JP2002072247A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】製造工程数を削減して製造コストを低減するこ
とが可能な液晶表示装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】この液晶表示装置の製造方法は、基板１０
１上にスイッチング素子１２１を形成する第１工程と、
スイッチング素子１２１を覆うように基板１０１上に有
機絶縁層１３０を形成する第２工程と、有機絶縁層１３
０の表面に凹凸部１３０Ａ及び１３０Ｂを形成し、同時
に、有機絶縁層１３０にスイッチング素子１２１まで貫
通するスルーホール１１８を形成する第３工程と、凹凸
部が形成された有機絶縁層１３０の表面に、スルーホー
ル１１８を介してスイッチング素子１２１に接続された
画素電極１５１を形成する第４工程と、を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置の
製造方法に係り、特に、液晶表示装置に適用されるアレ
イ基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、反射型液晶表示装置は、スイッチ
ング素子を覆う有機絶縁層上に金属反射電極としての画
素電極を備えたアレイ基板と、カラーフィルタ層上に透
明電極としての対向電極を備えた対向基板と、アレイ基
板と対向基板との間に挟持された液晶層とを備えて構成
されている。

【０００３】画素電極は、有機絶縁層に形成されたスル
ーホールを介してスイッチング素子に電気的に接続され
ている。また、この画素電極は、視野角を拡大するため
に凹凸を有する有機絶縁層の表面に形成されている。

【０００４】このような構造の反射型液晶表示装置で
は、有機絶縁層が以下の工程によって形成されている。
すなわち、まず、スイッチング素子を形成した基板上に
アクリル樹脂からなるポジ型レジストを塗布し、このポ
ジ型レジストの表面に凹凸を形成するための所定のフォ
トマスクを介して露光する。次に、このポジ型レジスト
にスイッチング素子まで貫通するスルーホールを形成す
るためにスルーホール部を露光する。そして、このポジ
型レジストをｐＨ１２．５のアルカリ水溶液で現像した
後、焼成することによって有機絶縁層を形成する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の製造方法では、有機絶縁層の表面に凹凸を形成する工
程と、スイッチング素子まで貫通するスルーホールを形
成する工程とがそれぞれ別個に必要となり、製造コスト
の増大を招いていた。

【０００６】また、同一の有機絶縁層を用いて、柱状ス
ペーサ、画素電極が配置される平坦部などを形成する場
合でも、同様に、それぞれを形成する工程が別個に必要
となり、製造コストの増大を招いていた。

【０００７】この発明は、上述した問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、製造工程数を削減して製
造コストを低減することが可能な液晶表示装置の製造方
法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項１に記載の液晶表示装置の製造
方法は、一対の基板間に液晶層を挟持した液晶表示装置
の製造方法において、一方の基板上にスイッチング素子
を形成する第１工程と、前記スイッチング素子を覆うよ
うに前記基板上に有機絶縁層を形成する第２工程と、前
記有機絶縁層の表面に凹凸を形成し、同時に、前記有機
絶縁層に前記スイッチング素子まで貫通するスルーホー
ルを形成する第３工程と、凹凸が形成された前記有機絶
縁層の表面に、前記スルーホールを介して前記スイッチ
ング素子に接続された画素電極を形成する第４工程と、
を備えたことを特徴とする。

【０００９】請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法
は、一対の基板間に液晶層を挟持した液晶表示装置の製
造方法において、一方の基板上にスイッチング素子を形
成する第１工程と、前記スイッチング素子を覆うように
前記基板上に有機絶縁層を形成する第２工程と、前記有
機絶縁層により他方の基板との間に所定のギャップを形
成するための柱状スペーサを形成し、同時に、前記有機
絶縁層に前記柱状スペーサより薄い厚さの平坦部を形成
し、同時に、前記有機絶縁層に前記スイッチング素子ま
で貫通するスルーホールを形成する第３工程と、前記有
機絶縁層の平坦部に、前記スルーホールを介して前記ス
イッチング素子に接続された画素電極を形成する第４工
程と、を備えたことを特徴とする。

【００１０】請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法
は、一対の基板間に液晶層を挟持した液晶表示装置の製
造方法において、一方の基板上にスイッチング素子を形
成する第１工程と、前記スイッチング素子を覆うように
前記基板上に有機絶縁層を形成する第２工程と、前記有
機絶縁層により他方の基板との間に所定のギャップを形
成するための柱状スペーサを形成し、同時に、前記有機
絶縁層の表面に凹凸を形成し、同時に、前記有機絶縁層
に前記スイッチング素子まで貫通するスルーホールを形
成する第３工程と、凹凸が形成された前記有機絶縁層の
表面に、前記スルーホールを介して前記スイッチング素
子に接続された画素電極を形成する第４工程と、を備え
たことを特徴とする。

【００１１】請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法
は、一対の基板間に液晶層を挟持した液晶表示装置の製
造方法において、一方の基板上に有機絶縁層を形成する
工程と、前記有機絶縁層を、少なくとも３つの異なる透
過率を有する領域を備えたフォトマスクを介して露光す
る工程と、露光された前記有機絶縁層を現像することに
より、前記有機絶縁層に少なくとも３つの異なる厚さの
領域を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。

【００１２】請求項１０に記載の液晶表示装置の製造法
は、一対の基板間に液晶層を挟持した液晶表示装置の製
造方法において、一方の基板上に有機絶縁層を形成する
工程と、前記有機絶縁層を、最も高い第１透過率を有す
る第１領域、前記第１透過率より低い第２透過率を有す
る第２領域、及び、前記第２透過率より低い第３透過率
を有する第３領域を備えたフォトマスクを介して露光す
る工程と、露光された前記有機絶縁層を現像することに
より、前記第１領域に対応して最も厚さの薄い第１有機
絶縁層領域、前記第２領域に対応して前記第１有機絶縁
層領域より厚い第２有機絶縁層領域、及び、前記第３領
域に対応して前記第２有機絶縁層領域より厚い第３有機
絶縁層領域を形成する工程と、を備えたことを特徴とす
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の液晶表示装置の
製造方法の一実施の形態について図面を参照して説明す
る。

【００１４】図１に示すように、この発明の一実施の形
態に係る液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプ
の液晶表示装置であって、図１に示すような液晶表示パ
ネル１０を備えている。

【００１５】なお、第１の実施の形態では、図３に示し
たような断面構造を有する反射型液晶表示装置について
説明する。

【００１６】液晶表示パネル１０は、図１乃至図３に示
すように、第１基板としてのアレイ基板１００と、この
アレイ基板１００に対向配置された第２基板としての対
向基板２００と、アレイ基板１００と対向基板２００と
の間に配置された液晶組成物３００とを備えている。こ
のような液晶表示パネル１０において、画像を表示する
表示エリア１０２は、アレイ基板１００と対向基板２０
０とを貼り合わせるシール材１０６によって囲まれた領
域内に形成され、表示エリア１０２内から引出された各
種配線パターンを有する周辺エリア１０４は、シール材
１０６の外側の領域に形成されている。

【００１７】アレイ基板１００は、図２及び図３に示す
ように、透明な絶縁性基板、例えば厚さが０．７ｍｍの
ガラス基板１０１上にマトリクス状に配置されたｍｘｎ
個の画素電極１５１、これら画素電極１５１の行方向に
沿って形成されたｍ本の走査線Ｙ１〜Ｙｍ、これら画素
電極１５１の列方向に沿って形成されたｎ本の信号線Ｘ
１〜Ｘｎ、ｍｘｎ個の画素電極１５１に対応して走査線
Ｙ１〜Ｙｍおよび信号線Ｘ１〜Ｘｎの交差位置近傍に非
線形スイッチング素子として配置されたｍｘｎ個の薄膜
トランジスタすなわちＴＦＴ１２１、走査線Ｙ１〜Ｙｍ
を駆動する走査線駆動回路１８、これら信号線Ｘ１〜Ｘ
ｎを駆動する信号線駆動回路１９を有している。

【００１８】走査線Ｙ及び信号線Ｘの配線部は、アルミ
ニウムやモリブデン−タングステン合金などの遮光性を
有する低抵抗材料によって形成されている。

【００１９】画素電極１５１は、走査線Ｙ及び信号線Ｘ
によって区画された画素領域に設けられているとともに
ＴＦＴ１２１を介して信号線Ｘに接続されたアルミニウ
ムなどの金属製の反射膜によって形成されている。

【００２０】ＴＦＴ１２１は、ガラス基板１０１上に配
置された、チャネル領域１１２Ｃ、ソース領域１１２
Ｓ、及び、ドレイン領域１１２Ｄを有するポリシリコン
薄膜１１２と、ゲート絶縁膜１１３を介して走査線Ｙか
らチャネル領域１１２Ｃ上に延出されたゲート電極１１
４と、ゲート絶縁膜１１３及び層間絶縁膜１１５を貫通
してポリシリコン薄膜１１２のドレイン領域１１２Ｄに
コンタクトするとともに信号線Ｘと一体に形成されたド
レイン電極１１６Ｄと、ゲート絶縁膜１１３及び層間絶
縁膜１１５を貫通してポリシリコン薄膜１１２のソース
領域１１２Ｓにコンタクトするソース電極１１６Ｓと、
を備えている。

【００２１】また、アレイ基板１００は、層間絶縁膜１
１５上、及びＴＦＴ１１０などの配線部上に、アクリル
樹脂などによって形成された有機絶縁層１３０を備えて
いる。この有機絶縁層１３０は、その表面に視野角を改
善するために形成された微細な凹凸を有している。この
凹凸は、例えば有機絶縁層１３０全体の膜厚を約２μｍ
とした場合、約１μｍの高さを有するとともに、約１２
μｍのピッチで形成されている。

【００２２】画素電極１５１を構成する反射膜は、凹凸
状に形成された有機絶縁膜の表面上に設けられている。
この画素電極１５１は、有機絶縁膜１３０を貫通するス
ルーホール１１８を介してＴＦＴ１２１のソース電極１
１６Ｓに電気的に接続されている。

【００２３】画素電極１５１の表面は、対向基板２００
との間に介在される液晶組成物３００を配向させるため
の配向膜１４１によって覆われている。

【００２４】各ＴＦＴ１２１は、それぞれ対応する走査
線によって駆動され、信号線Ｘ１〜Ｘｎの電位を画素電
極１５１に印加するスイッチング素子として用いられ
る。

【００２５】走査線駆動回路１８は、所定の水平走査期
間で順次走査線Ｙ１〜Ｙｍに走査電圧を供給し、信号線
駆動回路１９は、各水平走査期間内に画素信号電圧を信
号線Ｘ１〜Ｘｎに供給する。

【００２６】アレイ基板１００の表示エリア１０２及び
周辺エリア１０４（Ｘ、Ｙ）における非画素部、すなわ
ち信号線Ｘ及び走査線Ｙなどの配線パターン、ＴＦＴ１
２１、周辺額縁部などの上には、アレイ基板１００と対
向基板２００と間に所定幅のギャップを形成するための
スペーサ４００が配置されている。このスペーサ４００
は、１０μｍ角の柱状の単一層の樹脂によって形成さ
れ、５μｍの高さを有している。

【００２７】これにより、アレイ基板１００と対向基板
２００との間のギャップは、約５μｍに設定されてい
る。

【００２８】対向基板２００は、図２及び図３に示すよ
うに、透明な絶縁性基板、例えば厚さが０．７ｍｍのガ
ラス基板２０１上に配設されたカラーフィルタ２０３を
備えている。このカラーフィルタ２０３は、対向基板２
００の画素電極１５１に対向する領域であって、赤画素
（Ｒ）領域、緑画素（Ｇ）領域、青画素（Ｂ）領域のそ
れぞれに対応する領域に配置されている。このカラーフ
ィルタ２０３は、例えば、各色成分の顔料を分散させた
樹脂によって形成されている。

【００２９】このカラーフィルタ２０３の表面は、画素
電極１５１との間で容量を形成する透明導電性部材、例
えばインジウム−ティン−オキサイドすなわちＩＴＯに
よって形成された対向電極２０４によって覆われてい
る。また、この対向電極２０４の表面は、アレイ基板１
００との間に介在される液晶組成物３００を配向させる
ための配向膜２０７によって覆われている。

【００３０】これらのアレイ基板１００及び対向基板２
００は、スペーサ４００によって所定のギャップを形成
した状態でシール材１０６によって貼り合わされる。液
晶層３００は、このアレイ基板１００と対向基板２００
との間に形成された所定のギャップに封入される。

【００３１】対向電極２０４は、複数の画素電極１５１
に対向して基準電位に設定される。基板の周囲に配置さ
れた電極転移材すなわちトランスファとしての銀ペース
トは、アレイ基板１００から対向基板２００へ電圧を供
給するために設けられ、対向電極２０４は、トランスフ
ァを介して接続された対向電極駆動回路２０により駆動
される。

【００３２】画素電極１５１と、対向電極２０４との間
に挟持された液晶層３００により、液晶容量ＣＬを形成
する。

【００３３】アレイ基板１００は、液晶容量ＣＬと電気
的に並列に補助容量ＣＳを形成するための一対の電極を
備えている。すなわち、補助容量ＣＳは、画素電極１５
１と同電位の補助容量電極６１と、所定の電位に設定さ
れた補助容量線５２との間に形成される電位差によって
形成される。

【００３４】この液晶表示パネル１０の表裏面、すなわ
ちガラス基板２０１の外面には、液晶表示装置の表示モ
ードや、液晶組成物のツイスト角などに応じて偏光面が
選択された偏光板２１０が配設されている。

【００３５】次に、この液晶表示装置の第１の実施の形
態に係る製造方法について説明する。

【００３６】すなわち、図４の（ａ）に示すように、厚
さ０．７ｍｍの透明なガラス基板１０１上に、成膜とパ
ターニングとを繰り返し、走査線や信号線などの配線
部、絶縁膜、ポリシリコン薄膜の半導体層を有するＴＦ
Ｔ１２１、などを形成する。なお、図４の（ａ）では、
ＴＦＴ１２１のみを図示している。

【００３７】続いて、図４の（ｂ）に示すように、スピ
ンナーを用いて、感光性の樹脂、例えば紫外線硬化型ア
クリル樹脂レジストからなるポジ型レジストを基板全面
に２．０μｍの膜厚で塗布する。そして、このポジ型レ
ジストを、９０℃で２分間乾燥する。これにより、有機
絶縁層１３０を成膜する。

【００３８】続いて、図４の（ｃ）に示すように、フォ
トマスク５００を介して有機絶縁層１３０を露光する。
ここで用いられる、このフォトマスク５００は、ガラス
基板上に所定のクロムパターンによって透過率を制御し
た領域を有している。

【００３９】すなわち、このフォトマスク５００は、ス
ルーホール１１８を形成する領域に対応した透過率１０
０％の第１領域５０１と、有機絶縁層１３０の凹部を形
成する領域に対応した透過率１２．５％の第２領域５０
２と、有機絶縁層１３０の凸部を形成する領域に対応し
た透過率０％の第３領域５０３とを有している。第３領
域５０３では、透過率０％を達成するために、ガラス基
板上に所定のクロムパターンを形成することにより完全
に遮光している。第２領域５０２では、透過率１２．５
％を達成するために、ガラス基板上に形成された所定の
クロムパターンに、例えば約２．０μｍ径の島状の抜き
パターンが所定間隔で形成されている。第１領域５０１
では、ガラス基板上にクロムパターンが形成されていな
い。

【００４０】このようなフォトマスク５００を介して、
高圧水銀ランプにより、４００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で
有機絶縁層１３０を露光する。この高圧水銀ランプは、
約４３５ｎｍを中心波長とする第１ピーク（ｇ線）、約
４０５ｎｍを中心波長とする第２ピーク（ｈ線）、約３
６５ｎｍを中心波長とする第３ピーク（ｉ線）などを含
んでいる。

【００４１】これにより、有機絶縁層１３０におけるス
ルーホール１１８に対応した領域は、フォトマスク５０
０の第１領域５０１を介して４００ｍＪ／ｃｍ^２の露光
量で露光される。また、有機絶縁層１３０における凹部
１３０Ａに対応した領域は、フォトマスク５００の第２
領域５０２を介して５０ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で露光さ
れる。有機絶縁層１３０における凸部１３０Ｂに対応し
た領域は、フォトマスク５００の第３領域５０３を介し
て遮光される。

【００４２】続いて、図４の（ｄ）に示すように、露光
された有機絶縁層１３０を、ｐＨ１２．５のアルカリ水
溶液により所定時間現像する。これにより、露光量が多
い領域ほど厚い有機絶縁層が除去される。すなわち、４
００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で露光された領域は、完全に
有機絶縁層が除去され、ＴＦＴ１２１に貫通するスルー
ホールを形成する。また、５０ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で
露光された領域は、僅かな膜厚の有機絶縁層が除去さ
れ、凹部１３０Ａを形成する。露光されなかった領域
は、有機絶縁層が除去されることなく残留し、凸部１３
０Ｂを形成する。

【００４３】続いて、図４の（ｅ）に示すように、この
基板を１２０℃で２分間、仮焼成した後、２２０℃で約
１時間焼成する。これにより、有機絶縁層１３０の一部
がメルトし、滑らかな波型の凹凸部１３０Ａ及び１３０
Ｂを形成する。

【００４４】続いて、図４の（ｆ）に示すように、スパ
ッタリング法により、反射性の金属膜、例えばアルミニ
ウム膜を成膜し、所定の画素パターンにパターニングす
る。画素パターンのパターニングは、例えば、ウエット
エッチングにより行う。これにより、各画素のスルーホ
ール１１８を介してＴＦＴ１２１にコンタクトした膜厚
約１００ｎｍの画素電極１５１を形成する。

【００４５】続いて、基板全面に、配向膜材料を５００
オングストロームの膜厚で塗布し、焼成した後、ラビン
グ処理を行い、配向膜を形成する。

【００４６】一方、厚さ０．７ｍｍのガラス基板２０１
上に、対向電極２０３と、配向膜２０７とを備えた対向
基板２００を形成する。

【００４７】続いて、対向基板２００の配向膜２０７の
周辺に沿ってシール材を注入口を除いて印刷し、アレイ
基板１００から対向電極２０４に電圧を印加するための
電極転移材をシール材の周辺の電極転移電極上に形成す
る。

【００４８】続いて、それぞれの配向膜１６０及び２０
７が対向するように、且つ、それぞれのラビング方向が
９０度となるように、アレイ基板１００及び対向基板２
００を配置し、加熱してシール材を硬化させ、両基板を
貼り合わせる。

【００４９】続いて、注入口から液晶組成物を注入し、
この注入口を紫外線硬化樹脂によって封止する。

【００５０】このようにして、液晶表示装置を製造す
る。

【００５１】上述したように、この第１の実施の形態に
係る製造方法では、有機絶縁層１３０に、ＴＦＴ１２１
まで貫通するスルーホール１１８、膜厚約１μｍの凹部
１３０Ａ、及び膜厚約２μｍの凸部１３０Ｂを形成する
場合に、同一のフォトマスク５００に形成された異なる
透過率を有する領域を介して有機絶縁層１３０を露光す
ることにより、有機絶縁層１３０のそれぞれの領域を異
なる露光量で露光することが可能となる。このため、同
一工程で有機絶縁層１３０に異なる厚さの領域を同時に
形成することが可能となる。

【００５２】次に、この液晶表示装置の第２の実施の形
態に係る製造方法について説明する。なお、この第２の
実施の形態は、図３で示したような反射型液晶表示装置
のほかに、透過型液晶表示装置にも適用することが可能
である。また、この実施の形態で製造される液晶表示装
置は、スペーサ４００を有機絶縁層１３０と共に一体に
形成するものとする。

【００５３】すなわち、図５の（ａ）に示すように、厚
さ０．７ｍｍの透明なガラス基板１０１上に、成膜とパ
ターニングとを繰り返し、走査線や信号線などの配線部
１７０、絶縁膜、ポリシリコン薄膜の半導体層を有する
ＴＦＴ１２１、などを形成する。なお、図５の（ａ）で
は、配線部１７０及びＴＦＴ１２１を図示している。

【００５４】続いて、図５の（ｂ）に示すように、スピ
ンナーを用いて、感光性の樹脂、例えば紫外線硬化型ア
クリル樹脂レジストを含むポジ型レジストを基板全面に
７．０μｍの膜厚で塗布する。そして、このポジ型レジ
ストを、９０℃で２分間乾燥する。これにより、有機絶
縁層１３０を成膜する。

【００５５】続いて、図５の（ｃ）に示すように、フォ
トマスク６００を介して有機絶縁層１３０を露光する。
ここで用いられる、このフォトマスク６００は、ガラス
基板上に所定のクロムパターンによって透過率を制御し
た領域を有している。

【００５６】すなわち、このフォトマスク６００は、ス
ルーホール１１８を形成する領域に対応した透過率１０
０％の第１領域６０１と、有機絶縁層１３０の平坦部を
形成する領域に対応した透過率１２．５％の第２領域６
０２と、有機絶縁層１３０によってスペーサを形成する
領域に対応した透過率０％の第３領域６０３とを有して
いる。第３領域６０３では、透過率０％を達成するため
に、ガラス基板上に所定のクロムパターンを形成するこ
とにより完全に遮光している。第２領域６０２では、透
過率１２．５％を達成するために、ガラス基板上に形成
された所定のクロムパターンに、例えば約２．０μｍ径
の島状の抜きパターンが所定間隔で形成されている。こ
のような抜きパターンは、露光機の解像度以下で形成さ
れている。これにより、透過光が低減され、抜きパター
ン自体が投影されることを防止している。第１領域６０
１では、ガラス基板上にクロムパターンが形成されてい
ない。

【００５７】このようなフォトマスク６００を介して、
高圧水銀ランプにより、４００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で
有機絶縁層１３０を露光する。

【００５８】これにより、有機絶縁層１３０におけるス
ルーホール１１８に対応した領域は、フォトマスク６０
０の第１領域６０１を介して４００ｍＪ／ｃｍ^２の露光
量で露光される。また、有機絶縁層１３０における平坦
部１３０Ｃに対応した領域は、フォトマスク６００の第
２領域６０２を介して５０ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で露光
される。スペーサ４００に対応した領域は、フォトマス
ク５００の第３領域６０３を介して遮光される。

【００５９】続いて、図５の（ｄ）に示すように、露光
された有機絶縁層１３０を、ｐＨ１２．５のアルカリ水
溶液により所定時間現像する。これにより、露光量が多
い領域ほど厚い有機絶縁層が除去される。すなわち、４
００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で露光された領域は、完全に
有機絶縁層が除去され、ＴＦＴ１２１に貫通するスルー
ホール１１８を形成する。また、５０ｍＪ／ｃｍ^２の露
光量で露光された領域は、僅かな膜厚の有機絶縁層が除
去され、平坦部１３０Ｃを形成する。露光されなかった
領域は、有機絶縁層が除去されることなく残留し、スペ
ーサ４００を形成する。

【００６０】続いて、図５の（ｅ）に示すように、この
基板を１２０℃で２分間、仮焼成した後、２２０℃で約
１時間焼成する。これにより、有機絶縁層１３０の一部
がメルトし、高さ約５μｍのスペーサ４００及び膜厚約
２μｍの平坦部１３０Ｃを形成する。

【００６１】続いて、図５の（ｆ）に示すように、スパ
ッタリング法により、アルミニウムなどの反射性の金属
膜、または、ＩＴＯ（インジウム−ティン−オキサイ
ド）などの透明金属膜を成膜し、所定の画素パターンに
パターニングする。画素パターンのパターニングは、例
えば、ウエットエッチングにより行う。これにより、各
画素のスルーホール１１８を介してＴＦＴ１２１にコン
タクトした膜厚約１００ｎｍの画素電極１５１を形成す
る。

【００６２】続いて、基板全面に、配向膜材料を５００
オングストロームの膜厚で塗布し、焼成した後、ラビン
グ処理を行い、配向膜を形成する。

【００６３】このようにしてアレイ基板１００が形成さ
れる。

【００６４】以下、上述した第１の実施の形態と同様の
製造工程により、液晶表示装置を製造する。

【００６５】上述したように、この第２の実施の形態に
係る製造方法では、有機絶縁層１３０に、ＴＦＴ１２１
まで貫通するスルーホール１１８、膜厚約２μｍの平坦
部１３０Ｃ、及び膜厚約２μｍの平坦部１３０Ｃ上に高
さ約５μｍのスペーサ４００を形成する場合に、同一の
フォトマスク６００に形成された異なる透過率を有する
領域を介して有機絶縁層１３０を露光することにより、
有機絶縁層１３０のそれぞれの領域を異なる露光量で露
光することが可能となる。このため、同一工程で有機絶
縁層１３０に異なる厚さの領域を同時に形成することが
可能となる。

【００６６】なお、上述した第１の実施の形態では、有
機絶縁層上の凹凸部とスルーホールとを同時に形成し、
第２の実施の形態では、スペーサと、平坦部と、スルー
ホールとを同時に形成したが、透過率の異なる４つ以上
の領域を有するフォトマスクを用いることにより、これ
らの実施の形態を組み合わせることも可能である。例え
ば、スペーサと、凹凸部と、スルーホールとを同時に形
成しても良い。

【００６７】以上説明したように、この液晶表示装置の
製造方法によれば、基板上に有機絶縁層を形成し、この
有機絶縁層を、少なくとも透過率の異なる３つの領域を
有するフォトマスクを介して同時に露光する。すなわ
ち、フォトマスクは、最も高い第１透過率を有する第１
領域、前記第１透過率より低い第２透過率を有する第２
領域、及び、前記第２透過率より低い第３透過率を有す
る第３領域を備えている。このようなフォトマスクを介
して露光された有機絶縁層を現像することにより、第１
領域に対応して最も厚さの薄い第１有機絶縁層領域、第
２領域に対応して第１有機絶縁層領域より厚い第２有機
絶縁層領域、及び、第３領域に対応して第２有機絶縁層
領域より厚い第３有機絶縁層領域を同時に形成する。

【００６８】これにより、従来と比較して製造工程数を
削減することが可能となり、製造コストを大幅に削減す
ることが可能となる。したがって、安価な液晶表示装置
を提供することが可能となる。

【００６９】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、製造工程数を削減して製造コストを低減することが
可能な液晶表示装置の製造方法を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、この発明の液晶表示装置の製造方法で
製造される液晶表示装置の一例を概略的に示す斜視図で
ある。

【図２】図２は、図１に示した液晶表示装置の構成を概
略的に示す等価回路図である。

【図３】図３は、図１に示した液晶表示装置の構造を概
略的に示す断面図である。

【図４】図４の（ａ）乃至（ｆ）は、この発明の第１の
実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するた
めの図である。

【図５】図５の（ａ）乃至（ｆ）は、この発明の第２の
実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明するた
めの図である。

【符号の説明】

１００…アレイ基板 １２１…ＴＦＴ １１８…スルーホール １３０…有機絶縁層 １５１…画素電極 １７０…配線部 ２００…対向基板 ３００…液晶組成物 ４００…スペーサ ５００…フォトマスク ６００…フォトマスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４８Ａ ３４８ Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ Ｆターム(参考） 2H091 FA16Y FB08 GA02 GA08 GA13 2H092 HA04 HA05 JA25 JA34 JA46 JB08 JB63 KA13 MA05 MA14 MA17 MA22 NA27 5C094 AA43 AA44 AA47 AA48 BA03 BA43 CA19 CA24 DA12 DA13 DA15 DB01 DB04 DB10 EA04 EA06 EA07 EA10 EB02 EC03 ED03 ED11 ED13 FA01 FA02 FB01 FB12 FB14 FB15 GB10 5G435 AA17 BB12 BB15 CC09 CC12 FF03 FF06 FF13 GG12 HH03 HH12 HH13 HH14 KK05 KK10

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一対の基板間に液晶層を挟持した液晶表示
   装置の製造方法において、 一方の基板上にスイッチング素子を形成する第１工程
   と、 前記スイッチング素子を覆うように前記基板上に有機絶
   縁層を形成する第２工程と、 前記有機絶縁層の表面に凹凸を形成し、同時に、前記有
   機絶縁層に前記スイッチング素子まで貫通するスルーホ
   ールを形成する第３工程と、 凹凸が形成された前記有機絶縁層の表面に、前記スルー
   ホールを介して前記スイッチング素子に接続された画素
   電極を形成する第４工程と、 を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
2. 【請求項２】前記画素電極は、反射型電極であることを
   特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
3. 【請求項３】一対の基板間に液晶層を挟持した液晶表示
   装置の製造方法において、 一方の基板上にスイッチング素子を形成する第１工程
   と、 前記スイッチング素子を覆うように前記基板上に有機絶
   縁層を形成する第２工程と、 前記有機絶縁層により他方の基板との間に所定のギャッ
   プを形成するための柱状スペーサを形成し、同時に、前
   記有機絶縁層に前記柱状スペーサより薄い厚さの平坦部
   を形成し、同時に、前記有機絶縁層に前記スイッチング
   素子まで貫通するスルーホールを形成する第３工程と、 前記有機絶縁層の平坦部に、前記スルーホールを介して
   前記スイッチング素子に接続された画素電極を形成する
   第４工程と、 を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
4. 【請求項４】一対の基板間に液晶層を挟持した液晶表示
   装置の製造方法において、 一方の基板上にスイッチング素子を形成する第１工程
   と、 前記スイッチング素子を覆うように前記基板上に有機絶
   縁層を形成する第２工程と、 前記有機絶縁層により他方の基板との間に所定のギャッ
   プを形成するための柱状スペーサを形成し、同時に、前
   記有機絶縁層の表面に凹凸を形成し、同時に、前記有機
   絶縁層に前記スイッチング素子まで貫通するスルーホー
   ルを形成する第３工程と、 凹凸が形成された前記有機絶縁層の表面に、前記スルー
   ホールを介して前記スイッチング素子に接続された画素
   電極を形成する第４工程と、 を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
5. 【請求項５】前記画素電極は、反射型電極であることを
   特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
6. 【請求項６】前記有機絶縁層は、ポジ型のアクリル樹脂
   によって形成されたことを特徴とする請求項１、３また
   は４のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
7. 【請求項７】前記第３工程は、少なくとも３つの異なる
   透過率を有する領域を備えたフォトマスクを用いること
   を特徴とする請求項１、３または４のいずれか１項に記
   載の液晶表示装置の製造方法。
8. 【請求項８】前記フォトマスクにおける中間の透過率を
   有する領域は、露光機の解像度以下のパターンによって
   形成されたことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示
   装置の製造方法。
9. 【請求項９】一対の基板間に液晶層を挟持した液晶表示
   装置の製造方法において、 一方の基板上に有機絶縁層を形成する工程と、 前記有機絶縁層を、少なくとも３つの異なる透過率を有
   する領域を備えたフォトマスクを介して露光する工程
   と、 露光された前記有機絶縁層を現像することにより、前記
   有機絶縁層に少なくとも３つの異なる厚さの領域を形成
   する工程と、 を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
10. 【請求項１０】一対の基板間に液晶層を挟持した液晶表
    示装置の製造方法において、 一方の基板上に有機絶縁層を形成する工程と、 前記有機絶縁層を、最も高い第１透過率を有する第１領
    域、前記第１透過率より低い第２透過率を有する第２領
    域、及び、前記第２透過率より低い第３透過率を有する
    第３領域を備えたフォトマスクを介して露光する工程
    と、 露光された前記有機絶縁層を現像することにより、前記
    第１領域に対応して最も厚さの薄い第１有機絶縁層領
    域、前記第２領域に対応して前記第１有機絶縁層領域よ
    り厚い第２有機絶縁層領域、及び、前記第３領域に対応
    して前記第２有機絶縁層領域より厚い第３有機絶縁層領
    域を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。