JPH05303916A - 透明導電膜配線基板の製造方法 - Google Patents
透明導電膜配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH05303916A JPH05303916A JP4107945A JP10794592A JPH05303916A JP H05303916 A JPH05303916 A JP H05303916A JP 4107945 A JP4107945 A JP 4107945A JP 10794592 A JP10794592 A JP 10794592A JP H05303916 A JPH05303916 A JP H05303916A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- transparent conductive
- laser
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
- B23K26/359—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by providing a line or line pattern, e.g. a dotted break initiation line
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/55—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for creating voids inside the workpiece, e.g. for forming flow passages or flow patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
- H01J2211/20—Constructional details
- H01J2211/22—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/032—Materials
- H05K2201/0326—Inorganic, non-metallic conductor, e.g. indium-tin oxide [ITO]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/08—Treatments involving gases
- H05K2203/082—Suction, e.g. for holding solder balls or components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
- H05K2203/107—Using laser light
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明導電膜配線基板の製造方法を乾式とし、
製造工程の簡略化を図る。 【構成】 （ａ）基板１にＳｉＯ2 層２を設ける。
（ｂ）ＳｉＯ2 層２の上に導電性黒膜３を形成する。
（ｃ）導電性黒膜３を出力ホーン４から放出されるレー
ザーで加工し、（ｄ）所望の配線パターンにカッティン
グする。（ｃ）レーザーで蒸発した金属は真空吸引ヘッ
ド５が吸引する。（ｅ）基板１を焼成して配線パターン
の導電性黒膜３を配化・結晶化させ、配線パターンの透
明導電膜６を得る。
製造工程の簡略化を図る。 【構成】 （ａ）基板１にＳｉＯ2 層２を設ける。
（ｂ）ＳｉＯ2 層２の上に導電性黒膜３を形成する。
（ｃ）導電性黒膜３を出力ホーン４から放出されるレー
ザーで加工し、（ｄ）所望の配線パターンにカッティン
グする。（ｃ）レーザーで蒸発した金属は真空吸引ヘッ
ド５が吸引する。（ｅ）基板１を焼成して配線パターン
の導電性黒膜３を配化・結晶化させ、配線パターンの透
明導電膜６を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＣＤ，ＶＦＤ，ＰＤ
Ｐ等の表示装置などに用いられるIndium TinOxide膜
（以下、ＩＴＯ膜と呼ぶ。）を利用した透明導電膜配線
基板の製造方法に関するものである。
Ｐ等の表示装置などに用いられるIndium TinOxide膜
（以下、ＩＴＯ膜と呼ぶ。）を利用した透明導電膜配線
基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３（ａ），（ｂ）に示すように、ＥＢ
（エレクトロンビーム）蒸着法又はスパッタリング法に
よってガラス基板１００の前面にＩＴＯ膜１０１を形成
する。この時、ガラス基板１００を加熱しながらＩＴＯ
を被着させ、成膜と同時か又は成膜後にＩＴＯを結晶化
させて透明なＩＴＯ膜１０１を得ている。
（エレクトロンビーム）蒸着法又はスパッタリング法に
よってガラス基板１００の前面にＩＴＯ膜１０１を形成
する。この時、ガラス基板１００を加熱しながらＩＴＯ
を被着させ、成膜と同時か又は成膜後にＩＴＯを結晶化
させて透明なＩＴＯ膜１０１を得ている。
【０００３】図３（ｃ）に示すように、前記ＩＴＯ膜１
０１の表面にレジスト層１０２を形成し、所定パターン
のマスク１０３を通して露光する。
０１の表面にレジスト層１０２を形成し、所定パターン
のマスク１０３を通して露光する。
【０００４】現像すると図３（ｄ）に示すようなレジス
トパターン１０２ａが形成され、さらにこのレジストパ
ターン１０２ａを介してエッチング液でＩＴＯ膜１０１
をエッチングすると、ＩＴＯ膜１０１の露出している部
分が溶かされて図３（ｅ）に示すようなＩＴＯ膜１０１
の配線パターン１０１ａが得られる。
トパターン１０２ａが形成され、さらにこのレジストパ
ターン１０２ａを介してエッチング液でＩＴＯ膜１０１
をエッチングすると、ＩＴＯ膜１０１の露出している部
分が溶かされて図３（ｅ）に示すようなＩＴＯ膜１０１
の配線パターン１０１ａが得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の透明導
電膜配線基板の製造方法によれば次のような問題点があ
った。 （１）製造方法が湿式であるため、排水処理の設備等が
必要になり、製造設備が高価になる。 （２）製造工程が多く、製造時間が長いため、生産性が
低く、製造コストが高い。
電膜配線基板の製造方法によれば次のような問題点があ
った。 （１）製造方法が湿式であるため、排水処理の設備等が
必要になり、製造設備が高価になる。 （２）製造工程が多く、製造時間が長いため、生産性が
低く、製造コストが高い。
【０００６】本発明は、透明導電膜配線基板の製造方法
を水処理工程のない乾式とし、製造工程の簡略化によっ
てコストダウンを図ることを目的としている。
を水処理工程のない乾式とし、製造工程の簡略化によっ
てコストダウンを図ることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る透明導電膜
配線基板の製造方法は、基板の表面に金属薄膜を被着さ
せて透明導電膜を形成させる工程と、前記透明導電膜を
レーザーによってパターン加工する工程を有することを
特徴としている。
配線基板の製造方法は、基板の表面に金属薄膜を被着さ
せて透明導電膜を形成させる工程と、前記透明導電膜を
レーザーによってパターン加工する工程を有することを
特徴としている。
【０００８】本発明に係る透明導電膜配線基板の他の製
造方法は、絶縁性と透光性を有する基板の表面にＳｎを
ドープしたＩｎ金属を被着させて導電性黒膜を形成する
工程と、前記導電性黒膜をレーザーによって配線パター
ンに加工する工程と、前記基板を大気中で焼成して前記
導電性黒膜を透明導電膜に形成する工程を有することを
特徴としている。
造方法は、絶縁性と透光性を有する基板の表面にＳｎを
ドープしたＩｎ金属を被着させて導電性黒膜を形成する
工程と、前記導電性黒膜をレーザーによって配線パター
ンに加工する工程と、前記基板を大気中で焼成して前記
導電性黒膜を透明導電膜に形成する工程を有することを
特徴としている。
【０００９】本発明によれば、前記基板として表面にＳ
ｉＯ2 を被着させたガラス基板を用いることもできる。
ｉＯ2 を被着させたガラス基板を用いることもできる。
【００１０】また、本発明によれば、配線パターンに加
工された前記導電性黒膜以外の基板上に絶縁層を形成し
た後に前記基板を大気中で焼成してもよい。
工された前記導電性黒膜以外の基板上に絶縁層を形成し
た後に前記基板を大気中で焼成してもよい。
【００１１】さらに本発明によれば、前記配線パターン
を加工する工程において、レーザーが蒸発させた前記導
電性黒膜の金属を除去手段で除去するようにしてもよ
い。
を加工する工程において、レーザーが蒸発させた前記導
電性黒膜の金属を除去手段で除去するようにしてもよ
い。
【００１２】
【実施例】図１及び図２によって本発明の一実施例を説
明する。図１（ａ）に示す基板１は、ＬＣＤ，ＶＦＤ，
ＰＤＰ等の表示装置においてフロントパネルをかねた配
線基板として用いられる。従ってこの基板１は絶縁性と
透光性を有していればよく、例えば厚さ６ｍｍ程度のガ
ラス板によって構成できる。
明する。図１（ａ）に示す基板１は、ＬＣＤ，ＶＦＤ，
ＰＤＰ等の表示装置においてフロントパネルをかねた配
線基板として用いられる。従ってこの基板１は絶縁性と
透光性を有していればよく、例えば厚さ６ｍｍ程度のガ
ラス板によって構成できる。
【００１３】但し、基板１からＮａ+ ，Ｋ+ 等のアルカ
リイオンの移動があることは好ましくないので、前記基
板１はＮａやＫ等のアルカリ金属を含まない材質がよ
い。コストの点から、上述したようにアルカリ金属を含
むソーダガラス（一般の板ガラス）を用いる場合には、
図１（ａ）に示すように基板１の上面全面にＳｉＯ
2 （シリカ）層２を形成する。その手法は、ロールコー
ト法、デッピング法等によってＳｉＯ2 層２を基板上に
１０００Å程度の膜厚で形成した後、約５３０℃で焼成
すればよい。
リイオンの移動があることは好ましくないので、前記基
板１はＮａやＫ等のアルカリ金属を含まない材質がよ
い。コストの点から、上述したようにアルカリ金属を含
むソーダガラス（一般の板ガラス）を用いる場合には、
図１（ａ）に示すように基板１の上面全面にＳｉＯ
2 （シリカ）層２を形成する。その手法は、ロールコー
ト法、デッピング法等によってＳｉＯ2 層２を基板上に
１０００Å程度の膜厚で形成した後、約５３０℃で焼成
すればよい。
【００１４】前記基板１をＥＢ蒸着機にセットし、Ｓｎ
Ｏ2 を３〜１０％ドープしたＩｎ2Ｏ3 金属のタブレッ
トを蒸着源とし、ＥＢ蒸着を行なう。図１（ｂ）に示す
ように、基板１のＳｉＯ2 層２上には、Ｓｎがドープさ
れたＩＴＯ膜とＩｎ金属の混合層である導電性黒膜３が
５００〜１０００Åの厚さに形成される。
Ｏ2 を３〜１０％ドープしたＩｎ2Ｏ3 金属のタブレッ
トを蒸着源とし、ＥＢ蒸着を行なう。図１（ｂ）に示す
ように、基板１のＳｉＯ2 層２上には、Ｓｎがドープさ
れたＩＴＯ膜とＩｎ金属の混合層である導電性黒膜３が
５００〜１０００Åの厚さに形成される。
【００１５】ここで、前記導電性黒膜を大気雰囲気中で
加熱するとＩｎ金属が酸化結晶して透明導電膜が得られ
るので、そのなかの不要部分をレーザーで蒸発させてパ
ターンを形成することも可能である。これに対し、透明
導電膜はレーザーの吸収効率が悪く、透明導電膜をレー
ザーで直接加工するには出力の大きなレーザー加工機が
必要であった。
加熱するとＩｎ金属が酸化結晶して透明導電膜が得られ
るので、そのなかの不要部分をレーザーで蒸発させてパ
ターンを形成することも可能である。これに対し、透明
導電膜はレーザーの吸収効率が悪く、透明導電膜をレー
ザーで直接加工するには出力の大きなレーザー加工機が
必要であった。
【００１６】またレーザーの出力を大きくすると、コン
トロールが難しく、透明ＩＴＯ膜だけを蒸発させること
が容易ではなかった。そしてＩＴＯ膜の下層のＳｉＯ2
層までレーザーが達してＳｉＯ2 層をも蒸発させて損傷
を与えてしまう恐れもあった。
トロールが難しく、透明ＩＴＯ膜だけを蒸発させること
が容易ではなかった。そしてＩＴＯ膜の下層のＳｉＯ2
層までレーザーが達してＳｉＯ2 層をも蒸発させて損傷
を与えてしまう恐れもあった。
【００１７】そこで第２実施例として、ＩＴＯ膜が導電
性黒膜の段階でレーザー加工すれば、レーザーの吸収効
率も良好なので、低出力でレーザー加工ができることが
わかった。以下に、その実施例を説明する。
性黒膜の段階でレーザー加工すれば、レーザーの吸収効
率も良好なので、低出力でレーザー加工ができることが
わかった。以下に、その実施例を説明する。
【００１８】上記ＥＢ蒸着の際には、基板温度を高くし
ていないので、導電性黒膜３中にあるＩｎ金属の酸化は
防止され、従って導電性黒膜３がＩｎ2 Ｏ3 の結晶とな
ることはない。即ち、この導電性黒膜３は、透過率の高
い透明なＩｎ2 Ｏ3 中にＩｎ金属やＳｎ金属自体が含ま
れた状態を保ち、全体としては透過率が低く、黒色の被
膜として観察される。この導電性黒膜３（ＩＴＯ黒膜）
の赤外分光透過率は、図２に示すように１０００ｎｍで
２８％であった。
ていないので、導電性黒膜３中にあるＩｎ金属の酸化は
防止され、従って導電性黒膜３がＩｎ2 Ｏ3 の結晶とな
ることはない。即ち、この導電性黒膜３は、透過率の高
い透明なＩｎ2 Ｏ3 中にＩｎ金属やＳｎ金属自体が含ま
れた状態を保ち、全体としては透過率が低く、黒色の被
膜として観察される。この導電性黒膜３（ＩＴＯ黒膜）
の赤外分光透過率は、図２に示すように１０００ｎｍで
２８％であった。
【００１９】図１（ｃ）に示すように、前記導電性黒膜
３の不要部分をＹＡＧレーザー（波長１μｍ）で融解・
蒸発させ、図１（ｄ）に示すような所望の配線パターン
にカッティングする。加工対象である膜が黒色なのでレ
ーザーのエネルギー吸収が良好であり、透明なＩＴＯを
加工対象とした場合に比べて２．６倍の効率が得られ
る。従って、レーザーの入力パワーは小さくてよい。
３の不要部分をＹＡＧレーザー（波長１μｍ）で融解・
蒸発させ、図１（ｄ）に示すような所望の配線パターン
にカッティングする。加工対象である膜が黒色なのでレ
ーザーのエネルギー吸収が良好であり、透明なＩＴＯを
加工対象とした場合に比べて２．６倍の効率が得られ
る。従って、レーザーの入力パワーは小さくてよい。
【００２０】また、図１（ｃ）に示すように、本実施例
ではレーザービーム照射部４のそばに除去手段としての
真空吸引ヘッド５を設けて蒸発する金属を吸引し、該金
属が基板１に再付着するのを防止している。このような
真空吸引ヘッド５のかわりに、除去手段としてのエア吹
き出しノズルを設けて蒸発する金属を希釈して吹き飛ば
すようにしても同様の効果が得られる。
ではレーザービーム照射部４のそばに除去手段としての
真空吸引ヘッド５を設けて蒸発する金属を吸引し、該金
属が基板１に再付着するのを防止している。このような
真空吸引ヘッド５のかわりに、除去手段としてのエア吹
き出しノズルを設けて蒸発する金属を希釈して吹き飛ば
すようにしても同様の効果が得られる。
【００２１】レーザーを用いたカッティングによって導
電性黒膜３の配線パターンが形成された前記基板１を、
焼成ピーク温度が５６０℃で１０分間、大気雰囲気中で
焼成する。ＳｎがドープされたＩｎ2 Ｏ3 金属とＩｎと
の混合膜である導電性黒膜３は、Ｉｎが酸化して結晶化
し、図１（ｅ）に示すように透明導電膜６の配線パター
ンになる。この透明導電膜６（透明ＩＴＯ膜）の赤外分
光透過率は、図２に示すように１０００ｎｍで７２％で
あった。
電性黒膜３の配線パターンが形成された前記基板１を、
焼成ピーク温度が５６０℃で１０分間、大気雰囲気中で
焼成する。ＳｎがドープされたＩｎ2 Ｏ3 金属とＩｎと
の混合膜である導電性黒膜３は、Ｉｎが酸化して結晶化
し、図１（ｅ）に示すように透明導電膜６の配線パター
ンになる。この透明導電膜６（透明ＩＴＯ膜）の赤外分
光透過率は、図２に示すように１０００ｎｍで７２％で
あった。
【００２２】以上説明した一実施例では、レーザーで導
電性黒膜３をカッティングした後、直ちに焼成して透明
導電膜６を形成している。しかしながら、カッティング
後、フリットガラスを主成分とした黒色の絶縁層を導電
性黒膜３を除去した配線パターン以外の部分に厚膜印刷
法で被着させ、完成時には表示装置の表示部となる導電
性黒膜３の配線パターンに対し、それ以外の部分が黒色
の背影となるようにしてもよい。この場合には、黒色の
絶縁層を被着した後、絶縁層を固着し、５６０℃で焼成
すれば、同時にＩＴＯ膜の結晶化も行なうことができ
る。
電性黒膜３をカッティングした後、直ちに焼成して透明
導電膜６を形成している。しかしながら、カッティング
後、フリットガラスを主成分とした黒色の絶縁層を導電
性黒膜３を除去した配線パターン以外の部分に厚膜印刷
法で被着させ、完成時には表示装置の表示部となる導電
性黒膜３の配線パターンに対し、それ以外の部分が黒色
の背影となるようにしてもよい。この場合には、黒色の
絶縁層を被着した後、絶縁層を固着し、５６０℃で焼成
すれば、同時にＩＴＯ膜の結晶化も行なうことができ
る。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば次のような効果が得られ
る。 （１）乾式の工程で配線パターンが形成できるため、エ
ッチング液、現像液、排液等の液管理が不要であり、設
備費が安く、公害の問題も発生しない。
る。 （１）乾式の工程で配線パターンが形成できるため、エ
ッチング液、現像液、排液等の液管理が不要であり、設
備費が安く、公害の問題も発生しない。
【００２４】（２）基板の全面に透明なＩＴＯ膜を形成
し、フォトリソ法でパターン化する場合に比べて成膜時
間が約半分に短縮できる。また、その後の結晶化工程は
黒色絶縁層の焼成工程で同時に行なえるので工程数が増
えることもない。
し、フォトリソ法でパターン化する場合に比べて成膜時
間が約半分に短縮できる。また、その後の結晶化工程は
黒色絶縁層の焼成工程で同時に行なえるので工程数が増
えることもない。
【００２５】また、従来のようなフォトリソの手段で配
線パターンを形成する場合に比べ、レーザーによるカッ
ティングで配線パターンを形成する方が工程数が少な
い。従って、全体的にみて従来よりも製造工程が少なく
なり、製造時間を短くすることができる。
線パターンを形成する場合に比べ、レーザーによるカッ
ティングで配線パターンを形成する方が工程数が少な
い。従って、全体的にみて従来よりも製造工程が少なく
なり、製造時間を短くすることができる。
【００２６】（３）エネルギーの吸収がよいＩＴＯ黒膜
をカッティングするのでレーザーの出力を小さくするこ
とができ、ＩＴＯ黒膜下にＳｉＯ2 薄膜があってもこれ
を損傷することがない。
をカッティングするのでレーザーの出力を小さくするこ
とができ、ＩＴＯ黒膜下にＳｉＯ2 薄膜があってもこれ
を損傷することがない。
【００２７】（４）レーザービーム照射部の近傍に蒸発
金属の除去手段を設ければ、蒸発したＩＴＯが基板に再
付着するのを防ぐことができる。
金属の除去手段を設ければ、蒸発したＩＴＯが基板に再
付着するのを防ぐことができる。
【図１】一実施例の製造工程図である。
【図２】透明ＩＴＯ膜とＩＴＯ黒膜の赤外分光透過率を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図３】従来の透明導電膜配線基板の製造工程図であ
る。
る。
１ 基板 ３ 導電性黒膜 ５ 除去手段としての真空吸引ヘッド ６ 透明導電膜
【手続補正書】
【提出日】平成５年５月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】 レーザーを用いたカッティングによって
導電性黒膜３の配線パターンが形成された前記基板１
を、焼成ピーク温度が５６０℃で１０分間、大気雰囲気
中で焼成する。ＳｎがドープされたＩｎ2 Ｏ3 金属とＩ
ｎとの混合膜である導電性黒膜３は、Ｉｎが酸化して結
晶化し、図１（ｅ）に示すように透明導電膜６の配線パ
ターンになる。この透明導電膜６（透明ＩＴＯ膜）の赤
外分光透過率は、図２に示すように１０００ｎｍで７２
％であった。次に、透明導電膜の配線パターンが形成さ
れた基板１を、酸（塩酸、塩化第２鉄溶液、ヨウ素酸、
希王水等）を用いておよそ２００〜３００オングストロ
ームの深さでサーフェスエッチング処理する。サーフェ
スエッチングは、ディップ法やスプレー法で行う。次
に、前記エッチング処理後、エッチャントを落とすた
め、市水、純水の順で充分に洗浄する。洗浄した基板１
の乾燥は、ＩＲやＩＰＡベーパーで行う。サーフェスエ
ッチング処理した透明導電膜の配線パターンは、ライン
間にＩＴＯの残滓がなく、充分に絶縁がとれていた。配
線抵抗は、サーフェスエッチングで目減りするＩＴＯ膜
厚分を予めＩＴＯ膜蒸着時に形成しておけば、従来のも
のと全く変わりがない。
導電性黒膜３の配線パターンが形成された前記基板１
を、焼成ピーク温度が５６０℃で１０分間、大気雰囲気
中で焼成する。ＳｎがドープされたＩｎ2 Ｏ3 金属とＩ
ｎとの混合膜である導電性黒膜３は、Ｉｎが酸化して結
晶化し、図１（ｅ）に示すように透明導電膜６の配線パ
ターンになる。この透明導電膜６（透明ＩＴＯ膜）の赤
外分光透過率は、図２に示すように１０００ｎｍで７２
％であった。次に、透明導電膜の配線パターンが形成さ
れた基板１を、酸（塩酸、塩化第２鉄溶液、ヨウ素酸、
希王水等）を用いておよそ２００〜３００オングストロ
ームの深さでサーフェスエッチング処理する。サーフェ
スエッチングは、ディップ法やスプレー法で行う。次
に、前記エッチング処理後、エッチャントを落とすた
め、市水、純水の順で充分に洗浄する。洗浄した基板１
の乾燥は、ＩＲやＩＰＡベーパーで行う。サーフェスエ
ッチング処理した透明導電膜の配線パターンは、ライン
間にＩＴＯの残滓がなく、充分に絶縁がとれていた。配
線抵抗は、サーフェスエッチングで目減りするＩＴＯ膜
厚分を予めＩＴＯ膜蒸着時に形成しておけば、従来のも
のと全く変わりがない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 彰 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の表面に金属薄膜を被着させて透明
導電膜を形成させる工程と、前記透明導電膜をレーザー
によってパターン加工する工程を有することを特徴とす
る透明導電膜配線基板の製造方法 - 【請求項２】 絶縁性と透光性を有する基板の表面にＳ
ｎをドープしたＩｎ金属を被着させて導電性黒膜を形成
する工程と、前記導電性黒膜をレーザーによって配線パ
ターンに加工する工程と、前記基板を大気中で焼成して
前記導電性黒膜を透明導電膜に形成する工程を有するこ
とを特徴とする透明導電膜配線基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記基板が、表面にＳｉＯ2 を被着させ
たガラス基板である請求項１又は２記載の透明導電膜配
線基板の製造方法。 - 【請求項４】 配線パターンに加工された前記導電性黒
膜以外の基板上に絶縁層を被着した後に前記基板を大気
中で焼成する工程を有する請求項１記載の透明導電膜配
線基板の製造方法。 - 【請求項５】 前記配線パターンを加工する工程におい
て、レーザーが蒸発させた前記導電性黒膜の金属を除去
手段で除去することを特徴とする請求項１記載の透明導
電膜配線基板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4107945A JP2581373B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 透明導電膜配線基板の製造方法 |
| KR1019930006973A KR0128687B1 (ko) | 1992-04-27 | 1993-04-26 | 투명도전막 배선기판의 제조방법 |
| US08/052,628 US5536466A (en) | 1992-04-27 | 1993-04-27 | Process for manufacturing transparent conductive film wiring board |
| FR9304941A FR2690597B1 (fr) | 1992-04-27 | 1993-04-27 | Procede de fabrication d'une plaque de cablage a film conducteur transparent. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4107945A JP2581373B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 透明導電膜配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05303916A true JPH05303916A (ja) | 1993-11-16 |
| JP2581373B2 JP2581373B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=14472040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4107945A Expired - Lifetime JP2581373B2 (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 透明導電膜配線基板の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5536466A (ja) |
| JP (1) | JP2581373B2 (ja) |
| KR (1) | KR0128687B1 (ja) |
| FR (1) | FR2690597B1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998006676A1 (fr) * | 1996-08-13 | 1998-02-19 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Procede d'usinage au laser pour substrat de verre, dispositif optique du type a diffraction fabrique par ce procede d'usinage, et procede de fabrication de ce dispositif optique |
| WO1999056300A1 (fr) * | 1998-04-28 | 1999-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ecran a plasma et son procede de fabrication |
| US6472821B1 (en) | 1998-10-29 | 2002-10-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | AC plane discharge type plasma display panel |
| JP2005084493A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ基板の製造方法及びカラーフィルタ基板 |
| WO2005076292A1 (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Asahi Glass Company, Limited | 透明電極の製造方法 |
| WO2010035976A1 (ko) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | 에스아이디주식회사 | 레이저를 이용한 투명 전극의 패턴화 방법 및 터치 패널의 신호선 형성 방법 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5612513A (en) * | 1995-09-19 | 1997-03-18 | Micron Communications, Inc. | Article and method of manufacturing an enclosed electrical circuit using an encapsulant |
| KR100430664B1 (ko) | 1997-10-03 | 2004-06-16 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 가스방전형표시장치의제조방법 |
| JP2002544568A (ja) * | 1999-05-14 | 2002-12-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | アブレーション強化層 |
| ATE301917T1 (de) * | 1999-09-07 | 2005-08-15 | Ibiden Co Ltd | Keramisches heizelement |
| DE10005330A1 (de) * | 2000-02-08 | 2001-09-06 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung von leitfähigen transparenten Strukturen sowie Verwendung von transparenten, leitfähigen Oxidschichten zur Strukturierung von leitfähigen, transparenten Bereichen |
| KR20020032883A (ko) * | 2000-10-27 | 2002-05-04 | 한기관 | 마킹용 레이저를 이용한 투명 아이티오 전극 패턴 제작 방법 |
| US6743488B2 (en) | 2001-05-09 | 2004-06-01 | Cpfilms Inc. | Transparent conductive stratiform coating of indium tin oxide |
| US7056032B2 (en) * | 2001-09-17 | 2006-06-06 | Stratos International, Inc. | Transceiver assembly for use in fiber optics communications |
| US7073954B1 (en) | 2001-09-17 | 2006-07-11 | Stratos International, Inc. | Transceiver assembly for use in fiber optics communications |
| US6739760B2 (en) * | 2001-09-17 | 2004-05-25 | Stratos International, Inc. | Parallel fiber optics communications module |
| US7073955B1 (en) | 2001-09-17 | 2006-07-11 | Stratos International, Inc. | Transceiver assembly for use in fiber optics communications |
| KR101517020B1 (ko) * | 2008-05-15 | 2015-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치의 제조장치 및 제조방법 |
| US8168265B2 (en) * | 2008-06-06 | 2012-05-01 | Applied Materials, Inc. | Method for manufacturing electrochromic devices |
| CN101823843B (zh) * | 2010-03-25 | 2012-05-16 | 深圳南玻伟光导电膜有限公司 | 镀膜盖板及采用该镀膜盖板的手机 |
| KR101385235B1 (ko) * | 2012-08-08 | 2014-04-16 | (주)솔라세라믹 | 레이저 스크라이빙 기술을 이용한 투명전도막 미세 패터닝 방법 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50126194A (ja) * | 1974-03-22 | 1975-10-03 | ||
| JPS57205908A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-17 | Takeshi Ikeda | Method of producing transparent pattern electrode |
| JPS581128A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-06 | Takeshi Ikeda | 透明パタ−ン電極 |
| JPS58126613A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-28 | 鐘淵化学工業株式会社 | 薄膜電極の加工方法 |
| JPS61240513A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | 三洋電機株式会社 | 透光性導電酸化物の電気的分離方法 |
| JPS6318330A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-26 | Canon Inc | 液晶素子のパタ−ン形成方法 |
| JPH01179742A (ja) * | 1988-01-06 | 1989-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置用基板およびその作製方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4081654A (en) * | 1976-12-27 | 1978-03-28 | Western Electric Co., Inc. | Methods and apparatus for selectively removing a metallic film from a metallized substrate |
| US4859496A (en) * | 1986-09-02 | 1989-08-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing an electrically-conductive transparent film |
| GB2207669B (en) * | 1987-08-06 | 1991-05-15 | Stc Plc | Providing metallised pads on transparent electrically conductive tracks on glass substrates |
| EP0342537B1 (en) * | 1988-05-16 | 1995-09-06 | Tosoh Corporation | Process for the manufacture of a sputtering target for producing electroconductive transparent films |
| JPH02259727A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-22 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示素子におけるパターン形成法 |
| JPH04114491A (ja) * | 1990-09-04 | 1992-04-15 | Toyobo Co Ltd | 電子回路パターンとその製法 |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP4107945A patent/JP2581373B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-26 KR KR1019930006973A patent/KR0128687B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-04-27 US US08/052,628 patent/US5536466A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-04-27 FR FR9304941A patent/FR2690597B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50126194A (ja) * | 1974-03-22 | 1975-10-03 | ||
| JPS57205908A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-17 | Takeshi Ikeda | Method of producing transparent pattern electrode |
| JPS581128A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-06 | Takeshi Ikeda | 透明パタ−ン電極 |
| JPS58126613A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-28 | 鐘淵化学工業株式会社 | 薄膜電極の加工方法 |
| JPS61240513A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | 三洋電機株式会社 | 透光性導電酸化物の電気的分離方法 |
| JPS6318330A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-26 | Canon Inc | 液晶素子のパタ−ン形成方法 |
| JPH01179742A (ja) * | 1988-01-06 | 1989-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置用基板およびその作製方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998006676A1 (fr) * | 1996-08-13 | 1998-02-19 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Procede d'usinage au laser pour substrat de verre, dispositif optique du type a diffraction fabrique par ce procede d'usinage, et procede de fabrication de ce dispositif optique |
| US6291797B1 (en) | 1996-08-13 | 2001-09-18 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Laser machining method for glass substrate, diffraction type optical device fabricated by the machining method, and method of manufacturing optical device |
| US6645603B2 (en) | 1996-08-13 | 2003-11-11 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Laser processing method to a glass substrate and an optical diffraction element obtained thereby, and a method for manufacturing optical elements |
| US6924457B2 (en) | 1996-08-13 | 2005-08-02 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Laser processing method to a class substrate and an optical diffraction element obtained thereby, and a method for manufacturing optical elements |
| WO1999056300A1 (fr) * | 1998-04-28 | 1999-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ecran a plasma et son procede de fabrication |
| US6433489B1 (en) | 1998-04-28 | 2002-08-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel and method for manufacturing the same |
| US6472821B1 (en) | 1998-10-29 | 2002-10-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | AC plane discharge type plasma display panel |
| JP2005084493A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ基板の製造方法及びカラーフィルタ基板 |
| WO2005076292A1 (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Asahi Glass Company, Limited | 透明電極の製造方法 |
| WO2010035976A1 (ko) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | 에스아이디주식회사 | 레이저를 이용한 투명 전극의 패턴화 방법 및 터치 패널의 신호선 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5536466A (en) | 1996-07-16 |
| KR0128687B1 (ko) | 1998-04-15 |
| KR930022255A (ko) | 1993-11-23 |
| FR2690597B1 (fr) | 1997-07-04 |
| JP2581373B2 (ja) | 1997-02-12 |
| FR2690597A1 (fr) | 1993-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05303916A (ja) | 透明導電膜配線基板の製造方法 | |
| JP3633622B2 (ja) | レーザエッチング方法 | |
| US20070241364A1 (en) | Substrate with transparent conductive film and patterning method therefor | |
| US5312643A (en) | Method of producing a transparent conductive film provided with supplementary metal lines | |
| JP2961350B2 (ja) | 微細パターンを有するネサ膜の製造方法 | |
| JP4803719B2 (ja) | 回路パターンを有するガラス基板およびその製造方法 | |
| KR100317211B1 (ko) | 포토마스크 블랭크 및 위상쉬프트 포토마스크 | |
| JP4468679B2 (ja) | パターン形成方法及びこれを利用した電気素子の製造方法 | |
| KR101282580B1 (ko) | 회로 패턴이 부여된 투명 기판의 제조 방법 | |
| JPH11111082A (ja) | 導電性酸化スズ膜のパターニング方法 | |
| JPS6111749A (ja) | フオトマスクブランク | |
| JPS6230624B2 (ja) | ||
| JP6539181B2 (ja) | 銀配線の黒化方法及びディスプレイ装置 | |
| JP3370110B2 (ja) | ガラス基板表面への赤色パターン形成方法 | |
| JPH04114491A (ja) | 電子回路パターンとその製法 | |
| CN113130317A (zh) | 一种氧化铟锡薄膜图案的制备方法 | |
| JPH05100236A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JPH10107015A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2005084493A (ja) | カラーフィルタ基板の製造方法及びカラーフィルタ基板 | |
| JPH04274218A (ja) | ディスプレー装置 | |
| JPH0935628A (ja) | Ａｃ型プラズマディスプレイパネルの電極形成方法 | |
| JPS62203378A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH07302782A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH0417218A (ja) | 電子回路パターンおよびその製造方法 | |
| JPH04366592A (ja) | 薄膜ｅｌディスプレイの製造方法 |