TWI656937B - 用於為沈積於一透明基板之各自相對第一表面及第二表面上之第一透明導電層及第二透明導電層雷射劃線之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種用於為沈積於一透明基板之各自相對第一表面及第二表面上之第一透明導電層及第二透明導電層雷射劃線之方法，其包括：將一第一雷射光束引導穿過一或多個透鏡至該基板之該第一表面上或緊鄰該基板之該第一表面之一焦點，使得該聚焦雷射光束穿過基板之該第二導電層及該第二表面；啟動該第一雷射光束與該基板之間之沿與該第一雷射光束之軸正交之一平面中之兩個軸之相對移動，從而在該第一導電層中為一第一圖案劃線；將一第二雷射光束引導穿過一或多個透鏡至該基板之該第二表面上或緊鄰該基板之該第二表面之一焦點，使得該聚焦雷射光束穿過該基板之該第一導電層及該第一表面；啟動該第二雷射光束與該基板之間之沿與該第二雷射光束之軸正交之一平面中之兩個軸之相對移動，從而在該第二導電層中為一第二圖案劃線。

Description

用於為沈積於一透明基板之各自相對第一表面及第二表面上之第一透明導電層及第二透明導電層雷射劃線之方法
本發明係關於一種用於製造電容性觸控面板之方法，特定言之，該方法係關於在一兩層投影電容性觸控面板之一基板之相對側上之兩個導電層上為圖案劃線。
電容性觸控面板技術正廣泛使用，例如在行動電話、衛星導航系統、PDA螢幕及手持遊戲機中之應用。
電容性觸控面板之一種特定形式被稱為投影電容性觸控技術或「PCT」。在PCT裝置中，感測電極之一XY陣列形成於透明導電材料之層中。在使用中，電容形成於使用者手指與從感測電極中投影之電容之間。一旦完成一觸控，則其經精準量測且翻譯成藉由用於一合適軟體應用程式之下層電子裝置執行之一命令。PCT螢幕享有精確回應手指及記錄針之權利。
PCT技術之一種特定形式具有透明導電材料之兩個分離層且正係為了偵測電極陣列層之交叉點處之電極之間的互電容之變化。
將透明導電材料之層之各者分成在一第一正交方向上電連接但在一第二正交方向上電絕緣之複數個分離電極單元。經劃線之圖案在兩個層中可相同或可不同。
習知地，在使用PCT技術之一電容性觸控面板中，一透明基板沈積於透明導電材料之一層之相對表面之各者上。在透明導電材料之層 之各者中使用兩個單獨雷射為一電極圖案劃線。各雷射藉由聚焦於最靠近其之基板之表面上而為一圖案劃線，此被稱為近側消熔。專利申請案GB 08003305.3描述此一方法。替代地，使用一單一雷射且可需要反轉基板且對準裝置以實施針對第二層之劃線程序。在預期電極圖案在兩個表面上係相同之處，一單一雷射可聚焦於兩個層之間且其參數經選擇以同時在該兩個層之各者中提供劃線且對透明基板無損壞。應明白，此一個雷射程序不可用於在兩個層上提供不同圖案。在JP 8320638A及US 2008/129318 A中描述此程序。
WO 2011/018595描述用於在一PCT觸控面板之兩個導電層上提供不同電極圖案之劃線而無需一第二雷射或反轉基板之一程序。藉由將雷射光學器件之距離最靠近該雷射之基板之表面上之一點之焦距改變為距離該雷射最遠之基板之表面上之一點而達成此程序，從而執行所謂之遠側消熔。習知地，近側消熔係用於在一PCT觸控面板之一導電層上為一電極圖案劃線之較佳機構。此係由於雷射功率被玻璃基板減弱。在WO 2011/018595中描述之方法係此習知方法之一例外，其接受雷射減弱以藉由去除一第二雷射或反轉基板且接著再校準該雷射之需要來簡化該程序。
除了其他目的，本發明還致力於提供用於製造相較於現存方法具有一較高產率之電容性觸控面板之一替代方法。
根據本發明之一態樣，提供用於為沈積於一透明基板之各自相對第一表面及第二表面上之第一透明導電層及第二透明導電層雷射劃線之一方法，其包括：將一第一雷射光束引導穿過一或多個透鏡至該基板之該第一表面上或緊鄰該基板之該第一表面之一焦點，使得該聚焦雷射光束穿過該基板之該第二導電層及該第二表面；啟動該第一雷射光束與該基板之間之沿與該第一雷射光束之軸正交之一平面中之兩 個軸之相對移動，從而在該第一導電層中為一第一圖案劃線；將一第二雷射光束引導穿過一或多個透鏡至該基板之該第二表面上或鄰近該基板之該第二表面之一焦點，使得該聚焦雷射光束穿過該基板之該第一導電層及該第一表面；啟動該第二雷射光束與該基板之間之沿與該第二雷射光束之軸正交之一平面中之兩個軸之相對移動，從而在該第二導電層中為一第二圖案劃線。
該第一雷射光束及該第二雷射光束可相同且該方法可進一步包括：在該第一導電層中為該第一圖案劃線之後，將該基板或該雷射光束從其中該基板之該第二表面面對該雷射光束之一位置移動至其中該基板之該第一表面面對該雷射光束之一位置。可從該基板之相對側發射該第一雷射光束及該第二雷射光束。由該第一雷射光束及該第二雷射光束為該第一導電層及該第二導電層之劃線可同時發生。該第一雷射光束及該第二雷射光束可具有介於1000nm至1100nm之範圍中之一波長。在該第一導電層中被劃線之該第一圖案可不同於在該第二導電層中被劃線之該第二圖案或該第一圖案可相同於該第二圖案。
根據本發明之另一態樣，該第一雷射光束可將該第一導電層從該基板移除之臨限能量密度低於該第一雷射光束可將該第二導電層從該基板移除之臨限能量密度，該第二雷射光束可將該第二導電層從該基板移除之臨限能量密度低於該第二雷射光束可將該第一導電層從該基板移除之臨限能量密度。
根據本發明之另一態樣，在對應於該第一導電層之一位置上之該第一雷射光束之能量密度超過該第一雷射光束所需之用於將該第一導電層從該基板移除之臨限能量密度且在對應於該第二導電層之一位置上之該第一雷射光束之能量密度不超過該第一雷射光束所需之用於將該第二導電層從該基板移除之臨限能量密度，且在對應於第二導電層之一位置上之該第二雷射光束之能量密度超過該第二雷射光束所需 之用於將該第二導電層從該基板移除之臨限能量密度且在對應於該第一導電層之一位置上之該第二雷射光束之能量密度不超過該第二雷射光束所需之用於將該第一導電層從該基板移除之臨限能量密度。
使用該第一雷射光束或該第二雷射光束分別為該第一導電層或該第二導電層劃線之一程序窗可大於使用該第二雷射光束或該第一雷射光束分別為該第一導電層或該第二導電層劃線之一程序窗，其中該程序窗被界定為相對於待劃線之目標導電層之該雷射光束之焦點位置之範圍，在此範圍中，該雷射光束可為該目標導電層劃線而不為相對導電層劃線。
使用該第一雷射光束或該第二雷射光束分別為該第一導電層或該第二導電層劃線之一程序窗超過待沿劃線雷射光束軸之方向被劃線之目標導電層之位置之變動，及/或沿劃線雷射光束軸之方向之劃線雷射光束之焦平面之位置之變動，或待沿劃線雷射光束軸之方向被劃線之目標導電層之位置與沿劃線雷射光束軸之方向之劃線雷射光束之焦平面之位置之組合變動。
該第一導電層及該第二導電層可由相同材料形成。該第一導電層及該第二導電層可由氧化銦錫形成。基板厚度較佳為等於或小於1.5mm。
該方法可進一步包括：將該第一雷射光束引導穿過一或多個透鏡至該基板之該第二表面上或緊鄰該基板之該第二表面之一焦點；啟動該第一雷射光束與該基板之間之沿與該第一雷射光束之軸正交之一平面中之兩個軸之相對移動，從而在安置於該第二導電層上或該第二導電層與該基板之間之一第一金屬層中為一第三圖案劃線；將該第二雷射光束引導穿過一或多個透鏡至該基板之該第一表面上或緊鄰該基板之該第一表面之一焦點；啟動該第二雷射光束與該基板之間之沿與該第一雷射光束之軸正交之一平面中之兩個軸之相對移動，從而在安 置於該第一導電層上或該第一導電層與該基板之間之一第二金屬層中為一第四圖案劃線。
11‧‧‧基板
12‧‧‧第一表面
13‧‧‧第二表面
14‧‧‧第一導電層
14'‧‧‧第二導電層
21‧‧‧第一雷射光束
21'‧‧‧第二雷射光束
22‧‧‧透鏡
22'‧‧‧透鏡
23‧‧‧雷射模組
F‧‧‧焦點
F'‧‧‧焦點
以下將參考隨附圖式描述本發明之其他目的及特徵，其中：圖1展示在本發明中使用之一基板；圖2展示根據本發明之一第一實施例之一程序；圖3A及圖3B展示根據本發明之一第二實施例之一程序；圖4A展示用於為一電極圖案劃線之一第一方法；圖4B展示用於為一電極圖案劃線之一第二方法。
圖1展示通常用於PCT技術中(諸如本發明)之一基板。用於一典型兩層電容性觸控面板之基板11係透明的且可為剛性的且可由玻璃或其他無機透明材料(例如矽)製成，或可為彈性的且可由諸如聚酯(PET)或聚碳酸酯(PC)或薄撓性玻璃(TFG)之一聚合物製成。基板之厚度通常在0.3mm至1.5mm之範圍中。將透明且導電之層14、14，應用於基板之層12、13。此等層通常為諸如氧化銦錫(ITO)或其他透明導電氧化物(TCO)之一無機氧化物材料之薄層。其他基於有機材料或奈米粒子材料之透明導電層可用作為一替代。對於電容性觸控面板來說，典型層厚度在50nm至數百奈米之範圍中，其中表面電阻性在每平方50歐姆至150歐姆之範圍中。從此，吾人在此說明書中將此等透明導電材料稱為TCM。基板11之表面12、13可塗層有相同TCM。較佳地，表面12、13可塗層有如導電層14、14'之ITO。此外，基板厚度較佳係等於或小於1.5mm。更佳地，基板厚度在大約0.5mm與大約1.0mm之間。亦較佳地，基板厚度為大約0.7mm。
為了在TCM塗層中形成分離電極，在TCM塗層中使用一脈衝雷射光束為一圖案劃線。通常，雷射光束之波長經選擇使得該光束可穿 過基板11而無大量之吸收但一些雷射功率仍被TCM塗層吸收。該雷射光束具有通常分別在1000nm至1100nm及350nm至360nm之範圍內之一紅外線或紫外線中心波長，但其他波長亦可。雷射光束通常藉由一或多個透鏡聚焦於一點。雷射光束之能量密度隨著自聚焦光學器件之距離而變化。能量密度在焦點處最大且當雷射光束發散而其遠離焦點時下降。脈衝雷射聚焦於一TCM塗層處或靠近該TCM塗層之一點上且雷射功率及脈衝能量經調整使得TCM吸收充足能量以將其從基板表面消熔。基板11及雷射光束沿垂直於雷射光束軸之一平面中之兩個軸相對於彼此移動以劃線來產生所需之絕緣電極圖案。
在JP 8320638A及US 2008/129318 A之方法中，雷射光束聚焦於基板內，基板之相對側上之兩個TCM塗層之間。雷射光束參數經選擇使得在對應於TCM塗層之位置上之雷射光束之能量密度足夠充足從而消熔TCM層來將其等從基板表面移除。在GB 08003305.3中，雷射光束聚焦於近側TCM塗層上，最靠近發射雷射光束之位置。雷射光束參數經選擇使得最大能量密度超過將TCM從基板之近側表面消熔所需之臨限能量密度。雷射光束穿過基板時之發散確保在其他TCM塗層之一位置處(在基板之相對表面上)之能量密度不足以將TCM從基板之表面消熔。在WO 2011/018595中，GB 08003305.3之方法用於在基板之一第一表面上之TCM塗層中形成一電極圖案。電極圖案藉由以下而形成於基板之第二表面上之TCM塗層中：增加聚焦光學系統之焦距或藉由朝向基板移動聚焦透鏡，從而使雷射光束穿過基板聚焦至基板之第二表面上之TCM塗層上。雷射光束參數經選擇使得最大能量密度超過將TCM從基板之遠側表面消熔所需之臨限能量密度。聚焦雷射光束穿過基板時之收斂確保在基板之第一表面上之TCM塗層之一位置處之能量密度不足以將TCM塗層從基板之第一表面消熔。在以上提及之專利文檔之各者中，所描述之程序假設用於基板之任一側上之TCM塗層之相 似消熔臨限值且取決於雷射光束之發散以確保僅消熔基板之一側上之TCM塗層。若基板足夠厚，則此將不成為一問題。然而，若基板係薄的(例如，小於0.3mm)，則此程序不起作用，此係由於將不存在遍及基板之厚度之能量密度之充足變動。
圖2展示根據本發明之一第一實施例之為沈積於一透明基板11之各自相對第一表面12及第二表面13上之第一透明導電層(TCM塗層)14及第二透明導電層(TCM塗佈)14'雷射劃線之一程序。可如所見，一第一雷射光束21經引導穿過一或多個透鏡22至基板11之第一表面12上或緊鄰基板11之第一表面12之一焦點F，使得聚焦雷射光束21穿過基板11之第二導電層14'及第二表面13。此外，一第二雷射光束21'經引導穿過一或多個透鏡22'至基板11之第二表面13上或緊鄰基板11之第二表面13之一焦點F'，使得聚焦雷射光束21'穿過基板11之第一導電層14及第一表面12。接著雷射光束21、21'在導電層14、14'中為一電極圖案劃線。
圖3A及圖3B展示根據本發明之一第二實施例之為沈積於一透明基板11之各自相對第一表面12及第二表面13上之第一透明導電層14及第二透明導電層14'雷射劃線之一程序。如在圖3A中可見，一第一雷射光束21經引導穿過一或多個透鏡22至基板11之第一表面12上或緊鄰基板11之第一表面12之一焦點F1，使得聚焦雷射光束21穿過基板11之第二導電層14'及第二表面13。在於第一導電層14中為電極圖案劃線之後，接著將基板11從其中基板11之第二表面13面對雷射光束21之一位置移動至其中基板11之第一表面12面對雷射光束21之一位置。接著，如在圖3B中可見，雷射光束21經引導穿過一或多個透鏡22至基板11之第二表面13上或緊鄰基板11之第二表面13之焦點F，使得聚焦雷射光束21穿過基板11之第一導電層14及第一表面12。雷射光束21接著在第二導電層14'中為一電極圖案劃線。
在以上描述之程序之各者中，基板之兩側上之TCM塗層遭受遠側消熔，其中雷射光束以離其中發射該雷射光束最遠之基板之側上之TCM塗層為目標且將其消熔。
實施實驗以確定針對雷射光束波長、雷射光束脈衝持續時間、基板材料、基板厚度及ITO薄膜電阻之不同組合之用於近側及遠側TCM塗層之典型ITO消熔臨限值。結果在表1中展示。結果展示針對參數之特定組合，用於遠側TCM塗層之消熔臨限值明顯低於用於近側TCM塗層之消熔臨限值。此預料之外之結果之理由被認為係在於雷射光束與基板之近側表面上之TCM塗層以及基板之遠側表面上之TCM塗層相互作用之不同機制。在遠側TCM塗層之情況中，雷射光束可直接在TCM基板介面上起作用，此意謂該雷射光束可將TCM塗層從基板分層。在近側TCM塗層之情況中，雷射必須穿過TCM塗層以到達TCM-基板介面，因此若該塗層正經蒸發，則能量可被TCM塗層及TCM塗層上之煙流中之任何經噴射之材料減弱。本質上，蒸發TCM塗層比將其分層需要更多之能量。此外，諸如TCM塗層與基板之間的接合強度之因素影響將TCM塗層從基板分層之能力。因此，消熔臨限值亦將取決於雷射參數及基板及TCM之類型。
在於圖2及圖3中展示且在上文描述之方法中使用之雷射光束、基板及TCM塗層參數之組合可經選擇使得用於近側消熔之臨限值高於用於遠側消熔之臨限值。此意謂著近側TCM塗層及遠側TCM塗層之各自位置上之雷射光束21、21'之能量密度可足夠消熔遠側TCM塗層(即，高於用於遠側消熔之臨限值)但不足以消熔近側TCM塗層(即，低於用於近側消熔之臨限值)。以此方式選擇參數允許使用一遠側消熔程序使得不同電極圖案形成於基板11之各側12、13上，即使針對薄基板亦然。此係由於消熔臨限值中之差異防止移除近側TCM塗層。
此外，歸因於近側消熔與遠側消熔之間的消熔臨限值之經增加差異，可藉由使用一遠側消熔程序增加一程序窗。該程序窗被界定為相對於待劃線之目標基板表面的雷射光束之焦點位置之範圍，劃線程序可發揮效果，即，在此範圍內，第一雷射光束或第二雷射光束可分別為第一導電層或第二導電層劃線而無需為相對層劃線。因此，雷射光束、基板及TCM塗層參數之組合較佳經選擇使得針對參數之組合之用於遠側消熔之程序窗超過針對參數之組合之用於近側消熔之程序窗。
程序窗之經增加尺寸使得該程序以一高產率方式運作。此係由於在程序窗之全部範圍中更易於將基板11保持於該程序窗中。為了允 許接取雷射光束，且防止由雷射照射下之任何支撐材料之污染，可不遍及基板之寬度而支撐基板，因此該基板可能不係十分平的，即，基板11之位置及TCM塗層沿雷射光束軸(z軸方向)有一些高度上之變動。在一小程序窗中，藉由曲率引起之基板11之位置偏差(歸因於支撐基板之方式)可導致基板11之部分被定位於程序窗之外，從而導致一較低程序產率。此外，雷射光束之焦平面不係完美之平面，一較大程序窗可適應歸因於沿雷射光束軸(z軸方向)之方向之焦平面之位置之變動的雷射光束之能量密度之變化。
在一0.7mm厚之鹼石灰浮法玻璃基板上之一50ohm/sq ITO塗層之情況中，使用具有1030nm至1064nm之一波長及10ns至15ns之一脈衝持續時間之一脈衝紅外線雷射建立用於一遠側消熔程序之1.4mm之一程序窗。針對相同參數之用於一近側消熔程序之程序窗係0.3mm。使用一紫外線奈秒脈衝雷射時，發現用於近側及遠側消熔之程序窗為大約0.4mm。藉由以上實例達成之程序窗之尺寸之改良係顯著的。因此，如本發明中之情形，使用基板11之兩側12、13上之一遠側消熔程序可顯著改良程序產率。較佳地，雷射光束、基板及TCM特性應經選擇以給予超過沿z軸方向之基板表面之高度變動及/或沿z軸方向之劃線雷射光束之焦平面之位置之變動，或較佳地，沿z軸方向之基板表面位置之變動與沿z軸方向之劃線雷射光束之焦平面之位置之變動組合之一程序窗。
在圖2及圖3中所展示之實施例之各者中，啟動雷射光束21、21'與基板11之間之沿與第一雷射光束之軸正交之一平面中之兩個軸之相對移動，從而在導電層(TCM塗層)14、14'中為一電極圖案劃線。藉由雷射光束21、21'與基板11之間之在垂直於雷射光束之一平面中之平移移動或藉由在基板11之表面上用雷射光束21、21'進行掃描或兩者之一組合而啟動此相對移動，如圖4A及圖4B中所分別繪示。如圖4A 中所展示，雷射光束21在與基板11平行之一平面中移動。如圖4B中所展示，雷射光束沿垂直於雷射光束21之軸之一徑向方向偏斜至基板11上之不同位置。在圖2中所展示之實施例之情況中，以相同方式消熔基板11之相對側上之TCM塗層但圖式中未展示。單獨為劃線於基板11之各側12、13上之電極圖案劃線，因此該等電極圖案可相同或可不同，此取決於最終產品所需之特性。圖4A及圖4B亦展示一雷射模組23，其發射雷射光束21且含有用於聚焦及引導雷射光束21之反射及/或折射光學元件，例如其可包含一或多個聚焦透鏡21。
PCT裝置亦可包含感測電極之陣列之邊緣接界區域中之一金屬層。此金屬層可沈積於經沈積之TCM之頂部上或替代地可在沈積TCM塗層之前應用於基板，使得該金屬層位於基板與該TCM塗層之間。通常藉由諸如物理汽相沈積(PVD)、網版印刷或噴墨印刷之一程序應用金屬層。亦使用一雷射光束為金屬層劃線，但不像TCM塗層，該金屬層不適合遠側消熔。因此，必須使用一近側消熔程序為金屬層劃線。金屬層可形成於基板之兩側上。若使用一遠側程序為TCM塗層劃線，則雷射光束可經再聚焦以在基板之相對側上為金屬層劃線。在圖2展示之程序中，其中同時用兩個雷射光束進行劃線，可藉由將雷射光束再聚焦於近側基板表面上而在TCM塗層之後為金屬層劃線，使得第一雷射光束在基板之第二側上為金屬層劃線且第二雷射光束同時在基板之第一側上為該金屬層劃線。替代地，可在TCM塗層之前為金屬層劃線。在圖3A及圖3B所展示之具有一單一雷射光束之程序中，首先，在基板之第一側上為TCM塗層劃線，接著再聚焦雷射，接著在基板之第二側上為金屬層劃線，接著再聚焦雷射且反轉該基板，接著在基板之第二側上為TCM塗層劃線，接著最後在基板之第一側上為金屬層劃線。替代地，其中為TCM塗層及金屬層劃線之順序可係不同的。無論何時都可使用任何順序反轉基板。

Claims (15)

  1. 一種用於為沈積於一透明基板之各自相對第一表面及第二表面上之第一透明導電層及第二透明導電層雷射劃線之方法，其包括：將一第一雷射光束引導穿過一或多個透鏡至該基板之該第一表面上或緊鄰該基板之該第一表面之一焦點，使得該聚焦雷射光束穿過該基板之該第二導電層及該第二表面；啟動該第一雷射光束與該基板之間之沿與該第一雷射光束之軸正交之一平面中之兩個軸之相對移動，從而在該第一導電層中為一第一圖案劃線；將一第二雷射光束引導穿過一或多個透鏡至該基板之該第二表面上或緊鄰該基板之該第二表面之一焦點，使得該聚焦雷射光束穿過該基板之該第一導電層及該第一表面；啟動該第二雷射光束與該基板之間之沿與該第二雷射光束之軸正交之一平面中之兩個軸之相對移動，從而在該第二導電層中為一第二圖案劃線。
  2. 如請求項1之方法，其中該第一雷射光束及該第二雷射光束係相同的且該方法進一步包括：在該第一導電層中為該第一圖案劃線之後，將基板從其中該基板之該第二表面面對該雷射光束之一位置移動至其中該基板之該第一表面面對該雷射光束之一位置。
  3. 如請求項1之方法，其中從該基板之相對側應用該第一雷射光束及該第二雷射光束。
  4. 如請求項3之方法，其中藉由該第一雷射光束及該第二雷射光束為該第一導電層及該第二導電層之劃線可同時發生。
  5. 如請求項1之方法，其中該第一雷射光束及該第二雷射光束可具有介於1000nm至1100nm之範圍中之一波長。
  6. 如請求項1之方法，其中該第一圖案不同於該第二圖案。
  7. 如請求項1之方法，其中該第一圖案相同於該第二圖案。
  8. 如請求項1之方法，其中該第一雷射光束可將該第一導電層從該基板移除之臨限能量密度低於該第一雷射光束可將該第二導電層從該基板移除之臨限能量密度，該第二雷射光束可將該第二導電層從該基板移除之該臨限能量密度低於該第二雷射光束可將該第一導電層從該基板移除之該臨限能量密度。
  9. 如請求項1之方法，其中在對應於該第一導電層之一位置上之該第一雷射光束之該能量密度超過該第一雷射光束所需之用於將該第一導電層從該基板移除之該臨限能量密度，且在對應於該第二導電層之一位置上之該第一雷射光束之該能量密度不超過該第一雷射光束所需之用於將該第二導電層從該基板移除之該臨限能量密度，且在對應於該第二導電層之一位置上之該第二雷射光束之該能量密度超過該第二雷射光束所需之用於將該第二導電層從該基板移除之該臨限能量密度，且在對應於該第一導電層之一位置上之該第二雷射光束之該能量密度不超過該第二雷射光束所需之用於將該第一導電層從該基板移除之該臨限能量密度。
  10. 如請求項1之方法，其中使用該第一雷射光束或該第二雷射光束分別為該第一導電層或該第二導電層劃線之一程序窗大於使用該第二雷射光束或該第一雷射光束分別為該第一導電層或該第二導電層劃線之一程序窗，其中該程序窗被界定為相對於待劃線之目標導電層之該雷射光束之焦點位置之範圍，在此範圍 中，該雷射光束可為該目標導電層劃線而不為相對導電層劃線。
  11. 如請求項1之方法，其中使用該第一雷射光束或該第二雷射光束分別為該第一導電層或該第二導電層劃線之一程序窗超過待沿劃線雷射光束軸之方向被劃線之該目標導電層之該位置之變動，及/或沿該劃線雷射光束軸之方向之該劃線雷射光束之焦平面之位置之變動，或待沿該劃線雷射光束軸之方向被劃線之該目標導電層之該位置與沿該劃線雷射光束軸之方向之該劃線雷射光束之該焦平面之該位置之組合變動，其中該程序窗被界定為相對於待劃線之該目標導電層之該雷射光束之焦點位置之該範圍，在此範圍中，該雷射光束可為該目標導電層劃線而不為該相對導電層劃線。
  12. 如請求項1之方法，其中該第一導電層及該第二導電層由相同材料形成。
  13. 如請求項12之方法，其中該第一導電層及該第二導電層由氧化銦錫形成。
  14. 如請求項1之方法，其中該基板厚度等於或小於1.5mm。
  15. 如請求項1之方法，其進一步包括：將該第一雷射光束引導穿過該一或多個透鏡至該基板之該第二表面上或緊鄰該基板之該第二表面之一焦點；啟動該第一雷射光束與該基板之間之沿與該第一雷射光束之該軸正交之一平面中之兩個軸之相對移動，從而在安置於該第二導電層上或該第二導電層與該基板之間之一第一金屬層中為一第三圖案劃線；將該第二雷射光束引導穿過該一或多個透鏡至該基板之該第一表面上或緊鄰該基板之該第一表面之一焦點； 啟動該第二雷射光束與該基板之間之沿與該第一雷射光束之該軸正交之一平面中之兩個軸之相對移動，從而在安置於該第一導電層上或該第一導電層與該基板之間之一第二金屬層中為一第四圖案劃線。
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