JP2018164051A - パターン積層体の製造方法 - Google Patents
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図1A〜図1Cは、本発明のパターン積層体の製造方法の一実施形態を示す。パターン積層体10の製造方法は、用意工程、および、パターニング工程を備える。
用意工程では、第1積層体(非パターン積層体)1を用意する。
基材フィルム2は、フィルム形状を有しており、面方向(前後方向および左右方向)に連続した一枚のフィルムから構成されている。
圧電層3は、基材フィルム2の上側に、基材フィルム2の上面と接触するように、配置されている。より具体的には、圧電層3は、基材フィルム2と第1透明導電層4との間に、基材フィルム2の上面および第1透明導電層4の下面と接触するように、配置されている。
第1透明導電層4は、第1積層体1の最上層であって、具体的には、第1透明導電層4は、圧電層3の上側に、圧電層3の上面と接触するように、配置されている。
第2透明導電層5は、第1積層体1の最下層であって、具体的には、第2透明導電層5は、基材フィルム2の下側に、基材フィルム2の下面と接触するように、配置されている。
まず、基材フィルム2を用意し、基材フィルム2の上面全面に圧電層3を形成する。
パターニング工程は、圧電層3および第1透明導電層4をパターニングする第1パターニング工程、および、第2透明導電層5をパターニングする第2パターニング工程を備える。
第1パターニング工程では、圧電層3および第1透明導電層4を同時にパターニングして、パターン圧電層6およびパターン第1透明導電層7を得る。すなわち、導電層パターニング工程および圧電層パターニング工程を同時に実施する。
第2パターニング工程では、第2透明導電層5をパターニングして、パターン第2透明導電層8を得る。
パターン積層体10は、図3および図1C(図3のA−A断面図)に示すように、パターン第2透明導電層8と、基材フィルム2と、パターン圧電層6と、パターン第1透明導電層7とを順に備える。
基材フィルム2は、パターン積層体10の機械強度を確保する基材である。基材フィルム2は、パターン圧電層6、パターン第1透明導電層7およびパターン第2透明導電層8を支持している。
パターン圧電層6は、パターン積層体10に圧力が印加された際に、電圧を生じさせるための層である。
パターン第1透明導電層7は、電圧が生じたパターン圧電層6から電流を取り出すための層である。
パターン第2透明導電層8は、パターン第1透明導電層7と対をなし、電圧が生じたパターン圧電層6から電流を取り出すための層である。
そして、このパターン積層体10の製造方法によれば、圧電層3と、圧電層3の上側に配置される第1透明導電層4と、圧電層3の下側に配置される基材フィルム2と、基材フィルム2の下側に配置される第2透明導電層5とを備える第1積層体1を用意する用意工程、第1透明導電層4および圧電層3を同時にパターニングする第1パターニング工程、および、第2透明導電層5をパターニングする第2パターニング工程を備える。また、第1パターニング工程において、パルスレーザーを第1透明導電層4および圧電層3に照射することによりエッチングする工程であり、パルスレーザーのピークパワーが、5.0MW以上であり、パルスレーザーのラインエネルギーが、0.5mJ/mm以上、5.0mJ/mm未満である。
次に、一実施形態の変形例を示す。なお、以降の各図において、上記と同様の部材には同一の符号を付し、その説明を省略する。
PETフィルム(厚み23μm)の上面に、フッ化ビニリデン系樹脂(ポリフッ化ビニリデン)からなる圧電層(厚み5μm)およびインジウム−スズ複合酸化物(ITO)からなる第1透明導電層(厚み30nm)を順に積層した。また、PETフィルムの下面に、PETフィルムの下面に、ITOからなる第2透明導電層(厚み30nm)を積層した。その後、積層体を加熱して、第1および第2透明導電層のITOを結晶化した。これにより、第1積層体(非パターン積層体)を得た。
パルスレーザーの条件などを表1に示す条件に設定した以外は、実施例1と同様にして、非パターン積層体の上面をエッチングした。その結果を表1に示す。
パルスレーザーの条件などを表1に示す条件に設定した以外は、実施例1と同様にして、非パターン積層体の上面をエッチングした。なお、比較例6では、パルスレーザーの代わりに、半導体レーザーを使用した。その結果を表1に示す。
2 基材フィルム
3 圧電層
4 第1透明導電層
5 第2透明導電層
6 パターン圧電層
7 パターン第1透明導電層
8 パターン第2透明導電層
10 パターン積層体
Claims (5)
- フッ化ビニリデン系樹脂を主成分として含有する圧電層と、前記圧電層の厚み方向一方側に配置される透明導電層とを備える積層体を用意する工程、
前記透明導電層をパターニングする導電層パターニング工程、および、
前記圧電層をパターニングする圧電層パターニング工程
を備え、
前記圧電層パターニング工程が、レーザーを前記圧電層に照射することによりエッチングする工程であり、
前記レーザーが、パルスレーザーであり、
前記レーザーのピークパワーが、5.0MW以上であり、
前記レーザーのラインエネルギーが、0.5mJ/mm以上、5.0mJ/mm未満であることを特徴とする、パターン積層体の製造方法。 - 前記パルスレーザーが、ピコ秒パルスレーザーまたはフェムト秒パルスレーザーであることを特徴とする、請求項1に記載のパターン積層体の製造方法。
- 前記導電層パターニング工程および前記圧電層パターニング工程を同時に実施することを特徴とする、請求項1または2に記載のパターン積層体の製造方法。
- 前記積層体が、前記圧電層の厚み方向他方側に配置される基材フィルムをさらに備えることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載のパターン積層体の製造方法。
- 前記積層体が、前記基材フィルムの厚み方向他方側に配置される第2透明導電層をさらに備えることを特徴とする、請求項4に記載のパターン積層体の製造方法。
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