-21 2014-11-27 Apple Inc. Method of plastic touch sensor process
US9886141B2 (en) 2013-08-16 2018-02-06 Apple Inc. Mutual and self capacitance touch measurements in touch panel
CN104731422B (zh) * 2013-12-24 2018-06-26 昆山维信诺显示技术有限公司 电容屏触控面板及其间隙部分氧化铟锡薄膜的刻蚀方法
US20150253901A1 (en) * 2014-03-07 2015-09-10 Cn Innovations Limited Manufacturing method for single-sided multi-layer circuit pattern for touch panel
US10936120B2 (en) 2014-05-22 2021-03-02 Apple Inc. Panel bootstraping architectures for in-cell self-capacitance
CN105094403B (zh) * 2014-05-23 2018-09-11 比亚迪股份有限公司 一种用激光干刻制作触摸屏传感器图案的方法及其应用
US10289251B2 (en) 2014-06-27 2019-05-14 Apple Inc. Reducing floating ground effects in pixelated self-capacitance touch screens
GB2529156B (en) * 2014-08-08 2018-02-07 M-Solv Ltd Double far-side laser ablation
US9880655B2 (en) 2014-09-02 2018-01-30 Apple Inc. Method of disambiguating water from a finger touch on a touch sensor panel
CN107077260B (zh) 2014-09-22 2020-05-12 苹果公司 触摸控制器和用于触摸传感器面板的方法
TWI566873B (zh) * 2014-09-24 2017-01-21 友達光電股份有限公司 形成具有溝槽之透明基材的方法以及形成元件基板的方法
WO2016069642A1 (en) 2014-10-27 2016-05-06 Pylemta Management Llc Pixelated self-capacitance water rejection
CN111610890A (zh) 2015-02-02 2020-09-01 苹果公司 柔性自电容和互电容触摸感测系统架构
US10488992B2 (en) 2015-03-10 2019-11-26 Apple Inc. Multi-chip touch architecture for scalability
US10365773B2 (en) 2015-09-30 2019-07-30 Apple Inc. Flexible scan plan using coarse mutual capacitance and fully-guarded measurements
AU2017208277B2 (en) 2016-09-06 2018-12-20 Apple Inc. Back of cover touch sensors
DE102017100743A1 (de) * 2017-01-16 2018-07-19 HELLA GmbH & Co. KGaA Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Freilassungen in der Beschichtung von transparenten Bauteilen einer Beleuchtungseinrichtung
US10386965B2 (en) 2017-04-20 2019-08-20 Apple Inc. Finger tracking in wet environment
GB201803723D0 (en) 2018-03-08 2018-04-25 M Solv Ltd Method of manufacturing a touch sensitive panel
CN110456934B (zh) * 2018-05-08 2022-12-02 盈天实业(深圳)有限公司 触控感应膜及其加工方法、装置与应用
US11157109B1 (en) 2019-09-06 2021-10-26 Apple Inc. Touch sensing with water rejection
US11662867B1 (en) 2020-05-30 2023-05-30 Apple Inc. Hover detection on a touch sensor panel
CN114888443A (zh) * 2022-03-30 2022-08-12 北京理工大学 一种飞秒激光在透明材料双面进行高尺寸精度刻型的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004153171A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Sony Corp 透明導電膜のパターニング方法
US20080129317A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Katsuichi Oba Input device and method of manufacturing the same
US7456371B2 (en) * 1999-08-18 2008-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser apparatus and laser annealing method
TW200848190A (en) * 2007-04-05 2008-12-16 Cyber Laser Inc Laser processing method and cutting method, method of dividing a structured body with multiple substrates

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57132113A (en) * 1981-02-09 1982-08-16 Hitachi Ltd Method and device for pattern formation using laser
JPS59174288A (ja) * 1983-03-22 1984-10-02 Hitachi Ltd レ−ザ溶接方法
JPS6179714A (ja) * 1984-09-27 1986-04-23 Mitsubishi Electric Corp レ−ザ焼入れ装置
DE3508469A1 (de) * 1985-03-09 1986-09-11 Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8012 Ottobrunn Verfahren zum strukturieren von auf einem transparenten substrat aufgebrachten schichtfolgen
US5432015A (en) 1992-05-08 1995-07-11 Westaim Technologies, Inc. Electroluminescent laminate with thick film dielectric
JP2772913B2 (ja) * 1994-05-18 1998-07-09 岡谷電機産業株式会社 透明電極基板の製造方法及びタッチスイッチ付ガス放電表示パネル並びにバックライト付液晶表示パネル
JPH10166174A (ja) * 1996-12-09 1998-06-23 Nikon Corp レーザ加工装置及び同用ミラー
JP3769942B2 (ja) * 1997-09-02 2006-04-26 セイコーエプソン株式会社 レーザー加工方法及び装置、並びに非導電性透明基板の回路形成方法及び装置
US6300594B1 (en) * 1998-02-19 2001-10-09 Ricoh Microelectronics Company, Ltd. Method and apparatus for machining an electrically conductive film
WO2002005352A2 (en) * 2000-07-06 2002-01-17 Bp Corporation North America Inc. Partially transparent photovoltaic modules
JP2003200279A (ja) 2001-10-24 2003-07-15 Seiko Epson Corp 基板の電気配線切断方法及びその装置、並びに電子デバイスの製造方法及びその装置
JP2008203434A (ja) * 2007-02-19 2008-09-04 Fujitsu Ltd 走査機構、被加工材の加工方法および加工装置
JP5193764B2 (ja) * 2007-09-13 2013-05-08 統寶光電股▲ふん▼有限公司 投影型容量タッチ検出装置、ディスプレイ・パネル及び映像表示システム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7456371B2 (en) * 1999-08-18 2008-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser apparatus and laser annealing method
JP2004153171A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Sony Corp 透明導電膜のパターニング方法
US20080129317A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Katsuichi Oba Input device and method of manufacturing the same
TW200848190A (en) * 2007-04-05 2008-12-16 Cyber Laser Inc Laser processing method and cutting method, method of dividing a structured body with multiple substrates

Also Published As

Publication number Publication date
KR101657099B1 (ko) 2016-09-13
WO2011018595A2 (en) 2011-02-17
CN102596483A (zh) 2012-07-18
WO2011018595A3 (en) 2011-05-12
GB2472613B (en) 2015-06-03
US20120169664A1 (en) 2012-07-05
KR20120058541A (ko) 2012-06-07
EP2464492B1 (en) 2018-01-17
GB0914074D0 (en) 2009-09-16
TW201106240A (en) 2011-02-16
CN102596483B (zh) 2015-04-22
GB2472613A (en) 2011-02-16
EP2464492A2 (en) 2012-06-20
US8881388B2 (en) 2014-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI505159B (zh) 電容式觸控面板
US11888084B2 (en) Optimization of high resolution digitally encoded laser scanners for fine feature marking
GB2509985A (en) Method of forming patterns on coatings on opposite sides of a transparent substrate
TWI570749B (zh) Transparent conductive element and method of manufacturing the same, input device, electronic machine, and transparent conductive layer processing method
US20160001496A1 (en) Methods and apparatus for the fabrication of pattern arrays in making touch sensor panels
WO2014130892A1 (en) Patterning conductive films using variable focal plane to control feature size
JP2007243059A (ja) 透明電極付フィルムの製造方法と透明電極付フィルムを用いたタッチパネル
TW201246388A (en) Film layer etching method and laser lithographic machine
TWI656937B (zh) 用於為沈積於一透明基板之各自相對第一表面及第二表面上之第一透明導電層及第二透明導電層雷射劃線之方法
CN104475979A (zh) 一种透明导电薄膜的激光刻蚀方法
US10464172B2 (en) Patterning conductive films using variable focal plane to control feature size
CN102615421A (zh) 多层薄膜基板加工方法及装置
CN103071926A (zh) 用于刻纳米银导电材料的装置及其方法
WO2021009961A1 (ja) 複合材の分断方法
JP2018164051A (ja) パターン積層体の製造方法
WO2021009960A1 (ja) 複合材の分断方法
JP3164084U (ja) 二層導電膜パネルの曲線プロセスに用いるレーザー装置
CN110456934A (zh) 触控感应膜及其加工方法、装置与应用
KR20110007746U (ko) 패널 도전박막의 음향광학변조커브 제조공정에 사용되는 레이저 장치